TW201342454A - 洗淨裝置、剝離系統、洗淨方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Takahide Sakai
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Abstract

本發明之課題係將配置於環狀框內側、並利用該框與膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面適切地洗淨。本發明之解決手段之洗淨裝置(13)係具有：保持被處理晶圓(W)使其旋轉之晶圓保持部(130)、與具備供給面(141)覆蓋被處理晶圓(W)的接合面(WJ)之洗淨治具(140)。在洗淨治具(140)設置：在接合面(WJ)跟供給面(141)之間的間隙(142)供給接著劑(G)的溶劑、溶劑的清洗液、及惰性氣體之氣液供給部(150)，抽吸被供給到接合面(WJ)跟供給面(141)之間的間隙(142)之溶劑或清洗液(混合液)之抽吸部(170)，與將氣體供給到段部(A)之氣體供給部(180)。

Description

洗淨裝置、剝離系統、洗淨方法及電腦記憶媒體
本發明係有關從重合基板被剝離的被處理基板被配置在環狀框的內側、且利用在框表面與被處理基板的非接合面被貼附之膠帶而被保持之狀態下，洗淨該被處理基板的接合面之洗淨裝置，具備該洗淨裝置之剝離系統，使用該洗淨裝置之剝離方法，程式及電腦記憶媒體。
近年來，例如於半導體裝置之製造程序，正進展著半導體晶圓(以下，簡稱「晶圓」)的大口徑化。此外，於實裝等特定步驟，要求著晶圓的薄型化。例如把大口徑而且薄的晶圓，直接搬送，或是進行研磨處理的話，晶圓會有發生翹曲或破裂之虞。因此，為了補強晶圓，例如進行於支撐基板之晶圓或玻璃基板上貼附晶圓。接著，在這樣晶圓與支撐基板被接合的狀態下進行晶圓的研磨處理等特定的處理之後，晶圓與支撐基板被剝離。
相關的晶圓與支撐基板的剝離，例如使用剝離裝置來進行。剝離裝置，例如具有保持晶圓的第1保持器、保持支撐基板的第2保持器、對晶圓與支撐基板之間噴射液體的噴嘴。接著，在此剝離裝置，藉由在從噴嘴起到被接合的晶圓與支撐基板之間，以比該晶圓與支撐基板之間的接合強度更大的噴射壓，較佳者為比接合強度大2倍以上的噴射壓來噴射液體，而進行晶圓與支撐基板的剝離(專利 文獻1)。之後，分別洗淨這些晶圓的接合面與支撐基板的接合面，結束晶圓與支撐基板的剝離處理。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-167724號公報
然而，由於晶圓薄型化，而有晶圓被配置於環狀切割框的內側，利用切割膠帶而被貼附並保持在切割框的表面與晶圓的非接合面。亦即，在剝離晶圓與支撐基板後，接合面被洗淨的晶圓係有被保持在切割框及切割膠帶之場合。
上述之晶圓接合面的洗淨係使用例如接合晶圓與支撐基板之接著劑的溶劑。接著晶圓的洗淨中，被供給到晶圓接合面上之溶劑係流入晶圓與切割框之間的切割膠帶上。這樣一來，會有切割膠帶因溶劑而遭受損傷之場合。在該場合，切割膠帶並無法適切地保持晶圓，而對該晶圓的搬送或後續的處理招致妨礙。
本發明有鑑於該問題點，目的在於將配置於環狀框內側、並利用該框與膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面適切地洗淨。
為了達成前述目的，本發明之洗淨裝置，在剝離用接著劑接合被處理基板和支撐基板之重合基板之後，於被剝離的被處理基板配置在環狀框的內側，且利用在前述框的表面與被處理基板的非接合面被貼附的膠帶而被保持之狀態下，洗淨該被處理基板的接合面之洗淨裝置，其特徵係具有保持被處理基板使其旋轉之旋轉保持部、與具備供給面覆蓋被處理基板的接合面之洗淨治具；在前述洗淨治具設著將洗淨液供給到前述接合面與前述供給面之間之洗淨液供給部、與將被供給到前述接合面與前述供給面之間的洗淨液予以抽吸之洗淨液抽吸部。又，被處理基板的接合面係指在重合基板之被處理基板與支撐基板接合之面；而被處理基板之非接合面則是指在重合基板之被處理基板並不與支撐基板接合之面。此外，洗淨液除了接著劑之溶劑也包含溶劑的清洗液等。
根據本發明之洗淨裝置，首先，以洗淨治具的供給面覆蓋被處理基板的接合面之方式，把洗淨治具朝被處理基板對向配置。之後，從洗淨液供給部將洗淨液供給到供給面與接合面之間，一邊利用旋轉保持部使被處理基板旋轉，一邊使被供給之洗淨液擴散到接合面上。這樣一來，就可以利用該洗淨液洗淨被處理基板的接合面。之後，由於利用洗淨液抽吸部來抽吸擴散在接合面上的洗淨液，就不會發生該洗淨液流入被處理基板與框之間的膠帶上。從而，可以抑制因溶劑造成的膠帶損傷，也可適切地洗淨被處 理基板的接合面。
也可以在前述供給面把該供給面與複數溝部形成同心圓狀。
前述洗淨液抽吸部可以是在前述供給面的外周部沿著該外周部被形成環狀。此外，前述洗淨治具也可以於被處理基板與前述框之間對著前述膠帶上方被形成的段部設置供給氣體之氣體供給部。這樣的場合，前述洗淨裝置也可以具有控制前述旋轉保持部使被處理基板按旋轉數50rpm旋轉之控制部。
前述洗淨液抽吸部也可以於被處理基板與前述框之間被設在前述膠帶上方形成的段部的外側。這樣的場合，前述洗淨裝置也可以具有控制前述旋轉保持部使被處理基板按旋轉數1000~2000rpm旋轉之控制部。
前述洗淨治具，也可以設置有於被處理基板與前述框之間對著前述膠帶上方被形成的段部設置被構成可自由進退、且覆蓋該段部的膠帶之蓋子。
前述框也可以設置有於被處理基板與前述框之間展開於前述膠帶上方被形成的段部之展開部。
另一觀點之本發明之剝離系統，具備前述洗淨裝置之剝離系統，其特徵係具有：具備將重合基板剝離成被處理基板與支撐基板之剝離裝置、將用前述剝離裝置剝離的被處理基板洗淨之前述洗淨裝置、將用前述剝離裝置剝離的支撐基板洗淨之其他洗淨裝置等之處理站，對於前述處理站將被處理基板、支撐基板或重合基板搬出搬入之搬出搬 入站，與於前述處理站與前述搬出搬入站之間搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送裝置。
另一觀點之本發明之洗淨方法，在剝離用接著劑接合被處理基板和支撐基板之重合基板之後，把被剝離的被處理基板配置在環狀框的內側，且利用在前述框的表面與被處理基板的非接合面被貼附之膠帶而被保持之狀態下，洗淨該被處理基板的接合面之洗淨方法，其特徵係具有：以在被處理基板的接合面上供給前述接著劑的溶劑用之洗淨治具的供給面覆蓋前述接合面之方式將前述洗淨治具配置相對向於被處理基板之配置步驟，之後，將洗淨液供給到前述供給面與前述接合面之間一邊使被處理基板旋轉一邊使前述被供給的洗淨液擴散到前述接合面上之洗淨步驟，與之後將擴散在前述接合面上之洗淨液予以抽吸之抽吸步驟。
在前述供給面把該供給面與複數溝部形成同心圓狀，在前述洗淨步驟，前述洗淨液也可以擴散在前述每一溝部間之前述接合面上。
在前述抽吸步驟，前述洗淨液也可以由前述洗淨治具的外周部抽吸。此外，前述洗淨步驟也可以於被處理基板與前述框之間對著前述膠帶上方被形成的段部供給氣體。這樣的場合，前述洗淨步驟之被處理基板的旋轉數係50rpm，前述抽吸步驟可以是在停止被處理基板旋轉之狀態下進行。
在前述抽吸步驟，前述洗淨液也可以由被處理基板與 前述框之間前述膠帶上方被形成之段部的外側抽吸。這樣的場合，前述洗淨步驟之被處理基板的旋轉數可以是1000rpm~2000rpm。
前述洗淨步驟與前述抽吸步驟，也可以設置有於在被處理基板與前述框之間被形成在前述膠帶上方被形成之段部內，覆蓋該段部的膠帶之蓋子之狀態下進行。
前述框也可以設置有於被處理基板與前述框之間展開於被形成在前述膠帶上方的段部之展開部。
進而根據其他觀點之本發明，提供一種電腦記憶媒體，特徵為供利用洗淨裝置執行前述洗淨方法，容納控制該洗淨裝置的控制部之在電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
根據本發明可以將配置於環狀框內側、並利用該框與膠帶而被保持之狀態下之被處理基板的接合面適切地洗淨。
以下，針對本發明之實施型態加以說明。圖1係顯示關於本實施型態之剝離系統1之構成概略平面圖。
