JP5375896B2 - 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 - Google Patents
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Description
ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥を計数する欠陥検査方法であって、
(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する工程と、
(b)前記工程aで、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を有し、
前記工程aにおいて、まだ登録されていないと判定された場合に、
前記工程bは、
(b1)前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値が登録されているか否かを判定する工程と、
(b2)前記工程b1で、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録するとともに、新に登録された判定しきい値に基づいて、前記第1の製品種別のウエハの欠陥を計数し、前記工程b1で、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して、決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を有し、
前記工程b1において、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合に、
前記工程b2は、
欠陥検査要求があったウエハと同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
欠陥を分類した結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を含む欠陥検査方法が提供される。
ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度の分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥を計数する欠陥検査装置であって、
製品種別及び工程ごとに、判定しきい値が登録される判定しきい値登録部と、
制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が、前記判定しきい値登録部に登録されているか否かを判定する工程と、
(b)前記工程aで、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて前記判定しきい値登録部に登録する工程と
を実行し、
前記工程aにおいて、まだ登録されていないと判定された場合に、
前記工程bにおいて、
(b1)前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値が登録されているか否かを判定する工程と、
(b2)前記工程b1で、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録するとともに、新に登録された判定しきい値に基づいて、前記第1の製品種別のウエハの欠陥を計数し、前記工程b1で、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して、決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を実行し、
前記工程b1において、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合に、
前記工程b2において、
欠陥検査要求があったウエハと同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
欠陥を分類した結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を実行する欠陥検査装置が提供される。
2 ステージ
3 レーザ光原
4 光検出器
5 半導体ウエハ(検査対象物)
10 制御装置
11 検査レシピ登録部
12 欠陥情報記憶部
15 入出力装置
20 走査型電子顕微鏡(SEM)
30 基板
31 素子分離絶縁膜
32 MOSFET
35、40、45 層間絶縁膜
36 タングステンプラグ
41、46 配線
50 表面の異物
51 内層の異物
Claims (2)
- ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥を計数する欠陥検査方法であって、
(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が既に登録されているか否かを判定する工程と、
(b)前記工程aで、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を有し、
前記工程aにおいて、まだ登録されていないと判定された場合に、
前記工程bは、
(b1)前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値が登録されているか否かを判定する工程と、
(b2)前記工程b1で、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録するとともに、新に登録された判定しきい値に基づいて、前記第1の製品種別のウエハの欠陥を計数し、前記工程b1で、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して、決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を有し、
前記工程b1において、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合に、
前記工程b2は、
欠陥検査要求があったウエハと同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
欠陥を分類した結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を含む欠陥検査方法。 - ウエハの表面にレーザビームを入射させて、該表面からの散乱光の強度の分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥に起因する散乱光の強度と判定しきい値とを比較して、比較結果に基づいて欠陥を計数する欠陥検査装置であって、
製品種別及び工程ごとに、判定しきい値が登録される判定しきい値登録部と、
制御装置と
を有し、
前記制御装置は、
(a)第1の工程の処理が終了した第1の製品種別のウエハの欠陥検査要求があると、該第1の製品種別の該第1の工程に関連付けられた判定しきい値が、前記判定しきい値登録部に登録されているか否かを判定する工程と、
(b)前記工程aで、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、既に登録されている判定しきい値に基づいて欠陥を計数し、まだ登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して欠陥を計数するとともに、新に決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて前記判定しきい値登録部に登録する工程と
を実行し、
前記工程aにおいて、まだ登録されていないと判定された場合に、
前記工程bにおいて、
(b1)前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値が登録されているか否かを判定する工程と、
(b2)前記工程b1で、前記判定しきい値が既に登録されていると判定された場合には、前記第1の製品種別とは異なる製品種別の、前記第1の工程と同一の工程に関連付けられた判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録するとともに、新に登録された判定しきい値に基づいて、前記第1の製品種別のウエハの欠陥を計数し、前記工程b1で、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合には、新に判定しきい値を決定して、決定された判定しきい値を、前記第1の製品種別の前記第1の工程に関連付けて登録する工程と
を実行し、
前記工程b1において、前記判定しきい値が登録されていないと判定された場合に、
前記工程b2において、
欠陥検査要求があったウエハと同一の処理を経たサンプルの表面からの散乱光を観測して、散乱光の強度分布に基づいて欠陥を検出し、検出された欠陥の各々の位置、及び当該欠陥に起因する散乱光の強度を取得する工程と、
検出された欠陥を、表面に電子ビームを入射させたときに放出される2次電子を観測することにより検出できる群と、検出できない群とに分類する工程と、
欠陥を分類した結果と、欠陥に起因する散乱光の強度とに基づいて、計数すべき欠陥を抽出するための散乱光強度の判定しきい値を決定する工程と
を実行する欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011180138A JP5375896B2 (ja) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011180138A JP5375896B2 (ja) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006163776A Division JP5283830B2 (ja) | 2006-06-13 | 2006-06-13 | 欠陥検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011242407A JP2011242407A (ja) | 2011-12-01 |
JP5375896B2 true JP5375896B2 (ja) | 2013-12-25 |
Family
ID=45409171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011180138A Expired - Fee Related JP5375896B2 (ja) | 2011-08-22 | 2011-08-22 | 欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5375896B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2647051B2 (ja) * | 1995-03-09 | 1997-08-27 | 日本電気株式会社 | 外観検査装置 |
JP2981434B2 (ja) * | 1997-01-27 | 1999-11-22 | 株式会社日立製作所 | パターン欠陥検出方法とその装置 |
JP3903889B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2007-04-11 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法及びその装置並びに撮像方法及びその装置 |
JP4209156B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2009-01-14 | 株式会社日立製作所 | 検査条件データ管理方法及びシステム並びにプログラム、コンピュータ読取り可能な記録媒体 |
JP4521240B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-08-11 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥観察方法及びその装置 |
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2011
- 2011-08-22 JP JP2011180138A patent/JP5375896B2/ja not_active Expired - Fee Related
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