TW201925761A - 缺陷檢查方法 - Google Patents

Abstract

一種缺陷檢查方法包括：從缺陷掃描器接收缺陷圖，其中所述缺陷圖包括半導體工件的至少一個缺陷位置；以所述半導體工件的參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋；確定所述半導體工件的圖像資料內的探測基準位置；基於所述探測基準位置與所述參考基準位置的比較來確定偏移修正量；透過將所述偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述偏移修正量會改變所述至少一個缺陷位置的位置；以及將所述經修正的缺陷圖傳輸到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析。

Description

缺陷檢查方法

本揭露的實施例是有關於一種缺陷檢查方法。

現代裝配線製造程序通常是高度自動化的來操縱材料及裝置並生成成品。品質控制程序常常依賴於人工技能、知識及經驗，以對在製造期間以及作為成品的所製造的產品進行檢驗。

當前用於半導體工件（例如，晶片或光掩模）的裝配線程序採用依賴於一個或多個工程師和/或裝配線操作員的人工分析的檢驗技術。此類技術需要大量的開支及昂貴的硬體，但仍無法產生令人滿意的結果。因此，傳統的檢驗技術並不是完全令人滿意的。

一種缺陷檢查方法，包括：從缺陷掃描器接收缺陷圖，其中所述缺陷圖包括半導體工件的至少一個缺陷位置；以所述半導體工件的參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋；確定所述半導體工件的圖像資料內的探測基準位置；基於所述探測基準位置與所述參考基準位置的比較來確定偏移修正量；透過將所述偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述偏移修正量會改變所述至少一個缺陷位置的位置；以及將所述經修正的缺陷圖傳輸到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析。

以下公開內容闡述用於實施主題的不同特徵的許多示例性實施例。以下闡述元件及排列的具體實例以簡化本公開內容。當然，這些僅為實例且不旨在進行限制。舉例來說，應理解，當將元件稱為「連接到」或「耦合到」另一元件時，所述元件可直接連接到或耦合到所述另一元件，或者可存在一個或多個中間元件。

另外，本公開內容可能在各種實例中重複使用參考編號和/或字母。這種重複使用是出於簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例和/或配置之間的關係。

另外，在本文中為便於說明，可使用例如「在…下面（beneath）」、「在…之下（below）」、「下方的（lower）」、「在…之上（above）」、「上方的（upper）」等空間相對關係用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一（其他）元件或特徵的關係。所述空間相對關係用語旨在除圖中所繪示的取向以外還包括裝置在使用或操作中的不同取向。所述設備可具有其他取向（旋轉90度或其他取向），且本文中所用的空間相對關係描述語可同樣相應地進行解釋。

本公開提供缺陷偏移修正的各種實施例。當缺陷的座標（例如，表示位置）（如根據缺陷掃描器的坐標系統在由缺陷掃描器產生的缺陷圖中所表示）與缺陷檢查器的坐標系統未對準時，可發生缺陷偏移。因此，由於缺陷偏移的存在，缺陷檢查器可能無法被引導以在缺陷圖中發現並檢查由缺陷掃描器發現的缺陷。

缺陷掃描器可在整個半導體工件（例如，具有沿切割道分隔開的多個管芯的積體電路或晶片）上發現缺陷，並產生標注出在整個半導體工件上缺陷所處位置的缺陷圖。缺陷圖可包括對缺陷位置（例如，缺陷的位置）的列表。在某些實施例中，缺陷圖可被表示（例如，格式化）為表，例如適於在關係型數據庫或平面檔資料庫中進行存儲的表。缺陷掃描器的實例可包括均由總部位於加利福尼亞州的苗必達市（Milpitas, California）的科天公司（KLA-Tencor Corportation）生產的Surfscan SP5及Surfscan SP3。缺陷檢查器可檢查由缺陷掃描器在缺陷掃描中探測到的缺陷。在某些實施例中，缺陷檢查器可執行根本原因分析以確定由缺陷掃描器發現的各種缺陷的共同原因。通常來說，缺陷檢查器將對缺陷圖（例如，關於缺陷位置的表）進行檢查並基於缺陷圖執行根本原因分析。缺陷檢查器的實例可包括由總部位於加利福尼亞州的聖克拉拉市（Santa Clara，California）的應用材料股份有限公司（Applied Material, Inc）生產的SEMVision TM G2。根本原因分析可為對在缺陷掃描中辨識出的各種缺陷針對個別缺陷（例如，可從嵌入缺陷確定的缺陷）的共用原因的分析和/或電氣故障分析。

