KR20080065584A - 검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템 - Google Patents

검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20080065584A
KR20080065584A KR1020087004380A KR20087004380A KR20080065584A KR 20080065584 A KR20080065584 A KR 20080065584A KR 1020087004380 A KR1020087004380 A KR 1020087004380A KR 20087004380 A KR20087004380 A KR 20087004380A KR 20080065584 A KR20080065584 A KR 20080065584A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
policy
interest
region
detection
inspection
Prior art date
Application number
KR1020087004380A
Other languages
English (en)
Inventor
메나헴 레겐스부르거
Original Assignee
캠텍 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캠텍 리미티드 filed Critical 캠텍 리미티드
Publication of KR20080065584A publication Critical patent/KR20080065584A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
    • G05B23/02—Electric testing or monitoring
    • G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
    • G05B23/0208—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the configuration of the monitoring system
    • G05B23/0216—Human interface functionality, e.g. monitoring system providing help to the user in the selection of tests or in its configuration
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection

Abstract

웨이퍼 테스트 레시피를 확립하기 위한 방법 및 시스템이 개시된다. 본 발명에 따르면, 생산된 웨이퍼로부터 다수의 다이의 이미지를 획득하는 카메라; 및 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준으로서 사용될 기준 이미지를 구성하기 위해 이미지의 적어도 일부를 사용하고; 다이 패턴의 단일 및/또는 반복가능한 엘리먼트를 "관심 영역" 으로서 기준 이미지 상에 정의하고; 각각의 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대한 검출-폴리시를 결정하고, 각각의 검출-폴리시에 의해 사용될 알고리즘을 결정하고; 각각의 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터를 결정하고; 웨이퍼의 특정 로트의 검사 동안 사용될 수 있는 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 리포트-폴리시를 결정하고; 검사 시스템의 동작을 미리 정의된 로직 룰의 세트로서 정의하는 검사-폴리시를 결정하고; 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준, 정의된 관심 영역, 결정된 검출-폴리시, 결정된 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터, 결정된 리포트-폴리시 및 결정된 검사-폴리시를 통합함으로써 "웨이퍼 테스트 레시피" 를 확립하도록 동작하는 전용 소프트웨어를 포함하는 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템이 제공된다.
웨이퍼 테스트, 검사 레시피

Description

검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템 {A METHOD AND A SYSTEM FOR ESTABLISHING AN INSPECTION RECIPE}
기술분야
본 발명은 자동 광학 검사 (AOI) 를 위한 다이 에디트 분야에 관한 것이다. 더 상세하게는, 본 발명은 웨이퍼 테스트를 위한 레시피를 확립하는 방법 및 시스템에 관한 것이고, 이러한 레시피는 AOI 시스템에 사용된다.
배경기술
자동 광학 검사 (AOI) 시스템은 PCB 또는 웨이퍼 표면 상의 결함을 인식하기 위해 그 표면을 검사하는 전용 알고리즘 및 이미지 프로세싱을 사용한다. AOI 시스템은, 결함으로 의심되는 차이를 인식하기 위해, 각각의 다이, 또는 (다수의 다이 또는 다이의 일부를 포함하는) 각각의 슈트, 또는 전체 웨이퍼의 이미지를 기준 이미지와 비교한다. 이 AOI 시스템은 어떠한 차이가 결함인지 여부를 결정하고 리포트하기 위해 소정의 기준 및 알고리즘을 사용하도록 설계된다.
이 AOI 프로세스는 레시피에 따라 수행된다. 레시피는, 특히, 검출-폴리시, 리포트-폴리시 및 검사-폴리시를 포함한다. 검출-폴리시는, 어떤 알고리즘을 사용할지에 대한 정의 및 각각의 알고리즘의 파라미터의 정의이다. 리포트-폴리시는 웨이퍼의 로트 (lot) 의 검사 동안 리포트를 위해 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 구성된다. 검사-폴리시는 검사 동안 시스템의 동작의 정의이며; 이 폴리시는, 각각의 특정한 경우에 수행되어야 할 시스템을 가이드하는 미리 정의된 로직 룰 (logical rule) 의 세트로부터 형성된다.
