TWI692700B

TWI692700B - 智慧型的缺陷校正系統與其實施方法

Info

Publication number: TWI692700B
Application number: TW106134392A
Authority: TW
Inventors: 呂一雲
Original assignee: 敖翔科技股份有限公司
Priority date: 2017-10-05
Filing date: 2017-10-05
Publication date: 2020-05-01
Also published as: CN113361225B; CN113361225A; CN109616426A; CN109616426B; TW201915792A

Abstract

本發明提供一種智慧型的半導體缺陷校正的系統與其實施方法，其方法包括：接收製造工廠送出的多個缺陷資料，接收一積體電路設計公司的IC設計佈局圖資料，並對多個缺陷資料進行缺陷座標轉換校正及缺陷影像校正後，用關鍵區域分析來分析校正後的缺陷資料及設計佈局圖形，用以提升關鍵區域分析的準確度和藉以精準判斷各個缺陷影像造成斷路或短路型失敗的致命缺陷指數；再根據致命缺陷指數及缺陷訊號參數，區分致命缺陷為高風險缺陷、中風險缺陷及低風險缺陷等，達成提升智慧型的缺陷校正系統與其實施方法準確度和精準判別致命缺陷之目的。

Description

智慧型的缺陷校正系統與其實施方法

本發明係涉及一種智慧型的半導體缺陷校正、分類及取樣的系統與其實施方法；特別是涉及一種應用於半導體製造工廠、半導體封裝製造廠、平面顯示器製造工廠、太陽能板製造工廠、印刷電路製造工廠、光罩製造工廠、LED製造或是組裝廠的智慧型的缺陷校正、分類及取樣的系統與其實施方法。

一般而言，在工廠內生產、製造積體電路(Integrated Circuit；IC)，均是透過光罩、半導體微影、蝕刻、薄膜沉積、銅製程、化學機械研磨及多重曝光等設備及製程而形成。因此，在整個製造的過程中，可能由於設備本身的精度偏差、異常故障、製程產生的粒子、設計佈局圖的繪圖瑕疵暨黃光製程視窗(window)不足而產生隨機性缺陷與系統性缺陷(Random and systematic defect)，這些缺陷造成產品斷路(open)或短路(short)型失敗，降低晶圓良率。這些隨機性缺陷與系統性缺陷，隨著半導體製程尺寸往下微縮，缺陷數量亦因尺寸縮小而大量增加，使得每次缺陷檢測得到數千、數萬個缺陷，因受限於掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)的照相速率，祇能以取樣方式選取數十至數百個缺陷去照相，造成取樣到真正會斷路或短路型失敗的缺陷困難度大為提高，因而無法準確且即時提供這些造成良率耗損的缺陷SEM照片給製程工程師，進而難以根據缺陷的SEM照片來研判製程中導致缺陷的源頭，故改進缺陷良率的成效不佳，增加半導體廠的成本。

在半導體廠(例如：晶圓代工廠，Foundry)的實務運作裡，以前用即時(real-time)的缺陷及影像圖形分類的數據分析，是過去增進良率的重要方法，但是該方法在奈米級半導體製程的缺陷分析已經很難找到失敗的致命缺陷；本創新的核心部份引進IC設計佈局圖資料、關鍵區域分析(Critical Area Analysis,CAA)方法、缺陷圖案重疊設計佈局圖、座標轉換校正系統、及缺陷尺寸校正系統，乃是解決取樣致命缺陷的重要突破方法及系統。

再者，由SEM及光學顯微鏡的影像圖形輪廓量測數據及檢測機台產生的缺陷資料，和關鍵區域分析資料作比較，檢測機台的缺陷尺寸、面積資料和SEM及光學顯微鏡的影像圖形輪廓量測尺寸、面積資料有差異，因而造成關鍵區域分析結果有差異，為解決關鍵區域分析偏差，必須解決缺陷尺寸偏差問題。例如：缺陷檢測機台的缺陷尺寸量測單位當高於佈局圖形最小尺寸，造成缺陷資料的尺寸和SEM照片的實際缺陷尺寸之偏差問題。

此外，在複雜的微縮半導體先進製程裡，尤其當光學效應製程視窗(process window)愈來愈窄，但IC設計佈局圖形卻以多倍數增加及複雜化時，導致一些跟圖形有關的缺陷被偵測出來，其中屬於會影響良率的缺陷即是「系統性缺陷」，將會造成極低的良率，但如果此圖形是不影響IC設計線路，例如：監控圖形，因為不影響良率，即是屬於「假性缺陷」(False defect)，但因假性缺陷圖形及訊號很明顯，常佔據大部份的缺陷取樣數目比例至90%以上，反而無法真正找到斷路或短路型失敗的缺陷圖形。

最後，在缺陷取樣部份，除了在同一發明人2012年核准的專利號碼US8312401B2，用關鍵區域分析方法得到各個缺陷其缺陷尺寸大小及其座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，計算出斷路或短路型失敗的缺陷的機率值，即是致命缺陷指數(Killer Defect Index，KDI)，也就是CAA值；然而，在計算致命缺陷指數(KDI)時，並未將缺陷檢測機台承載晶圓的控制馬達精準度考慮進去，例如：當一缺陷檢測機台移動晶圓時的座標精準度單位控制為正負W，例如W等於0.05微米時，因此，其所能檢測出尺寸為正負0.05微米的倍數；因此可能造成檢測出的缺陷影像的尺寸值大於實際尺寸，可能造成致命缺陷指數偏高等問題。

因此，基於上述多種技術層面上的考量，如何克服上述諸多限制，用以提昇並改善製造工廠的量產效率，是本領域具有通常知識者努力的目標。

本發明主要目的在於使用IC設計佈局圖及關鍵區域分析方法，針對缺陷檢測機台所造成的偏差值，輸入座標修正閥值以及缺陷尺寸的校正因子(Calibration factor)，即時地修正缺陷檢測機台之缺陷資料內容的座標及缺陷尺寸偏差值，再結合IC設計佈局資料，將多個缺陷圖形逐一重疊至對應之多個缺陷佈局圖案，再使用關鍵區域分析方法取得致命缺陷指數(KDI)。本發明使用精準調校過的座標與缺陷佈局圖形並結合更高準確度的缺陷尺寸值，故可產生更精準的致命缺陷指數，使得在分析斷路或短路型失敗缺陷的機率時，能夠更加準確且減少誤判，成為判別各個缺陷歸屬於非致命缺陷(Non-killer defect)或致命缺陷(Killer defect)的重要工具。

根據上述之目的，本發明提供一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括存儲裝置，晶圓製造機台組，晶圓缺陷檢測機台及資料處理裝置，其中存儲裝置用以存儲積體電路設計圖檔案，且積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在晶圓上，晶圓缺陷檢測機台用以掃描晶圓以取得缺陷掃描資料，資料處理裝置將缺陷掃描資料轉換成具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於存儲裝置，其特徵在於：資料處理裝置擷取一個修正閥值，是從存儲裝置中擷取修正閥值，其中，修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；資料處理裝置執行一校正程序，是根據修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的修正閥值座標上，並儲存至存儲裝置中。

根據上述之目的，本發明接著提供一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括存儲裝置，晶圓製造機台組，晶圓缺陷檢測機台及資料處理裝置，其中存儲裝置用以存儲積體電路設計圖檔案，且積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，晶圓製造機台組用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在晶圓上，晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，資料處理裝置將缺陷掃描資料轉換成具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於存儲裝置，其特徵在於：資料處理裝置擷取一個修正閥值，是儲存於存儲裝置中，其中，修正閥值為半導體廠對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏移範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，而修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；資料處理裝置執行一校正程序，是根據修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至缺陷佈局圖案的偏移範圍區域的修正閥值座標上，並儲存至存儲裝置中；資料處理裝置取得一個校正因子，是將缺陷影像及文字資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出校正因子；資料處理裝置執行一缺陷尺寸校正，是將缺陷影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至存儲裝置中；資料處理裝置執行第一重疊程序，是逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將校正後的缺陷尺寸與缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏移範圍區域的修正閥值座標上；執行關鍵區域分析，是由資料處理裝置根據該缺陷尺寸與缺陷面積重疊在積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。

本發明另一目的在於本發明的座標轉換校正系統、缺陷尺寸校正系統及實施方法，提升關鍵區域分析準確度和精準判別致命缺陷。應用缺陷檢測機台之原始缺陷資料及IC設計佈局資料，藉由座標轉換校正系統將座標偏差校正值輸入，即可以降低晶圓製程光學效應將直角圖形曝光成圓弧形圖形而將缺陷座標轉換至實際佈局圖形座標所產生座標偏差；同時導入缺陷尺寸的校正系統、統計方法及量測不確定度分析，將缺陷檢測機台之原始缺陷資料校正至近似缺陷影像輪廓大小，解決因為缺陷檢測機台之量測單位高於佈局圖形最小尺寸，所造成缺陷資料的尺寸、面積和SEM照片的實際缺陷尺寸、面積之偏差，增進關鍵區域分析準確度和判別致命缺陷分析的準確性。

根據上述之目的，本發明提供一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括存儲裝置，晶圓製造機台組，晶圓缺陷檢測機台及資料處理裝置，其中存儲裝置用以存儲積體電路設計圖檔案，且積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在晶圓上，晶圓缺陷檢測機台用以掃描晶圓以取得缺陷掃描資料，資料處理裝置將缺陷掃描資料轉換成具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於存儲裝置，其特徵在於：資料處理裝置取得積體電路設計圖檔案，用以辨識出在積體電路設計圖檔案上的每一線路相對的一座標位置，每一線路的一線路寬度及每兩條線路之間的距離；資料處理裝置由缺陷文字及影像資料檔案中逐一擷取至少一缺陷座標，至少一缺陷尺寸與至少一缺陷面積，並根據缺陷座標將缺陷尺寸及缺陷面積重疊至積體電路設計圖檔案上的每一該線路的相對的座標位置上；資料處理裝置根據缺陷尺寸及缺陷面積重疊在積體電路設計圖檔案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出至少一個致命缺陷指數值；資料處理裝置選擇至少一致命缺陷指數值，並利用掃描裝置對被選擇到的致命缺陷指數值所在的每一缺陷位置進行重新掃描以獲得掃描後的新缺陷尺寸及掃描後的新缺陷面積並將掃描後的該些新缺陷尺寸及掃描後的該些缺陷面積分別儲存於存儲裝置；及資料處理裝置用以判斷掃描後的缺陷尺寸及掃描後的缺陷面積是否為一斷路型或是一短路型的系統缺陷。

