JP2008166766A - ウェハー検査装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ウェハー検査に必要な個別工程を統合することで工程間のロスタイムを解消することができるウェハー検査装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明による検査装置は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、前記複数ウェハー載置部が設けられ、回転運動によって各ウェハー載置部の位置を第1領域と第2領域に相互に位置させる回転プレートと、前記第1領域に位置したウェハー載置部から検査完了ウェハーを脱着した後、新規検査対象ウェハーをロードするロボットと、前記第2領域に位置したウェハー載置部にロードされたウェハーの上下面を反転させるウェハー反転手段と、を含む。
【選択図】図3
【解決手段】本発明による検査装置は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、前記複数ウェハー載置部が設けられ、回転運動によって各ウェハー載置部の位置を第1領域と第2領域に相互に位置させる回転プレートと、前記第1領域に位置したウェハー載置部から検査完了ウェハーを脱着した後、新規検査対象ウェハーをロードするロボットと、前記第2領域に位置したウェハー載置部にロードされたウェハーの上下面を反転させるウェハー反転手段と、を含む。
【選択図】図3
Description
本発明は、ウェハー検査装置及びその方法に関し、より詳しくは、ウェハー検査に必要な個別工程を統合することで工程間のロスタイムを解消することができるウェハー検査装置及びその方法に関する。
一般に、単結晶インゴットからスライスされたウェハーは、研削(grinding)/研磨(polishing)/蝕刻(etching)などの工程を経て一定以上の平坦度と鏡面を有するウェハーに製造され製品化される。
しかし、ウェハーの表面には、各工程を経る過程で、各種の原因による表面欠陷が生じことがあり、パーティクルなどによる表面汚染もありうる。このような場合には、ウェハーを半導体素子に加工し難いことがあるため、このようなウェハーを別に分離させるための表面検査工程が行われる。
ウェハーの表面欠陷を検査する方法には種々の方法があるが、電子装備及びレーザー光線を用いる方法や、このようなレーザー光線を用いる検査に代替したり補充的に作業者の目視による観察によって表面欠陷を検査する方法がある。
作業者の目視による検査方法は、ランプ光をウェハーの表面に照射した状態で、ウェハーの表面における光の反射状態を目視によって観察する方法である。
このとき、ウェハーの表面に欠陷や汚染がある場合には、光が反射する状態に歪みが生じ、不良が発生したか否かを判断することができる。
このとき、ウェハーの表面に欠陷や汚染がある場合には、光が反射する状態に歪みが生じ、不良が発生したか否かを判断することができる。
このような従来のウェハー表面検査は、標本を抽出して検査する方法によって行われたが、ウェハーの薄型化及び半導体容量の大容量化、そして高品質ウェハーに対する要求などから、近年製造されるウェハーに対しては全体の表面検査を行うようになった。
このようなウェハーの全数検査工程は、製造工程の終了したウェハーが検査工程でさらに汚染されることを防止するために、クリーンエアが供給されるクリーンルームで行うことが一般的である。
以下、従来のウェハー検査装置の構造及び検査方法について図1及び図2を参照して簡略に説明する。
以下、従来のウェハー検査装置の構造及び検査方法について図1及び図2を参照して簡略に説明する。
図面において、前記ウェハー検査装置10は、検査対象ウェハーW、検査対象ウェハーWを積層保管するFOUPカセット20(Front Opening Unified Pod Cassette:以下、「FOUPカセット」と称する)及び保管カセット50、検査するウェハーWをロードして移動レール12に沿って移動する移送ロボット11、移送ロボット11によってウェハーWを供給されて検査する検査ステージ30、及び検査ステージ30の一側にウェハーWを反転させるために設けられたウェハー反転部40を備える。
このような構造からなる検査装置10の動作を説明する。まず、移送ロボット11はFOUPカセット20に収納されたウェハーWをロードする(S11)。次に、移送ロボット11は移動レール12に沿って移動してロードされたウェハーWを検査ステージ30に移送する(S12)。前記検査ステージ30に移送されたウェハーWの表面、すなわち上面を検査者(図示せず)が目視で検査する(S13)。このとき、ハロゲンランプ(図示せず)のような光源を使ってウェハーWの表面に光を照射した後、光が散乱することを目視で確認する。次いで、上面が検査されたウェハーWをウェハー反転部40に移送させ(S14)、反転部40からウェハーWの上/下面を反転させる(S15)。反転されたウェハーWは再び検査ステージ30に移送され(S16)、移送されたウェハーWの下面を検査する(S17)。ここで、前記ウェハーWの下面検査方法は前述したウェハーWの上面検査方法と同様である。前記上/下面が検査されたウェハーWは再び移送ロボット11によって整列部、すなわち保管カセット50側に移送される(S18)。最後に、移送されたウェハーWを保管カセット50にアンロードする(S19)。