본 발명은 특정 종류의 웨이퍼를 테스트하기 위한 레시피를 확립하기 위한 방법 및 시스템을 제공한다. 본 발명은 몇몇 이점을 제공한다. 본 발명은 레시피 준비 시간을 감소시킬 수 있고, 검사 결과 리뷰 시간을 감소시킬 수 있고, 웨이퍼 검사 머신의 이용성을 증가시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 레시피의 휴대성을 가능하게 한다. 이 레시피는 오프라인 시스템 상에서 준비되고, 그 후, 복수의 검사 머신에 카피될 수 있으며, 또한 이것은 다수의 검사 사이트의 룰 및 검사 기준의 유사성을 보장한다.
발명의 요약
본 발명은 웨이퍼, 사이트 또는 다이 검사를 위한 레시피를 확립하는 방법 및 시스템이다.
본 발명의 교시에 따르면, 다음의 단계로 구성된 레시피 확립을 위한 방법이 제공된다:
■ 생산된 웨이퍼로부터 다수의 다이의 이미지를 획득하는 단계;
■ 그 이미지의 적어도 일부를 사용하여, 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준으로서 사용될 기준 이미지를 구성하는 단계;
■ 다이 패턴의 단일 및/또는 반복가능한 엘리먼트를 "관심 영역" 으로서 기준 이미지 상에 정의하는 단계;
■ 각각의 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대한 검출-폴리시 를 결정하고, 각각의 검출-폴리시에 의해 사용될 알고리즘을 결정하는 단계;
■ 검출-폴리시의 알고리즘 각각의 파라미터를 결정하는 단계;
■ 웨이퍼의 특정 로트의 검사 동안 사용될 수 있는 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 리포트-폴리시를 결정하는 단계;
■ 검사 시스템의 동작을 미리 정의된 로직 룰의 세트로서 정의하는 검사-폴리시를 결정하는 단계;
■ 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준, 정의된 관심 영역, 결정된 검출-폴리시, 결정된 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터, 결정된 리포트-폴리시 및 결정된 검사-폴리시를 통합함으로써 "웨이퍼 테스트 레시피" 를 확립하는 단계.
또 다른 애플리케이션에 따르면, "관심 영역" 의 정의가 조작자에 의해 수동으로, 전용 소프트웨어에 의해 자동으로, 다른 소스로부터 정의된 영역의 도입 (importing) 에 의해, 또는 이 기술들의 조합에 의해 수행되는 방법이 제공된다.
또 다른 애플리케이션에 따르면, 본 방법은, "관심 영역" 의 수동 정의 기술용 이미지 프로세싱 및 그래픽 에디터를 위한 주지의 소프트웨어 및 툴의 사용을 더 포함한다.
또 다른 애플리케이션에 따르면, 본 방법은, "관심 영역" 의 자동 정의 기술용인 - 정의된 기준에 컬러 또는 그레이스케일이 매칭되는 유사한 패턴의 검색, 또는 정의된 예에 패턴 또는 형상이 매칭되는 다른 유사한 패턴의 검색과 같은 - 전용 기술을 사용하는 전용 알고리즘의 사용을 더 포함한다.
