JP6204336B2 - ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム - Google Patents

ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム Download PDF

Info

Publication number
JP6204336B2
JP6204336B2 JP2014258430A JP2014258430A JP6204336B2 JP 6204336 B2 JP6204336 B2 JP 6204336B2 JP 2014258430 A JP2014258430 A JP 2014258430A JP 2014258430 A JP2014258430 A JP 2014258430A JP 6204336 B2 JP6204336 B2 JP 6204336B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensitivity
design
different locations
wafer
different
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014258430A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015084443A (ja
Inventor
シオン・ヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Tencor Corp filed Critical KLA Tencor Corp
Publication of JP2015084443A publication Critical patent/JP2015084443A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6204336B2 publication Critical patent/JP6204336B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854Grading and classifying of flaws

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、概略的には、ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステムに関する。或る実施形態は、ウェーハ用の設計(design)の中の異なる場所のために決定されたローカル属性に基づいて検査工程の感度を決定することに関する。
以下の説明及び実施例は、この項に含まれることを理由として先行技術であるとは認められない。
論理デバイス及び記憶デバイスのような半導体デバイスを製作する工程は、通常、半導体デバイスの様々なフィーチャ(feature)及び複数の階層を形成するために多数の半導体製作工程を用いて半導体ウェーハのような基板を加工することを含んでいる。例えば、リソグラフィは、レチクルから半導体ウェーハ上に配置されたレジストへパターンを転写することを含む半導体製作工程である。半導体製作工程の別の実施例として、化学機械研磨、エッチング、堆積(deposition)及びイオン注入が、これらに限定するわけではないが、含まれる。複数の半導体デバイスは、単一の半導体ウェーハ上に並べて製作され、後に個々の半導体デバイスに分割することもできる。
検査工程は、ウェーハ上の欠陥を検出するために半導体製造工程の間様々な段階で使用されている。検査工程は、常に、集積回路のような半導体デバイスを製作することの重要な一部であり続けている。しかしながら、半導体デバイスの寸法が縮小化されるにつれ、検査工程は、基準を満たした半導体デバイスの良好な製造にとって更により重要になってきた。例として、半導体デバイスの寸法が縮小化されるにつれ、比較的小さい欠陥が半導体デバイスに望ましくない異常を引き起こす可能性があるので、縮小サイズの欠陥の検出は、不可欠になってきた。従って、検査分野では、以前であれば無視し得たサイズの欠陥を検出することができる検査システムの策定に、多くの労力を費やすようになった。
検査システムのほとんどは、異なるパラメータを異なる欠陥の検出又は望ましくない(厄介な)事象の源の回避に使用することができるように、調整可能な感度(又は欠陥検出)パラメータを有している。調整可能な感度パラメータは、半導体デバイス製造業者に大きな利点を呈しているが、不適切な感度パラメータが検査工程に使用されれば、検査システムは、基本的には、役に立たない。適切な感度パラメータを使用することは、検査結果に目覚ましい効果をもたらすことができるが、現在のところ、多くの検査工程は、不適当な又は最適化されていない感度パラメータを用いて実行されていると考えられる。加えて、ウェーハの異なる部分の欠陥を検出するために異なる感度パラメータを使用することは好都合であり得る(例えば、ウェーハ上に形成されているデバイスについての情報又はウェーハからの光の特性についての情報に基づいて)。しかしながら、ウェーハの異なる部分のために異なる感度パラメータを決定するための多くの方法及びシステムは、不都合なものである。例えば、ウェーハ上にプリントされているパターンフィーチャは、現在使用されている検査システムでは像を取得することがより難しくなっている。従って、欠陥が検出されているデバイスの部分に応じて感度を変更するために、ウェーハを走査して取得される、ウェーハ上に形成されているデバイスについての情報を使用するのは難しい。
このような次第で、現在使用されるシステム及び方法の1以上の不利点を有していない、ウェーハ用の設計の中の異なる場所のために決定されたローカル属性に基づいてウェーハ上で検出された欠陥を報告するための感度を決定する工程を含んでいる、ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステムが開発されれば好都合である。
方法、コンピュータ可読媒体及びシステムの様々な実施形態についての以下の説明は、特許請求の範囲の主題を制限すると何ら解釈されるべきものではない。
或る実施形態は、ウェーハ用検査工程を生成するための、コンピュータによって実装される方法に関している。方法は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働き(mechanism)を引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程を含んでいる。方法は、更に、ローカル属性の値に基づいて設計内の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程を含んでいる。加えて、方法は、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成することを含んでいる。
或る実施形態では、ローカル属性の値は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥の臨界半径である。別の実施形態では、ローカル属性の値は、異なる場所での設計の1以上のフィーチャ、異なる場所に近接する設計の1以上のフィーチャ又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定される。別の或る実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、設計用設計データを使用して実行される。更に別の実施形態では、異なる場所は、設計全体に亘っている。幾つかの実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥及び検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行される。
或る実施形態では、ローカル属性の値は、感度と反比例関係を有している。別の実施形態では、決定された感度は、ウェーハ上の異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なっている。更に別の実施形態では、感度は、欠陥をウェーハ上の異なる場所で検出する且つウェーハ上の異なる場所に関して報告するのに用いられる感度になっている。更に別の実施形態では、感度は、検査工程の間ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度になっている。
或る実施形態では、方法は、設計の中の異なる場所に対するローカル属性の値のマップを生成する工程と、マップを使用して実行される感度を決定する工程、を含んでいる。別の実施形態では、感度を決定する工程は、設計内の異なる場所に対するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度のマップを生成することを含んでいる。
或る実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所を同じ群に割り当てる工程、を含んでいる。別の実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、を含んでいる。或る当該実施形態では、雑音統計は、異なるセグメントに割り当てられた設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所で検査工程の間生成される出力用の雑音統計である。或る当該実施形態では、感度を決定する工程は、更に、雑音統計に基づいて異なるセグメントのために感度を決定する工程を含んでいる。
或る実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、異なるセグメントに割り当てられた異なる部分のローカル属性の値に基づいて異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、を含んでいる。或る実施形態では、感度を決定する工程は、更に、異なる場所のために決定されたローカル属性の値が当てはまる異なる部分に基づいて設計の中の異なる場所を異なるセグメントに個別に割り当てる工程を含んでいる。別の当該実施形態では、感度を決定する工程は、異なる場所のためのローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対するウェーハ上の異なる場所と、異なるセグメントに割り当てられたローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分と、異なるセグメントのために決定された異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる感度のマップを生成する工程を含んでいる。
或る実施形態では、方法は、検査工程の間検査システムによってウェーハのために生成された出力に基づいてウェーハ上の異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を含んでいる。或る当該実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性及びローカル画像属性の値に基づいて実行される。別の当該実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値、ローカル画像属性の値及び検査システムの座標誤差に基づいて実行される。
或る実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値及び設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される。別の実施形態では、ローカル属性の値は、設計の中の異なる場所が設計のホットスポットであるか否かを示さず、感度を決定する工程は、設計のホットスポットについての情報に基づいて実行されない。別の実施形態では、ウェーハ上にプリントされた設計は、検査工程を実行する検査システムによって解像することができない。
幾つかの実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程と、感度を決定する工程は、欠陥が検査工程においてウェーハ上で検出される前に実行される。別の実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程と、感度を決定する工程は、オフラインで実行される。
或る実施形態では、検査工程を使用する時、欠陥は、検査工程の間ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、欠陥のサイズに基づいて検出されない。別の実施形態では、検査工程を使用する時、欠陥は、検査工程の間ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、欠陥のサイズに基づいて報告されない。別の実施形態では、検査工程は、設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ空間での検査工程の間、検査システムによってウェーハのために生成された出力の位置を決定する工程を含む。
上述のコンピュータによって実装される方法の各実施形態の各段階は、更に、本明細書に記載されるように実行されてもよい。加えて、上述のコンピュータによって実装される方法の各実施形態は、本明細書に記載されるどの様な他の1つ又は複数の方法のどの様な他の1つ又は複数の段階を含んでいてもよい。更に、上述のコンピュータによって実装される方法の各実施形態は、本明細書に記載されるシステムの何れかによって実行されてもよい。
別の実施形態は、コンピュータによって実行されるウェーハ用検査工程を生成するための方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体に関する。方法は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程を含む。方法は、更に、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程を含む。加えて、方法は、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成する工程を含む。
上述のコンピュータ可読媒体は、更に、本明細書に記載される1つ又は複数の実施形態の何れかによって構成されてもよい。プログラム命令によって実行可能なコンピュータによって実装される方法の各段階は、更に、本明細書に記載されるように実行されてもよい。加えて、プログラム命令によって実行可能なコンピュータによって実装される方法は、本明細書に記載されるどの様な他の1つ又は複数の方法のどの様な他の1つ又は複数の段階を含んでいてもよい。
別の実施形態は、ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムに関する。システムは、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定するように構成されたコンピュータサブシステムを含んでいる。コンピュータサブシステムは、更に、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定するように構成される。加えて、コンピュータサブシステムは、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成するように構成される。システムは、更に、ウェーハ上で検査工程を実行するように構成された検査サブシステムを含む。
上述のシステムの実施形態は、更に、本明細書に記載される1つ又は複数の実施形態の何れかによって構成されてもよい。加えて、上述のシステムの実施形態は、本明細書に記載されるどの様な1つ又は複数の方法実施形態のどの様な1つ又は複数の段階を実行するように構成されてもよい。
本発明の更なる利点は、好適な実施形態についての以下の詳細説明を利用し、これより示す添付図面を参照することで当業者には明白となるであろう。
ウェーハ用の設計の中の或る場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥の臨界半径を決定することができる方法の実施例の平面図を図示している概略図である。 ウェーハ用の設計におけるフィーチャの中心からの距離に対する異なるローカル属性の値を示しているグラフである。 ウェーハ用検査工程を生成するための、コンピュータによって実装される方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含んでいる、コンピュータ可読媒体の或る実施形態を図示しているブロック図である。 ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムの或る実施形態を図示しているブロック図である。
本発明は、様々な修正及び代替形態を受け入れることができるものであるが、具体的な実施形態が、図で一例として示され、本明細書において詳細に説明されている。図は、縮尺が合っているわけではない。しかしながら、図及びそれらについての詳細説明は、本発明を、開示している特定の形状に限定するよう意図されておらず、それどころか、特許請求の範囲によって画定される本発明の精神及び範囲の中に入るあらゆる修正物、等価物及び代替物を含むことを意図するものと理解頂きたい。
本明細書で使用する時、用語「ウェーハ」は、概括的に半導体又は非半導体材料で形成される基板を指している。当該半導体又は非半導体材料の例には、単結晶シリコン、ガリウムヒ素及びリン化インジウムが、これらに限定するわけではないが、含まれている。当該基板は、半導体製作施設で一般的に目にすること及び/又は加工されることができる。
ウェーハは、基板上に形成される1以上の層を含んでいてもよい。例えば、当該層は、レジスト、誘電材料、導電材料及び半導性材料を、これらに限定するわけではないが含んでいてもよい。多くの異なる型の当該層は、技術的に公知のものであり、本明細書で使用される用語ウェーハは、あらゆる型の当該層を含むウェーハを包含するよう意図されている。
ウェーハ上に形成される1以上の層は、パターン化されても又はパターン化されなくてもよい。例えば、ウェーハは、複数のダイを含んでいてもよく、それぞれのダイは、再現可能なパターン化されたフィーチャ(feature)を有している。材料の当該層の形成及び加工は、最終的に完成デバイスをもたらし得る。集積回路(IC)の様な多くの様々な型のデバイスをウェーハ上に形成することができ、本明細書で使用される用語ウェーハは、技術的に公知のどの様な型のデバイスでもその上に製作され得るウェーハを包含するよう意図されている。
