JP4567684B2 - 測定方法及び測定装置 - Google Patents
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Description
そして、上記のTEM装置においては、試料の観察する上で、絞りの開口を固定として、電子レンズにより透過電子検出器へ導く電子の量を決定していた。
しかし、従来例1に係るTEM装置では、透過電子検出器に対する絞りも兼ねた半導体検出器の構造を、図1に示す絞り兼半導体検出器のような構造とすることにより、絞り兼半導体検出器の開口を可変とすることで、意図しない散乱電子の絞り兼半導体検出器からの通過を制限する工夫がされ、TEM装置により得られる試料通過後の電子回折像の改善がみられている。(特許文献1:特開平6−139988号公報)
ここで、図1に示す絞り兼半導体検出器は、半導体検出器1と、固定ピン2と、てこピン4と、ガイド穴3と、回転リング5と、台6と、軸7とから構成されている。そして、軸7により回転リングを回転させると、半導体検出器1がガイド穴3にそって動き、固定ピン2を中心に回転する。その結果、複数の半導体検出器1により形成される中央の穴径が変化する。そうすると、半導体検出器1の後に設置された透過電子検出器への電子量が調整される。そして、透過電子検出器及び半導体検出器1は、それぞれが捕捉した電子量に応じた暗視野または明視野の電子回折像が得られる。
ここで、従来例2に係るTEM装置の絞りを図2に示す。そして、図2の絞りは、4段階の大きさの開口を一組とした開口セットを複数有する下の絞り板133と、前記開口セットを一組有する上の絞り板130と、下の絞り板133の下の保持機構134と、上の絞り板130の上の保持機構131と、下の絞り板133が有する下の絞り穴136と、上の絞り板が有する上の絞り穴132とから構成されている。そして、電子線135の電子量を上の絞り板130で調整した後、さらに、下の絞り板133で調整することができる。また、上の絞り板130と、下の絞り板133とを微妙にずらすことにより、さらに、任意量に、電子線135を絞り込むことができる。
半導体装置の製造工程中において、即時、かつ、正確に、断面的な構造について、製造工程の結果を測定する測定方法及び測定装置を提供する。
上記の問題を解決するため、第1の発明は、結晶部分を含むものを薄膜化して試料を作成する試料作成工程と、前記試料に対して電子線を照射し、前記試料を透過した透過電子線に含まれる前記結晶部分で回折した電子線を任意の量に絞り、前記透過電子線から電子線結像を得る工程と、前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程を有し、前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程において、さらに、前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求めることを特徴とする測定方法を提供する。
第1の発明に係る測定方法によれば、試料に電子線を照射して得られた電子結像において、試料の厚さ等を厳格にコントロールすることなく、試料中の結晶部分から得られる格子縞が鮮明となるため、前記の格子縞の間隔をもとにして、半導体結晶基板を含む、半導体装置の任意の部分、例えば、半導体装置の製造工程により得られた結果等(ゲート酸化膜の厚さ等)の幅を測長することができる効果がある。
第2の発明に係る測定装置によれば、上記の電子線絞りが配設されているため、第1の発明に係る測定方法を実施するのに最適である効果がある。また、FIB照射装置と電子線照射装置が一つの装置としてまとめられているため、FIB照射による試料作成の後、すぐにTEM装置による観察結果がわかり、試料作成にかかる試行錯誤の期間を短縮できる効果がある。
(検査方法)
LSIデバイスの製造工程を行った結果を、即時に、かつ、正確に把握する測定の例として、LSIデバイスの微細構造を測長する測定がある。
しかし、LSIデバイスの平面的な構造に関する測長(例えば、フォトレジスト幅の測長等)は通常、行われているが、断面的な構造に関する測長、例えば、ゲート酸化膜の成長工程中の測長、シャロートレンチ絶縁膜の成長工程中の測長、金属配線からの金属の拡散を防止する拡散防止膜成長工程中の測長等の測長は次の問題点があり、容易ではなかった。
ここで、図3は試料10を透過した電子線13及び散乱された電子線14が電子回折像12を形成する様子を示した図である。すなわち、試料10は、結晶部分15を有し、電子線が照射されると、試料により殆ど散乱されずに透過した電子線13と、散乱された電子線14が生じる。散乱されずに透過した電子線13及び散乱された電子線14ともに、電子レンズ11を通過すると、集束する。その結果、散乱されずに透過した電子線13及び散乱された電子線14ともに、絞り17を通過し、検出器で、電子線を検出することにより、試料10の結晶部分15に対応する像16を含む、電子回折像12が形成される。
まず、前記試料作成工程20では、半導体チップ30中の観察対象31を、矢印で示すように、半導体チップ30から切り出す。次に、FIB32を上部より照射して、結晶基板34及び製造工程において追加された部分35が同一断面に現れるように、観察対象31を削り、薄膜化を行って試料33を作成する試料作成工程20である。