또 다른 애플리케이션에 따르면, 본 방법은 다른 소스로부터 관심 영역으로 서 미리 정의된 기하학적 도형을 도입하는 사용을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면:
■ 생산된 웨이퍼로부터 다수의 다이의 이미지를 획득하는 카메라; 및
■ ○ 그 이미지의 적어도 일부를 사용하여, 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준으로서 사용될 기준 이미지를 구성하고;
○ 다이 패턴의 단일 및/또는 반복가능한 엘리먼트를 "관심 영역" 으로서 기준 이미지 상에 정의하고;
○ 각각의 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대한 검출-폴리시를 결정하고, 각각의 검출-폴리시에 의해 사용될 알고리즘을 결정하고;
○ 검출-폴리시의 알고리즘 각각의 파라미터를 결정하고;
○ 웨이퍼의 특정 로트의 검사 동안 사용될 수 있는 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 리포트-폴리시를 결정하고;
○ 검사 시스템의 동작을 미리 정의된 로직 룰의 세트로서 정의하는 검사-폴리시를 결정하고;
○ 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준, 정의된 관심 영역, 결정된 검출-폴리시, 결정된 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터, 결정된 리포트-폴리시 및 결정된 검사-폴리시를 통합함으로써 "웨이퍼 테스트 레시피" 를 생성하도록 동작하는 전용 소프트웨어
를 포함하는 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템이 제공된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 이 시스템은, "관심 영역" 을, 조작 자에 의해 수동으로, 전용 소프트웨어에 의해 자동으로, 다른 소스로부터 정의된 영역의 입력에 의해, 또는 이 기술들의 조합에 의해 정의하는 기능 (capability) 을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 이 시스템은, 이미지 프로세싱 및 그래픽 에디터용인 주지의 소프트웨어 및 툴을 사용함으로써 조작자가 "관심 영역" 을 수동으로 정의할 수 있는 디스플레이를 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 이 시스템은, "관심 영역" 의 자동 정의 기술용인 - 정의된 기준에 컬러 또는 그레이스케일이 매칭되는 유사한 패턴의 검색, 또는 정의된 예에 패턴 또는 형상이 매칭되는 다른 유사한 패턴의 검색과 같은 - 전용 기술을 사용하는 전용 알고리즘을 사용하기 위한 기능을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 이 시스템은 다른 소스로부터 관심 영역으로서 미리 정의된 기하학적 도형을 입력하는 기능을 더 포함한다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 생산된 웨이퍼로부터 얻어진 다른 이미지를 오프-검사 머신을 사용하여 검사함으로써 레시피의 컴포넌트의 정교한 튜닝을 가능하게 하고, 시스템에 의해 자동으로 얻어진 파라미터 또는 판정을 조작자가 수동으로 오버라이트할 수 있게 하는 시스템이 제공된다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 픽셀이 다수의 "관심 영역" 에 속하는 경우 그 픽셀의 우선순위를 정의할 수 있는 시스템이 제공된다.
도면의 간단한 설명
본 발명은 첨부 도면을 참조하여 실시예로서만 설명된다. 이하, 도면을 상세히 참조하면, 도시된 명세서는 실시예로서 본 발명의 바람직한 실시형태의 예시적인 논의를 목적으로 하고, 가장 유용하고 용이하게 이해되는 발명의 원리 및 개념 양태의 설명이라고 여겨지는 것을 제공하기 위해 제시된다고 강조된다. 이에 관해서, 설명은 발명의 수개의 형태가 실제로 어떻게 구현될 수도 있는지를 당업자에게 명백하게 하는 도면과 함께 취해지고, 본 발명의 근본적인 이해를 위해 필요한 것보다 더 상세히 본 발명의 구조적인 세부사항을 도시하려고 시도하지 않는다.
도 1 은 다이를 관심 영역으로 에디트하는 방법을 도시한다.
도 2 는 관심 영역에 의한 통상적인 레시피의 컴포넌트를 도시한다.
바람직한 실시형태의 설명
본 발명은 다이, 사이트 또는 전체 웨이퍼의 검사를 위한 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템이다.
본 발명에 따르면, 생산된 웨이퍼로부터 복수의 다이 이미지가 획득된다. 이들 이미지의 일부는 통상적인 다이 이미지를 구성하는데 사용되고, 나머지들은 레시피의 오프라인의 정교한 튜닝을 위해 사용된다. 통상적인 다이 이미지를 "기준 다이 이미지" 라 한다.
기준 다이 이미지 상에 관심 영역이 정의되고, 이들 영역의 일부는 유사하다. 각각의 상이한 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대해, 검출-폴리시, 리포트-폴리시 및 검사-폴리시가 정의된다. 검출-폴리시는 어떤 알고리 즘을 사용할지에 대한 정의 및 각각의 알고리즘의 파라미터의 정의이다. 리포트-폴리시는 웨이퍼의 로트의 검사 동안 리포트를 위해 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로서 구성된다. 검사-폴리시는 검사 동안 시스템의 동작의 정의이며; 이 폴리시는, 각각의 특정한 경우에 수행되어야 할 시스템을 가이드하는 미리 정의된 로직 룰의 세트로부터 형성된다.
관심 영역의 정의는 수동으로, 자동으로, 또는 또 다른 장소에서 정의된 이미지 또는 이미지의 일부의 입력에 의해 행해질 수 있다. 이미지 프로세싱 및 그래픽 에디터용인 주지의 소프트웨어 및 툴을 사용함으로써 관심 영역을 정의하는 조작자는 이 정의를 수동으로 행할 수 있다. 정의된 기준에 컬러 또는 그레이스케일이 매칭되는 유사한 패턴의 검색, 또는 정의된 예에 패턴 또는 형상이 매칭되는 다른 유사한 패턴의 검색과 같은 - 전용 기술을 사용하는 전용 알고리즘을 사용함으로써, 자동 정의가 행해질 수 있다.
이제 전체 컴포넌트, 즉, 기준 다이 이미지, 관심 영역 또는 유사한 영역의 그룹, 알고리즘 파라미터를 갖는 검출-폴리시, 리포트-폴리시 및 검사-폴리시로부터 레시피를 형성할 수 있다.
형성된 레시피는, 생산된 웨이퍼로부터 획득된 이미지의 다른 부분 상에서 그 레시피를 실행함으로써 정교하게 튜닝될 수 있고, 조작자는, 시스템에 의해 자동으로 얻어진 파라미터 및/또는 판정을 오버라이트할 수 있다.
본 발명에 따른 방법 및 시스템의 원리 및 동작은 첨부한 설명 및 도면을 참조하면 더 쉽게 이해될 수도 있다.
도면을 참조하면, 도 1 은 다이를 관심 영역으로 에디트하는 방법을 도시한다. 생산된 웨이퍼로부터 획득된 다이의 복수의 이미지로부터, 통상적인 다이 이미지 - 도 1a - 가 구성된다. 이 통상적인 다이 이미지 (10) 는, 상이한 형상 및 컬러 또는 그레이스케일을 갖는 복수의 엘리먼트를 포함한다. 이들 엘리먼트 중 일부는 원형 형상 (11) 이고, 일부는 사각 형상 (12) 또는 라인 형상 (13) 이다. 관심 영역은 수동으로 - 하나씩 - 정의될 수 있고, 또는 통상적인 영역을 정의하고 시스템이 유사한 영역을 검색하게 함으로써 정의될 수도 있으며, 형상, 그레이스케일 또는 임의의 다른 파라미터에 따라 공통 분모가 미리 결정될 수 있다.
도 1b 는, 관심 영역 (14) 이 정의된 통상적인 다이 이미지 (10a) 를 도시한다. 사각 형상 엘리먼트 (12a) 는 수동으로 정의되었고, 시스템은 동일하게 미리 결정된 파라미터 - 형상 또는 그레이스케일 - 를 갖는 또 다른 엘리먼트 (12b) 를 검색한다. 동일한 방식으로, 라인 형상 엘리먼트 (13a) 가 정의되었고, 시스템은 다른 유사한 엘리먼트 (13b) 를 정의한다.
도 2 는 관심 영역에 의한 통상적인 레시피의 컴포넌트를 도시한다. 이 레시피는 각각의 종류의 관심 영역 (15) 에 대한 서브-레시피를 포함한다. 이 서브-레시피는 적어도 3 개의 주 엘리먼트 - 검출-폴리시 (16), 리포트-폴리시 (17) 및 검사-폴리시 (18) 를 포함한다. 검출-폴리시 (16) 는, 이 영역을 검출하는 동안 사용될 알고리즘 (16a) 을 포함하고, 각각에 대해 알고리즘 파라미터가 정의된다. 리포트-폴리시 (17) 는 결함 클래스의 특정 명칭 (17a) 의 세트를 포함하고, 검사-폴리시 (18) 는, 예를 들어, "a" 가 "b" 를 행한다 와 같은, 검사 시스템의 동작을 정의하는 로직 룰을 포함한다.
본 발명을 특정 실시형태를 참조하여 설명했지만, 다양한 변형예, 대체예 및 수정예들이 당업자에게는 명백할 것이고, 따라서, 본 발명은, 첨부한 청구항의 최광의 범주 및 사상에 속하는 이러한 모든 변형예, 대체예 및 수정예를 포함하도록 의도되었다.

