JP6204336B2 - ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 352
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 288
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 158
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 322
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 312
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 232
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 183
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000012942 design verification Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
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Description
A(r)={(x,y):r(x,y)≦r}
を使用して決定することができる。臨界区域は、この式を使用すれば本明細書に記載の実施形態で決定することができる。臨界半径を決定するのに使用することができる別のアルゴリズムは、Satya他によって共同所有される米国特許第6,918,101号に記載されており、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。臨界半径は、同特許に記載されるように本明細書に記載される実施形態で決定することができる。
本発明は以下の態様としても実現できる。
[態様1]
ウェーハ用検査工程を生成するためにコンピュータによって実行される方法であって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいて、ウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
を備える方法。
[態様2]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、方法。
[態様3]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、方法。
[態様4]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記設計用の設計データを使用して実行される、方法。
[態様5]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行される、方法。
[態様6]
態様1に記載の方法であって、
前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、方法。
[態様7]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、方法。
[態様8]
態様1に記載の方法であって、
前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、方法。
[態様9]
態様1に記載の方法であって、
前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、方法。
[態様10]
態様1に記載の方法であって、
前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、方法。
[態様11]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記マップを使用して実行される、方法。
[態様12]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程を含む、方法。
[態様13]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を前記同じ群に割り当てる工程を含む、方法。
[態様14]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
[態様15]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
[態様16]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てる工程と、を備える、方法。
[態様17]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程と、を備えている、方法。
[態様18]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、方法。
[態様19]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査システムの座標誤差に基づいて実行される、方法。
[態様20]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、方法。
[態様21]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
前記感度を決定する工程は、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、方法。
[態様22]
態様1に記載の方法であって、
前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査システムによって解像することができない、方法。
[態様23]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、方法。
[態様24]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、オフラインで実行される、方法。
[態様25]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、方法。
[態様26]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、方法。
[態様27]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される前記出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、前記検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力の位置を決定する工程を備える、方法。
[態様28]
コンピュータによって実行されるウェーハ用検査工程を生成するための方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータによって実行される方法は、
前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
を備えるコンピュータ可読媒体。
[態様29]
ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムであって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定するように構成され、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定するように構成され、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成するよう構成された
コンピュータサブシステムと、
前記ウェーハ上で前記検査工程を実行するように構成された検査サブシステムと、
を備えるシステム。
Claims (53)
- ウェーハ用検査工程を生成するためにコンピュータによって実行される方法であって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいて、ウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てる工程を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記設計用の設計データを使用して実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記マップを使用して実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てる工程と、を備える、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程と、を備えている、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査システムの座標誤差に基づいて実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
前記感度を決定する工程は、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査システムによって解像することができない、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、オフラインで実行される、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された前記出力の位置を決定する工程を備える、方法。 - コンピュータによって実行されるウェーハ用検査工程を生成するための方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータによって実行される方法は、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用の検査工程を生成する工程と、
を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てる工程を含む、コンピュータ可読媒体。 - ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムであって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定することと、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定することと、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成することと、
を行うように構成されたコンピュータサブシステムと、
前記ウェーハ上で前記検査工程を実行するように構成された検査サブシステムと、
を備え、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てることを含む、
システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定することは、前記設計用の設計データを使用して実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定することは、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査サブシステムの1以上のパラメータに基づいて実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記コンピュータサブシステムは、更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成するように構成され、
前記感度を決定することは、前記マップを使用して実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成することを含む、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定することと、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定することと、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定することと、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定することと、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てることと、を備える、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定することと、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成することと、を備えている、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記コンピュータサブシステムは、更に、前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定するように構成され、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記コンピュータサブシステムは、更に、前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定するように構成され、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査サブシステムの座標誤差に基づいて実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
前記感度を決定することは、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査サブシステムによって解像することができない、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定することと、前記感度を決定することとは、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定することと、前記感度を決定することとは、オフラインで実行される、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、システム。 - 請求項28に記載のシステムであって、
前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された前記出力の位置を決定する工程を備える、システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/403,905 | 2009-03-13 | ||
US12/403,905 US8112241B2 (en) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011554106A Division JP2012520570A (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-08 | ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015084443A JP2015084443A (ja) | 2015-04-30 |
JP6204336B2 true JP6204336B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=42729039
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011554106A Withdrawn JP2012520570A (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-08 | ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム |
JP2014258430A Active JP6204336B2 (ja) | 2009-03-13 | 2014-12-22 | ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011554106A Withdrawn JP2012520570A (ja) | 2009-03-13 | 2010-03-08 | ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8112241B2 (ja) |
EP (1) | EP2406819A4 (ja) |
JP (2) | JP2012520570A (ja) |
KR (1) | KR101647008B1 (ja) |
CN (1) | CN102422405B (ja) |
IL (1) | IL214932A (ja) |
WO (1) | WO2010104800A2 (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7570796B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8225252B2 (en) * | 2010-06-25 | 2012-07-17 | Intel Corporation | Systems, methods, apparatus and computer readable mediums for use in association with systems having interference |
US9170211B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-10-27 | Kla-Tencor Corp. | Design-based inspection using repeating structures |
US9087367B2 (en) | 2011-09-13 | 2015-07-21 | Kla-Tencor Corp. | Determining design coordinates for wafer defects |
US8831334B2 (en) | 2012-01-20 | 2014-09-09 | Kla-Tencor Corp. | Segmentation for wafer inspection |
US9715723B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-07-25 | Applied Materials Israel Ltd | Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification |
US10043264B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-08-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Integration of automatic and manual defect classification |
US9858658B2 (en) | 2012-04-19 | 2018-01-02 | Applied Materials Israel Ltd | Defect classification using CAD-based context attributes |
US9595091B2 (en) | 2012-04-19 | 2017-03-14 | Applied Materials Israel, Ltd. | Defect classification using topographical attributes |
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KR101674698B1 (ko) | 2009-02-13 | 2016-11-09 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 웨이퍼 상의 결함들 검출 |
-
2009
- 2009-03-13 US US12/403,905 patent/US8112241B2/en active Active
-
2010
- 2010-03-08 WO PCT/US2010/026559 patent/WO2010104800A2/en active Application Filing
- 2010-03-08 CN CN201080021084.7A patent/CN102422405B/zh active Active
- 2010-03-08 JP JP2011554106A patent/JP2012520570A/ja not_active Withdrawn
- 2010-03-08 KR KR1020117024028A patent/KR101647008B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-08 EP EP10751248.5A patent/EP2406819A4/en not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-09-01 IL IL214932A patent/IL214932A/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-12-22 JP JP2014258430A patent/JP6204336B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102422405B (zh) | 2014-09-03 |
US20100235134A1 (en) | 2010-09-16 |
EP2406819A2 (en) | 2012-01-18 |
WO2010104800A3 (en) | 2011-01-27 |
KR20110139261A (ko) | 2011-12-28 |
KR101647008B1 (ko) | 2016-08-10 |
JP2012520570A (ja) | 2012-09-06 |
EP2406819A4 (en) | 2017-05-03 |
JP2015084443A (ja) | 2015-04-30 |
CN102422405A (zh) | 2012-04-18 |
IL214932A0 (en) | 2011-11-30 |
IL214932A (en) | 2015-10-29 |
WO2010104800A2 (en) | 2010-09-16 |
US8112241B2 (en) | 2012-02-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160209 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160210 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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