JP2012137466A - 半導体装置の不良解析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】良品、および不良品サンプルの半導体装置にテストパターンの掃引を開始して顕微鏡により発光画像を取得する。取得した発光画像を囲う反応ボックスを設定してレイアウト座標系の位置データに変換し、良品サンプルの反応ボックスと不良品サンプルの反応ボックスとが重なっている面積を計算する。重なっている面積がしきい値より少ない反応ボックスを差分ボックスと判定し、その差分ボックスを発光解析コントローラに表示する。
【選択図】図2
Description
本発明の概要は、不良解析システム(不良解析システム1)を用いて半導体装置(半導体装置10)の不良解析を行うものである。
まず、発光検出工程について説明する。
続いて、反応ボックス設定工程について説明する。
ここから、不良品と良品の半導体装置10における反応ボックスデータを読み込み、互いの差分を求める差分ボックス解析の処理に入る。
それにより、本実施の形態によれば、反応ボックスをデジタル情報に変換した後に重なり評価を行うので、差画像不良解析の効率を向上させることができ、解析時間を短縮しながら、高精度な不良解析を行うことができる。
2 テスタ制御用PC
3 テスタ本体
4 発光解析装置
5 発光解析コントローラ
6 EDA用ワークステーション
7 ケーブル
8 通信ケーブル
9 通信ケーブル
10 半導体装置
11 顕微鏡
12 発光画像
13 発光画像
14 発光点
15 レイアウト像
16 反応ボックス
17 点光源
18 レイアウト像
19 反応ボックス
20 レイアウト像
21 差分ボックス
22 差分ボックス
23 ネット
24 フェイルログ
25 不良候補ネット
26 ネット
27 十字パターン
28 十字パターン
29 ブロックパターン
30 ブロックパターン
31 発光像
32 発光像
33 発光像
34 反応ボックス
35 反応ボックス
36 反応ボックス
37 回路
38 ダイナミック回路
39 発光像
40 反応ボックス
41 情報
42 反応ボックス
43 反応ボックス
44 反応ボックス
45 反応ボックス
46 反応ボックス
47 レイアウト像領域
47a 基準点
47b 基準点
48 レイアウト像領域
48a 基準点
48b 基準点
49 反応ボックス
49a 反応ボックス
50 反応ボックス
51 境界
52 境界
SW1 テスタ制御ソフトウェア
SW2 解析装置制御ソフトウェア
K1 発光検出操作機能
K2 発光データ操作機能
SW3 解析支援ソフトウェア
K3 発光データ操作機能
K4 座標系ロック機能
K5 反応ボックス操作機能
K6 反応ボックス解析機能
K7 差分ボックス解析機能
SW4 レイアウトビューア
K8 座標データ操作機能
K9 ネットデータ操作機能
SW5 解析支援ソフトウェア
Claims (7)
- 不良解析システムを用いて半導体装置の不良解析を行う半導体装置の不良解析方法であって、
不良解析を行うサンプルにテストパターンを掃引して発光検出を行い、検出した発光像の発光領域を設定する工程と、
良品のサンプルにテストパターンを掃引して発光検出を行い、検出した発光像の発光領域を設定する工程と、
前記不良解析を行うサンプルの発光領域と前記良品のサンプルの発光領域とが重なっている重なり面積を計算し、前記重なり面積に基づいて、前記不良解析を行うサンプルの発光領域が不良解析対象であるか否かを判定する工程とを有することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項1記載の半導体装置の不良解析方法において、
前記不良解析対象であるかの判定は、
計算した前記重なり面積としきい値とを比較し、前記しきい値よりも前記重なり面積が小さい場合に、不良解析対象であるか否かを判定し、差画像結果として表示することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項1記載の半導体装置の不良解析方法において、
前記不良解析を行うサンプルの発光像における発光領域の設定は、
前記不良解析を行うサンプルの発光を検出した顕微鏡が取り込んだ顕微鏡像の座標と前記不良解析を行うサンプルにおけるレイアウトデータの座標とを対応させ、前記不良解析を行うサンプルに発光領域を反応ボックスとして設定してレイアウト座標の位置データに変換し、
前記良品のサンプルの発光像における発光領域の設定は、
前記良品のサンプルの発光を検出した顕微鏡が取り込んだ顕微鏡像の座標と前記良品のサンプルにおけるレイアウトデータの座標とを対応させ、前記良品のサンプルに発光領域を反応ボックスとして設定してレイアウト座標の位置データに変換し、
前記不良解析を行うサンプルの発光領域と前記良品のサンプルの発光領域との重なり面積の計算は、
位置データに変換された前記不良解析を行うサンプルの反応ボックスと位置データに変換された前記良品のサンプルの反応ボックスとが重なっている面積を求めることを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項3記載の半導体装置の不良解析方法において、
さらに、位置データに変換された前記良品のサンプルにおける反応ボックスを格納する工程を有し、
格納された前記反応ボックスを用いて位置データに変換された前記不良解析を行うサンプルの反応ボックスとの重なり面積を計算することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項3記載の半導体装置の不良解析方法において、
前記不良解析を行うサンプルから取り込んだレイアウト画像と前記良品のサンプルから取り込んだレイアウト画像との領域を一致させた後に前記不良解析を行うサンプルの発光領域と前記良品のサンプルの発光領域との重なり面積を計算することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の不良解析方法において、
さらに、差画像結果として表示された前記発光領域を通過する配線情報に基づいて、前記発光領域を通過した回数を検出し、検出した前記回数から不良の可能性の高い前記発光領域を検出する工程を有することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。 - 請求項6記載の半導体装置の不良解析方法において、
さらに、半導体装置の不良解析履歴であるフェイルログから抽出した不良候補の配線情報と差画像結果として表示された前記発光領域を通過する配線情報とを対比させ、一致した配線情報が不良にからむ配線と判定する工程を有することを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
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