在剝離系統1，將圖2及圖3所示作為被處理基板之被處理晶圓W與作為支撐基板之支撐晶圓S以接著劑G接合的作為重合基板的重合晶圓T，剝離為被處理晶圓W 與支撐晶圓S。以下，於被處理晶圓W，將中介著接著劑G與支撐晶圓S接合的面稱為「接合面WJ」，將與該接合面WJ相反側之面稱為「非接合面WN」。同樣地，於支撐晶圓S，將中介著接著劑G與被處理晶圓W接合的面稱為「接合面SJ」，將與該接合面SJ相反側之面稱為「非接合面SN」。被處理晶圓W，係成為製品的晶圓，例如在接合面WJ被形成複數之電子電路。此外，被處理晶圓W，例如非接合面WN被研磨處理，被薄型化(例如厚度50μm)。支撐晶圓S，具有與被處理晶圓W的直徑相同的直徑，係支撐該被處理晶圓W的晶圓。又，在本實施型態，針對作為支撐基板使用晶圓之場合加以說明，但例如使用玻璃基板等其他基板亦可。
在重合晶圓T安裝著切割框F與切割膠帶P。切割框F平面看來具有略矩形狀，且在內側具有沿著重合晶圓T的外周部形成有開口部之環狀形狀。接著，重合晶圓T係被配置在切割框F內側的開口部。又，在切割框F使用例如不銹鋼。此外，切割膠帶P平面看來具有略圓形狀，被貼附在切割框F的表面FS與被處理晶圓W的非接合面WN。如此，重合晶圓T係被保持在切割框F與切割膠帶P。又，在重合晶圓T與切割框F之間形成間隙，在該間隙的切割膠帶P的上方形成段部A。此外，切割膠帶P，在製作的情況上並貼附不到切割框F表面FS的端部，只有切割膠帶P的厚度部分會使切割框F的外周部在與切割膠帶P之間存在段差B。又，本實施型態之切割框F平面 看來具有略矩形狀，但是，切割框F係得以採取種種的形狀例如略圓形狀。此外，切割膠帶P平面看來具有略圓形狀，但是，也是得以採取種種的形狀例如略矩形狀。
然後，在剝離系統1，重合晶圓T係於被切割框F與切割膠帶P保持之狀態下被剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S。此外，被剝離的被處理晶圓W係於被切割框F與切割膠帶P保持之狀態下被搬送、進行後續的處理例如接合面WJ的洗淨。
剝離系統1係具有：如圖1所示於例如與外部之間搬出搬入可以分別收容複數的被處理晶圓W與複數的重合晶圓T之卡匣CW、CT之第1搬出搬入站10、於與外部之間搬出搬入可以收容複數的支撐晶圓S之卡匣CS之第2搬出搬入站11、將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離裝置12、洗淨被剝離的被處理晶圓W之洗淨裝置13、與於剝離系統1內搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬送裝置14。第1搬出搬入站10、第2搬出搬入站11、剝離裝置12及洗淨裝置13係在搬送裝置14的周圍於例如平面看來逆時鐘旋轉方向按該順序並排配置。
在第1搬出搬入站10，設有卡匣載置台20。在卡匣載置台20，設置例如2個卡匣載置板21。卡匣載置板21，於Y方向(圖1中的左右方向)並排配置。在這些卡匣載置板21，對剝離系統1的外部搬出搬入卡匣CW、CT時，可以載置卡匣CW、CT。以該方式讓第1搬出搬入站 10被構成可以保有複數的被處理晶圓W與複數的重合晶圓T。又，這些被處理晶圓W與重合晶圓T分別被切割框F與切割膠帶P保持著。此外，在第1搬出搬入站10，卡匣載置板21的個數並不受限於本實施型態而可以任意決定。
在第2搬出搬入站11，設有卡匣載置台30。在卡匣載置台30，設置例如1個卡匣載置板31。在卡匣載置板31，對剝離系統1的外部搬出搬入卡匣CS時，可以載置卡匣CS。以該方式構成第2搬出搬入站11可以保有複數的支撐晶圓S。此外，鄰接在卡匣載置板31於X方向正方向(圖1中的上方向)側，配置著使被處理晶圓W的表裡面反轉之反轉裝置32。
其次，針對上述之剝離裝置12之構成加以說明。剝離裝置12係如圖4所示具有處理容器40。在處理容器40的側面，被形成被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬出搬入口(未圖示)，在該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。又，在處理容器40內讓來自被設置搬送裝置14的領域之氛圍流入。被處理晶圓W與重合晶圓T還分別被切割框F與切割膠帶P保持著。
在處理容器40的底面，被形成將該處理容器40內部的氛圍予以抽吸之吸氣口41。在吸氣口41，例如被接續著連通至真空泵等負壓產生裝置42的吸氣管43。
在處理容器40的內部，設有將被處理晶圓W於下面予以吸住保持之第1保持部50、將切割框F的表面FS予 以吸住保持之第2保持部51、與將支撐晶圓S於上面予以載置並保持之第3保持部52。第1保持部50與第2保持部51係分別被設在第3保持部52的上方，而第1保持部50係被配置成與第3保持部52相對向。亦即，於處理容器40的內部，在將被處理晶圓W配置於上側、且將支撐晶圓S配置於下側的狀態下，對重合晶圓T進行剝離處理。
第1保持部50，如圖5所示具有略平板形狀。在第1保持部50的內部，中介切割膠帶P設置供吸住保持被處理晶圓W的非接合面WN用之抽吸管60。抽吸管60，被接續在例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。
此外，在第1保持部50的內部設有加熱被處理晶圓W的加熱機構61。在加熱機構61使用例如加熱器。
第2保持部51，在第1保持部50的外周部與該第1保持部50一體地被設置。亦即，第2保持部51係被配置於切割膠帶P的外側。此外，可以在第2保持部51接續例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)，第2保持部51係在切割膠帶P的外側吸住保持切割框F的表面FS。又，如圖6所示，第2保持部51被設在複數個地方例如4處。4個第2保持部51係等間隔地被配置於切割框F的各邊。
於此，如上述方式切割框F的外周部在與切割膠帶P之間存在段差B。為此，欲以第1保持部50吸住保持切割框F時，在該第1保持部50與切割框F之間會產生因 段差B所造成之間隙。亦即，第1保持部50並不能直接吸住保持切割框F。這樣的場合，由於切割框F不被固定，會使第1保持部50不能適切地保持被處理晶圓W。該點，本實施型態係利用第2保持部51以吸住保持切割框F，因而使第1保持部50也可適切地保持被處理晶圓W。
第3保持部52，如圖5所示具有略平板形狀。在第3保持部52的內部，設有供吸住保持支撐晶圓S用的抽吸管70。抽吸管70，被接續在例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。又，第3保持部52係使用彈性體之例如鋁(aluminium)。
此外，在第3保持部52的內部設有加熱支撐晶圓S的加熱機構71。在加熱機構71使用例如由鋁所構成的加熱器。
如圖4所示方式在第1保持部50的上面設置支撐該第1保持部50之支撐板80。支撐板80，被支撐在處理容器40的天花板面。又，省略本實施型態的支撐板80，第1保持部50抵接而支撐於處理容器40的天花板面亦可。
在第3保持部52的下方，設有使第3保持部52及支撐晶圓S於鉛直方向及水平方向上移動的移動機構90。移動機構90係具有：保持第3保持部52、且僅使第3保持部52的外周部於鉛直方向移動之第1鉛直移動部91，保持第1鉛直移動部91、且使第1鉛直移動部91與第3保持部52於鉛直方向移動之第2鉛直移動部92，與使第1鉛直移動部91、第2鉛直移動部92及第3保持部52於 水平方向移動之水平移動部93。第1鉛直移動部91、第2鉛直移動部92、水平移動部93，係於鉛直方向從上按此順序被配置。
第1鉛直移動部91係具有使第3保持部52的外周部圓環狀地於鉛直方向移動之複數例如6個汽缸(cylinder)100，支撐第3保持部52的中央部之支撐柱101，與支撐汽缸100和支撐柱101之支撐板102。如圖7所示方式6個汽缸100係與支撐板102在同一圓周上等間隔地被配置。此外，這些汽缸100係被配置在對應於第3保持部52的外周部之位置。支撐柱101係被配置於支撐板102的中央部之、對應於第3保持部52的中央部之位置。亦即，以利用汽缸100讓第3保持部52的外周部於鉛直下方移動時而該第3保持部52中央部的鉛直方向的位置不會變之方式配置支撐柱101。
第2鉛直移動部92，係如圖4所示方式具有使支撐板102升降之驅動部110、與支撐支撐板102之支撐構件111。驅動部110，具有例如滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。此外，支撐構件111，係可在鉛直方向上自由伸縮地構成，在支撐板102與水平移動部93之間例如設在3處。
