JP3305553B2 - 高速原子線源 - Google Patents

高速原子線源

Info

Publication number
JP3305553B2
JP3305553B2 JP32380295A JP32380295A JP3305553B2 JP 3305553 B2 JP3305553 B2 JP 3305553B2 JP 32380295 A JP32380295 A JP 32380295A JP 32380295 A JP32380295 A JP 32380295A JP 3305553 B2 JP3305553 B2 JP 3305553B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
ion
ions
neutralization
fast atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP32380295A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH09145896A (ja
Inventor
隆男 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP32380295A priority Critical patent/JP3305553B2/ja
Priority to EP96118212A priority patent/EP0774769A1/en
Priority to US08/752,439 priority patent/US5739528A/en
Publication of JPH09145896A publication Critical patent/JPH09145896A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3305553B2 publication Critical patent/JP3305553B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/20Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
    • H01J27/22Metal ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J27/00Ion beam tubes
    • H01J27/02Ion sources; Ion guns
    • H01J27/028Negative ion sources
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/25Tubes for localised analysis using electron or ion beams
    • H01J2237/2505Tubes for localised analysis using electron or ion beams characterised by their application
    • H01J2237/2516Secondary particles mass or energy spectrometry
    • H01J2237/2533Neutrals [SNMS]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、中性のマイクロビ
ームを発生させる高速原子線源に関し、特にサブミクロ
ンオーダーのビーム径を持つ高速原子線を生成すること
ができる高速原子線源に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンビームを個体に照射し、そこから
生成するイオンを質量分析することによって、試料の組
成や不純物量を調べることが出来るSIMS(Seconda
ry Ion Mass Spectrometry)として知られるこの分
析法は、さまざまな表面分析の中でも最も感度の高い方
法として、半導体や新素材の開発などに広く用いられて
いる。しかしながら、イオンビームは電荷を有している
ために、絶縁体へ照射する場合には電荷が蓄積してビー
ムの偏向による誤差の発生や素子の破壊などを惹起する
場合がある。
【0003】このイオンビームの代わりに、本発明によ
るサブミクロンの高速原子線を用いると、電荷を持たな
いために試料表面での帯電が抑制され、これまで分析の
難しかったセラミック、プラスチック、有機物といった
絶縁物の分析も容易になり、種々の物質のキャラクタリ
ゼーション解明に威力を発揮できるようになる。さら
に、微細加工用の1次ビームとして用いると、今までサ
ブミクロンの加工が難しかったセラミック、プラスチッ
ク、有機物といった絶縁物のサブミクロン加工や生体の
加工までも容易に加工できるようになる。
【0004】電荷を持たない中性のマイクロビームを発
生させようとする技術は、ごく最近の技術でまだ完成さ
れていない。従って、その文献や、報告は極めて少な
い。文献の一つは次のものである。"A scanned microfo
cused neutral beam for use in secondary ion mass s
pectorometry" A.J.Eccles,J.A.van den Berg,A.Brow
n,and J.C.Vickerman,J.Vac.Sci.Technol.A4,1888(198