前述したように、従来のウェハー検査方式は1つのウェハーWの検査にトータル9段階の工程を行わねばならない。よって、各ステップの間に過度なロスタイム(loss time)を必要とし、ウェハー検査の効率性が低下する問題点があった。
本発明は、上記問題点を解決するために創案されたものであり、ウェハーの検査及び着脱を同時に行うことができるように2つの領域で構成された検査ステージを備えることで、ウェハー検査に必要な各工程別ロスタイムを最小化することができるウェハー検査装置及びその方法を提供するところにその目的がある。
本発明の他の目的は、ウェハーハンドリングが行われる全ての自動化装備に取り込まれて使用できるウェハー検査装置及びその方法を提供することである。
本発明の他の目的は、ウェハーハンドリングが行われる全ての自動化装備に取り込まれて使用できるウェハー検査装置及びその方法を提供することである。
上記目的を達成するための本発明によるウェハー検査装置は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、前記複数のウェハー載置部が設けられ、回転運動によって各ウェハー載置部の位置を第1領域と第2領域に相互に位置させる回転プレートと、前記第1領域に位置したウェハー載置部から検査完了ウェハーを脱着した後、新規検査対象ウェハーをロードするロボットと、前記第2領域に位置したウェハー載置部にロードされたウェハーの上/下面を反転させるウェハー反転手段と、を含む。
望ましくは、前記回転プレートは第2領域でウェハー検査が完了すると、回転運動によって第2領域のウェハー載置部を第1領域に、第1領域のウェハー載置部を第2領域に回転移動させる。
望ましくは、前記ウェハー反転手段は、ウェハーの上/下面反転のために一定高さまで上昇してから下降する支持台、及び前記支持台の上端部に設けられ、第2領域に位置したウェハー載置部にロードされているウェハーを取り出した後、前記支持台が一定高さまで上昇するとウェハーの上/下面を反転させて、前記支持台が元の位置に再び下降するとウェハー載置部にウェハーを載置させるガイドバーを備える。
上記目的を達成するための本発明によるウェハー検査方法は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、を含むウェハー検査装置を用いたウェハー検査方法であり、(a)前記第1領域に位置したウェハー載置部に検査完了ウェハーをアンロードして検査対象ウェハーをロードするステップと、(b)前記第1領域に位置したウェハー載置部を第2領域に回転移動させるステップと、(c)前記第2領域に回転移動されたウェハー載置部にロードされたウェハーの上面を検査するステップと、(d)ウェハーを反転手段を用いてウェハーの上/下面を反転させた後、ウェハーの下面を検査するステップと、(e)第2領域に位置したウェハー載置部を第1領域に回転移動させるステップと、を含み、前記(a)ステップは前記(c)及び(d)ステップが行われる間に同時に行われる。
望ましくは、前記(d)ステップで行われるウェハーの上/下面反転は、ウェハー載置部からウェハーを脱着するステップと、脱着されたウェハーを一定高さで上昇させるステップと、回転運動によってウェハーの上/下面を反転させるステップと、反転されたウェハーをウェハー載置部に再びロードするステップと、を含む。
なお、第1領域で行われる検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディング時点は、第2領域で行われるウェハーの検査完了時点より先であるか同一であることが望ましい。
望ましくは、前記回転プレートは第2領域でウェハー検査が完了すると、回転運動によって第2領域のウェハー載置部を第1領域に、第1領域のウェハー載置部を第2領域に回転移動させる。
望ましくは、前記ウェハー反転手段は、ウェハーの上/下面反転のために一定高さまで上昇してから下降する支持台、及び前記支持台の上端部に設けられ、第2領域に位置したウェハー載置部にロードされているウェハーを取り出した後、前記支持台が一定高さまで上昇するとウェハーの上/下面を反転させて、前記支持台が元の位置に再び下降するとウェハー載置部にウェハーを載置させるガイドバーを備える。
上記目的を達成するための本発明によるウェハー検査方法は、検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、を含むウェハー検査装置を用いたウェハー検査方法であり、(a)前記第1領域に位置したウェハー載置部に検査完了ウェハーをアンロードして検査対象ウェハーをロードするステップと、(b)前記第1領域に位置したウェハー載置部を第2領域に回転移動させるステップと、(c)前記第2領域に回転移動されたウェハー載置部にロードされたウェハーの上面を検査するステップと、(d)ウェハーを反転手段を用いてウェハーの上/下面を反転させた後、ウェハーの下面を検査するステップと、(e)第2領域に位置したウェハー載置部を第1領域に回転移動させるステップと、を含み、前記(a)ステップは前記(c)及び(d)ステップが行われる間に同時に行われる。
望ましくは、前記(d)ステップで行われるウェハーの上/下面反転は、ウェハー載置部からウェハーを脱着するステップと、脱着されたウェハーを一定高さで上昇させるステップと、回転運動によってウェハーの上/下面を反転させるステップと、反転されたウェハーをウェハー載置部に再びロードするステップと、を含む。
