JP5107627B2 - 半導体ウェーハ、および、それを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態1では、製造段階で検査工程を有する半導体装置の製造技術において、その製造歩留まりを向上させる技術を例示する。
上記実施の形態1では、スクライブ領域Sの多層の配線層MWに配置されたTEGに関して、接触テストパターンTeの存在しない領域に非接触テストパターンTmを配置する半導体ウェーハWを例示した。これにより、検査対象となる素子数を飛躍的に増加させることができ、半導体装置の製造工程における欠陥検出効率を向上させることで、製造歩留まりの向上が可能となる技術を例示した。
2 分離部
3n,3p エクステンション領域
4 サイドウォールスペーサ
5 シリサイド層
6a〜6k 層間絶縁膜(第1絶縁膜)
61 エッチストップ層
62 主絶縁膜
71 主コンタクト金属
72 バリア金属
8 拡散層
W 半導体ウェーハ
F1 表面(第1主面)
F2 裏面(第2主面)
C チップ領域(複数のチップ領域)
S スクライブ領域(切断領域)
T 検査体
pw p型ウェル
nw n型ウェル
Qn n型チャネル電界効果トランジスタ(複数の素子)
Qp p型チャネル電界効果トランジスタ(複数の素子)
SDn,SDp ソース/ドレイン領域
GI1 ゲート絶縁膜
GE1 ゲート電極
MW 多層の配線層
CP コンタクトプラグ(導体膜)
CNT コンタクト層
M1〜M5 主配線(導体膜)
ML1〜ML5 主配線層
V1〜V5 ビアプラグ(導体膜)
VL1〜VL5 ビア層
WC チップ配線
PD 外部端子
PD2 パッド
Te 接触テストパターン(接触型検査体)
De 接触テスト素子
De1 第1接触テスト素子(第1接触型検査素子)
De2 第2接触テスト素子(第2接触型検査素子)
We 接触テスト素子用配線(接触型検査素子用配線)
Pe 複数の検査用外部端子
Tm 非接触テストパターン(非接触型検査体)
Dm2 第2非接触テスト素子(第2非接触型検査素子)
Wm 非接触テスト素子用配線(非接触型検査素子用配線)
A スクライブ方向(第1方向)
B 横断方向(第2方向)
CN 鎖状配線(複数の鎖状配線)
EI 電子線式検査装置
EG 電子銃
CL コンデンサレンズ
DF 偏向器
OL 対物レンズ
DT 検出器
ST ステージ
EB 電子線(一次荷電粒子)
SE 二次電子
e 電子
Rc 半導体素子領域
Rs 検査素子領域
Claims (9)
- 厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第1主面、および、第2主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の第1主面に配置された複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域の境界領域に配置された切断領域と、
前記半導体基板の第1主面上に形成された多層の配線層とを有し、
(a)前記複数のチップ領域には、
前記半導体基板の第1主面に配置された複数の素子と、
前記多層の配線層に形成され、前記複数の素子に電気的に接続されたチップ配線と、
前記多層の配線層の最上層に形成され、前記チップ配線に電気的に接続された外部端子とが形成されており、
(b)前記切断領域には、
外部からの電気的な接触により検査される接触型検査体と、
前記外部からの電気的な接触に依らずに非接触で検査される非接触型検査体とが配置されており、
(c)前記接触型検査体は、前記切断領域において、
(c1)前記半導体基板の第1主面に形成された第1接触型検査素子と、
(c2)前記多層の配線層に形成された第2接触型検査素子と、
(c3)前記多層の配線層に形成され、前記第1接触型検査素子、および、前記第2接触型検査素子に電気的に接続された、接触型検査素子用配線と、
(c4)前記多層の配線層の最上層に形成され、前記接触型検査素子用配線と電気的に接続された、複数の検査用外部端子とを備え、
(c5)前記複数の検査用外部端子に対して外部から検査用端子を接触させることで前記第1接触型検査素子、または、前記第2接触型検査素子の電気的な検査を行なう検査体であり、
(d)前記非接触型検査体は、前記切断領域において、
(d1)前記半導体基板の第1主面に形成され、前記第1接触型検査素子が存在しない領域に配置された第1非接触型検査素子と、
(d2)前記多層の配線層における1層、または、複数層に形成され、前記第2接触型検査素子が存在しない領域に配置された第2非接触型検査素子と、
(d3)前記多層の配線層における1層、または、複数層に形成され、前記第1非接触型検査素子、前記第2非接触型検査素子、および、前記半導体基板に電気的に接続された、非接触型検査素子用配線とを備え、
(d4)前記第1非接触型検査素子、または、前記第2非接触型検査素子が配置された層毎に電子線式検査装置を用いて非接触で検査を行なう検査体であって、前記切断領域に一次荷電粒子を照射することで、前記第1非接触型検査素子、または、前記第2非接触型検査素子から放出される二次電子を検出し、断線箇所の有無を評価するための検査体であり、
前記切断領域の第2接触型検査素子は、前記半導体基板の第1主面から厚さ方向に離れるに従って、前記第1主面に沿う方向にずれるように配置することで、互いに重なることが無いように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1記載の半導体ウェーハにおいて、
前記切断領域の第2非接触型検査素子は、前記多層の配線層の複数層にわたって存在し、かつ、電気的に直列に接続した複数の鎖状配線で構成され、
前記複数の鎖状配線は、前記切断領域の長手方向である第1方向にそれぞれ間隔を隔て、かつ、互いに電気的に並列に接続され、
個々の前記複数の鎖状配線は、前記第1方向に対して交差する第2方向に延在するように形成され、
前記第2方向に延在する個々の前記複数の鎖状配線は、一端は前記非接触型検査素子用配線を通じて前記半導体基板に電気的に接続されており、他端は前記多層の配線層中で終端されており、
前記多層の配線層に形成された、前記第2非接触型検査素子を構成する前記複数の鎖状配線と、前記複数のチップ領域の前記チップ配線とでは、同一層に存在するものは同一の材料で形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1記載の半導体ウェーハにおいて、
前記切断領域の前記多層の配線層に形成された前記第2非接触型検査素子のうち、前記多層の配線層の中で、離れた領域に配置された複数の前記第2非接触型検査素子は、同層に存在する前記第2接触型検査素子、または、前記接触型検査素子用配線を避けるようにして形成された前記非接触型検査素子用配線によって、互いに電気的に並列に接続されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - 請求項1記載の半導体ウェーハにおいて、
前記切断領域の前記非接触型検査素子用配線の一部は、前記多層の配線層を貫通して前記半導体基板に電気的に接続されており、前記第2非接触型検査素子は前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴とする半導体ウェーハ。 - (a)厚さ方向に沿って互いに反対側に位置する第1主面、および、第2主面を有する半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板の第1主面において、複数のチップ領域の各々に複数の素子を形成するとともに、前記複数のチップ領域の境界領域に配置された切断領域に第1接触型検査素子、および、第1非接触型検査素子を形成する工程と、
(c)前記半導体基板の第1主面上に多層の配線層を形成する工程とを有し、
前記多層の配線層の形成工程においては、
(c1)前記多層の配線層において、
前記チップ領域には、前記複数の素子に電気的に接続されるチップ配線を形成するとともに、
前記切断領域には、第2接触型検査素子と、前記第1接触型検査素子、および、前記第2接触型検査素子に電気的に接続している接触型検査素子用配線とを形成するとともに、
前記切断領域における前記第2接触型検査素子、および、前記接触型検査素子用配線が存在しない領域に、第2非接触型検査素子と、前記第1非接触型検査素子、および、前記第2非接触型検査素子に電気的に接続している非接触型検査素子用配線とを形成する工程と、
(c2)前記多層の配線層の最上層において、
前記複数のチップ領域には、前記チップ配線に電気的に接続された外部端子を形成するとともに、
前記切断領域には、前記接触型検査素子用配線に電気的に接続された、複数の検査用外部端子を形成する工程と、
(c3)前記多層の配線層毎に電子線式検査装置を用いて、前記第1非接触型検査素子、または、前記第2非接触型検査素子を非接触で検査する工程であって、前記切断領域に一次荷電粒子を照射することで、前記第1非接触型検査素子、または、前記第2非接触型検査素子から放出される二次電子を検出し、断線箇所の有無を評価する工程とを有し、
前記多層の配線層の形成工程後においては、
前記切断領域の前記複数の検査用外部端子に、外部から検査用の端子を接触させることで、前記第1接触型検査素子、または、前記第2接触型検査素子の電気的な検査を行なう工程とを有し、
前記(c1)工程において、前記第2接触型検査素子を、前記半導体基板の第1主面から厚さ方向に離れるに従って、前記第1主面に沿う方向にずれるように配置することで、互いに重なることが無いように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c1)工程において、前記第2非接触型検査素子は、前記切断領域における前記多層の配線層に渡り、導体膜を電気的に直列に接続した複数の鎖状配線となるように形成し、
前記導体膜は、前記チップ領域における前記チップ配線と同様の材料により形成し、
前記複数の鎖状配線は、前記切断領域の長手方向である第1方向にそれぞれ間隔を隔てて、かつ、互いに電気的に並列に接続されるように形成し、
個々の前記複数の鎖状配線は、前記第1方向に対して交差する第2方向に延在するように形成し、
前記第2方向に延在する個々の前記複数の鎖状配線は、一端は前記非接触型検査素子用配線を通じて前記半導体基板に電気的に接続され、他端は前記多層の配線層中で終端されるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c1)工程において、前記第2非接触型検査素子のうち、前記多層の配線層の中で、離れた領域に配置された複数の前記第2非接触型検査素子は、前記非接触型検査素子用配線を、同層に存在する前記第2接触型検査素子、または、前記接触型検査素子用配線を避けるように形成することによって、互いに電気的に並列に接続されるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c1)工程において、前記非接触型検査素子用配線の一部は、前記多層の配線層を貫通して前記半導体基板に電気的に接続されるように形成し、
前記非接触型検査素子用配線は、前記多層の配線層を貫通している前記非接触型検査素子用配線に電気的に接続することで、前記半導体基板に電気的に接続されるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記(c)工程は、
前記半導体基板の第1主面に単層、または、二層の第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜を所望の形状となるように穿孔することで、配線開口部を形成する工程と、
前記配線開口部を導体膜によって埋め込む工程とを繰り返すことによって、
前記多層の配線層を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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