如上所述，通常來說，缺陷圖是由缺陷掃描器產生的，所述缺陷掃描器不同於對在缺陷掃描中辨識出的缺陷進行檢查的缺陷檢查器。此外，缺陷掃描器及缺陷檢查器可為不同的機器且可由不同的公司生產。因此，缺陷掃描器與缺陷檢查器可能無法很好地整合，使得在無某種類型的品質控制的情況下，表示在缺陷圖中標注的缺陷的位置的座標可能無法被缺陷檢查器自動使用進行根本原因分析。此外，隨著半導體工件的演進，功能密度（例如，每晶片面積互連裝置的數目）已普遍增大而幾何大小已減小。功能密度的此增大及幾何大小的此減小增大了半導體處理對缺陷偏移的敏感性。對缺陷偏移、或在缺陷圖上標注的缺陷位置與被標注出以供缺陷檢查器進行缺陷檢查的缺陷位置（根據缺陷檢查器的坐標系統）之間的未對準的品質控制可通常由一個或多個工程師和/或裝配線操作員人工進行品質控制。因此，以下將進一步闡述的缺陷偏移修正可有利地提供自動化系統及程序，從而以自動化方式對缺陷偏移進行修正，而無需人工干預及人工品質控制所需的高支出。

如以下將進一步論述，缺陷偏移修正可包括將基準或物理標度線（physical reticule）嵌入將經歷半導體工件缺陷檢查（例如，確定缺陷的根本原因使得可針對後續製造的半導體工件採取防治性或預防性措施）的半導體工件中。單個半導體工件可在整個所述半導體工件上包括位於各種位置處的若干基準。該些各種位置可位於切割道內。

缺陷偏移修正可包括由缺陷偏移修正模組執行的缺陷偏移修正程序。如以上所介紹，缺陷圖可標注由缺陷掃描器確定的缺陷的位置。此外，基於缺陷圖的坐標系統，由缺陷掃描器產生的缺陷圖可基於半導體工件（例如，晶片）中的嵌入基準的已知位置而以參考基準位置進行注釋。以參考基準位置更新的此缺陷圖可被稱為基準更新缺陷圖。參考基準位置可由在參考基準位置處可探測到的參考基準標記進行表徵。因此，缺陷偏移修正程序可分析並修正基準更新缺陷圖中的基準偏移。具體來說，缺陷偏移修正程序可包括基於基準更新缺陷圖來探測圖像資料中的基準，基於所探測到的基準來探測偏移，並基於所探測到的偏移來執行偏移調整。此缺陷偏移修正程序可在單個半導體工件上重複多次。透過重複多次，可在每一次重複情形中進一步校準偏移修正。

在對表徵半導體工件（例如，晶片）的圖像資料進行分析時，缺陷偏移修正程序可透過將基準圖案與基準輪廓進行匹配來辨識基準。此可透過圖案匹配程序來執行，所述圖案匹配程序可探測圖像資料中的基準作為可匹配到基準輪廓的基準圖案。基準圖案可為反映基準並被確定為充分匹配基準輪廓（例如，具有超過邊緣閾值的重疊，如以下將進一步論述）的圖像資料。基準輪廓可為在基準圖案中應可被探測到的各種細節的虛擬參考。該些各種細節也可被稱為輪廓特徵，且可包括獨特的邊緣、質地、顏色飽和度和/或可為基準輪廓的一部分並可用於辨識基準圖案的其他特徵。將在以下進一步論述匹配，但所述匹配可包括：判斷圖像資料的一部分是否包括與基準輪廓的輪廓特徵充分相似或相同的輪廓特徵（例如，邊緣、圖元比例、顏色飽和度、梯度等）。在某些實施例中，所述匹配可利用各種標準物件識別技術（例如，邊緣匹配、灰度匹配及梯度匹配）中的任一者來實施。因此，當基準輪廓充分匹配可能基準圖案時，可確定（例如，確認）基準圖案（例如，包括尚未被確定或確認為基準圖案的可能基準圖案的圖像資料）。在特定實施例中，可利用傳統圖案匹配技術來辨識圖像資料中的基準圖案。

在某些實施例中，缺陷偏移修正程序可解釋並移除可閉塞基準圖案的圖像資料中的偽像（artifact）。在另一些實施例中，缺陷偏移修正程序可解釋邊緣圖像資料、或表徵基準的不完整圖像資料。此可透過設定邊緣閾值來完成，超過所述邊緣閾值，局部基準匹配將被標注為完整基準匹配（即使基於基準圖案（例如，切斷（cut off）或不完整基準圖案）的不完整圖像資料）。

