JP5105357B2 - 欠陥認識方法、欠陥観察方法、及び荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
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Description
すなわち、例えばSEM装置を用いてVC欠陥の認識等を行う場合、電子ビーム発生のときの電流値、ビームを加速するときの電圧値、さらにはビームを照射するときの走査速度をそれぞれ設定する必要がある。それらの設定によっては、VC欠陥が観察できたり、観察できなかったりすることがある。このため、VC欠陥の良好な認識や観察ができるか否かは、SEM装置を操作するオペレータの技量に大きく左右されているのが実情である。
これにより、欠陥が認識できなかった場合に、さらに異なる新たな照射条件下で電子ビームまたは集束イオンビームを観察領域や参照領域に走査照射し、そのときの試料の観察領域等から発生する二次荷電粒子を検出することにより取得される観察画像や参照画像を基に、観察領域における欠陥を認識するから、欠陥を認識できる確率がさらに高まる。
これによって、荷電粒子ビームが試料の観察領域また参照領域へ衝突するときのビームのエネルギーを変えることができ、荷電粒子ビームのエネルギーが大きすぎたりあるいは小さすぎたりすることで認識できなかった欠陥を、荷電粒子のエネルギーを適宜大きさとすることによって認識できるようになる。特に、VC欠陥が試料表面から深い位置にあるとき、加速電圧を適宜値に設定したときに、該欠陥の認識が容易になる。
ビーム電流量としては、荷電粒子ビームを試料に照射したときに、画像が形成できる程度の二次荷電粒子を発生させることが必要となるが、そのためには、ビーム電流量は多いことが好ましい。しかしながら、ビーム電流量を多くしすぎると、画像がぼける傾向となって鮮明な画像が得にくくなる。また、局所的なチャージアップの問題も発生する。このため、ビーム電流量を適宜値にすることは欠陥を認識する上で非常に重要である。
これによって、試料の観察領域や参照領域に荷電粒子を照射したときの局所的なチャージアップの問題を可能な限り回避できる。
本発明の欠陥認識方法では、前記異なる他の照射条件として、ビームの走査速度が異なることを採用するのが好ましい。
これによって、ビームの走査速度が速すぎていわゆる画像が粗すぎることで認識できなかった欠陥を、走査速度を適宜値にすることによって鮮明な画像が得られることとなり、これにより、認識できなかった欠陥を認識できるようになる。
これによって、試料の観察領域や参照領域に荷電粒子を照射したときの局所的なチャージアップの問題を可能な限り回避できる。
本発明の欠陥認識方法によれば、欠陥を認識した後、この欠陥に集束イオンビームで断面加工を行い、この加工された断面を電子ビームまたは集束イオンビームを走査照射し、することで、欠陥の断面部を直接観察することができる。
前記試料にイオンビームを走査照射するイオンビーム鏡筒と、前記試料を載置する試料ステージと、前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒から発せられる荷電粒子ビームを前記試料に走査照射したときに、前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒から荷電粒子ビームを走査照射するときの複数の照射条件を作成して、その情報を前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒へ与える照射条件決定手段と、前記で検出した二次荷電粒子から前記試料の観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を取得し、これら所得した観察画像のうち、前記照射条件決定手段から得られる同じ照射条件のもの同士を比較することで前記試料の欠陥を認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とする。
これによって、本装置による欠陥認識のための自動化運転が可能になる。
図1は、本実施形態の荷電粒子ビーム装置の概略斜視図である。図2は、荷電粒子ビーム装置100の概略断面図である。
本実施形態では、2つの欠陥認識方法がある。一つは、あるパターンが一定の周期で連続していて、その画像を取得した後、画像を同一パターンとなるように複数に分割し、この分割した画像同士を比較することによって試料Waの欠陥を認識する方法である。他方は、予め欠陥があることが分かっており、その欠陥箇所と他の参照箇所(正常箇所)との画像を取得し、それら画像を比較することによって、欠陥を認識する方法である。
