JP4691529B2 - 荷電粒子線装置、及び試料加工観察方法 - Google Patents
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Description
(1)オンビーム11の照射により、ビーム照射方向12と概ね平行に断面(A)9, 断面(B)10を形成する。
(2)ビーム照射方向12から、該断面部位が含まれる領域に短冊状の加工領域を設定し 加工する。
(3)加工中の二次粒子像15を少なくとも短冊形状の短辺方向を拡大するように表示す る。
2 電子ビーム照射系
3 試料
4 試料ステージ
5 二次粒子検出器
6 表示手段
7 制御手段
8 真空容器
9 断面(A)
10 断面(B)
11 イオンビーム
12 ビーム照射方向
13 短冊状の加工領域
14 拡大表示された二次粒子像
15 二次粒子像
16 電子ビーム
17 電子ビーム照射方向
18 3〜6°程度の角度
19 イオンビームの走査範囲
22 透過粒子像
31 断面加工の方向
32 三次元データ(A)
33 三次元データ(B)
41 電子ビームによる二次粒子像
42 透過電子検出器
43 反射電子検出器
44 透過電子像
51 加工パターン(A)
52 加工パターン(B)
53 矢印
54 拡大表示された二次粒子像(A)
55 拡大表示された二次粒子像(B)
56 拡大表示された二次粒子像(C)
60 薄膜部
61 カーソル(A)
62 カーソル(B)
63 厚さ表示部
100 加工後の試料
101 荷電ビーム装置
102 別の電子ビーム装置
103 電子線
108 マイクロ角柱
109 マイクロ円柱
111 加工領域(A)
112 加工領域(B)
113 加工領域(C)
114 加工領域(D)
121 走査方向
122 シフト方向
123 試料回転方向
131 断面(C)
132 断面(D)
133 断面(E)
134 断面(F)
141 断面像(C)
142 断面像(D)
143 断面像(E)
144 断面像(F)
Claims (10)
- 試料を載置する試料ステージと、
前記試料ステージが配置される真空容器と、
イオンビームを発生させると共に集束させ試料上を走査させるイオンビーム照射系と、
前記試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、
前記二次粒子により形成される二次粒子像を表示する表示手段と、を備え、
少なくとも二つ以上の断面を試料に作製し、断面加工領域を断面方向にシフトして加工を繰り返して薄膜試料を作製する荷電ビーム装置であって、
イオンビーム照射方向と略平行の断面に対し、イオンビーム照射方向から前記該断面が含まれる領域に短冊状の加工領域を設定し、
前記加工領域をイオンビームにより加工し、
前記設定された短冊状の加工領域のうちの二つと、該二つの加工領域のうちの前記イオンビームにより加工中の二次粒子像とが前記表示手段に表示されるとともに、該加工中の二次粒子像が少なくとも短冊形状の短辺方向を拡大し、断面構造が判断できるように表示され、前記二つの加工領域のうちの何れが加工中なのかを指し示し、
前記短辺方向に拡大表示された複数の二次粒子像を連続的に取得した動画データを用いてシームレスな三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電ビーム装置において、
前記短辺方向に拡大表示された二次粒子像が、前記イオンビームによる加工の終了判断に用いられることを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電ビーム装置において、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、別の装置にて取得された前記薄膜試料の透過電子像、二次電子像、又は反射電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電ビーム装置において、
電子ビームを発生させると共に集束させ前記試料上を走査させる電子ビーム照射系と、透過電子検出器と、透過電子を検出する透過電子検出器と、を備え、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、前記透過電子検出器にて取得された前記薄膜試料の透過電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項1記載の荷電ビーム装置において、
電子ビームを発生させると共に集束させ前記試料上を走査させる電子ビーム照射系と、反射電子を検出する反射電子検出器と、を備え、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、前記反射電子検出器にて取得された前記薄膜試料の反射電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 試料を載置する試料ステージと、
前記試料ステージが配置される真空容器と、
イオンビームを発生させると共に集束させ試料上を走査させるイオンビーム照射系と、
前記試料から発生する二次粒子を検出する二次粒子検出器と、
前記二次粒子により形成される二次粒子像を表示する表示手段と、を備え、
少なくとも二つ以上の断面を試料に作製し、断面加工領域を断面方向にシフトして加工を繰り返して角柱状の試料を作製する荷電ビーム装置であって、
イオンビーム照射方向と略平行の断面に対し、イオンビーム照射方向から前記該断面が含まれる領域に短冊状の加工領域を設定し、
前記加工領域をイオンビームにより加工し、
前記設定された短冊状の加工領域のうちの二つと、該二つの加工領域のうちの前記イオンビームにより加工中の二次粒子像とが前記表示手段に表示されるとともに、該加工中の二次粒子像が少なくとも短冊形状の短辺方向を拡大し、断面構造が判断できるように表示され、前記二つの加工領域のうちの何れが加工中なのかを指し示し、
前記短辺方向に拡大表示された複数の二次粒子像を連続的に取得した動画データを用いてシームレスな三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項6記載の荷電ビーム装置において、
前記短辺方向に拡大表示された二次粒子像が、前記イオンビームによる加工の終了判断に用いられることを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項6記載の荷電ビーム装置において、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、別の装置にて取得された前記角柱状の試料の透過電子像、二次電子像、又は反射電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項6記載の荷電ビーム装置において、
電子ビームを発生させると共に集束させ前記試料上を走査させる電子ビーム照射系と、透過電子検出器と、透過電子を検出する透過電子検出器と、を備え、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、前記透過電子検出器にて取得された前記角柱状の試料の透過電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。 - 請求項6記載の荷電ビーム装置において、
電子ビームを発生させると共に集束させ前記試料上を走査させる電子ビーム照射系と、反射電子を検出する反射電子検出器と、を備え、
前記短辺方向に拡大された複数の二次粒子像と、前記反射電子検出器にて取得された前記角柱状の試料の反射電子像との合成データから三次元データを構築することを特徴とする荷電ビーム装置。
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