JP2005259830A - 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
半導体の出来ばえ検査において,プロセスマージンが小さい部分を,出来ばえ検査位置として取得する方法を提供すること。
【解決手段】
半導体ウェハを外観検査し,検出欠陥のレイアウトデータ上の位置を探索し,レイアウトデータの類似性に基づいてグループ化することで,欠陥が高頻度に検出されるレイアウトパターンを抽出する。抽出したレイアウトパターンが存在する位置を,出来ばえ検査位置として取得する。
【選択図】 図3
Description
Claims (14)
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する方法であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した欠陥の位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上で前記欠陥の発生位置を探索し,
該探索したレイアウトデータ上のパターンのうち類似しているパターンどうしをグループ化し,
該グループ化したレイアウトデータ上のパターンの情報から高頻度に欠陥を発生するパターンを抽出し、
該抽出した高頻度に欠陥を発生するレイアウトパターンに関する情報を出力する
ことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価方法。 - 前記半導体デバイスの外観を検査して検出した欠陥の座標と対応する前記レイアウトデータ上の前記欠陥の発生位置の周辺部について,前記レイアウトデータ上の図形データ同士の重なりの有無を調べ,重なる場合に図形データの外周を演算することで重なりの影響を排除したエッジ画像をレイアウトデータから作成し,前記半導体デバイスの外観を検査して得た前記欠陥が存在するパターンと同一形状の正常パターンの画像からエッジ画像を抽出し、前記レイアウトデータから作成したエッジ画像と前記隣接する正常パターンの画像との間で相関値のピーク位置を演算し,該算出した相関値のピーク位置の情報を用いて前記欠陥のレイアウトデータ上の位置を取得することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスのパターン形状評価方法。
- 前記抽出した高頻度に欠陥を発生するレイアウトパターンの情報を、半導体デバイスの出来ばえを検査する装置に出力することを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスのパターン形状評価方法。
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する方法であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した複数の欠陥のそれぞれの位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上で前記複数の欠陥のそれぞれの発生位置を探索し、
該探索した前記複数の欠陥の発生位置に対応するレイアウトデータ上のパターンのうち類似しているパターンどうしをグループ化し,
該グループ化したレイアウトデータ上のパターン毎にプロセスマージンを求め、
該求めたプロセスマージンに関する情報を出力する
ことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価方法。 - 前記出力するプロセスマージンに関する情報は、プロセスマージンが小さいレイアウトパターンの情報であることを特徴とする請求項4記載の半導体デバイスのパターン形状評価方法。
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する方法であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した欠陥のうち指定した欠陥の位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上の前記指定した欠陥の発生位置を探索し,
該探索したレイアウトデータ上のパターンと同じパターンが存在する位置をレイアウトデータ全面から検索し,
該検索したレイアウトデータの情報を出力する
ことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価方法。 - 前記半導体デバイスは、異なるプロセス条件で処理された複数の基板であることを特徴とする請求項1,4又は6の何れかに記載の半導体デバイスのパターン形状評価方法。
- 前記欠陥の発生位置を探索することを、前記できばえを検査するときに検出した画像からパターンのエッジを抽出し、レイアウトパターンのデータからレイアウトパターン上のパターンのエッジ情報を求め、前記抽出したエッジの画像とレイアウトパターン上のパターンのエッジ情報とを用いて前記欠陥の発生位置を探索することを特徴とする請求項1,4又は6の何れかに記載の半導体デバイスのパターン形状評価方法。
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する装置であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した欠陥の位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上で前記欠陥の発生位置を探索する欠陥位置検索手段と、
該欠陥位置検索手段で探索したレイアウトデータ上のパターンのうち類似しているパターンどうしをグループ化する処理を行うグループ化処理手段と、
該グループ化処理手段でグループ化したレイアウトデータ上のパターンの情報から高頻度に欠陥を発生するパターンを抽出しするパターン抽出手段と、
該パターン抽出手段で抽出した高頻度に欠陥を発生するレイアウトパターンに関する情報を出力する出力手段と
を備えたことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価装置。 - 前記出力手段は、前記抽出した高頻度に欠陥を発生するレイアウトパターンの情報を、半導体デバイスの出来ばえを検査する装置に出力することを特徴とする請求項9記載の半導体デバイスのパターン形状評価装置。
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する装置であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した複数の欠陥のそれぞれの位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上で前記複数の欠陥のそれぞれの発生位置を探索する欠陥位置探索手段と、
該欠陥位置探索手段で探索した前記複数の欠陥の発生位置に対応するレイアウトデータ上のパターンのうち類似しているパターンどうしをグループ化する処理を行うグループ化処理手段と、
該グループ化処理手段でグループ化したレイアウトデータ上のパターン毎にプロセスマージンを求めるプロセスマージン算出手段と、
該プロセスマージン算出手段で求めたプロセスマージンに関する情報を出力する出力手段と
を備えたことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価装置。 - 前記出力手段から出力するプロセスマージンに関する情報は、プロセスマージンが小さいレイアウトパターンの情報であることを特徴とする請求項11記載の半導体デバイスのパターン形状評価装置。
- 半導体デバイスのパターン形状を評価する装置であって、
半導体デバイスの外観を検査して検出した欠陥のうち指定した欠陥の位置情報を用いて前記半導体デバイスのパターンのレイアウトデータ上の前記指定した欠陥の発生位置を探索する欠陥位置探索手段と、
該欠陥位置探索手段で探索したレイアウトデータ上のパターンと類似するパターンが存在する位置をレイアウトデータ全面から検索するパターン検索手段と、
該パターン検索手段で検索したレイアウトデータの情報を出力する出力手段と
を備えたことを特徴とする半導体デバイスのパターン形状評価装置。 - 前記欠陥位置探索手段は、前記外観を検査するときに検出した画像からパターンのエッジを抽出するエッジ画像抽出部と、前記レイアウトパターンのデータからレイアウトパターン上のパターンのエッジ情報を求めるレイアウトパターンエッジ抽出部と、前記エッジ画像抽出部で抽出したエッジの画像と前記レイアウトパターンエッジ抽出部で求めたレイアウトパターン上のパターンのエッジ情報とを用いて前記欠陥の発生位置を探索する欠陥発生位置探索部とを備えることを特徴とする請求項9,11又は13の何れかに記載の半導体デバイスのパターン形状評価装置。
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