JP5383419B2 - イオンビーム装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係るイオンビーム装置200の構成を示す断面図である。イオンビーム装置200は、ガス電解電離イオン源(GFIS)を備え、GFISから放出されるイオンビームを収束して試料に照射し、試料の観察や加工を行なう装置である。以下、図1に示す各構成要素について説明する。
図4は、本発明の実施の形態2に係るイオンビーム装置200の構成を示す模式図である。本実施の形態2に係るイオンビーム装置200は、実施の形態1で説明したGFIS(図4中の符号100)を、従来のGa−LMIS用に作製された集束イオンビーム装置に組み込んで構成したものである。以下、図4の各構成について説明する。
実施の形態1〜2では、重いイオン種を高輝度で放出することを説明した。一方、加工を行なう前には、ビーム照射位置を決めるためにSIM像観察などを行なう。この過程でイオンビームを試料に照射する必要がある。このとき、イオンビームが試料へ余分な加工ダメージを与えてしまう可能性がある。加工ダメージを減らすために、イオン電流を減らしたり、イオンのドーズ量を減らしたりするには問題がある。
引出し制限絞り8は、エミッタ電極が放出するイオンビームを通過させる開口部を有する。この開口部の位置と口径を適切に設定することにより、所望のイオン種のビームを選択的に通過させることができる。詳細は後述の図6で説明する。
図8は、本発明の実施の形態4に係るイオンビーム装置200の構成を示す模式図である。本実施の形態4に係るイオンビーム装置200は、実施の形態3で説明したGFIS(図4中の符号100−2)を、従来のGa−LMIS用に作製された集束イオンビーム装置に組み込んで改良を加えたものである。以下、図8の各構成について説明する。
実施の形態4では、照射位置を決めるときと加工を行なうときでイオン種を切り替えることのできるイオンビーム装置200の構成を説明した。本発明の実施の形態5では、イオン種を切り替える機能を別の目的に使用する例を説明する。
実施の形態3〜5では、あらかじめ記憶しておいた混合ガスの主成分に対応する引出し電圧を記憶装置から呼び出し、それと対応するレンズ系や偏向系の設定を連動して呼び出すことで、高速にイオン種を切り替え可能なことを示した。
実施の形態4の図8で説明したイオンビーム装置200において、実施の形態6で説明したような、抑制電極120を用いてエミッタティップ1先端部の電界強度を変化させる構成を採用することもできる。
Claims (5)
- ガス電界電離イオン源と、
試料を保持する試料ステージと、
前記ガス電界電離イオン源から放出されるイオンビームを集束して前記試料上に照射するレンズ系と、
前記イオンを偏向して前記試料上のイオンビームの照射位置を変える偏向系と、
前記試料から放出される2次粒子を検出する2次粒子検出器と、
前記2次粒子検出器の検出結果を用いて前記試料の観察像を形成する画像処理部と、
前記レンズ系および前記偏向系を制御して前記イオンビームの照射位置を調整する制御部と、
を備え、
前記ガス電界電離イオン源は、
エミッタ電極と引出し電極を有する電極部と、
前記エミッタ電極の先端近傍にガスを供給するガス供給部と、
前記エミッタ電極と前記引出し電極の間に電圧を印加して前記ガスをイオン化する電界を形成する電圧印加部と、
前記エミッタ電極の先端部の温度より前記ガス供給部のガス放出口部分の温度が高くなるように、前記エミッタ電極の先端部の温度と前記ガス供給部のガス放出口部分の温度を個別に制御する温度制御部と、
前記エミッタ電極が放出するイオンビームを通過させる開口部を有する引出し制限絞りと、
前記エミッタ電極から放出されるイオンの種類とそのとき前記電圧印加部が印加する電圧値との対応関係を表すデータを記憶する第1記憶部と、
を備え、
前記ガス供給部は、複数の元素のガスを主成分として含む混合ガスを供給するように構成されており、
前記画像処理部は、
前記エミッタ電極から放出される少なくとも2種類のイオンに対応した前記観察像を形成し、
各前記観察像を比較演算した新たな2次粒子画像を形成して表示する
ことを特徴とするイオンビーム装置。 - 前記温度制御部は、
前記エミッタ電極の先端部と前記ガス供給部のガス放出口部分を同時に冷却する冷却部と、
前記ガス供給部のガス放出口部分を加熱する加熱部と、
を有することを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記エミッタ電極と前記引出し電極の間に配置する抑制電極を備え、
前記電圧印加部は、前記抑制電極と前記エミッタ電極の間に抑制電圧を印加して前記ガスをイオン化する電界を調整する
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記エミッタ電極から放出されるイオンの種類とそのときの前記レンズ系および前記偏向系の設定値との対応関係を表すデータを記憶する第2記憶部を備え、
前記制御部は、
前記第1記憶部が格納しているデータに対応するデータを前記第2記憶部から読み出してそのデータが表す前記設定値に基づき前記レンズ系および前記偏向系を制御する
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。 - 前記画像処理部は、前記イオンビームの照射位置を指定する旨の操作入力を受け取り、
前記制御部は、その照射位置に前記イオンビームを照射するよう前記偏向系を制御する
ことを特徴とする請求項1記載のイオンビーム装置。
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