在辨識基準圖案時，可執行偏移調整，偏移調整相對于相關聯的參考基準位置來補償可基於基準圖案的位置（例如，探測基準位置）探測到的任意偏移。在某些實施例中，相關聯的參考基準位置可為半導體工件（例如，晶片）的在基準更新缺陷圖中標注的參考基準位置處的圖像的中心。該些偏移可為基準圖案的位置（例如，探測基準位置）與參考基準位置之間的差。舉例來說，偏移可包括方向及大小（例如，偏左5納米）。可基於所述偏移來確定偏移修正量。偏移修正量可為偏移的相反量（例如，相對量），所述相反量在被應用至缺陷圖時可修正（例如，補償）偏移並使缺陷圖重新與準確的坐標系統（例如，缺陷檢查器的坐標系統）對準。換種方式來說，可基於偏移將偏移修正量應用至缺陷圖以生成經修正的缺陷圖。經修正的缺陷圖可與缺陷檢查器的坐標系統對準，所述缺陷檢查器將基於在缺陷圖中（在對應的缺陷位置處）標注的缺陷來執行缺陷檢查。在某些實施例中，此修正（例如，對偏移修正量的應用）在整個缺陷圖上可為全域性的。儘管在本文中可結合缺陷掃描器、缺陷檢查器和/或半導體工件上的缺陷闡述缺陷偏移修正，但視不同應用的需要，根據本公開的各種實施例可修正任意類型的偏移（並不是只有缺陷偏移）並可在任意類型的裝置之間（並不是只在缺陷掃描器和/或缺陷檢查器之間）進行修正。舉例來說，根據本公開的各種實施例可被應用於在由第一裝置產生的圖像資料中的偏移由第二裝置進行分析時對所述偏移進行修正。

圖1是根據一些實施例，示出與缺陷掃描器104及缺陷檢查器106相關的缺陷偏移修正模組102的方塊圖100。如以上所介紹，缺陷掃描器104可在調查中在整個半導體工件上發現缺陷並產生缺陷圖，所述缺陷圖對在整個半導體工件（例如，晶片）上缺陷所處位置進行標注。將結合圖2論述缺陷的實例。返回圖1，缺陷掃描器104的實例可包括均由總部位於加利福尼亞州的苗必達市的科天公司生產的Surfscan SP5及Surfscan SP3。

由缺陷掃描器104產生的缺陷圖可由缺陷偏移修正模組102進行處理。缺陷偏移修正模組102可執行缺陷偏移修正程序（以上論述）以修正由缺陷檢查器106與缺陷掃描器104之間的未對準引起的缺陷偏移。舉例來說，如以下將進一步論述，缺陷偏移修正模組可分析基準注釋缺陷圖（例如，缺陷位置以參考基準位置進行注釋的缺陷圖）。缺陷偏移修正模組可在調查中分析表徵半導體工件（例如，晶片）的圖像資料，以確定作為探測基準位置與參考基準位置之間的位置差的偏移。如以下將進一步論述，然後可基於此所確定的差來修正所述偏移。可將經修正的缺陷圖（例如，經修正的基準更新缺陷圖）傳輸（例如，發送）到缺陷檢查器106。儘管在圖1中將缺陷偏移修正模組示出為自缺陷掃描器104或缺陷檢查器106分隔開，但根據不同實施例中的各種應用，可將缺陷偏移修正模組實體整合為缺陷掃描器104或缺陷檢查器106的殼體的一部分。

缺陷檢查器106可檢查由缺陷掃描器104在缺陷掃描中探測到的缺陷。缺陷檢查器可對由探測掃描器探測到的缺陷進行各種檢查中的任一者，例如根本原因分析，以確定由缺陷掃描器104發現的各種缺陷的共同原因。該些缺陷可位於在經修正的缺陷圖中標注的缺陷位置處。缺陷檢查器106的實例可包括由總部位於加利福尼亞州的聖克拉拉市的應用材料股份有限公司生產的SEMVision TM G2。根本原因分析可為對在經修正的缺陷掃描中（例如，在經修正的缺陷圖中）辨識出的各種缺陷針對個別缺陷（例如，可從嵌入缺陷確定的缺陷）的共用原因的分析和/或電氣故障分析。

圖2是根據一些實施例，示出缺陷偏移修正模組102的元件的方塊圖。缺陷偏移修正模組102可包括被程式設計以實行本文中所述的任意方法的處理器202。在另一些實施例中，處理器202可被實施為一個或多個處理器。處理器202可哥操作地連接到電腦可讀取記憶體204（例如，記憶體和/或資料存儲）、網路連接模組206以及使用者介面模組210。在一些實施例中，電腦可讀取記憶體204可包括缺陷偏移修正程序邏輯，所述缺陷偏移修正程序邏輯可對處理器進行配置以執行缺陷偏移修正程序，如以下進一步論述。缺陷偏移修正程序邏輯可包括基準探測邏輯（所述基準探測邏輯可對缺陷偏移修正模組進行配置以探測圖像資料中的基準）、缺陷偏移確定邏輯（所述缺陷偏移確定邏輯可對缺陷偏移修正模組進行配置以探測偏移）以及偏移調整邏輯（所述偏移調整邏輯可對缺陷偏移修正模組進行配置以修正所探測到的偏移）。電腦可讀取記憶體也可存儲任意其他參數，例如基準輪廓、圖像資料、缺陷掃描、參考基準位置、邊緣閾值、以及可用於執行缺陷偏移修正的任意其他參數或資訊。