水平移動部93係具有例如滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)，可以使第1鉛直移動部91、第2鉛直移動部92及第3保持部52於水平方向上移動。
又，在第3保持部52的下方，設有由下方支撐升降重合晶圓T或支撐晶圓S之用的升降栓(未圖示)。升降栓插通被形成在第3保持部52的貫通孔(未圖示)，成為可由第3保持部52的上面突出。
其次，針對上述之洗淨裝置13之構成加以說明。洗淨裝置13係如圖8所示具有處理容器120。在處理容器120的側面，被形成被處理晶圓W之搬出搬入口(未圖示)，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。又，在處理容器120內設有供清淨化內部氛圍用之過濾器(未圖示)。此外，被處理晶圓W係被保持在切割框F與切割膠帶P。
在處理容器120內的中央部，設有作為旋轉保持部的晶圓保持部130。晶圓保持部130係如圖9所示具有中介切割膠帶P保持並旋轉被處理晶圓W之旋轉晶圓座131、與吸住保持切割框F的表面FS之吸住墊(pad)132。
旋轉晶圓座131具有水平的上面，在該上面設有例如抽吸切割膠帶P的抽吸口(未圖示)。旋轉晶圓座131還設成至少要覆蓋被處理晶圓W。於是藉由來自抽吸口的抽吸，可以中介切割膠帶P將被處理晶圓W吸住保持在旋轉晶圓座131上。被處理晶圓W還以其接合面WJ向上之方式被吸住保持在旋轉晶圓座131。
吸住墊132係被設在旋轉晶圓座131的外周部上。亦即，吸住墊132係被配置於切割膠帶P的外側。此外，可以在吸住墊132接續例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示 )，吸住墊132係在切割膠帶P的外側吸住保持切割框F的表面FS。又，如圖10所示，吸住墊132被設在複數個地方例如8處。
於此，如上述方式切割框F的外周部如圖9所示方式在與切割膠帶P之間存在段差B。為此，欲以旋轉晶圓座131吸住保持切割框F時，在該旋轉晶圓座131與切割框F之間會產生因段差B所造成之間隙。亦即，旋轉晶圓座131並不能直接吸住保持切割框F。這樣的場合，由於切割框F不被固定，會使旋轉晶圓座131不能適切地保持被處理晶圓W。該點，本實施型態係利用吸住墊132以吸住保持切割框F，因而也使晶圓保持部130可適切地保持被處理晶圓W。
在晶圓保持部130的下方，係如圖8所示設置例如具備馬達等之作為旋轉機構之晶圓座驅動部133。旋轉晶圓座131，可以利用晶圓座驅動部133依特定的速度旋轉。此外，在晶圓座驅動部133，設有例如汽缸等升降驅動源，使旋轉晶圓座131成為可自由升降。
在晶圓保持部130的周圍，為了承接從被處理晶圓W飛散或落下的液體，設有進行回收的杯134。在杯134的下面，被接續著排出回收的液體之排出管135，與真空抽吸杯134內的氛圍而進行排氣的排氣管136。
在晶圓保持部130的上方，設有供洗淨被處理晶圓W的接合面WJ用之洗淨治具140。洗淨治具140，係被配置相對向於被保持在晶圓保持部130之被處理晶圓W。
洗淨治具140，係如圖9及圖11所示具有略圓板形狀。在洗淨治具140的下面，以至少覆蓋被處理晶圓W的接合面WJ之方式形成供給面141。又，本實施型態中，供給面141與接合面WJ兩者之大小大致相同。
在洗淨治具140的中央部，如圖9所示對著供給面141與接合面WJ之間的間隙142設置供給接著劑G的溶劑(有機溶劑)、溶劑的清洗液、及惰性氣體之氣液供給部150。氣液供給部150係於洗淨治具140之厚度方向貫通。又，氣液供給部150係作為供給洗淨液之溶劑與清洗液之洗淨液供給部之功能，而本實施型態之氣液供給部150因為也供給惰性氣體，所以稱作氣液供給部。
在氣液供給部150，被接續著供給管151。在供給管151設有切換接著劑G的溶劑、溶劑的清洗液、惰性氣體等的流動之閥152。在閥152係被接續著連通至內部貯留溶劑的溶劑供給源153之供給管154、連通至內部貯留清洗液的清洗液供給源155之供給管156、連通至內部貯留惰性氣體的惰性氣體供給源157之供給管158。在各供給管154、156、158，分別設有包含控制溶劑、清洗液、惰性氣體的流動之閥或流量調節部等之供給機器群159、160、161。又，接著劑G之溶劑係使用例如稀釋劑(thinner)。清洗液則因應接著劑G的主溶媒的成分而使用不同的液，例如使用純水或IPA(異丙醇；isopropyl alcohol)。此外，為了促進清洗液的乾燥，清洗液最好是使用揮發性較高的液。惰性氣體係使用例如氮氣。
在洗淨治具140的外周部，設有抽吸被供給至間隙142之溶劑或清洗液(後述之混合液)之洗淨液之作為洗淨液抽吸部之抽吸部170。抽吸部170係被設置於洗淨治具140之厚度方向貫通。而且，抽吸部170係如圖11所示方式沿著洗淨治具150的外周部環狀地被形成。在抽吸部170，係如圖9所示例如被接續著連通至真空泵等負壓產生裝置171的吸氣管172。
在洗淨治具140的外緣部亦即抽吸部170的外側，設有對段部A供給氣體之氣體供給部180。氣體供給部180係被設置於洗淨治具140之厚度方向貫通。此外，氣體供給部180係如圖11所示在洗淨治具150的外緣部複數處例如2處被配置。在氣體供給部180，係如圖9所示接續著連通至內部貯留氣體、例如乾燥空氣或惰性氣體的氣體供給源181之供給管182。在供給管182，設有包含控制氣體的流動之閥或流量調節部等的供給機器群183。
洗淨治具140係如圖12所示被支撐在延伸於Y方向之支撐構件190。在支撐構件190的兩端部，設置使該支撐構件190於鉛直方向升降之升降機構191、191。在升降機構191，例如使用汽缸等。此外，升降機構191係如圖10所示被配置在杯134的外側。
如圖8所示在晶圓保持部130的上方，除了上述之洗淨治具140，還設有用以從搬送裝置14到晶圓保持部130遞送被處理晶圓W之遞送臂200。遞送臂200，如圖13及圖14所示以能夠保持切割框F的外周部之方式具有圓 環形狀。在遞送臂200的下面，框保持部201被設在複數個地方例如4處。在框保持部201例如被接續真空泵等負壓產生裝置(未圖示)，框保持部201係能夠吸住保持被安裝被處理晶圓W之切割框F。
遞送臂200係被支撐在延伸於Y方向之支撐構件202。在支撐構件202的兩端部，設置使該支撐構件202於鉛直方向升降之升降機構203、203。在升降機構203，例如使用汽缸等。此外，升降機構203係被配置於升降機構191的X方向負方向側。
其次，針對上述之搬送裝置14之構成加以說明。搬送裝置14，係如圖15所示具有保持並搬送重合晶圓T或者被處理晶圓W之第1搬送臂210、與保持並搬送支撐晶圓S之第2搬送臂211。又，以第1搬送臂210被搬送之重合晶圓T與被處理晶圓W，係分別被保持在切割框F與切割膠帶P。
第1搬送臂210，係如圖16所示具有先端分歧成2支先端部212a、212a之臂部212、與跟此臂部212一體地形成且支撐臂部212之支撐部213。在臂部212的各先端部212a，設有中介著切割框F或切割膠帶P吸住並保持重合晶圓T或被處理晶圓W之吸住墊214。第1搬送臂210，可以在該臂部212上將重合晶圓T或被處理晶圓W保持水平。
第2搬送臂211，係如圖17所示具有被構成圓環狀之直徑長比支撐晶圓S還要大大約3/4之臂部215、與跟 此臂部215一體地形成且支撐臂部215之支撐部216。在臂部215，有向內側突出、保持支撐晶圓S的角部之保持部217被設在例如4處。第2搬送臂211，可以在該保持部217上將支撐晶圓S保持水平。
在搬送臂210、211的基端部，如圖15所示設有臂驅動部218。利用此臂驅動部218，各搬送臂210、211可以獨立於水平方向移動。這些搬送臂210、211與臂驅動部218係被支撐在基台219。在基台219的下面，中介軸220設置旋轉驅動部221。利用此旋轉驅動部221，基台219及搬送臂210、211能以軸220當作中心軸而旋轉、且能夠升降。