根據上述之目的，本發明再提供一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括存儲裝置，晶圓製造機台組，晶圓缺陷檢測機台及資料處理裝置，其中存儲裝置用以存儲積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在晶圓上，晶圓缺陷檢測機台用以掃描晶圓以取得缺陷掃描資料，資料處理裝置將缺陷掃描資料轉換成具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於存儲裝置，其特徵在於：資料處理裝置取得積體電路設計佈局圖檔案，用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；資料處理裝置執行第一座標轉換程序，是自缺陷文字及影像資料檔案中取得缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據缺陷座標轉換至積體電路設計佈局圖案的相對第一座標(X₂,Y₂)；資料處理裝置執行第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由資料處理裝置取得缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路檔案，並將缺陷影像附近區域影像檔及相應缺陷影像在積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路檔案一起在顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將缺陷影像附近區域影像檔上的缺陷影像位置在積體電路設計佈局圖相應缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示第二座標(X₂,Y₂)；取得一個校正後的座標，是當積體電路設計佈局圖上的第一座標(X₂,Y₂)與第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)。

本發明另一目的在於提供以設計佈局資料暨關鍵區域分析方法為基礎的缺陷取樣方法。本系統及方法結合關鍵區域分析方法得到致命缺陷指數為主要的缺陷取樣的選取判斷參數、加上影像分析方法分析缺陷影像圖形裡的缺陷強度值/對比值/極性分析值為第二個缺陷取樣的選取判斷參數、以及判斷假性缺陷與否方法對第三個缺陷取樣的選取判斷參數，以提供選取斷路或短路型失敗缺陷取樣的最有效之方法。

根據上述之目的，本發明再提供一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括存儲裝置，晶圓製造機台組，晶圓缺陷檢測機台及資料處理裝置，其中存儲裝置用以存儲積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在晶圓上，晶圓缺陷檢測機台用以掃描晶圓以取得缺陷掃描資料，資料處理裝置將缺陷掃描資料轉換成具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於存儲裝置，其特徵在於：資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；資料處理裝置執行第一座標轉換程序，是自缺陷文字及影像資料檔案中，取得缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據缺陷座標轉換至積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；資料處理裝置執行第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由資料處理裝置取得缺陷影像在積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路檔案，並將缺陷影像附近區域影像檔及相應缺陷影像在積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路檔案一起在顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將缺陷影像附近區域影像檔上的缺陷影像位置在積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得校正後的座標，是當積體電路設計佈局圖上的第一座標(X₂,Y₂)與第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；資料處理裝置執行第一重疊程序，是自缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的缺陷尺寸與缺陷面積，並將缺陷尺寸與缺陷面積重疊至積體電路設計佈局圖案的校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；資料處理裝置執行第一關鍵區域分析，是根據缺陷尺寸與缺陷面積重疊在積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值；資料處理裝置執行一校正程序，包括：選擇至少一個致命缺陷指數值；提供一SEM掃描機，並對被選擇的致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至存儲裝置中；執行第二重疊程序，是由資料處理裝置擷取相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據缺陷座標將相對精準的缺陷面積重疊至積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；執行第二關鍵區域分析，是由資料處理裝置根據該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值。

10:晶圓

11:晶片佈局

11D:晶粒

20:晶圓代工廠

21:資料處理裝置

23:記憶體單元

24:天線

34:天線

30:積體電路設計公司

31:資料處理裝置

33:記憶體單元

51:顯示器螢幕

1001:缺陷圖案

1101:缺陷影像

1102:線路

1103:缺陷影像

1104:修正缺陷影像

1105:修正多邊缺陷影像

1110:設計佈局圖案

1101:缺陷

1111:缺陷佈局圖案

1113:線路

1130:缺陷文字及影像資料檔案

圖1，是本發明的智慧型的缺陷校正、分類及取樣系統之運作架構示意圖。

圖2，是本發明「智慧系統」的流程圖。

圖3A，是本發明「智慧系統」取得設計佈局圖的示意圖。

圖3B，是本發明「智慧系統」取得缺陷資料的示意圖。

圖3C，是本發明「智慧系統」設計佈局圖及缺陷資料座標轉換的示意圖。

圖4，是本發明的缺陷對設計佈局圖的座標轉換及偏差修正的校正流程圖。

圖5，是本發明的尺寸調整的座標轉換流程圖。

圖6A、圖6B至圖6C，是本發明提供精確座標偏差校正量的多個實施例示意圖。

圖7A至圖7D，是本發明擷取缺陷輪廓並重疊至設計佈局圖上的缺陷座標位置的多個實施例示意圖。

圖8A及圖8B，是本發明建立缺陷尺寸、面積的校正系統的流程圖。

圖8C，是本發明原始缺陷尺寸經過解析度高的缺陷影像檔校正後的缺陷尺寸表。

圖9，是本發明執行缺陷輪廓和佈局圖案的多邊圖案比對分析的流程圖。

圖10，是本發明的缺陷分類流程圖。

圖11A至圖11G，是本發明的缺陷圖形資料庫。

在半導體製造工廠、半導體封裝製造廠、平面顯示器製造工廠、太陽能板製造工廠、印刷電路製造工廠、光罩製造工廠、LED製造或是組裝廠裡，均需要透過光罩、半導體微影、蝕刻及薄膜沉積等設備及製程方法來形成具有特定功能性的產品；由於製造過程上的許多繁複步驟，製程及設備參數的管控、設備參數偏差、或技術上的瓶頸均造成影響產品良率的缺陷，這些缺陷的產生是無可避免的。因此，在半導體廠在製造過程中，均會執行缺陷的檢測與分析來提升良率及降低成本。

首先，請參閱圖1，是本發明的智慧型的缺陷校正、分類及取樣系統之運作架構示意圖。如圖1所示，本發明的實施例將以晶圓製造為例來說明，同時，在以下的說明過程中，將以「智慧系統」來取代「智慧型的缺陷校正系統與其實施方法」。整體上來說，智慧系統可以在晶圓代工廠20(以下簡稱工廠端20)中執行，也可以在積體電路設計公司30(以下簡稱設計公司端30)中執行，當然，也可以是通過工廠20與設計公司端30透過有線網路或是經由天線24/34及無線網路來執行。

例如，當設計公司端30完成了一個具有特定功能的積體電路IC設計佈局圖(IC design layout)後，資料處理裝置31會將設計佈局圖的GDS或OASIS檔案先儲存至記憶體單元33中；接著，可以透過有線網路或是無線網路將GDS或OASIS檔案傳遞給工廠端20；其中，設計佈局圖案1110(顯示於圖3A)中包含許多個佈局圖案(例如：元件的佈局圖)，而各個佈局圖多邊圖均包含佈局圖尺寸、佈局圖座標、佈局圖圖層(Layer)、文字標示或大小；一般而言，設計佈局圖案1110的格式(format)可以是圖像資料庫系統(Graphic Database System，GDS)格式、GDS-II格式或公開存取同時資訊系統(Open Access Same-time Information System，OASIS)格式。接著，工廠端20會將所接收到的檔案經過資料處理裝置21處理後，儲存至記憶體單元23中。之後，工廠端20會根據設計佈局圖案1110所製造的光罩來進行相關半導體製程，用以在晶圓10上製造出許多重複的晶粒11(顯示於圖3D)。通常，工廠端20在進行半導體晶片製造時，會採用設計公司端30的檔案。

在晶圓10製造的過程中，缺陷會在製造的各個製程中在晶圓10上產生，例如：隨機性缺陷(random defect)或是系統性缺陷(systematic defect)等。因此，工廠端20在製造過程中的任何階段或是多個製程步驟上，都會使用缺陷檢測機台，例如：掃描式電子顯微鏡(SEM)、電子束(E-beam)檢測機台、光學檢測機台、缺陷掃描儀或照相機等，對這些晶圓10進行缺陷掃描及檢測，並產生出晶圓的原始缺陷掃描資料；這些缺陷掃描資料包括：缺陷的尺寸大小、形狀、面積、晶粒位置、座標或圖形等)，而這些缺陷資料會經過資料處理裝置21處理成JPG、TIFF、PNG及純文字(text)規格的缺陷文字及影像資料檔案1130(顯示於圖3B)後，儲存至記憶體單元23中。

根據上述，很明顯的，工廠端20的記憶體單元23中已經儲存著設計公司端30的設計佈局圖檔案1110，以及缺陷文字及影像資料檔案1130。因此，本發明的「智慧系統」可以在工廠端20執行缺陷校正、分類及取樣等工作。同樣的，若工廠端20將缺陷文字及影像資料檔案1130透過有線網路或是無線網路傳遞至設計公司端30後，本發明的「智慧系統」可以在設計公司端30執行缺陷校正、分類及取樣等工作。當然，工廠端20與設計公司端30也可以即時通過有線網路或是無線網路來將交換相關檔案，以即時分析(real-time analysis)執行缺陷校正、分類及取樣等工作。對於上述由誰來執行缺陷校正、分類及取樣等工作，本發明並不加以限制。

接著，請參考圖2，是本發明「智慧系統」的流程圖。如圖2所示，本發明「智慧系統」的流程圖100是由資料處理裝置21取得設計佈局圖1110及取得缺陷文字及影像資料檔案1130開始，如步驟110及步驟120所示；接著，由步驟130來將取得的設計佈局圖1110及缺陷文字及影像資料檔案1130進行座標轉換及偏差校正(deviation calibration)，用以將晶圓10上的缺陷座標位置轉換至設計佈局圖相應的座標位置，用以判斷缺陷影像1101會落在設計佈局圖1110的那些座標位置上；再接著，由步驟140來將每一個缺陷影像的輪廓(contour)進行重疊(superposition)或是映射(mapping)至設計佈局圖1110上的每一個缺陷影像1101相對應的缺陷佈局圖案1111的座標位置；接著，由步驟150來判斷出致命缺陷指數(Killed Defect Index；KDI)，其中，致命缺陷指數(KDI)是根據步驟140的每一個重疊或是映射後的缺陷影像座標位置，並再根據關鍵區域分析(Critical Area Analysis，CAA)方法分析缺陷影像的輪廓尺寸在具有缺陷位置及其偏差範圍面積內的設計佈局圖上的關鍵區域(Critical Area)來判斷；同時，也可以藉由步驟160來檢查缺陷影像的輪廓與至少兩個佈局圖案重疊結果，並檢查缺陷影像的輪廓與至少一個佈局圖案交會的結果。之後，進行步驟170的缺陷分類，是藉由步驟150或步驟160的判斷結果，根據缺陷的致命缺陷指數(KDI)、缺陷訊號參數(defect signal parameter)、缺陷與缺陷圖案資料檔(defect pattern library)的圖形匹配(pattern match)結果，以及缺陷與高失敗頻率缺陷資料庫(frequent failure defect library)的圖形匹配結果來進行缺陷分類，其中，缺陷圖案資料檔(defect pattern library)與高失敗頻率缺陷資料庫(frequent failure defect library)是可以從記憶體單元23/33中取得(如步驟180)；或是，根據佈局圖案交會的短路或斷路結果來進行缺陷分類；最後，由步驟190來進行缺陷的取樣，是根據步驟170的缺陷分類及缺陷取樣規則進行缺陷的取樣。

