JP5969233B2 - 断面加工観察方法及び装置 - Google Patents
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Description
本発明に係る断面加工観察方法は、イオンビームの照射により試料をスライス加工し断面を形成する工程と当該断面に電子ビームを照射し断面像を取得する工程とを繰り返し施す断面加工観察方法において、試料の表面にイオンビームを走査照射し表面像を取得する工程と、表面像にスライス加工をするための第一のスライス領域と、第一のスライス領域に隣接し、第一のスライス領域の長手方向の長さよりスライス幅の長さを差し引いた長手方向の長さを有する第二のスライス領域とを設定する工程と、第一のスライス領域と第二のスライス領域にイオンビームを照射し、断面を形成する工程と、断面に電子ビームを照射し、断面像を取得する工程と、を有する。
本実施形態の断面加工観察装置は、図1に示すように、EB鏡筒1と、FIB鏡筒2と、試料室3を備えている。試料室3内に収容された試料7にEB鏡筒1から電子ビーム8を、FIB鏡筒2からイオンビーム9を照射する。
また、断面加工観察装置は、取得したSEM像と、スライス幅から試料の三次元像を構築する三次元像形成部18を備える。
2…FIB鏡筒
3…試料室
4…二次電子検出器
5…反射電子検出器
6…試料台
7…試料
7a…表面
7b…断面
8…電子ビーム
9、9a、9b…イオンビーム
10…入力部
11…制御部
12…EB制御部
13…FIB制御部
14…像形成部
15…スライス領域設定部
16…試料台制御部
17…表示部
18…三次元像形成部
21…加工溝
22…スライス領域
23…スライス領域
24…スライス領域
30、36…SIM像
31、37… 加工溝
32、33、34、35…スライス領域
37b…断面
38…段差形状
40…SEM像
48…形状
51、52…SEM像
D1、D2、D3、D4…スライス幅
Claims (5)
- イオンビームの照射により試料をスライス加工し断面を形成する工程と当該断面に電子ビームを照射し断面像を取得する工程とを繰り返し施す断面加工観察方法において、
前記試料の表面に前記イオンビームを走査照射し表面像を取得する工程と、
前記表面像に前記スライス加工をするための第一のスライス領域と、前記第一のスライス領域に隣接し、前記第一のスライス領域の長手方向の長さから前記第二のスライス領域のスライス幅(D2)を差し引いた長手方向の長さを有する第二のスライス領域とを設定する工程と、
前記第一のスライス領域と前記第二のスライス領域に前記イオンビームを照射し、前記断面を形成する工程と、
前記断面に前記電子ビームを照射し、前記断面像を取得する工程と、を有する断面加工観察方法。 - 前記第一のスライス領域と前記第二のスライス領域をエッチング加工して形成された段差構造を含む前記断面像を取得し、エッチング加工された前記第二のスライス領域のスライス幅を測長する工程を有する請求項1に記載の断面加工観察方法。
- 前記断面像と前記スライス幅とから前記試料の三次元像を構築する請求項2に記載の断面加工観察方法。
- 試料に断面を形成するために前記試料の表面にイオンビームを照射するイオンビーム鏡筒と、
前記断面の観察像を取得するために前記断面に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料から発生する荷電粒子を検出する検出器と、
前記検出器の検出信号から前記試料の観察像を形成する像形成部と、
前記試料をスライス加工するための第一のスライス領域と、前記第一のスライス領域に隣接し、前記第一のスライス領域の長手方向の長さから前記第二のスライス領域のスライス幅(D2)を差し引いた長手方向の長さを有する第二のスライス領域とを前記表面の観察像上に設定するスライス領域設定部と、を有する断面加工観察装置。 - 前記スライス加工により形成された複数の前記断面の観察像と前記スライス幅の長さから前記スライス加工を施された領域の三次元像を形成する三次元像形成部と、を有する請求項4に記載の断面加工観察装置。
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