JPH07296756A - 微細加工方法およびその装置 - Google Patents
微細加工方法およびその装置Info
- Publication number
- JPH07296756A JPH07296756A JP6084361A JP8436194A JPH07296756A JP H07296756 A JPH07296756 A JP H07296756A JP 6084361 A JP6084361 A JP 6084361A JP 8436194 A JP8436194 A JP 8436194A JP H07296756 A JPH07296756 A JP H07296756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- sample
- mass
- ion beam
- focused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 91
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 claims description 3
- -1 germanium ion Chemical class 0.000 claims 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 150000001793 charged compounds Polymers 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】質量非分離の集束イオンビームによって粗加工
を行い、質量分離を行った特定イオン種の集束イオンビ
ームによって仕上げ加工を行う集束イオンビームを用い
た微細加工方法。 【効果】ウエハやデバイスなどの試料もしくは試料製造
ラインに電気的汚染を与えることなく、かつ、短時間で
精密に微細加工が行える。
を行い、質量分離を行った特定イオン種の集束イオンビ
ームによって仕上げ加工を行う集束イオンビームを用い
た微細加工方法。 【効果】ウエハやデバイスなどの試料もしくは試料製造
ラインに電気的汚染を与えることなく、かつ、短時間で
精密に微細加工が行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハやデバイ
ス等の試料に集束イオンビームを照射して行う微細加工
方法およびその装置に係り、特に、集束イオンビーム照
射の際、被加工物およびその製造装置に電気的汚染をも
たらさず、かつ、精度のよい加工を短時間に実現させる
微細加工方法およびそれを実現する微細加工装置に関す
る。
ス等の試料に集束イオンビームを照射して行う微細加工
方法およびその装置に係り、特に、集束イオンビーム照
射の際、被加工物およびその製造装置に電気的汚染をも
たらさず、かつ、精度のよい加工を短時間に実現させる
微細加工方法およびそれを実現する微細加工装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電気流体力学的イオン源(Electro−Hydr
odynamics Ion Source、以下、ＥＨＤイオン源と略記）
は点状領域からイオン放出するため高輝度であり、これ
を用いて直径１００ｎｍ以下の細束で１Ａ／cm2 以上の
高電流密度の集束イオンビーム（Focused Ion Beam：以
下ＦＩＢ）を形成することができる。このＦＩＢの集束
性の良さを利用して、半導体プロセスにおけるリソグラ
フィやイオン注入，エッチング，デポジションなどをレ
ジストなしで局所的に行える。また、ＦＩＢ照射による
局所スパッタリングを利用して、試料の特定場所の断面
を切り出してその断面を観察する断面加工や、透過型電
子顕微鏡観察用の薄片試料作成加工，多層配線構造のデ
バイスにおける下層配線と上層配線の結線加工なども行
える。ここでは、これらのＦＩＢによる加工を微細加工
と呼ぶ。
odynamics Ion Source、以下、ＥＨＤイオン源と略記）
は点状領域からイオン放出するため高輝度であり、これ
を用いて直径１００ｎｍ以下の細束で１Ａ／cm2 以上の
高電流密度の集束イオンビーム（Focused Ion Beam：以
下ＦＩＢ）を形成することができる。このＦＩＢの集束
性の良さを利用して、半導体プロセスにおけるリソグラ
フィやイオン注入，エッチング，デポジションなどをレ
ジストなしで局所的に行える。また、ＦＩＢ照射による
局所スパッタリングを利用して、試料の特定場所の断面
を切り出してその断面を観察する断面加工や、透過型電
子顕微鏡観察用の薄片試料作成加工，多層配線構造のデ
バイスにおける下層配線と上層配線の結線加工なども行
える。ここでは、これらのＦＩＢによる加工を微細加工
と呼ぶ。
【０００３】ＦＩＢによる微細加工の仕上がりの正確さ
は、ビームの位置精度と集束性，被加工物への再付着物
の除去方法，装置自身の振動によるビームの位置ずれの
無さなどによる。例えば、加工される部分の形状と加工
後の形状に応じてイオンビームの走査の方法，繰返し回
数，走査速度，イオンビーム電流，加速電圧などのパラ
メータを変化させるＦＩＢ走査方法として、例えば、特
開昭60−136315号公報『マイクロイオンビーム加工方法
およびその装置』（従来例１）に開示されている。
は、ビームの位置精度と集束性，被加工物への再付着物
の除去方法，装置自身の振動によるビームの位置ずれの
無さなどによる。例えば、加工される部分の形状と加工
後の形状に応じてイオンビームの走査の方法，繰返し回
数，走査速度，イオンビーム電流，加速電圧などのパラ
メータを変化させるＦＩＢ走査方法として、例えば、特
開昭60−136315号公報『マイクロイオンビーム加工方法
およびその装置』（従来例１）に開示されている。
【０００４】ＥＨＤイオン源は、イオン材料が金属元素
の場合、特に液体金属イオン源（Liquid Metal Ion Sou
rce、略してＬＭＩＳ)とも呼ばれる。ＬＭＩＳの概略構
成について記載された公知例として、論文集「ジャーナ
ル・オブ・ヴァキューム・サイエンス・アンド・テクノ
ロジ」第Ａ２巻、（１９８４年）第１３６５頁から第１
３６９頁（Journal of Vacuum Science and Technolog
y, A2 (1984) 1365−1369），（従来例２）の論文があ
る。ＥＨＤイオン源からは多くの金属や半導体元素がイ
オン化できるが、実用面からは殆どの場合、ガリウム
（Ｇａ）イオンが用いられる。Ｇａの融点および蒸気圧
が低いのでイオン材料として取扱い易いためと、放出イ
オン電流が安定で、実用に耐えるだけの長寿命を有して
いるためである。
の場合、特に液体金属イオン源（Liquid Metal Ion Sou
rce、略してＬＭＩＳ)とも呼ばれる。ＬＭＩＳの概略構
成について記載された公知例として、論文集「ジャーナ
ル・オブ・ヴァキューム・サイエンス・アンド・テクノ
ロジ」第Ａ２巻、（１９８４年）第１３６５頁から第１
３６９頁（Journal of Vacuum Science and Technolog
y, A2 (1984) 1365−1369），（従来例２）の論文があ
る。ＥＨＤイオン源からは多くの金属や半導体元素がイ
オン化できるが、実用面からは殆どの場合、ガリウム
（Ｇａ）イオンが用いられる。Ｇａの融点および蒸気圧
が低いのでイオン材料として取扱い易いためと、放出イ
オン電流が安定で、実用に耐えるだけの長寿命を有して
いるためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＦＩＢによる微細加工
は極力短時間で済ませたい。一方、加工面は、特に、断
面観察のための凹部形成加工では、平滑な仕上げ面であ
ることも要求される。従来用いられているガリウム集束
イオンビーム（以下Ｇａ・ＦＩＢと略記）は、集束性が
良くビーム電流密度が高いため、高速の微細加工には適
していた。しかし、加工を半導体デバイスの生産ライン
（インライン）で行う場合、ＦＩＢ照射によって試料に
電気的汚染を与えてはならないという制約がある。とこ
ろが、ＧａがＳｉに対して電気的に活性であるため、被
加工物がＳｉウエハやデバイスの場合、たとえ僅かであ
っても試料に照射すると、デバイスやウエハに電気的影
響を与え、デバイスの動作特性に悪影響をもたらすとい
う問題を抱えている。これは電気的汚染であり、デバイ
ス自身だけでなく製造ラインまでも汚染する。製造ライ
ンがＧａで汚染されると、そのラインで製造するデバイ
ス全てに影響を与えるという重大な問題を引き起こすた
め、Ｇａ・ＦＩＢによる微細加工はＳｉ素子の量産製造
ラインでは使用できなかった。
は極力短時間で済ませたい。一方、加工面は、特に、断
面観察のための凹部形成加工では、平滑な仕上げ面であ
ることも要求される。従来用いられているガリウム集束
イオンビーム（以下Ｇａ・ＦＩＢと略記）は、集束性が
良くビーム電流密度が高いため、高速の微細加工には適
していた。しかし、加工を半導体デバイスの生産ライン
（インライン）で行う場合、ＦＩＢ照射によって試料に
電気的汚染を与えてはならないという制約がある。とこ
ろが、ＧａがＳｉに対して電気的に活性であるため、被
加工物がＳｉウエハやデバイスの場合、たとえ僅かであ
っても試料に照射すると、デバイスやウエハに電気的影
響を与え、デバイスの動作特性に悪影響をもたらすとい
う問題を抱えている。これは電気的汚染であり、デバイ
ス自身だけでなく製造ラインまでも汚染する。製造ライ
ンがＧａで汚染されると、そのラインで製造するデバイ
ス全てに影響を与えるという重大な問題を引き起こすた
め、Ｇａ・ＦＩＢによる微細加工はＳｉ素子の量産製造
ラインでは使用できなかった。
【０００６】この問題を解決する最適なイオン種はゲル
マニウム（Ｇｅ）である。Ｇｅは、元素の周期律表上Ｓ
ｉと同族元素で、Ｓｉ基板内でエネルギ順位を形成しな
いので、電気的汚染源とはならない。また、質量がＳｉ
より重いためスパッタしやすく、断面形成等の加工時間
が短縮できる。しかも、使用するイオン材料は、金−ゲ
ルマニウムなどの合金ではなく、Ｇｅ単体を用いること
で、金などの重金属元素を発生することなく、Ｇｅイオ
ンのみを放出するため、重金属汚染の心配もない。従っ
て、Ｇｅ単体をイオン材料とするＧｅ・ＥＨＤイオン源
を用いて、Ｇｅ・ＦＩＢを形成し、これで微細加工する
ことが非汚染微細加工を実現する道である。同じこと
で、ダイヤモンドを主成分とするデバイスに対してＦＩ
Ｂ微細加工を施す場合は、ＳｉやＧｅ単体が好適なイオ
ン材料となる。
マニウム（Ｇｅ）である。Ｇｅは、元素の周期律表上Ｓ
ｉと同族元素で、Ｓｉ基板内でエネルギ順位を形成しな
いので、電気的汚染源とはならない。また、質量がＳｉ
より重いためスパッタしやすく、断面形成等の加工時間
が短縮できる。しかも、使用するイオン材料は、金−ゲ
ルマニウムなどの合金ではなく、Ｇｅ単体を用いること
で、金などの重金属元素を発生することなく、Ｇｅイオ
ンのみを放出するため、重金属汚染の心配もない。従っ
て、Ｇｅ単体をイオン材料とするＧｅ・ＥＨＤイオン源
を用いて、Ｇｅ・ＦＩＢを形成し、これで微細加工する
ことが非汚染微細加工を実現する道である。同じこと
で、ダイヤモンドを主成分とするデバイスに対してＦＩ
Ｂ微細加工を施す場合は、ＳｉやＧｅ単体が好適なイオ
ン材料となる。
【０００７】ところが、Ｇｅ・ＦＩＢ特性を調べた結
果、以下のことが明らかになった。Ｇｅの質量非分離Ｆ
ＩＢの電流密度はＧａ・ＦＩＢの８０％程度を有する
が、放出イオン中にはクラスタイオン(多原子イオン)が
多く含まれているため、従来のＧａ・ＦＩＢに比べて集
束性があまり良くない。Ｇｅ・ＥＨＤイオン源をＦＩＢ
装置に搭載して質量非分離Ｇｅ・ＦＩＢ形成で非汚染微
細加工をしようとすると、上記のように放出イオンには
同位体イオンや多原子イオンを多く含むため、集束性が
悪く、いわゆる、ビームぼけの状態になり、微細な加工
がしにくくなる問題が生じることが明らかになった。従
来のＦＩＢ加工は、質量非分離のＧａやＩｎイオンビー