なお、薄膜化といった場合、上記では、FIB32を上部より照射して薄膜化する例を示したが、観察対象31の研磨等の手段で、薄膜化を行ってもよい。
(検査方法を行うのに適した検査装置)
LSIデバイスの断面的な構造に関する測長、例えば、ゲート酸化膜の成長工程中の測長、シャロートレンチ絶縁膜の成長工程中の測長、金属配線からの金属の拡散を防止する拡散防止膜成長工程中の測長等の測長を行う場合に、即時に、TEM装置により行うのには、次の問題があった。
まず、断面的な構造を観測するための試料作成が必要であり、FIB(focused ion beam)装置等による、断面構造の露出加工が必要となる状況にある。また、試料をTEM装置により観測しても、その試料により良好な結果を得られるとは限られないという状況である。なぜなら、電子散乱の状況は試料の大きさや厚さが影響し、調整が容易ではないからである。そこで、良い観測結果が得られるまで、試料作成について試行錯誤を繰り返すことになり、FIB装置と、TEM装置の間を行き来して行う試行錯誤には時間がかかる問題があった。
そして、コントローラ60は、CPU等の演算及び制御回路を含み、FIB照射装置68を制御するイオンビーム制御系61と、電子線照射装置69を制御する電子線照射装置69と、信号処理回路62と、及び、試料ステージ67を駆動するステージ駆動回路63に指令を送る。その結果、実施例2に係る装置は、図9に示すフローチャートに沿って動作し、製造工程により追加された部分の測長を行うことができる。
なお、電子線照射装置69が向いている方向と、FIB照射装置68が向いている方向とは、異なる方向である。なぜなら、FIBの照射による試料66の薄膜化には、上方からの照射が適しているが、電子線の透過により、試料66の断面を観察するには、電子線の照射は側面方向から電子線を照射するのが適しているからである。ただし、FIB照射の方向と、電子線照射の方向は、直交している必要なない。なぜなら、照射した電子線が試料66を透過することが期待でき、かつ、FIB照射装置と、衝突しない方向からの照射であれば充分だからである。
まず、左図は、断面観察に使用する突起部分と傾斜部分を有する試料115に対するFIBの照射方向と、電子線の放射方向を示したものである。すなわち、突起部分を薄膜化するため、FIBは上方から照射され、電子線は傾斜部分にあわせて、斜め右上から放射される。
なお、試料115のような形状となっているのは、突起部分を切り出す前の試料115の形状が半導体チップのように大きいものである場合に、半導体チップの端に、断面を観察するための突起部分を形成するが、半導体チップ全体を突起部分の下部にあわせるように削り込むことは時間がかかり困難であるから、電子線を放射される方向に傾斜部を設けたためである。
次に、中央図は、試料118が突起部分のみを有し、突起部分が上方を向いている場合に、FIBの照射を上方から行ない、電子線の放射は、突起部分の側面から行うことを示したものである。試料118が逆T型の形状なのは、試料118の元の形状がそれほど大きくなく、試料118の両方の端をFIBの照射により削り落としたからである。
さらに、右図は、試料121が突起部分のみを有し、突起部分が右方向に向いている場合に、FIBの照射を右側から行ない、電子線の放射は、上方から行ったことを示したものである。試料121がT型を横に倒したようになっているのは、試料の元の形状がそれほど大きくなく、試料121の上下の端をFIBの照射により削り落としたからである。
次に、回折した電子線の除去を目的として、試料を透過した電子線の量を調整するため、コントローラ60が信号処理回路62に指令を送り、電子線検出器64が有する、電子線の量を調整する絞りの開口の大きさを調整する。その結果、試料66の結晶部分で回折した電子線は絞られ、結晶部分の画像の濃淡がはっきりする。また、電子線回折像中の結晶部分に現れる回折格子縞は鮮明となる。
次に、試料66の薄膜化の状態を判断する工程75では、絞りの開口の大きさの調整を行った結果、得られた電子線回折像について、充分に、鮮明なものが得られたかを判断する。そして、電子線回折像が充分に鮮明でないと判断するときは、コントローラ60に対して、薄膜化の量を指定して、もう一度、試料作成工程71に戻るよう指令する。一方、電子線回折像が充分に鮮明であると判断するときは、次の工程へ進む。
すなわち、図11の下段図に示す絞り84は、図11の上段図に示した、突起部分83と、幅が一定な長方形状の開口81と、卵の断面とほぼ同一な形状をした開口82を有する板80を、2枚、向かい合わせに重ねて構成されており、上記の卵の断面とほぼ同一な形状をした開口82が、重なった部分に開口85を有する。そして、一方の板に対して、他方の板がスライドすることにより、前記の開口85の大きさを調整することができる。なお、板をスライドすることにより、開口85の大きさが変化するのであれば、かならずしも卵の断面とほぼ同一な形状をした開口82である必要はなく、開口が一点を起点として末広がりの形状(例えば、扇型)であってもよく、さらに、楕円型の形状であってもよい。
なお、卵の断面とほぼ同一な形状をした開口82の形状を卵型の断面状としたのは、開口85がほぼ円形となることが目的である。従って、卵の断面とほぼ同一な形状とは、半径を徐々に大きくした複数の円を重ねて得られた図形である。
(検査方法を行うのに適した半導体装置)
LSIデバイスの断面的な構造に関する測長、例えば、ゲート酸化膜の成長工程中の測長、シャロートレンチ絶縁膜の成長工程中の測長、金属配線からの金属の拡散を防止する拡散防止膜成長工程中の測長等の測長を行う場合に、即時に半導体装置を用いて行うには、次の問題があった。すなわち、断面的な構造を測定するための試料作成が必要であり、断面構造を露出する加工は、半導体装置の素子部分について行う必要があるにも係わらず、加工対象である素子を特定する手間がかかる問題があった。
まず、図13は、半導体基板90を示す左図と、半導体基板上の半導体チップ92の端を拡大した右図とから構成されている。そして、図13の左図に示した半導体基板90上には、回路素子が形成されている半導体チップ92が、行、列状態に制作されている。また、図13の右図に示す半導体チップ92の端には、半導体チップ92を半導体基板90から切り離すためのスクライブ領域が配置されている。また、そのスクライブ領域には、半導体チップに傷がつくのを防止するため、半導体チップ92を切断する装置の刃が左右に振れないようにガイドするスクライブライン91が設けられている。さらに、スクライブ領域には、スクライブライン91に沿って、半導体チップ92が切断されたとしたなら、同時に切断される位置にモニター素子93が配置されている。
ここで、上記のモニター素子93は、半導体チップ92上の回路素子と断面的な構造において同一の構造である。従って、半導体チップ92が個々に切断された場合に、実施例2に係る装置において、FIBを照射して、図14に示すような形状に上記のモニター素子93を加工した後、電子線の照射を行って、上記のモニター素子93の断面的な構造を反映した電子線回折像を得ることができる。
なお、モニター素子101には、半導体チップ100上の回路素子と同一の断面をもたせることもできるし、回路素子の一部の断面をもたせることもできる。また、回路素子間を絶縁する絶縁素子の形状をもたせることができる。
2 固定ピン
3 ガイド穴
4 てこピン
5 回転リング
6 台
7 軸
10 試料
11 電子レンズ
12 電子回折像
13 散乱されずに透過した電子線
14 散乱された電子線
15 結晶部分
16 試料の結晶部分に対応する像
17 絞り
20 試料作成工程
22 鮮明な電子回折像を得る画像鮮明化工程
24 測長工程
30 半導体チップ
31 観察対象
32 FIB
33 試料
34 結晶基板
35 製造工程において追加された部分
40 試料
41 電子レンズ
42 電子回折像
43 殆ど回折しない透過電子線
44 回折した透過電子線
45 結晶部分
46 結晶部分の像
47 絞り
50 製造工程で追加された部分
51 層間絶縁膜
52 結晶部分の像
53 実線
54 白矢
60 コントローラ
61 イオンビーム制御系
62 信号処理回路
63 ステージ駆動回路
64 電子線検出器
65 試料室
66 試料
67 試料ステージ
68 FIB照射装置
69 電子線照射装置
70 電子線制御系
71 試料作成工程
73 鮮明な電子回折像を得る画像鮮明化工程
75 薄膜化の状態を判断する工程
76 測長工程
80 板
81 長方形状の開口
82 卵の断面とほぼ同一な形状をした開口
84 絞り
85 開口
90 半導体基板
91 スクライブライン
92 半導体チップ
93 モニター素子
100 半導体チップ
101 モニター素子
102 電子線を照射する部分
103 素子断面
104 傾斜部
105 試料
110 開口
111 板
112 絞り
113 開口
115、118、121 試料
116、119、123 FIB
117、120、122 電子線
125、126、127、128 断面図
130 上の絞り板
131 上の保持機構
132 上の絞り穴
133 下の絞り板
134 下の保持機構
135 電子線
136 下の絞り穴
Claims (10)
- 結晶部分を含むものを薄膜化して試料を作成する試料作成工程と、
前記試料に対して電子線を照射し、前記試料を透過した透過電子線に含まれる前記結晶部分で回折した電子線を任意の量に絞り、前記透過電子線から電子線結像を得る工程と、
前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程を有し、
前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程において、
さらに、
前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、
現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求めることを特徴とする測定方法。 - LSIデバイスのSi結晶部分を含むものを薄膜化して試料を作成する試料作成工程と、
前記試料に対して電子線を照射し、前記試料を透過した透過電子線に含まれる前記結晶部分で回折した電子線を任意の量に絞り、前記透過電子線から電子線結像を得る工程と、
前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程を有し、
前記電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する工程において
さらに、
前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、
現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求めることを特徴とする測定方法。 - 請求項1に記載した測定方法であって、
前記試料作成工程において、
前記結晶部分を含むものの薄膜化を、FIBの照射により行うことを特徴とする測定方法。 - 請求項2に記載した測定方法であって、
前記LSIデバイスの試料作成工程において、
前記結晶部分を含むものの薄膜化を、FIBの照射により行うことを特徴とする測定方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載した測定方法であって、
前記電子線結像を得る工程において、
電子線を検出する装置を用いて行われ、
前記試料と電子線を検出する装置との間に配置された絞りを連続可変にすることにより、
前記結晶部分で回折した電子線を任意の量に絞ることを特徴とする測定方法。 - 一方の角度から、測定対象に対してFIBを照射するFIB照射装置と、
他方の角度から、前記測定対象に対して、電子線を照射する電子線照射装置と、
前記測定対象を透過した、前記電子線を検出する電子線検出装置と、
電子線検知装置と測定対象との間に配設され、電子線が通過する開口を調整可能な電子線絞りと、
前記電子線絞りを通過し、前記電子線検出装置が検出した前記電子線から電子線結像を得て、当該電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する手段と、
を備え、
前記手段は、
さらに、
前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、
現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求めることを特徴とする測定装置。 - 一方の角度から、測定対象に対してFIBを照射するFIB照射装置と、
他方の角度から、前記測定対象に対して、電子線を照射する電子線照射装置と、
前記測定対象を透過した、前記電子線を検出する電子線検出装置と、
電子線検知装置と測定対象との間に配設され、電子線が通過する開口を調整可能な電子線絞りと、
前記電子線絞りを通過し、前記電子線検出装置が検出した前記電子線から電子線結像を得て、当該電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する手段と、
を備え、
前記手段は、
さらに、
前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、
現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求め、
前記絞りは、
第1の開口を、中央部分に有する2枚の板を、
一方の板が有する第1の開口と、他方の板が有する第1の開口とが向かい合うように、重ねることで構成され、
一方の板の第1の開口と他方の板の第1の開口が重なって得られる第2の開口の大きさを、一方の板を他方の板に対してスライドすることにより、調整することを特徴とする測定装置。 - 一方の角度から、測定対象に対してFIBを照射するFIB照射装置と、
他方の角度から、前記測定対象に対して、電子線を照射する電子線照射装置と、
前記測定対象を透過した、前記電子線を検出する電子線検出装置と、
電子線検知装置と測定対象との間に配設され、電子線が通過する開口を調整可能な電子線絞りと、
前記電子線絞りを通過し、前記電子線検出装置が検出した前記電子線から電子線結像を得て、当該電子線結像中において、前記結晶部分から得られた格子縞の幅と、任意の部分の幅を比較する手段と、
を備え、
前記手段は、
さらに、
前記電子結像中の前記格子縞の幅と、任意の部分の幅の比率を求め、
現実の前記格子縞に対応する格子定数と、前記比率とから、現実の前記任意の部分の幅を求め、
前記絞りは、
第1の開口を、中央部分に有する8枚の長方形の板を、
前記8枚の長方形の板の内、一の前記長方形の板を0度の角度として配置し、
前記第1の開口の一部が重なるように、順次、他の一の前記長方形の板を45度の角度をつけて重ねて配置して構成され、
前記8枚の長方形の板の前記第1の開口の共通部分により得られた第2の開口について、8枚の長方形の板をそれぞれの配置角度にそって、同程度スライドすることにより、前記第2の開口の大きさを調整することを特徴とする測定装置。 - 請求項6乃至8のいずれか1項に記載した測定装置であって、
前記一方の角度は、垂直方向であり、
前記他方の角度は、水平方向であることを特徴とする測定装置。 - 請求項6乃至8のいずれか1項に記載した測定装置であって、
前記一方の角度は、水平方向であり、
前記他方の角度は、垂直方方向であることを特徴とする測定装置。
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