Claims (12)

  1. ■ 생산된 웨이퍼로부터 다수의 다이의 이미지를 획득하는 단계;
    ■ 상기 이미지의 적어도 일부를 사용하여, 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준으로서 사용될 기준 이미지를 구성하는 단계;
    ■ 다이 패턴의 단일 및/또는 반복가능한 엘리먼트를 "관심 영역" 으로서 상기 기준 이미지 상에 정의하는 단계;
    ■ 각각의 상기 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대한 검출-폴리시를 결정하고, 각각의 상기 검출-폴리시에 의해 사용될 알고리즘을 결정하는 단계;
    ■ 상기 검출-폴리시의 알고리즘 각각의 파라미터를 결정하는 단계;
    ■ 웨이퍼의 특정 로트의 검사 동안 사용될 수 있는 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 리포트-폴리시를 결정하는 단계;
    ■ 검사 시스템의 동작을 미리 정의된 로직 룰의 세트로서 정의하는 검사-폴리시를 결정하는 단계; 및
    ■ 상기 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준, 상기 정의된 관심 영역, 상기 결정된 검출-폴리시, 상기 결정된 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터, 상기 결정된 리포트-폴리시 및 상기 결정된 검사-폴리시를 통합함으로써 "웨이퍼 테스트 레시피" 를 확립하는 단계를 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피의 확립 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 "관심 영역" 의 정의가, 조작자에 의해 수동으로, 전용 소프트웨어에 의해 자동으로, 다른 소스로부터 정의된 영역의 도입 (importing) 에 의해, 또는 이 기술들의 조합에 의해 수행되는, 웨이퍼 테스트 레시피의 확립 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 "관심 영역" 의 수동 정의 기술용인 이미지 프로세싱 및 그래픽 에디터를 위한 주지의 소프트웨어 및 툴의 사용을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피의 확립 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 "관심 영역" 의 자동 정의 기술용인 - 정의된 기준에 컬러 또는 그레이스케일이 매칭되는 유사한 패턴의 검색, 또는 정의된 예에 패턴 또는 형상이 매칭되는 다른 유사한 패턴의 검색과 같은 - 전용 기술을 사용하는 전용 알고리즘의 사용을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피의 확립 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    다른 소스로부터 관심 영역으로서 미리 정의된 기하학적 도형을 도입하는 사용을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피의 확립 방법.
  6. ■ 생산된 웨이퍼로부터 다수의 다이의 이미지를 획득하는 카메라; 및
    ■ ○ 상기 이미지의 적어도 일부를 사용하여, 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준으로서 사용될 기준 이미지를 구성하고;
    ○ 다이 패턴의 단일 및/또는 반복가능한 엘리먼트를 "관심 영역" 으로서 상기 기준 이미지 상에 정의하고;
    ○ 각각의 상기 관심 영역 또는 유사한 관심 영역의 그룹에 대한 검출-폴리시를 결정하고, 각각의 상기 검출-폴리시에 의해 사용될 알고리즘을 결정하고;
    ○ 상기 검출-폴리시의 알고리즘 각각의 파라미터를 결정하고;
    ○ 웨이퍼의 특정 로트의 검사 동안 사용될 수 있는 결함 클래스의 특정 명칭 세트를 정의함으로써 리포트-폴리시를 결정하고;
    ○ 검사 시스템의 동작을 미리 정의된 로직 룰의 세트로서 정의하는 검사-폴리시를 결정하고;
    ○ 상기 통상적인 다이 이미지의 테스트 기준, 상기 정의된 관심 영역, 상기 결정된 검출-폴리시, 상기 결정된 검출-폴리시의 알고리즘의 파라미터, 상기 결정된 리포트-폴리시 및 상기 결정된 검사-폴리시를 통합함으로써 "웨이퍼 테스트 레시피" 를 생성하도록 동작하는 전용 소프트웨어
    를 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 "관심 영역" 을, 조작자에 의해 수동으로, 전용 소프트웨어에 의해 자동으로, 다른 소스로부터 정의된 영역의 도입에 의해, 또는 이 기술들의 조합에 의해 정의하는 기능 (capability) 을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    이미지 프로세싱 및 그래픽 에디터용인 주지의 소프트웨어 및 툴을 사용함으로써 조작자가 상기 "관심 영역" 을 수동으로 정의할 수 있는 디스플레이를 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 "관심 영역" 의 자동 정의 기술용인 - 정의된 기준에 컬러 또는 그레이스케일이 매칭되는 유사한 패턴의 검색, 또는 정의된 예에 패턴 또는 형상이 매칭되는 다른 유사한 패턴의 검색과 같은 - 전용 기술을 사용하는 전용 알고리즘을 사용하기 위한 기능을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  10. 제 7 항에 있어서,
    다른 소스로부터 관심 영역으로서 미리 정의된 기하학적 도형을 도입하는 기능을 더 포함하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템은, 상기 생산된 웨이퍼로부터 얻어진 다른 이미지를 오프-검사 머신을 사용하여 검사함으로써 상기 레시피의 컴포넌트의 정교한 튜닝을 가능하게 하고, 상기 시스템에 의해 자동으로 얻어진 파라미터 또는 판정을 조작자가 수동으로 오버라이트할 수 있게 하는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 시스템은, 픽셀이 다수의 "관심 영역" 에 속하는 경우 상기 픽셀의 우선순위를 정의할 수 있는, 웨이퍼 테스트 레시피 확립 시스템.
KR1020087004380A 2005-09-01 2006-08-30 검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템 KR20080065584A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IL170610 2005-09-01
IL17061005 2005-09-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080065584A true KR20080065584A (ko) 2008-07-14

Family

ID=37809283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087004380A KR20080065584A (ko) 2005-09-01 2006-08-30 검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8089058B2 (ko)
EP (1) EP1928583A4 (ko)
KR (1) KR20080065584A (ko)
IL (1) IL189714A0 (ko)
TW (1) TWI308372B (ko)
WO (1) WO2007026361A2 (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9645097B2 (en) 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
KR20170070218A (ko) * 2014-10-22 2017-06-21 케이엘에이-텐코 코포레이션 자동화 패턴 충실도 측정 계획 생성
US9885671B2 (en) 2014-06-09 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Miniaturized imaging apparatus for wafer edge
KR20190069588A (ko) * 2016-11-08 2019-06-19 케이엘에이-텐코 코포레이션 웨이퍼 검사 임계 영역의 생성을 위한 시스템 및 방법

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8577123B2 (en) 2007-01-26 2013-11-05 Camtek Ltd. Method and system for evaluating contact elements
DE102007021130A1 (de) * 2007-05-03 2008-11-13 Panasonic Electric Works Europe Ag Verfahren zur automatischen Ermittlung von Prüfbereichen, Prüfverfahren und Prüfsystem
WO2010014609A2 (en) 2008-07-28 2010-02-04 Kla-Tencor Corporation Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for classifying defects detected in a memory device area on a wafer
US9768082B2 (en) * 2009-02-13 2017-09-19 Hermes Microvision Inc. Method and machine for examining wafers
US8775101B2 (en) 2009-02-13 2014-07-08 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US8295580B2 (en) * 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
DE102010008631A1 (de) * 2010-02-18 2011-08-18 GÖPEL electronic GmbH, 07745 Verfahren zur Inspektion von beliebig verteilten Prüfbereichen auf elektronischen Baugruppen
US8781781B2 (en) 2010-07-30 2014-07-15 Kla-Tencor Corp. Dynamic care areas
US8699784B2 (en) * 2010-08-10 2014-04-15 Camtek Ltd. Inspection recipe generation and inspection based on an inspection recipe
US9170211B2 (en) * 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
MY171987A (en) 2012-03-19 2019-11-11 Kla Tencor Corp Method, computer system and apparatus for recipe generation for automated inspection of semiconductor devices
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
WO2014149197A1 (en) 2013-02-01 2014-09-25 Kla-Tencor Corporation Detecting defects on a wafer using defect-specific and multi-channel information
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US9171364B2 (en) 2013-06-21 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection using free-form care areas
US9518932B2 (en) * 2013-11-06 2016-12-13 Kla-Tencor Corp. Metrology optimized inspection
US10483081B2 (en) 2014-10-22 2019-11-19 Kla-Tencor Corp. Self directed metrology and pattern classification
JP6685301B2 (ja) * 2014-11-19 2020-04-22 デカ テクノロジーズ インコーポレイテッド ユニット固有パターニングの自動光学検査
JP6779229B2 (ja) * 2015-04-30 2020-11-04 ケーエルエー コーポレイション 自動イメージに基づくプロセスモニタリングおよび制御
US9569834B2 (en) 2015-06-22 2017-02-14 Kla-Tencor Corporation Automated image-based process monitoring and control