6). この文献では、プラズマタイプのイオン源から導
出したガスイオンを中性化して用いており、ビーム径は
5ミクロン程度である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の技術においては、未だビーム径が大きいとい
う問題があり、精密な測定や加工の目的には不充分であ
った。この背景としては、従来中性化が試みられている
のは、核融合におけるエネルギー注入のための中性ビー
ムを作るための大電流、大口径ビームのための中性化で
あり、細径イオンビームに関する実績は少ないことがあ
る。中性化したビームを制御するのは難しいので、細径
の中性化ビームを得るには、細径のイオンビームを発生
させてこれを中性化させる方法が採られるが、中性化さ
せる物質との衝突断面積が決まっているので細径のイオ
ンビームを効率良く中性化させるのは困難であった。
【0006】本発明は、上記の課題に鑑み、1μm以下
のビーム径の高速原子線を効率良く得ることができる高
速原子線源を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされたもので、請求項1に記載の発明は、
液体金属をイオン化して金属イオンを発生させるイオン
源と、このイオン源からのイオンの流れを制御する制御
電極系と、イオンビーム経路に配置された中性化室とを
備え、上記中性化室には、内部の雰囲気中にイオン種の
金属と同族の金属を含む中性化ガスを供給する中性化ガ
ス供給手段が設けられていることを特徴とする高速原子
線源である。
【0008】液体金属イオン源より放出されるイオンの
ソースサイズは数10nm程度と微小であり、これを適
当な制御電極で目的に応じてサイズや集束条件を調整し
て流れを整え、雰囲気中に金属を含むガスを保有する中
性化室で効率良く中性化して試料に照射する。制御電極
系としては、コンデンサレンズ、アライメント電極、ス
ティグメータ、ブランキング電極、対物絞り、対物レン
ズ、偏向電極等が含まれる。
【0009】請求項に記載の発明によれば、族の異な
る金属よりも一般に中性化効率が良いことが分かった。
請求項に記載の発明は、上記中性化ガス中の金属は、
イオン種の金属と同種であることを特徴とする請求項1
に記載の高速原子線源である。この場合は、同族中でも
特に中性化効率が良いことが分かった。請求項に記載
の発明は、上記中性化ガスは金属蒸気を含むことを特徴
とする請求項1又は2に記載の高速原子線源である。請
求項に記載の発明は、上記中性化ガスは有機金属ガス
を含むことを特徴とする請求項1ないしのいずれかに
記載の高速原子線源である。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
1から図9によって説明する。図1は、本発明の高速原
子線源の一例を示す概略図であり、ヒータ1aを備えた
液体金属イオン源1、電界放出によりイオンを放出させ
る引き出し電極2、対物絞り7に入射するイオンの入射
角を変えて通過するイオン電流を制御するコンデンサレ
ンズ3、ビーム照射を中断するときにイオンビームを偏
向させるブランキング電極4、イオンビーム断面が円形
でないために生じる非点収差を補正するためのスティグ
メータ5、イオンビームを微小な対物絞りを通過させる
等のために微動させるアライメント電極6、対物絞り
7、イオンビームをラスタースキャンするための偏向電
極8、イオンビームを試料上にフォーカスするための対
物レンズ9、後述するニュートラライザ(中性化装置)
10、試料ステージ11が一直線上に配置されて構成さ
れている。12は、試料からの2次電子を収集する2次
電子増倍管である。また、イオンを所定の加速電圧に設
定するための加速電源、ヒータ1aを加熱するためのヒ
ータ電源、イオンビームを引き出し、所定のエミッショ
ン電流に設定するための引き出し電源、対物レンズの電
圧を制御するためのレンズ電源などの必要な高電圧源
(図示略)が付設されている。
【0011】液体金属イオン源1より放出されるイオン
のソースサイズは数10nm程度であることが知られて
おり、静電レンズで等倍に投射しても、容易に50nm
程度のビーム径のイオンビームが得られる。このイオン
は、コンデンサレンズ3によって対物絞りを通過するイ
オン電流をコントロールされた後、対物レンズにて試料
ステージ11上のサンプル上に集束させ、後述のニュー
トラライザ10を通過させることによってサブミクロン
の高速原子線を発生させる。
【0012】図2は、ニュートラライザ10の概略を示
すもので、イオンビームの経路の途中に設けられた中性
化室23を有し、これには、それぞれ径が0.5mmφ
の上部細穴28と下部細穴29が設けられている。これ
らの細穴はそれぞれターボ分子ポンプなどを備えた排気
系に接続されて差動排気され、室内の圧力が10ー3To
rr程度に保持される。21は、直流電界によりビーム
軸を調整してこれらの細穴に導く偏向器である。これら
の細穴28,29は同時にイオンビームの入射口であ
り、中性ビームの出口でもある。中性化室23の中に
は、金属イオン源と同種の金属を所定量擁してこれを加
熱し、蒸発させるためのヒータ26が設けられており、
金属蒸気の圧力は差動排気により10ー3Torr台に調
整される。中性化室23の出口側には、ビーム中に残留
したイオンを直流電界により除去するためのイオン除去
用偏向器24が設けられている。
【0013】このような装置において、液体金属イオン
源1に、加速電源により所定の電圧に設定した後、ヒー