なお、第1領域で行われる検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディング時点は、第2領域で行われるウェハーの検査完了時点より先であるか同一であることが望ましい。
本発明によれば、ウェハー検査のために必要な個別工程を統合してウェハーの検査作業と新規検査対象ウェハーのローディングを同時に行うことができるため、各工程別のロスタイム、すなわちタクトタイム(Takt Time)を減少させることができる。これにより、単位時間当り検査することができるウェハーの数量を増加させることで、ウェハー製造工程の生産性を向上させることができる。また、本発明はウェハーの連続的なハンドリングを要する全ての自動化装備に取り込まれて使用することができる。
以下、本発明の望ましい実施例によるウェハー検査装置及びその制御方法を添付された図面を参照して詳しく説明する。
図3は本発明の望ましい実施例によるウェハー検査装置の構造を示した概略図であり、図4は本発明の望ましい実施例によるウェハー検査装置を示した正断面図であり、図5は図4の反転手段を示した平面図である。
図3ないし図5において、前記ウェハー検査装置100はクリーンルーム101内に設けられ、検査対象ウェハーWが保管されるFOUPカセット120、検査完了ウェハーWが保管される保管カセット150、ウェハー検査が行われる間に新規検査対象ウェハーWを装着できるように複数のウェハー載置部134が備えられた検査ステージ130、検査ステージ130に検査対象ウェハーを新規にロードし、検査完了ウェハーを検査ステージ130からアンロードして保管カセット150にロードするロボット111、及び検査ステージ130のウェハー載置部134にロードされたウェハーWの上/下面を反転させるウェハー反転手段140を備える。
前記ロボット111は、クリーンルーム101内に設けられた移動レール112に沿って移動する。そして、ロボット111は前記カセット120、150と検査ステージ130間にウェハーWを移送させる役割をする。移動レール112に沿って移動するロボット111は一般的に使われるものであり、詳しい説明は省略する。
前記検査ステージ130は、複数のウェハー載置部134が設けられる回転プレート135を含む。前記回転プレート135は、ウェハーWを載置する第1領域131とウェハーWを検査する第2領域132とに分けられる。回転プレート135は、第1領域131と第2領域132の位置を相互変換させる役割をする。すなわち、回転プレート135が回転することで、第1領域131と第2領域132の位置を変換させる。例えば、回転プレート135が180゜回転して第1領域131と第2領域132の位置が変換される。
前記複数ウェハー載置部134は、回転プレート135上に設けられる。望ましくは、ウェハー載置部134は第1領域131及び第2領域132にそれぞれ設けられる。前記ウェハー載置部134は相互対称して配置され、回転プレート135によって2つのウェハー載置部134の位置が相互変換される。
なお、図3には、第1領域131及び第2領域132にそれぞれ1つのウェハー載置部134が設けられているが、本発明はこれに限定されない。
なお、図3には、第1領域131及び第2領域132にそれぞれ1つのウェハー載置部134が設けられているが、本発明はこれに限定されない。
前記ロボット111は、FOUPカセット120から検査対象ウェハーWを取り出した後、移動レール112に沿って検査ステージ130側に移動し、ウェハー検査領域160の反対側に位置した第1領域131のウェハー載置部134にウェハーWをロードする。すると、ウェハーがロードされたウェハー載置部134は、回転プレート135の180゜回転によってウェハー検査領域160側に、すなわち第2領域132に位置が変換されて、これにより検査者(図示せず)がウェハーWを検査するようになる。
一方、回転プレート135の回転によって第1領域131に位置したウェハー載置部134には、ウェハーWがロードされていないか、または検査が完了したウェハーWがロードされている。前者の場合は第2領域132で行われるウェハーWの検査が一番目のウェハー検査である場合に該当する。そして、後者の場合は第2領域132で行われるウェハーWの検査が2番目以上のウェハー検査である場合に該当する。よって、前記ロボット111は、第2領域132のウェハー載置部134にロードされたウェハーWの検査が行われる間に、第1領域131のウェハー載置部134に新規で検査対象ウェハーWをロードしたり、検査が完了したウェハーWをアンロードして、新規検査対象ウェハーWをロードする。このようなウェハーのローディング/アンローディング過程については、以後、より詳しく説明する。
前記ウェハー載置部134は、ウェハーWの検査が行われる過程で所定角度回動することができる。望ましくは、第2領域132に位置したウェハー載置部134は45゜ないし90゜回動する。これは検査者がウェハー載置部134にロードされたウェハーWをより容易に観察できるようにするためである。このとき、示されていないが、ハロゲンランプを使ってウェハーWに光を照射することで検査者がウェハーWの異常の有無を容易に観察できるようにする。
前記ウェハー反転手段140は、ウェハー載置部134の一側に設けられ、ウェハー載置部134にロードされたウェハーWの上/下面を反転させる役割をする。
前記ウェハー反転手段140は、上下移動される支持台141及び支持台141の上端部に設けられたガイドバー142を備える。
前記ウェハー反転手段140は、上下移動される支持台141及び支持台141の上端部に設けられたガイドバー142を備える。
前記支持台141は、回転プレート135の中心部に位置するが、望ましくは、2つのウェハー載置部134の間に位置する。そして、前記支持台141は上下移動できるように駆動される。支持台141は相互独立的にそれぞれ駆動され、望ましくは、第2領域132に位置した支持台141のみがウェハーWの上/下面を反転させるために駆動される。
前記ガイドバー142は、一対の支持台141の上端部にそれぞれ設けられる。ガイドバー142はウェハーWの側面を挟み取ってウェハーWの上/下面を反転させるためのものであり、「コ」字状である。ガイドバー142には、ウェハーWを回転させて上/下面を反転させるための如何なる手段でも取り込まれて使われることができる。例えば、モータを使ってウェハーWの側面を挟み取ったガイドバー142の一部分のみを回転させることができる。
一方、前記ウェハー反転手段140は回転プレート135とともに回転される。このために、回転プレート135に設けられたウェハー載置部134及びウェハー反転手段140はその位置が固定される。
前述したウェハー検査装置100は、それぞれの動作を検査者によって制御することができる。すなわち、コントローラー(図示せず)を用いて非常時または検査者の判断によって選択的にウェハー検査装置100の全般的な動作を制御することができる。
以下、前記ウェハー検査装置を用いてウェハーを検査する方法について図6を参照して説明する。
以下、前記ウェハー検査装置を用いてウェハーを検査する方法について図6を参照して説明する。
まず、ロボット111がFOUPカセット120から検査対象ウェハーWをロードする(S21)。
次に、ロボット111が移動レール112に沿って検査ステージ130に移動し、第1領域131に位置されたウェハー載置部134にウェハーWをロードする(S22)。
次いで、前記第1領域131に位置されたウェハー載置部134が回転プレート135の180゜回転によって第2領域132に位置が変換される。すると、ウェハーWはウェハー検査領域160側に位置が変更され、検査者はウェハーWの表面、すなわち上面を目視で検査する(S23)。このとき、ハロゲンランプ(図示せず)を使ってウェハーWの表面に光を照射することで、ウェハー検査の便利性を図ることができる。
次いで、ウェハーWの一面の検査が完了すると、第2領域132に位置したウェハー反転手段140を駆動させてウェハーWの上/下面を反転させる(S24)。すなわち、ウェハー反転手段140の支持台141に設けられたガイドバー142にウェハーWの側面を固定させた後、支持台141を上方向に移動させる。その後、所定高さまで支持台141が上昇すると、ガイドバー142を回転させてウェハーWの上/下面を反転させる。このようにして、ウェハーWが反転すると、再び支持台141を下方向に移動させてウェハーWをウェハー載置部134に載置させる。
ウェハー反転手段140によってウェハーWの表面が反転すると、最後にウェハーWの下面を検査する(S25)。ここで、前記ウェハーWの下面検査方法は前述したウェハーWの上面検査と同様である。
なお、前記ウェハー検査装置100は、2つのウェハー載置部134を備えることで、ウェハーWの検査と、検査完了ウェハーWのアンローディング及び新規検査対象ウェハーWのローディングを同時に行うことができる。これについて図7を参照して詳しく説明する。
なお、前記ウェハー検査装置100は、2つのウェハー載置部134を備えることで、ウェハーWの検査と、検査完了ウェハーWのアンローディング及び新規検査対象ウェハーWのローディングを同時に行うことができる。これについて図7を参照して詳しく説明する。
まず、第2領域132でウェハーWの検査が完了すると、回転プレート135を180゜回転させて検査完了したウェハーWがロードされているウェハー載置部134を第1領域131に位置させる。その後、ロボット111を用いて検査完了したウェハーWをウェハー載置部134から脱着して保管カセット150にロードする(S31)。
次に、ロボット111を用いてFOUPカセット120に収納された検査対象ウェハーWを取り出した後、ロボット111を検査ステージ130側に移動させて第1領域131に位置したウェハー載置部134にロードする(S32)。
ウェハーWの新規ローディングが完了すると、前述したように回転ステージ135を180゜回転させて第2領域132に移動させた後、ウェハーの検査過程を行う(S33)。望ましくは、検査完了ウェハーWのアンローディングと新規検査対象ウェハーWのローディングは第2領域132でウェハーWの検査が行われる間に同時に行う。このとき、ウェハーWの検査完了時点より新規検査対象ウェハーWのローディング完了時点が先であることが望ましいが、ウェハーWの検査完了時点と新規検査対象ウェハーWのローディング時点が同一であることがさらに望ましい。
本発明は、第1領域131及び第2領域132に位置されたウェハー載置部134の位置を相互に切り換えながら、前記ステップS23ないしステップS25とステップS31ないしステップS33とを同時に行うことで、工程のロスタイムなくウェハーの検査が可能になる。
結果的に、従来のウェハー検査装置10はトータル9段階にわたって1つのウェハーWを検査するが、本発明のウェハー検査装置100は最初はトータル5段階にわたって1つのウェハーWを検査し、次の工程からは3段階にわたって1つのウェハーWを検査することができる。
以上、本発明を限定された実施例及び図面によって説明したが、本発明はこれによって限定されることなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を持った者によって本発明の技術思想及び特許請求の範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは言うまでもない。
Claims (6)
- 検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、
前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、
前記複数ウェハー載置部が設けられ、回転運動によって各ウェハー載置部の位置を第1領域と第2領域に相互に位置させる回転プレートと、
前記第1領域に位置したウェハー載置部から検査完了ウェハーを脱着した後、新規検査対象ウェハーをロードするロボットと、
前記第2領域に位置したウェハー載置部にロードされたウェハーの上/下面を反転させるウェハー反転手段と、を備えるウェハー検査装置。 - 前記回転プレートは、第2領域でウェハー検査が完了すると、回転運動によって第2領域のウェハー載置部を第1領域に、第1領域のウェハー載置部を第2領域に回転移動させることを特徴とする請求項1に記載のウェハー検査装置。
- 前記ウェハー反転手段は、
ウェハーの上/下面反転のために一定高さまで上昇してから下降する支持台と、
前記支持台の上端部に設けられ、第2領域に位置したウェハー載置部にロードされているウェハーを取り出した後、前記支持台が一定高さまで上昇するとウェハーの上/下面を反転させ、前記支持台が元の位置で再び下降するとウェハー載置部にウェハーを載置させるガイドバーと、を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェハー検査装置。 - 検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディングが行われる第1領域、及びウェハーの検査が行われる第2領域を備える検査ステージと、前記検査ステージ上に相互対向するように設けられた複数のウェハー載置部と、を含むウェハー検査装置を用いたウェハー検査方法において、
(a)前記第1領域に位置したウェハー載置部に検査完了ウェハーをアンロードして検査対象ウェハーをロードするステップと、
(b)前記第1領域に位置したウェハー載置部を第2領域に回転移動させるステップと、
(c)前記第2領域に回転移動されたウェハー載置部にロードされたウェハーの上面を検査するステップと、
(d)ウェハーを反転手段を用いてウェハーの上/下面を反転させた後、ウェハーの下面を検査するステップと、
(e)第2領域に位置したウェハー載置部を第1領域に回転移動させるステップと、を含み、
前記(a)ステップは前記(c)ステップ及び(d)ステップが行われる間に同時に行われることを特徴とするウェハー検査方法。 - 前記(d)ステップで行われるウェハーの上/下面反転は、
ウェハー載置部からウェハーを脱着するステップと、
脱着されたウェハーを一定高さまで上昇させるステップと、
回転運動によってウェハーの上/下面を反転させるステップと、
反転されたウェハーをウェハー載置部に再びロードするステップと、を含むことを特徴とする請求項4に記載のウェハー検査方法。 - 第1領域で行われる検査完了ウェハーの脱着及び新規検査対象ウェハーのローディング時点が、第2領域で行われるウェハーの検査完了時点より先であるか同一であることを特徴とする請求項4に記載のウェハー検査方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060138733A KR100846065B1 (ko) | 2006-12-29 | 2006-12-29 | 웨이퍼 검사장치 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166766A true JP2008166766A (ja) | 2008-07-17 |
Family
ID=39582079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007326443A Withdrawn JP2008166766A (ja) | 2006-12-29 | 2007-12-18 | ウェハー検査装置及びその方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080156122A1 (ja) |
JP (1) | JP2008166766A (ja) |
KR (1) | KR100846065B1 (ja) |
CN (1) | CN101210888A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8686472B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5597379B2 (ja) * | 2008-10-02 | 2014-10-01 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
CN101599447B (zh) * | 2009-07-23 | 2012-07-18 | 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 | 一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法 |
CN102500554A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-06-20 | 浙江大学台州研究院 | 一种晶片全自动目检机 |
CN102915938B (zh) * | 2012-10-08 | 2015-09-30 | 上海华力微电子有限公司 | 一种检测晶背缺陷的装置及方法 |
CN110038811B (zh) * | 2015-06-17 | 2021-10-26 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体元件分类方法 |
CN105180986B (zh) * | 2015-09-25 | 2017-11-28 | 西安立芯光电科技有限公司 | 一种样品测试/处理装置 |
CN105702597B (zh) * | 2016-02-05 | 2019-03-19 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 多工作台或多腔体检测系统 |
TWI621192B (zh) * | 2016-08-17 | 2018-04-11 | 詳維科技股份有限公司 | 晶片外觀檢測裝置及其方法 |
CN108054124B (zh) * | 2018-01-23 | 2024-05-03 | 哈工大机器人(合肥)国际创新研究院 | 处理微型盘状零件的设备 |
CN110108726A (zh) * | 2019-05-05 | 2019-08-09 | 中山易美杰智能科技有限公司 | 一种用于芯片检测的全自动光学检测系统 |
TWI751613B (zh) * | 2020-07-17 | 2022-01-01 | 倍利科技股份有限公司 | 半導體元件的檢測方法及其裝置 |
CN112255245B (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-27 | 惠州高视科技有限公司 | 一种Mini LED晶圆正反面外观缺陷检测方法及装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092887A (ja) * | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Nikon Corp | ウエハ検査装置 |
US6212961B1 (en) * | 1999-02-11 | 2001-04-10 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Buffer system for a wafer handling system |
DE10121044B4 (de) * | 2001-04-28 | 2011-03-03 | Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh | Anordnung zur Waferinspektion |
KR100445457B1 (ko) * | 2002-02-25 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 후면 검사 장치 및 검사 방법 |
-
2006
- 2006-12-29 KR KR1020060138733A patent/KR100846065B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007326443A patent/JP2008166766A/ja not_active Withdrawn
- 2007-12-19 US US12/004,082 patent/US20080156122A1/en not_active Abandoned
- 2007-12-28 CN CNA200710306088XA patent/CN101210888A/zh active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8686472B2 (en) | 2008-10-02 | 2014-04-01 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080062673A (ko) | 2008-07-03 |
KR100846065B1 (ko) | 2008-07-11 |
US20080156122A1 (en) | 2008-07-03 |
CN101210888A (zh) | 2008-07-02 |
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---|---|---|---|
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