在以上之剝離系統1，如圖1所示設有控制部250。控制部250，係例如電腦，具有程式容納部(未圖示)。在程式容納部，被容納著控制剝離系統1之被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的處理之程式。此外，在程式容納部，也容納著供控制上述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系的動作，實現剝離系統1之後述的剝離處理之用的程式。又，前述程式，係被記錄在例如電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記憶媒體H者，也可以是由該記憶媒體H對控制部250安裝者。
其次，針對使用如以上所述構成的剝離系統1而進行的被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理方法加以說明。
首先，收容了複數枚重合晶圓T的卡匣CT與空的卡匣CW，被載置於第1搬出搬入站10之特定的卡匣載置板21。此外，空的卡匣CS係被載置於第2搬出搬入站11之特定的卡匣載置板31。其後，利用搬送裝置14的第1搬送臂210把卡匣CT內的重合晶圓T取出、搬送到剝離裝置12。此時，重合晶圓T，在被保持在切割框F與切割膠帶P，把被處理晶圓W配置於上側，且將支撐晶圓S配置於下側的狀態被搬送。
被搬入剝離裝置12的重合晶圓T，係被吸住保持在第3保持部52。其後，如圖18所示利用移動機構90的第2鉛直移動部92使第3保持部52上升，於第1保持部50與第3保持部52挾入重合晶圓T而保持。此時，利用第1保持部50中介切割膠帶P把被處理晶圓W的非接合面WN吸住保持，而且，在第2保持部51把切割框F的表面FS吸住保持，還在第3保持部52把支撐晶圓S的非接合面SN吸住保持。
其後，利用加熱機構61、71讓重合晶圓T被加熱至特定的溫度，例如200℃。如此一來，重合晶圓T中的接著劑G軟化。
然後，一邊利用加熱機構61、71加熱重合晶圓T以維持接著劑G的軟化狀態，一邊如圖19所示利用移動機構90的第1鉛直移動部91僅使第3保持部52的外周部圓環狀地於鉛直下方移動。亦即，在利用汽缸100讓第3保持部52的外周部於鉛直下方移動時，該第3保持部52 的中央部被支撐在支撐柱101，該第3保持部52中央部的鉛直方向的位置不會變。
這樣的場合，被保持在第3保持部52之支撐晶圓S會由其外周部向中心部而從被保持在第1保持部50及第2保持部51之被處理晶圓W連續地被剝離。在此，由於以上述之方式在被處理晶圓W之接合面WJ形成電子電路，所以當一下子要將被處理晶圓W與支撐晶圓S剝離時，會有對接合面WJ、SJ施加極大的荷重，使接合面WJ上的電子電路蒙受損傷之虞。該點，本實施型態中，因為是從外周部向中心部把支撐晶圓S由被處理晶圓W連續地剝離，所以並不會對接合面WJ、SJ施加極大的荷重。從而，能夠抑制電子電路的損傷。
之後，在僅僅接著被處理晶圓W的中心部與支撐晶圓S的中心部之狀態下，如圖20所示利用第2鉛直移動部92使第3保持部52全體於鉛直下方移動。接著，在支撐晶圓S的外周部於鉛直下方彎曲之狀態下，讓支撐晶圓S由被處理晶圓W被剝離。之後，如圖21所示利用第1鉛直移動部91讓第3保持部52與支撐晶圓S的外周部於鉛直上方移動、讓該第3保持部52與支撐晶圓S被平坦化。這樣一來，讓被保持在第1保持部50及第2保持部51之被處理晶圓W、與被保持在第3保持部52之支撐晶圓S被剝離。
之後，以剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W，利用搬送裝置14的第1搬送臂210被搬送至反轉裝置32，在 該反轉裝置32把被處理晶圓W的表面裡面反轉。亦即，被處理晶圓W的接合面WJ被朝向上方。之後，被處理晶圓W，利用搬送裝置14的第1搬送臂210被搬送至洗淨裝置13。又，被搬出剝離裝置12、搬入洗淨裝置13之被處理晶圓W，係在切割框F與切割膠帶P被保持著。
一方面，以剝離裝置12被剝離之支撐晶圓S，係利用搬送裝置14的第2搬送臂211被搬送至第2搬出搬入站11的卡匣CS。之後，支撐晶圓S係從第2搬出搬入站11被搬出至外部回收。又，支撐晶圓S被搬送至第2搬出搬入站11的時點係可以任意設定。支撐晶圓S的搬送，例如可以是在將被處理晶圓W搬送至反轉裝置32之前，或者可以是在反轉裝置32被處理晶圓W表面裡面反轉中，或是將被處理晶圓W搬送至洗淨裝置13之後。
被搬入洗淨裝置13之被處理晶圓W，係由搬送裝置14的第1搬送臂210被遞送至遞送臂200。然後，利用遞送臂200，被處理晶圓W被遞送至晶圓保持部130保持。具體而言，被處理晶圓W係中介切割膠帶P被吸住保持在旋轉晶圓座131。同時，切割框F的表面FS係被吸住保持在吸住墊132。然後，如圖22(a)所示，利用升降機構191使洗淨治具140下降到特定的位置為止。此時，以讓洗淨治具140的供給面141與被處理晶圓W的接合面WJ相對向之方式配置洗淨治具140。此外，供給面141與接合面WJ之間的特定距離Q，以後述方式設定供給面141與接合面WJ之間的間隙142，是可以讓接著劑G的 溶劑利用表面張力而擴散之距離較佳。
之後，一邊利用旋轉晶圓座131使被處理晶圓W旋轉，一邊如圖22(b)所示由溶劑供給源153將溶劑L供給至氣液供給部150。此時的被處理晶圓W的旋轉數係低速的50rpm。溶劑L，係由氣液供給部150被供給至供給面141與接合面WJ之間的間隙142，在該間隙142利用被處理晶圓W旋轉所形成之離心力而擴散在被處理晶圓W的接合面WJ上。又，發明人等銳意檢討之結果可明白，即使以低速的50rpm旋轉，溶劑L也會充分地擴散在接合面WJ上。這樣一來，如圖22(c)所示，在間隙142之溶劑L會被供給至被處理晶圓W的接合面WJ全面。
又，在與被處理晶圓W的接合面WJ之間以上述方式被維持在特定的距離Q時，在間隙142之溶劑L也會利用該溶劑L的表面張力擴散在接合面WJ上。這樣的場合，因為對溶劑L施加離心力與表面張力等2種外力，而可以使溶劑L更為圓滑地擴散。
在以該方式使溶劑L於接合面WJ上擴散時，因為被處理晶圓W的旋轉數係低速的50rpm，而可以抑制溶劑L流入段部A。而且，在以該方式由氣液供給部150對間隙142供給溶劑L並擴散在接合面WJ上時，利用抽吸部170進行溶劑L的抽吸，同時進行由氣體供給部180往段部A供給氣體。如此一來，可以進而抑制溶劑L流入段部A之情事。因此，能夠抑制段部A的切割膠帶P蒙受損傷。
之後，讓把被處理晶圓W的接合面WJ浸到溶劑L之狀態維持特定的時間例如數分鐘。如此一來，殘留在接合面WJ之接著劑G等不純物可利用溶劑L而被除去。
之後，由惰性氣體供給源157對氣液供給部150供給惰性氣體。利用此惰性氣體，將氣液供給部150內的溶劑L排出。
之後，在讓由旋轉晶圓座131所造成之被處理晶圓W的旋轉持續進行之狀態下，如圖22(d)所示使洗淨治具140上升到特定的位置為止，亦即到可以對間隙142供給清洗液R之位置為止。然後，由清洗液供給源155對氣液供給部150供給清洗液R。清洗液R，係一面由氣液供給部150被供給至間隙142而與溶劑L混合，一面在該間隙142利用離心力(及表面張力)擴散在被處理晶圓W的接合面WJ上。這樣一來，如圖22(e)所示，在間隙142之溶劑L與清洗液R之混合液C會被供給至被處理晶圓W的接合面WJ全面。
在以該方式由氣液供給部150對間隙142供給清洗液R使之擴散過接合面WJ上時，利用抽吸部170進行混合液C(清洗液R與溶劑L)的抽吸，同時進行由氣體供給部180往段部A供給氣體。如此一來，可以抑制混合液C流入段部A之情事。
之後，在利用旋轉晶圓座131使被處理晶圓W旋轉持續進行之狀態下，如圖22(f)所示使洗淨治具140下降到特定的位置為止。接著，由惰性氣體供給源157中介 氣液供給部150對間隙142供給惰性氣體。利用此惰性氣體，被充填至間隙142之混合液C被沖流至被處理晶圓W的外周部側、由抽吸部170抽吸。這樣一來，間隙142的混合液C便被除去。
又，如上述方式在對間隙142供給惰性氣體時使洗淨治具140下降，係為了縮小間隙142鉛直方向的距離以加速惰性氣體的流速。藉此，能夠迅速地除去間隙142的混合液C。
間隙142的混合液C被除去之後，也會持續進行旋轉晶圓座131所形成的被處理晶圓W旋轉、與對間隙142供給惰性氣體。接著，讓被處理晶圓W的接合面WJ乾燥。這樣一來，在洗淨裝置13就把被處理晶圓W的接合面WJ洗乾淨。
之後，以洗淨裝置13被洗淨的被處理晶圓W，係利用搬送裝置14的第1搬送臂210而被搬送至第1搬出搬入站10的卡匣CW。之後，被處理晶圓W係從第1搬出搬入站10被搬出至外部回收。這樣一來，結束剝離系統1一連串之被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理。