実施形態は、ウェーハに関して本明細書で説明されているが、実施形態は、マスク又はフォトマスクと一般的に称されることがあるレチクル等の別の試料に使用されてもよいことを理解されたい。多くの様々な種類のレチクルは、技術的に公知のものであり、本明細書で使用される用語「レチクル」、「マスク」及び「フォトマスク」は、技術的に公知のあらゆる種類のレチクルを包含するよう意図されている。
本明細書で使用される用語「設計」は、概括的にICの物理的設計(レイアウト)及び複雑なシミュレーション又は単純幾何学的演算及びブール演算を経て物理的設計から得られるデータを指している。設計は、レイアウト情報だけではなく、電気的設計及び材料設計の情報を更に含んでいてもよい。一般的には、設計は、「デバイス」の創造で使用されるどの様な設計情報を含んでいてもよい。加えて、レチクル検査システムで取得されるレチクルの画像及び/又はその派生物は、設計のための単数の「プロキシ(proxy)」又は複数の「プロキシ」として使用することができる。当該レチクル画像又はその派生物は、設計を使用する本明細書で説明されるどの様な実施形態でも設計の代わりの役目を果たすことができる。設計は、2007年7月5日に米国特許出願公告第2007/0156379号で公開された、Kulkarni他による共同所有米国特許出願第11/561,735号、及び2007年12月13日に米国特許出願公告第2007/0288219号で公開された、Zafar他による米国特許出願第11/561,659号に記載されるどの様な他の設計データ又は設計データプロキシを含んでいてもよく、当該両特許は、2006年11月20日に出願されたものであり、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。
これより図を参照してゆくが、これらの図は、縮尺が合うように描かれていないことに留意されたい。特に、図の幾つかの要素の縮尺は、要素の特性を強調するためにかなり誇張されている。更に、図は、同じ縮尺で描かれていないことにも留意されたい。類似の構成であり得る、2つ以上の図で示されている要素は、同じ参照番号を使用して表示されている。
或る実施形態は、ウェーハ用検査工程を生成するためのコンピュータによって実装される方法に関している。検査工程は、複数の異なる型の検査工程であってもよい。例えば、検査工程は、明視野(BF)検査工程であってもよい。別の実施例では、検査工程は、暗視野(DF)検査工程であってもよい。検査工程は、更に、1種類だけの検査又はウェーハの同一走査又は複数の走査でウェーハ上に様々な種類の検査を実行することを含んでいてもよい。例えば、検査工程は、ウェーハのDF及びBF検査を両方実施することを含んでいてもよい。その上、検査工程は、場合によっては上述の検査種類と組み合わせて、技術的に公知のどの様な他の種類の検査を実行することを含んでいてもよい。
方法は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程を含んでいる。設計の中の異なる場所は、複数の異なるやり方で画定されてもよい。例えば、異なる場所は、適宜又は所定のやり方で画定することができ、どの様な適切な寸法を有していてもよい。それぞれの異なる場所は、更に、同じ寸法を有していてもよい。異なる場所の寸法は、設計全域でローカル属性の値が比較的高い解像度で又は比較的低い解像度で決定されるように、選択されてもよい。異なる場所を画定するのに用いられる解像度は、例えば、検査工程を実行するのに使用される検査システムの解像度又は画素サイズに応じて変わってもよい。例えば、設計全域でローカル属性の値を決定するのに用いられる解像度は、ウェーハ上にプリントされた設計全域で検査システムによって出力を生成するのに用いられる解像度に一致してもよい。異なる場所は、更に、異なる場所が設計全体まで亘り得るように、設計の中で画定されてもよい。
ローカル属性は、異なる場所での少なくとも1種類の不良な働きに基づいている、という点から「ローカル」なのである。言い換えれば、ローカル属性は、全設計より少ない範囲の設計のための情報又は属性に基づいて決定されるが、単なる各々の場所より大きい、全設計の一部分のための情報又は属性に基づいて決定されており、その様な一部分は、設計自体及び少なくとも1つの不良な働きによって変わり得る。例えば、不良な働きが短絡である場合には、設計の中の場所のためにローカル属性の値を決定するのに使用される、設計用の1つ又は複数の情報又は属性は、欠陥がその場所に位置するのであれば短絡している可能性がある、設計の中のフィーチャのための情報又は属性を含んでいてもよい。従って、設計の中の場所のためにローカル属性の値を決定する工程は、場所の周囲の設計の中での「近隣部」のための属性又はそれについての情報を使用して実行されてもよく、それらの属性又は情報は、設計の中の他の異なる場所での設計についての属性又は情報を含んでいてもよい。しかしながら、決定されるローカル属性の各値は、設計の中の唯1つの異なる場所のために決定されている。例えば、ローカル属性の値は、1つの場所のために決定され、その後、複数の他の異なる場所に割り当てられる。加えて、ローカル属性の値は、複数の異なる場所のためにまとめて決定されない。その上、ローカル属性の値が基づいている少なくとも1つの不良な働きが全体的な不具合(例えば、設計に対応するデバイスの完全な不具合)を引き起こし得ても、ローカル属性の値は、それでも、設計についてのローカル属性又はローカル情報だけに基づいて決定される。短絡は、ローカル属性の値が基づくことができる一種の不良な働きの例として上文で使用されているが、不良な働きの少なくとも1種類は、技術的に公知のどの様な他の種類の不良な働き(例えば、開路等)を含んでいてもよい。その上、ローカル属性の値は、設計の中の異なる場所での異なる不良な働きに基づいて決定されてもよい(例えば、どの様な適切なやり方でも決定することができる、設計がどの様な所与の場所であっても影響を受けやすい(1つ又は複数の)種類の不良な働きに応じて)。
或る実施形態では、ローカル属性の値は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥の臨界半径である。別の実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、設計用の設計データを使用して実行されている。例えば、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、設計用の設計データ(例えば、画像データストリーム(GDS))から臨界半径等のローカル臨界属性及び/又はローカル設計情報を抽出することを含んでいてもよい。ローカル設計情報は、標準的には、検査場所の近隣部からの設計情報として画定することができる。例えば、臨界半径は、本明細書に記載される実施形態で使用してもよいローカル設計属性である。ポリゴン密度は、本明細書に記載される実施形態で使用してもよい別のローカル設計属性である。設計用の設計データは、顧客等のどの様な適切な源から取得されてもよい。加えて、ローカル属性の値は、どの様な出力、又はウェーハからの光に反応するどの様な出力についての情報又はそのための属性に基づいて決定されなくてもよい。例えば、ローカル属性の値は、設計自体及び設計の中で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥についての情報に基づいて決定されてもよいが、設計が検査工程の間検査システムで検出された光に及ぼす影響の程度についての情報に基づいて決定されなくてもよい。更に、ローカル属性の値は、本明細書に記載されるように、デバイスの機能に対する設計のフィーチャの臨界に基づいてではなく、決定されてもよい。例えば、ローカル属性の値が、ある場所で欠陥が引き起こす可能性がある少なくとも1種類の不良な働きに基づいて決定されていても、ローカル属性の値は、その様な少なくとも1種類の不良な働きによって影響を受けると考えられる又は受ける可能性があるフィーチャの臨界に基づいて決定されていない。
臨界半径r(x,y)は、欠陥の中心が(x,y)に位置するのであれば発生する開路及び短絡の様な異なる種類の不良な働きに対する最小欠陥半径である。例えば、図1に示すように、欠陥がウェーハ上に形成された2つのパターン化フィーチャ12と14との間で場所10に位置する場合、欠陥の中心は、パターン化フィーチャ12から距離R1、パターン化フィーチャ14から距離R2に位置付けられる。よって、欠陥の半径がR2に等しい又はより大きい場合、欠陥は、短絡を引き起こすであろう。従って、場所10に位置する欠陥の臨界半径は、R2である(rshort(x,y)=R2)。臨界半径は、臨界区域を算出する手段として、IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing、1995年、「歩留まり推定のための対話式VLSI CADツール」('An interactive VLSI CAD tool for yield estimation’, Wagner et al., IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, 1995)でWagner他によって紹介されている。半径rを有する所与の欠陥に対して、臨界区域A(r)は、以下の式:
A(r)={(x,y):r(x,y)≦r}
を使用して決定することができる。臨界区域は、この式を使用すれば本明細書に記載の実施形態で決定することができる。臨界半径を決定するのに使用することができる別のアルゴリズムは、Satya他によって共同所有される米国特許第6,918,101号に記載されており、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。臨界半径は、同特許に記載されるように本明細書に記載される実施形態で決定することができる。
臨界区域解析(CAA)は、更に、多くの他の方法で実行されてもよい。例えば、臨界区域情報は、Satya他によって共同所有される米国特許第6,813,572号に記載されるように本明細書に記載される実施形態で決定されてもよく、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。臨界区域情報は、Satya他によって共同所有される米国特許第6,751,519号及びSatya他による同第6,948,141号に記載されるように半導体設計データのためにも同様に決定されてもよく、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。本明細書に記載される実施形態は、当該特許に記載されるどの様な1つ又は複数の段階を含んでいてもよい。
別の実施形態では、ローカル属性の値は、異なる場所での設計の1以上のフィーチャ、異なる場所に近接する設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている。例えば、臨界半径は、感度を決定するために本明細書に記載するように使用することができるローカル設計属性の1つに過ぎない。上述のように、臨界半径は、設計の中の1以上のフィーチャ(例えば、線幅及び線間隔)の少なくとも1つの寸法の関数であってもよい。設計の中の1以上のフィーチャ(例えば、線幅及び線間隔)の少なくとも1つの寸法の他の関数は、本明細書に記載されるように感度を決定するために使用することができる。例えば、図2に示すように、線又は90nmの幅を有する間隔等のフィーチャに対して、グラフは、フィーチャの中心からのnm単位の距離に対するnm単位の臨界半径(cr)の値を示している。加えて、図2は、フィーチャの中心からのnm単位の距離に対する、nm単位の線幅及び線間隔(lwls)の別の関数の値を示している。具体的には、フィーチャの中心は、描図では0nmに位置付けられている。その結果、フィーチャは、90nmの幅を有しているので、フィーチャは、描図のx軸上で−45nmから45nmまで伸張している。図2で更に示すように、臨界半径の値は、フィーチャの中心から或る関数を有しており、一方で線幅及び線間隔の値は、フィーチャの中心から異なる関数を有している。例えば、臨界半径は、線幅及び線間隔の或る関数を有していてもよい。臨界半径は、本明細書に記載されるように決定されてもよい。しかしながら、ローカル属性の値は、線幅及び線間隔の別の関数によって画定することもできる。加えて、空間の第三次元でのフィーチャの高さ情報を、ローカル設計属性を抽出するために使用してもよい。どの様な当該異なるローカル属性の値であっても本明細書に記載されるように使用されてもよい。
異なる場所の何れか1つに近接する設計の1以上のフィーチャは、その少なくとも1つの寸法がローカル属性を決定するのに使用され、当該場所から少し離れて位置する1以上のフィーチャを含んでいてもよく、その意味で当該場所に隣接していない。しかしながら、1以上のフィーチャは、1以上のフィーチャと当該場所との間に位置する他のフィーチャが存在しないのであるから、異なる場所に近接していると言ってもよい。加えて、1以上のフィーチャは、その少なくとも1つの寸法がローカル属性を決定するのに使用され、当該場所から異なる距離に位置していると言ってもよい。
幾つかの実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥及び検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行されている。例えば、本明細書で更に記載されるローカル設計情報の何れかの様なローカル設計情報を、ローカル属性の値を決定するために1つ又は複数の検査システムパラメータ(例えば、光角の様な画像設定)と組み合わせてもよい。
幾つかの実施形態では、異なる場所は、設計全体に亘っている。例えば、ローカル属性の値を個別に決定する工程は、各画素で設計用の設計データ(例えば、GDS)から臨界半径の様なローカル臨界又は設計の属性を抽出することを含んでいてもよい。このように、それぞれの異なる場所は、設計の画素として画定されてもよい。設計の画素は、検査の画素に一致してもよい。このように、ローカル臨界又は設計の属性は、検査において画素ごとに抽出されてもよい。しかしながら、設計の中の各画素は、設計データから抽出されるという理由から、検査画素サイズより小さくてもよい。よって、ローカル属性の値は、全設計に及ぶ異なる場所で個別に決定することができる。全設計に及ぶローカル属性の値を決定することは、ウェーハ上にプリントされた全設計(又はウェーハ上の設計の全区域)が検査工程で検査される場合、特に好都合であり得る。しかしながら、検査工程が、ウェーハ上にプリントされた設計の一部分だけ又はウェーハ上の設計の全区域の一部分だけを検査することを包含する場合(例えば、検査工程の対象モードがダイ区域の100%未満である場合)、ローカル属性の値は、設計のその部分だけ又は検査される設計の全区域のその部分だけのために個別に決定されてもよい。
上述のローカル属性は、本明細書で更に記載される多くの異なるやり方の検査で使用することができる。例えば、方法は、ローカル属性の値に基づいて、設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程を含んでいる。このように、本明細書に記載される実施形態は、ローカル設計情報を使用して感度を決定している。例えば、本明細書に記載される実施形態は、検査感度の決定において、歩留まり予測の一部を伝統的に有している、設計に基づく臨界分析を利用している。このように、本明細書に記載される実施形態は、歩留まりを検査感度と関連付けるために設計に基づく情報を使用することができる。例えば、臨界半径及び上述の他の臨界属性の様なローカル属性の値は、歩留まりと関連しており、本明細書に記載されるように決定されてもよく、検査感度を決定するために使用することができる。このように、本明細書に記載される実施形態は、検査感度を決定するために臨界半径及び他の臨界属性又は他の設計に基づく臨界属性を使用することができる。ウェーハ用の設計の中の異なる場所の少なくとも幾つかは、ローカル属性の異なる値を有していると考えられるので、異なる場所の少なくとも幾つかのために決定される感度は異なるであろう。よって、設計の中の異なる場所及びウェーハ上の対応する場所の少なくとも幾つかに対して使用される感度は、異なるであろう。
従って、本明細書に記載される実施形態は、検査感度を決定するための新規な方法で臨界半径及び/又は本明細書に記載される他のローカル属性を使用してもよいが、臨界半径及び他のローカル属性は、臨界区域分析及び歩留まり予測で伝統的に使用されてきた。よって、本明細書に記載される実施形態は、基本的には、設計に基づく臨界分析を欠陥検出に導入している。用語「検査感度を決定するために設計に基づく臨界分析を使用すること」は、本明細書では、用語「欠陥検出のための臨界半径及び他の臨界属性」及び「設計に基づく感度マップ」と同義的に使用されている。本明細書に記載される実施形態は、本明細書で更に記載される検査感度を上げるために使用することができる。特に、当該実施形態は、検査感度を上げるために設計に基づく臨界属性を使用している。
或る実施形態では、ローカル属性の値は、感度と反比例関係を有している。例えば、ローカル属性の値が臨界半径である場合、臨界半径が小さくなるにつれ、感度は上昇するはずである。加えて、本明細書で更に記載するように、方法は、ローカル属性の値のマップを生成することを含んでいてもよい。このように、上述のローカル属性の値と感度との間の関係では、より低い値を有するマップ内の画素に対して、感度は、当該画素でより高くなるはずである。しかしながら、ローカル属性の値は、感度と他の関係を有していてもよい。例えば、ローカル属性の値がポリゴン密度である場合、ポリゴン密度が上昇するにつれ、感度は上昇するはずである。このような次第で、ローカル属性の値は、感度と反比例関係を有していなくてもよい。
感度が決定されるやり方は、設計の中の異なる場所でそれのために値が決定されるローカル属性に応じて変わってもよい。例えば、ローカル属性が臨界半径である場合、感度は、臨界半径直下の値又は臨界半径に相当する値であると決定されてもよい。別の実施例では、ローカル属性が臨界半径である場合、臨界半径の最小決定値のための感度は、最高可能感度であると決定されてもよく、臨界半径の最大決定値のための感度は、最低可能感度であると決定されてもよい。最小値と最大値との間にある臨界半径の決定値のための感度は、最高可能感度と最低可能感度との間の感度であると決定されてもよい。加えて、感度が決定されるやり方は、欠陥検出アルゴリズム及び/又は検査工程で使用される方法に応じて変わってもよい。例えば、欠陥検出アルゴリズム及び/又は方法が「連続可変」感度を有している又はセグメントを使用していない場合、ローカル属性のそれぞれの異なる値を、異なる感度と関連付けることができる。その様な場合、ローカル属性の値及び感度は、反比例関係、場合によれば更に直線関係を有していてもよい。しかしながら、欠陥検出アルゴリズム及び/又は方法が、異なる感度と関連付けることができるセグメントを使用している場合、ローカル属性の値の異なる領域を、(本明細書で更に記載されるような)セグメントひいてはセグメントと関連付けられる感度と関連付けることができる、又は感度を、或るセグメントと関連付けられるローカル属性の異なる値のためにまとめて決定することができる。