網路連接模組206可促進缺陷偏移修正模組102與可與所述網路連接模組通信的其他裝置（例如，缺陷掃描器104和/或缺陷檢查器106）的網路連接，如以上結合圖1所論述。在某些實施例中，網路連接模組206可有利於物理連接，例如線或匯流排。在其他實施例中，網路連接模組206可有利於無線連接，例如利用發射器、接收器和/或收發器在無線局域網（wireless local area network，WLAN）上的連接。

缺陷偏移修正模組102也可包括使用者介面208。使用者介面可包括用於向網路連接模組（包括但不限於監控器、膝上電腦、平板電腦或移動裝置等）的運算子進行輸入和/或輸出的任意類型的介面。在某些實施例中，使用者介面208可不包括在缺陷偏移修正模組102中。儘管在圖2中將缺陷偏移修正模組102示出為獨立的，但缺陷偏移修正模組102可與缺陷掃描器104和/或缺陷檢查器106並列或位於同一殼體內，如以上結合圖1進一步論述。

圖3是根據一些實施例，缺陷檢查程序300的流程圖。缺陷檢查程序300可包括可由缺陷偏移修正模組執行的缺陷偏移修正程序301（以虛線標注），如以上進一步論述。應注意，程序300僅為實例，且並不旨在限制本公開。因此，應理解，可在圖3所示的程序300之前、期間及之後提供額外的操作，可省略某些操作，可與其他操作同時地執行某些操作，且可能僅在本文中簡潔地闡述一些其他操作。

在方塊302處，可將基準嵌入半導體工件（例如，晶片或光掩模）中，並將所述基準的位置記錄為參考基準位置（例如，可在缺陷圖中進行注釋以生成基準更新缺陷圖的基準位置，如以下將進一步論述）。在某些實施例中，可將該些基準嵌入（例如，插入）半導體工件（例如，晶片）的切割道內。

在方塊304處，可生成缺陷圖。所述缺陷圖可由缺陷掃描器產生。以上進一步論述了缺陷掃描器，且此處為簡潔起見將不再對缺陷掃描器進行贅述。缺陷圖可包括對由缺陷掃描器產生的缺陷位置的列表。

在方塊306處，可生成基準更新缺陷圖。基準更新缺陷圖可為以參考基準位置進行注釋的缺陷圖。如上所述，參考基準位置可為從方塊302記錄的基準的位置。該些參考基準位置可根據缺陷圖的坐標系統被插入（例如，注釋）在缺陷圖內。

在方塊308處，可調查參考基準位置（在缺陷圖中進行注釋以生成基準更新缺陷圖）。可基於在調查中捕獲的表徵半導體工件（例如，晶片）的圖像資料來調查參考基準位置。在某些實施例中，圖像資料可由例如以下感測器捕獲：電荷耦合裝置（charge-coupled device，CCD）、背側照明（back-side illuminated，BSI）型探測器、或具有相應的紅色、綠色及藍色濾波器用於RGB感測的互補金屬氧化物半導體（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）成像感測器。

基於所捕獲的圖像資料，可由缺陷偏移修正模組探測基準。更具體來說，可在所捕獲的圖像資料中探測指示實體半導體工件中的基準的基準圖案。為簡潔起見，可將探測基準圖案闡述為探測基準。如以下將結合圖5A到圖5C進行論述，基準圖案可根據各種基準圖案探測程序進行探測。舉例來說，基準圖案探測程序可包括圖案匹配，其中在圖像資料中確定可能基準圖案，並相對於基準輪廓對所述可能基準圖案進行評估（例如，匹配）以判斷所述可能基準圖案與基準輪廓是否充分匹配（例如，所述兩者是否在超過邊緣閾值的程度上匹配）。基準探測程序也可包括閉塞移除（例如，在缺陷掃描中移除可影響基準探測的雜訊或偽像）和/或局部基準探測（例如，基於僅包括基準圖案的一部分的局部或不完整圖像資料對基準圖案進行探測）。

一旦探測到基準圖案，便可將探測基準位置賦予所探測到的基準圖案。可將探測基準位置與相關聯的參考基準位置進行比較。相關聯的參考基準位置可位於表徵半導體工件（例如，晶片）的圖像資料（例如，圖像）的中心。探測基準位置與相關聯的參考基準位置之間的差可為偏移。在某些實施例中，所述偏移可被視覺化為位置的差，使得探測基準位置從參考基準位置偏移特定的大小（例如，5納米）及方向（例如，向左）。

在方塊310處，缺陷偏移修正模組可執行偏移修正。如以上所論述，在辨識基準圖案時，可執行補償任意偏移的偏移修正（例如，調整）。該些偏移可為探測基準位置（例如，所探測到的基準圖案的位置）與參考基準位置之間的位置差。舉例來說，偏移可包括方向及大小（例如，偏左5納米）。因此，可基於所述偏移來確定偏移修正量。偏移修正量可為偏移的相反量（例如，相對量），所述相反量在被應用至圖像資料時可修正（例如，補償）偏移並使缺陷圖與準確的坐標系統（例如，接收缺陷檢查器的坐標系統）更加對準。換種方式來說，可基於偏移將偏移修正量應用至缺陷圖以生成經修正的缺陷圖（和/或經修正的基準更新缺陷圖）。經修正的缺陷圖可與圖像檢查器的坐標系統更加對準，圖像檢查器將基於在缺陷圖中（在對應的缺陷位置處）探測到的缺陷來執行缺陷檢查。在某些實施例中，此修正（例如，對偏移修正量的應用）在整個缺陷圖（和/或經修正的基準更新缺陷圖）上可為全域性的。