US10062543B2 (en) 2015-06-23 2018-08-28 Kla-Tencor Corp. Determining multi-patterning step overlay error
TWI684225B (zh) * 2015-08-28 2020-02-01 美商克萊譚克公司 自定向計量和圖樣分類
US10565702B2 (en) 2017-01-30 2020-02-18 Dongfang Jingyuan Electron Limited Dynamic updates for the inspection of integrated circuits
CN107576673A (zh) * 2017-08-30 2018-01-12 奥士康精密电路（惠州）有限公司 一种碳油板外观检验方法
WO2021069153A1 (en) * 2019-10-08 2021-04-15 Asml Netherlands B.V. Method for determining a field-of-view setting

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476913B1 (en) * 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
JP2002100660A (ja) * 2000-07-18 2002-04-05 Hitachi Ltd 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置
US7030984B2 (en) * 2002-05-23 2006-04-18 Therma-Wave, Inc. Fast wafer positioning method for optical metrology
KR100474571B1 (ko) * 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9885671B2 (en) 2014-06-09 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Miniaturized imaging apparatus for wafer edge
US9645097B2 (en) 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
KR20170070218A (ko) * 2014-10-22 2017-06-21 케이엘에이-텐코 코포레이션 자동화 패턴 충실도 측정 계획 생성
KR20190069588A (ko) * 2016-11-08 2019-06-19 케이엘에이-텐코 코포레이션 웨이퍼 검사 임계 영역의 생성을 위한 시스템 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007026361A3 (en) 2009-04-30
TWI308372B (en) 2009-04-01
EP1928583A4 (en) 2010-02-03
EP1928583A2 (en) 2008-06-11
US20090290782A1 (en) 2009-11-26
US8089058B2 (en) 2012-01-03
IL189714A0 (en) 2008-06-05
WO2007026361A2 (en) 2007-03-08
TW200715443A (en) 2007-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080065584A (ko) 검사 레시피의 확립을 위한 방법 및 시스템
KR101144545B1 (ko) 반도체 제조를 위한 탄력적 혼성 결함 분류
JP4014379B2 (ja) 欠陥レビュー装置及び方法
US7235782B2 (en) Semiconductor inspection system
US6763130B1 (en) Real time defect source identification
US20090228217A1 (en) Defect inspection method
US6922482B1 (en) Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
KR102062433B1 (ko) 결함 정량화 방법, 결함 정량화 장치 및 결함 평가값 표시 장치
US9739720B2 (en) Method, computer system and apparatus for recipe generation for automated inspection of semiconductor devices
US6334097B1 (en) Method of determining lethality of defects in circuit pattern inspection method of selecting defects to be reviewed and inspection system of circuit patterns involved with the methods
US20160372303A1 (en) Self Directed Metrology and Pattern Classification
US20030022401A1 (en) Semiconductor device inspection method
US20080298670A1 (en) Method and its apparatus for reviewing defects
JP2004294358A (ja) 欠陥検査方法および装置
JP2002520591A (ja) 不変のコアクラスでの自動欠陥分類
CN115360116B (zh) 一种晶圆的缺陷检测方法及系统
JP3653438B2 (ja) 画像判定方法および欠陥検査装置
Breaux et al. Automatic defect classification system for patterned semiconductor wafers
JP2018091771A (ja) 検査方法、事前画像選別装置及び検査システム
TWI433246B (zh) 半導體積體電路之缺陷複查裝置
WO2008096211A2 (en) Measurement of critical dimensions of semiconductor wafers
US20090030867A1 (en) Reviewing apparatus, recipe setting method for reviewing apparatus and reviewing system
US20230052350A1 (en) Defect inspecting system and defect inspecting method
JP5374225B2 (ja) ウェハ検査条件決定方法、ウェハ検査条件決定システム及びウェハ検査システム
Ben-Porath et al. Advanced process development and control based on a fully automated SEM with ADC

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application