或る実施形態では、決定される感度は、ウェーハ上の異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なっている。例えば、本明細書に記載されるように、決定される感度は、欠陥を報告するのに用いられる感度であり、欠陥を検出するのに用いられる感度と同じでなくてもよい。よって、決定される感度は、検出感度であってもよい。このように、検査感度は検出感度と同じでなくてもよい。例えば、欠陥を、或る感度で検出し、その後、別の感度で報告することができる(例えば、幾つかの基準に基づいて検出欠陥をフィルタリングすることによって、報告欠陥に達する)。
別の実施形態では、感度は、ウェーハ上の異なる場所で欠陥を検出し、ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度である。加えて、上述のように、ローカル属性は、臨界半径であってもよい。このように、本明細書に記載される実施形態は、(例えば検出感度を決定するために)新規な方法で臨界半径を使用してもよい。しかしながら、本明細書に記載されるローカル設計属性の何れかを、設計の中のパターンの臨界に基づいて検出感度を決定するために欠陥検出で使用することができる。よって、欠陥を検出するのに用いられる感度は、欠陥を報告するのに用いられる感度と同じであってもよい。このように、検出されるあらゆる欠陥を、同様に報告してもよい。従って、検出される欠陥は、報告される前にフィルタリングされなくてもよい。
本明細書に記載されるように決定される感度に関わらず、欠陥は、どの様な適切なやり方で報告されてもよい。例えば欠陥は、ウェーハ上で検査工程を実行することと、検査工程の結果を生成することと、ユーザーに結果を表示することができるようにその結果を記憶することと、によって報告されてもよく、本明細書に記載される方法及び/又はシステムの実施形態で使用され、別の方法及び/又はシステム等によって使用される。検査工程の結果は、どの様な適切なフォーマット(例えば、KLARFファイル)を有していてもよく、本明細書に記載されるものの何れかを含む、どの様な適切な記憶媒体に記憶されてもよい。加えて、検査結果は、ウェーハ上で検出される欠陥についてのどの様な適切な情報を含んでいてもよい。
別の実施形態では、感度は、検査工程の間ウェーハのために生成される出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である。例えば、個々の出力特性の規模は、欠陥又は「欠陥規模」に対応する個々の出力の強度の規模であってもよい。通常、欠陥のサイズは、欠陥に対応していると決定される個々の出力の画素数を指しているが、欠陥の規模は、欠陥に対応している個々の出力の階調を指している、という点から、欠陥の規模は、欠陥のサイズとは異なるものである。このように、欠陥の規模は、欠陥がどの程「強い」か、又は欠陥が検査システムによって検出される光をどの程度強く反射又は拡散させるか、に対応している。或る場合には、欠陥の規模は、欠陥画像と参照画像との相違の絶対値であってもよい。従って、欠陥の規模は、多くの異なる現在使用されている欠陥検出アルゴリズムを使用して決定されてもよい。例えば、ウェーハのために生成される出力のダイ比較を実行し、次にウェーハ上で欠陥を検出するための比較結果を閾値化する、欠陥検出アルゴリズムは、欠陥の規模を決定するために使用することができる(例えば、ダイ比較結果)。従って、本明細書に記載される実施形態は、設計に基づく臨界分析と検査での欠陥の規模の関係を構築することができる。加えて、上述のように、ローカル属性は、臨界半径であってもよい。よって、本明細書に記載される実施形態は、臨界半径を欠陥の規模と結び付けてもよい。言い換えれば、臨界半径は、基本的には、本明細書に記載されるように欠陥検出で使用することができ、欠陥検出は、欠陥の規模を閾値化することで実行することができる、という理由で、臨界半径は、欠陥の規模と結び付けられることができる。しかしながら、本明細書に記載される他のローカル属性の何れかも、同様に欠陥の規模と結ぶ付けることができる。このように、本明細書に記載される実施形態は、欠陥のサイズ情報に依存してなくてもよい又はそれを使用しなくてもよい。
欠陥が比較的に又は実質的に小さい時、重要なのは欠陥のサイズではなく規模であり得るという理由から、本明細書に記載される実施形態は、特に好都合であり得る。例えば、検査システムによって報告される欠陥のサイズは、検査システムの画像サブシステムの制限(例えば、解像度及び/又はピクシレーションの制限)及び検査アルゴリズムの制限が原因で信頼性のあるものではない場合がある。従って、(例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)による調査によって決定される)「実在する」欠陥サイズは、検査(例えば、BF検査)によって決定される欠陥サイズとは実質的に異なる場合がある。欠陥サイズは、かなり小さい欠陥に関して特に信頼性がない。例えば、1画素から2画素までの欠陥サイズの相違は、単にピクシレーションに起因するものであって、実施の欠陥サイズでの何らかの相違に起因するものではないものである。他方、実質的に小さい欠陥に関する欠陥の規模又はエネルギーは、より信頼性があり得る。
幾つかの実施形態では、方法は、設計の中の異なる場所に対するローカル属性の値のマップを生成することを含んでいる。例えば、方法は、設計の中の異なる場所に対する臨界半径値又はどの様な他のローカル属性値のマップを生成することを含んでいてもよい。幾つかの当該実施例では、マップの中の異なる階調は、臨界半径又は他のローカル属性の異なる値に対応してもよい。例えば、各階調は、臨界半径の1nmに対応してもよい。言い換えれば、各階調増分は、臨界半径の1nm増分に対応してもよい。従って、マップは、設計の寸法と相対的に、異なる場所の寸法によって画定される解像度を有する階調画像であってもよい。しかしながら、マップは、異なる場所に対するローカル属性の値を示す二次元(2D)描図又は異なる場所に対するローカル属性の値を示す三次元(3D)描画の様などの様な適切なフォーマットを有していてもよい。
ローカル属性が臨界半径である実施例では、方法は、ウェーハ用の設計データからウェーハの検査より前に臨界半径マップを作成することを含んでいてもよい。臨界半径マップは、臨界区域マップの各値が設計に不良を引き起こす可能性がある欠陥の半径である臨界区域マップである。特に、臨界半径マップは、マップの異なる場所で短絡又は開路等の不良を引き起こす可能性がある最小欠陥サイズを含んでいてもよい。例えば、方法の実時間実現では、設計データは、臨界半径マップ、即ち、マップの各値が設計に不良を引き起こす可能性がある欠陥サイズの半径を示している臨界区域マップの3D版を作成するために前処理をすることができる。このように、本明細書に記載される実施形態は、方法が臨界半径マップを作成するために設計を前処理することを含んでいてもよい、という点から好都合である。設計データから臨界半径マップを作成することは、どの様な適切な方法又はシステムを使用して実行されてもよい。例えば、臨界半径マップを作成するための或る効果的な方法は、Satya他によって共同所有される米国特許第6,918,101号に記載されており、同特許をここにその全てを説明した参考文献として援用する。本明細書に記載される実施形態は、同特許に記載される1つ又は複数のどの様な方法の1つ又は複数のどの様な段階も含み得る。加えて、本明細書に記載されるどの様な他のローカル属性のマップを、(例えば、ウェーハの検査より前にウェーハ用の設計データを前処理することによって)同様に生成してもよい。
ローカル属性の値のマップは、ウェーハ用の設計データを含んでいなくてもよい。このように、生成されるマップは、ウェーハ用の当初の設計を含んでいなくてもよい。従って、検査工程が、検査工程がマップを使用するように、本明細書で更に記載されるように生成される場合、当該マップを含む又は使用する検査工程用の手法は、デバイス設計の共有に関連するどの様な知的財産問題も伴わずに移植することができる。
或る当該実施形態では、感度を決定する工程は、マップを使用しながら実行されている。例えば、マップは、設計内の異なる場所のためのローカル属性の値を含んでいるので、マップは、設計内の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所のために本明細書に記載されるように感度を決定するために使用されてもよい。
或る実施形態では、感度を決定する工程は、設計内の異なる場所に対するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度のマップを生成することを含んでいる。このように、本明細書に記載される実施形態は、臨界半径又は本明細書に記載されるどの様な他のローカル属性等のローカル臨界又は設計の属性に基づいて又はそれを使用して、設計に基づく感度マップを生成することを含んでいてもよい。例えば、本明細書に記載される実施形態は、検査感度を決定するのに設計に基づく臨界分析を利用すること及び設計に基づく感度マップを生成すること、を含んでいてもよい。上述のように、ローカル属性の値は、感度と反比例関係を有していてもよい。例えば、感度の値は、基本的には、臨界半径の逆転であってもよい。このように、感度マップは、基本的には、臨界半径マップの逆転であってもよい。加えて、感度マップの階調は、異なる感度値に対応してもよい。例えば、各階調は、10nmの欠陥サイズに対する感度に対応してもよい。このように、マップがマップの中の或る画素で高い値であればあるほど、感度はその画素でより高くなるはずである。しかしながら、本明細書に記載されるように、感度は、ローカル属性とどの様な関係を有していてもよく、関係は、ローカル属性に応じて変わってもよい。その上、感度マップは、設計の1以上のフィーチャ(例えば、線幅又は線間隔)の少なくとも1つの寸法の或る関数である臨界半径によって画定されることができる。加えて、感度マップは、設計の1以上のフィーチャ(例えば、線幅又は線間隔)の少なくとも1つの寸法の別の関数によって画定することができる。加えて、感度のマップは、ローカル属性値のマップを使用して生成されてもよいが、感度のマップは、本明細書に記載される何れかのフォーマットを有するローカル属性の値を使用して生成されてもよい。
感度マップは、更に、本明細書に記載されるように構成されてもよい。例えば、感度マップは、設計の寸法と相対的に、異なる場所の寸法によって画定される解像度を有する階調画像であってもよい。しかしながら、マップは、異なる場所に対する感度の値を示す2D描図又は異なる場所に対する感度の値を示す3D描画の様などの様な適切なフォーマットを有していてもよい。加えて、感度の値のマップは、設計データを含んでなくてもよい。このように、生成されたマップは、ウェーハ用の当初の設計を含んでいなくてもよい。従って、検査工程が、検査工程がマップを使用するように、本明細書で更に記載されるように生成される場合、当該マップを含む又は使用する検査工程用の手法は、デバイス設計の共有に関連するどの様な知的財産問題も伴わずに移植することができる。
或る実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所を同じ群に割り当てること、を含んでいる。例えば、本明細書に記載されるローカル設計属性の何れであっても、ローカル属性の少なくとも類似した値を有している設計の中の異なる場所のセグメント、領域又は群を生成するために欠陥検出で使用することができる。加えて、設計内で異なる場所を分類化するために本明細書に記載されるローカル設計属性を使用することは、類似した雑音統計を備えた設計の中の画素をまとめて分類化する傾向がある。このようにして設計の中の異なる場所を分類化することは、少なくとも類似した雑音統計を有するウェーハ上の対応する場所を同じ群に効果的に分類化する。このようにして画素を分類化することは、分割化自動閾値化(SAT)アルゴリズム及び複数ダイ自動閾値化(MDAT)アルゴリズムの様な欠陥検出アルゴリズムによって実行される重要な段階であり得る。ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なる群に割り当てることは、本明細書で更に記載されるように実行されてもよい。雑音統計は、本明細書に記載される雑音統計の何れかを含んでいてもよい。
別の実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なるセグメントに割り当てること及び異なるセグメントのために雑音統計を個別に推定すること、を含んでいる。ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所を異なるセグメントに割り当てることは、本明細書で更に記載されるように実行されてもよい。異なるセグメントのために雑音統計を推定することは、どの様な適切なやり方で実行されてもよい。或る当該実施形態では、雑音統計は、異なるセグメントに割り当てられた設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所で検査工程の間生成される出力用の雑音統計である。例えば、雑音統計は、設計についての情報及び検査工程で使用される検査システムの1以上のパラメータについての情報に基づいてシミュレートされてもよい。或る当該実施例では、ウェーハ上の対応する異なる場所で作り出される出力(例えば、信号)をシミュレートし、或るセグメントに割り当てられた異なる場所のためにシミュレートされた出力を、そのセグメント用の雑音統計を推定するために使用してもよい。雑音統計は、どの様な適切な統計又は関連する統計を含んでいてもよい。例えば、雑音統計は、平均雑音、平均的な雑音、最大雑音等を含んでいてもよい。或いは、1以上のウェーハのために生成された出力は、異なるセグメントのために雑音統計を個別に推定するために使用されてもよい。例えば、或るセグメントに割り当てられたウェーハ上の(又は異なるウェーハ上の)対応する場所で作り出された出力は、セグメントのために雑音統計を決定するためにまとめて使用されてもよい。雑音統計は、上述の雑音統計の何れかを含んでいてもよい。このように、異なるセグメントのためにより改善された雑音統計推定を導き出し得る、他のセグメント化方法によって作り出されたものより改善されたセグメント化のための欠陥検出で、本明細書に記載されるローカル設計属性の何れかを使用することができる。
或る当該実施形態では、感度を決定する工程は、雑音統計に基づいて異なるセグメントのために感度を決定することを含んでいる。例えば、本明細書に記載されるローカル設計属性の何れかを、異なるセグメントのためにより改善された雑音統計推定を導き出し得る、他のセグメント化方法によって作り出されたものより改善されたセグメント化のための欠陥検出で使用することができる。加えて、より改善されたセグメント化又は画素グループ化は、セグメント又は群のためにより信頼性のある雑音統計をもたらし、その結果、セグメント又は群に増強された感度をもたらし得る。特に、異なるセグメントに使用される感度は、雑音統計に基づいて決定することができる。例えば、欠陥検出アルゴリズム及び/又は感度(例えば、閾値)に関する方法の感度又はパラメータは、欠陥検出アルゴリズム及び/又は方法が潜在的欠陥として最小量の雑音を検出するように、雑音統計に基づいて決定されてもよい。或る当該実施例では、雑音統計が平均的な雑音を含む場合、セグメント用の閾値は、潜在的欠陥として検出される雑音量を減らすために平均的な雑音を上回るように設定されてもよい。その結果、雑音統計はより信頼性のあるもとなり、雑音統計に基いて異なるセグメントのために決定される感度は、雑音統計に基づいて感度を決定する他の方法と比べて改善されるであろう。
別の実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てること及び異なるセグメントに割り当てられた異なる部分のローカル属性の値に基づいて異なる感度を異なるセグメントのために個別に決定する工程を含んでいる。このように、セグメント化は、異なる感度レベルまでのローカル属性のそれぞれの値を関連付けている。例えば、ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることは、ヒストグラムに基づく閾値化を含んでいてもよい。特に、ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることは、異なる場所のために決定されるローカル属性の値のヒストグラムを生成することと、次に、そのヒストグラムに基づいて(例えば閾値化を用いて)セグメントを決定する工程を含んでいてもよい。しかしながら、セグメントを決定する工程は、ヒストグラムを生成すること又は使用することを含まなくてもよい。例えば、ローカル属性の値が臨界半径である場合、ユーザーは、約45nm未満の臨界半径を備えたあらゆる画素が非常にホットであること(即ち、「ホット」閾値の様な「ホット」欠陥検出パラメータと関連付けられるセグメントに割り当てられる)を望み、200nmより大きい臨界半径を備えているあらゆる画素が非常にコールドであること(即ち、「コールド」閾値の様な「コールド」欠陥検出パラメータと関連付けられるセグメントに割り当てられる)を望み、あらゆる他の画素が中間であること(即ち、「ホット」と「コールド」の間の欠陥検出パラメータと関連付けられるセグメントに割り当てられる)ことを望んでもよい。次に、異なる感度は、本明細書に記載されるように異なるセグメントに割り当てられることができる。例えば、或るセグメントに割り当てられた感度は、セグメントの臨界、セグメントと関連付けられるローカル属性の値又は上述のユーザー選択パラメータに基づいて決定されてもよい。特に、セグメントが臨界に近いほど、検査工程は、セグメントに対してより高い感度になるはずである。その上、感度マップに基づく設計は、セグメント化をしなくても使用することができる。
或る実施形態では、方法は、異なる場所のために決定されたローカル属性の値が含まれる異なる部分に基づいて、設計の中の異なる場所を異なるセグメントに個別に割り当てることを含んでいる。例えば、ローカル属性の値の全範囲の中の当該部分が異なるセグメントに割り当てられると、或る異なる場所のために決定されたローカル属性の各値は、それらの部分と比較することができる。次に、或る値が含まれる部分に対応するセグメントは、その値が決定された異なる部分が割り当てられるべきセグメントとして決定される。このように、異なる場所を、異なるセグメントに割り当てることができる。加えて、異なる場所をセグメントに割り当てるどの様な他のやり方を、本明細書に記載される実施形態で使用してもよい。
別の実施形態では、方法は、異なる場所のためのローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対するウェーハ上の異なる場所と、異なるセグメントのために割り当てられたローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分と、異なるセグメント用に決定された異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる感度のマップを生成することを含んでいる。このように、方法は、感度マップに基づいてセグメント化された設計を生成することを含んでいてもよく、その後、セグメント化は、異なる感度レベルまでの各画素を関連付けている。例えば、セグメント化された設計に基づく感度マップは、異なるセグメント(例えば、ホットセグメント及びコールドセグメント)をマップで視覚的に識別することができるように異なるセグメント用の異なる値を含んでいてもよい。言い換えれば、或る場所が、本明細書に記載されるように実行されてもよい、或るセグメントに割り当てられると、当該セグメントと関連付けられる感度は、その場所でマップに示されてもよい。よって、セグメントに割り当てられる感度だけがマップに示され、その結果、セグメント化された設計に基づく感度マップが作成される。セグメント化された設計に基づく感度マップは、更に、本明細書に記載されるように構成されてもよい。
或る実施形態では、方法は、検査工程の間検査システムによってウェーハのために生成された出力に基づいて、ウェーハ上の異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を含んでいる。例えば、強度の平均値及び/又は範囲、雑音レベル又はそれらの組み合わせを、検査感度を決定するために使用してきた。特に、幾つかの欠陥検出アルゴリズムは、検査工程の間生成される出力の強度の平均値及び/又は範囲並びに雑音レベルを決定するように、且つ平均値及び/又は範囲並びに雑音レベルに基づいて当該出力のために使用されるべき、検査感度を決定するように、構成されている。当該アルゴリズムの例は、自動閾値化(AT)、SAT及びMDATアルゴリズムを含んでおり、これらは、カリフォルニア州、サンノゼのKLA-Tencor社から市販される検査システムで使用されている。従って、これらのアルゴリズムの何れかを、本明細書に記載される実施形態でウェーハ上の異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定するために使用することができる。
しかしながら、当該アルゴリズムを使用している、現在使用されている検査工程とは異なり、本明細書に記載される実施形態では、ローカル画像属性の値は、検査感度を決定するために単独で使用されない。例えば、或る実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性及びローカル画像属性の値に基づいて実行されている。或る当該実施例では、方法は、画素ごとに検出アルゴリズムの感度を決定するために、設計に基づくローカル臨界属性と(平均値及び/又は範囲の様な)ローカル画像属性又は画像からの他の情報を組み合わせることを含んでいてもよい。幾つかの現在使用されている欠陥検出アルゴリズムは、画像平均値及び範囲に基づいてセグメントを画定している。しかしながら、それらの欠陥検出アルゴリズムとは対照的に、本明細書に記載される実施形態は、基本的には、新しい寸法を感度セグメントの決定にもたらしている(例えば、設計に基づく感度マップ)。このように、臨界情報を、検査感度を決定するために、現在使用されているローカル画像属性/情報と共に使用することができる。例えば、感度が設計の中の異なる場所のためのローカル属性の値に基づいて決定されると、感度は、ウェーハ上の対応する場所で取得される画像についての属性又は情報に基づいて調整することができる。例として、或る場所のウェーハ上で取得された画像に比較的雑音がある場合、ローカル属性の値に基づいて設計の中の対応する場所に割り当てられた感度を、雑音が原因でその場所で検出される不良な欠陥又は雑音又は厄介な事象の数を減らすように下げることができる。対照的に、或る場所のウェーハ上で取得された画像が比較的静穏である場合、ローカル属性の値に基づいて設計の中の対応する場所に割り当てられた感度を、より高い感度でその場所で欠陥を検出することができるように、上げることができる。
別の実施形態では、感度を決定する工程は、ローカル属性の値、ローカル画像属性の値及び検査システムの座標誤差に基づいて実行されている。例えば、方法は、座標誤差を考慮して上述のように画素ごとに検出アルゴリズムの感度を決定するために、設計に基づくローカル臨界属性と(平均値及び/又は範囲の様な)ローカル画像属性、又は画像からの他の情報を組み合わせることを含んでいてもよい。或る当該実施例では、座標誤差が約1画素である場合、且つローカル属性が臨界半径である場合、設計の中で任意の或る画素の近隣3画素×3画素内の最小臨界半径と、検査システムによってウェーハのために生成された出力の中の対応する画素の近隣3画素×3画素内のローカル画像属性とを、その様な或る画素のために感度を決定するために使用してもよい。このように、画素ごとに使用される感度があるべき感度とは異なる確率を低減することができる
或る実施形態では、感度を決定する工程は、設計の中のホットスポットについてのローカル属性及び情報の値に基づいて実行されている。例えば、本明細書に記載される方法は、検査感度を決定するために顧客からのホットスポット情報と設計データ(例えば、GDS)から直接的に決定されたローカル設計属性を組み合わせることができる。特に、半導体デバイス設計は、ICの生産前に異なる手順で検証されている。例えば、半導体デバイス設計は、製造工程のリソグラフィ後にあらゆるフィーチャが正確にプリントされることを検証するためにソフトウェアシミュレーションによって調査されてもよい。当該調査は、一般的には、設計ルール調査(DRC)、光学ルール調査(ORC)及び特定の製作及び工程に較正された工程シミュレーションを含むより高度なソフトウェアに基づく検証取り組みの様な段階を含んでいる。物理的設計検証段階の出力は、設計の中で、時には「ホットスポット」と呼ばれる、潜在的な多数の臨界点を識別するために使用することができる。「ホットスポット」は、標準的には、ウェーハ上にプリントされた設計データの中で、致命的な欠陥が存在している或る場所として画定され得る。従って、ホットスポットは、多くの場合検査システム製造業者の顧客又は検査システムユーザーの顧客である、設計の創作者によって発見されることが多い。
ローカル設計属性と組み合わされたホットスポット情報は、検査感度を決定するためにどの様なやり方で使用されてもよい。例えば、本明細書に記載される方法は、感度マップを生成するために顧客からのホットスポット情報及びGDSから直接的に決定されたローカル設計属性を使用してもよい。加えて、感度は、ローカル属性の値に基づいて本明細書に記載されるようにどのよう様なやり方で決定されてもよく、次に、決定された感度を、設計の中のホットスポットについての情報に基づいて調整することができる。例えば、設計の特定の場所が、設計のホットスポットの場所であると、ホットスポット情報に基づいて決定される場合、当該場所に決定された感度は、感度を上げることができるか又は上げるべきかを決定するために評価することができる。対照的に、設計の特定の場所が、設計のホットスポットの場所ではないと、ホットスポット情報に基づいて決定される場合、当該場所に決定された感度は、感度を下げることができるか又は下げるべきかを決定するために評価することができる。
幾つかの実施形態では、ローカル属性の値は、設計の中の異なる場所が設計のホットスポットであるか否かを示しておらず、更に、感度を決定する工程は、設計のホットスポットについての情報に基づいて実行されていない。例えば、ホットスポットが検査及び/又は感度の決定に使用されるものである場合、ホットスポットについての情報は、顧客から取得されなければならない場合が多い。しかしながら、本明細書で更に記載されるように、ローカル属性の値は、設計(及び異なる場所で少なくとも1種類の不良な働き引き起こす可能性がある欠陥)から直接的に決定されてもよい。加えて、感度は、ローカル属性の値に基づいて決定されている。従って、当該段階は、ホットスポットについての情報に基づいて実行されなくてもよく、それ故に、ホットスポットについての情報を必要としなくてもよい。その上、本明細書に記載される方法実施形態の何れの段階も、ホットスポットについての情報に基づいて実行されなくてもよく、それ故に、ホットスポットについての情報を必要としなくてもよい。
或る実施形態では、ウェーハ上にプリントされた設計は、検査工程を実行する検査システムによって解像することができない。例えば、設計ルールが縮まる時、多くのパターンは、検査システムによって解像することができない。このように、画像に基づく属性及び/又は情報は、感度を決定するのに十分ではない場合がある。しかしながら、本明細書に記載される実施形態は、検査感度を高めるために設計に基づく臨界属性を使用しているので、感度を決定するために画像に基づく属性及び/又は情報に何ら依存する必要がない。例えば、設計に基づく感度マップは、ローカル画像属性をマップと組み合わせずに使用することができる。加えて、手段及び範囲の様な画像に基づく属性又は情報は、セグメントを区別化するのに十分ではない場合がある。しかしながら、本明細書に記載される実施形態は、セグメントを区別化するために設計の中の異なる場所にローカル属性の値を使用することができるので、セグメントを区別化するために画像に基づく属性又は情報に何ら依存する必要がない。しかしながら、本明細書で更に記載されるように、画像に基づく属性及び/又は情報は、感度を決定するために設計の中の異なる場所のためのローカル属性の値と組み合わせて使用することができる。
別の実施形態では、ローカル属性の値を個別に決定する工程及び感度を決定する工程は、検査工程中にウェーハ上で欠陥を検出する前に実行されている。例えば、本明細書に記載される実施形態は、検査工程の検出部分で実行することができる。このように、方法の或る1つ又は複数の段階は、検査工程の間又はその場で実行されてもよい。例えば、方法の或る1つ又は複数の段階は、現行の検査工程を用いてウェーハの走査中に実行されてもよく、当該1つ又は複数の段階は、現行の検査工程の1以上のパラメータ(例えば、感度)を改造し、その結果検査工程を効果的に生成するように使用されてもよい。
更なる実施形態では、ローカル属性の値を決定する工程及び感度を決定する工程は、オフラインで実行されている。例えば、本明細書に記載される実施形態又は本明細書に記載される実施形態の少なくとも一部の段階は、前処理段階にオフラインで実行することができる。或る当該実施例では、GDSを操作し、臨界半径を決定し、感度マップを生成し、そして感度マップを記憶することは、前処理の間オフラインで実行することができる。オンライン処理は、設計データ領域で走査中にウェーハのために生成された出力の位置を決定すること及び実時間に感度マップを読み出すことを含んでいてもよい。設計データ領域で出力の位置を決定する工程は、上述のKulkarni他による特許出願に記載されるように実行されてもよい。加えて、オンライン処理は、設計に基づく感度マップと画像に基づく感度マップを合成することを含んでいてもよい。その上、本明細書に記載される実施形態は、検査工程の処理後に実行することができる。
方法は、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成することを更に含んでいる。検査工程を生成することは、本明細書に記載されるように生成され得る感度のマップを記憶することと、検査構成の間マップを読み出して使用するように検査工程手法を構成することと、を含んでいてもよい。或る実施形態では、検査工程は、設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ領域で検査工程の間検査システムによってウェーハのために生成された出力の位置を決定する工程を含んでいる。例えば、検査工程は、設計データ領域で出力の位置を決定すること及び設計の中の異なる場所に割り当てられる感度及び設計データ領域の異なる場所の位置に基づいて感度を出力に割り当てることを含んでいてもよい。加えて、検査工程の間、マップは、マップの中の個々の感度を、マップに合わせられた個々の出力に適用することができるように、読み出され、検査工程で生成される出力に合わせられてもよい。感度のマップは、設計の中の異なる場所に対して生成されるので、マップを出力に合わせることは、基本的には、設計データ領域での出力の位置を決定する。従って、感度のマップを出力に合わせることは、上述のKulkarni他による特許出願に記載されるような方法及び/又はシステムを使用して、設計データ領域の出力の位置を決定することによって実行されてもよい。加えて、感度のマップを出力に合わせることは、設計データを階調画像に合わせるためのどの様な方法又はシステムを使用することで実行されてもよい。検査工程は、更に、異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度のマップが、検査工程で使用される欠陥検出アルゴリズムによって記憶され且つ使用されるように、生成されてもよい。例えば、感度のマップを、MDATアルゴリズム等の欠陥検出アルゴリズムでフィーチャ寸法として使用することもできる。
或る実施形態では、検査工程を使用する時、欠陥は、検査工程の間ウェーハのために生成される出力の中の個々の出力特性の規模に基づいてウェーハ上で検出され、欠陥のサイズに基づいて検出されない。例えば、上述のように、感度は、検査工程の間ウェーハのために生成される出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度であってもよく、感度は、欠陥を検出するのに用いられる感度であってもよい。加えて、個々の出力特性の規模は、欠陥又は「欠陥規模」に対応する個々の出力の規模であってもよい。従って、検出感度が個々の出力特性の規模の観点から決定されてもよいので、欠陥は、欠陥サイズの代わりに規模の観点から検査工程で検出されてもよい。例えば、検査工程は、個々の出力の強度の規模を決定するためにダイ比較を実行する欠陥検出アルゴリズムを使用するように構成されてもよく、本明細書に記載される実施形態によって決定される感度に基づいて決定されてもよい、又は本明細書に記載される実施形態によって決定される感度と関連付けられてもよい、閾値は、ウェーハ上で欠陥を検出するために比較結果に適用されてもよく、その結果、規模に基づいて、サイズに基づくのではなく、ウェーハ上で欠陥を検出している。
別の実施形態では、検査工程を使用する時、ウェーハ上の欠陥は、検査工程の間ウェーハのために生成される出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告されており、欠陥のサイズに基づいて報告されているわけではない。例えば、上述のように、感度は、検査工程の間ウェーハのために生成される出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度であってもよく、感度は、欠陥を報告するのに用いられる感度であってもよい。加えて、個々の出力特性の規模は、欠陥又は「欠陥規模」に対応する個々の出力の規模であってもよい。従って、欠陥を報告するのに用いられる感度が個々の出力特性の規模の観点から決定されてもよいので、欠陥は、欠陥サイズの代わりに規模に基づいて検査工程で報告されてもよい。例えば、検査工程は、個々の出力の強度の規模を決定するためにダイ比較を実行する欠陥検出アルゴリズムを使用するように構成されてもよく、本明細書に記載される実施形態によって決定される感度に基づいて決定されてもよい、又は本明細書に記載される実施形態によって決定される感度と関連付けられてもよい、閾値は、ウェーハ上で欠陥を検出するために比較結果に適用されてもよく、その結果、規模に基づいて、サイズに基づくのではなく、ウェーハ上で欠陥を検出することになる。欠陥を検出するのに用いられる感度が、欠陥を報告するのに用いられる感度と同じである場合、検出された欠陥を報告してもよい。例えば、あらゆる検出された欠陥を報告してもよい。しかしながら、欠陥を検出するのに用いられる感度が、欠陥を報告するのに用いられる感度と異なる場合、欠陥は、上述のように、又は欠陥の規模に基づいていても又は基づいていなくてもよい、どの様な他のやり方で検出されてもよく、その後、検出された欠陥は、それによって報告されるべき欠陥を作り出すために、欠陥規模に基づいてフィルタリングされてもよい。このように、欠陥は、欠陥サイズに代わって欠陥規模に基づいて報告されてもよい。
本明細書に記載される実施形態は、更に、ウェーハ上で生成された検査工程を実行することを含んでいてもよい。生成された検査工程は、どの様な適切なやり方でウェーハ上で実行されてもよい。このように、本明細書に記載される実施形態は、ウェーハ上で生成された検査工程を実行することによってウェーハ用検査結果を生成することを含んでいてもよい。検査結果は、検査工程の間ウェーハ上で検出され、報告されるように決定された(即ち、検査結果に含まれるように決定された)欠陥についての情報を含んでいてもよい。検査結果は、本明細書に記載されるどの様な適切なフォーマットを有していてもよい。
本明細書に記載される実施形態は、検査工程を生成する他の方法及びシステムに勝る多くの利点を有している。例えば、従来では、ウェーハ検査ツールは、感度を決定するためにウェーハから取得される画像だけを使用してもよい。しかしながら、検査システムの画像解像能力の限界が原因で、下部の回路パターンは、通常解像されない。業界がウェーハの設計を利用することによって検査結果を改善するための方法を探し始めたのは最近になってのことである。
この傾向の或る例は、文脈に基づく検査(CBI)である。CBIを実行する方法及びシステムの実施例は、Kulkarni他による上述の特許出願に記載されている。加えて、設計に基づく検査の方法及びシステムの実施例も、同出願に記載されている。文脈マップは、多くの異なる設計情報/属性であり得るという理由から、同特許出願に記載される方法及びシステムは、設計情報の多くの態様を使用することができる。加えて、同特許出願に記載される方法及びシステムは、検査の多くの態様、例えば、感度、厄介なフィルタリング、欠陥分類及び欠陥順位付け又は試料採取を決定することなど、の検査の多くの態様に関している。同特許出願に記載される方法及びシステムは、概して感度を決定するために文脈情報を使用することに関しているが、同特許出願に記載される方法及びシステムは、本明細書に記載される1つ又は複数の段階(例えば、文脈情報を抽出する方法及び本明細書に記載されるように感度を決定するためにそれを使用すること)の少なくとも一部を実行するように設定されていない。
現在使用されている別の実施例は、ホットスポットに基づく検査である。ホットスポットに基づく検査は、一般的に、検査で顧客からのホットスポット情報を使用している。しかしながら、ホットスポットに基づく検査は、当該検査が顧客からのホットスポット情報に依存しているという理由から好都合なものではない。ホットスポットに基づく検査とは対照的に、本明細書に記載される実施形態は、顧客からのホットスポット情報には依存しなくてもよい。例えば、本明細書に記載される実施形態は、ローカル設計情報を使用して感度を決定しており、顧客からのホットスポット情報には依存しなくてもよい。
現在使用されている方法の別の実施例は、ウェーハ上で検出される欠陥のために欠陥臨界インデックス(DCI)を決定する工程を伴っており、「リーフ」コンピュータ上で実行されている。リーフ上のDCIは、欠陥検出後に所与の欠陥サイズのためにCAAを用いることによってDCIを決定している。このように、リーフ上のDCIは、臨界半径を検査で報告された欠陥サイズと組み合わせている。従って、リーフ上のDCIは、検査で報告される欠陥サイズに依存している。しかし、欠陥が比較的に又は実質的に小さい時、重要なのは欠陥サイズではなく、欠陥規模であり得る。その上、検査で報告される欠陥サイズは、正確でないことが時々ある。ウェーハ上の欠陥のためにDCIを決定する方法及びシステムの更なる実施例は、ここにその全てを説明した参考文献として援用する、2008年4月14日に出願されたChen他による共同所有米国特許出願第12/102,343号、及びZafar他による上述の特許出願の中で説明されている。
従って、リーフ上のDCIとは対照的に、本明細書に記載される実施形態は、臨界半径又は他のローカル属性を欠陥規模と組み合わせている。このように、本明細書に記載される実施形態は、検査で報告される欠陥サイズ情報に依存しなくてもよい。欠陥が比較的に又は実質的に小さい時、重要なのは欠陥サイズではなく欠陥規模であり得るという理由から、本明細書に記載される実施形態は、好都合であり得る。加えて、本明細書に記載される実施形態が臨界半径又は別のローカル属性を使用してもよい方法は、リーフ上のDCIが臨界半径を使用する方法とは異なっている。例えば、リーフ上のDCIは、伝統的な方法で臨界半径を使用している(例えば、所与の欠陥サイズのために臨界区域(CA)を決定すること)。対照的に、本明細書に記載される実施形態は、検出感度を決定するために、新規な方法で臨界半径又は別のローカル属性を使用してもよい。その上、本明細書に記載される実施形態及びリーフ上のDCIは、アルゴリズムの異なる部分に実装され得る。例えば、リーフ上のDCIは、検査で報告される欠陥サイズに依存しているという理由から、検出後及び後処理で実行される必要がある。対照的に、本明細書に記載される実施形態は、後処理で実行されることも可能であるが、検出部分で実行されてもよい。
上述の方法のそれぞれの実施形態は、本明細書に記載されるどの様な1つ又は複数の方法のどの様な他の1つ又は複数の段階を含んでいてもよい。加えて、上述の方法のそれぞれの実施形態は、本明細書に記載されるどの様なシステム実施形態によって実行されてもよい。
本明細書に記載される方法の何れかは、記憶媒体の中に本明細書に記載される1以上の方法の1以上の段階の結果を記憶することを含んでいてもよい。結果は、本明細書に記載される結果の何れかを含んでいてもよい。結果は、技術的に公知のどの様なやり方で記憶されてもよい。加えて、記憶媒体は、本明細書に記載されるどの様な記憶媒体又は技術的に公知のどの様な他の適切な記憶媒体を含んでいてもよい。結果が記憶された後、記憶媒体の中で結果にアクセスすること、及び本明細書に記載の方法及びシステム実施形態の何れか又はどの様な他の方法又はシステムによって結果を使用することができる。その上、結果は、「永続的に」、「半永続的に」、「一時的に」又は或る期間の間、記憶されてもよい。例えば、記憶媒体は、ランダムアクセスメモリ(RAM)であってもよく、結果は、記憶媒体の中で必ずしも無期限に存続しなくてもよい。加えて、本明細書に記載される1つ又は複数の方法の何れかの1つ又は複数の段階の何れかの結果は、Bhaskar他による2008年9月19日に出願された共同所有米国特許出願第12/234,201号に記載されており、同特許出願をここにその全てを説明した参考文献として援用する。
別の実施形態は、ウェーハ用検査工程を生成するためのコンピュータによって実装される方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含んでいるコンピュータ可読媒体に関している。或る当該実施形態が、図3に示されている。特に、図3で示されるように、コンピュータ可読媒体16は、コンピュータシステム20で実行可能なプログラム命令18を含んでいる。コンピュータによって実装される方法は、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程を含んでいる。ローカル属性の値を個別に決定する工程は、本明細書に記載される実施形態の何れかによって実行されてもよい。ローカル属性の値は、本明細書に記載されるどの様な当該値を含んでいてもよい。ローカル属性は、本明細書に記載されるローカル属性の何れかを含んでいてもよい。設計の中の異なる場所は、本明細書に記載される異なる場所の何れかを含んでいてもよい。設計は、本明細書に記載される設計の何れかを含んでいてもよい。少なくとも1種類の不良な働きは、本明細書に記載される1つ又は複数のどの様な種類の不良な働きを含んでいてもよい。
コンピュータによって実装される方法は、更に、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程を含んでいる。感度を決定する工程は、本明細書に記載される実施形態の何れかによって実行されてもよい。感度は、本明細書に記載される感度の何れかを含んでいてもよい。ウェーハ上の異なる場所は、本明細書に記載される異なる場所の何れかを含んでいてもよい。コンピュータによって実装される方法は、更に、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成することを含んでいる。検査工程を生成することは、本明細書に記載される実施形態の何れかによって実行されてもよい。検査工程は、本明細書に記載される検査工程の何れかを含んでいてもよい。コンピュータによって実装される方法は、本明細書に記載されるどの様な他の1つ又は複数の実施形態のどの様な他の1つ又は複数の段階を含んでいてもよい。
本明細書に記載される様な方法を実装しているプログラム命令18は、コンピュータ可読媒体16上に記憶されてもよい。コンピュータ可読媒体は、読み取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気又は光ディスク又は磁気テープの様な記憶媒体であってもよい。加えて、コンピュータ可読媒体は、技術的に公知のどの様な他の適切なコンピュータ可読媒体を含んでいてもよい。
コンピュータシステム20は、様々な形態をとってもよく、パーソナルコンピュータシステム、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、画像コンピュータ、パラレルプロセッサ又は技術的に公知のどの様な他のデバイスをも含んでいる。概括的に、用語「コンピュータシステム」は、メモリ媒体からの命令を実行する、1以上のプロセッサを有しているどの様なデバイスであっても包含するものと広義に画定されてもよい。
上述のコンピュータシステムは、検査、計測学、調査又は他のツールの一部を形成していない、独立型システムとして構成されてもよい。当該実施形態では、コンピュータシステムは、「有線」及び/又は「無線」部分を含んでいてもよい伝送媒体によってデータ又は情報を他のシステムへ(例えば、検査工程を検査システムへ)送信するように構成されてもよい。このように、伝送媒体は、コンピュータシステムと他のシステムとの間でデータリンクとして働いてもよい。加えて、コンピュータシステムは、伝送媒体を介してデータを他のシステムから受信及び/又は取得してもよい。しかしながら、他の実施形態では、コンピュータシステムは、検査システムに含まれている。検査システムは、本明細書に記載されるように構成されてもよい。
別の実施形態は、ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されるシステムに関している。当該システムの或る実施形態が、図4に示されている。図4に示されるように、システムは、コンピュータサブシステム24を含んでいる。コンピュータサブシステムは、異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定するように構成されている。コンピュータサブシステムは、本明細書に記載される実施形態の何れかによってローカル属性の値を個別に決定するように構成されてもよい。ローカル属性の値は、本明細書に記載されるどの様な当該値を含んでいてもよい。ローカル属性は、本明細書に記載されるローカル属性の何れかを含んでいてもよい。設計の中の異なる場所は、本明細書に記載される異なる場所の何れかを含んでいてもよい。設計は、本明細書に記載される設計の何れかを含んでいてもよい。少なくとも1種類の不良な働きは、本明細書に記載される1つ又は複数の種類の不良な働きの何れかを含んでいてもよい。
コンピュータサブシステムは、更に、ローカル属性の値に基づいて設計の中の異なる場所に対応するウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定するように構成されてもよい。コンピュータサブシステムは、本明細書に記載される実施形態の何れかによって感度を決定するように構成されてもよい。感度は、本明細書に記載される感度の何れかを含んでいてもよい。ウェーハ上の異なる場所は、本明細書に記載される異なる場所の何れかを含んでいてもよい。加えて、コンピュータサブシステムは、決定された感度に基づいてウェーハ用検査工程を生成するように構成されている。コンピュータサブシステムは、本明細書に記載される実施形態の何れかによって検査工程を生成するように構成されてもよい。検査工程は、本明細書に記載される検査工程の何れかを含んでいてもよい。その上、コンピュータサブシステムは、本明細書に記載されるどの様な1つ又は複数の方法のどの様な1つ又は複数の段階を実行するように構成されてもよい。コンピュータサブシステムは、更に、図3に示されるコンピュータシステム20に関して上述のように構成されてもよい。
システムは、更に、ウェーハ上で検査工程を実行するように構成された検査サブシステム22を含んでいる。検査サブシステム22は、市販の検査システムに含まれるようなどの様な適切な検査サブシステムを含んでいてもよい。適切な検査サブシステムを含んでいる市販の検査システムの例は、KLA-Tencor社から市販されている2360、2365、2371及び23xxシステムと、Puma90xx及び91xxシリーズツールを含んでいる。加えて、検査サブシステムは、ウェーハのDF検査及び/又はウェーハのBF検査用に構成された検査サブシステムであってもよい。その上、検査サブシステムは、パターン化されたウェーハ及び/又は非パターン化されたウェーハ検査用に構成されてもよい。更に、検査サブシステムを含んでいる現行の検査システムを、本明細書に記載されるシステムとして構成及び使用することができるように、現行の検査システムを修正してもよい(例えば、検査システムのコンピュータサブシステムを修正してもよい)。検査サブシステムは、どの様な適切なやり方でウェーハ上で検査工程を実行するように構成されてもよい。システムは、更に、ウェーハ上で実行される検査工程の結果を生成するように構成されてもよい。結果は、どの様な適切なやり方で生成されてもよく、どの様なフォーマットを有していてもよい。加えて、検査サブシステムは、本明細書に記載されるどの様な1つ又は複数の方法のどの様な1つ又は複数の段階を実行するように構成されてもよい。上述のシステムの実施形態は、更に、本明細書に記載されるように構成されてもよい。
本発明の様々な態様の更なる修正及び代替的実施形態は、当業者には、本説明を読めば明白となるであろう。例えば、ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステムが提供されている。従って、本説明は、単に例証的なものと解釈されるべきであり、本発明を遂行する一般的なやり方を当業者に教示することを目的としている。本明細書で図解及び説明した本発明の形態は、現在好適な実施形態とみなされるべきものであることを理解頂きたい。当業者には、本発明のこの説明の恩恵を得た後には全て明白となるように、要素及び材料を本明細書に図示及び説明されるものに置き換えることができ、部分及び工程を逆転させることができ、更に本発明の或る種のフィーチャを単独で利用することができる。以下の特許請求の範囲に記載される本発明の精神及び範囲から逸脱すること無く、本明細書に記載される要素に変更を加えることができる。
本発明は以下の態様としても実現できる。
[態様1]
ウェーハ用検査工程を生成するためにコンピュータによって実行される方法であって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいて、ウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
を備える方法。
[態様2]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、方法。
[態様3]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、方法。
[態様4]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記設計用の設計データを使用して実行される、方法。
[態様5]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行される、方法。
[態様6]
態様1に記載の方法であって、
前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、方法。
[態様7]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、方法。
[態様8]
態様1に記載の方法であって、
前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、方法。
[態様9]
態様1に記載の方法であって、
前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、方法。
[態様10]
態様1に記載の方法であって、
前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、方法。
[態様11]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記マップを使用して実行される、方法。
[態様12]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程を含む、方法。
[態様13]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を前記同じ群に割り当てる工程を含む、方法。
[態様14]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
[態様15]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
[態様16]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てる工程と、を備える、方法。
[態様17]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程と、を備えている、方法。
[態様18]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、方法。
[態様19]
態様1に記載の方法であって、
更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査システムの座標誤差に基づいて実行される、方法。
[態様20]
態様1に記載の方法であって、
前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、方法。
[態様21]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
前記感度を決定する工程は、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、方法。
[態様22]
態様1に記載の方法であって、
前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査システムによって解像することができない、方法。
[態様23]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、方法。
[態様24]
態様1に記載の方法であって、
前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、オフラインで実行される、方法。
[態様25]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、方法。
[態様26]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、方法。
[態様27]
態様1に記載の方法であって、
前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される前記出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、前記検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力の位置を決定する工程を備える、方法。
[態様28]
コンピュータによって実行されるウェーハ用検査工程を生成するための方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータによって実行される方法は、
前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
を備えるコンピュータ可読媒体。
[態様29]
ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムであって、
異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定するように構成され、
前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定するように構成され、
前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成するよう構成された
コンピュータサブシステムと、
前記ウェーハ上で前記検査工程を実行するように構成された検査サブシステムと、
を備えるシステム。

Claims (53)

  1. ウェーハ用検査工程を生成するためにコンピュータによって実行される方法であって、
    異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいて、ウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
    前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
    前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成する工程と、
    を備え
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てる工程を含む、方法。
  2. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、方法。
  3. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、方法。
  4. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記設計用の設計データを使用して実行される、方法。
  5. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程は、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査工程を実行する検査システムの1以上のパラメータに基づいて実行される、方法。
  6. 請求項1に記載の方法であって、
    前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、方法。
  7. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、方法。
  8. 請求項1に記載の方法であって、
    前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、方法。
  9. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、方法。
  10. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、方法。
  11. 請求項1に記載の方法であって、
    更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成する工程を備え、
    前記感度を決定する工程は、前記マップを使用して実行される、方法。
  12. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程を含む、方法。
  13. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
  14. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定する工程と、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定する工程と、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、方法。
  15. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てる工程と、を備える、方法。
  16. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てる工程と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定する工程と、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成する工程と、を備えている、方法。
  17. 請求項1に記載の方法であって、
    更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、方法。
  18. 請求項1に記載の方法であって、
    更に、前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定する工程を備え、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査システムの座標誤差に基づいて実行される、方法。
  19. 請求項1に記載の方法であって、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、方法。
  20. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
    前記感度を決定する工程は、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、方法。
  21. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査システムによって解像することができない、方法。
  22. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、方法。
  23. 請求項1に記載の方法であって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定する工程と、前記感度を決定する工程は、オフラインで実行される、方法。
  24. 請求項1に記載の方法であって、
    前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、方法。
  25. 請求項1に記載の方法であって、
    前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、方法。
  26. 請求項1に記載の方法であって、
    前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、検査システムによって前記ウェーハのために生成された前記出力の位置を決定する工程を備える、方法。
  27. コンピュータによって実行されるウェーハ用検査工程を生成するための方法を実行するコンピュータシステム上で実行可能なプログラム命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータによって実行される方法は、
    異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定する工程と、
    前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定する工程と、
    前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用の検査工程を生成する工程と、
    を備え、
    前記感度を決定する工程は、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てる工程を含む、コンピュータ可読媒体。
  28. ウェーハ上で検査工程を生成及び実行するように構成されたシステムであって、
    異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある欠陥に基づいてウェーハ用の設計の中の前記異なる場所のためにローカル属性の値を個別に決定することと、
    前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計内の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の異なる場所に関して欠陥を報告するのに用いられる感度を決定することと、
    前記決定された感度に基づいて前記ウェーハ用検査工程を生成することと、
    を行うように構成されたコンピュータサブシステムと、
    前記ウェーハ上で前記検査工程を実行するように構成された検査サブシステムと、
    を備え、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なる群に割り当て、その結果、少なくとも類似した雑音統計を有する前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所を同じ群に割り当てることを含む、
    システム。
  29. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所で少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥の臨界半径である、システム。
  30. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記異なる場所での前記設計の1以上のフィーチャ、前記異なる場所に近接する前記設計の1以上のフィーチャ、又はそれらの組み合わせ、の内の少なくとも1つの寸法の関数として決定されている、システム。
  31. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定することは、前記設計用の設計データを使用して実行される、システム。
  32. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定することは、前記異なる場所で前記少なくとも1種類の不良な働きを引き起こす可能性がある前記欠陥及び前記検査サブシステムの1以上のパラメータに基づいて実行される、システム。
  33. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記異なる場所は、前記設計全体に亘っている、システム。
  34. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記感度と反比例関係を有している、システム。
  35. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記決定された感度は、前記ウェーハ上の前記異なる場所で欠陥を検出するのに用いられる感度とは異なる、システム。
  36. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度は、欠陥を、前記ウェーハ上の前記異なる場所で検出するのに用いられ、且つ、前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して報告するのに用いられる感度である、システム。
  37. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に対する感度である、システム。
  38. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記コンピュータサブシステムは、更に、前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ローカル属性の前記値のマップを生成するように構成され、
    前記感度を決定することは、前記マップを使用して実行される、システム。
  39. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記設計内の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所に関して前記欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成することを含む、システム。
  40. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定することと、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、システム。
  41. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメント用の雑音統計を個別に推定することと、前記雑音統計に基づいて前記異なるセグメントのために前記感度を決定することと、を備えており、前記雑音統計は、前記異なるセグメントに割り当てられた前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で前記検査工程の間、生成される出力用の雑音統計である、システム。
  42. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定することと、前記異なる場所のために決定された前記ローカル属性の前記値が当てはまる前記異なる部分に基づいて前記設計の中の前記異なる場所を前記異なるセグメントに個別に割り当てることと、を備える、システム。
  43. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の値の全範囲の中の異なる部分を異なるセグメントに割り当てることと、前記異なるセグメントに割り当てられた前記異なる部分の前記ローカル属性の前記値に基づいて前記異なるセグメントのために異なる感度を個別に決定することと、前記異なる場所のための前記ローカル属性の前記値に基づいて前記設計の中の前記異なる場所に対する前記ウェーハ上の前記異なる場所と、前記異なるセグメントに割り当てられた前記ローカル属性の前記値の前記全範囲の中の前記異なる部分と、前記異なるセグメントのために決定された前記異なる感度と、に関して欠陥を報告するのに用いられる前記感度のマップを生成することと、を備えている、システム。
  44. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記コンピュータサブシステムは、更に、前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定するように構成され、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性及び前記ローカル画像属性の前記値に基づいて実行される、システム。
  45. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記コンピュータサブシステムは、更に、前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された出力に基づいて前記ウェーハ上の前記異なる場所のためにローカル画像属性の値を個別に決定するように構成され、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値、前記ローカル画像属性の前記値及び前記検査サブシステムの座標誤差に基づいて実行される、システム。
  46. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記感度を決定することは、前記ローカル属性の前記値及び前記設計のホットスポットについての情報に基づいて実行される、システム。
  47. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値は、前記設計の中の前記異なる場所が前記設計のホットスポットであるか否かを示さず、
    前記感度を決定することは、前記設計の前記ホットスポットについての情報に基づいて実行されない、システム。
  48. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ウェーハ上にプリントされた前記設計は、前記検査工程を実行する検査サブシステムによって解像することができない、システム。
  49. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定することと、前記感度を決定することとは、欠陥が前記検査工程において前記ウェーハ上で検出される前に実行される、システム。
  50. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記ローカル属性の前記値を個別に決定することと、前記感度を決定することとは、オフラインで実行される、システム。
  51. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記検査工程を使用する時、欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて検出され、前記欠陥のサイズに基づいて検出されない、システム。
  52. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記検査工程を使用する時、前記欠陥は、前記検査工程の間、前記ウェーハのために生成された出力の中の個々の出力特性の規模に基づいて報告され、前記欠陥のサイズに基づいて報告されない、システム。
  53. 請求項28に記載のシステムであって、
    前記検査工程は、前記設計の中の前記異なる場所に対応する前記ウェーハ上の前記異なる場所で生成される出力を識別することができるように、設計データ空間での前記検査工程の間、前記検査サブシステムによって前記ウェーハのために生成された前記出力の位置を決定する工程を備える、システム。
JP2014258430A 2009-03-13 2014-12-22 ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム Active JP6204336B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/403,905 2009-03-13
US12/403,905 US8112241B2 (en) 2009-03-13 2009-03-13 Methods and systems for generating an inspection process for a wafer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011554106A Division JP2012520570A (ja) 2009-03-13 2010-03-08 ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015084443A JP2015084443A (ja) 2015-04-30
JP6204336B2 true JP6204336B2 (ja) 2017-09-27

Family

ID=42729039

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011554106A Withdrawn JP2012520570A (ja) 2009-03-13 2010-03-08 ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム
JP2014258430A Active JP6204336B2 (ja) 2009-03-13 2014-12-22 ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011554106A Withdrawn JP2012520570A (ja) 2009-03-13 2010-03-08 ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8112241B2 (ja)
EP (1) EP2406819A4 (ja)
JP (2) JP2012520570A (ja)
KR (1) KR101647008B1 (ja)
CN (1) CN102422405B (ja)
IL (1) IL214932A (ja)
WO (1) WO2010104800A2 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US8225252B2 (en) * 2010-06-25 2012-07-17 Intel Corporation Systems, methods, apparatus and computer readable mediums for use in association with systems having interference
US9170211B2 (en) 2011-03-25 2015-10-27 Kla-Tencor Corp. Design-based inspection using repeating structures
US9087367B2 (en) 2011-09-13 2015-07-21 Kla-Tencor Corp. Determining design coordinates for wafer defects
US8831334B2 (en) 2012-01-20 2014-09-09 Kla-Tencor Corp. Segmentation for wafer inspection
US9715723B2 (en) 2012-04-19 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd Optimization of unknown defect rejection for automatic defect classification
US10043264B2 (en) 2012-04-19 2018-08-07 Applied Materials Israel Ltd. Integration of automatic and manual defect classification
US9858658B2 (en) 2012-04-19 2018-01-02 Applied Materials Israel Ltd Defect classification using CAD-based context attributes
US9595091B2 (en) 2012-04-19 2017-03-14 Applied Materials Israel, Ltd. Defect classification using topographical attributes
US9607233B2 (en) 2012-04-20 2017-03-28 Applied Materials Israel Ltd. Classifier readiness and maintenance in automatic defect classification
US8826200B2 (en) 2012-05-25 2014-09-02 Kla-Tencor Corp. Alteration for wafer inspection
US9189844B2 (en) 2012-10-15 2015-11-17 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using defect-specific information
US9053527B2 (en) 2013-01-02 2015-06-09 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US9134254B2 (en) 2013-01-07 2015-09-15 Kla-Tencor Corp. Determining a position of inspection system output in design data space
US9311698B2 (en) 2013-01-09 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer using template image matching
KR102019534B1 (ko) 2013-02-01 2019-09-09 케이엘에이 코포레이션 결함 특유의, 다중 채널 정보를 이용한 웨이퍼 상의 결함 검출
US9865512B2 (en) 2013-04-08 2018-01-09 Kla-Tencor Corp. Dynamic design attributes for wafer inspection
US9310320B2 (en) 2013-04-15 2016-04-12 Kla-Tencor Corp. Based sampling and binning for yield critical defects
US9355208B2 (en) * 2013-07-08 2016-05-31 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US10114368B2 (en) 2013-07-22 2018-10-30 Applied Materials Israel Ltd. Closed-loop automatic defect inspection and classification
US9395403B2 (en) * 2013-10-28 2016-07-19 International Business Machines Corporation Optimization of integrated circuit reliability
US10410338B2 (en) * 2013-11-04 2019-09-10 Kla-Tencor Corporation Method and system for correlating optical images with scanning electron microscopy images
CN103646887B (zh) * 2013-11-26 2016-08-17 上海华力微电子有限公司 一种自动降低缺陷检测噪声的方法
US9262821B2 (en) * 2014-05-12 2016-02-16 Kla-Tencor Corp. Inspection recipe setup from reference image variation
US9400865B2 (en) 2014-06-13 2016-07-26 Kla-Tencor Corp. Extracting comprehensive design guidance for in-line process control tools and methods
US9286675B1 (en) 2014-10-23 2016-03-15 Applied Materials Israel Ltd. Iterative defect filtering process
US9569834B2 (en) 2015-06-22 2017-02-14 Kla-Tencor Corporation Automated image-based process monitoring and control
EP3289607A4 (en) * 2015-04-30 2018-12-19 KLA - Tencor Corporation Automated image-based process monitoring and control
US10539612B2 (en) 2015-05-20 2020-01-21 Kla-Tencor Corporation Voltage contrast based fault and defect inference in logic chips
US10018571B2 (en) 2015-05-28 2018-07-10 Kla-Tencor Corporation System and method for dynamic care area generation on an inspection tool
US10416087B2 (en) 2016-01-01 2019-09-17 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for defect detection using image reconstruction
US10276346B1 (en) 2016-03-09 2019-04-30 Kla-Tencor Corporation Particle beam inspector with independently-controllable beams
US10600177B2 (en) * 2017-08-09 2020-03-24 Kla-Tencor Corporation Nuisance reduction using location-based attributes
US10290087B2 (en) * 2017-09-11 2019-05-14 Applied Materials Israel Ltd. Method of generating an examination recipe and system thereof
CN108469437B (zh) * 2018-03-16 2021-06-11 河北视窗玻璃有限公司 浮法玻璃的缺陷检测方法及装置
US10872406B2 (en) 2018-04-13 2020-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hot spot defect detecting method and hot spot defect detecting system
US10832396B2 (en) * 2018-10-19 2020-11-10 Kla-Tencor Corp. And noise based care areas
US10853932B2 (en) * 2019-01-16 2020-12-01 Applied Material Israel, Ltd. Method of defect detection on a specimen and system thereof
CN110299298A (zh) * 2019-06-25 2019-10-01 德淮半导体有限公司 晶圆缺陷扫描方法及系统、缺陷检验机台
US11619592B2 (en) * 2019-07-09 2023-04-04 KLA Corp. Selecting defect detection methods for inspection of a specimen
CN115575411A (zh) * 2022-09-28 2023-01-06 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 晶片的缺陷检测方法、装置、设备及计算机可读存储介质