タ1aにヒータ電源で通電加熱し、搭載した金属の融点
以上の温度に上げる。そして、引き出し電源にて引き出
し電極2に3〜7KVの高電圧を印加すると、先端半径
5〜10μmの針状陽極の先端で溶融金属の表面張力と
静電気力がつり合って、テイラーコーンと呼ばれる頂角
98.6度の円錐形状に溶融金属が成長する。そしてそ
の先端より電界放出によって金属イオンが真空中に放出
される。放出された金属イオンビーム22は、ニュート
ラライザ10の上方のイオン光学系α制御電極で集束偏
向され、XY偏向器21(図には4個の電極の内の1個
を示す)に付与された直流電界によってイオンビーム軸
が調整されて、中性化室23の上部細穴28に導かれ
る。
【0014】上部細穴28より中性化室23に導かれた
イオンビームは、ヒータ26によって十分高温に加熱さ
れた金属27の蒸気と接触する。するとイオンは、金属
蒸気との電荷交換反応により、エネルギーを失なうこと
なく中性化して再び原子に戻る。イオンと金属蒸気との
接触はイオンの運動エネルギーを大幅に変えてしまうほ
どのものではなく、運動エネルギーの損失も無視できる
ために、イオンの持っていた運動エネルギーはほとんど
損失することなく原子に受け継がれる。この様にして大
きな運動エネルギーを有する原子が生成される。
【0015】加速電圧が20KVの時には、イオンの運
動エネルギーはほぼ20KeVとなるから、発生する高
速原子のエネルギーもほぼ20KeVとなる。この様に
発生した高速原子がビームとなって下部細穴29から放
出される。放出された高速原子線中に混入している中性
化されなかったイオンは、0.5mmφの下部細穴29
の下部のイオン除去用の偏向器24によって除去され、
最終的に、サブミクロンの集束高速原子線25のみが直
径1mmφのイオン除去用のカバーの下穴30より放出
され、試料に照射される。
【0016】上記コンデンサレンズ3と対物レンズ8の
集束条件を変えると、高速原子線のスポットサイズとビ
ーム量を調節し、これをイオンビームのビーム径と同程
度に絞ることが出来る。また偏向電極9にXY軸のイオ
ンビームの掃引用高周波信号を印加すると、高速原子線
も掃引される。さらにイオンビームの加速電源を調節す
ると、高速原子線のエネルギーも自由に設定することが
できる。
【0017】また、試料は試料ステージ11より電気的
に絶縁されており、試料に流入した電流あるいは試料か
ら放出する2次電子流や2次イオン流を測定することが
出来る。さらに、放出された2次電子を2次電子増倍管
12で収集して、増幅器を通してディスプレイ上に導い
てXY軸の掃引信号と同期させると、2次電子像を観察
することが出来る。
【0018】図3は、ニュートラライザ10の別の実施
の形態を示している。これは、中性化室23と管32に
よってつながった坩堝31を中性化室23の外側に設
け、この坩堝31にヒータ26を設けたもので、坩堝3
1中のガリウム金属27をヒータ26で加熱して中性化
室23に供給する構造としたものである。坩堝31に、
多量のガリウム金属を貯留することができるので、長時
間安定にガリウム金属蒸気を中性化室23に供給するこ
とが出来る。
【0019】図4は、さらに別のニュートラライザ10
の実施の形態を示すもので、中性化室23に、水素化ガ
リウムやトリメチルガリウムなどの有機金属ガス源40
を、ガス配管41及び弁42を介して接続し、有機金属
ガスを真空外から導入する構造としたものである。こう
することによつて、真空を破って金属を補充することな
しに、従って、真空を破ることによる電子光学系の再調
整の必要もなく、長時間安定に高速原子線源を動作させ
続けることが出来る。
【0020】なお、上記の実施例では、イオン種と中性
化のための金属蒸気又は有機金属ガスの金属種を同じガ
リウム同士の組み合わせとした。しかし、異種金属であ
っても中性化の効率を上げる組み合わせであれば、同様
の効果が得られ、本実施例で開示した組み合わせは本発
明の本質になんら制限を当てるものではない。この場
合、イオン種と同族である金属であると中性化効率が高
いことが分かっている。また、液体金属イオン源では、
共晶合金を使ったイオン源も使われているが、この場合
には共晶合金の蒸気を用いることもできる。
【0021】
【実施例】次に、本発明の高速原子線源の動作を確認す
るために、図1及び図2の装置を用い、試料に銅(C
u)メッシュ(400メッシュ、線径約25μm)を置
き、これにガリウム(Ga)の高速原子線を照射したと
きの2次電子像を、比較例としてイオンビームを照射し
た場合とともに説明する。図5は、中性化室23中のヒ
ータ26とイオン除去用の偏向器24をOFFにして、
集束イオンビーム22をそのまま中性化室を通過させた
ときのイオンビームのみによる2次電子像である。図6
は、この状態からイオン除去用の偏向器24をONにし
たときの2次電子像である。偏光器24の作用でイオン
ビームがイオン除去用のカバー下穴30を通過できなく
なるため、2次電子像が消える。
【0022】図7及び図8は、上記の状態を観察した
後、中性化室23中のヒータ26をONにしたときの2
次電子像を示している。イオンは偏向器24に入る直前
に電気的に中性な原子になるため、偏向器24の作用を
受けることなく試料に入射し、再び2次電子像が観察さ
れるようになる。図7及び図8の2枚の写真は、ヒータ
電流を2.0A及び2.2Aに調節し、ガリウム金属蒸気
の圧力を増加させたときのメッシュの2次電子像の変化
を示している。
