JP4654093B2 - 回路パターン検査方法及びその装置 - Google Patents
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 188
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 16
- 238000012552 review Methods 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
- H01J2237/2817—Pattern inspection
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- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Description
図4は、GUI上で試し検査手順が選択された状態を表示している。試し検査手順の初期画面はウェーハ5を表示するマップ32,及び現在のステージ6の位置で検出される画像情報を表示する画像表示33で構成される。マップ32は表示方法と表示倍率と動作モードを指定できる。表示方法は,ウェーハ全面を表示するウェーハモード(図4の状態),特定のダイを表示するダイモード,検査領域を表示するストライプモードを持っている。表示倍率は任意の倍率でズーミング可能である。動作モードはダイなどの項目を指定する指定モードと指定場所への移動を指示する移動モード,表示倍率を変更する虫眼鏡モードを持っている。画像表示は表示倍率指定,表示画像指定が可能で,表示画像の特定の点をGUI装置14のマウスの中ボタンで指定し,表示モードを変更することで,指定位置を中心とする画像を表示する引き寄せ動作が可能である。
(2−1)広い領域の検査
試し検査にて,検査条件の設定ができたら,操作手順タブ122の最終検査を選択する。これにより図16に示す最終試し検査初期画面に遷移する。図16は最終試し検査手順が選択された状態を表示している。最終試し検査手順の初期画面はウェーハ5上の検査ダイ151を表示・指定するマップ32,及び検査オプション設定領域152で構成される。また,マップ32を切り替えることで,図17の画面で予め設定した領域情報をON/OFFすることで検査の有無を切り替えることが出来るダイ内の検査領域161を表示することもできる。検査ダイ151,ダイ内検査領域161を指定し,検査オプションを検査オプション設定領域152で設定した後に,動作指定ボタン23で検査開始を指示する。
レビュー画面は検査の結果得られた欠陥61を表示するマップ32,及びマップで指定した欠陥の画像を表示する画像表示領域33,及び画像表示領域に表示する画像を切り替える欠陥表示モード指定ボタン62,マップ32に表示される欠陥を自動分類,又は手動分類,又は両方,又は分類欠陥の異なる欠陥が判別可能なように表示を切り替える分類表示モード指定ボタン63,及び検査結果の欠陥情報を表示する条件設定・結果表示領域45,及び欠陥判定感度,又は分類条件を変更して再度判定を行う再判定ボタン181で構成されている。
Claims (5)
- 試料上に形成された回路パターンの欠陥を検査する方法であって、
前記回路パターンが形成された試料上の第1の領域を撮像して画像を取得し、前記第1の領域の画像を保存し、
前記保存された前記第1の領域の画像を処理して検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を設定し、
前記回路パターンが形成された試料上の前記第1の領域よりも広い第2の領域を順次撮像して画像を取得し、前記第2の領域を順次撮像して得た画像を保存し、
前記第2の領域を順次撮像して得た画像を前記設定した検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を用いて処理し、
前記処理した結果を用いて検出したい欠陥の検出率が上がる,又は検出したい欠陥の誤検出率が下がるようように前記検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を修正し、
前記修正した検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を用いて前記試料上に形成された回路パターンを順次検査して該回路パターンの欠陥を検査する
ことを特徴とする回路パターンの検査方法。 - 前記第2の領域の画像を前記設定した検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を用いて処理した欠陥の画像を前記試料上の欠陥のマップ情報とともに画面上に表示することを特徴とする請求項1記載の回路パターンの検査方法。
- 前記回路パターンに収束させた電子ビームを照射して走査し、該照射により前記試料から発生する2次電子を前記走査と同期して検出することにより前記試料の画像を得ることを特徴とする請求項1記載の回路パターンの検査方法。
- 前記検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件の修正を、表示画面上で行うことを特徴とする請求項1記載の回路パターンの検査方法。
- 前記検出条件と欠陥判定条件と欠陥分類条件を、表示画面上で対話型で修正することを特徴とする請求項1記載の回路パターンの検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005250518A JP4654093B2 (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 回路パターン検査方法及びその装置 |
US11/488,734 US8111902B2 (en) | 2005-08-31 | 2006-07-19 | Method and apparatus for inspecting defects of circuit patterns |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005250518A JP4654093B2 (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 回路パターン検査方法及びその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007067130A JP2007067130A (ja) | 2007-03-15 |
JP4654093B2 true JP4654093B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=37804145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005250518A Expired - Fee Related JP4654093B2 (ja) | 2005-08-31 | 2005-08-31 | 回路パターン検査方法及びその装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8111902B2 (ja) |
JP (1) | JP4654093B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4685599B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-05-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターンの検査装置 |
JP4672623B2 (ja) * | 2006-09-04 | 2011-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査方法及び装置 |
JP5022174B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2012-09-12 | 株式会社日立製作所 | 欠陥分類方法及びその装置 |
KR101228321B1 (ko) | 2008-04-15 | 2013-01-31 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 기판의 광학적 검사 방법 및 그 장치 |
JP5255953B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-08-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及び装置 |
JP5323457B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 観察条件決定支援装置および観察条件決定支援方法 |
JP5444092B2 (ja) * | 2010-04-06 | 2014-03-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査方法およびその装置 |
JP5371924B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2013-12-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | システマティック欠陥判定方法およびその装置 |
US8712184B1 (en) * | 2011-12-05 | 2014-04-29 | Hermes Microvision, Inc. | Method and system for filtering noises in an image scanned by charged particles |
KR102071735B1 (ko) * | 2012-03-19 | 2020-01-30 | 케이엘에이 코포레이션 | 반도체 소자의 자동화 검사용 레시피 생성을 위한 방법, 컴퓨터 시스템 및 장치 |
US10043264B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-08-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Integration of automatic and manual defect classification |
US9715723B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd | Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification |
US9607233B2 (en) * | 2012-04-20 | 2017-03-28 | Applied Materials Israel Ltd. | Classifier readiness and maintenance in automatic defect classification |
JP5439543B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2014-03-12 | 株式会社日立製作所 | 欠陥分類方法及びその装置 |
CN103513854B (zh) * | 2012-06-19 | 2017-03-01 | 旺矽科技股份有限公司 | 半导体检测系统的用户界面的显示方法 |
US10114368B2 (en) | 2013-07-22 | 2018-10-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Closed-loop automatic defect inspection and classification |
JP6470506B2 (ja) * | 2014-06-09 | 2019-02-13 | 株式会社キーエンス | 検査装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3409670B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-05-26 | 株式会社日立製作所 | 外観検査方法およびその装置 |
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JP4677701B2 (ja) | 2001-09-28 | 2011-04-27 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び検査結果確認装置 |
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JP3788279B2 (ja) | 2001-07-09 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及び装置 |
-
2005
- 2005-08-31 JP JP2005250518A patent/JP4654093B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-19 US US11/488,734 patent/US8111902B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002148027A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | パターン検査方法及び装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007067130A (ja) | 2007-03-15 |
US8111902B2 (en) | 2012-02-07 |
US20070047800A1 (en) | 2007-03-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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