Family Cites Families (331)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495269A (en) 1966-12-19 1970-02-10 Xerox Corp Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps
US3496352A (en) 1967-06-05 1970-02-17 Xerox Corp Self-cleaning corona generating apparatus
US3909602A (en) 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
US4015203A (en) 1975-12-31 1977-03-29 International Business Machines Corporation Contactless LSI junction leakage testing method
US4247203A (en) 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
US4347001A (en) 1978-04-03 1982-08-31 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
FR2473789A1 (fr) 1980-01-09 1981-07-17 Ibm France Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques.
US4378159A (en) 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
US4448532A (en) 1981-03-31 1984-05-15 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection method and system
US4926489A (en) 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4579455A (en) 1983-05-09 1986-04-01 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
US4532650A (en) 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality
US4578810A (en) 1983-08-08 1986-03-25 Itek Corporation System for printed circuit board defect detection
JPS6062122A (ja) 1983-09-16 1985-04-10 Fujitsu Ltd マスクパターンの露光方法
US4599558A (en) 1983-12-14 1986-07-08 Ibm Photovoltaic imaging for large area semiconductors
US4595289A (en) 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
JPS60263807A (ja) 1984-06-12 1985-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置
US4633504A (en) 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0648380B2 (ja) 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
JPH0743323B2 (ja) * 1985-08-26 1995-05-15 富士通株式会社 表面異物検査装置
US4734721A (en) 1985-10-04 1988-03-29 Markem Corporation Electrostatic printer utilizing dehumidified air
US4641967A (en) 1985-10-11 1987-02-10 Tencor Instruments Particle position correlator and correlation method for a surface scanner
US4928313A (en) 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
US5046109A (en) 1986-03-12 1991-09-03 Nikon Corporation Pattern inspection apparatus
US4814829A (en) 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4805123B1 (en) 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4758094A (en) 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US4766324A (en) 1987-08-07 1988-08-23 Tencor Instruments Particle detection method including comparison between sequential scans
US4812756A (en) 1987-08-26 1989-03-14 International Business Machines Corporation Contactless technique for semicondutor wafer testing
US4845558A (en) 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4877326A (en) 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5054097A (en) 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
JP3707172B2 (ja) 1996-01-24 2005-10-19 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
EP0671920B1 (en) 1992-03-09 2003-12-10 San Diego Regional Cancer Center An anti-idiotypic antibody and its use in diagnosis and in therapy in hiv-related disease
US6205259B1 (en) 1992-04-09 2001-03-20 Olympus Optical Co., Ltd. Image processing apparatus
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3730263B2 (ja) 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3212389B2 (ja) 1992-10-26 2001-09-25 株式会社キリンテクノシステム 固体上の異物検査方法
JPH06177706A (ja) 1992-12-08 1994-06-24 Sony Corp 信号処理装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5448053A (en) 1993-03-01 1995-09-05 Rhoads; Geoffrey B. Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5453844A (en) 1993-07-21 1995-09-26 The University Of Rochester Image data coding and compression system utilizing controlled blurring
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5544256A (en) 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
US5500607A (en) 1993-12-22 1996-03-19 International Business Machines Corporation Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer
US5553168A (en) 1994-01-21 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated System and method for recognizing visual indicia
US5696835A (en) 1994-01-21 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for aligning and measuring misregistration
US5608538A (en) 1994-08-24 1997-03-04 International Business Machines Corporation Scan line queuing for high performance image correction
US5572608A (en) 1994-08-24 1996-11-05 International Business Machines Corporation Sinc filter in linear lumen space for scanner
US5528153A (en) 1994-11-07 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
US6014461A (en) 1994-11-30 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification
US5694478A (en) 1994-12-15 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies
US5948972A (en) 1994-12-22 1999-09-07 Kla-Tencor Corporation Dual stage instrument for scanning a specimen
CA2139182A1 (en) 1994-12-28 1996-06-29 Paul Chevrette Method and system for fast microscanning
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US5991699A (en) 1995-05-04 1999-11-23 Kla Instruments Corporation Detecting groups of defects in semiconductor feature space
TW341664B (en) 1995-05-12 1998-10-01 Ibm Photovoltaic oxide charge measurement probe technique
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
US5644223A (en) 1995-05-12 1997-07-01 International Business Machines Corporation Uniform density charge deposit source
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5594247A (en) 1995-07-07 1997-01-14 Keithley Instruments, Inc. Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer
US5773989A (en) 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5621519A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Neopath, Inc. Imaging system transfer function control method and apparatus
US5619548A (en) 1995-08-11 1997-04-08 Oryx Instruments And Materials Corp. X-ray thickness gauge
EP0853856B1 (en) 1995-10-02 2004-12-22 KLA-Tencor Corporation Alignment correction prior to image sampling in inspection systems
US5754678A (en) 1996-01-17 1998-05-19 Photon Dynamics, Inc. Substrate inspection apparatus and method
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5673208A (en) 1996-04-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Focus spot detection method and system
US5917332A (en) 1996-05-09 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
US6246787B1 (en) 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
US6205239B1 (en) 1996-05-31 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System and method for circuit repair
US6091846A (en) 1996-05-31 2000-07-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for anomaly detection
JP3646415B2 (ja) * 1996-07-18 2005-05-11 ソニー株式会社 マスク欠陥の検出方法
US5822218A (en) 1996-08-27 1998-10-13 Clemson University Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits
US5767693A (en) 1996-09-04 1998-06-16 Smithley Instruments, Inc. Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun
US6076465A (en) 1996-09-20 2000-06-20 Kla-Tencor Corporation System and method for determining reticle defect printability
KR100200734B1 (ko) 1996-10-10 1999-06-15 윤종용 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
US5866806A (en) 1996-10-11 1999-02-02 Kla-Tencor Corporation System for locating a feature of a surface
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6259960B1 (en) 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5852232A (en) 1997-01-02 1998-12-22 Kla-Tencor Corporation Acoustic sensor as proximity detector
US5978501A (en) 1997-01-03 1999-11-02 International Business Machines Corporation Adaptive inspection method and system
US5955661A (en) 1997-01-06 1999-09-21 Kla-Tencor Corporation Optical profilometer combined with stylus probe measurement device
US5795685A (en) 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
US5889593A (en) 1997-02-26 1999-03-30 Kla Instruments Corporation Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement
US5980187A (en) 1997-04-16 1999-11-09 Kla-Tencor Corporation Mechanism for transporting semiconductor-process masks
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6097196A (en) 1997-04-23 2000-08-01 Verkuil; Roger L. Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer
US6078738A (en) 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
KR100308811B1 (ko) 1997-05-10 2001-12-15 박종섭 Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6011404A (en) 1997-07-03 2000-01-04 Lucent Technologies Inc. System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor
US6072320A (en) 1997-07-30 2000-06-06 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current
US6104206A (en) 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
US5834941A (en) 1997-08-11 1998-11-10 Keithley Instruments, Inc. Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light
US6191605B1 (en) 1997-08-18 2001-02-20 Tom G. Miller Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US7107571B2 (en) 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5874733A (en) 1997-10-16 1999-02-23 Raytheon Company Convergent beam scanner linearizing method and apparatus
US6097887A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
US6233719B1 (en) 1997-10-27 2001-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing semiconductor production data
US6104835A (en) 1997-11-14 2000-08-15 Kla-Tencor Corporation Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor
JPH11162832A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
US5999003A (en) 1997-12-12 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification
US6614520B1 (en) 1997-12-18 2003-09-02 Kla-Tencor Corporation Method for inspecting a reticle
US6060709A (en) 1997-12-31 2000-05-09 Verkuil; Roger L. Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer
US6122017A (en) 1998-01-22 2000-09-19 Hewlett-Packard Company Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video
US6175645B1 (en) 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6171737B1 (en) 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
US6091845A (en) 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US5932377A (en) 1998-02-24 1999-08-03 International Business Machines Corporation Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography
US6091257A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Verkuil; Roger L. Vacuum activated backside contact
US6282309B1 (en) 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
US6137570A (en) 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6324298B1 (en) 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6266437B1 (en) 1998-09-04 2001-07-24 Sandia Corporation Sequential detection of web defects
US6466314B1 (en) 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
US6122046A (en) 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6393602B1 (en) 1998-10-21 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers
JP3860347B2 (ja) 1998-10-30 2006-12-20 富士通株式会社 リンク処理装置
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6476913B1 (en) 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6529621B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Kla-Tencor Mechanisms for making and inspecting reticles
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US7106895B1 (en) 1999-05-05 2006-09-12 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
AU3676500A (en) 1999-05-07 2000-11-21 Nikon Corporation Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device
EP1190238A1 (en) 1999-05-18 2002-03-27 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for inspection of articles by comparison with a master
US6526164B1 (en) 1999-05-27 2003-02-25 International Business Machines Corporation Intelligent photomask disposition
US6407373B1 (en) 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
US6922482B1 (en) 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
EP1065567A3 (en) 1999-06-29 2001-05-16 Applied Materials, Inc. Integrated critical dimension control
JP3816390B2 (ja) 1999-07-02 2006-08-30 富士通株式会社 サービス割り当て装置
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6466895B1 (en) 1999-07-16 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Defect reference system automatic pattern classification
US6248485B1 (en) 1999-07-19 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist
US6466315B1 (en) 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020144230A1 (en) 1999-09-22 2002-10-03 Dupont Photomasks, Inc. System and method for correcting design rule violations in a mask layout file
US6268093B1 (en) 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
JP3749107B2 (ja) * 1999-11-05 2006-02-22 ファブソリューション株式会社 半導体デバイス検査装置
FR2801673B1 (fr) 1999-11-26 2001-12-28 Pechiney Aluminium Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines
US7190292B2 (en) 1999-11-29 2007-03-13 Bizjak Karl M Input level adjust system and method
US6738954B1 (en) 1999-12-08 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls
US6445199B1 (en) 1999-12-14 2002-09-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
US6701004B1 (en) 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6778695B1 (en) 1999-12-23 2004-08-17 Franklin M. Schellenberg Design-based reticle defect prioritization
US7120285B1 (en) 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US6451690B1 (en) 2000-03-13 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device
US6482557B1 (en) 2000-03-24 2002-11-19 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool
US6569691B1 (en) 2000-03-29 2003-05-27 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer
US6759255B2 (en) 2000-05-10 2004-07-06 Kla-Tencor Technologies Corp. Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer
US6425113B1 (en) 2000-06-13 2002-07-23 Leigh C. Anderson Integrated verification and manufacturability tool
TWI297167B (en) 2000-06-27 2008-05-21 Ebara Corp Inspection apparatus and inspection method
US6636301B1 (en) 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6634018B2 (en) 2000-08-24 2003-10-14 Texas Instruments Incorporated Optical proximity correction
JP2002071575A (ja) 2000-09-04 2002-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
TW513772B (en) 2000-09-05 2002-12-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface
DE10044257A1 (de) 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6513151B1 (en) 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
EP1271605A4 (en) 2000-11-02 2009-09-02 Ebara Corp ELECTRON BEAM APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID APPARATUS
US6753954B2 (en) 2000-12-06 2004-06-22 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
JP4014379B2 (ja) * 2001-02-21 2007-11-28 株式会社日立製作所 欠陥レビュー装置及び方法
EP1379978A4 (en) 2001-03-12 2005-06-08 Pdf Solutions Inc EXTRACTION PROCESSES OF DEFECT DENSITY AND SIZE DISTRIBUTION
US6873720B2 (en) 2001-03-20 2005-03-29 Synopsys, Inc. System and method of providing mask defect printability analysis
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
US6605478B2 (en) 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
US6665065B1 (en) 2001-04-09 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
JP4038356B2 (ja) 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP4199939B2 (ja) 2001-04-27 2008-12-24 株式会社日立製作所 半導体検査システム
JP2002353099A (ja) 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20020186878A1 (en) 2001-06-07 2002-12-12 Hoon Tan Seow System and method for multiple image analysis
JP3551163B2 (ja) 2001-06-08 2004-08-04 三菱住友シリコン株式会社 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US6779159B2 (en) 2001-06-08 2004-08-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
US6581193B1 (en) 2001-06-13 2003-06-17 Kla-Tencor Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US20030014146A1 (en) 2001-07-12 2003-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method
US6593748B1 (en) 2001-07-12 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique
JP2003031477A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
JP4122735B2 (ja) 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
JP2003057193A (ja) * 2001-08-17 2003-02-26 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 異物検査装置
US7030997B2 (en) 2001-09-11 2006-04-18 The Regents Of The University Of California Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis
CA2582664C (en) 2001-09-12 2012-04-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Picture coding method and picture decoding method
JP3870052B2 (ja) 2001-09-20 2007-01-17 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法
JP3955450B2 (ja) 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
US6670082B2 (en) 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US6918101B1 (en) 2001-10-25 2005-07-12 Kla -Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6813572B2 (en) 2001-10-25 2004-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices
US6948141B1 (en) 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6751519B1 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for predicting IC chip yield
US6734696B2 (en) 2001-11-01 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact hysteresis measurements of insulating films
JP2003151483A (ja) 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6886153B1 (en) 2001-12-21 2005-04-26 Kla-Tencor Corporation Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe
US6789032B2 (en) 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US6658640B2 (en) 2001-12-26 2003-12-02 Numerical Technologies, Inc. Simulation-based feed forward process control
US6906305B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Brion Technologies, Inc. System and method for aerial image sensing
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003215060A (ja) * 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
US6691052B1 (en) 2002-01-30 2004-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7257247B2 (en) 2002-02-21 2007-08-14 International Business Machines Corporation Mask defect analysis system
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US20030192015A1 (en) 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6966047B1 (en) 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6642066B1 (en) 2002-05-15 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
AU2003274370A1 (en) 2002-06-07 2003-12-22 Praesagus, Inc. Characterization adn reduction of variation for integrated circuits
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
JP2004031709A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Seiko Instruments Inc ウエハレス測長レシピ生成装置
US6777676B1 (en) 2002-07-05 2004-08-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7012438B1 (en) 2002-07-10 2006-03-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of an insulating film
JP2005533283A (ja) 2002-07-12 2005-11-04 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定のマスク書込のための方法及びシステム
JP2006502422A (ja) 2002-07-12 2006-01-19 ケイデンス デザイン システムズ インコーポレイテッド コンテクスト特定型のマスク検査のための方法及びシステム
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
EP1523696B1 (en) 2002-07-15 2016-12-21 KLA-Tencor Corporation Defect inspection methods that include acquiring aerial images of a reticle for different lithographic process variables
US6775818B2 (en) 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US6784446B1 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
US20040049722A1 (en) 2002-09-09 2004-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
US7043071B2 (en) 2002-09-13 2006-05-09 Synopsys, Inc. Soft defect printability simulation and analysis for masks
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7061625B1 (en) 2002-09-27 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7386839B1 (en) 2002-11-06 2008-06-10 Valery Golender System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing
US7457736B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7136143B2 (en) 2002-12-13 2006-11-14 Smith Bruce W Method for aberration detection and measurement
US6882745B2 (en) 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
US7162071B2 (en) 2002-12-20 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Progressive self-learning defect review and classification method
CN100481360C (zh) * 2003-02-03 2009-04-22 三菱住友硅晶株式会社 检查方法、解析片的制作方法、解析方法以及解析装置
US6718526B1 (en) 2003-02-07 2004-04-06 Kla-Tencor Corporation Spatial signature analysis
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US7756320B2 (en) 2003-03-12 2010-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect classification using a logical equation for high stage classification
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
US7053355B2 (en) 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7508973B2 (en) 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7739064B1 (en) 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004340652A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hitachi Ltd 欠陥検査装置および陽電子線応用装置
US6777147B1 (en) 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7346470B2 (en) 2003-06-10 2008-03-18 International Business Machines Corporation System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
US7135344B2 (en) 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US6988045B2 (en) 2003-08-04 2006-01-17 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7114143B2 (en) 2003-10-29 2006-09-26 Lsi Logic Corporation Process yield learning
US7103484B1 (en) 2003-10-31 2006-09-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005183907A (ja) 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン解析方法及びパターン解析装置
JP4351522B2 (ja) 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US8151220B2 (en) 2003-12-04 2012-04-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data
JP4758358B2 (ja) 2004-01-29 2011-08-24 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法
JP4426871B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Fib/sem複合装置の画像ノイズ除去
US7194709B2 (en) 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
US7171334B2 (en) 2004-06-01 2007-01-30 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process
JP4347751B2 (ja) 2004-06-07 2009-10-21 株式会社アドバンテスト 不良解析システム及び不良箇所表示方法
US7207017B1 (en) 2004-06-10 2007-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
US7788629B2 (en) 2004-07-21 2010-08-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems configured to perform a non-contact method for determining a property of a specimen
CA2573217C (en) 2004-08-09 2013-04-09 Bracco Research Sa An image registration method and apparatus for medical imaging based on mulptiple masks
US7310796B2 (en) 2004-08-27 2007-12-18 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for simulating an aerial image
TW200622275A (en) 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7142992B1 (en) 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
US8532949B2 (en) 2004-10-12 2013-09-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen
US7729529B2 (en) 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
JP2006200972A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
US7475382B2 (en) 2005-02-24 2009-01-06 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7496880B2 (en) 2005-03-17 2009-02-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for assessing the quality of a process model
US7760347B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7760929B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
US7444615B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Invarium, Inc. Calibration on wafer sweet spots
US7853920B2 (en) 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
US7564017B2 (en) 2005-06-03 2009-07-21 Brion Technologies, Inc. System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system
US7501215B2 (en) 2005-06-28 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a calibration substrate
US20070002322A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Yan Borodovsky Image inspection method
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
KR100958714B1 (ko) 2005-08-08 2010-05-18 브라이언 테크놀로지스, 인코포레이티드 리소그래피 공정의 포커스-노광 모델을 생성하는 시스템 및방법
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR100909474B1 (ko) 2005-08-10 2009-07-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들
JP4203498B2 (ja) 2005-09-22 2009-01-07 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
US7801353B2 (en) 2006-02-01 2010-09-21 Applied Materials Israel, Ltd. Method for defect detection using computer aided design data
EP1982160A4 (en) 2006-02-09 2016-02-17 Kla Tencor Tech Corp METHOD AND SYSTEMS FOR DETERMINING A WAFER FEATURE
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
JP4950806B2 (ja) * 2006-08-22 2012-06-13 株式会社東芝 欠陥検査装置、欠陥検査方法、半導体装置の製造システム及び半導体装置の製造方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
US8194968B2 (en) 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US8213704B2 (en) 2007-05-09 2012-07-03 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7962864B2 (en) 2007-05-24 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Stage yield prediction
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
US7975245B2 (en) 2007-08-20 2011-07-05 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
KR101674698B1 (ko) 2009-02-13 2016-11-09 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 웨이퍼 상의 결함들 검출

Also Published As

Publication number Publication date
CN102422405B (zh) 2014-09-03
US20100235134A1 (en) 2010-09-16
EP2406819A2 (en) 2012-01-18
WO2010104800A3 (en) 2011-01-27
KR20110139261A (ko) 2011-12-28
KR101647008B1 (ko) 2016-08-10
JP2012520570A (ja) 2012-09-06
EP2406819A4 (en) 2017-05-03
JP2015084443A (ja) 2015-04-30
CN102422405A (zh) 2012-04-18
IL214932A0 (en) 2011-11-30
IL214932A (en) 2015-10-29
WO2010104800A2 (en) 2010-09-16
US8112241B2 (en) 2012-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6204336B2 (ja) ウェーハ用検査工程を生成するための方法及びシステム
US11275361B2 (en) Systems and methods for predicting defects and critical dimension using deep learning in the semiconductor manufacturing process
TWI798516B (zh) 取樣檢驗的方法及其系統與非暫態電腦可讀取儲存媒體
TWI750553B (zh) 對樣本的缺陷檢測的方法及其系統
US7904845B2 (en) Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
KR101381309B1 (ko) 계측 샘플링 계획을 생성하기 위한 컴퓨터-구현 방법들, 캐리어 매체들 및 시스템들
US8194968B2 (en) Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
US8422761B2 (en) Defect and critical dimension analysis systems and methods for a semiconductor lithographic process
CN105652589B (zh) 使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统
US20020052053A1 (en) Inspection system and semiconductor device manufacturing method
US7752581B2 (en) Design structure and system for identification of defects on circuits or other arrayed products
US20060265185A1 (en) System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9733640B2 (en) Method and apparatus for database-assisted requalification reticle inspection
KR20180095715A (ko) 웨이퍼 이미지 데이터와 함께 설계 데이터를 사용하는 반도체 웨이퍼 검사기들의 결함 감도 개선
JP2005259830A (ja) 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
WO2019006222A1 (en) SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING DEFECTS AND CRITICAL DIMENSION USING DEEP LEARNING IN A SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS
US20220196580A1 (en) Defect inspection methods of semiconductor wafers
JP7475901B2 (ja) 試験片上の欠陥検出の方法およびそのシステム
US11443420B2 (en) Generating a metrology recipe usable for examination of a semiconductor specimen

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160209

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160210

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160407

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20160627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170117

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170801

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170831

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6204336

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250