【0023】図9は、最終的にヒータ電流を3.5Aに
調節したときのガリウム高速原子線による2次電子像の
写真である。ガリウムイオンによる2次電子像と比較す
ると、像の解像度がイオンによるそれと同程度であるこ
とから、高速原子線の集束性もイオンビームと同程度で
あことが分かる。すなわち、ニュートラライザ10が細
いイオンビームを効率良く中性化しており、エネルギー
ビームとしての能力がイオンビームに匹敵する実用性の
高い高速原子線が生成されていることが分かる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高速原子
線源によれば、液体金属イオン源より放出される微小な
サイズのイオンビームを雰囲気中に金属を含むガスを保
有する中性化室で効率良く中性化することにより、これ
まで分析の難しかったセラミック、プラスチック、有機
物といった絶縁物の分析を高精度で容易に出来るように
なり、物質のキャラクタリゼーション解明に威力を発揮
する。さらに、微細加工用の1次ビームとして用いる
と、今までサブミクロンの加工が難しかったセラミッ
ク、プラスチック、有機物といった絶縁物のサブミクロ
ン加工や生体の加工までも容易に加工できるようになる
という優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高速原子線源の一例を示す斜視図であ
る。
【図2】図1のニュートラライザの部分を拡大して示す
概略図である。
【図3】本発明に使用されるニュートラライザの別の例
を示す概略図である。
【図4】本発明に使用されるニュートラライザのさらに
別の例を示す概略図である。
【図5】ガリウムイオンによる金属試料の表面構造を示
す2次電子像の写真である。
【図6】ガリウムイオンを除去したときの金属試料の表
面構造を示す2次電子像の写真である。
【図7】ガリウム高速原子線によるヒータ電流2.0A
のときの金属試料の表面構造を示す2次電子像の写真で
ある。
【図8】ガリウム高速原子線によるヒータ電流2.2A
のときの金属試料の表面構造を示す2次電子像の写真で
ある。
【図9】ガリウム高速原子線によるヒータ電流3.5A
のときの金属試料の表面構造を示す2次電子像の写真で
ある。
【符号の説明】
1 液体金属イオン源 2 引き出し電極 3 コンデンサレンズ 4 ブランキング電極 5 スティグメータ電極 6 アライメント電極 7 対物絞り 8 走査用偏向電極 9 対物レンズ 10 ニュートラライザ 11 試料ステージ 12 2次電子増倍管 21 軸位置調整用XY偏向器 22 集束イオンビーム 23 中性化室 24 イオン除去用偏向器 25 集束高速原子線 26 ヒータ 27 ガリウム金属 28 上部細穴 29 下部細穴 30 カバー下穴 31 坩堝 32 管 40 有機金属ガス源 41 ガス配管 42 弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−324238(JP,A) 特開 平6−308300(JP,A) 特開 平3−145038(JP,A) 特開 平2−105099(JP,A) 特開 平5−144408(JP,A) 特開 昭63−128527(JP,A) 特開 平2−44300(JP,A) 特開 昭63−195599(JP,A) 特表 平3−500829(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G21K 1/00 G21K 1/14 H05H 3/02

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液体金属をイオン化して金属イオンを発
    生させるイオン源と、 このイオン源からのイオンの流れを制御する制御電極系
    と、 イオンビーム経路に配置された中性化室とを備え、 上記中性化室には、内部の雰囲気中にイオン種の金属と
    同族の金属を含む中性化ガスを供給する中性化ガス供給
    手段が設けられていることを特徴とする高速原子線源。
  2. 【請求項2】 上記中性化ガス中の金属は、イオン種の
    金属と同種であることを特徴とする請求項1に記載の高
    速原子線源。
  3. 【請求項3】 上記中性化ガスは金属蒸気を含むことを
    特徴とする請求項1又は2に記載の高速原子線源。
  4. 【請求項4】 上記中性化ガスは有機金属ガスを含むこ
    とを特徴とする請求項1ないしのいずれかに記載の高
    速原子線源。
JP32380295A 1995-11-17 1995-11-17 高速原子線源 Expired - Fee Related JP3305553B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32380295A JP3305553B2 (ja) 1995-11-17 1995-11-17 高速原子線源
EP96118212A EP0774769A1 (en) 1995-11-17 1996-11-13 Fast atom beam source
US08/752,439 US5739528A (en) 1995-11-17 1996-11-14 Fast atom beam source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32380295A JP3305553B2 (ja) 1995-11-17 1995-11-17 高速原子線源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09145896A JPH09145896A (ja) 1997-06-06
