JP6116303B2 - 集束イオンビーム装置 - Google Patents
集束イオンビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6116303B2 JP6116303B2 JP2013061637A JP2013061637A JP6116303B2 JP 6116303 B2 JP6116303 B2 JP 6116303B2 JP 2013061637 A JP2013061637 A JP 2013061637A JP 2013061637 A JP2013061637 A JP 2013061637A JP 6116303 B2 JP6116303 B2 JP 6116303B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- fim
- image
- emitter
- focusing lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
- H01J2237/0802—Field ionization sources
- H01J2237/0807—Gas field ion sources [GFIS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
Description
この集束イオンビーム装置は、イオンを発生させるイオン源を備えており、ここで発生したイオンを加速してイオンビームにし、さらにこのイオンビームを集束して集束イオンビーム(FIB:Focused Ion beam)にした状態で照射している。
この方法によれば、エミッタの先端のエミッションパターン像、即ちFIM像(電界イオン像)を取得し、このFIM像を観察(FIM観察)しながらエッチングの進行状況を把握することができるので先鋭化を図り易く、有望な方法とされている。
この方法では、軸合わせ偏向器を用いて絞り表面をラスター走査することで、エミッタの先端の電界放射パターン像を取得することが可能とされ、これによりエミッタの先端のFIM観察を行っている。
ところが、集束イオンビーム装置に上記MCPを具備する装置を組み込む場合には、図12に示すように、イオン源であるエミッタ100の近くにコンデンサレンズ(集束レンズ電極)101を配置したうえで、このコンデンサレンズ101の直下にMCP102を配置することが望まれる。これは、集束イオンビーム装置としての性能を確保するためには、エミッタ100とコンデンサレンズ101との距離を短くする必要があるためである。
加えて、MCP102を利用して長時間に亘ってFIM像を観察し続けると、MCP102の倍増率や蛍光面の劣化が進んでしまい、FIM像が暗くなってしまう。そのため、エミッタ100の先端を明瞭に観察することが難しく、FIM観察を正確に行うことが難しくなってしまう。
(1)本発明に係る集束イオンビーム装置は、先端が先鋭化されたエミッタを有し、該エミッタの先端でガスをイオン化させてガスイオンを発生させるガス電界電離型イオン源と、前記ガスイオンを試料に向けて引き出しながら加速させ、イオンビームとして照射させるイオン銃部と、集束レンズ電極を少なくとも有し、前記イオンビームを集束させながら前記試料に照射させるビーム光学系と、前記イオンビームに基づいて前記エミッタの先端のFIM像を取得する画像取得機構と、を備え、前記画像取得機構は、前記イオン銃部と前記集束レンズ電極との間に設けられ、印加されるアライメント電圧に応じて前記イオンビームを偏向し、前記イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、前記アライメント電極に異なる複数のアライメント電圧を印加するアライメント制御部と、取得した前記FIM像を記憶する記憶部と、を備え、前記アライメント制御部は、異なるアライメント電圧を前記アライメント電極に印加することで、前記イオンビームのうち前記集束レンズ電極を通過できる部分を変化させ、前記記憶部は、前記イオンビームのうち前記集束レンズ電極を通過できる部分の変化により、異なる視野の前記FIM像を記憶し、前記画像取得機構は、前記記憶部に記憶された前記FIM像のうち、異なる前記アライメント電圧の印加時に取得された複数枚の異なる視野のFIM像同士を、画像処理により繋ぎ合わせて1枚の合成FIM像を作成する画像処理部をさらに備えていることを特徴とする。
よって、例えば電界誘起ガスエッチングによりエミッタの先端をエッチングする場合等、エッチングの進行状況を正確に把握でき、エミッタの先端を所望の先鋭化状態に確実に仕上げ易い。
以下、本発明に係る第1実施形態について、図面を参照して説明する。なお、第1実施形態では、MCPを利用してエミッタの先端のFIM像(電界イオン像)を取得する場合を例に挙げて説明する。
(集束イオンビーム装置の構成)
このエミッタ20は、図3に示すように先端が先鋭化された針状の部材であり、例えば、タングステン(W)等からなる基材20aにイリジウム(Ir)等の貴金属20bが被膜されることで構成されている。エミッタ20の先端は、原子レベルで先鋭化されており、例えばその理想状態としては、図4に示すように結晶構造がピラミッド状になるように構成されている。なお、図4は結晶軸<111>のエミッタ20を加熱によってファセット成長させた結晶面を示した図である。
また、エミッタ20には、該エミッタ20の先端を局所的に加熱する加熱部23が接続されている。この加熱部23は例えばフィラメントであり、制御部7からの指示によって作動する電流源24からの電流によりエミッタ20の先端を局所的に所定温度まで加熱して、エミッタ20を構成する原子の再配列を行わせる働きをしている。
但し、この場合に限定されるものではなく、少なくともエミッタ20を冷却できればどのように構成されていても良く、例えば冷却ブロックや冷凍機等を使用してエミッタ20だけを冷却する構成としても構わない。
よって、これら陰極30及び加速電源部31は、ガスイオンをイオンビーム3Aとして照射させる上記イオン銃部11として機能する。
集束レンズ電極35の下方には、イオンビーム3Aを絞り込むオリフィス36が設けられている。このオリフィス36は、微小な小径の開口36aを有しており、ガス銃5によって試料Sの周辺に供給された原料ガスG1がビーム鏡筒3内においてガス電界電離型イオン源10のイオン発生室21側に混入してしまうことを防止するガスG2の混入防止部材としても機能している。
なお、オリフィス36に代えて上記開口36aの径を変化自在な可動絞りとしても構わない。
なお、図示していないが、従来の集束イオンビーム装置で使用されている非点補正器、ビーム位置調整機構もビーム光学径に含まれる。
なお、MCP13は、FIM像Mの取得時にはゲインが自動調整される。また、MCP13及びミラー40は常に位置が記録されており、毎回光路上の同じセット位置P1にセットされる。
ガス銃5は、デポジション膜の原料となる物質(例えば、フェナントレン、プラチナ、カーボンやタングステン等)を含有した化合物ガスを原料ガスG1として供給する。この原料ガスG1は、イオンビーム3Aの照射によって発生した二次荷電粒子Rによって分解され、気体成分と固体成分とに分離する。そして、分離した2つの成分のうち固体成分が堆積することで、デポジション膜となる。
この画像取得機構14は、例えばその一部が制御部7内に組み込まれており、取得したFIM像Mを記憶するメモリ(記憶部)45と、アライメント電極32にアライメント電圧を適宜変化させながら印加するアライメント制御部46と、メモリ45に記憶された複数枚のFIM像Mのうち、異なるアライメント電圧の印加時に取得された複数枚のFIM像M同士を画像処理により繋ぎ合わせて1枚の合成FIM像G(図9参照)を作成する画像処理部47と、を備えている。
なお、アライメント電極32も画像取得機構14の一部として機能する。
また、制御部7は、FIM像Mを取得する場合には集束レンズ電極35への電圧印加を停止させる。そして、この間に画像取得機構14はFIM像Mの取得を行う。
次に、このように構成された集束イオンビーム装置1を使用する場合について、以下に説明する。
はじめに、初期設定として、引出電圧、加速電圧やガスG2を供給するガス圧、温度等を最適な値にセットすると共に、MCP13及びミラー40をイオンビーム3Aの光路から離間した離間位置P2に移動させておく。
これにより、試料Sの観察やエッチング加工等を行える。この際、走査電極37に電圧を印加して適宜作動させることで、イオンビーム3Aを試料S上で走査できるので、観察や加工を広範囲に亘って行える。
このように、観察や加工だけでなくデポジション膜の生成も可能とすることができる。従って、本実施形態の集束イオンビーム装置1によれば、これらの特徴を適宜使い分けることで、顕微鏡、測長、断面観察、断面測長、TEM試料S作製、マスクリペア、描画等を行う装置して幅広く利用することができる。
まず、制御部7からの指示によって移動機構41を作動させ、図2に示すように、MCP13及びミラー40をイオンビーム3Aの光路上におけるセット位置P1に移動させる。そして、この状態においてイオンビーム3Aを照射する。すると、イオンビーム3AはMCP13に入射して電子に変換され、且つ増幅された後に蛍光スクリーン13aに入射する。これにより、蛍光スクリーン13a上にFIM像Mを映し出すことができる。この映し出されたFIM像Mは、ミラー40を介して撮像部42で取得された後、画像取得機構14に送られる。
アライメント電極32にアライメント電圧を印加すると、その電圧値に等に応じてイオンビーム3Aを偏向することができ、その照射方向を変化させることができる。従って、イオンビーム3Aが集束レンズ電極35を通過する際、外周成分等の一部が集束レンズ電極35によって遮られてしまったとしても、アライメント電圧を変化させることでイオンビーム3Aのうち先ほど遮られてしまった部分を通過させることができる。そのため、アライメント電圧を変化させる前後で、異なる視野のFIM像Mを取得することができる。
具体的には、各FIM像Mに表示される輝点Qのパターンに基づいて繋ぎ合わせる。例えば、1枚目及び2枚目のFIM像Mにそれぞれ表示されている複数の輝点Qのうち、共通する輝点Qのパターンを重ね合わせるようにFIM像M同士を繋ぎ合わせる。これにより、正確なマッチングを行いながらFIM像M同士を繋ぎ合わせることができ、正確な合成FIM像Gを得ることができる。
特に、各FIM像Mには、エミッタ20の先端における凸部分に対応した輝点Qが表示されているので、合成FIM像Gによりエミッタ20の先端の結晶構造を広範囲でFIM観察することができる。従って、エミッタ20の先端の結晶構造が理想的な状態(例えばエミッタ20の先端がピラミッド状の原子配列となり、最先端が1個又は数個の原子からなる状態)であるか否かを正確に把握することができる。
このトリートメントを行う場合には、冷却部27を停止させた後に加熱部23を作動させて、エミッタ20の先端を局所的に加熱(例えば、800℃〜900℃で数分間)する。これにより、エミッタ20の先端を構成する原子が再配列され、エミッタ20の先端の結晶構造を図4に示す元の結晶構造に戻すことが可能となる。この場合において、再配列後にFIM観察を行うことで、再配列後の結晶構造が元の理想的な状態に戻った否かを正確に判断することができる。
また、集束イオンビーム装置1としての性能を確保するために、エミッタ20に対して集束レンズ電極35を近接配置し、それによりMCP13の直上に集束レンズ電極35が配置されていても、集束レンズ電極35に影響されることなく、合成FIM像Gに基づいてエミッタ20の先端を広範囲でFIM観察することができる。
但し、集束レンズ電極35を停止させることで、該集束レンズ電極35で集束(屈折)されることなくイオンビーム3Aを通過させることができるので、イオンビーム3AをMCP13に対してより広い面積で入射させることができる。従って、より鮮明で屈折の影響のない正確なFIM像Mを取得することができ、より正確なFIM観察を行い易い。
次に、本発明に係る第2実施形態について説明する。
第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、MCP13を利用してエミッタ20のFIM観察(MCP方式)を行ったが、第2実施形態ではイオンビーム3Aを試料S上で走査することでFIM観察((Scanning−FIM方式)を行う点である。
なお、この第2実施形態においては、第1実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
図10に示すように、本実施形態の集束イオンビーム装置50は、第1実施形態におけるMCP13、ミラー40や撮像部42等を具備しておらず、その代わりに二段偏向器(偏向器)51と、該二段偏向器51を制御する偏向制御部52と、を有している。
次に、上記した集束イオンビーム装置50により、エミッタ20をFIM観察する場合について説明する。
まず、図11に示すように、アライメント電極32によって照射方向が変化したイオンビーム3Aは、集束レンズ電極35の通過時に集束されると共に、その際の屈折作用により照射方向がエミッタ20の軸線Oに対して傾斜した状態となって二段偏向器51に入射する。このとき、二段偏向器51は、偏向制御部52からの補正信号の印加によりイオンビーム3Aの傾斜を補正して、照射方向がエミッタ20の軸線Oに対して平行になるように再調整する。これにより、試料Sの表面に対して集束したイオンビーム3A(FIB)を垂直に入射させることが可能となる。
それに加え、二段偏向器51は、偏向制御部52からの走査信号の印加により試料Sの表面に対して垂直に入射するイオンビーム3Aを試料Sの表面に対して平行な方向に走査する。
従って、オリフィス36が設けられている場合であっても、エミッタ20の先端の広範囲なFIM観察を確実に行える。
例えば、真空チャンバ9内にファラデーカップを配置し、このファラデーカップにイオンビーム3Aを入射させる。そして、ファラデーカップに入射したイオンビーム3Aのビーム電流の検出信号(電流変化)と、二段偏向器51に印加した走査信号と、を同期させることでFIM像Mを取得しても構わない。
M…FIM像
O…エミッタの軸線
Q…輝点
S…試料
G2…ガス
1、50…集束イオンビーム装置
3A…イオンビーム
10…ガス電界電離型イオン源
11…イオン銃部
12…ビーム光学系
13…MCP(マイクロチャネルプレート)
13a…蛍光スクリーン
14、55…画像取得機構
20…エミッタ
32…アライメント電極
35…集束レンズ電極
45…メモリ(記憶部)
46…アライメント制御部
47…画像処理部
51…二段偏向器(偏向器)
52…偏向制御部
Claims (5)
- 先端が先鋭化されたエミッタを有し、該エミッタの先端でガスをイオン化させてガスイオンを発生させるガス電界電離型イオン源と、
前記ガスイオンを試料に向けて引き出しながら加速させ、イオンビームとして照射させるイオン銃部と、
集束レンズ電極を少なくとも有し、前記イオンビームを集束させながら前記試料に照射させるビーム光学系と、
前記イオンビームに基づいて前記エミッタの先端のFIM像を取得する画像取得機構と、を備え、
前記画像取得機構は、
前記イオン銃部と前記集束レンズ電極との間に設けられ、印加されるアライメント電圧に応じて前記イオンビームを偏向し、前記イオンビームの照射方向を調整するアライメント電極と、
前記アライメント電極に異なる複数のアライメント電圧を印加するアライメント制御部と、
取得した前記FIM像を記憶する記憶部と、を備え、
前記アライメント制御部は、異なるアライメント電圧を前記アライメント電極に印加することで、前記イオンビームのうち前記集束レンズ電極を通過できる部分を変化させ、
前記記憶部は、前記イオンビームのうち前記集束レンズ電極を通過できる部分の変化により、異なる視野の前記FIM像を記憶し、
前記画像取得機構は、前記記憶部に記憶された前記FIM像のうち、異なる前記アライメント電圧の印加時に取得された複数枚の異なる視野のFIM像同士を、画像処理により繋ぎ合わせて1枚の合成FIM像を作成する画像処理部をさらに備えていることを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 請求項1に記載の集束イオンビーム装置において、
前記画像処理部は、前記FIM像に表示される輝点のパターンに基づいて、複数枚の異なる視野の前記FIM像同士を繋ぎ合わせることを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 請求項1又は2に記載の集束イオンビーム装置において、
前記集束レンズ電極と前記試料との間において、前記イオンビームの光路上の位置と光路外の位置との間で移動可能に配置され、前記集束レンズ電極を通過した前記イオンビームを入射させて、前記FIM像を蛍光スクリーンに映し出すマイクロチャネルプレートを備え、
前記画像取得機構は、
前記蛍光スクリーンに映し出された前記FIM像を取得することを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 請求項3に記載の集束イオンビーム装置において、
前記画像取得機構は、前記集束レンズ電極への電圧印加を停止させた状態で前記FIM像を取得することを特徴とする集束イオンビーム装置。 - 請求項1又は2に記載の集束イオンビーム装置において、
前記集束レンズ電極と前記試料との間に配置され、前記集束レンズ電極を通過した前記イオンビームの照射方向を補正すると共に、補正後の前記イオンビームを前記試料の表面に対して平行な方向に走査する偏向器と、
前記偏向器に対して補正信号を印加して前記補正を行わせると共に、走査信号を印加して前記走査を行わせる偏向制御部と、を備え、
前記偏向器は、
前記集束レンズ電極を通過した後の前記イオンビームの照射方向が、前記エミッタの軸線に対して平行になるように前記補正を行い、
前記画像取得機構は、
前記イオンビームの入射時に前記試料から発せられる二次荷電粒子の検出信号と前記走査信号とに基づいて、又は前記試料に入射する前記イオンビームのビーム電流の検出信号と前記走査信号とに基づいて、前記FIM像を取得することを特徴とする集束イオンビーム装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013061637A JP6116303B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 集束イオンビーム装置 |
US14/221,514 US9245712B2 (en) | 2013-03-25 | 2014-03-21 | Focused ion beam system |
DE102014103896.7A DE102014103896A1 (de) | 2013-03-25 | 2014-03-21 | System eines fokussierten lonenstrahls |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013061637A JP6116303B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 集束イオンビーム装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014186894A JP2014186894A (ja) | 2014-10-02 |
JP6116303B2 true JP6116303B2 (ja) | 2017-04-19 |
Family
ID=51567650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013061637A Expired - Fee Related JP6116303B2 (ja) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | 集束イオンビーム装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9245712B2 (ja) |
JP (1) | JP6116303B2 (ja) |
DE (1) | DE102014103896A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11373838B2 (en) * | 2018-10-17 | 2022-06-28 | Kla Corporation | Multi-beam electron characterization tool with telecentric illumination |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US51900A (en) | 1866-01-02 | Improvement in machines for washing wool and other fibrous material | ||
US8110814B2 (en) * | 2003-10-16 | 2012-02-07 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
US7431856B2 (en) | 2005-05-18 | 2008-10-07 | National Research Council Of Canada | Nano-tip fabrication by spatially controlled etching |
WO2007067296A2 (en) | 2005-12-02 | 2007-06-14 | Alis Corporation | Ion sources, systems and methods |
JP5410786B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-02-05 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 集束イオンビーム装置 |
JP2011171009A (ja) * | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Sii Nanotechnology Inc | 集束イオンビーム装置 |
JP2011221350A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Advantest Corp | マスク検査装置及び画像生成方法 |
JP5573899B2 (ja) | 2011-08-23 | 2014-08-20 | カシオ計算機株式会社 | 演奏装置 |
-
2013
- 2013-03-25 JP JP2013061637A patent/JP6116303B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-21 DE DE102014103896.7A patent/DE102014103896A1/de not_active Ceased
- 2014-03-21 US US14/221,514 patent/US9245712B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014186894A (ja) | 2014-10-02 |
US9245712B2 (en) | 2016-01-26 |
DE102014103896A1 (de) | 2014-10-09 |
US20140284474A1 (en) | 2014-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5410786B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
US8304750B2 (en) | Scanning charged particle beams | |
US8822945B2 (en) | Focused ion beam apparatus | |
US8999178B2 (en) | Method for fabricating emitter | |
JP4982161B2 (ja) | ガス電界電離イオン源、及び走査荷電粒子顕微鏡 | |
TW201522972A (zh) | 銥針尖、氣體場致電離離子源、聚焦離子束裝置、電子源、電子顯微鏡、電子束應用分析裝置、離子電子複合束裝置、掃描探針顯微鏡、及遮罩修正裝置 | |
JP2008508684A5 (ja) | ||
US9761407B2 (en) | Ion beam device and emitter tip adjustment method | |
US10658143B2 (en) | Method of manufacturing emitter | |
JP6112930B2 (ja) | ガスイオン源、及び集束イオンビーム装置 | |
JP2011171009A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
JP5989959B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
JP5432028B2 (ja) | 集束イオンビーム装置、チップ先端構造検査方法及びチップ先端構造再生方法 | |
JP6116303B2 (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
US10249471B2 (en) | Composite charged particle beam apparatus and control method thereof | |
JP6121767B2 (ja) | 集束イオンビーム装置、及び集束イオンビームの照射方法 | |
JP2011082056A (ja) | 集束イオンビーム装置のナノエミッタ作製方法及びナノエミッタ作製手段を有する集束イオンビーム装置 | |
US11081312B2 (en) | Method of manufacturing emitter, emitter, and focused ion beam apparatus | |
JP2020064780A (ja) | 荷電粒子ビーム装置、試料加工観察方法 | |
JP5592136B2 (ja) | チップ先端構造検査方法 | |
JP6236480B2 (ja) | エミッタの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161018 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170321 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6116303 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |