JP2015090890A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理装置内の基板にダメージが発生するのを効率的に抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を研磨する研磨ユニットと、研磨ユニットによって研磨処理された基板を洗浄及び乾燥する洗浄ユニットと、研磨ユニット、及び洗浄ユニット内で基板の搬送を行う搬送ユニットと、を備える。また、基板処理装置は、基板ごとに各ユニットにおける滞在時間を計測する計測部５Ａと、計測部５Ａによって計測された滞在時間と各ユニットに対して個別に設定された設定時間とを比較し、滞在時間が設定時間を超えたらエラーが発生していると判定する判定部５Ｂと、を備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、基板処理装置に関するものである。

近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。

ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットなどを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送ユニットを備えている。ＣＭＰ装置は、搬送ユニットによって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。

ところで、ＣＭＰ装置の一部のユニットに不具合が生じた場合には、一連の処理を続行するのが難しくなるので、ＣＭＰ装置内に基板が長時間待機することになり、その結果、基板表面に腐食等のダメージが発生するおそれがある。基板処理装置で処理対象となる基板は高価であるため、基板をできるだけ再使用可能な状態で回収することが望ましい。

従来技術では、基板処理装置の一部に故障が発生して基板に対する一連の処理を継続できない状態になっても、装置全体を停止させることなく、基板に対する一部の処理を継続して基板を速やかに回収することで、基板が処理不良になるリスクを低減することが知られている。

特開２００９−２００４７６号公報

従来技術は、基板処理装置内の基板にダメージが発生するのを効率的に抑制することは考慮されていない。

すなわち、基板処理装置の一部のユニットに不具合が生じた場合には、不具合が生じたユニットを通る予定の基板は、その後の処理を続行できずに基板処理装置内に待機することになる。しかしながら、基板が待機状態になっていることを許容できる時間は一律ではなく、基板に対する処理状況に応じて様々に異なっている。

例えば、研磨処理が行われる前の基板は、待機時間が生じることに起因して基板の表面に腐食などのダメージが多少生じたとしても、これから研磨処理が行われ基板表面が削られるため比較的問題にはなり難い。

一方、研磨処理が終わった後、洗浄処理に進む前の状態で待機する基板は、待機時間が生じることに起因して基板の表面に腐食などのダメージが生じるため好ましくない。

そこで、本願発明は、基板処理装置内の基板にダメージが発生するのを効率的に抑制す
ることを課題とする。

本願発明の基板処理装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、基板を研磨する研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨処理された基板を洗浄及び乾燥する洗浄ユニットと、前記研磨ユニット、及び前記洗浄ユニット内で基板の搬送を行う搬送ユニットと、前記基板ごとに前記各ユニットにおける滞在時間を計測する計測部と、前記計測部によって計測された滞在時間と前記各ユニットに対して個別に設定された設定時間とを比較し、前記滞在時間が前記設定時間を超えたらエラーが発生していると判定する判定部と、を備えたことを特徴とする。

また、前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットをさらに備え、前記搬送ユニットは、前記研磨ユニット、前記洗浄ユニット、及び前記ロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う、ことができる。

また、前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、表示インターフェース上に前記基板処理装置を模した画像を表示するとともに、前記基板処理装置を模した画像上に前記エラーの対象となった基板が滞在しているユニットを特定する画像を表示するエラー処理部、をさらに備えることができる。

また、前記エラー処理部は、前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、前記基板処理装置を模した画像に含まれる複数のユニットの中から前記滞在時間が前記設定時間を超える原因となったユニットを特定し、該特定されたユニットを他のユニットと識別可能に表示する、ことができる。

また、前記エラー処理部は、前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、前記表示インターフェース上に前記エラーの対象となった基板の搬送ルートを表示する、ことができる。

かかる本願発明によれば、基板処理装置内の基板にダメージが発生するのを効率的に抑制することができる。

図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨ユニットを模式的に示す斜視図である。 図３は、基板処理装置内でのウェハＷの搬送ルートの一例を示す図である。 図４は、ウェハＷの搬送が遅延している様子を示す図である。 図５は、基板処理装置の機能ブロックを示す図である。 図６は、図６は、ウェハの各ユニットにおける滞在時間の一例を示す図である。 図７は、滞在時間リミットＤＢ５Ｃの一例を示す図である。 図８は、基板処理装置の処理フローを示す図である。

以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、ＣＭＰ装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、を備える基板処理装置について説明するが、これには限られない。

＜基板処理装置＞
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この基板処理装置は、ロード／アンロードユニット（ＲＢＤ）２と研磨ユニット３と洗浄ユニット４とを備えている。これらのロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、および洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理動作を制御する制御部（ＨＭＩ）５を有しており、制御部５にはユニット制御盤（電源盤）が含まれる。また、研磨ユニット３、洗浄ユニット４、及びロード／アンロードユニット２内には、基板の搬送を行う搬送ユニット（搬送ロボット、搬送機構）が含まれる。

＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２には、ウェハを搬送するための搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置されている。搬送ロボット２２はウェハカセットに投入されたウェハを研磨ユニット３へ搬送するとともに、洗浄ユニット４によって処理されたウェハをウェハカセットへ搬送する。搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、基板処理装置外部、研磨ユニット３、および洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット（ＰＬ−Ａ）３Ａ、第２研磨ユニット（ＰＬ−Ｂ）３Ｂ、第３研磨ユニット（ＰＬ−Ｃ）３Ｃ、第４研磨ユニット（ＰＬ−Ｄ）３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。

第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッドが取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持し、かつ、ウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッドに押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、を備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂとを備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃとを備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄとを備えている。

第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ、および第４研磨ユニット３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨ユニット３１Ａ
について説明する。

図２は、第１研磨ユニット３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持されている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、この研磨パッド１０の上面はウェハＷを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａおよび研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズルから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。

次に、研磨ユニット３における、ウェハを搬送するための搬送機構について説明する。図１に示すように、第１研磨ユニット３Ａおよび第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、Ｌｉｆｔｅｒ５０、ＬＴＰ１（５１）、ＬＴＰ２（５２）、ＬＴＰ３（５３）、ＬＴＰ４（５４）が設けられている。ウェハＷは、ロード／アンロードユニット２から、Ｌｉｆｔｅｒ５０、ＬＴＰ１（５１）、ＬＴＰ２（５２）、ＬＴＰ３（５３）、ＬＴＰ４（５４）を介して第１研磨ユニット３Ａ、及び第２研磨ユニット３Ｂへ搬送される。また、第１研磨ユニット３Ａ、及び第２研磨ユニット３Ｂによって研磨処理されたウェハＷは、ＬＴＰ１（５１）、ＬＴＰ２（５２）、ＬＴＰ３（５３）、ＬＴＰ４（５４）を介してＳＴＰ５８へ搬送され、ＳＴＰ５８を介して洗浄ユニット４へ搬送される。

また、第３研磨ユニット３Ｃおよび第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、ＳＴＰ５８、ＬＴＰ５（５５）、ＬＴＰ６（５６）、ＬＴＰ７（５７）が設けられている。ウェハＷは、ロード／アンロードユニット２から、ＬＴＰ５（５５）、ＬＴＰ６（５６）、ＬＴＰ７（５７）を介して第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄへ搬送される。また、第３研磨ユニット３Ｃ、及び第４研磨ユニット３Ｄによって研磨処理されたウェハＷは、ＬＴＰ５（５５）、ＬＴＰ６（５６）、ＬＴＰ７（５７）を介してＳＴＰ５８へ搬送され、ＳＴＰ５８を介して洗浄ユニット４へ搬送される。

＜洗浄ユニット＞
洗浄ユニット４は、第１洗浄室（ＣＬ１Ａ）４１，（ＣＬ１Ｂ）４２と、第１搬送室（ＲＢ１）４３と、第２洗浄室（ＣＬ２Ａ）４４，（ＣＬ２Ｂ）４５と、第２搬送室（ＲＢ２）４６と、乾燥室（ＣＬ３Ａ）４７，（ＣＬ３Ｂ）４８とに区画されている。

第１洗浄室４１，４２内にはそれぞれ、一次洗浄モジュールが配置されている。ＳＴＰ５８を介して搬送されたウェハＷは、第１洗浄室４１又は第１洗浄室４２の一次洗浄モジュールによって一次洗浄される。

一次洗浄されたウェハＷは、第１搬送室４３を通って第２洗浄室４４又は第２洗浄室４５へ搬送される。第２洗浄室４４，４５内にはそれぞれ、二次洗浄モジュールが配置されている。ウェハＷは、第２洗浄室４４又は第２洗浄室４５内の二次洗浄モジュールによって二次洗浄される。

二次洗浄されたウェハＷは、第２搬送室４６を通って乾燥室４７又は乾燥室４８へ搬送される。乾燥室４７，４８内にはそれぞれ、乾燥モジュールが配置されている。ウェハＷは、乾燥室４７又は乾燥室４８内の乾燥モジュールによって乾燥処理される。乾燥処理されたウェハＷは、ロード／アンロードユニット２へ搬送される。図１に示すように、本実施形態のＣＭＰ装置の洗浄ユニット４では、洗浄処理及び乾燥処理が２系統設けられているため、効率よく洗浄処理及び乾燥処理を行うことができる。

次に、基板処理装置内でのウェハＷの搬送ルートについて説明する。図３は、基板処理装置内でのウェハＷの搬送ルートの一例を示す図である。

図３に示すように、ウェハＷは、図３の左側のユニット（ロード／アンロードユニット２）から右側のユニットに向けて搬送されながら各種処理が行われる。基板処理装置に設定されたレシピとユニットの状態により、ウェハＷの搬送ルートは様々に変化する。例えば、図３では、３通りの搬送ルートを示しているが、実際にはより多くの搬送ルートが存在する。なお、図３に示している各ユニットは一例であり、実際には他のユニットも存在する。

ここで、基板処理装置を構成するいずれかのユニットに不具合が生じると、その不具合が生じたユニットをこれから通る予定になっているウェハＷは、先の工程に進めずにその場に待機することになる。

図４は、ウェハＷの搬送が遅延している様子を示す図である。図４では、第１洗浄室４１において不具合が生じた場合に、第１洗浄室４１を通る予定のウェハＷが先の工程に進めずに待機している様子を示している。

図４の例では、第１洗浄室４１を通る予定になっているウェハＷは、ＲＢＤ２、Ｌｉｆｔｅｒ５０、ＬＴＰ１（５１）、第２研磨ユニット３Ｂ、ＬＴＰ３（５３）、ＳＴＰ５８に待機している。例えば、ＲＢＤ２、Ｌｉｆｔｅｒ５０、ＬＴＰ１（５１）、第２研磨ユニット３Ｂに滞在するウェハＷは、待機時間が生じることに起因してウェハＷの表面にダメージが多少生じたとしても、これから研磨処理が行われウェハ表面が削られるため、比較的問題にはなり難い。

一方、研磨処理が終わった後、洗浄処理に進む前の状態でＬＴＰ３（５３）又はＳＴＰ５８に待機しているウェハＷは、待機時間が生じることに起因してウェハＷの表面にダメージが生じるため好ましくない。

このため、本実施形態の基板処理装置は、個々のウェハＷ基準で各ユニットでの滞在時間を監視する機能を有している。この点について、以下説明する。

図５は、基板処理装置の機能ブロックを示す図である。図５に示すように、基板処理装置は、ＰＬＣ−１（６１），ＰＬＣ−２（６２），ＰＬＣ−３（６３），ＰＬＣ−４（６４）を備える。ＰＬＣ−１（６１）は、ＲＤＢ２におけるウェハＷの各種情報（例えば、ウェハＷがＲＤＢ２内に入った時刻と、ウェハＷがＲＤＢ２から外部へ出た時刻など）を収集する。

また、ＰＬＣ−２（６２）は、洗浄ユニット４に含まれる各ユニット（一例として、第１洗浄室４１，４２、第１搬送室４３と、第２洗浄室４４など）におけるウェハＷの各種情報（例えば、ウェハＷが各ユニット内に入った時刻と、ウェハＷが各ユニットから外部へ出た時刻など）を収集する。

また、ＰＬＣ−３（６３）は、研磨ユニット３に含まれる各ユニット（一例として、Ｌｉｆｔｅｒ５０、ＬＴＰ１（５１）、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、ＬＴＰ１（５３）など）におけるウェハＷの各種情報（例えば、ウェハＷが各ユニット内に入った時刻と、ウェハＷが各ユニットから外部へ出た時刻など）を収集する。

また、ＰＬＣ−４（６４）は、研磨ユニット３に含まれる各ユニット（一例として、ＳＴＰ５８、ＬＴＰ５（５５）、第３研磨ユニット３Ｃ、第４研磨ユニット３Ｄなど）にお
けるウェハＷの各種情報（例えば、ウェハＷが各ユニット内に入った時刻と、ウェハＷが各ユニットから外部へ出た時刻など）を収集する。

また、基板処理装置は、ＨＭＩ５を有している。ＰＬＣ−１（６１），ＰＬＣ−２（６２），ＰＬＣ−３（６３），ＰＬＣ−４（６４）によって取集された各種情報は、ＣＣ−Ｌｉｎｋ ＩＥ Ｎｅｔｗｏｒｋ６５を介してＨＭＩ５へ集約される。

ＨＭＩ５は、計測部５Ａ、判定部５Ｂ、滞在時間リミットＤＢ５Ｃ、及びエラー処理部５Ｄを備える。

計測部５Ａは、ＰＬＣ−１（６１），ＰＬＣ−２（６２），ＰＬＣ−３（６３），ＰＬＣ−４（６４）から収集した各種情報に基づいて、ウェハＷごとに各ユニットにおける滞在時間を計測する。

ここで、ウェハＷの各ユニットにおける滞在時間について説明する。図６は、ウェハの各ユニットにおける滞在時間の一例を示す図である。図６は、ある１枚のウェハについての各ユニットにおける滞在時間の一例を示した図である。

図６に示すように、計測部５Ａは、各ＰＬＣから収集した情報に基づいて、各ウェハＷに対して、各ユニット（Ｌｏｃａｔｉｏｎ）へ入った時刻（Ｉｎ）、及び各ユニットから出た時刻（Ｏｕｔ）を記録する。また、計測部５Ａは、各ウェハＷに対して、各ユニットへ入った時刻と各ユニットから出た時刻に基づいて各ユニットの滞在時間（Ｅｌａｐｓｅｄ）を計測する。

判定部５Ｂは、計測部５Ａによって計測された滞在時間と、滞在時間リミットＤＢ５Ｃにあらかじめ設定された、各ユニットに対して個別に設定された設定時間とを比較する。判定部５Ｂは、計測部５Ａによって計測された滞在時間が滞在時間リミットＤＢ５Ｃにあらかじめ設定された設定時間を超えたら、エラーが発生していると判定する。

ここで、滞在時間リミットＤＢ５Ｃについて説明する。図７は、滞在時間リミットＤＢ５Ｃの一例を示す図である。図６に示すように、例えば、ロード／アンロードユニット２から研磨ユニット３へウェハＷを搬送するＬｉｆｔｅｒ５０にウェハＷが滞在している時間は、まだウェハＷに対して何も処理が行われていない状態（５Ｃ−１）であり、この場合の滞在時間のリミットは６００（ｓｅｃ）と設定されている。また、例えば、ウェハＷが研磨ユニット３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄのいずれかに滞在しており研磨中の状態（５Ｃ−２）の場合は、滞在時間のリミットは６００（ｓｅｃ）と設定されている。

これに対して、例えばＬＴＰ３（５３）などの搬送ユニットにウェハＷが滞在している場合のように、研磨処理が終わって洗浄処理が開始されるまでの間の状態（５Ｃ−３）の場合は、滞在時間のリミットは３００（ｓｅｃ）と設定されている。

また、ウェハＷが、第１洗浄室４１，４２、第２洗浄室４４，４５のいずれかに滞在しており洗浄中の状態（５Ｃ−４）の場合は、滞在時間のリミットは１８００（ｓｅｃ）と設定されている。

これに対して、例えば第２搬送室４６などの搬送ユニットにウェハＷが滞在している場合のように、洗浄処理が終わって乾燥処理が開始されるまでの間の状態（５Ｃ−５）の場合は、滞在時間のリミットは６０（ｓｅｃ）と設定されている。

以上のように、基板処理装置内では、ウェハＷに対する処理状況に応じて、ウェハＷが
待機状態になっていることを許容できる時間は様々に異なっている。そこで、本実施形態では、各ユニットに対して個別にタイムリミットを設定可能になっている。判定部５Ｂは、計測部５Ａによって計測された各ウェハＷの滞在時間が滞在時間リミットＤＢ５Ｃにあらかじめ設定された設定時間を超えたら、エラーが発生していると判定する。

エラー処理部５Ｄは、判定部５Ｂによってエラーが発生していると判定されたら、表示インターフェース上に基板処理装置を模した画像を表示するとともに、基板処理装置を模した画像上にエラーの対象となったウェハＷが滞在しているユニットを特定する画像を表示する。

すなわち、エラー処理部５Ｄは、判定部５Ｂによってエラーが発生していると判定された場合に、ユーザに注意喚起をするための警報を発報する。具体的には、エラー処理部５Ｄは、図１に示すような、基板処理装置を模した画像を表示インターフェースに表示し、さらに、エラーの対象となったウェハＷが滞在しているユニットを特定する画像を表示する。図１の例では、ＬＴＰ３の領域にウェハＷを模した画像６１を表示することによって、ＬＴＰ３に設定時間の３００（ｓｅｃ）を超えてウェハＷが滞在していることを示している。

また、エラー処理部５Ｄは、判定部５Ｂによってエラーが発生していると判定されたら、基板処理装置を模した画像に含まれる複数のユニットの中から滞在時間が設定時間を超える原因となったユニットを特定し、特定されたユニットを他のユニットと識別可能に表示する。例えば、第１洗浄室４１に不具合が生じたために、ウェハＷがＬＴＰ３に設定時間の３００（ｓｅｃ）を超えて滞在していると仮定する。この場合、エラー処理部５Ｄは、図１に示すように、第１洗浄室４１を模した画像の上部に、不具合が生じていることを示す「Ｄｏｗｎ」を表示する。

さらに、エラー処理部５Ｄは、判定部５Ｂによってエラーが発生していると判定されたら、表示インターフェース上にエラーの対象となったウェハＷの搬送ルートを表示する。例えば、ウェハＷがＬＴＰ３に設定時間の３００（ｓｅｃ）を超えて滞在していると仮定する。この場合、エラー処理部５Ｄは、図１に示すように、ウェハＷを模した画像６１から延びる矢印６２を表示することによって、ＬＴＰ３に滞在しているウェハＷが、ＳＴＰ５８を介して第１洗浄室４１へ搬送されるというルートを示している。

次に、基板処理装置の処理フローについて説明する。図８は基板処理装置の処理フローを示す図である。図８のフローは、ウェハＷが各ユニットに入ってから出るまでに実行される処理を示している。

まず、計測部５Ａは、ウェハＷがユニットに入ったら（ステップＳ１０１）、ウェハＷに対するレシピ処理中であるか否かを判定する（ステップＳ１０２）。

続いて、計測部５Ａは、ウェハＷに対するレシピ処理中であると判定したら（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、レシピ処理が正常に実行されているか否かを判定する（ステップＳ１０３）。

続いて、計測部５Ａは、レシピ処理が正常に実行されていると判定したら（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、ウェハＷに対するＣｕ腐食の影響があるか否かを判定する（ステップＳ１０４）。

ウェハＷに対するＣｕ腐食の影響がないと判定されたら（ステップＳ１０４，Ｎｏ）、ウェハＷがユニットから出されて（ステップＳ１０５）、処理が終了する。

一方、計測部５Ａは、ステップＳ１０２においてウェハＷに対するレシピ処理中ではないと判定したら（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、レシピ処理が正常に実行されていないと判定したら（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、又はウェハＷに対するＣｕ腐食の影響があると判定されたら（ステップＳ１０４，Ｙｅｓ）、ウェハＷの待機時間が経過中であるか否かを判定する（ステップＳ１０６）。

計測部５Ａは、ウェハＷの待機時間が経過中ではないと判定したら（ステップＳ１０６，Ｎｏ）、ステップＳ１０２の処理へ戻る。

一方、計測部５Ａは、ウェハＷの待機時間が経過中であると判定したら（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）、待機時間を積算（カウント）する（ステップＳ１０７）。

続いて、判定部５Ｂは、積算された待機時間が設定時間を超えたか否かを判定する（ステップＳ１０８）。判定部５Ｂは、積算された待機時間が設定時間を超えていないと判定したら（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、ステップＳ１０６の処理へ戻る。

一方、判定部５Ｂは、積算された待機時間が設定時間を超えたと判定したら（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、エラーが発生していると判定し、エラー処理部５Ｄは、エラー処理を実行する（ステップＳ１０９）。

エラー処理部５Ｄは、例えば図１に示すように、基板処理装置を模した画像を表示インターフェースに表示し、さらに、エラーの対象となったウェハＷが滞在しているユニットを特定する画像を表示することによって、ユーザに注意喚起を行う。また、エラー処理部５Ｄは、エラー発生の原因となったユニットを他のユニットと識別可能に表示し、エラーの対象となったウェハＷの搬送ルートを表示することもできる。

以上のように、本実施形態の基板処理装置によれば、個別のウェハＷ基準で各ユニット内での滞在時間を管理しているので、基板処理装置内のウェハにダメージが発生するのを効率的に抑制することができる。また、基板処理装置内では、ウェハＷに対する処理状況に応じて、ウェハＷが待機状態になっていることを許容できる時間は様々に異なっている。そこで、本実施形態では、各ユニットに対して個別にタイムリミットを設定可能になっている。よって、基板処理装置内でウェハにダメージが発生するのを効率的に抑制することができる。

また、本実施形態によれば、エラーが発生した場合に、エラーの対象となったウェハＷが滞在しているユニットを特定する画像を表示することによって、ユーザは、ダメージが懸念されるウェハＷの位置を迅速に把握することができる。さらに、本実施形態によれば、エラー発生の原因となったユニットを他のユニットと識別可能に表示し、エラーの対象となったウェハＷの搬送ルートを表示することによって、ユーザは、どのユニットの影響でエラーが発生しているかを容易に判断することができる。

２ ロード／アンロードユニット
３ 研磨ユニット
４ 洗浄ユニット
５ 制御部
５Ａ 計測部
５Ｂ 判定部
５Ｃ 滞在時間リミットＤＢ
５Ｄ エラー処理部
２２ 搬送ロボット
４３ ＲＢ１
４６ ＲＢ２
５０ Ｌｉｆｔｅｒ
５１ ＬＴＰ１
５２ ＬＴＰ２
５３ ＬＴＰ３
５４ ＬＴＰ４
５５ ＬＴＰ５
５６ ＬＴＰ６
５７ ＬＴＰ７
５８ ＳＴＰ

Claims (5)

1. 基板を研磨する研磨ユニットと、
   前記研磨ユニットによって研磨処理された基板を洗浄及び乾燥する洗浄ユニットと、
   前記研磨ユニット、及び前記洗浄ユニット内で基板の搬送を行う搬送ユニットと、
   前記基板ごとに前記各ユニットにおける滞在時間を計測する計測部と、
   前記計測部によって計測された滞在時間と前記各ユニットに対して個別に設定された設定時間とを比較し、前記滞在時間が前記設定時間を超えたらエラーが発生していると判定する判定部と、
   を備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１の基板処理装置において、
   前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットによって洗浄及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットをさらに備え、
   前記搬送ユニットは、前記研磨ユニット、前記洗浄ユニット、及び前記ロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う、
   ことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１又は２の基板処理装置において、
   前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、表示インターフェース上に前記基板処理装置を模した画像を表示するとともに、前記基板処理装置を模した画像上に前記エラーの対象となった基板が滞在しているユニットを特定する画像を表示するエラー処理部、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３の基板処理装置において、
   前記エラー処理部は、前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、前記基板処理装置を模した画像に含まれる複数のユニットの中から前記滞在時間が前記設定時間を超える原因となったユニットを特定し、該特定されたユニットを他のユニットと識別可能に表示する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項３又は４の基板処理装置において、
   前記エラー処理部は、前記判定部によってエラーが発生していると判定されたら、前記表示インターフェース上に前記エラーの対象となった基板の搬送ルートを表示する、
   ことを特徴とする基板処理装置。