根據以上的實施型態，由氣液供給部150對供給面141與接合面WJ之間的間隙142供給溶劑L，一邊使被處理晶圓W旋轉，一邊使被供給的溶劑L擴散至接合面WJ上。如此一來，可以利用該溶劑L而洗淨被處理晶圓W的接合面WJ。此時，因為被處理晶圓W的旋轉數係低速之50rpm，而可以抑制溶劑L流入段部A之情事。而且 ，在以該方式由氣液供給部150對間隙142供給溶劑L並擴散過接合面WJ上時，利用抽吸部170進行溶劑L的抽吸，同時進行由氣體供給部180往段部A供給氣體。如此一來，可以進而抑制溶劑L流入段部A之情事。從而，能夠一面抑制段部A之切割膠帶P的損傷，一面適切地洗淨被處理晶圓W的接合面WJ。此外，本實施型態中，為了不讓溶劑L擴散至被處理晶圓W的接合面WJ以外，也可以把該溶劑L的供給量抑制在少量，而也能夠低廉化溶劑L的成本。
在此，一旦溶劑L流入段部A時，溶劑L就難以從段部A流出。因此，段部A不易乾燥，使洗淨被處理晶圓W的接合面WJ耗費時間。該點，本實施型態中，因為可以抑制溶劑L流入段部A，而能迅速地進行接合面WJ的洗淨。
此外，在洗淨被處理晶圓W的接合面WJ時，對間隙142供給溶劑L之後，對該間隙142供給清洗液R，因而，可以利用該清洗液R除去接合面WJ上的接著劑G，能夠更加適切地洗淨被處理晶圓W的接合面WJ。
再者，在洗淨被處理晶圓W的接合面WJ時，在對間隙142供給清洗液R之後，對該間隙142供給惰性氣體，因而，能夠使被處理晶圓W的接合面WJ適切地乾燥。
在以上的實施型態，由抽吸部170所形成的溶劑L與混合液C的抽吸，也可以是在被處理晶圓W旋轉停止之狀態下進行。具體而言，如圖22(b)所示一邊使被處理 晶圓W以旋轉數50rpm旋轉，一邊使溶劑L擴散至接合面WJ上。接著，如圖22(c)所示當溶劑L擴散至接合面WJ全面時，停止被處理晶圓W的旋轉，由抽吸部170抽吸溶劑L。這樣的場合，被處理晶圓W的旋轉為停止狀態，因而，並不發生溶劑L再更擴散之情事。從而，可以利用抽吸部170有效率地抽吸溶劑L，能夠更為抑制溶劑L流入段部A之情事。又，利用抽吸部170抽吸混合液C之場合，因為也是與上述溶劑L的抽吸相同而省略說明。
在以上之實施型態的洗淨治具140的供給面141，如圖23所示形成溝部300亦可。溝部300為抽吸部170的內側，與供給面141成同心圓狀地被形成複數例如3處。這樣的場合，在間隙142使溶劑L擴散時，溶劑L係每一溝部300間擴散在接合面WJ上。具體而言，由氣液供給部150被供給至間隙142之溶劑L，會擴散至最內側的溝部300a為止。接著，讓溝部300a的內側以溶劑L充填。然後，溶劑L，會擴散直到下一個溝部300b，再依序擴散直到最外側的溝部300c。以該方式溶劑L每一溝部300擴散，因而，能夠使溶劑L於接合面WJ上均一且圓滑地擴散。同樣地，清洗液R也是，每一溝部300間擴散過接合面WJ上，均一且圓滑地擴散過該接合面WJ上。從而，能夠更為適切地洗淨被處理晶圓W的接合面WJ。
以上的實施型態係使溶劑L或清洗液R於接合面WJ上擴散時，使被處理晶圓W以低速的旋轉數50rpm旋轉 著，或者，也可以使該被處理晶圓W以高速的旋轉數1000rpm~2000rpm旋轉。發明人等銳意檢討之結果可知，以該方式按高速的1000rpm~2000rpm使被處理晶圓W旋轉時，如圖24所示擴散在間隙142之溶劑L會飛散到該間隙142的外部。而且，溶劑L係利用高速旋轉的離心力，並未流入段部A，而是飛散到切割框F的外部。同樣地，間隙142的混合液C，也是利用高速旋轉的離心力，並未流入段部A，而是飛散到切割框F的外部。從而，能夠進而抑制段部A的切割膠帶P蒙受損傷。
在以上述方式使被處理晶圓W高速旋轉之場合，因為利用高速旋轉力的離心力可以抑制溶劑L往段部A的流入，而在上述實施型態之洗淨治具140亦可省略氣體供給部180。這樣的場合，把洗淨治具140與被處理晶圓W做成平面看來大致相同大小亦可。
同樣地，因為能夠抑制溶劑L往段部A的流入，而在上述實施型態之洗淨治具140亦可省略抽吸部170。
或者取代抽吸部170，而如圖25所示在洗淨治具140，把抽吸被供給至間隙142的溶劑L或混合液C之作為洗淨液抽吸部之抽吸部310設置在段部A的外側亦可。抽吸部310，例如沿著洗淨治具140的外周部環狀地被設置。這樣的場合，從間隙142飛散到外部的溶劑L或混合液C，係通過段部A上而被強制地抽吸至抽吸部310。因此，可以進一步抑制溶劑L或混合液C流入段部A。從而，能夠進一步抑制段部A的切割膠帶P蒙受損傷。
在以上的實施型態的洗淨治具140，如圖26所示設置蓋子320亦可。蓋子320，例如沿著洗淨治具140的外周部環狀地、且在段部A的上方被設置。此外，蓋子320，利用移動機構(未圖示)被構成在鉛直方向可自由移動，對著段部A被構成可以自由進退。接著，蓋子320係可以覆蓋段部A的切割膠帶P。這樣的場合，即使是例如從間隙142流出之溶劑L或混合液C要稍微流入段部A之場合，也能夠利用蓋子320抑制溶劑L或混合液C流入段部A的切割膠帶P上。從而，能夠進一步抑制該切割膠帶P蒙受損傷。
此外，在以上的實施型態的切割框F，如圖27所示設置展開部330亦可。展開部330，係在段部A內從切割框F的外側面至內側展開著。此外，展開部330係沿著切割框F的外周部環狀地被設置。接著，展開部330係可以覆蓋段部A的切割膠帶P。這樣的場合，即使是例如從間隙142流出之溶劑L或混合液C要稍微流入段部A之場合，也能夠利用展開部330抑制溶劑L或混合液C流入段部A的切割膠帶P上。從而，能夠進一步抑制該切割膠帶P蒙受損傷。
又，上述之蓋子320與展開部330也可以因應段部A的空間而兩者都設置。此外，在圖26與圖27，係被描繪出省略洗淨治具140的抽吸部170、310及氣體供給部180的圖，但因應必要而設置該等裝置亦可。
以上的實施型態的洗淨裝置13，係利用旋轉晶圓座 131使被處理晶圓W旋轉，但也可以使洗淨治具140旋轉。這樣的場合，在洗淨裝置13設有供使洗淨治具140旋轉用之旋轉機構(未圖示)。或者，也可以使洗淨治具140與被保持在旋轉晶圓座131之被處理晶圓W一起旋轉。任何一種場合，都可以藉由使洗淨治具140與被處理晶圓W相對地旋轉，讓溶劑L或混合液C利用離心力擴散在被處理晶圓W的接合面WJ上。
以上的實施型態的洗淨裝置13中，為了洗淨被處理晶圓W的接合面WJ而使用溶劑L、清洗液R、惰性氣體，但是，例如在溶劑L具有較高的揮發性之場合，也可以省略清洗液R與惰性氣體。
以上的實施型態的剝離裝置12中，在第1保持部50與第3保持部52的內部分別設置加熱機構61、71，但是省略這些加熱機構61、71亦可。這樣的場合，在將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支撐晶圓S時，重合晶圓T並不被加熱，而是維持著常溫的狀態。即使在此場合，也可以如上述方式將支撐晶圓S從被處理晶圓W連續地剝離。此外，例如因接著劑G種類之不同用於使該接著劑G軟化也是有不需要加熱者，而本實施型態係特別有助於這樣的場合。
以上的實施型態之重合晶圓T的剝離處理，也可以利用與上述剝離系統1相異之剝離系統來進行。
例如圖28所示方式剝離系統400，具有將在與外部之間分別可收容複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複 數重合晶圓T之卡匣CW、CS、CT被搬出搬入的搬出搬入站410、具備對被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T施以特定的處理之各種處理裝置的處理站411、在與鄰接於處理站411的後處理站412之間進行被處理晶圓W的遞送之界面站413等一體地接續之構成。又，本實施型態，也讓被處理晶圓W與重合晶圓T分別被切割框F與切割膠帶P保持著。
搬出搬入站410與處理站411，係在X方向(圖28中的上下方向)上並排配置。在這些搬出搬入站410與處理站411之間，係被形成晶圓搬送領域414。界面站413，被配置在處理站411的Y方向負方向側(圖28中的左方向側)。在界面站413的X方向正方向側(圖28中的上方向側)，配置著檢查遞送至後處理站412前的被處理晶圓W之檢查裝置415。此外，挾著界面站413在檢查裝置415的相反側、亦即界面站413的X方向負方向側(圖28中的下方向側)，被配置著洗淨檢查後的被處理晶圓W之檢查後洗淨裝置416。
