JP5283830B2 - 欠陥検査方法 - Google Patents
欠陥検査方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5283830B2 JP5283830B2 JP2006163776A JP2006163776A JP5283830B2 JP 5283830 B2 JP5283830 B2 JP 5283830B2 JP 2006163776 A JP2006163776 A JP 2006163776A JP 2006163776 A JP2006163776 A JP 2006163776A JP 5283830 B2 JP5283830 B2 JP 5283830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defects
- scattered light
- defect
- intensity
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
- G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
(a)検査対象物と同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
(b)工程aで検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
(c)前記工程bで分類された結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を有する欠陥検査方法が提供される。
2 ステージ
3 レーザ光原
4 光検出器
5 半導体ウエハ(検査対象物)
10 制御装置
11 検査レシピ登録部
12 欠陥情報記憶部
15 入出力装置
20 走査型電子顕微鏡(SEM)
30 基板
31 素子分離絶縁膜
32 MOSFET
35、40、45 層間絶縁膜
36 タングステンプラグ
41、46 配線
50 表面の異物
51 内層の異物
Claims (5)
- (a)検査対象物と同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
(b)工程aで検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
(c)前記工程bで分類された結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を有する欠陥検査方法。 - さらに、前記工程cの後に、(d)検査対象物の表面からの散乱光を観測して、前記判定しきい値以上の散乱光強度を示す欠陥の個数を計数する工程を有する請求項1に記載の欠陥検査方法。
- 前記工程bにおける観測が走査型電子顕微鏡により行われる請求項1または2に記載の欠陥検査方法。
- 前記工程aが、
(a1)前記サンプルの表面に形成された合同のパターンを持つ2つの領域からの散乱光の強度分布を測定する工程と、
(a2)前記工程a1で測定された2つの散乱光の強度分布の差分を算出する工程と、
(a3)前記工程a2で算出された差分から欠陥を検出する工程と
を含む請求項1〜3のいずれかに記載の欠陥検査方法。 - 前記工程cが、
前記工程bにおいて検出できる群に分類された欠陥のうち、最も小さな散乱光強度を示す欠陥が計数されるように前記判定しきい値を決定する請求項1〜4のいずれかに記載の欠陥検査方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163776A JP5283830B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | 欠陥検査方法 |
US11/580,870 US7948618B2 (en) | 2006-06-13 | 2006-10-16 | Defect inspection method and apparatus with a threshold value determination |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006163776A JP5283830B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | 欠陥検査方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011180138A Division JP5375896B2 (ja) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007333476A JP2007333476A (ja) | 2007-12-27 |
JP5283830B2 true JP5283830B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=38821576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006163776A Expired - Fee Related JP5283830B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | 欠陥検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7948618B2 (ja) |
JP (1) | JP5283830B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5022648B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
JP5585438B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-09-10 | 株式会社Sumco | ウェーハの欠陥検出方法 |
JP5949192B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-07-06 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の欠陥試験装置 |
US9916965B2 (en) * | 2015-12-31 | 2018-03-13 | Kla-Tencor Corp. | Hybrid inspectors |
KR101759878B1 (ko) | 2016-01-14 | 2017-07-20 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법 |
US10145981B2 (en) * | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Garadget Inc. | System, device, and method for monitoring and controlling the position of a remote object |
CN111855663B (zh) * | 2019-04-30 | 2023-06-27 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 一种检测晶圆缺陷的设备和方法 |
CN116642903A (zh) * | 2023-04-17 | 2023-08-25 | 国能锅炉压力容器检验有限公司 | 一种基于激光扫描现场获取连续金相组织的设备及方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3329805B2 (ja) * | 1990-08-29 | 2002-09-30 | 株式会社日立製作所 | 自動外観検査装置及び外観検査方法 |
JP2647051B2 (ja) * | 1995-03-09 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 外観検査装置 |
JP3686160B2 (ja) * | 1995-04-10 | 2005-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ウエハ表面検査方法および検査装置 |
JP2981434B2 (ja) * | 1997-01-27 | 1999-11-22 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検出方法とその装置 |
US6476913B1 (en) * | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
US6643007B2 (en) * | 2000-07-12 | 2003-11-04 | Tuan Le | Apparatus for optical inspection of a working surface having a dynamic reflective spatial attenuator |
JP4014379B2 (ja) * | 2001-02-21 | 2007-11-28 | 株式会社日立製作所 | 欠陥レビュー装置及び方法 |
JP4703870B2 (ja) | 2001-03-07 | 2011-06-15 | 三徳化学工業株式会社 | 使用済高純度過酸化水素水充填用容器の汚染検査方法および検査装置 |
JP2002303587A (ja) | 2001-04-03 | 2002-10-18 | Nec Kansai Ltd | 外観検査方法及び装置 |
JP2003044832A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Kobe Steel Ltd | 検査パラメータ設定方法、検査パラメータ設定装置及び検査パラメータ設定プログラム |
DE10141051A1 (de) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Leica Microsystems | Anordnung und Verfahren zur Inspektion von unstruktuierten Wafern |
JP3903889B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 |
JP3848236B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2006-11-22 | 株式会社東芝 | 欠陥情報検出感度データの決定方法及び欠陥情報検出感度データの決定装置、欠陥検出装置の管理方法、半導体装置の欠陥検出方法及び半導体装置の欠陥検出装置 |
AU2003290752A1 (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-03 | Fei Company | Defect analyzer |
JP2004239728A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査方法及び装置 |
JP4521240B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
US7355709B1 (en) * | 2004-02-23 | 2008-04-08 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for optical and non-optical measurements of a substrate |
JP2005249745A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Ebara Corp | 試料表面検査方法および検査装置 |
KR20180037323A (ko) * | 2004-10-12 | 2018-04-11 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 표본 상의 결함들을 분류하기 위한 컴퓨터-구현 방법 및 시스템 |
JP2006300775A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Olympus Corp | 外観検査装置 |
JP2007071803A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察方法及びその装置 |
-
2006
- 2006-06-13 JP JP2006163776A patent/JP5283830B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-16 US US11/580,870 patent/US7948618B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7948618B2 (en) | 2011-05-24 |
JP2007333476A (ja) | 2007-12-27 |
US20070285653A1 (en) | 2007-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5283830B2 (ja) | 欠陥検査方法 | |
JP5357725B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
JP5097335B2 (ja) | プロセス変動のモニタシステムおよび方法 | |
JP4163344B2 (ja) | 基板検査方法および基板検査システム | |
US8462352B2 (en) | Surface inspection tool and surface inspection method | |
US7339391B2 (en) | Defect detection method | |
TWI484169B (zh) | Charged particle line device | |
US20040084671A1 (en) | Padless structure design for easy identification of bridging defects in lines by passive voltage contrast | |
TWI761556B (zh) | 用於識別一晶圓上之損害缺陷之一來源之系統、方法及非暫時性電腦可讀媒體 | |
JP2004259894A (ja) | 半導体装置の解析方法、解析システム及びプログラム | |
US7738119B2 (en) | Optical inspection system for a wafer | |
CN111837227B (zh) | 用于确定在晶片上所检测到的缺陷位于上面的层的系统 | |
KR20070113655A (ko) | 박막의 두께 측정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
JP4679299B2 (ja) | 検査方法、検査装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5375896B2 (ja) | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 | |
JP2008034475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20090218490A1 (en) | Apparatus and method of semiconductor defect inspection | |
JP5733011B2 (ja) | 欠陥検査方法、半導体装置の製造方法及び欠陥検査装置 | |
JP3903901B2 (ja) | 薄膜デバイスの膜厚検査方法 | |
KR100817082B1 (ko) | 표면 균일도 평가 시스템 및 그 평가 방법 | |
Devanciard et al. | Through silicon via process characterization by integrated inspection/metrology solutions in visible and infrared domain | |
Song et al. | Efficient and Effective Failure Analysis of Low-Resistive Defect in Logic Device Using Layout-aware and Volume Diagnosis | |
US20220130733A1 (en) | Semiconductor device including a test dummy pattern, method of manufacturing the semiconductor device and method of inspecting an error using the test dummy pattern | |
Fujimori et al. | A new methodology for TSV array inspection | |
JP2013084805A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20080729 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090227 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110822 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120214 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120217 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120330 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130529 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5283830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |