JP2011221350A - マスク検査装置及び画像生成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】マスク検査装置は、電子ビームを試料上に照射する照射手段と、試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、画像処理手段と、記憶手段と、指定された試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割画像が相互に重なるように分割領域を決定し、各分割領域毎の分割画像を取得して記憶手段に格納する制御手段とを有する。制御手段は、指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、隣接する2つの分割画像毎に重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、合成基準画像を基に隣接する2つの分割画像を合成して、観察領域の全体のSEM画像を形成する。
【選択図】図6
Description
を有し、前記制御手段は、前記記憶手段に格納された分割領域毎の分割画像のうちの指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、当該隣接する2つの分割画像毎に、当該分割画像の重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、当該合成基準画像を基に当該隣接する2つの分割画像を合成して、前記観察領域の全体のSEM画像を形成することを特徴とするマスク検査装置により解決する。
図1は、本実施形態に係る走査型電子顕微鏡の構成図である。
次に、図1に示した走査型電子顕微鏡100を用いて、図2(a)に示す試料のパターンのエッジ検出を含むSEM画像を利用したパターンサイズの測定について説明する。
図3(a)〜図3(c)は、広視野かつ高精度なSEM画像を取得する方法の概念を説明する図である。図3(a)は、試料上に形成されたパターンのうち、所望の領域31を指定した一例を示している。指定された領域31全体のSEM画像を取得するためには、全体のSEM画像を一度に撮影する場合と、指定領域を分割して、各分割領域のSEM画像を撮影し、それらを合成して領域全体のSEM画像を取得する場合がある。
2…コンデンサレンズ、
3…偏向コイル、
4…対物レンズ、
5…移動ステージ、
7…試料、
8…電子検出器、
9…荷電粒子、
10…電子走査部、
20…制御部、
21…プロファイル作成部、
22…微分プロファイル作成部、
30…信号処理部、
40…表示部、
42、71、72…パターン画像、
44、DA…分割領域、
50…下地層、
51…レジストパターン、
55…記憶部、
100…走査型電子顕微鏡。
Claims (12)
- 電子ビームを試料上に照射する照射手段と、
前記電子ビームの照射によって、パターンが形成された前記試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、
前記電子量を基に当該パターンの画像データを生成する画像処理手段と、
前記画像データを格納する記憶手段と、
指定された前記試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割画像が相互に重なるように分割領域を決定し、各分割領域毎の分割画像を取得して前記記憶手段に格納する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記記憶手段に格納された分割領域毎の分割画像のうちの指定された一つの分割画像から所定の順序で隣接する分割画像を抽出し、当該隣接する2つの分割画像毎に、当該分割画像の重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像とし、当該合成基準画像を基に当該隣接する2つの分割画像を合成して、前記観察領域の全体のSEM画像を形成することを特徴とするマスク検査装置。 - 前記制御手段は、前記指定された一つの分割画像内の指定された領域の画像情報と同等の画像情報を有する領域の画像を前記隣接する2つの分割画像の重複領域から検出することを特徴とする請求項1に記載のマスク検査装置。
- 前記制御手段は、前記隣接する分割画像を合成する前に、当該分割画像内のパターン形成領域の周囲の座標データを測定することを特徴とする請求項2に記載のマスク検査装置。
- 前記制御手段は、前記隣接する2つの分割画像を合成するとき、当該隣接する2つの分割画像に含まれるパターン形成領域の周囲の座標データを前記合成基準画像の座標データを基に修正することを特徴とする請求項3に記載のマスク検査装置。
- 前記制御手段は、前記分割領域に複数のパターン形成領域が存在するとき、前記合成の対象とする隣接する分割画像の方向の枠にかかるパターン形成領域の画像を前記合成基準画像とすることを特徴とする請求項4に記載のマスク検査装置。
- 前記制御手段は、前記隣接する2つの分割画像の前記重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像が存在しないとき、当該分割画像内に含まれるパターン形成領域の画像を含むように分割画像を形成することを特徴とする請求項1に記載のマスク検査装置。
- 電子ビームを試料上に照射する照射手段と、前記電子ビームの照射によって、パターンが形成された前記試料上から発生する電子の電子量を検出する電子検出手段と、前記電子量を基に当該パターンの画像データを生成する画像処理手段と、前記画像データを格納する記憶手段と、を備えたマスク検査装置における画像生成方法であって、
指定された前記試料の観察領域のサイズから全体の合成画像を形成する分割画像の分割数を算出し、隣接する分割画像が相互に重なるように分割領域を決定するステップと、
前記各分割領域毎に分割画像を取得するステップと、
前記分割領域毎の分割画像のうちの指定された一つの分割画像を抽出するステップと、
前記抽出した分割画像から所定の順序で隣接する2つの分割画像を抽出するステップと、
前記抽出された隣接する2つの分割画像毎に、当該分割画像の重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像を検出して合成基準画像を決定するステップと、
前記合成基準画像を基に前記隣接する2つの分割画像を合成するステップと、
全体のSEM画像を生成するステップと、
を有することを特徴とする画像生成方法。 - 前記合成基準画像を決定するステップでは、前記指定された一つの分割画像内の指定された領域の画像情報と同等の画像情報を有する領域の画像を前記隣接する2つの分割画像の重複領域から検出して前記合成基準画像とすることを特徴とする請求項7に記載の画像生成方法。
- 前記分割画像を合成するステップの前に、
前記分割画像内のパターン形成領域の周囲の座標データを測定するステップを有することを特徴とする請求項7に記載の画像生成方法。 - 前記分割画像を合成するステップは、
前記隣接する分割画像に含まれるパターン形成領域の周囲の座標データを前記合成基準画像の座標データを基に修正するステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の画像生成方法。 - 前記分割画像を合成するステップは、
前記分割領域に複数のパターンに対応する領域が存在するとき、前記合成の対象とする隣接する分割画像の方向の枠にかかるパターン形成領域の画像を前記合成基準画像とするステップを含むことを特徴とする請求項7に記載の画像生成方法。 - さらに、前記隣接する2つの分割画像の前記重複領域に含まれる同一のパターン形成領域の画像が存在しないとき、当該分割画像内に含まれるパターン形成領域の画像を含むように分割画像を形成するステップを有することを特徴とする請求項7に記載の画像生成方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014186894A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi High-Tech Science Corp | 集束イオンビーム装置 |
WO2020188781A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9965901B2 (en) | 2015-11-19 | 2018-05-08 | KLA—Tencor Corp. | Generating simulated images from design information |
US10395958B2 (en) * | 2017-04-03 | 2019-08-27 | Weiwei Xu | Methods for inspection sampling on full patterned wafer using multiple scanning electron beam column array |
DE102017124824A1 (de) * | 2017-10-24 | 2019-04-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und anordnung zum ermitteln eines gesamtbildes aus einzelbildern eines physikalischen objekts |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03182976A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ディジタル画像の接合方法 |
JP2001210687A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Jeol Ltd | 半導体試料の検査方法 |
JP2001274973A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 顕微鏡画像合成装置、顕微鏡画像合成方法、顕微鏡画像合成処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2007122118A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像連結方法 |
JP2009157543A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像生成方法及びその画像生成装置 |
WO2009147707A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置、および撮像範囲の補正方法 |
JP2010067516A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000294183A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡及び試料撮影方法 |
US6528787B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-03-04 | Jeol Ltd. | Scanning electron microscope |
US7135676B2 (en) * | 2000-06-27 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
US6990385B1 (en) * | 2003-02-03 | 2006-01-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection using multiple sensors and parallel processing |
US20060171593A1 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Inspection apparatus for inspecting patterns of a substrate |
US7676077B2 (en) * | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8071943B2 (en) * | 2009-02-04 | 2011-12-06 | Advantest Corp. | Mask inspection apparatus and image creation method |
-
2010
- 2010-04-12 JP JP2010091555A patent/JP2011221350A/ja active Pending
-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03182976A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-08 | Sumitomo Metal Ind Ltd | ディジタル画像の接合方法 |
JP2001210687A (ja) * | 2000-01-25 | 2001-08-03 | Jeol Ltd | 半導体試料の検査方法 |
JP2001274973A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 顕微鏡画像合成装置、顕微鏡画像合成方法、顕微鏡画像合成処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP2007122118A (ja) * | 2005-10-25 | 2007-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像連結方法 |
JP2009157543A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 画像生成方法及びその画像生成装置 |
WO2009147707A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 株式会社島津製作所 | 液晶アレイ検査装置、および撮像範囲の補正方法 |
JP2010067516A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査荷電粒子顕微鏡を用いたパノラマ画像合成方法およびその装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014186894A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Hitachi High-Tech Science Corp | 集束イオンビーム装置 |
WO2020188781A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JPWO2020188781A1 (ja) * | 2019-03-20 | 2021-10-21 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7059439B2 (ja) | 2019-03-20 | 2022-04-25 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
US11747292B2 (en) | 2019-03-20 | 2023-09-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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