JP5949192B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の欠陥試験装置 - Google Patents
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この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造工程における検査や試験を効率良く行うことを目的とする。
前述の一般的な説明及び以下の詳細な説明は、典型例及び説明のためのものであって、本発明を限定するためのものではない。
半導体装置は、ダマシン法やデュアルダマシン法を用いて製造した多層配線構造を有する。例えば、図1に示す第1の配線層31は、第1の層間絶縁膜20の配線溝27に銅膜29を埋め込んだ後、CMP法によって余分な銅膜29と第1の層間絶縁膜20の上側の一部を除去することで形成されている。このときに、配線溝27の壁部27Aでは、第1の層間絶縁膜20の上端部分がスクラッチされることによって膜の一部が欠落することがある。例えば、チップ領域75Aでは、配線溝27の壁部27Aに深さH1の第1のスクラッチ76が1つ生じている。第1のスクラッチ76は、CMP法による研磨によって第1の層間絶縁膜20の一部が引き剥がされることによって生じている。
欠陥試験装置91は、ウェハ1を載置するテーブル92を有し、テーブル92の上方にはレーザ光源93と、レーザ光の散乱光を検出する散乱光検出器94とが配置されている。さらに、欠陥試験装置91は、レーザ光源93と散乱光検出器94に接続された制御装置95を有する。
図9の工程リストに示すように、ステップS101で、ウェハ1上の半導体素子と第1の配線層31及び第2の配線層61の配線溝49を形成する。ステップS102では、欠陥試験を行う。欠陥試験は、欠陥試験装置91を用いて行われ、バーンイン試験等で動作不良になるチップを検出する。続くステップS103で、配線溝49に銅膜50を埋め込んで2層目の配線層61を形成する。この後、ステップS104で、前工程試験としてトランジスタなどの性能チェックを行い、故障が検出されたチップを廃棄する。
最初に、図10Aに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、n型又はp型のウェハ1の表面を熱酸化することにより素子分離絶縁膜2を例えば30nmの深さに形成し、この素子分離絶縁膜2でトランジスタの活性領域を画定する。ウェハ1には、例えば、シリコン基板が用いられる。また、素子分離構造は、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)と呼ばれることもある。素子分離領域2には、STI(Shallow Trench Isolation)を用いても良い。
ウェハ1の上側の全面に、酸化膜14として、例えば酸化シリコン膜(SIO膜)をプラズマCVD法によって1000nmの厚さに形成する。この後、CMP法によって酸化膜14の表面を研磨して平坦化する。
酸化膜14上及び導電性プラグ16上に、第1の層間絶縁膜20として、第1のSOG膜21と第1のSIO膜22とを順番に形成する。第1のSOG膜21は、最初にスピンナー型の塗布装置を用いて例えば、300nmの厚さに塗布する。塗布材料は、例えばイソプロピルアルコールなどの溶剤にSiO2を溶かして形成される。第1のSIO膜22は、SiH4ガスを用いたプラズマCVD法によって300nmの厚さに形成する。第1の層間絶縁膜20は、その他の絶縁材料、例えばSIOCを用いて形成しても良い。
ハードマスク23Aを用いて第1のSIO膜22と第1のSOG膜21をドライエッチングして配線溝27を形成する。第1のSIO膜22のドライエッチングの条件は、例えば、エッチング装置のチャンバ内にArガスを400sccm、O2ガスを10sccm、CF4ガスを10sccm、それぞれ流し、高周波電源のパワーは上部電極を490W、下部電極を1860Wとする。さらに、第1のSOG膜21のドライエッチングの条件は、例えば、チャンバ内にN2ガスを500sccm、H2ガスを150sccm、CH2F2ガスを2sccm、それぞれ流し、高周波電源のパワーは上下の電極共に350Wとする。これによって、配線溝27が形成される。さらに、配線溝27の底部には、下層の導電性プラグ16が露出する。
配線溝27の内壁及び基板1の表面を含む全面に、バリア膜28を例えばPVD法によって10nmの厚さに形成する。バリア膜28としては、Ta膜、Ti膜、TaN膜、TiN膜、WN膜、又はこれらの積層を用いることができる。
第1のSIO膜22の上の余分な銅膜29をCMP法による研磨で除去する。研磨によって余分な銅膜29を除去すると共に、第1のSIO膜22上のバリア膜28及びハードマスク23Aを除去する。これによって、第1の層間絶縁膜20に配線30(回路パターン)が埋め込まれた第1の配線層31が形成される。
フォトリソグラフィ技術を用いてレジスト膜46をパターニングしてマスクを形成する。さらに、マスクを用いてBARC膜45と絶縁膜44を順番にエッチングする。これによって、絶縁膜44がパターニングされて、ハードマスク44Aが形成される。ドライエッチングの条件は、例えば、チャンバ内にArガスを400sccm、O2ガスを15sccm、CF4ガスを10sccm、CH2F2ガスを2sccm、それぞれ流し、高周波電源のパワーは上部電極を1750W、下部電極を200Wとする。
ウェハ1をテーブル92上に載置したら、制御装置96の装置制御部97がウェハ1の上方に形成された第2の層間絶縁膜43上の所定位置にレーザ光を10°〜30°の傾斜角度で照射する。ここで、図2に示す配線溝49の溝幅W1は、0.1μm〜0.5μmであった。また、配線溝49の壁部49Aの幅W2は、0.1μm〜2.0μmであった。これらの幅W1,W2は、第1の配線層31における配線溝27の溝幅及び壁部27Aの幅と同じである。
最初に、図11Aに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
配線溝49及びビアホール47を含む第2の層間絶縁膜40の全面に、不図示のバリアメタル膜を例えばスパッタ法によって形成する。さらに、バリアメタル膜の上に銅膜50をメッキ法によって形成する。銅膜50の膜厚は、例えば800nmとする。
図12には、実施の形態の変形例として、欠陥試験を多層配線構造の各層を形成する度に実施する場合の製造方法の工程リストが示されている。
まず、ステップS201で半導体素子、例えばトランジスタを形成する。続いて、ステップS202で半導体素子の上に第1の配線層31の配線溝27を形成してから、ステップS203で第1の欠陥試験を実施する。第1の欠陥試験は、図7の欠陥試験装置91を用い、第1の層間絶縁膜20の表面の検査を行う。
さらに、従来では、ステップS213の後工程としてストレス試験と、ストレス試験後の工程試験を実施していた。この実施の形態では、これらの試験が不要になるので半導体装置の生産性が向上する。
(付記1) ウェハの上方にダマシン法を用いて第1の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面にレーザ光を斜めに照射し、前記絶縁膜の表面における散乱光を散乱光検出器を用いて取得する工程と、
前記散乱光の強度が予め定められた閾値以上のときに、前記レーザ光を照射した領域に動作不良を発生する欠陥が生じていると制御装置が判定する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
(付記2)
前記レーザ光は、前記絶縁膜に対して10°〜30°の傾斜角度で入射することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
(付記3)
前記散乱光を取得する工程は、前記第1の配線層の配線材料を研磨によって除去するときに前記第1の配線層に形成されたスクラッチによって前記絶縁膜に形成された凹部における散乱光を受光することを特徴とする付記1又は付記2に記載の半導体装置の製造方法。
(付記4)
第1の配線層の配線の間隔は、0.1μmから2.0μmであることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記5)
前記レーザ光の照射による欠陥の判定工程は、ダマシン法を用いた配線の上に絶縁膜を形成する度に実施されることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
(付記6)
ウェハの上方にダマシン法を用いて製造した第1の配線層の上に形成された絶縁膜に、前記レーザ光を前記絶縁膜に対して10°〜30°の傾斜角度で入射する工程と、
前記絶縁膜の表面にレーザ光を斜めに照射し、前記絶縁膜の表面における散乱光を取得する工程と、
前記散乱光の強度が予め定められた閾値以上のときに、前記レーザ光を照射した領域に動作不良を発生する欠陥が生じていると判定する工程と、
を含む半導体装置の欠陥試験方法。
(付記7)
ダマシン法により形成された第1の配線層の上に配置された薄膜に対して10°〜30°の傾斜角度でレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記薄膜の表面における前記レーザ光の散乱光を検出する散乱光検出器と、
前記散乱光検出器で検出した散乱光の強度が予め定められた閾値以上のときに、前記レーザ光を照射した領域に動作不良を発生する欠陥が生じていると判定する制御装置と、
を含むことを特徴とする半導体装置の欠陥試験装置。
29 銅膜(配線材料)
31 第1の配線層
43 第2の層間絶縁膜
76 第1のスクラッチ
77 第2のスクラッチ
83 第1の凹部
84 第2の凹部
91 欠陥試験装置
93 レーザ光源
94 散乱光検出器
95 制御装置
96 記憶装置
97 装置制御部
98 判定部
α 傾斜角度
Claims (5)
- ウェハの上方にダマシン法を用いて第1の配線層を形成する工程と、
前記第1の配線層の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面にレーザ光を斜めに照射し、前記第1の配線層の配線材料を研磨によって除去するときに前記第1の配線層に形成されたスクラッチによって前記絶縁膜の表面に形成された凹部における散乱光を散乱光検出器を用いて取得する工程と、
前記散乱光の強度が予め定められた閾値以上のときに、前記レーザ光を照射した領域に動作不良を発生する欠陥が生じていると制御装置が判定する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記レーザ光は、前記絶縁膜に対して10°〜30°の傾斜角度で入射することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の配線層の配線の間隔は、0.1μmから2.0μmであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザ光の照射により前記欠陥が生じていると制御装置が判定する工程は、ダマシン法を用いた配線の上に絶縁膜を形成する度に実施されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- ダマシン法により形成されたスクラッチを含む第1の配線層の上に配置された表面に凹部が形成された薄膜に対して10°〜30°の傾斜角度でレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記薄膜の表面の凹部における前記レーザ光の散乱光を検出する散乱光検出器と、
前記散乱光検出器で検出した前記散乱光の強度が予め定められた閾値以上のときに、前記レーザ光を照射した領域に動作不良を発生する欠陥が生じていると判定する制御装置と、
を含むことを特徴とする半導体装置の欠陥試験装置。
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