ムによってなされていた。ＧａやＩｎイオン源から放出
するイオン種の殆どが１原子１価イオンで、質量分離を
施さなくても集束性に影響を与えなかったため、従来の
微細加工専用のＦＩＢ装置には敢えて質量分離器を搭載
する必要がなかった。
果、以下のことが明らかになった。Ｇｅの質量非分離Ｆ
ＩＢの電流密度はＧａ・ＦＩＢの８０％程度を有する
が、放出イオン中にはクラスタイオン(多原子イオン)が
多く含まれているため、従来のＧａ・ＦＩＢに比べて集
束性があまり良くない。Ｇｅ・ＥＨＤイオン源をＦＩＢ
装置に搭載して質量非分離Ｇｅ・ＦＩＢ形成で非汚染微
細加工をしようとすると、上記のように放出イオンには
同位体イオンや多原子イオンを多く含むため、集束性が
悪く、いわゆる、ビームぼけの状態になり、微細な加工
がしにくくなる問題が生じることが明らかになった。従
来のＦＩＢ加工は、質量非分離のＧａやＩｎイオンビー
ムによってなされていた。ＧａやＩｎイオン源から放出
するイオン種の殆どが１原子１価イオンで、質量分離を
施さなくても集束性に影響を与えなかったため、従来の
微細加工専用のＦＩＢ装置には敢えて質量分離器を搭載
する必要がなかった。
【０００８】また、質量分離してＧｅの同位体中最大強
度を有する質量数７４の２価イオン（以下、74Ｇｅ2+と
記載）をＦＩＢ化させると、集束性は格段に良くなる
が、その電流密度はＧａ・ＦＩＢの１／１０程度に低下
する。つまり、微細加工には最適だが、加工時間がかか
るという問題を有している。
度を有する質量数７４の２価イオン（以下、74Ｇｅ2+と
記載）をＦＩＢ化させると、集束性は格段に良くなる
が、その電流密度はＧａ・ＦＩＢの１／１０程度に低下
する。つまり、微細加工には最適だが、加工時間がかか
るという問題を有している。
【０００９】本発明の目的は、ウエハやデバイスなどの
試料に対してＦＩＢを照射して、デバイス自身もしくは
その製造ラインにコンタミネイションを与えることなく
微細加工が行え、かつ、短時間で精密に微細加工の行え
る方法およびそれを実現するための装置を提供すること
である。
試料に対してＦＩＢを照射して、デバイス自身もしくは
その製造ラインにコンタミネイションを与えることなく
微細加工が行え、かつ、短時間で精密に微細加工の行え
る方法およびそれを実現するための装置を提供すること
である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、高速微細加
工を行う方法として、質量非分離でＦＩＢ化してビーム
集束性を多少犠牲にして短時間に行う粗加工工程と、逆
に、ビーム電流密度を犠牲にして質量分離を行った集束
性の高い特定イオン種ＦＩＢによって行う仕上げ加工工
程からなる微細加工方法によって達成される。
工を行う方法として、質量非分離でＦＩＢ化してビーム
集束性を多少犠牲にして短時間に行う粗加工工程と、逆
に、ビーム電流密度を犠牲にして質量分離を行った集束
性の高い特定イオン種ＦＩＢによって行う仕上げ加工工
程からなる微細加工方法によって達成される。
【００１１】この方法において、質量非分離のＦＩＢイ
オン種が加工すべき試料の主成分元素とは異種元素で、
かつ、周期律表において上記主成分元素と同族の単体元
素であることにより、試料に電気的汚染を与えずに行え
る。特に、試料がＳｉのウエハやデバイスの場合、上記
質量非分離のＦＩＢイオン種がＧｅイオンであると、Ｆ
ＩＢによる微細加工を行っても電気的汚染を与えない。
また、ダイヤモンド基板のデバイスの加工にはダイヤモ
ンド（炭素）と同族のＳｉまたはＧｅ・ＦＩＢを用いれ
ば良い。
オン種が加工すべき試料の主成分元素とは異種元素で、
かつ、周期律表において上記主成分元素と同族の単体元
素であることにより、試料に電気的汚染を与えずに行え
る。特に、試料がＳｉのウエハやデバイスの場合、上記
質量非分離のＦＩＢイオン種がＧｅイオンであると、Ｆ
ＩＢによる微細加工を行っても電気的汚染を与えない。
また、ダイヤモンド基板のデバイスの加工にはダイヤモ
ンド（炭素）と同族のＳｉまたはＧｅ・ＦＩＢを用いれ
ば良い。
【００１２】また、仕上げ加工で用いるビームは、集束
性がよい２価イオンビームを用いるか、さらに、質量数
７４または７２のゲルマニウム２価イオンビームを用い
ることで加工面は平滑になる。
性がよい２価イオンビームを用いるか、さらに、質量数
７４または７２のゲルマニウム２価イオンビームを用い
ることで加工面は平滑になる。
【００１３】また、上記微細加工が、具体的には、断面
を露出させるための凹部形成加工である時に効果を発揮
する。
を露出させるための凹部形成加工である時に効果を発揮
する。
【００１４】さらに、これらの微細加工方法を実現する
には、所望のイオンを放出するイオン源と、放出イオン
を集束化するイオンビーム集束系と、上記放出イオンを
質量分離する質量分離器と、上記集束イオンビームを走
査する偏向器と、加工すべき試料を保持する試料台から
なる集束イオンビーム装置において、特に、上記イオン
源が、加工すべき試料の主成分元素とは異種元素で、か
つ、元素の周期律表において上記主成分元素と同族の単
体元素をイオン材料とするＥＨＤイオン源である微細加
工装置によって実現される。また、上記微細加工装置に
おいて、加工すべき試料の主成分がシリコンであり、イ
オン源が、ゲルマニウム単体をイオン材料とするＥＨＤ
イオン源である微細加工装置によってＳｉデバイスを電
気的汚染させずに微細加工できる。さらに、７４以上の
質量分解能を有する質量分離器を搭載したＦＩＢ装置に
よって、74Ｇｅ2+または72Ｇｅ2+のＦＩＢを得ることが
でき、ＦＩＢの集束性が良くなり、微細性を要求される
仕上げ加工を実現するFIB装置を提供できる。また、集
束イオンビーム装置において、加工すべき試料の主成分
が炭素である場合、上記イオン源が、Ｇｅ単体またはＳ
ｉ単体をイオン材料とするＥＨＤイオン源によって構成
することで、ダイヤモンド基板デバイスを電気的汚染な
しに高速にかつ精密に微細な加工を実現できる微細加工
装置が提供できる。
には、所望のイオンを放出するイオン源と、放出イオン
を集束化するイオンビーム集束系と、上記放出イオンを
質量分離する質量分離器と、上記集束イオンビームを走
査する偏向器と、加工すべき試料を保持する試料台から
なる集束イオンビーム装置において、特に、上記イオン
源が、加工すべき試料の主成分元素とは異種元素で、か
つ、元素の周期律表において上記主成分元素と同族の単
体元素をイオン材料とするＥＨＤイオン源である微細加
工装置によって実現される。また、上記微細加工装置に
おいて、加工すべき試料の主成分がシリコンであり、イ
オン源が、ゲルマニウム単体をイオン材料とするＥＨＤ
イオン源である微細加工装置によってＳｉデバイスを電
気的汚染させずに微細加工できる。さらに、７４以上の
質量分解能を有する質量分離器を搭載したＦＩＢ装置に
よって、74Ｇｅ2+または72Ｇｅ2+のＦＩＢを得ることが
でき、ＦＩＢの集束性が良くなり、微細性を要求される
仕上げ加工を実現するFIB装置を提供できる。また、集
束イオンビーム装置において、加工すべき試料の主成分
が炭素である場合、上記イオン源が、Ｇｅ単体またはＳ
ｉ単体をイオン材料とするＥＨＤイオン源によって構成
することで、ダイヤモンド基板デバイスを電気的汚染な
しに高速にかつ精密に微細な加工を実現できる微細加工
装置が提供できる。
【００１５】
【作用】イオン源に、試料の主成分元素とは異種元素で
周期律表上同族元素をイオン材料としたＥＨＤイオン源
を用いることにより、照射したイオンビームで試料やそ
の製造ラインに対して電気的コンタミネイションを与え
ることはない。試料の主成分元素とは異種で周期律表上
同族の単体元素の例として、試料がＳｉウエハやＳｉデ
バイスの場合にはＧｅ単体が、ダイヤモンド基板デバイ
スに対してはＳｉやＧｅが相当する。ＧｅやＳｉ単体を
イオン材料としたＥＨＤイオン源を用いて、これから得
られる高電流密度のＦＩＢを試料に照射することで、試
料やその製造ラインに電気的汚染を与えることなく微細
加工が行える。
周期律表上同族元素をイオン材料としたＥＨＤイオン源
を用いることにより、照射したイオンビームで試料やそ
の製造ラインに対して電気的コンタミネイションを与え
ることはない。試料の主成分元素とは異種で周期律表上
同族の単体元素の例として、試料がＳｉウエハやＳｉデ
バイスの場合にはＧｅ単体が、ダイヤモンド基板デバイ
スに対してはＳｉやＧｅが相当する。ＧｅやＳｉ単体を
イオン材料としたＥＨＤイオン源を用いて、これから得
られる高電流密度のＦＩＢを試料に照射することで、試
料やその製造ラインに電気的汚染を与えることなく微細
加工が行える。
【００１６】また、たとえば、Ｇｅ・ＦＩＢで効率よ
く、かつ、精密に微細加工を行うには、まず、粗加工と
して、質量非分離のＧｅ・ＦＩＢで行う。この時、質量
非分離のＧｅ・ＦＩＢには多種類のイオン種（多価イオ
ンや多原子イオン，同位体イオン）が混在するためビー
ム集束性はあまり良くないが、ビーム電流密度は高密度
であるため、高速加工が可能である。所望の形状になる
直前まで粗加工し、仕上げ加工に移る。仕上げ加工には
質量分離した集束性のよいＦＩＢを用いることで精密な
加工ができる。Ｇｅビームの場合、74Ｇｅ2+を用いるこ
とで、質量分離したイオン種の中で最も高電流密度のビ
ームが得られ、集束性が良い。
く、かつ、精密に微細加工を行うには、まず、粗加工と
して、質量非分離のＧｅ・ＦＩＢで行う。この時、質量
非分離のＧｅ・ＦＩＢには多種類のイオン種（多価イオ
ンや多原子イオン，同位体イオン）が混在するためビー
ム集束性はあまり良くないが、ビーム電流密度は高密度
であるため、高速加工が可能である。所望の形状になる
直前まで粗加工し、仕上げ加工に移る。仕上げ加工には
質量分離した集束性のよいＦＩＢを用いることで精密な
加工ができる。Ｇｅビームの場合、74Ｇｅ2+を用いるこ
とで、質量分離したイオン種の中で最も高電流密度のビ
ームが得られ、集束性が良い。
【００１７】このようなイオン種のＦＩＢによる試料へ
の照射により、試料やその製造ラインにコンタミネイシ
ョンを与えることなく、微細加工，試料表面の観察、ま
た、試料からの信号を利用した分析や計測することで試
料自身またはその製造来歴を検査するための微細加工が
可能となる。
の照射により、試料やその製造ラインにコンタミネイシ
ョンを与えることなく、微細加工，試料表面の観察、ま
た、試料からの信号を利用した分析や計測することで試
料自身またはその製造来歴を検査するための微細加工が
可能となる。
【００１８】ここで、質量非分離のＧｅ・ＦＩＢと質量
分離後の75Ｇｅ2+・ＦＩＢのビーム径と電流密度の大小
関係を定性的に示す測定結果を示す。図２は質量非分離
のＧｅイオンと質量分離後の75Ｇｅ2+イオンのエネルギ
分布である。横軸は基準エネルギに対する相対エネルギ
を電子ボルト単位で示し、縦軸は相対イオン強度で、任
意単位で示した。２本の分布のうち、３１で示したの
は、質量非分離のＧｅイオンのエネルギ分布であり、３
２の曲線は質量分離後の75Ｇｅ2+のエネルギ分布を示し
ている。この時の全放出イオン電流値は１μＡである。
また、各分布のピーク位置は作図時に一致させてある。
分布３１の半値幅は約１５ｅＶであり、分布３２は約８
ｅＶである。また、イオン強度を比較すると、約２／３
である。到達電流（分布の積分値）で比較すると、分布
３２は分布３１の約１／１０である。この結果からも、
質量非分離の電流強度は質量分離後のものに比較して大
きいが、エネルギ拡がりも大きいため、微細性を要求し
ない高速加工に適し、イオン強度は弱いがエネルギ拡が
りの小さい質量分離後のビームが好ましいことがわか
る。
分離後の75Ｇｅ2+・ＦＩＢのビーム径と電流密度の大小
関係を定性的に示す測定結果を示す。図２は質量非分離
のＧｅイオンと質量分離後の75Ｇｅ2+イオンのエネルギ
分布である。横軸は基準エネルギに対する相対エネルギ
を電子ボルト単位で示し、縦軸は相対イオン強度で、任
意単位で示した。２本の分布のうち、３１で示したの
は、質量非分離のＧｅイオンのエネルギ分布であり、３
２の曲線は質量分離後の75Ｇｅ2+のエネルギ分布を示し
ている。この時の全放出イオン電流値は１μＡである。
また、各分布のピーク位置は作図時に一致させてある。
分布３１の半値幅は約１５ｅＶであり、分布３２は約８
ｅＶである。また、イオン強度を比較すると、約２／３
である。到達電流（分布の積分値）で比較すると、分布
３２は分布３１の約１／１０である。この結果からも、
質量非分離の電流強度は質量分離後のものに比較して大
きいが、エネルギ拡がりも大きいため、微細性を要求し
ない高速加工に適し、イオン強度は弱いがエネルギ拡が
りの小さい質量分離後のビームが好ましいことがわか
る。
【００１９】
【実施例】以下、本発明による実施例を図１を用いて説
明する。図１はＦＩＢ装置であり、１１はイオン源、１
５，１５′は集束レンズ、１６は質量分離器（ウィーン
フィルタ）であり、２０は試料である。本実施例ではイ
オン源１１は、イオン材料がゲルマニウム単体であるＥ
ＨＤイオン源であり、試料２０はシリコンメモリデバイ
スである。
明する。図１はＦＩＢ装置であり、１１はイオン源、１
５，１５′は集束レンズ、１６は質量分離器（ウィーン
フィルタ）であり、２０は試料である。本実施例ではイ
オン源１１は、イオン材料がゲルマニウム単体であるＥ
ＨＤイオン源であり、試料２０はシリコンメモリデバイ
スである。
【００２０】質量分離器１６は、電磁石と平行電極を組
み合わせたウィーンフィルタであり質量分解能は８０
で、質量数７３と７４のＧｅの同位体を分離することが
できる。また、電極，磁極を動作させないことで、放出
イオンは質量分離されない。イオン源１１ではイオン材
料であるＧｅ単体が溶融状態にされ、引出し電極に高電
圧を印加することで、エミッタ１２先端からＧｅイオン
として放出される。放出イオンは、ビーム制限アパチャ
１４で拡がりが制限され、中心近傍のイオンのみが下流
へ導かれる。集束レンズ１５によってイオンビームは絞
られ質量分離器１６に入る。質量分離器１６によってＧ
ｅイオンビームは質量分離され、最大強度を持つ質量数
７４のＧｅ２価イオンのみが選択され、絞り１７を通過
する。ここでは、質量分解能を最大能力にして、質量数
７４のＧｅ２価イオンのみを選択したが、分解能を弱
め、２価イオンについて同位体まで分離せずに絞り１７
を通過させることで、質量数７４のＧｅ２価イオンのみ
のビームよりイオン電流量は多くなる。絞り１７は大小
数種類の開口を有し、集束性に合わせて選択する。絞り
１７を通過したイオンビームは集束レンズ１５′によっ
て再度集束され、ＦＩＢ２１となり試料ステージ１９上
の試料２０に照射される。この時、FIB21は偏向器によ
って試料２０上で走査，掃引することができる。ＦＩＢ
２１照射によって、試料２０から二次電子２２が放出さ
れ、二次電子検出器２３によって検出される。検出信号
をＣＲＴ（図示せず）に入力し、ＣＲＴの掃引と偏向器
１８の掃引の同期をとると、ＦＩＢ照射領域の二次電子
像を見ることができ、試料の微小部を観察することがで
きる。これら部品は全て真空容器２５内に納められてお
り、本装置では、バルブ２４，２４′によって、他の装
置と連結され、試料の相互のやり取りを行うことが可能
である。
み合わせたウィーンフィルタであり質量分解能は８０
で、質量数７３と７４のＧｅの同位体を分離することが
できる。また、電極，磁極を動作させないことで、放出
イオンは質量分離されない。イオン源１１ではイオン材
料であるＧｅ単体が溶融状態にされ、引出し電極に高電
圧を印加することで、エミッタ１２先端からＧｅイオン
として放出される。放出イオンは、ビーム制限アパチャ
１４で拡がりが制限され、中心近傍のイオンのみが下流
へ導かれる。集束レンズ１５によってイオンビームは絞
られ質量分離器１６に入る。質量分離器１６によってＧ
ｅイオンビームは質量分離され、最大強度を持つ質量数
７４のＧｅ２価イオンのみが選択され、絞り１７を通過
する。ここでは、質量分解能を最大能力にして、質量数
７４のＧｅ２価イオンのみを選択したが、分解能を弱
め、２価イオンについて同位体まで分離せずに絞り１７
を通過させることで、質量数７４のＧｅ２価イオンのみ
のビームよりイオン電流量は多くなる。絞り１７は大小
数種類の開口を有し、集束性に合わせて選択する。絞り
１７を通過したイオンビームは集束レンズ１５′によっ
て再度集束され、ＦＩＢ２１となり試料ステージ１９上
の試料２０に照射される。この時、FIB21は偏向器によ
って試料２０上で走査，掃引することができる。ＦＩＢ
２１照射によって、試料２０から二次電子２２が放出さ
れ、二次電子検出器２３によって検出される。検出信号
をＣＲＴ（図示せず）に入力し、ＣＲＴの掃引と偏向器
１８の掃引の同期をとると、ＦＩＢ照射領域の二次電子
像を見ることができ、試料の微小部を観察することがで
きる。これら部品は全て真空容器２５内に納められてお
り、本装置では、バルブ２４，２４′によって、他の装
置と連結され、試料の相互のやり取りを行うことが可能
である。
【００２１】次に、本装置でデバイスの特定部分の断面
を観察するための矩形凹部形成方法について説明する。
まず、質量分離器１６を動作させない状態でイオンビー
ムを集束させ、このＦＩＢ２１を試料４０面上で矩形に
走査させる。図３（ａ）はデバイス表面の一部を示し、
斜線部はＦＩＢの走査領域４１である。この時の質量非
分離ＧｅＦＩＢ４２のビーム径は１００ｎｍ、電流密度
は約４Ａ／cm2 、エネルギは２５ｋｅＶである。およそ
２分のビーム走査により、図３（ｂ）のような縦横４×
６μｍ、深さ４μｍの矩形凹部４３が形成できた。この
ままでは、矩形凹部４３の側面４４は凹凸が大きく、断
面を詳細に観察することができない。
を観察するための矩形凹部形成方法について説明する。
まず、質量分離器１６を動作させない状態でイオンビー
ムを集束させ、このＦＩＢ２１を試料４０面上で矩形に
走査させる。図３（ａ）はデバイス表面の一部を示し、
斜線部はＦＩＢの走査領域４１である。この時の質量非
分離ＧｅＦＩＢ４２のビーム径は１００ｎｍ、電流密度
は約４Ａ／cm2 、エネルギは２５ｋｅＶである。およそ
２分のビーム走査により、図３（ｂ）のような縦横４×
６μｍ、深さ４μｍの矩形凹部４３が形成できた。この
ままでは、矩形凹部４３の側面４４は凹凸が大きく、断
面を詳細に観察することができない。
【００２２】次に、質量分離器１６を動作させ、質量数
７４のゲルマニウム２価イオン（74Ｇｅ2+）を分離し、
集束させる。（図３（ｃ）参照）この時の74Ｇｅ2+・Ｆ
ＩＢ４５はビーム径２０ｎｍで、電流密度０.５Ａ／cm2
である。この74Ｇｅ２＋・ＦＩＢ４５を観察すべき断面
に沿って数回走査することで、凹部側面（断面）４６は
平滑になり、断面の材質の違いによるコントラストが強
調され、断面構造の詳細な観察ができるようになった。
７４のゲルマニウム２価イオン（74Ｇｅ2+）を分離し、
集束させる。（図３（ｃ）参照）この時の74Ｇｅ2+・Ｆ
ＩＢ４５はビーム径２０ｎｍで、電流密度０.５Ａ／cm2
である。この74Ｇｅ２＋・ＦＩＢ４５を観察すべき断面
に沿って数回走査することで、凹部側面（断面）４６は
平滑になり、断面の材質の違いによるコントラストが強
調され、断面構造の詳細な観察ができるようになった。
【００２３】本方法の最大の特徴は、用いるビーム種が
１種類であり、しかも、試料とは周期律表上同族の元素
のＧｅであるため、Ｓｉウエハを電気的汚染を発生する
ことなく、しかも、高電流密度の非質量分離のＦＩＢ４
２による粗加工モード（図３ｂ）と、質量分離した細束
ＦＩＢ４５による仕上げ加工モード（図３ａ）を使い分
けるため、側面の平滑な凹部を高速に形成することがで
きる点にある。
１種類であり、しかも、試料とは周期律表上同族の元素
のＧｅであるため、Ｓｉウエハを電気的汚染を発生する
ことなく、しかも、高電流密度の非質量分離のＦＩＢ４
２による粗加工モード（図３ｂ）と、質量分離した細束
ＦＩＢ４５による仕上げ加工モード（図３ａ）を使い分
けるため、側面の平滑な凹部を高速に形成することがで
きる点にある。
【００２４】ここで、粗加工モードと仕上げ加工モード
の切り替えには、以下の手段を用いる。仕上げ加工モー
ドで用いるイオン種は予め定めておき、加速電圧と質量
分離器の電極と磁極への投入電圧，電流値、更に、使用
する絞りの開口を予めＦＩＢ制御装置（図示せず）にメ
モリしておく。粗加工終了後、仕上げ加工に入る際、Ｆ
ＩＢ制御装置で仕上げ加工モードを指示するだけで、質
量分離器の電極と磁極への投入電圧，電流値，使用する
絞りの開口を自動的に設定でき、細束ＦＩＢによる仕上
げ加工に移ることができる。
の切り替えには、以下の手段を用いる。仕上げ加工モー
ドで用いるイオン種は予め定めておき、加速電圧と質量
分離器の電極と磁極への投入電圧，電流値、更に、使用
する絞りの開口を予めＦＩＢ制御装置（図示せず）にメ
モリしておく。粗加工終了後、仕上げ加工に入る際、Ｆ
ＩＢ制御装置で仕上げ加工モードを指示するだけで、質
量分離器の電極と磁極への投入電圧，電流値，使用する
絞りの開口を自動的に設定でき、細束ＦＩＢによる仕上
げ加工に移ることができる。
【００２５】本方法はＧｅ・ＦＩＢのＳｉデバイスへの
適用ばかりでなく、ダイヤモンド基板デバイスをＳｉ・
ＦＩＢもしくはＧｅ・ＦＩＢによって微細加工する時も
適用することができる。
適用ばかりでなく、ダイヤモンド基板デバイスをＳｉ・
ＦＩＢもしくはＧｅ・ＦＩＢによって微細加工する時も
適用することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、試料に電気的汚染を与え
ることなく、高速で、かつ、精密な加工面を形成する微
細加工方法を提供することができる。
ることなく、高速で、かつ、精密な加工面を形成する微
細加工方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例の集束イオンビーム装置の説
明図。
明図。
【図２】質量非分離のイオンと質量分離後のイオンのエ
ネルギ分布図。
ネルギ分布図。
【図３】本発明の微細加工方法を用いた矩形穴形成加工
を示す説明図。
を示す説明図。
１１…イオン源、１２…エミッタ、１３…引出し電極、
１４…ビーム制限アパチャ、１５，１５′…集束レン
ズ、１６…質量分離器、１７…絞り、１８…偏向器、１
９…試料ステージ、２０…試料、２１…ＦＩＢ、２２…
二次電子、２３…二次電子検出器、２４，２４′…バル
ブ、２５…真空容器。
１４…ビーム制限アパチャ、１５，１５′…集束レン
ズ、１６…質量分離器、１７…絞り、１８…偏向器、１
９…試料ステージ、２０…試料、２１…ＦＩＢ、２２…
二次電子、２３…二次電子検出器、２４，２４′…バル
ブ、２５…真空容器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/317 Ｄ 9172−5Ｅ
Claims (11)
- 【請求項１】単体元素イオン種の集束イオンビームを用
いた微細加工方法において、質量非分離の集束イオンビ
ームの走査によって試料の粗加工を行う工程と、質量分
離を行った特定イオン種の集束イオンビームの走査によ
って仕上げ加工を行う工程とからなることを特徴とする
微細加工方法。 - 【請求項２】請求項１において、上記質量非分離の集束
イオンビーム種が加工すべき試料の主成分元素とは異種
で、元素の周期律表において上記主成分元素と同族の単
体元素イオンである微細加工方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記加工すべ
き試料の主成分がシリコンであり、上記質量非分離の集
束イオンビーム種がゲルマニウムイオンである微細加工
方法。 - 【請求項４】請求項１または２において、上記試料の主
成分元素がシリコンであり、上記質量非分離の集束イオ
ンビーム種がゲルマニウムイオンで、質量分離を行った
特定イオン種が、特に、ゲルマニウム２価イオンである
微細加工方法。 - 【請求項５】請求項４において、上記質量分離を行った
特定イオン種が、質量数７２または７４のゲルマニウム
２価イオンである微細加工方法。 - 【請求項６】請求項１または２において、上記加工すべ
き試料の主成分が炭素であり、上記質量非分離の集束イ
オンビーム種がゲルマニウムイオンまたはシリコンイオ
ンであり、上記質量分離を行った特定イオン種が、特
に、ゲルマニウム２価イオンまたはシリコン２価イオン
である微細加工方法。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、上記粗加工および仕上げ加工が、試料の断面を露出
させるための凹部形成加工である微細加工方法。 - 【請求項８】所望のイオンを放出するイオン源と、放出
イオンを集束化するイオンビーム集束系と、上記放出イ
オンを質量分離する質量分離器と、上記集束イオンビー
ムを走査する偏向器と、加工すべき試料を保持する試料
台とからなる集束イオンビーム装置において、上記イオ
ン源が、加工すべき試料の主成分元素とは異種元素で、
周期律表において上記主成分元素と同族の単体元素をイ
オン材料とするＥＨＤイオン源であることを特徴とする
微細加工装置。 - 【請求項９】請求項８において、上記加工すべき試料の
主成分がシリコンであり、上記イオン源が、ゲルマニウ
ム単体をイオン材料とするＥＨＤイオン源である微細加
工装置。 - 【請求項１０】請求項８において、上記質量分離器が７
４以上の質量分解能を有する微細加工装置。 - 【請求項１１】請求項８において、上記加工すべき試料
の主成分が炭素であり、上記イオン源が、ゲルマニウム
単体またはシリコン単体をイオン材料とするＥＨＤイオ
ン源である微細加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084361A JPH07296756A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 微細加工方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084361A JPH07296756A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 微細加工方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296756A true JPH07296756A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=13828392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084361A Pending JPH07296756A (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 微細加工方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07296756A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092033A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Generateur de faisceaux utilisant une molecule metallique polynucleaire |
| JP2006352162A (ja) * | 2006-09-01 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007003418A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Institute Of Physical & Chemical Research | 荷電粒子ビームの偏向・収束方法および荷電粒子ビームの偏向・収束器具 |
| US7411192B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Focused ion beam apparatus and focused ion beam irradiation method |
| WO2009020150A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| US7550740B2 (en) | 2006-07-27 | 2009-06-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Focused ION beam apparatus |
| WO2011118744A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6084361A patent/JPH07296756A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003092033A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Generateur de faisceaux utilisant une molecule metallique polynucleaire |
| US7411192B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-08-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Focused ion beam apparatus and focused ion beam irradiation method |
| JP2007003418A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Institute Of Physical & Chemical Research | 荷電粒子ビームの偏向・収束方法および荷電粒子ビームの偏向・収束器具 |
| JP4713242B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2011-06-29 | 独立行政法人理化学研究所 | 荷電粒子ビームの偏向・収束方法および荷電粒子ビームの偏向・収束器具 |
| US7550740B2 (en) | 2006-07-27 | 2009-06-23 | Hitachi High-Technologies Corporation | Focused ION beam apparatus |
| JP2006352162A (ja) * | 2006-09-01 | 2006-12-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2009020150A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Sii Nanotechnology Inc. | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| JPWO2009020150A1 (ja) * | 2007-08-08 | 2010-11-04 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 複合集束イオンビーム装置及びそれを用いた加工観察方法、加工方法 |
| WO2011118744A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
| JP2011204570A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 複合荷電粒子線装置 |
| US20130001420A1 (en) * | 2010-03-26 | 2013-01-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite Charged-Particle-Beam Apparatus |
| US8581219B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-11-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Composite charged-particle-beam apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9601312B2 (en) | Source for selectively providing positively or negatively charged particles for a focusing column | |
| US7700931B2 (en) | Ion beam processing apparatus | |
| US7326942B2 (en) | Ion beam system and machining method | |
| JP4215282B2 (ja) | 静電対物レンズ及び電気走査装置を装備したｓｅｍ | |
| US6949756B2 (en) | Shaped and low density focused ion beams | |
| US20110163068A1 (en) | Multibeam System | |
| JP4205992B2 (ja) | イオンビームによる試料加工方法、イオンビーム加工装置、イオンビーム加工システム、及びそれを用いた電子部品の製造方法 | |
| CN210429729U (zh) | 带电粒子束布置及扫描电子装置 | |
| TWI758306B (zh) | 複合光束裝置 | |
| US6177670B1 (en) | Method of observing secondary ion image by focused ion beam | |
| JPH07296756A (ja) | 微細加工方法およびその装置 | |
| JP3305553B2 (ja) | 高速原子線源 | |
| Ishitani et al. | Proposals for exact-point transmission-electron microscopy using focused ion beam specimen-preparation technique | |
| JP2987417B2 (ja) | 透過型電子顕微鏡用の薄膜試料のその場作製および観察方法並びにその装置 | |
| US20160042914A1 (en) | Achromatic dual-fib instrument for microfabrication and microanalysis | |
| JPH04373125A (ja) | 集束イオンビーム装置およびそれによる加工方法 | |
| Rauscher | Development of an advanced low energy focused ion beam system based on immersion optics | |
| JPH0817800A (ja) | 集束イオンビーム装置およびそれを用いた試料加工方法 | |
| EP4376047A2 (en) | Particle beam system | |
| JPH01296555A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPH0419954A (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
| JPH06318443A (ja) | イオンビーム装置 | |
| JPS62229645A (ja) | 集束イオンビ−ム装置 | |
| Harriott | Ion Beam Techniques and Applications |