在搬出搬入站410，設有卡匣載置台420。在卡匣載置台420，設有複數，例如3個卡匣載置板421。卡匣載置板421，於Y方向(圖28中的左右方向)被並排配置成一列。於這些卡匣載置板421，係在對剝離系統1的外部搬出搬入卡匣CW、CS、CT時，可以載置卡匣CW、CS、CT。如此般，搬出搬入站410，被構成可以保有複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T。又，卡 匣載置板421的個數，不限定於本實施型態，可以任意地決定。此外，對被搬入搬出搬入站410的複數之重合晶圓T預先進行了檢查，被辨別為包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T、與包含有缺陷的被處理晶圓W的重合晶圓T。
在晶圓搬送領域414配置著第1搬送裝置430。第1搬送裝置430，係具有例如可在鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及鉛直軸周圍自由移動的2個搬送臂。該等2個搬送臂，係具有分別跟保持並搬送上述實施型態的重合晶圓T或者被處理晶圓W之第1搬送臂210、與保持並搬送支撐晶圓S之第2搬送臂211兩者同樣的構成。第1搬送裝置430，可以移動於晶圓搬送區域414內，在與搬出搬入站410與處理站411之間搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
處理站411，具有把重合晶圓T剝離成被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離裝置12。在剝離裝置12的Y方向負方向側(圖28中的左方向側)，被配置著洗淨被剝離的被處理晶圓W之第1洗淨裝置13。在剝離裝置12與第1洗淨裝置13之間設有第2搬送裝置440。此外，在剝離裝置12的Y方向正方向側(圖24中的右方向側)，被配置著作為洗淨被剝離的支撐晶圓S之其他洗淨裝置之第2洗淨裝置441。如此般，在處理站411，第1洗淨裝置13、第2搬送裝置440、剝離裝置12、第2洗淨裝置441，係從界面站413側起依此順序並排配置著。又，剝離裝 置12，係具有與上述實施型態之剝離系統1的剝離裝置12同樣的構成。此外，第1洗淨裝置13也是具有與剝離系統1的洗淨裝置13同樣的構成，但為了跟第2洗淨裝置441加以區別，就方便上，稱作第1洗淨裝置13。
檢查裝置415，係檢查利用剝離裝置12剝離的被處理晶圓W上有無接著劑G的殘渣。此外，檢查後洗淨裝置416，進行在檢查裝置415被確認了接著劑G的殘渣之被處理晶圓W的洗淨。此檢查後洗淨裝置416，具有洗淨被處理晶圓W的接合面WJ之接合面洗淨部416a、洗淨被處理晶圓W的非接合面WN之非接合面洗淨部416b、使被處理晶圓W上下反轉之反轉部416c。又，接合面洗淨部416a與非接合面洗淨部416b，係具有與第1洗淨裝置13同樣的構成。
於界面站413，設有在延伸於Y方向的搬送路徑450上自由移動的第3搬送裝置451。第3搬送裝置451，在鉛直方向及鉛直軸周圍(θ方向)上均可自由移動，可以在處理站411、後處理站412、檢查裝置415及檢查後洗淨裝置416之間搬送被處理晶圓W。
又，後處理站412，係對在處理站411被剝離的被處理晶圓W進行特定的後處理。作為特定的後處理，係進行例如對被處理晶圓W上的裝置進行電性特性檢查之處理等。
其次，針對上述之第2搬送裝置440之構成加以說明。第2搬送裝置440，如圖29所示具有保持並搬送被處 理晶圓W之搬送臂460。又，用搬送臂460搬送之被處理晶圓W，係在切割框F與切割膠帶P被保持著。
搬送臂460，係如圖30所示具有先端分歧為2個先端部460a、460a之形狀。在搬送臂460，設有中介切割框F(或者切割膠帶P)吸住並保持被處理晶圓W之吸住墊461。藉此，搬送臂460可以把被處理晶圓W水平地保持在該搬送臂460上。
搬送臂460，如圖29所示在支撐臂462被支撐著。支撐臂462，係在第1驅動部463被支撐著。利用此第1驅動部463，支撐臂462係自由地繞著水平軸轉動，而且可在水平方向上伸縮。於第1驅動部463的下方，設有第2驅動部464。利用此第2驅動部464，第1驅動部463自由地繞著鉛直軸轉動，而且可在鉛直方向上升降。
又，第3搬送裝置451，係具有與上述之第2搬送裝置440同樣的構成。但是，第3搬送裝置451之第2驅動部464，係被安裝在圖28所示的搬送路徑450，使第3搬送裝置451成為可在搬送路徑450上移動。
其次，針對上述之第2洗淨裝置441之構成加以說明。第2洗淨裝置441，如圖31所示具有處理容器470。在處理容器470的側面，被形成支撐晶圓S之搬出搬入口(未圖示)，在該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
在處理容器470內的中央部，設有保持支撐晶圓S使其旋轉的旋轉晶圓座480。旋轉晶圓座480，具有水平的上面，在該上面，設有例如抽吸支撐晶圓S的抽吸口(未 圖示)。藉由從該抽吸口之抽吸，可以將支撐晶圓S吸住保持在旋轉晶圓座480上。
在旋轉晶圓座480的下方，設有具備例如馬達等的晶圓座驅動部481。旋轉晶圓座480，可以利用晶圓座驅動部481按特定的速度旋轉。此外，在晶圓座驅動部481，設有例如汽缸等升降驅動源，使旋轉晶圓座480成為可以自由升降。
在旋轉晶圓座480的周圍，為了承接由支撐晶圓S飛散或落下的液體，設有進行回收的杯482。在杯482的下面，被接續著排出回收的液體之排出管483，與真空抽吸在杯482內的氛圍而進行排氣的排氣管484。
如圖32所示於杯482的X方向負方向(圖32中之下方向)側，被形成沿著Y方向(圖32中之左右方向)延伸的軌道490。軌道490，例如從杯482的Y方向負方向(圖32中的左方向)側的外方起形成至Y方向正方向(圖32中的右方向)側的外方為止。在軌道490，被安裝著臂491。
在臂491，如圖31及圖32所示支撐著對支撐晶圓S供給洗淨液，例如接著劑G的溶劑L之有機溶劑之洗淨液噴嘴492。臂491，利用圖32所示之噴嘴驅動部493，可以自由移動於軌道490上。藉此，洗淨液噴嘴492，可以從被設置在杯482的Y方向正方向側的外方之等待部494移動至杯482內的支撐晶圓S的中心部上方為止，進而，可以使該支撐晶圓S上移動於支撐晶圓S的直徑方向 。此外，臂491，藉由噴嘴驅動部493而可以自由升降，可以調節洗淨液噴嘴492的高度。
在洗淨液噴嘴492，例如使用2流體噴嘴。在洗淨液噴嘴492，如圖31所示被接續著對該洗淨液噴嘴492供給洗淨液的供給管500。供給管500，連通於內部貯留洗淨液之洗淨液供給源501。於供給管500，設有包含控制洗淨液的流動之閥與流量調節部等的供給機器群502。此外，在洗淨液噴嘴492，被接續著對該洗淨液噴嘴492供給惰性氣體，例如氮氣之供給管503。供給管503，連通於內部貯留惰性氣體的惰性氣體供給源504。於供給管503，設有包含控制惰性氣體的流動之閥與流量調節部等的供給機器群505。接著，洗淨液與惰性氣體在洗淨液噴嘴492內混合，由該洗淨液噴嘴492被供給至支撐晶圓S。又，於以下，亦有把混合了洗淨液與惰性氣體者簡稱為「洗淨液」的場合。
又，在旋轉晶圓座480的下方，亦可設有從下方支撐升降支撐晶圓S之用的升降栓(未圖示)。這樣的場合，升降栓係插通被形成在旋轉晶圓座480的貫通孔(未圖示)，成為可以從旋轉晶圓座480的上面突出。接著，取代使旋轉晶圓座480升降而使升降栓升降，在與旋轉晶圓座480之間進行支撐晶圓S之遞送。
此外，在第2洗淨裝置441，在旋轉晶圓座480的下方，亦可設有朝向支撐晶圓S的裡面，亦即非接合面SN噴射洗淨液的背後潤濕噴嘴(未圖示)。利用此背後潤濕 噴嘴所噴射的洗淨液，支撐晶圓S的非接合面SN與支撐晶圓S的外周部被洗淨。
其次，針對使用如以上方式被構成的剝離系統400而進行的被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理方法加以說明。
首先，收容了複數枚重合晶圓T的卡匣CT、空的卡匣CW、及空的卡匣CS，被載置於搬出搬入站410之特定的卡匣載置板421。利用第1搬送裝置430取出卡匣CT內的重合晶圓T，被搬送至處理站411之剝離裝置12。此時，重合晶圓T，在被保持在切割框F與切割膠帶P，把被處理晶圓W配置於上側，且將支撐晶圓S配置於下側的狀態被搬送。
