JP5292348B2 - 複合荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
<複合荷電粒子線装置の構成>
図1は、本発明の第1の実施形態による複合荷電粒子線装置の概略構成を示す図である。図1による複合荷電粒子線装置100は、FIB-SEM装置として示されている。
以上のような構成を有し、イオンビームと電子ビームの両方を照射できる複合荷電粒子線装置100に、SE3検出器106を搭載する効果は、以下のとおりである。
次に、集束イオンビームの走査信号と電子ビームの走査信号の同期をとりながら、FIB加工とSEM観察を同時に行う処理について説明する。
次に、イオンビーム(FIB)加工を続けながら、イオンビームの加工領域および加工条件(イオンビーム照射条件)を変更する動作について説明する。図7は、当該動作の概要を示す図である。
また、様々な物質から形成される試料を任意の形に加工したい場合、物質によって加工速度が異なるため、一般的に加工条件の設定が複雑になる。しかし、本機能を用いれば、加工状況を観察しながら加工領域を変更するため、そのような煩雑な設定を事前に行う必要がない。
また、試料ドリフトなど不測の事態にも即座に対応し、加工を続けることができる。
第2の実施形態による複合荷電粒子線装置の構成は、ほぼ第1の実施形態の装置構成と同じであるが、FIBカラム内部の構成が第1の実施形態と異なっている。
101b, 401b, 501b, 601b:イオンビーム
102a, 602a:電子ビームカラム
102b, 402b, 602b:電子ビーム
103:試料室
104, 604:クロスポイント
105, 405, 505, 605:試料
106:三次電子検出器(三次電子だけでなく二次電子や二次イオンの検出も可能な複合荷電粒子検出器を含む)
110:二次電子検出器
111:透過電子検出器
112:後方散乱電子検出器
113:低エネルギー損失後方散乱電子検出器
120:統合コンピュータ
121:イオンビームスキャン制御器
122:電子ビームスキャン制御器
123:後方散乱電子検出器用制御器
124:二次電子検出器用制御器
125:三次電子検出器用制御器
126:透過電子検出器用制御器
127:低エネルギー損失後方散乱電子検出器用制御器
128:コントローラ(キーボード、マウスなど)
129:ディスプレイ
201:後方散乱電子
202:試料室内部に存在する構造物に衝突することによって放出された二次電子
307 : SE3収集グリッド
308 : フロントグリッド
406:イオンビームの走査範囲
506a, 506c, 506e:SEM像表示画面
507a, 507c:イオンビームの走査範囲を示す表示
508:イオンビームの走査範囲を動かすコントロールボタン
509b, 509d:イオンビームの走査範囲
606:イオン源
607:加速電極
608:静電型コンデンサーレンズ
609:補正磁場発生部
610:静電型対物レンズ
Claims (6)
- イオンビームを照射するイオンビームカラムと、
電子ビームを照射する電子ビームカラムと、
前記イオンビームカラム及び電子ビームが取り付けられた試料室と、
試料に照射された前記電子ビームによって誘起された後方散乱電子が、前記試料室の内部に存在する構造物に衝突することによって放出された二次電子である三次電子を検出する三次電子検出器と、
前記検出された三次電子に基づいて画像を生成すると共に、前記集束イオンビームの走査信号と前記電子ビームの走査信号のタイミングを制御し、当該タイミングに基づいて前記イオンビームの照射と前記三次電子に基づく画像の表示装置における表示を実行する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記イオンビームの走査信号と前記電子ビームの走査信号の同期を取り、前記イオンビームの走査領域と前記電子ビームの走査領域が同じ場合は、同一時刻の前記両ビームの走査位置を一致させることを特徴とする複合荷電粒子線装置。 - イオンビームを照射するイオンビームカラムと、
電子ビームを照射する電子ビームカラムと、
前記イオンビームカラム及び電子ビームが取り付けられた試料室と、
試料に照射された前記電子ビームによって誘起された後方散乱電子が、前記試料室の内部に存在する構造物に衝突することによって放出された二次電子である三次電子を検出する三次電子検出器と、
前記検出された三次電子に基づいて画像を生成すると共に、前記集束イオンビームの走査信号と前記電子ビームの走査信号のタイミングを制御し、当該タイミングに基づいて前記イオンビームの照射と前記三次電子に基づく画像の表示装置における表示を実行する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記イオンビームの走査信号と前記電子ビームの走査信号の同期を取り、前記イオンビームと前記電子ビームの走査領域が異なる場合は、いずれかのビームの走査動作を待機させ、走査領域が重なっている部分の走査時刻を一致させることを特徴とする複合荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
さらに、前記イオンビームを前記試料に照射し、前記試料からの二次電子又は二次イオンを検出するイオン像用検出器を備え、
前記制御装置は、前記イオン像用検出器によって検出された二次電子又は二次イオンに基づいて画像を取得し、当該二次電子又は二次イオンに基づく画像と、前記三次電子に基づく画像を同時に前記表示装置に表示することを特徴とする複合荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
さらに、前記イオンビームを前記試料に照射し、前記試料からの二次電子又は二次イオンを検出するイオン像用検出器を備え、
前記制御装置は、前記イオン像用検出器によって検出された二次電子又は二次イオンに基づいて画像を取得し、当該二次電子又は二次イオンに基づく画像と、前記三次電子に基づく画像を同時に前記表示装置に表示することを特徴とする複合荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
さらに、試料にガスを吹き付けるガス銃を有し、
前記制御装置は、前記イオンビームを用いて堆積膜を形成しているときに、前記検出された三次電子に基づいて画像を生成し、当該三次電子に基づく画像を表示装置に表示することを特徴とする複合荷電粒子線装置。 - 請求項2において、
さらに、試料にガスを吹き付けるガス銃を有し、
前記制御装置は、前記イオンビームを用いて堆積膜を形成しているときに、前記検出された三次電子に基づいて画像を生成し、当該三次電子に基づく画像を表示装置に表示することを特徴とする複合荷電粒子線装置。
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