JP2006059701A - 荷電粒子ビーム装置およびそれを用いた狭ギャップ電極形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 試料表面の二点に接触する2本のプローバ23と、プローバ23が接触している二点間に一定の電圧を印加する電圧源24と、前記二点間に流れる電流を測定する電流計25とを有する集束イオンビーム装置であって、偏向電極15とガス銃18を動作させ前記2点間に導電膜をそのギャップが狭くなるように形成すると共に前記2点間に流れる電流をモニタし、前記電流が所定値になったらブランキング電極13にて試料表面に照射される集束荷電粒子ビームをオフにする。
【選択図】 図1
Description
"Fabrication of nano-gap electrodes for measuring electrical properties of organic molecules using a focused ion beam",Solid Thin Film 438-439 (2003) 374-377
して集束イオンビームが試料20表面に届かないようにすると、電極間の隙間を1nm以下に制御することができる。
12・・コンデンサレンズ
13・・ブランキング電極
14・・可動絞り
15・・偏向電極
16・・対物レンズ
17・・二次荷電粒子検出器
18・・ガス導入装置
19・・試料ステージ
20・・試料
21・・真空ポンプ
22・・試料室
23・・マニピュレータ
24・・電圧源
25・・電流計
Claims (14)
- 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から引き出された荷電粒子ビームを集束するための集束レンズ系と、前記集束荷電粒子ビームを試料上でオン/オフするためのブランキング電極と、前記集束荷電粒子ビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束荷電粒子ビームが照射される試料を載置し移動可能な試料ステージと、前記試料表面の集束荷電粒子ビーム照射位置にガスを局所的に吹き付けるためのガス銃と、前記集束荷電粒子ビームを試料に照射することにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、試料表面の二点に接触する2本のプローバと、前記プローバが接触している二点間に一定の電圧を印加する電圧源と、前記二点間に流れる電流を測定する電流計とからなることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1において、前記荷電粒子がイオンであることを特徴する荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1において、前記荷電粒子が電子であることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1から3に記載されている前記ガスが有機金属化合物ガスであることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
- 請求項1から4に記載された荷電粒子ビーム装置を用いて、試料表面に極狭い間隔で配置された電極を形成する方法において、
試料は、試料表面は絶縁物で、前記絶縁物の上に導電性薄膜による電極が二箇所あり、前記二つの電極の間に溝があることを特徴としていて、
前記二つの電極に前記プローバを接触し、前記二つの電極間の溝をまたぐように導電性薄膜の形成領域を設定し、前記導電性薄膜の形成領域に前記ガスを吹き付けながら荷電粒子ビームを走査照射して導電性薄膜を形成し、前記二つの電極間に定電圧を印加し、二電極間を流れる電流を測定して、前記電流値が所定の値より大きくなったことを検知し、前記ブランキング電極にて前記荷電粒子の前記導電性薄膜の形成領域への走査照射を終了することを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。 - 請求項5において、前記荷電粒子の走査が、前記試料表面に予め形成された二つの電極の第1の電極から第2の電極に向かって一方向に行われることを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。
- 請求項5において、前記荷電粒子の走査が、前記試料表面に予め形成された二つの電極の第1の電極と第2の電極の間を往復して行われることを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。
- 請求項5において、前記に電極間に印加される電圧を変更することにより、形成されるギャップの幅を制御することを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。
- 請求項5において、試料に形成されている溝は、基板を貫通している孔であることを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。
- 請求項5において、試料に形成されている溝は、その側壁は逆テーパー形状を持っていて、入り口から直視できない箇所があることを特徴路する狭ギャップ電極形成方法。
- 試料上に絶縁性のギャップ設けて一対の対峙する電極を形成する工程と、
前記電極間に電圧を印加し、前記電極間に流れる電流を測定しながら、前記電極間のギャップを狭めるように導電性膜を形成する工程とからなり、
前記電極間に流れる電流が所定の値になったら前記導電性膜の形成を終了することを特徴とする狭ギャップ電極形成方法。 - 前記導電性膜の形成は、荷電粒子ビームを用いたガスアシストデポジションにより行われることを特徴とする請求項11に記載の狭ギャップ電極形成方法。
- 前記ギャップは試料のメンブレン部に設けられた貫通穴であることを特徴とする請求項11記載の狭ギャップ電極形成方法。
- 荷電粒子源と、前記荷電粒子源から引き出された荷電粒子ビームを集束するための集束レンズ系と、前記集束荷電粒子ビームを試料上でオン/オフするためのブランキング電極と、前記集束荷電粒子ビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束荷電粒子ビームが照射される試料を載置し移動可能な試料ステージと、前記試料表面の集束荷電粒子ビーム照射位置にガスを局所的に吹き付けるためのガス銃と、前記集束荷電粒子ビームを試料に照射することにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、試料表面の二点に接触する2本のプローバと、前記プローバが接触している二点間に一定の電圧を印加する電圧源と、前記二点間に流れる電流を測定する電流計と、前記偏向電極とガス銃を動作させ前記2点間に導電膜をそのギャップが狭くなるように形成すると共に前記2点間に流れる電流をモニタし、前記電流が所定値になったら前記ブランキング電極にて試料表面に照射される集束荷電粒子ビームをオフにする制御手段とからなることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
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