まず、照射条件決定手段71において、予め入力された認識対象となる試料Waの種類あるいは回路パターンの形状等によって、ビームの照射条件を設定する。例えば、ビームの照射条件としては、ビームの種類、ビームの走査速度、加速電圧、ビーム電流量がある。ここでは、ビームの種類をイオンビームと電子ビームのいずれを用いるか、並びに、そのときのビームの走査速度と加速電圧がそれぞれ、予め入力されたデータを基に所定値になるよう設定する。また、ビーム電流量については、小さな値から段階的に大きな値に変化するように設定する(ステップ1)。
このとき、試料Waの観察領域からは二次電子等の二次荷電粒子が発生するが、この二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器50によって検出される(二次荷電粒子検出工程;ステップ4)。
そして、検出された二次荷電粒子から、画像形成部72aにて観察領域の画像が形成される。また、形成された画像は、さらに、それぞれ同じ周期パターンとなる複数枚の観察画像に分割される(画像形成工程;ステップ5)。なお、二次荷電粒子からの観察領域の画像形成及び画像の分割は、公知の画像処理法によって行われる
欠陥を認識した場合には、そのときの欠陥を有する分割観察画像と、必要に応じてそのとき比較した分割参照画像(正常画像)とを記憶部72bに記憶する(ステップ7)。
欠陥がある場合には欠陥情報を記憶した後、また、欠陥を認識できなかった場合には、そのまま、ステップ8に至る。ここでは、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了したか否かを判断する。
一方、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了した場合にはステップ10に至り、記憶部72bに記憶された画像情報を読み出し、表示部80にて表示する。
まず、照射条件決定手段71において、予め入力された認識対象となる試料Waの種類あるいは回路パターンの形状等によって、ビームの照射条件を設定する。例えば、ビームの種類をイオンビームと電子ビームのいずれを用いるか設定し、そのときのビームの走査速度と加速電圧がそれぞれ、予め入力されたデータを基に所定値になるよう設定する。また、ビーム電流量については、小さな値から段階的に大きな値に変化するように設定する(ステップ21)。
続いて、制御装置70に予め記憶された欠陥情報を基に、試料Waの欠陥がある観察領域に荷電粒子ビームが当たるように、試料Waをセットした試料ステージ40を移動操作する(ステップ22)。なお、ステップ21とステップ22とは、順序を逆にしても良い。
このとき、試料Waの観察領域からは二次荷電粒子が発生するが、この二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器50によって検出される(観察領域二次荷電粒子検出工程;ステップ24)。
そして、検出された二次荷電粒子から、観察領域の画像が形成される(観察画像形成工程;ステップ25)。
そして、ステップ27に至り、ここで、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了したか否かを判断する。
一方、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了した場合にはステップ29に至り、最初に観察画像を取得したときの照射条件に再設定する。
続いて、ステップ30に至り、試料Waの欠陥がない箇所である参照領域に荷電粒子ビームが当たるように、試料ステージ40を移動操作する。
このとき、参照領域からは二次荷電粒子が発生するが、この二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器50によって検出される(参照領域二次荷電粒子検出工程;ステップ32)。
そして、検出された二次荷電粒子から、参照領域の画像が形成される(参照画像形成工程;ステップ33)。
続いて、ステップ35に至り、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了したか否かを判断する。
一方、設定された照射条件での画像取り込みが全て完了した場合にはステップ37に至る。ここでは、前記記憶部72bに記憶した観察画像と参照画像のうち、同じ照射条件のもの同士を比較することで、それらの輝度の変化情報から観察領域の欠陥を認識する(欠陥認識工程)。
観察領域に欠陥がある場合には欠陥情報をすべて記憶部72bに記憶する(ステップ38)。次に、これら記憶部72bに記憶された欠陥情報を読み出し、表示部80にて表示する(ステップ39)。
また、試料に照射するビームとしては、電子ビーム限られることなくイオンビームを照射しても良く、そのときには二次荷電粒子検出器として、二次イオン検出器を用いても良い。
また、上述したステップの途中で、判定部72cにて欠陥が認識されたか否かの判定を行い、欠陥が認識されたと判定した場合には、それ以降の異なる照射条件下での一連の画像取得及び欠陥認識のステップを省くようにしても良い。
10 真空チャンバ
20 イオンビーム照射系
23 イオンビーム鏡筒
30 電子ビーム照射系
33 電子ビーム鏡筒
40 試料ステージ
50 二次荷電粒子検出器
60 ガス銃
70 制御装置
71 照射条件決定手段
72 欠陥認識手段
72a 画像形成部
72b 記憶部
72c 判定部
80 表示装置
S4 二次荷電粒子検出(二次荷電粒子検出工程)
S5 分割画像形成(画像形成工程)
S6 欠陥を認識できるか(欠陥認識工程)
S24 二次荷電粒子検出(観察領域二次荷電粒子検出工程)
S25 観察画像形成(観察画像形成工程)
S32 二次荷電粒子検出(参照領域二次荷電粒子検出工程)
S33 参照画像形成(参照画像形成工程)
S37 取得した観察画像…(欠陥認識工程)
Claims (10)
- 試料の観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームをある照射条件下で走査照射したときに、前記観察領域から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出工程と、
前記二次荷電粒子検出工程で検出した二次荷電粒子から、前記観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を形成する画像形成工程と、
前記画像形成工程で得られた複数枚の観察画象同士を比較し、それらの差分情報から前記観察領域における欠陥を認識する欠陥認識工程とを備え、
さらに、前記観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームを前記照射条件とは異なる他の照射条件下で走査照射したときにも、前記二次荷電粒子検出工程、前記画像形成工程、前記欠陥認識工程を備えることを特徴とする欠陥認識方法。 - 請求項1記載の欠陥認識方法において、
前記欠陥が認識できないときに、前記照射条件とはさらに異なる新たな照射条件下で、前記観察領域に電子ビームまたは集束イオンビームを走査照射した状態で、前記二次荷電粒子検出工程、前記画像形成工程、前記欠陥認識工程を備えることを特徴とする欠陥認識方法。 - 前記異なる他の照射条件とは、電子ビームまたは集束イオンビームに与える加速電圧が異なることを特徴とする請求項1または2に記載の欠陥認識方法。
- 前記異なる他の照射条件とは、ビーム電流量が異なることを特徴とする請求項1または2に記載の欠陥認識方法。
- 前記ビーム電流量を異ならせるときに、小さいビーム電流量から大きいビーム電流量に切り替えることを特徴とする請求項4に記載の欠陥認識方法。
- 前記異なる他の照射条件とは、ビームの走査速度が異なることを特徴とする請求項1または2項に記載の欠陥認識方法。
- 前記走査速度を異ならせるときに、速い走査速度から遅い走査速度に切り替えることを特徴とする請求項6記載の欠陥認識方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の欠陥認識方法で認識した欠陥に、集束イオンビームで断面加工を行い、この加工された断面に電子ビームまたは集束イオンビームを走査照射し、該加工された断面を観察することを特徴とする欠陥観察方法。
- 試料に電子ビームを走査照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料にイオンビームを走査照射するイオンビーム鏡筒と、
前記試料を載置する試料ステージと、
前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒から発せられる荷電粒子ビームを前記試料に走査照射したときに、前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、
前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒から荷電粒子ビームを走査照射するときの複数の照射条件を作成して、その情報を前記電子ビーム鏡筒または前記イオンビーム鏡筒へ与える照射条件決定手段と、
前記二次荷電粒子検出器で検出した二次荷電粒子から前記試料の観察領域を区分けしたそれぞれ同じ周期パターンの複数枚の観察画像を取得し、これら所得した観察画像のうち、前記照射条件決定手段から得られる同じ照射条件のもの同士を比較することで前記試料の欠陥を認識する欠陥認識手段とを備えることを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 前記欠陥認識手段は、欠陥が認識できなかった場合に、前記照射条件決定手段に新たな異なる照射条件を作成させる旨の指令信号を発する判定部を備えることを特徴とする請求項9記載の荷電粒子ビーム装置。
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