再接著，詳細說明「智慧系統」的流程圖100中的每一步驟的具體實施方式。首先，就步驟110的取得設計佈局圖而言，主要是根據設計公司端30所完成的積體電路設計佈局圖1110來進行處理。請參考圖3A，是本發明「智慧系統」取得設計佈局圖的示意圖。如圖3A所示，使用者(例如：設計公司端30的工程師)預先藉由資料處理裝置31取出設計佈局圖1110；其中，設計佈局圖1110的格式(format)可以是GDS格式、GDS-II格式或OASIS格式。

接著，請參考圖3B，是本發明「智慧系統」取得缺陷資料的示意圖。如前所述，在設計佈局圖案1110已經由設計公司端30完成設計並提供給工廠端20，工廠端20於製造過程，即可在晶圓10上形成具有完整晶片佈局(full-chip layout)11的圖案，且完整晶片佈局11中包括複數個晶粒(die)，例如：11D 1、11D 2、11D 3。接著，工廠端20使用缺陷檢驗機台對晶圓10進行缺陷掃描檢測，用以獲得在晶片佈局11上的複數筆缺陷影像1101的檔案及缺陷文字資料；之後，由資料處理裝置21擷取並計算出一個或是多個缺陷影像1101產生在晶圓10上的哪幾個晶粒以及位於晶粒上的那些位置上。

接著，如圖3B所示，資料處理裝置21取得晶圓10每一個缺陷座標(X₁,Y₁)並取得缺陷影像1101的影像檔1001以及影像檔1001上的線路1102。請繼續參考圖3B，顯示在晶圓10上的多個晶粒中的一個晶粒11上，總計檢測有7個缺陷影像1101產生，資料處理裝置21根據缺陷影像座標(X₁,Y₁)是相對於晶粒11的第一參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)；例如：第一參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)是由缺陷檢測機台的輸入程式(recipe)所產生，通常第一參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)選擇在晶粒11的角落或是容易找到的辨識位置，以作為標記(marker)，對此本發明並不加以限制。最後，由資料處理裝置21取得每一個缺陷的文字及影像檔案後，再以晶圓10來做為缺陷文字及影像資料檔案1130，其中，在缺陷文字及影像資料檔案1130中，記載每一缺陷影像1101的內容包含晶粒11的編號以及缺陷影像1101的序號(identification number)、產品名稱、缺陷製造步驟、批號、缺陷檢測機台編號、缺陷座標(X₁,Y₁)及粗略的缺陷影像尺寸(包括：X方向的最大尺寸及Y方向的最大尺寸)等。最後，都會將缺陷文字及影像資料檔案1130儲存於記憶體單元23中。

接著，進行步驟130的缺陷資料座標轉換及偏差修正。請參考圖3C，是本發明「智慧系統」設計佈局圖及缺陷資料座標轉換的示意圖。如圖3C所示，由資料處理裝置21讀取缺陷文字及資料檔案1130中的每一個缺陷影像1101位於晶粒11上的缺陷座標(X₁,Y₁)後，經過資料處理裝置21處理後，例如：資料處理裝置21是根據缺陷文字及資料檔案1130中缺陷座標(X₁,Y₁)，經過座標轉換後，會根據設計佈局圖案1110上參考座標找出相對缺陷影像1101在設計佈局圖案1110中的缺陷佈局圖案1111上的缺陷座標(X₂,Y₂)，如圖3C即是缺陷序號1~7上的7個缺陷影像1101轉換至缺陷佈局圖案1111相對上的缺陷座標(X₂₁,Y₂₂)至缺陷座標(X₂₇,Y₂₇)。而缺陷佈局圖案1111的尺寸大小，則是根據缺陷檢測機台的精度或是偏差範圍來決定；例如：當使用一個偏差範圍為-0.5μm~+0.5μm的光學缺陷檢測機台進行缺陷掃描檢測後，則缺陷佈佈局圖案1111的偏差範圍面積為1μmx1μm，其中，缺陷佈局圖案1111中的導線尺寸可以為50nm，而導線與另一導線間的尺寸距離可以為30nm。

此外，要將缺陷座標(X₁,Y₁)轉換至設計佈局圖案1110上的佈局圖座標(X₂,Y₂)位置的目的，是要能判斷此一缺陷影像1101是否會造成線路1102的斷路或是短路的缺陷。然而，如前所述，缺陷影像1101的座標(X₁,Y₁)是藉由缺陷描檢測機台來量測，其參考座標可能是以晶粒11的第一參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)為中心；而設計佈局圖案1110則有自己的參考原點座標(X₀₂,Y₀₂)，經由光罩資料含佈局圖案參考原點座標(X₀₂,Y₀₂)與標記佈局圖座標的相對位置，當缺陷檢測機台選定標記佈局圖座標為參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)，則設計佈局圖案相對於缺陷檢測機台的參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)即可計算至座標轉換系統中；另外，在缺陷檢測機台量測晶圓10時，會因光學繞射等效應在線路1102邊緣或角落產生圓弧形(rounding)，使得缺陷影像1101的座標(X₁,Y₁)離直角角落有一定偏差距離；而在設計佈局圖1110上的座標，則是90的度直角多邊形圖案。很明顯的，同一參考原點座標(X₀₁,Y₀₁)在晶圓10及參考原點的標記佈局圖(marker layout pattern)1110上存在著一定偏差，此偏差即顯示在座標轉換後的佈局圖案的座標上，將由座標偏差校正系統得出來並修正。

再者，在某些情況下，缺陷影像1101的檔案格式跟設計佈局圖1110的檔案格式不一致，例如缺陷影像1101的檔案格式單位是pixel、微米或奈米等，而設計佈局圖1110 GDS的檔案格式單位是微米或奈米等，這些不同檔案格式之間，也可能存在著偏差。因此，在本發明的一個較佳實施例中，增加了一個精確校正的程序，如步驟200所示。步驟200的實際校正過程，請參考圖4，是本發明的缺陷對設計佈局圖的座標轉換及偏差修正的校正流程圖。首先，如圖4中的步驟110及步驟120所示，是先取得設計佈局圖及取得缺陷資料，其過程與圖2相同，故不再贅述。接著，請參考步驟210，是要將缺陷影像檔1001及設計佈局圖1110兩者的尺寸調整成一致；例如：可以選擇將缺陷影像1101的影像檔1001及設計佈局圖1110的單位尺寸調整為一致，即是pixel單位或微米、奈米等共同單位。之後，才能完成步驟220，將缺陷影像1101正確的轉換至設計佈局圖1110上，如此，即可以先克服缺陷影像1101的檔案格式跟設計佈局圖1110的影像檔1001格式不一致所造成座標轉換很大偏差的問題。

接著，為了使缺陷影像對設計佈局圖的座標轉換及偏差修正能夠更完整的考量到所有可能影響座標轉換精確度的因素都列入考慮。因此，本發明更進一步的提供較佳實施例，請參考圖5，是本發明的尺寸調整的座標轉換流程圖。如圖5所示，首先，步驟2110是取得缺陷檢測機台參數，例如：由資料處理裝置21至記憶體單元23中取得缺陷檢測機台的對準參考座標以及尺寸等資料；或是由步驟2120來取得設計佈局圖1110的參數，例如：由資料處理裝置21至記憶體單元23中取得設計佈局圖1110的原始座標、對準參考座標以及尺寸等資料；以及由步驟2130來取得光罩(Mask)的參數，例如：由資料處理裝置21至記憶體單元23中取得光罩參數的對準參考座標、原始座標、中心點座標以及尺寸等資料。之後，如步驟2140所示，將取得的缺陷影像1101的尺寸、設計佈局圖1110的尺寸以及光罩製造的尺寸調整成一致後，才能完成步驟220，使用者須選定一個或數個標記圖形(marker pattern)作為設定缺陷檢測機台的對準參考座標點，其中，標記圖形可以是L型、十字型或矩形等容易對準得簡單圖形。在一般狀況下，這些標記圖形可能是被放置於晶粒的附近切割道(scribe line)上而非晶粒設計佈局圖上，光罩(Mask)資料含有切割道(scribe line)上各個標記圖形、設計佈局圖角落及中心點座標，故必須由光罩(Mask)的參數算出此標記點至設計佈局圖1110的原始座標或對準參考座標的距離，以使缺陷座標至設計佈局圖1110的座標轉換系統可以由上述相對座標關係計算轉換而成，將缺陷影像1101的影像檔1001正確的缺陷座標(X₁,Y₁)轉換至設計佈局圖1110上的座標(X₂,Y₂)。最後，在本實施例中，經過步驟220的處理後，就可以確保無論是從座標轉換的修正或是在缺陷影像1101的影像檔1001與設計佈局圖1110間的即時圖形匹配(real time pattern match)，都是以座標偏差數據來進行偏差的修正，如步驟230所示。

請再參考圖4，當步驟220已經將所有可能造成座標偏差的因素都修正後，可以確認缺陷影像1101的影像檔1001已經修正並轉換至設計佈局圖案1110上的一個缺陷佈局圖案1111中的座標(X₂,Y₂)；很明顯的，每一個缺陷佈局圖案1111具有不同的佈局圖案及不同的缺陷影像1101圖案；例如，當晶圓10上可以形成1000個晶粒11D時，在將缺陷影像1101的缺陷座標(X₁,Y₁)轉換至設計佈局圖1110上的缺陷座標(X₂,Y₂)時，有可能在每一個缺陷設計圖案上形成偏差。因此，本發明進一步將提供三種方式來進行設計佈局圖1110上的缺陷座標(X₂,Y₂)的校正。首先，如步驟2410所示，由資料處理裝置21至記憶體單元23選擇一個缺陷影像1101；例如：選擇一個代表電晶體(Transistor)元件的佈局圖案；接著，由資料處理裝置21取得第一個缺陷佈局圖案1111；再接著，由資料處理裝置21取得相應第一元件的缺陷影像1101的影像檔1001後，一起在顯示器螢幕51上顯示出缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔1001；在一實施例中，所顯示的缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔1001在尺寸單位上已經調成一致(例如：均已經調整為pixel單位或微米、奈米等單位)；之後，由執行校正人員以手動方式在顯示器螢幕51上進行一定數量的比對及統計；例如：由執行校正人員以手動方式在顯示器螢幕51上將缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔1001以一設定座標對準，如圖6A的上半部所示。若顯示出轉換至缺陷佈局圖案1111上的缺陷座標位置(X₂,Y₂)與缺陷影像檔1001的新座標位置(X₂,Y₂)位置不在同一個位置時，就要進行偏差的校正至新座標位置(X₂,Y₂)；例如：由校正人員以手動方式將缺陷影像檔1001的位置在缺陷佈局圖案1111上相對的位置標示出新座標位置(X₂,Y₂)。很明顯的，缺陷影像檔1001位置轉換至缺陷佈局圖案1111上的實際缺陷座標位置(也就是座標偏差校正量)為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)，如圖6A的下半部所示。之後，根據上述方式依序進行一定數量的座標偏差校正量，例如：取得至少51筆的座標偏差校正量；之後，如步驟250所示，由資料處理裝置21彙整成一表格並經過統計分析後，可以得到一個在X軸及Y軸的平均座標偏差值(Average Coordinate Deviation)及標準偏差值(Standard Deviation)的座標修正閥值，如圖6D所示。在一較佳實施例中，若資料處理裝置21的記憶體容量及處理器速度夠快時，是可以選擇將缺陷佈局圖案1111及每一個缺陷影像1101的影像檔1001逐一比對後，例如：比對10,000個缺陷影像1101後，取得一個更精準的統計值來作為座標偏差校正量或是修正閥值，對此，本發明並不加以限制。最後，如步驟260所示，在取得精準的統計值來作為座標偏差校正量或是修正閥值後，可以根據所得到的座標精度的標準偏差值導入座標轉換系統，對轉換至缺陷佈局圖案1111上的缺陷影像1101的座標位置進行座標偏差量校正，其中座標偏差量為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)或是將座標偏差量(X₂-X₂,Y₂-Y₂)經過統計分析的X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值。

此外，本發明也可以選擇另一個校正的方式來得到精準的座標偏差校正量。如步驟2420所示，由資料處理裝置21取得第一個元件的缺陷佈局圖案1111檔；接著，由資料處理裝置21取得相應第一個元件的缺陷影像1101的影像檔1001後，一起在顯示器螢幕51上顯示出缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔 1001；同樣的，在一實施例中，所顯示的缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔1001在單位上已經調成一致(例如：均已經調整為pixel單位或微米、奈米等單位)；之後，再由執行校正人員經由圖形使用者介面(Graphical User Interface；GUI)直接以滑鼠上的箭頭(cursor)將實際缺陷影像1101與線路1102圖案之間的位置在缺陷佈局圖案1111的相應線路圖案的位置上標示新座標位置(X₂,Y₂)，如圖6B的上半圖所示；例如：由校正人員以手動方式以箭頭(cursor)來將缺陷影像檔1001的位置在缺陷佈局圖案1111上相對的位置標示出新座標位置(X₂,Y₂)；之後，可以將缺陷影像1101的座標位置(X₁,Y₁)轉換並標示缺陷佈局圖案1111上的座標位置(X₂,Y₂)顯示。若顯示出轉換至缺陷佈局圖案1111上的缺陷影像1101的座標位置(X₂,Y₂)與缺陷影像1101的位置與缺陷佈局圖案1111上的新座標位置(X₂,Y₂)不在同一位置時，就可以得到偏差的校正，其中座標偏差校正量為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)，如圖6B的下半圖所示。之後，如步驟250至步驟260所示，根據上述方式依序進行一定數量的校正，其過程與方式與圖6A的過程相同，也是可以取得一個在X軸及Y軸的平均座標偏差值(Average Coordinate Deviation)及標準偏差值(Standard Deviation)的座標修正閥值，以作為偏差校正之根據及導入座標轉換系統，故不再贅述。

此外，本發明也可以選擇另一個校正的方式來得到精準的座標偏差校正量。如步驟2430所示，由資料處理裝置21取得第一個元件的缺陷佈局圖案1111檔；接著，由資料處理裝置21取得相應第一個元件的缺陷影像1101的影像檔1001後，一起在顯示器螢幕51上顯示出缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔 1001。同樣的，在一實施例中，所顯示的缺陷佈局圖案1111及缺陷影像1101的影像檔1001在尺寸單位上已經調成一致(例如：均已經調整為pixel單位或微米、奈米等單位)；之後，由資料處理裝置21將缺陷佈局圖案1111上的線路1113圖案與缺陷影像1101的影像檔1001上的線路1102圖案進行自動對準，如圖6C的中間圖所示；之後，可以將缺陷影像1101檔的座標位置(X₁,Y₁)在缺陷佈局圖案1111上的位置標示出新座標位置(X₂,Y₂)。若顯示出轉換至缺陷佈局圖案1111上的缺陷座標位置(X₂,Y₂)與標示出的新座標位置(X₂,Y₂)位置不在同一個位置時，進行偏差的校正，其中座標偏差校正量為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)，如圖6C下半圖所示。之後，如步驟250至步驟260所示，根據上述方式依序進行一定數量的校正，其過程與方式與圖6A的過程相同，也是可以取得一個在X軸及Y軸的平均座標偏差值(Average Coordinate Deviation)及標準偏差值(Standard Deviation)的座標修正閥值，以作為進行偏差校正之根據及導入座標轉換系統，故不再贅述。

上述的圖6A、圖6B及圖6C都是說明本發明能夠提供精確座標偏差校正量的多個實施方式，因此，只要選擇圖6A、圖6B及圖6C中的任何一種方式，都能經由步驟250至步驟260所示，得到以座標偏差校正量或是以精確的統計值來作為座標偏差校正量或是修正閥值。

在完成步驟200後，本發明的「智慧系統」已經取得缺陷影像1101轉換至設計佈局圖1110上的座標位置偏差的校正之後，其中座標偏差校正量為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)或是座標偏差校正量的統計值(也就是前述的座標修正閥值)，例如：X軸及Y軸的平均座標偏差值(Average Coordinate Deviation)及標準偏差值(Standard Deviation)。再接著，就是要判斷缺陷影像1101產生在設計佈局圖1110檔後，此一缺陷影像1101是否會造成斷路(open circuit)或短路(short circuit)等失敗的致命缺陷。由於缺陷影像1101或其輪廓(contour)都是影像圖形，而設計佈局圖1110是GDS或OASIS格式，同時，設計佈局圖1110上並無缺陷圖案，因此根本無法執行缺陷影像1101所造成的短路或是斷路缺陷分析。又由於缺陷影像1101的輪廓可能是不規則的形狀，因此，本發明提供一種缺陷影像1101的擷取(clip)缺陷輪廓方法，用以得出缺陷影像1101的缺陷尺寸大小及面積，作為斷路或短路型失敗的致命缺陷的基礎。

如步驟140所示，也請同時參考圖7A至圖7D，是本發明的擷取缺陷影像的缺陷輪廓並重疊至設計佈局圖上的缺陷座標位置的示意圖。首先，「智慧系統」由資料處理裝置21從缺陷文字及影像資料檔案1130中的影像檔1001取得一個缺陷影像1101的輪廓尺寸，包括X軸的最大尺寸及Y軸的最大尺寸。接著，由資料處理裝置21根據所擷取得缺陷影像1101的輪廓尺寸，產生一個和缺陷輪廓最大X軸、Y軸尺寸相同的多邊形(Polygon)缺陷影像1103圖案；例如：若X軸的最大尺寸為0.1微米及Y軸的最大尺寸為0.08微米，則多邊形缺陷影像1103圖案的面積0.008平方微米(μm²)，如圖7A下方的箭頭。再接著，將擷取缺陷影像1101的輪廓圖案或多邊形的缺陷圖案1103重疊(Superposition)或是映射(mapping)至校正後的缺陷佈局圖案1111的座標(X₂,Y₂)或是座標偏差校正量為(X₂-X₂,Y₂-Y₂)或是座標偏差校正量的統計值上，據以判斷此一擷取後的缺陷影像1101或是多邊形缺陷影像1103圖案大小是否對缺陷佈局圖案1111檔上的線路1113產生短路或是斷路等的致命缺陷的影響；如圖7B右邊的缺陷佈局圖案1111所示，即為一種短路的系統性缺陷，即兩個線路1113被一個缺陷影像1103連接在一起；又如圖7B左邊的缺陷佈局圖案1111所示，即為一種斷路的系統性缺陷，即一個線路1113被一個缺陷影像1103完全覆蓋而形成阻斷。接著，才可以利用步驟150或步驟160判斷缺陷圖案1001或是缺陷佈局圖案1111上是否有斷路或短路型的致命缺陷。

接下來，進行步驟150的關鍵區域分析(Critical Area Analysis，CAA)方法。當資料處理裝置21已經將擷取的多邊形缺陷影像1103面積重疊至缺陷佈局圖案1111上的相對缺陷影像1101座標處，此時，就可以使用關鍵區域分析方法來分析此一擷取的多邊形缺陷影像1101於缺陷佈局圖案1111上之關鍵區域，並可以判斷出斷路或短路型失敗的缺陷的機率值；此一缺陷的機率值即是致命缺陷指數(KDI)，也就是CAA值。例如：工程師將每一個擷取的多邊形缺陷影像1101圖案重疊至缺陷佈局圖案1111上，並據以判斷是否會造成線路1113的短路或是斷路，同時，工程師也可以根據多邊形缺陷影像1103圖案與線路1113的關鍵區域面積大小來判斷出致命缺陷機率值。如圖7C所示(乃是圖3C缺陷圖形6)的致命缺陷判斷，當擷取的缺陷影像1101圖案或是擷取的多邊形缺陷影像1103圖案的尺寸遠小於線路1113的尺寸或是線路1113之間的距離時；例如：當多邊形缺陷影像1103圖案的尺寸為0.008μm²時，而線路1113的寬度及線路1113之間距尺寸都為0.1μm時，則無論是缺陷影像1101圖案或是擷取的多邊形缺陷影像1103圖案都不會對線路1113造成斷路或短路型的系統性缺陷，則判斷關鍵區域面積為 0，故致命缺陷指數KDI=0；若當多邊形缺陷影像1103圖案的尺寸(為0.001μm²時)與線路1113的寬度尺寸(為0.1μm時)相當或接近時，雖然會造成線路1113的斷路或短路，但因缺陷影像1101圖案或是多邊形缺陷影像1103落在缺陷佈局圖案1111的線路1113上的機率是與缺陷佈局圖案1111上的線路1113多少有關。又如圖7C所示，當線路1113的關鍵區域面積只佔缺陷佈局圖案1111總座標偏差範圍區域的1/10時，則判斷關鍵區域面積為0.1，故致命缺陷指數KDI=0.1，也就是說，多邊形缺陷影像1103圖案會造成圖7C的缺陷佈局圖案1111上的線路1113斷路或短路的機率為0.1。

同樣的，再以圖7D來說明如何分析及判斷致命缺陷指數的實施。如圖7D所示，本發明所使用的關鍵區域分析(Critical Area Analysis)方法是常被使用於Design For Manufacturing的良率模擬分析，也就是分析IC設計佈局圖的關鍵區域。在進行模擬分析時，是假設有一組缺陷以亂數方法任意放置於一任意座標上，判斷有多少缺陷影響良率並據以估計出可能的良率。本發明所使用的關鍵區域分析方法，是將缺陷檢測機台的缺陷資料中，擷取缺陷影像1101及其缺陷尺寸大小、面積，將其轉換至缺陷佈局圖案1111上的相應座標上，並計算出此座標偏差範圍區域(如前所述的，因為缺陷檢測機台移動控制馬達精度造成的偏差，缺陷可能在此座標偏差範圍區域的任一座標)內的缺陷佈局圖案1111之關鍵區域，而致命缺陷指數(KDI)是分析得出的關鍵區域面積除以座標偏差範圍區域面積(即缺陷佈局圖案1111的面積)，並據以計算出斷路或短路型失敗的缺陷的機率值，即是致命缺陷指數(KDI)。如圖7D左邊的示意圖所示，當缺陷影像1101圖案或是擷取的多邊形缺陷影像1103圖案都不會對線路1113造成斷路或短路型的系統性缺陷，則判斷關鍵區域面積為0，則判斷缺陷取樣的KDI值等於0或趨近於0時，代表缺陷造成線路斷路或短路(即晶粒失敗)的機率愈低。如圖7D右邊的示意圖所示，當缺陷影像1101或是擷取的多邊形缺陷影像1103圖案的尺寸(為0.001μm²時)與線路1113的寬度尺寸(為0.1μm)相當或接近時，就會造成線路1113的斷路或短路，此時就需要計算出造成斷路的關鍵區域面積(Open Critical Area；OCA)及造成短路的關鍵區域面積(Short Critical Area；SCA)，如圖7E中的虛線所示區域，由於斷路的關鍵區域面積及短路的關鍵區域面積都會造成系統性缺陷或是隨機性缺陷，故需要將兩者的關鍵區域面積相加之後，再除以座標偏差範圍區域面積(如前述偏差範圍為-0.5μm~+0.5μm的光學缺陷檢測機台進行缺陷掃描檢測後，則缺陷佈局圖案1111的座標偏差範圍區域面積為1μmx1μm)；例如：當缺陷佈局圖案1111中的導線尺寸為50nm，而導線與另一導線間的尺寸距離為30nm時，而當缺陷影像1101圖案的尺寸為60nm時，很明顯的，當尺寸為60nm的缺陷影像1101無論落在缺陷佈局圖案1111中的哪個位置都會造成致命性缺陷，因此，當斷路的關鍵區域面積(OCA)為0.7μm²及造成短路的關鍵區域面積(SCA)為0.3μm²時，則KDI值等於0.7μm²+0.3μm²/1μmx1μm=1；因此，判斷缺陷取樣的KDI值等於1或趨近於1；當判斷結果為KDI值等於1或趨近於1時，代表缺陷造成線路斷路或短路(即晶粒失敗)的機率愈高，缺陷取樣的選取機會愈大。最後，這些缺陷的多邊形缺陷影像1101圖案的缺陷機率值會記錄至記憶體單元23中。

此外，本發明也可以選擇步驟160，直接在擷取一個具有缺陷影像1101所在的影像檔1001(此影像檔1001如前所示，包括缺陷輪廓影像1101及其相對於鄰近線路的位置)之後，將其與影像檔1001相對應的缺陷佈局圖案1111重疊(如圖6C中間的示意圖)，用以進行判斷缺陷影像1101是否造成斷路或短路型失敗缺陷。例如：當資料處理裝置21直接將擷取到的一個具有原始缺陷影像1101輪廓的影像檔1001與相對缺陷影像1101所在的缺陷佈局圖案1111進行重疊後，此時，資料處理裝置21或是工程師可以根據原始缺陷影像1101的輪廓與缺陷佈局圖案1111經過圖形比對匹配後的重疊位置來判斷是否為斷路(Open Circuits)型失敗缺陷或是否為短路(Short Circuits)型失敗缺陷；如果均判斷結果為斷路或短路型失敗時，判斷是屬於致命缺陷，則判斷致命缺陷指數(KDI)為1；如果判斷結果為均無斷路或短路型失敗時，判斷是屬於非致命缺陷，則判斷致命缺陷指數(KDI)為0。最後，將這些缺陷影像1101的致命缺陷指數(KDI)判斷結果記錄至記憶體單元23中。很明顯的，由於本實施例是直接將擷取到具有原始缺陷影像1101輪廓的影像檔1001與相對缺陷影像1101所在的缺陷佈局圖案1111進行重疊後，就可以直接判斷缺陷影像1101的致命缺陷指數(KDI)值；因此，在進行步驟160的一個較佳實施例是，先經過圖4或圖5的步驟後，也就是在取得正確的原始缺陷影像1101輪廓的座標以及精準的轉換出相對缺陷影像1101的座標所在的缺陷佈局圖案1111是關鍵的；此外，在進行步驟160的另一較佳實施例是缺陷影像1101的影像檔1001是通過SEM掃描的影像檔。再次強調，由於SEM掃描的精度高，故掃描到的原始缺陷影像1101就是實際缺陷所在位置，此時，就已經知道缺陷影像1101的致命缺陷指數(KDI)值，也因此，在本實施例中，致命缺陷指數(KDI)的值祇有1或0；而選擇直接將具有原始缺陷影像1101輪廓的影像檔1001與相對缺陷影像1101所在的缺陷佈局圖案1111進行重疊的目的，就是要知道缺陷影像1101是在缺陷佈局圖案1111上的哪個位置，以便後續可以針對造成致命缺陷的缺陷佈局圖案1111進行必要的佈局圖修改。

根據上述，在進行缺陷影像1101的致命缺陷指數(KDI)或是關鍵區域分析(CAA)分析時，本發明的「智慧系統」可以選擇使用具有原始缺陷影像1101輪廓的影像檔1001來與相對缺陷影像1101所在的缺陷佈局圖案1111進行重疊，如步驟160所示；也可以選擇使用擷取的缺陷影像1101面積來重疊至設計佈局圖1110上的相對缺陷影像1101座標上，如步驟150所示；對此，本發明並不加以限制。

根據前述，一般在進行晶圓10的缺陷影像1101掃描時，為達到快速掃描之目的，大都是選擇由顯微設備、電子束(E-beam)檢測機台、光學檢測機台、缺陷掃描儀或照相機等光學設備，來快速獲得晶圓上的缺陷資料(例如：缺陷的尺寸、寬度、大小、座標或輪廓...等)。由於在使用前述的光學設備進行缺陷影像1101掃描時，光學設備與被掃描的晶圓10之間可能會有一些光學設備本身鏡頭及波長的掃描檢測的解析度(Resolution)不足以清晰呈現缺陷影像，例如：當缺陷影像1101失焦(defocus)後，就會造成缺陷影像1101的邊緣模糊，使得掃描到的缺陷影像1101較實際的缺陷圖案更大，會造成致命缺陷的誤判。此外，每一種光學掃描設備都有一定的精度限制，當精度不足時，會造成掃描缺陷及判別所使用的最小單位相對於最小尺寸佈局圖案更大，這種造成缺陷影像1101的模糊失焦的情形，也會造成致命缺陷的誤判。例如：當光學設備的解析度(Resolution)單位為50奈米，而缺陷影像1101實際的X軸或是Y軸尺寸均為35奈米時，則光學設備其所能判斷出的缺陷影像1101的最小尺寸為50奈米；這個結果會造成在缺陷文字及影像資料檔案1130中的原始檢測缺陷報告是以掃描比對分析的最小單位的倍數來紀錄所掃描偵測的缺陷影像1101尺寸及面積，而此一缺陷影像1101的尺寸及面積是遠大於用精度1、2奈米等級的電子顯微鏡(SEM)所照出的實際缺陷影像1101尺寸及面積；很明顯的，此一原始缺陷尺寸的不正確會影響到致命缺陷指數，即可能造成誤判非致命缺陷或低風險致命缺陷成高風險致命缺陷；例如：實際缺陷影像1101尺寸及面積不會造成斷路或短路型失敗的缺陷，但因為最小單位的精度不足模糊失焦的結果是會造成缺陷報告的多個缺陷影像1101面積過大而判斷為風險較高的致命缺陷，將會降低真正斷路或短路型失敗缺陷被取樣的機率，而造成良率改善緩慢或是成本增加等問題。很明顯的，此一缺陷影像1101原始檢測缺陷報告之缺陷尺寸，因掃描比對的最小單位的精度不足，需要進一步校正成接近實際的缺陷尺寸，才能做出精確的判斷，提升斷路或短路型失敗缺陷取樣的成功率。

為了解決上述光學設備在掃描晶圓10過程中的失焦問題，本發明提供一種對缺陷影像1101的缺陷尺寸及面積進行校正的方法。如圖8A的步驟500所示，其中，圖8A是本發明建立缺陷尺寸、面積的校正系統的流程圖，而準確的缺陷尺寸校正乃是關鍵區域分析(CAA)及致命缺陷指數(KDI)精確度校正的不二法門。圖8B的最左端是由資料處理裝置21從缺陷文字及影像資料檔案1130中讀取缺陷檢測報告提供的原始缺陷尺寸、面積；接著，在由資料處理裝置21從缺陷文字及影像資料檔案1130中擷取解析度高的缺陷影像檔的缺陷尺寸；在依較佳實施例中，解析度高的缺陷影像檔為SEM所取得的影像檔尺寸、面積；再接著，根據解析度高的缺陷影像檔尺寸來校正原始缺陷輪廓尺寸及轉成多邊形缺陷圖案；圖8C是表示最左端的原始缺陷尺寸經過解析度高的缺陷影像檔校正後的近似實際缺陷輪廓尺寸的缺陷尺寸表；詳細說明如下。

如圖8A所示，本發明的關鍵區域分析及致命缺陷指數校正的流程圖500是由資料處理裝置21取得缺陷文字及影像資料檔案1130開始；首先，如步驟120所示，由資料處理裝置21自缺陷文字及影像資料檔案1130中取得原始缺陷資料(包括文字檔案及缺陷影像檔案)；接著，如步驟510所示，由資料處理裝置21從缺陷文字及影像資料檔案1130中的缺陷文字取得多邊形缺陷影像1103在X軸及Y軸的原始缺陷尺寸(original defect size)及缺陷面積(area)；當掃描缺陷的光學設備精度不足(即掃描出的缺陷尺寸較實際缺陷尺寸還大時)，例如：當一個光學設備的精度為50奈米時，其所檢測出的最小缺陷尺寸為50奈米，故當原始缺陷尺寸小於50奈米時，光學設備是以50奈米的倍數為單位呈現，故光學設備檢測出的最小缺陷尺寸和精度較高的SEM照片(例如：精度單位為2奈米)所檢測出的最小缺陷尺寸有偏差；例如：圖8C中的第3個缺陷影像1101的原始尺寸是X軸為50奈米及Y軸為50奈米；而第4個缺陷影像1101的原始尺寸是X軸為150奈米及Y軸為150奈米，例如：圖8C中的第3個原始缺陷影像1101的致命缺陷指數判斷為0.4；而第4個缺陷影像1101的致命缺陷指數判斷為1。接著，如步驟520所示，資料處理裝置21從記憶體單元23擷取每一個經過確認為精準度高的缺陷影像1101並得到缺陷輪廓尺寸(image contour defect size)及缺陷輪廓面積；例如：當所使用掃描式電子顯微鏡(SEM)照片的解析度為3奈米時，可以解析出圖8C中的第3個缺陷影像1101的精確尺寸是X軸為35奈米及Y軸為35奈米；而第4個缺陷影像1101的精確尺寸是X軸為100奈米及Y軸為120奈米。因此，經過本實施例的校正後，可以得到精準校正後的致命缺陷指標(KDI)；例如：圖8C中的第3個缺陷影像1101在校正後的實際致命缺陷指數修正為0.1；而第4個缺陷影像1101在校正後的的實際致命缺陷指數修正為0.55。再接著，如步驟530所示，應用統計方法對多個原始缺陷尺寸、缺陷面積組和多個精準度高的缺陷輪廓尺寸、缺陷輪廓面積組進行校正並找出最佳統計方法；接著，如步驟540所示，建立使用統計方法的缺陷尺寸校正系統及量測不確定度分析，將線上執行快速缺陷檢測的光學設備所產生的原始缺陷尺寸資料轉換成近似實際的缺陷尺寸資料，而實際轉換過程，將在下一段詳細說明。此外，要強調的是，即然缺陷檢測最精準的是SEM機台，為何不直接使用，而要經過複雜的校正程序。這是由於缺陷檢測是在晶圓10完成製造後才進行，而SEM雖然精確但實際操作過程複雜，故其檢測能力僅能處理約1%的原始缺陷尺寸資料，為了加速製程時間，所以無法使用SEM來處理所有缺陷，只能使用檢測速度較快的光學設備來快速的掃描；因此，如果不進行缺陷尺寸校正，如上所述，造成致命缺陷指數誤判，除了影響缺陷分類外，也會影響缺陷良率的改善，進而造成製造時間及成本的增加；如步驟 550所示，經由缺陷尺寸校正等於實際提升關鍵區域分析得出的致命缺陷指數準確度和精準的判別致命缺陷。在本實施例中，要選擇多少的SEM的精確缺陷影像來執行統計即修正，本發明並不加以限制。接著，再進一步說，如果SEM設備的掃描速度改進或是有其他先進的掃描設備可以快速地提供所有缺陷的處理，則缺陷的致命缺陷指數就可以使用先前已說明過的步驟160來得到精確的結果。因製程繼續微縮，例如佈局圖最小尺寸1、2奈米或低於1奈米時，逐漸和SEM精度相當或更小，上述缺陷尺寸校正系統及方法，仍然適用於新的缺陷檢測機台及照相機台，在此不加以限制。

請繼續參考圖8C，說明半導體廠線上缺陷檢測機台掃描晶圓產生的缺陷報告為不準確的原始缺陷尺寸資料，經由本「缺陷尺寸校正系統」的校正及量測不確定度分析，轉換成近似實際的缺陷尺寸資料的缺陷尺寸校正流程。8A及圖8B所示。如步驟540所示，資料處理裝置21可以對每一個缺陷影像1101在校正前的原始缺陷尺寸(original defect size)與校正後的真實缺陷影像(real defect size)進行一個統計運算，用以建立一個統計模型，並根據此統計模型來修正缺陷影像1101在X軸及Y軸的尺寸；例如：由致命缺陷指數為1的缺陷影像1101進行校正後的統計模型定義出一個校正因子(factor)=0.85；例如：圖8C中的第4個缺陷影像1101的原始尺寸是X軸為150奈米及Y軸為150奈米，再經過步驟540後，需要將缺陷影像1101或是多邊形缺陷影像1103的原始尺寸與因子(factor)=0.85相乘，因此可以直接得到修正後的缺陷影像1104或修正後的多邊形缺陷影像1105的尺寸是X軸為130奈米及Y軸為 130奈米。或是由致命缺陷指數為0.5的缺陷影像1101進行校正後的統計模型定義出一個校正因子(Calibration factor)=0.9，其轉換過程如前所述，不再贅述。之後，如步驟550所示，資料處理裝置21根據統計模型定義出因子，自動對每一個缺陷影像1101進行校正並重疊至設計佈局圖1110上的相對缺陷影像1101座標處。最後，由資料處理裝置21或是工程師重新判斷校正後，可以得到每一個缺陷影像1101較精確的致命缺陷指數。

經過圖8A、圖8B、及圖8C的校正過程，可以更精確的得到實際的缺陷尺寸資料，因為致命缺陷指數是和缺陷尺寸呈正向關係，不正確的缺陷尺寸資料將會造成高致命缺陷指數缺陷數量偏高，選取斷路或短路型失敗的缺陷變得更困難，增加良率改善的時間及成本。圖8C表的資料顯示校正前及經過校正後的缺陷尺寸。很明顯的，在上述的實施例中，直接選擇使用SEM的缺陷掃描檔案進行校正，為最佳之效果；其次為閥值，同時，當決定閥值的樣本愈多時，閥值的統計值會愈接近SEM的掃描結果。

在經過圖2中的步驟150及步驟160的缺陷斷路或短路型失敗的分析及步驟500的校正之後，本發明可以進一步對缺陷影像1101進行分類。如步驟170所示，藉由前述步驟對缺陷的校正結果，將缺陷分類成非致命缺陷(Non-killer defect)或是致命缺陷(Killer defect)。例如，步驟150執行結果是以致命缺陷指數(KDI)值、缺陷訊號參數(defect signal parameter)以及是否有和缺陷圖形資料庫及高失敗頻率的缺陷資料庫的圖形匹配者，來進行分類；其中，上述的缺陷訊號參數是針對或選擇一個具有缺陷影像1101的影像檔1001並使用影像分析二度空間裡每一個像素pixel上的強度值(intensity或brightness)，如圖11A所示，其中橫軸是以強度值及縱軸是以像素數量為單位；藉由圖11A來分析缺陷圖案相對其周圍背景圖案的對比值(contrast)及判斷此缺陷圖案及其光影變化是在背景的上層或底下的極性值(polarity)。而步驟160執行結果是以缺陷輪廓和二個不同的多邊圖案(polygon)重疊或是和一個多邊圖案重疊，也是將缺陷分類成非致命缺陷或是斷路或短路型失敗的致命缺陷，詳細執行方式，如後說明。

另外，利用圖2步驟180建立缺陷圖形資料庫(defect pattern library)及高失敗頻率的缺陷資料庫(frequent failure defect library)；其中，缺陷圖形來源之一，包括：違反設計繪圖準則(design rule check error)的佈局圖形，例如距離準則為30奈米，實際圖案為28奈米，因縮小製程視窗，較易造成低良率，會被選入缺陷圖形資料庫，如圖11B所示；另一缺陷圖形來源是在進行DFM(Design for Manufacturing)模擬測試分析設計佈局圖案1110時，是否出現因製程視窗模擬分析值風險較高，亦可能造成低良率，須要進一步比對晶圓上實際相對位置上是否有缺陷造成斷路或短路，故被選入缺陷圖形資料庫，如圖11C上的X標記所示。此外，在建立高失敗頻率的缺陷資料庫(frequent failure defect library)方面，是通過結合多筆由光學設備實際掃描出的缺陷影像1101資料後，再使用圖形匹配方法，取得一致或相似圖形的圖案，建立於高失敗頻率缺陷資料庫，如圖11D所示，當設計佈局圖上的線路愈密集處，即屬於高失敗頻率的缺陷圖案，需要進一步比對晶圓上實際相對位置上是否有缺陷造成斷路或短路，故會列入高失敗頻率的缺陷資料庫。因此，使用者可以將系統性缺陷佈局圖案1111、故障分析 (failure analysis)發現的斷路或短路型缺陷佈局圖案、違反設計規則(DRC error)之佈局圖案、DFM模擬測試為風險佈局圖案(Design For Manufacturing check as weak pattern)均建立於缺陷圖形資料庫，使用者亦可引用同一發明人於2013年核准的專利號碼US8607169B2關於高失敗頻率的缺陷資料庫(frequent failure defect library)的專利方法，建立高失敗頻率的缺陷資料庫。步驟170便會將缺陷檢測機台偵測的缺陷資料和缺陷圖形資料庫及高失敗頻率的缺陷資料庫執行圖形匹配(pattern match同一發明人於2016年核准的中華民國專利號碼第I534646號)，找出相同或相似的缺陷佈局圖案來進行缺陷分析。

此外，請參考圖9，是執行缺陷輪廓和佈局圖案的多邊圖案比對分析的流程圖。如圖9所示，是藉由步驟160執行缺陷輪廓和佈局圖案的多邊圖案比對分析來判斷有無斷路或短路型失敗的缺陷之後進行分類。其中，如步驟1610所示，假如缺陷影像1101位置在缺陷佈局圖案1111的座標偏差範圍內無線路1113圖案或是為非實際線路的虛擬佈局圖案(dummy pattern)，故無斷路或短路型失敗可能，此判斷為虛擬圖案缺陷(dummy pattern defect)，如圖11E所示，屬於非致命缺陷(Non-killer defect)。接著，如步驟1620所示，假如缺陷影像1101位置在缺陷佈局圖案1111的座標偏差範圍內有線路1113圖案，但由步驟160執行缺陷輪廓和佈局圖案的多邊圖案比對分析，並無斷路或短路型失敗可能，此判斷為零風險缺陷(nuisance defect)，如圖11F所示，缺陷佈局圖案1111中只有一區有線路1113且此線路尺寸遠大於缺陷影像尺寸，故無論缺陷影像落在此區域中，都不會造成斷路或短路型失敗的可能，故屬於非致命缺陷(Non-killer defect)。再接著，如步驟1630所示，假如缺陷影像1101位置在缺陷佈局圖案1111的座標偏差範圍內有線路1113圖案，但由步驟160執行缺陷輪廓和佈局圖案的多邊圖案比對分析，可能存在斷路或短路型失敗，此為斷路或短路型失敗缺陷(open or short defect)，如圖7D在KDI=1所示，故屬於致命缺陷(Killer defect)。

最後，請參考如圖10，是本發明的缺陷分類流程圖。如圖10所示，取得缺陷訊號資料及KDI值，依據每個缺陷的致命缺陷指數KDI值及訊號參數值，加上有無和缺陷圖形資料庫及高失敗頻率的缺陷資料庫執行圖形匹配的缺陷，將缺陷分類成非致命缺陷(Non-killer defect)及致命缺陷(Killer defect)，提供缺陷取樣的依據。藉由步驟1710取得缺陷資料及分析的缺陷訊號資料，而步驟1720，則是取得步驟150關鍵區域分析方法計算的缺陷致命缺陷指數KDI值，步驟1730則是依據每個缺陷的致命缺陷指數KDI值及缺陷訊號參數值，加上有無和缺陷圖形資料庫及高失敗頻率的缺陷資料庫執行圖形匹配的缺陷，將缺陷做分類；其中，缺陷圖形資料庫請參考圖11A至圖11G。之後，步驟1740則是判斷有無斷路或短路型失敗可能，例如：當判斷缺陷的致命缺陷指數KDI值等於0時，則不論缺陷訊號參數值為多少(如圖11A所示)，判斷此為虛擬圖案缺陷(如圖11E所示)，屬於非致命缺陷(Non-killer defect)，要被過濾掉，也就是在後續執行缺陷取樣分析時，可以不計入缺陷的選擇；例如：在5000個缺陷影像1101中，有3000個屬於非致命缺陷時，則在缺陷取樣分析時，即將這3000個缺陷不計入缺陷的選擇。而在步驟1750，則是當判斷出缺陷的致命缺陷指數KDI值等於或是趨近於0時，不論缺陷訊號參數值為多少，判斷此為零風險缺陷(如圖11F所示)，也屬於非致命缺陷(Non-killer defect)，因此，同樣也要被過濾掉，其過濾方式如步驟1740，不在贅述。

接著，進行步驟1760。首先，是針對未被過濾掉的缺陷進行分類，例如：選擇將高致命缺陷指數KDI值(例如：0.75~1)及高缺陷訊號參數值列為第一優先取樣群；其次，選擇高致命缺陷指數KDI值(例如：0.75~1)及中等缺陷訊號參數值列為第二優先取樣群；再接著，選擇將中間值的致命缺陷指數KDI值(例如：0.5~0.75)及高缺陷訊號參數值列為第一優先取樣群；其次，將中間值的致命缺陷指數KDI值(例如：0.5~0.75)及中間值的缺陷訊號參數值列為為第二優先取樣群；要說明的是，以上均是屬於高風險致命缺陷(high risk killer defect)的取樣群是必須進行修改的缺陷群；但若需要在最短的時間內完成缺陷群的修改時，則可以更優先選擇分類為第一優先取樣群，包括：選擇高致命缺陷指數值及高缺陷訊號參數值列的取樣群以及選擇中間值致命缺陷指數值及高缺陷訊號參數值列的取樣群；對於如何決定取樣群，本發明並不加以限制。

再其次，是選擇將低致命缺陷指數KDI值(例如：0.2~0.5)，以及高、中缺陷訊號參數值作為另一取樣群，由於已是屬於低風險致命缺陷(low risk killer defect)，缺陷取樣優先次序列為第三優先取樣群，僅做些微缺陷取樣；至於最低致命缺陷指數KDI值(例如：<0.2)，例如：屬於極低風險致命缺陷及低缺陷訊號參數值等，均是屬於極低風險致命缺陷(negligible risk killer defect)，此種缺陷近似零風險缺陷(nuisance defect)，非常近似於非致命缺陷(Non-killer defect)，故不需列入缺陷取樣或是也列入要被過濾掉的取樣群。上述的過程，已經將晶圓10上所有的缺陷影像1101進行了分類及取樣，因此這些分類及取樣的結果會繼續在缺陷文字及影像資料檔案1130(顯示於圖3B)中擴充，也就是將每一個缺陷影像1101都標示出是屬於哪一取樣群；當然，擴充後的缺陷文字及影像資料檔案1130也會更新並儲存在記憶體單元31中。

此外，如步驟1770所示，在完成步驟1730的缺陷分類後，及可以選擇和缺陷圖形資料庫及失敗頻率高的缺陷資料庫執行圖形比對匹配，如有相同或相似的缺陷，且是屬於警戒性缺陷，則必須被取樣；但假如是屬於假性缺陷佈局圖案(如圖11G所示)，則是將假性缺陷過濾掉。

根據上述之說明，本發明的「智慧型的缺陷校正系統與其實施方法」是以缺陷座標及缺陷尺寸校正系統提升缺陷的關鍵區域分析準確度，提升判斷半導體缺陷有無造成斷路或短路型的致命缺陷精準度，將非致命缺陷過濾排除在缺陷取樣，再結合缺陷訊號參數，將致命缺陷及其風險分類等級作為缺陷取樣優先順序，相較於傳統方法以缺陷訊號強度值及缺陷尺寸大小為缺陷取樣標準，提升發現真正斷路或短路型的致命缺陷的能力，縮短缺陷良率學習曲線及提升良率，提早量產可增加營收，而良率提升可降低成本。

本發明已將詳細的實施例說明如上，然其並非用以限定本發明所主張之專利權利範圍。其專利保護範圍當視後附之申請專利範圍及其等同領域而定。凡本領域具有通常知識者，在不脫離本專利精神或範圍內，所作之更動或潤飾，均屬於本發明所揭示精神下所完成之等效改變或設計，且應包含在下述之申請專利範圍內。