在方塊312處，缺陷偏移修正模組可判斷是否存在另外的待被調查的基準。如以上結合方塊302所論述，半導體工件可包括多個基準。因此，可針對所述多個基準中的每一者確定偏移。換種方式來說，缺陷偏移修正程序可為連續的且針對單個半導體工件上的多個基準重複多次。透過重複多次，偏移修正程序可在多種情形下且在多於一個區處執行進一步的校準，使得偏移修正可更為準確。如果存在額外的基準需進行調查，那麼程序300返回方塊308並對額外的基準進行調查。如果不存在額外的基準需進行調查，那麼程序繼續進入在其中執行缺陷檢查的方塊314。

如上所述，方塊306、308、310及312可由缺陷偏移修正模組執行且可被統稱為缺陷偏移修正程序301。以下將進一步論述缺陷偏移修正程序的各種方面。

在方塊314處，執行缺陷檢查。缺陷檢查可由缺陷檢查器基於經修正的缺陷圖來執行。缺陷檢查器可執行根本原因分析以確定由缺陷掃描器發現的各種缺陷的共同原因。根本原因分析可為對在缺陷圖中辨識出的各種缺陷針對個別缺陷（例如，可從嵌入缺陷確定的缺陷）的共用原因的分析和/或電氣故障分析。以上結合圖1論述了缺陷檢查及缺陷檢查器，且為簡潔起見，此處不再對此進行贅述。

圖4A是根據一些實施例，對其中基準401可嵌入半導體工件402中的情形的例示400。所述例示包括對半導體工件402（例如，晶片）的一部分404的放大圖403。放大圖403包括作為字母數位記號「20B」的基準401。在各種實施例中，基準可為字母符號、數位記號和/或字母數位記號。有利地，字母數位記號可更易於人類識別以進行品質控制，且可透過現有的利用字母數位記號系統的計算系統被輕易地修改，使得可生成獨特基準的各種組合作為新的字母數位記號組合。基準401可位於切割道410內。此外，例示400包括位於表徵半導體工件（例如，晶片）的圖像資料（例如，圖像）的放大圖的中心的參考基準位置412。

圖4B是根據一些實施例，對示例性缺陷420的例示。缺陷420可為在半導體工件422上可觀察到的瑕疵。缺陷420可為有害的，因為他們會在半導體處理期間降低良率。

圖4C是根據一些實施例，對半導體工件450（例如，晶片）的例示，半導體工件450具有在整個所述半導體工件上標注的各種缺陷位置452。如以上結合圖1所論述，缺陷位置452可由缺陷掃描器產生（例如，標注），且為簡潔起見，此處不再對此進行贅述。

圖5A是根據一些實施例，用於探測基準的程序500的方塊圖。程序500可由缺陷偏移修正模組執行。應注意，程序500僅為實例，且並不旨在限制本公開。因此，應理解，可在程序500之前、期間及之後提供額外的操作，可省略某些操作，可與其他操作同時地執行某些操作，且可能僅在本文中簡潔地闡述一些其他操作。

在方塊502處，缺陷偏移修正模組可存取圖像資料504。此圖像資料504可以參考基準位置505（以十字游標（crosshair）示出）為中心。如以上所述，圖像資料504可表徵半導體工件。圖像資料504也可表徵嵌入半導體工件中的基準（作為基準圖案506）。透過存取圖像資料504，可從電腦可讀取記憶體擷取圖像資料504或可由圖像感測器捕獲圖像資料504，如以上所論述。

在方塊508處，缺陷偏移修正模組可在圖像資料504中選擇可能基準圖案506。提供對可能基準圖案506的此論述是為了易於闡釋，作為對其中可探測到基準圖案506的圖像資料的一部分的選擇或確定。所述選擇可基於任意標準且可以可對圖像資料504進行評估的任意方式進行執行。舉例來說，在某些實施例中，所述選擇可為透過圖像資料504的增量掃描（incremental scan）的一部分，所述增量掃描將圖像資料分割成多個部分並依序評估所述多個部分中的每一者作為可能基準圖案506。可能基準圖案506可為包括可指示嵌入半導體工件（例如，晶片）中的基準的特徵的圖像資料504的一部分。可將可能基準圖案506用於圖案匹配，如以下將進一步論述。