被搬入剝離裝置12之重合晶圓T，係被剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S。該剝離裝置12之被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離方法，由於跟上述實施型態已說明之方法相同所以省略說明。
其後，以剝離裝置12被剝離的被處理晶圓W，利用第2搬送裝置440被搬送至第1洗淨裝置13。此處，針對利用第2搬送裝置440之被處理晶圓W的搬送方法加以說明。又，被處理晶圓W係被保持在切割框F與切割膠帶P。
如圖33所示使支撐臂462伸長，把搬送臂460配置於被保持在第1保持部50的被處理晶圓W的下方。其後，使搬送臂460上升，停止由第1保持部50之抽吸管60 抽吸被處理晶圓W。接著，由第1保持部50將被處理晶圓W遞送至搬送臂460。
其次，如圖34所示，使支撐臂462轉動並使搬送臂460移動至第1洗淨裝置13的晶圓保持部130的上方，同時使搬送臂460反轉讓被處理晶圓W朝向下方。此時，先使晶圓保持部130上升至比杯134更為上方的位置等待。其後，由搬送臂460往晶圓保持部130遞送而吸住保持被處理晶圓W。
如此方式在晶圓保持部130吸住保持著被處理晶圓W時，使晶圓保持部130下降至特定的位置。然後，利用洗淨治具140把被處理晶圓W的接合面WJ洗乾淨。又，該第1洗淨裝置13之被處理晶圓W的接合面WJ之洗淨方法，係跟上述實施型態已說明之方法相同因而省略說明。
此處，如上述般對被搬入搬出搬入站410的複數之重合晶圓T預先進行了檢查，被辨別為包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T與包含有缺陷的被處理晶圓W的重合晶圓T。
從正常的重合晶圓T被剝離之正常的被處理晶圓W，在以第1洗淨裝置13洗淨接合面WJ之後，利用第3搬送裝置451被搬送至檢查裝置415。又，利用此第3搬送裝置451之被處理晶圓W的搬送，跟利用上述第2搬送裝置440之被處理晶圓W的搬送幾乎相同因而省略說明。
檢查裝置415，係檢查被處理晶圓W的接合面WJ有 無接著劑G的殘渣。於檢查裝置415被確認到接著劑G的殘渣之場合，被處理晶圓W係利用第3搬送裝置451被搬送至檢查後洗淨裝置416的接合面洗淨部416a，於接合面洗淨部416a洗淨接合面WJ。接合面WJ被洗淨時，被處理晶圓W係利用第3搬送裝置451被搬送至反轉部416c，在反轉部416c被上下方向反轉。又，在未被確認到接著劑G的殘渣之場合，被處理晶圓W並不被搬送至接合面洗淨部416a而於反轉部416c被反轉。
之後，被反轉之被處理晶圓W，係利用第3搬送裝置451再度被搬送至檢查裝置415，進行非接合面WN的檢查。接著，在非接合面WN確認到接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W係利用第3搬送裝置451被搬送至非接合面洗淨部416c，進行非接合面WN的洗淨。其次，被洗淨的被處理晶圓W，係利用第3搬送裝置451被搬送至後處理站412。又，以檢查裝置415未被確認到接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W並不被搬送至非接合面洗淨部416b而直接被搬送到後處理站412。
之後，在後處理站412對被處理晶圓W進行特定的後處理。這樣一來，使被處理晶圓W製品化。
另一方面，從有缺陷的重合晶圓T被剝離之有缺陷的被處理晶圓W，在以第1洗淨裝置13洗淨接合面WJ之後，利用第1搬送裝置430被搬送至搬出搬入站410之卡匣CW。之後，有缺陷的被處理晶圓W，係從搬出搬入站410被搬出至外部回收。
在對以剝離裝置12被剝離的被處理晶圓W進行上述之處理期間，以該剝離裝置12被剝離之支撐晶圓S，係利用第1搬送裝置430被搬送至第2洗淨裝置441。
被搬入第2洗淨裝置441之支撐晶圓S，係被吸住保持在旋轉晶圓座480。之後，使旋轉晶圓座480下降至特定的位置為止。然後，利用臂491使等待部494的洗淨液噴嘴492移動至支撐晶圓S的中心部的上方為止。其後，一邊利用旋轉晶圓座480使支撐晶圓S旋轉，一邊由洗淨液噴嘴492對支撐晶圓S的接合面SJ供給洗淨液。被供給之洗淨液係利用離心力被擴散至支撐晶圓S的接合面SJ全面，而洗淨該支撐晶圓S的接合面SJ。
其後，以第2洗淨裝置441被洗淨之支撐晶圓S，係利用第1搬送裝置430被搬送至搬出搬入站410的卡匣CS。之後，支撐晶圓S係從搬出搬入站410被搬出至外部回收。這樣一來，結束剝離系統400一連串的被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理。
根據以上之實施型態之剝離系統400，可以在剝離裝置12將重合晶圓T剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S之後，在第1洗淨裝置13，洗淨被剝離的被處理晶圓W，同時，在第2洗淨裝置441，洗淨被剝離的支撐晶圓S。如此般根據本實施型態，就可以於一個剝離系統400內，有效率地進行從被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離起至被處理晶圓W的洗淨與支撐晶圓S的洗淨為止之一連串的剝離處理。此外，在第1洗淨裝置13與第2洗淨裝置 441，可以分別並行地進行被處理晶圓W的洗淨與支撐晶圓S的洗淨。進而，在剝離裝置12剝離被處理晶圓W與支撐晶圓S之期間，在第1洗淨裝置13與第2洗淨裝置441也可以處理其他的被處理晶圓W與支撐晶圓S。從而，可以有效率地進行被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離，可以提高剝離處理的生產率。
此外，在如此方式一連串的製程，可以從被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離進行至被處理晶圓W的後處理為止，因而可以進一步提高晶圓處理的生產率。
此外，以上的實施型態中，針對在後處理站412對被處理晶圓W進行後處理而進行製品化的場合加以說明，但是本發明也可以適用於例如在3次元集積技術使用的從支撐晶圓剝離被處理晶圓的場合。又，所謂3次元集積技術，是因應於近年來半導體裝置的高集積化的要求之技術，取代把高集積化的複數半導體裝置於水平面內進行配置，而將該複數半導體裝置3次元地層積之技術。於此3次元集積技術，也被要求著層積的被處理晶圓的薄型化，將該被處理晶圓接合在支撐晶圓而進行特定的處理。
以上，參照附圖說明本發明之適切的實施型態，但是本發明並不以該例為限。如果是熟悉該項技術者，於申請專利範圍所記載之思想的範圍內，所能夠想到的各種變更例或者修正例，當然也應該被了解為係屬於本發明的技術範圍內。
本發明並不限於此例，可以採取種種態樣。本發明在 基板為晶圓以外之FPD(平面面板顯示器)、光罩用之光柵等其他基板的場合也可以適用。
1‧‧‧剝離系統
10‧‧‧第1搬出搬入站
11‧‧‧第2搬出搬入站
12‧‧‧剝離裝置
13‧‧‧洗淨裝置(第1洗淨裝置)
130‧‧‧晶圓保持部
131‧‧‧旋轉晶圓座
140‧‧‧洗淨治具
141‧‧‧供給面
142‧‧‧間隙
150‧‧‧氣液供給部
170‧‧‧抽吸部
180‧‧‧氣體供給部
250‧‧‧控制部
300‧‧‧溝部
310‧‧‧抽吸部
320‧‧‧蓋子
330‧‧‧展開部
400‧‧‧剝離系統
410‧‧‧搬出搬入站
411‧‧‧處理站
414‧‧‧晶圓搬送區域
430‧‧‧第1搬送裝置
A‧‧‧段部
F‧‧‧切割框(dicing frame)
G‧‧‧接著劑
L‧‧‧溶劑
P‧‧‧切割膠帶(dicing tape)
R‧‧‧清洗液
S‧‧‧支撐晶圓
T‧‧‧重合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
圖1係顯示關於本實施型態之剝離系統之構成概略平面圖。
圖2係被保持在切割框與切割膠帶之重合晶圓之縱剖面圖。
圖3係被保持在切割框與切割膠帶之重合晶圓之平面圖。
圖4係顯示剝離裝置之構成概略縱剖面圖。
圖5係顯示第1保持部、第2保持部及第3保持部之構成概略縱剖面圖。
圖6係顯示第2保持部之構成概略平面圖。
圖7係顯示第1鉛直移動部之構成概略平面圖。
圖8係顯示洗淨裝置之構成概略縱剖面圖。
圖9係顯示洗淨治具之構成概略縱剖面圖。
圖10係顯示洗淨裝置之構成概略橫剖面圖。
圖11係顯示洗淨治具之構成概略平面圖。
圖12係顯示洗淨治具之構成概略側視圖。
圖13係顯示洗淨裝置之構成概略橫剖面圖。
圖14係顯示遞送臂之構成概略側視圖。
圖15係顯示搬送裝置之構成概略側視圖。
圖16係顯示第1搬送臂之構成概略平面圖。
圖17係顯示第2搬送臂之構成概略平面圖。
圖18係顯示以第1保持部、第2保持部及第3保持部保持重合晶圓的情形之說明圖。
圖19係顯示利用第1鉛直移動部使第3保持部外周部移動於鉛直下方的情形之說明圖。
圖20係顯示利用第2鉛直移動部使第3保持部移動於鉛直下方的情形之說明圖。
圖21係顯示剝離被處理晶圓與支撐晶圓的情形之說明圖。
圖22係顯示在洗淨裝置洗淨被處理晶圓的情形之說明圖；(a)為顯示將洗淨治具配置在特定位置的情形；(b)顯示從氣液供給部將溶劑供給到供給面與接合面之間的間隙之情形；(c)顯示溶劑擴散於上述間隙之情形；(d)顯示從氣液供給部將清洗液供給到上述間隙之情形；(e)顯示混合液擴散於上述間隙之情形；(f)係顯示從氣液供給部將惰性氣體供給到上述間隙之情形。
圖23係顯示關於其他實施型態之洗淨治具之構成概略平面圖。
圖24係顯示關於其他實施型態之洗淨治具之構成概略縱剖面圖。
圖25係顯示關於其他實施型態之洗淨治具之構成概略縱剖面圖。
圖26係顯示關於其他實施型態之洗淨治具之構成概略縱剖面圖。
圖27係顯示關於其他實施型態之洗淨治具之構成概略縱剖面圖。
圖28係顯示關於其他實施型態之剝離系統之構成概略平面圖。
圖29係顯示第2搬送裝置之構成概略側視圖。
圖30係顯示搬送臂之構成概略平面圖。
圖31係顯示第2洗淨裝置之構成概略之縱剖面圖。
圖32係顯示第2洗淨裝置之構成概略橫剖面圖。
圖33係顯示從第1保持部及第2保持部將被處理晶圓遞送到搬送臂的情形之說明圖。
圖34係顯示從搬送臂將被處理晶圓遞送到晶圓保持部的情形之說明圖。
13‧‧‧洗淨裝置(第1洗淨裝置)
130‧‧‧晶圓保持部
131‧‧‧旋轉晶圓座
132‧‧‧吸住墊
140‧‧‧洗淨治具
141‧‧‧供給面
142‧‧‧間隙
150‧‧‧氣液供給部
151‧‧‧供給管
152‧‧‧閥
153‧‧‧溶劑供給源
154‧‧‧供給管
155‧‧‧清洗液供給源
156‧‧‧供給管
157‧‧‧惰性氣體供給源
158‧‧‧供給管
159、160、161‧‧‧供給機器群
170‧‧‧抽吸部
171‧‧‧負壓產生裝置
172‧‧‧吸氣管
180‧‧‧氣體供給部
181‧‧‧氣體供給源
182‧‧‧供給管
183‧‧‧供給機器群
A‧‧‧段部
B‧‧‧段差
F‧‧‧切割框(dicing frame)
FS‧‧‧表面
P‧‧‧切割膠帶(dicing tape)
W‧‧‧被處理晶圓
WJ‧‧‧接合面

Claims (20)

  1. 一種洗淨裝置，在剝離用接著劑接合被處理基板和支撐基板之重合基板之後，於被剝離的被處理基板配置在環狀框的內側，且利用在前述框的表面與被處理基板的非接合面被貼附的膠帶而被保持之狀態下，洗淨該被處理基板的接合面之洗淨裝置，其特徵為：具有：保持被處理基板使其旋轉之旋轉保持部、與具備供給面覆蓋被處理基板的接合面之洗淨治具；在前述洗淨治具設著將洗淨液供給到前述接合面與前述供給面之間之洗淨液供給部、與將被供給到前述接合面與前述供給面之間的洗淨液予以抽吸之洗淨液抽吸部。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之洗淨裝置，其中，在前述供給面把該供給面與複數溝部形成同心圓狀。
  3. 如申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置，其中，前述洗淨液抽吸部係在前述供給面的外周部沿著該外周部環狀地被形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置，其中，在前述洗淨治具，對著被處理基板與前述框之間之被形成在前述膠帶的上方之段部，設置供給氣體之氣體供給部。
  5. 如申請專利範圍第3項記載之洗淨裝置，其中，具有以使被處理基板以旋轉數50rpm旋轉之方式控制前述旋轉保持部之控制部。
  6. 如申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置，其中 ，前述洗淨液抽吸部，係設置在被處理基板與前述框之間之被形成在前述膠帶的上方之段部的外側。
  7. 如申請專利範圍第6項記載之洗淨裝置，其中，具有以使被處理基板以旋轉數1000rpm~2000rpm旋轉之方式控制前述旋轉保持部之控制部。
  8. 如申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置，其中，在前述洗淨治具，設置有於被處理基板與前述框之間對著被形成在前述膠帶的上方之段部構成可自由進退、且覆蓋該段部的膠帶之蓋子。
  9. 如申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置，其中，在前述框，設置有於被處理基板與前述框之間展開於前述膠帶上方被形成的段部之展開部。
  10. 一種剝離系統，具備申請專利範圍第1或2項記載之洗淨裝置之剝離系統，其特徵係具有：具備將重合基板剝離成被處理基板與支撐基板之剝離裝置、將用前述剝離裝置剝離的被處理基板洗淨之前述洗淨裝置、將用前述剝離裝置剝離的支撐基板洗淨之其他洗淨裝置等之處理站，對於前述處理站將被處理基板、支撐基板或重合基板搬出搬入之搬出搬入站，與於前述處理站與前述搬出搬入站之間搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送裝置。
  11. 一種洗淨方法，在剝離用接著劑接合被處理基板和支撐基板之重合基板之後，於被剝離的被處理基板配置 在環狀框的內側，且利用在前述框的表面與被處理基板的非接合面被貼附之膠帶而被保持之狀態下，洗淨該被處理基板的接合面之洗淨方法，其特徵為具有：以在被處理基板的接合面上供給前述接著劑的溶劑用之洗淨治具的供給面覆蓋前述接合面之方式將前述洗淨治具配置相對向於被處理基板之配置步驟，之後，將洗淨液供給到前述供給面與前述接合面之間一邊使被處理基板旋轉一邊使前述被供給的洗淨液擴散到前述接合面上之洗淨步驟，與之後將擴散在前述接合面上之洗淨液予以抽吸之抽吸步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項記載之洗淨方法，其中，在前述供給面把該供給面與複數溝部形成同心圓狀；在前述洗淨步驟，前述洗淨液係擴散在前述每一溝部間之前述接合面上。
  13. 如申請專利範圍第11或12項記載之洗淨方法，其中，在前述抽吸步驟，前述洗淨液係由前述洗淨治具的外周部抽吸。
  14. 如申請專利範圍第11或12項記載之洗淨方法，其中，在前述洗淨步驟，於被處理基板與前述框之間對著前述膠帶的上方被形成之段部，供給氣體。
  15. 如申請專利範圍第13項記載之洗淨方法，其中，前述洗淨步驟之被處理基板的旋轉數係50rpm；前述抽吸步驟係於停止被處理基板旋轉之狀態下進 行。
  16. 如申請專利範圍第11或12項記載之洗淨方法，其中，在前述抽吸步驟，前述洗淨液係由被處理基板與前述框之間被形成在前述膠帶上方之段部的外側抽吸。
  17. 如申請專利範圍第16項記載之洗淨方法，其中，前述洗淨步驟之被處理基板的旋轉數係1000rpm~2000rpm。
  18. 如申請專利範圍第11或12項記載之洗淨方法，其中，前述洗淨步驟與前述抽吸步驟，係在設置有於被處理基板與前述框之間被形成在前述膠帶上方之段部內，覆蓋該段部的膠帶之蓋子之狀態下進行的。
  19. 如申請專利範圍第11或12項記載之洗淨方法，其中，在前述框，設置有於被處理基板與前述框之間展開於被形成在前述膠帶上方的段部之展開部。
  20. 一種電腦記憶媒體，其特徵為供藉由洗淨裝置執行記載於申請專利範圍第11或12項之洗淨方法，容納控制該洗淨裝置的控制部之在電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
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