步驟110至步驟190

200:步驟

300:步驟

500:步驟

Claims

一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷校正的方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取該缺陷影像圖案的缺陷座標、缺陷尺寸與缺陷面積，並根據該缺陷座標將該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同大小的數值；以及執行一校正程序，包括：選擇至少一個該致命缺陷指數值；提供一SEM掃描機台，並對被選擇的該致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至該存儲裝置中；以及判斷該些精準的缺陷尺寸及缺陷面積是否為斷路型或是短路型的系統性致命缺陷。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓的缺陷校正的方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取該缺陷影像圖案的缺陷座標、缺陷尺寸與缺陷面積，並根據該缺陷座標將該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值；執行一校正程序，包括：選擇至少一個該致命缺陷指數值；提供一SEM掃描機，並對被選擇的該致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至該存儲裝置中；執行一第二重疊程序，是由該資料處理裝置擷取該精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據該缺陷座標將該相對精準的缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；以及執行一第二關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該校正後的致命缺陷指數值區分多個不同的數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓的缺陷校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據該缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；提供一校正因子(Calibration factor)，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；以及執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓的缺陷校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；執行一第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)。執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷影像資料檔案中，逐一擷取該缺陷影像圖案的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值；執行一校正程序，包括：選擇至少一個該致命缺陷指數值；提供一SEM掃描機，並對被選擇的該致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至該存儲裝置中；執行一第二重疊程序，是由該資料處理裝置擷取該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據該缺陷座標將該相對精準的缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；以及執行一第二關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；提供一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；執行一校正程序，是由該資料處理裝置根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中；提供一校正因子，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏移範圍區域的該修正閥值座標上；以及執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；提供一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；執行一校正程序，是由該資料處理裝置根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏移範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上；以及執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；提供一校正因子，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；執行缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案；以及執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
如申請專利範圍第1至7項任一項所述之智慧型半導體晶圓缺陷校正方法，其進一步包括，依據每個缺陷的致命缺陷指數大小及缺陷影像圖案的強度值大小，對該些缺陷進行分類。
如申請專利範圍第8項所述之智慧型半導體晶圓缺陷校正方法，其中，該些缺陷分類包括：虛擬圖案缺陷、零風險缺陷或致命缺陷。
如申請專利範圍第9項所述之智慧型半導體晶圓缺陷校正方法，其進一步根據該分類結果執行一取樣，包括將該些虛擬圖案缺陷及零風險缺陷濾除。
如申請專利範圍第9項所述之智慧型半導體晶圓缺陷校正方法，其進一步根據該分類結果執行一取樣，是通過一設定的致命缺陷指數值以及設定的缺陷影像圖案的強度值對致命缺陷進行取樣。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷校正的方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；提供一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；以及執行一校正程序，是由該資料處理裝置根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中。
如申請專利範圍第5、6或12項所述的智慧型半導體晶圓缺陷校正的方法，其中，該修正閥值是通過以缺陷SEM影像檔和對應之缺陷佈局圖案進行手動式、GUI方式或是圖形比對匹配校正，取得多個座標偏差值，再以統計分析取得座標偏差校正參數。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷座標轉換的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該缺陷檢測機台參數，是由該資料處理裝置取得該缺陷檢測機台的對準參考坐標以及單位尺寸；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離及其單位尺寸；取得光罩參數設定檔案，是由該資料處理裝置取得參考點、原點、中心點及單位尺寸；調整單位尺寸，是將取得缺陷影像的單位尺寸、該積體電路設計佈局圖案的單位尺寸以及光罩的單位尺寸調整成一致；以及執行一座標轉換的校正程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標(X₂,Y₂)。
如申請專利範圍第14項所述的智慧型半導體晶圓缺陷座標轉換的校正方法，是於執行該第一座標轉換程序後，進一步執行一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；以及取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)。
如申請專利範圍第15項所述的智慧型半導體晶圓缺陷座標轉換的校正方法，其中，於該第一座標校正程序對多個該缺陷影像進行校正後，取得一X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值(Standard Deviation)。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷座標轉換的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；以及執行一第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路佈局圖檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；以及取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)。
如申請專利範圍第17項所述的智慧型半導體晶圓缺陷座標轉換的校正方法，其中，於該第一座標校正程序對多個該缺陷影像進行校正後，取得一X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值(Standard Deviation)。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓的缺陷校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線佈局圖路檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路佈局圖檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；提供一校正因子，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；以及執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓的缺陷校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一晶圓座標原點、一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；取得該積體電路設計佈局圖檔案，是由該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，且該資料處理裝置辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；執行一第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標 (X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；執行一第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路佈局圖檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；執行一第一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值；以及執行一校正程序，包括：選擇至少一個該致命缺陷指數值；提供一SEM掃描機，並對被選擇的該致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至該存儲裝置中；執行一第二重疊程序，是由該資料處理裝置擷取該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據該缺陷座標將該相對精準的缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；以及執行一第二關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值。
如申請專利範圍第20項所述的智慧型半導體晶圓缺陷的校正方法，其中，於該第一座標校正程序對多個該缺陷影像進行校正後，取得一X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值(Standard Deviation)。
一種藉由資料處理裝置與存儲裝置來執行智慧型半導體晶圓缺陷的校正方法，包括：提供一積體電路設計佈局圖檔案，並儲存於該存儲裝置中，該積體電路設計佈局圖檔案中配置複數條線路；執行一晶圓製造程序，是根據該積體電路設計佈局圖檔案將該複數條線路形成在該晶圓上；執行一晶圓缺陷掃描，是通過缺陷檢測機台掃描該晶圓以取得缺陷掃描資料，並將該些缺陷掃描資料經過該資料處理裝置處理成一缺陷文字及影像資料檔案後，儲存於該存儲裝置中，其中，該缺陷文字及影像資料檔案包含該晶圓上的多個缺陷資料，而每一個該缺陷資料至少包括一缺陷座標、一缺陷尺寸、一缺陷面積及一缺陷影像圖案的強度值；提供一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；執行一校正程序，是由該資料處理裝置根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中；提供一校正因子，是將缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；執行一第一重疊程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏移範圍區域的該修正閥值座標上；以及執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得該積體電路設計圖檔案，用以辨識出在該積體電路設計圖檔案上的每一該線路相對的一座標位置，每一該線路的一線路寬度及每兩條線路之間的一距離；該資料處理裝置由該缺陷文字及影像資料檔案中逐一擷取至少一缺陷座標，至少一缺陷尺寸與至少一缺陷面積，並根據該缺陷座標將該缺陷尺寸及該缺陷面積重疊至該積體電路設計圖檔案上的每一該線路的相對的該座標位置上；該資料處理裝置根據該缺陷尺寸及該缺陷面積重疊在該積體電路設計圖檔案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出至少一個缺陷指數值；該資料處理裝置選擇至少一該缺陷指數值，並利用一掃描裝置對被選擇到的該缺陷指數值所在的每一該缺陷位置進行重新掃描以獲得掃描後的新缺陷尺寸及掃描後的新缺陷面積並將該掃描後的該些新缺陷尺寸及掃描後的該些缺陷面積分別儲存於該存儲裝置；及該資料處理裝置用以判斷該掃描後的該缺陷尺寸及掃描後的該缺陷面積是否為一斷路型或是一短路型的系統缺陷。
一種半導晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得一校正因子，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；該資料處理裝置執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置執行第一重疊程序，是逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上；以及該資料處理裝置執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種半導晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置擷取一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；該資料處理裝置執行一校正程序，是根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置執行第一重疊程序，是逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上；以及該資料處理裝置執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種半導晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置擷取一修正閥值，是儲存於該存儲裝置中，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；該資料處理裝置執行一校正程序，是根據該修正閥值，將每一個缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置取得一校正因子，是將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出該校正因子；該資料處理裝置執行一缺陷尺寸校正，是將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置執行第一重疊程序，是逐一擷取缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上；以及該資料處理裝置執行一關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置擷取一修正閥值，是從該存儲裝置中擷取該修正閥值，其中，該修正閥值為對每一個缺陷影像座標轉換至缺陷佈局圖案的偏差範圍區域上的相對座標位置的修正統計值，該修正閥值包括X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值；以及該資料處理裝置執行一校正程序，是由該資料處理裝置根據該修正閥值，將每一個該缺陷影像轉換至該缺陷佈局圖案的偏差範圍區域的該修正閥值座標上，並儲存至該存儲裝置中。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得該缺陷檢測機台的參數，用以取得對準參考坐標以及單位尺寸；該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，是用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離及其單位尺寸；該資料處理裝置取得一光罩參數設定檔案，用以取得參考點、原點、中心點及單位尺寸；該資料處理裝置調整單位尺寸，是將取得缺陷影像的單位尺寸、該積體電路設計佈局圖案的單位尺寸以及光罩的單位尺寸調整成一致；以及該資料處理裝置執行一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標(X₂,Y₂)。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；該資料處理裝置執行第一座標轉換程序，是自該缺陷文字及影像資料檔案中取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；以及該資料處理裝置執行第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個該缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路佈局圖檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；以及取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；該資料處理裝置執行第一座標轉換程序，是由該資料處理裝置自該缺陷文字及影像資料檔案取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；一顯示器螢幕，是由資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個該缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；該資料處理裝置將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；該資料處理裝置取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以由該資料處理裝置取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；該資料處理裝置將該缺陷文字及影像資料檔案中同時具有缺陷尺寸及缺陷面積與SEM缺陷尺寸及缺陷面積的這些缺陷進行比對，藉以統計出一校正因子；該資料處理裝置執行將該缺陷文字及影像資料檔案中的每一個缺陷尺寸乘上該校正因子後，將校正後的缺陷尺寸儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置執行第一重疊程序，是自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取該缺陷影像圖案的校正後的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該校正後的缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；該資料處理裝置執行第一關鍵區域分析，是根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值；該資料處理裝置執行第二重疊程序，是擷取該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據該缺陷座標將該相對精準的缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；以及該資料處理裝置執行第二關鍵區域分析，是根據該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值。
一種半導體晶圓的缺陷校正系統，包括一存儲裝置，一晶圓製造機台組具有一晶圓製造機台，一晶圓缺陷檢測機台及一資料處理裝置，其中該存儲裝置用以存儲一積體電路設計圖檔案，且該積體電路設計圖檔案中配置有複數條線路，該晶圓製造機台組，用以將積體電路設計圖檔案中的該些線路配置在一晶圓上，該晶圓缺陷檢測機台用以掃描該晶圓以取得一缺陷掃描資料，該資料處理裝置將該缺陷掃描資料轉換成一具有缺陷文字及影像資料檔案並儲存於該存儲裝置，其特徵在於：該資料處理裝置取得該積體電路設計佈局圖檔案，用以辨識出座標原點、每一條線路相對一座標的位置、線路寬度及線路間的距離；該資料處理裝置執行第一座標轉換程序，是自該缺陷文字及影像資料檔案中，取得一缺陷影像圖案的缺陷座標(X₁,Y₁)，並根據該缺陷座標轉換至該積體電路設計佈局圖案的一相對第一座標(X₂,Y₂)；該資料處理裝置執行第一座標校正程序，包括：提供一顯示器螢幕，是由該資料處理裝置根據缺陷影像的座標位置取得一個該缺陷影像附近區域的影像檔，同時再由該資料處理裝置取得該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖相應的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案，並將該缺陷影像附近區域影像檔及相應該缺陷影像在該積體電路設計佈局圖的座標位置附近區域的線路佈局圖檔案一起在該顯示器螢幕上顯示；標示一第二座標，是將該缺陷影像附近區域影像檔上的該缺陷影像位置在該積體電路設計佈局圖相應該缺陷影像座標位置附近區域的線路檔案上標示該第二座標(X₂,Y₂)；取得一校正後的座標，是當該積體電路設計佈局圖上的該第一座標(X₂,Y₂)與該第二座標(X₂,Y₂)不在同一座標位置時，可以取得該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；該資料處理裝置執行第一重疊程序，是自該缺陷文字及影像資料檔案中，逐一擷取該缺陷影像圖案的缺陷尺寸與缺陷面積，並將該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的該校正後的座標(X₂-X₂,Y₂-Y₂)；該資料處理裝置執行第一關鍵區域分析，是根據該缺陷尺寸與該缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一致命缺陷指數值；該資料處理裝置執行一校正程序，包括：選擇至少一個該致命缺陷指數值；以及提供一SEM掃描機，並對被選擇的該致命缺陷指數值所在的每一個缺陷位置重新掃描，以獲得一相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並儲存至該存儲裝置中；該資料處理裝置執行第二重疊程序，是由該資料處理裝置擷取該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積，並根據該缺陷座標將該相對精準的缺陷面積重疊至該積體電路設計佈局圖案的一相對座標上；以及該資料處理裝置執行第二關鍵區域分析，是由該資料處理裝置根據該相對精準的缺陷尺寸及缺陷面積重疊在該積體電路設計佈局圖案上，使用關鍵區域分析方法得到各個缺陷在座標偏差範圍區域內的設計佈局圖案之關鍵區域，判斷出一校正後的致命缺陷指數值，其中，該致命缺陷指數值區分多個不同的數值。
如申請專利範圍第25至31項任一項所述的半導體晶圓的缺陷校正系統，其中，於該第一座標校正程序對多個該缺陷影像進行校正後，取得一X軸及Y軸的平均座標偏差值及標準偏差值(Standard Deviation)。