在方塊510處，缺陷偏移修正模組可擷取基準輪廓512以執行圖案匹配509。透過存取基準輪廓512，可從電腦可讀取記憶體擷取基準輪廓512，如以上結合圖2所論述。返回圖5A，基準輪廓512可為表徵基準圖案的圖像資料的參考，且可用於評估圖像資料中的可能基準圖案506，如以下將論述。基準輪廓可包括表徵基準圖案的多個輪廓特徵。舉例來說，可存在作為基準輪廓512的一部分的六個輪廓特徵512A到512F。該些輪廓特徵中的每一者可為基準輪廓512的獨特部分，且可為用於判斷可能基準圖案506是否匹配基準輪廓512的參考點。儘管將所述六個輪廓特徵512A到512F示出為邊緣，但輪廓特徵可為可被探測到以評估潛在基準圖案是否為基準圖案的基準圖案的任意方面（例如，質地、飽和度、梯度等）。

在方塊514處，缺陷偏移修正模組可評估圖像資料504中的可能基準圖案506是否匹配基準輪廓512。在某些實施例中，缺陷偏移修正模組可確定可能基準圖案506與基準輪廓512之間的相似量或重疊量（例如，透過將可能基準圖案506與基準輪廓512進行比較）。具體來說，如果重疊量超過邊緣閾值，那麼可能基準圖案506可被確定為與基準輪廓512具有充分的重疊並被標注為探測到的基準圖案。舉例來說，邊緣閾值可為約50%到約99%重疊或相似。換種方式來說，可基於圖像資料的一部分是否包括與基準輪廓的輪廓特徵充分相似或相同的輪廓特徵（例如，邊緣、飽和度、梯度等）來確定基準圖案。在某些實施例中，所述匹配可利用各種傳統物件識別技術（例如，邊緣匹配、灰度匹配及梯度匹配）中的任一者來實施。如上所述，該些所探測到的基準圖案可被賦予以探測基準位置並用以確定偏移，所述偏移可為探測基準位置與參考基準位置之間的位置差。

圖5B是根據一些實施例，用於探測閉塞基準的程序529的方塊圖。閉塞基準可為具有覆蓋偽像的可能基準圖案，所述覆蓋偽像閉塞可能基準圖案或使所述可能基準圖案模糊，使得由於所述閉塞偽像的存在可能更難以從可能基準圖案探測基準圖案。程序529可由缺陷偏移修正模組執行。應注意，程序529僅為實例，且並不旨在限制本公開。因此，應理解，可在程序529之前、期間及之後提供額外的操作，可省略某些操作，可與其他操作同時地執行某些操作，且可能僅在本文中簡潔地闡述一些其他操作。

在方塊530處，缺陷偏移修正模組可存取閉塞的圖像資料531並探測閉塞的基準。閉塞的圖像資料可為具有閉塞基準的圖像資料。此可類似於圖5A中的方塊502，但具有包括各種偽像532A及532B的閉塞圖像資料。該些偽像可為圖像資料中的注釋，例如刻度（scale）、游標（cursor）及分劃板（reticle）。

在某些實施例中，偽像532A及532B可為探測為閉塞圖像資料531的特定層的一部分（例如，一組相關偽像，具有指示可從閉塞圖像資料531選擇所述組的中繼資料）。在其他實施例中，可預先確定將被探測到的偽像（例如，偽像可與已知的偽像輪廓相關聯，可參照所述已知的偽像輪廓來探測閉塞圖像資料531中的偽像）。可利用各種標準物件識別技術（例如，邊緣匹配、灰度匹配及梯度匹配）中的任一者來探測此類預先確定的偽像。

在方塊533處，缺陷偏移修正模組可移除閉塞圖像資料531中所探測到的偽像532A及532B。可透過刪除或以其他方式從閉塞圖像資料531進行分隔而移除所探測到的偽像532A及532B。

在方塊534處，缺陷偏移修正模組可對圖像資料進行修補，使得圖像資料具有移除的偽像的部分可被修補並修復至不具有偽像的形式。可根據傳統的修補程序（例如，透過內插技術）來執行修補，且為簡潔起見，在本文中不再對此進行贅述。

在方塊536處，缺陷偏移修正模組可使用經修補的圖像資料538來執行圖案匹配。參照圖5A，在方塊502中，可利用經修補的圖像資料538作為圖像資料504。以上結合圖5A論述了圖案匹配，且為簡潔起見，此處將不再對此進行贅述。

圖5C是根據一些實施例，用於從邊緣基準圖案探測基準的程序的方塊圖。邊緣基準圖案（也被稱為不完整基準圖案）可為在圖像資料中局部地表示的可能基準圖案。因此，基準圖案在被呈現為邊緣基準圖案時可能更加難以識別。在某些實施例中，由於被切斷的圖像資料，邊緣基準圖案可被示出為局部呈現的基準圖案。此種類型的圖像資料也可被稱為邊緣圖像資料（例如，其中僅一部分基準圖案可獲得圖像資料）。在另一些實施例中，邊緣基準圖案也可反映被偽像閉塞使得可能基準圖案的僅一部分能夠被缺陷偏移修正模組存取（例如，能夠被用於進行分析）的基準圖案。在方塊562處，缺陷偏移修正模組可存取包括邊緣基準圖案566A、566B、566C及566D的邊緣圖像資料564。由於圖像資料中的限制（例如，由於圖像資料被切斷），邊緣基準圖案566A、566B、566C及566D可為被局部呈現的可能基準圖案。此外，邊緣基準圖案566A、566B、566C及566D可為同一圖像資料的一部分，但為易於例示，被呈現為單獨的圖像。

在方塊570處，缺陷偏移修正模組可使用邊緣圖像資料564來執行圖案匹配。參照圖5A，邊緣圖像資料564可被用作方塊502中的圖像資料504。如以上結合圖5A所述，如果可能基準圖案（例如，邊緣基準圖案）與基準輪廓之間的重疊量超過邊緣閾值，那麼邊緣基準圖案可被確定為與基準輪廓具有充分的重疊並被標注為探測到的基準圖案。以上結合圖5A論述了圖案匹配，且為簡潔起見，本文中將不再對此進行贅述。

在一些實施例中，一種方法包括：從缺陷掃描器接收缺陷圖，其中所述缺陷圖包括半導體工件的至少一個缺陷位置；以所述半導體工件的參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋；確定所述半導體工件的圖像資料內的探測基準位置；基於所述探測基準位置與所述參考基準位置的比較來確定偏移修正量；透過將所述偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述偏移修正量會改變所述至少一個缺陷位置的位置；以及將所述經修正的缺陷圖傳輸到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析。

在其他實施例中，所述探測基準位置是基於對所述圖像資料內的基準圖案的探測。

在其他實施例中，所述基準圖案是字母數位圖案。

在其他實施例中，所述基準圖案被刻度或游標覆蓋。

在其他實施例中，還包括：在以所述參考基準位置為中心的所述半導體工件的圖像資料內確定所述探測基準位置。

在其他實施例中，所述確定所述探測基準位置包括判斷在所述圖像資料內發現的可能基準圖案是否與基準輪廓重疊。

在其他實施例中，所述確定所述探測基準位置包括判斷可能基準圖案與基準輪廓之間的重疊的百分比是否超過邊緣閾值。

在其他實施例中，所述基準輪廓包括至少一個輪廓特徵。

在其他實施例中，所述探測基準位置位於切割道內。

在其他實施例中，還包括：確定所述圖像資料內的多個探測基準位置，其中所述偏移修正量是基於所述多個探測基準位置中的每一者與相應的參考基準位置的比較。

在另一些實施例中，一種方法包括：從缺陷掃描器接收缺陷圖，其中所述缺陷圖包括多個缺陷位置；以多個參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋；確定半導體工件的圖像資料內的多個探測基準位置；基於所述多個探測基準位置中的每一者與相應的參考基準位置的比較來確定多個偏移修正量；以及透過將所述多個偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述多個偏移修正量會改變所述多個缺陷位置中的每一者的位置。

在其他實施例中，所述多個參考基準位置包括六個參考基準位置。

在其他實施例中，所述將所述多個偏移修正量應用於所述缺陷圖是連續地對所述多個偏移修正量中的每一者執行的。

在其他實施例中，所述多個探測基準位置中的每一者是基於對所述圖像資料內的基準圖案的探測來確定的。

在其他實施例中，還包括：將所述經修正的缺陷圖傳輸到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析，其中所述根本原因分析分析所述多個缺陷位置中的每一者處的至少一個缺陷以確定所述多個缺陷位置中的每一者處的所述至少一個缺陷的至少一個共同原因。

在其他實施例中，一種缺陷偏移修正模組包括：網路連接模組，被配置成：存取缺陷圖，其中所述缺陷圖包括至少一個缺陷位置；至少一個處理器，被配置成：以參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋；確定半導體工件的圖像資料內的探測基準位置；基於所述探測基準位置與相關聯的參考基準位置的比較來確定偏移修正量；以及透過將所述偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述偏移修正量會改變所述至少一個缺陷位置的位置，其中所述網路連接模組還被配置成將所述經修正的缺陷圖提供到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析。

在其他實施例中，所述網路連接模組是以下中的至少一者：網路匯流排及網路收發器。

在其他實施例中，所述探測基準位置是基於對所述圖像資料內的基準圖案的探測。

在其他實施例中，所述缺陷偏移模組是與以下中的至少一者一起容納在單個殼體內：缺陷掃描器及所述缺陷檢查器。

在其他實施例中，所述至少一個處理器還被配置成將在所述圖像資料內發現的可能基準圖案與基準輪廓進行比較。

以上概述了若干實施例的特徵，以使所屬領域中的技術人員可更好地理解本發明的各個方面。所屬領域中的技術人員應知，其可容易地使用本發明作為設計或修改其他程序及結構的基礎來施行與本文中所介紹的實施例相同的目的和/或實現與本文中所介紹的實施例相同的優點。所屬領域中的技術人員還應認識到，這些等效構造並不背離本發明的精神及範圍，而且他們可在不背離本發明的精神及範圍的條件下對其作出各種改變、代替、及變更。

除非另外具體陳述，否則例如「能夠（can及could）」或「可（might and may）」等條件語言將在一般使用的上下文內進行理解以表達某些實施例包括某些特徵、元件、方塊和/或步驟，而其他實施例不包括所述特徵、元件、方塊和/或步驟。因此，此類條件語言一般來說將不旨在暗指一個或多個實施例以任何方式需要特徵、元件、方塊和/或步驟或暗指一個或多個實施例必須包括邏輯用於在存在或不存在使用者輸入或提示的情況下決定該些特徵、元件和/或步驟是否包括在任意特定的實施例中或將在任意特定的實施例中進行執行。

此外，所屬領域中的技術人員將能夠配置功能實體，以在閱讀本公開之後執行本文中所述的操作。本文中相對於指定操作或功能所述的用語「配置」是指被實體地或虛擬地構建、程式設計和/或排列以執行指定操作或功能的系統、裝置、元件、電路、結構、機器等。

除非另外具體陳述，否則例如「X、Y或Z中的至少一者」等分離性語言將在一般使用的上下文內進行理解以表示專案、用語等可為X、Y或Z、或其任意組合（例如，X、Y和/或Z）。因此，此種分離性語言一般來說並非旨在暗指且不應暗指某些實施例需要至少一個X、至少一個Y或至少一個Z每一個都存在。

應強調，可對上述實施例作出許多變化及修改，上述實施例的元件將被理解為位於其他可接受的實例中。所有此類修改及變化都旨在包括在本文中位於本公開的範圍內且受上述權利要求書的保護。

100‧‧‧方塊圖

102‧‧‧缺陷偏移修正模組

104‧‧‧缺陷掃描器

106‧‧‧缺陷檢查器

202‧‧‧處理器

204‧‧‧電腦可讀取記憶體

206‧‧‧網路連接模組

208‧‧‧使用者介面

300‧‧‧缺陷檢查程序

301‧‧‧缺陷偏移修正程序

302、304、306、308、310、312、314‧‧‧方塊

400‧‧‧例示

401‧‧‧基準

402‧‧‧半導體工件

403‧‧‧放大圖

404‧‧‧半導體工件的一部分

410‧‧‧切割道

412‧‧‧參考基準位置

420‧‧‧缺陷

422‧‧‧半導體工件

450‧‧‧半導體工件

452‧‧‧缺陷位置

500‧‧‧程序

502、508、510、514‧‧‧方塊

504‧‧‧圖像資料

505‧‧‧參考基準位置

506‧‧‧基準圖案

509‧‧‧圖案匹配

512‧‧‧基準輪廓

512A、512B、512C、512D、512E、512F‧‧‧輪廓特徵

529‧‧‧程序

530、533、534、536‧‧‧方塊

531‧‧‧圖像資料

532A、532B‧‧‧偽像

538‧‧‧圖像資料

562、570‧‧‧方塊

564‧‧‧邊緣圖像資料

566A、566B、566C、566D‧‧‧邊緣基準圖案

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注意，各種特徵並非按比例繪製。事實上，為論述清晰起見，可任意增大或減小各種特徵的尺寸及幾何形狀。 圖1是根據一些實施例，示出與缺陷掃描器及缺陷檢查器相關的缺陷偏移修正模組的方塊圖。 圖2是根據一些實施例，示出缺陷偏移修正模組的元件的方塊圖。 圖3是根據一些實施例，缺陷檢查程序的流程圖。 圖4A是根據一些實施例，對可嵌入基準的半導體工件的例示。 圖4B是根據一些實施例，對示例性缺陷的例示。 圖4C是根據一些實施例，對整個晶片上多個缺陷位置的例示。 圖5A是根據一些實施例，用於探測基準的程序的方塊圖。 圖5B是根據一些實施例，用於探測閉塞基準（occluded fiducial）的程序的方塊圖。 圖5C是根據一些實施例，用於探測具有不完整圖像資料的基準的程序的方塊圖。

Claims (1)

1. 一種缺陷檢查方法，包括： 從缺陷掃描器接收缺陷圖，其中所述缺陷圖包括半導體工件的至少一個缺陷位置； 以所述半導體工件的參考基準位置對所述缺陷圖進行注釋； 確定所述半導體工件的圖像資料內的探測基準位置； 基於所述探測基準位置與所述參考基準位置的比較來確定偏移修正量； 透過將所述偏移修正量應用於所述缺陷圖來生成經修正的缺陷圖，其中所述應用所述偏移修正量會改變所述至少一個缺陷位置的位置；以及 將所述經修正的缺陷圖傳輸到缺陷檢查器，所述缺陷檢查器被配置成基於所述經修正的缺陷圖來執行根本原因分析。