JP3305553B2 true JP3305553B2 (ja) 2002-07-22

Family

ID=18158779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32380295A Expired - Fee Related JP3305553B2 (ja) 1995-11-17 1995-11-17 高速原子線源

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5739528A (ja)
EP (1) EP0774769A1 (ja)
JP (1) JP3305553B2 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6469343B1 (en) 1998-04-02 2002-10-22 Nippon Steel Corporation Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device
GB9714576D0 (en) * 1997-07-10 1997-09-17 Applied Materials Inc Method and apparatus for neutralising space charge in an ion beam
JP2926132B1 (ja) * 1998-01-23 1999-07-28 セイコーインスツルメンツ株式会社 集束イオンビームによる二次イオン像観察方法
US6671034B1 (en) * 1998-04-30 2003-12-30 Ebara Corporation Microfabrication of pattern imprinting
US6359286B1 (en) 1998-07-10 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for neutralizing space charge in an ion beam
FR2823005B1 (fr) * 2001-03-28 2003-05-16 Centre Nat Rech Scient Dispositif de generation d'un faisceau d'ions et procede de reglage de ce faisceau
US6977384B2 (en) 2003-08-27 2005-12-20 Fei Company Shaped sputter shields for improved ion column operation
TWI275327B (en) * 2005-09-13 2007-03-01 Quanta Display Inc Apparatus for producing atomic beam
US9184024B2 (en) * 2010-02-05 2015-11-10 Hermes-Microvision, Inc. Selectable coulomb aperture in E-beam system
US9288889B2 (en) * 2013-03-13 2016-03-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus and techniques for energetic neutral beam processing
CN103347361B (zh) * 2013-07-11 2015-07-15 中国科学院武汉物理与数学研究所 二维可调温控束源装置
GB201621508D0 (en) * 2016-12-16 2017-02-01 Reliance Rg Ltd Improvements relating to additive manufacture using charged particle beams

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3300640A (en) * 1964-05-13 1967-01-24 Harold P Eubank Means for measuring plasma density by resonant charge transfer with a beam of neutral particles
US3790411A (en) * 1972-03-08 1974-02-05 Bell Telephone Labor Inc Method for doping semiconductor bodies by neutral particle implantation
US3757114A (en) * 1972-03-08 1973-09-04 Bell Telephone Labor Inc Atoms or molecules apparatus and method for measuring the intensity of a beam of neutral
US3767925A (en) * 1972-03-08 1973-10-23 Bell Telephone Labor Inc Apparatus and method for determining the spatial distribution of constituents and contaminants of solids
US4037102A (en) * 1975-09-29 1977-07-19 University Of Virginia Thin-film superconductor device
US4377773A (en) * 1980-12-12 1983-03-22 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Negative ion source with hollow cathode discharge plasma
JPS6186699A (ja) * 1984-10-05 1986-05-02 日本電信電話株式会社 収束性高速原子線源
JPS6186698A (ja) * 1984-10-05 1986-05-02 日本電信電話株式会社 収束性高速原子線源
JPS62237699A (ja) * 1986-04-07 1987-10-17 日本電信電話株式会社 収束性高速原子線源の安定化装置
JPH0766760B2 (ja) * 1986-08-07 1995-07-19 日本電信電話株式会社 収束性高速原子線源
JPS63271855A (ja) * 1987-04-30 1988-11-09 Toshiba Corp 質量分析装置
JPH0715808B2 (ja) * 1991-04-23 1995-02-22 株式会社荏原製作所 イオン中和器

Also Published As

Publication number Publication date
EP0774769A1 (en) 1997-05-21
US5739528A (en) 1998-04-14
JPH09145896A (ja) 1997-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9165742B1 (en) Inspection site preparation
TWI373791B (en) Proximity deposition
US6949756B2 (en) Shaped and low density focused ion beams
JP3305553B2 (ja) 高速原子線源
JPH11154479A (ja) 2次電子画像検出方法及びその装置並びに集束荷電粒子ビームによる処理方法及びその装置
JP3564717B2 (ja) 集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置
US20220130639A1 (en) Ablating material for an object in a particle beam device
US11688583B2 (en) Operating a particle beam apparatus with an object holder
JP5432028B2 (ja) 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法
US7301159B2 (en) Charged particle beam apparatus and method of forming electrodes having narrow gap therebetween by using the same
US5148027A (en) Method of microarea analysis with a focused cesium ion beam
JPH07296756A (ja) 微細加工方法およびその装置
JP2004319149A (ja) 電子源およびそれを用いた電子ビーム装置
JP3494152B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
JP3469404B2 (ja) 電界放出型荷電粒子銃及び荷電粒子ビーム照射装置
Mair et al. Liquid metal sources in ion microscopy and secondary ion mass spectrometry
JP3524737B2 (ja) 電子銃及び電子線装置
US20240170248A1 (en) Particle beam system
US20240038484A1 (en) Fastening an object to a manipulator and/or to an object holder in a particle beam apparatus
JP6116303B2 (ja) 集束イオンビーム装置
JP5592136B2 (ja) チップ先端構造検査方法
US20240274397A1 (en) Operating a particle beam apparatus
US20240038489A1 (en) Method for attaching an object to a manipulator and for moving the object in a particle beam apparatus, computer program product, and particle beam apparatus
JP3055346U (ja) 電子顕微鏡用試料作製装置
TW202211288A (zh) 聚焦離子束裝置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees