JP2013105974A - 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。
【選択図】図９

Description

本発明は、重合基板から剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、且つフレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置、当該洗浄装置を備えた剥離システム、当該洗浄装置を用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理すると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、例えばウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている（特許文献１）。その後、これらウェハの接合面と支持基板の接合面をそれぞれ洗浄して、ウェハと支持基板の剥離処理は終了する。

特開平９−１６７７２４号公報

ところで、ウェハは薄型化されているため、ウェハは環状のダイシングフレームの内側に配置され、ダイシングフレームの表面とウェハの非接合面にダイシングテープにより貼り付けられて保持される場合がある。すなわち、ウェハと支持基板を剥離した後、接合面が洗浄されるウェハは、ダイシングフレーム及びダイシングテープに保持されている場合がある。

上述したウェハの接合面の洗浄には、例えばウェハと支持基板を接合する接着剤の溶剤が用いられる。そしてウェハの洗浄中、ウェハの接合面上に供給された溶剤はウェハとダイシングフレームとの間のダイシングテープ上に流入する。そうすると、ダイシングテープが溶剤によって損傷を被る場合がある。かかる場合、ダイシングテープはウェハを適切に保持することができなくなり、当該ウェハの搬送や後続の処理に支障をきたす。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、且つ前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、被処理基板を保持して回転させる回転保持部と、被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、を有し、前記洗浄治具には、前記接合面と前記供給面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記接合面と前記供給面との間に供給された洗浄液を吸引する洗浄液吸引部とが設けられていることを特徴としている。なお、被処理基板の接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合される面をいい、被処理基板の非接合面とは重合基板の被処理基板において支持基板と接合されていない面をいう。また、洗浄液には、接着剤の溶剤に加えて、溶剤のリンス液等も含まれる。

本発明の洗浄装置によれば、先ず、洗浄治具の供給面が被処理基板の接合面を覆うように、洗浄治具が被処理基板に対向して配置される。その後、洗浄液供給部から供給面と接合面との間に洗浄液を供給し、回転保持部によって被処理基板を回転させながら、供給された洗浄液を接合面上に拡散させる。そうすると、この洗浄液によって、被処理基板の接合面を洗浄することができる。その後、洗浄液吸引部によって接合面上を拡散した洗浄液が吸引されるので、当該洗浄液が、被処理基板とフレームとの間のテープ上に流入することはない。したがって、溶剤によるテープの損傷を抑制しつつ、被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。

前記供給面には、当該供給面と同心円状に複数の溝部が形成されていてもよい。

前記洗浄液吸引部は、前記供給面の外周部において当該外周部に沿って環状に形成されていてもよい。また、前記洗浄治具には、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して、気体を供給する気体供給部が設けられていてもよい。かかる場合、前記洗浄装置は、被処理基板を５０ｒｐｍの回転数で回転させるように前記回転保持部を制御する制御部を有していてもよい。

前記洗浄液吸引部は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部の外側に設けられていてもよい。かかる場合、前記洗浄装置は、被処理基板を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの回転数で回転させるように前記回転保持部を制御する制御部を有していてもよい。

前記洗浄治具には、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して進退自在に構成され、当該段部のテープを覆うカバーが設けられていてもよい。

前記フレームには、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に張り出した張出部が設けられていてもよい。

別な観点による本発明は、前記洗浄装置を備えた剥離システムであって、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた処理ステーションと、前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴としている。

また別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、且つ前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆うように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、その後、前記供給面と前記接合面との間に洗浄液を供給し、被処理基板を回転させながら、前記供給された洗浄液を前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、その後、前記接合面上を拡散した洗浄液を吸引する吸引工程と、を有することを特徴としている。

前記供給面には、当該供給面と同心円状に複数の溝部が形成され、前記洗浄工程において、前記洗浄液は前記溝部間毎に前記接合面上を拡散してもよい。

前記吸引工程において、前記洗浄液は前記洗浄治具の外周部から吸引されてもよい。また、前記洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して、気体を供給してもよい。かかる場合、前記洗浄工程における被処理基板の回転数は５０ｒｐｍであって、前記吸引工程は、被処理基板の回転を停止した状態で行われてもよい。

前記吸引工程において、前記洗浄液は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部の外側から吸引されてもよい。かかる場合、前記洗浄工程における被処理基板の回転数は１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍであってもよい。

前記洗浄工程と前記吸引工程は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部内において、当該段部のテープを覆うカバーが設けられた状態で行われてもよい。

前記フレームには、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に張り出した張出部が設けられていてもよい。

また別な観点による本発明によれば、前記洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄することができる。

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの縦断面図である。 ダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの平面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の保持部の構成の概略を示す平面図である。 第１の鉛直移動部の構成の概略を示す平面図である。 洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 洗浄治具の構成の概略を示す平面図である。 洗浄治具の構成の概略を示す側面図である。 洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 受渡アームの構成の概略を示す側面図である。 搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 第１の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第２の搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第１の保持部、第２の保持部及び第３の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 第１の鉛直移動部によって第３の保持部外周部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。 第２の鉛直移動部によって第３の保持部を鉛直下方に移動させる様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 洗浄装置において被処理ウェハを洗浄する様子を示した説明図であり、（ａ）は洗浄治具を所定の位置に配置した様子を示し、（ｂ）は気液供給部から供給面と接合面との間の隙間に溶剤が供給される様子を示し、（ｃ）は上記隙間に溶剤が拡散した様子を示し、（ｄ）は気液供給部から上記隙間にリンス液が供給される様子を示し、（ｅ）は上記隙間に混合液が拡散した様子を示し、（ｆ）は気液供給部から上記隙間に不活性ガスが供給される様子を示す。 他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる洗浄治具の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 搬送アームの構成の概略を示す平面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第１の保持部及び第２の保持部から搬送アームに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 搬送アームからウェハ保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。

剥離システム１では、図２及び図３に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面Ｗ_Ｊ」といい、当該接合面Ｗ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｗ_Ｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面Ｓ_Ｊ」といい、当該接合面Ｓ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｓ_Ｎ」という。被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面Ｗ_Ｊに複数の電子回路が形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面Ｗ_Ｎが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。

重合ウェハＴには、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰが取り付けられている。ダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。またダイシングテープＰは、平面視において略円形状を有し、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓと被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。なお、重合ウェハＴとダイシングフレームＦとの間には隙間が形成されており、当該隙間のダイシングテープＰの上方に段部Ａが形成されている。また、ダイシングテープＰは、製作の都合上、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓの端部までは貼り付けられておらず、ダイシングテープＰの厚みの分だけ、ダイシングフレームＦの外周部においてダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。なお、本実施の形態のダイシングフレームＦは、平面視において略矩形状を有しているが、ダイシングフレームＦは種々の形状、例えば略円形状を取り得る。またダイシングテープＰも、平面視において略円形状を有しているが、種々の形状、例えば略矩形状を取り得る。

そして剥離システム１において、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。また、剥離された被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で搬送され、後続の処理、例えば接合面Ｗ_Ｊの洗浄が行われる。

剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔが搬入出される第１の搬入出ステーション１０と、外部との間で複数の支持ウェハＳを収容可能なカセットＣ_Ｓが搬入出される第２の搬入出ステーション１１と、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２と、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する洗浄装置１３と、剥離システム１内で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する搬送装置１４とを有している。第１の搬入出ステーション１０、第２の搬入出ステーション１１、剥離装置１２及び洗浄装置１３は、搬送装置１４の周囲に例えば平面視反時計回転方向においてこの順に並ぶように配置されている。

第１の搬入出ステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、例えば２つのカセット載置板２１が設けられている。カセット載置板２１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に並べて配置されている。これらのカセット載置板２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように第１の搬入出ステーション１０は、複数の被処理ウェハＷと複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、これら被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。また、第１の搬入出ステーション１０において、カセット載置板２１の個数は、本実施の形態に限定されず任意に決定することができる。

第２の搬入出ステーション１１には、カセット載置台３０が設けられている。カセット載置台３０には、例えば１つのカセット載置板３１が設けられている。カセット載置板３１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｓを搬入出する際に、カセットＣ_Ｓを載置することができる。このように第２の搬入出ステーション１１は、複数の支持ウェハＳを保有可能に構成されている。また、カセット載置板３１に隣接してＸ方向正方向（図１中の上方向）側には、被処理ウェハＷの表裏面を反転させる反転装置３２が配置されている。

次に、上述した剥離装置１２の構成について説明する。剥離装置１２は、図４に示すように処理容器４０を有している。処理容器４０の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器４０内には、搬送装置１４が設置された領域からの雰囲気が流入するようになっている。また、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

処理容器４０の底面には、当該処理容器４０の内部の雰囲気を吸引する吸気口４１が形成されている。吸気口４１には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４２に連通する吸気管４３が接続されている。

処理容器４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部５０と、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持する第２の保持部５１と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第３の保持部５２とが設けられている。第１の保持部５０と第２の保持部５１はそれぞれ第３の保持部５２の上方に設けられ、第１の保持部５０は第３の保持部５２と対向するように配置されている。すなわち、処理容器４０の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。

第１の保持部５０は、図５に示すように略平板形状を有している。第１の保持部５０の内部には、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを吸着保持するための吸引管６０が設けられている。吸引管６０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。

また、第１の保持部５０の内部には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構６１が設けられている。加熱機構６１には、例えばヒータが用いられる。

第２の保持部５１は、第１の保持部５０の外周部において当該第１の保持部５０と一体に設けられている。すなわち、第２の保持部５１は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、第２の保持部５１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、第２の保持部５１はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持することができる。なお、図６に示すように、第２の保持部５１は複数個所、例えば４箇所に設けられている。４つの第２の保持部５１は、ダイシングフレームＦの各辺に等間隔に配置されている。

ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、ダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、第１の保持部５０でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該第１の保持部５０とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、第１の保持部５０はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、第２の保持部５１によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、第１の保持部５０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。

第３の保持部５２は、図５に示すように略平板形状を有している。第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管７０が設けられている。吸引管７０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。なお、第３の保持部５２は、弾性体である例えばアルミニウムが用いられる。

また、第３の保持部５２の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構７１が設けられている。加熱機構７１には、例えばアルミニウムからなるヒータが用いられる。

図４に示すように第１の保持部５０の上面には、当該第１の保持部５０を支持する支持板８０が設けられている。支持板８０は、処理容器４０の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板８０を省略し、第１の保持部５０は処理容器４０の天井面に当接して支持されてもよい。

第３の保持部５２の下方には、第３の保持部５２及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構９０が設けられている。移動機構９０は、第３の保持部５２を保持し、且つ第３の保持部５２の外周部のみを鉛直方向に移動させる第１の鉛直移動部９１と、第１の鉛直移動部９１を保持し、且つ第１の鉛直移動部９１と第３の保持部５２を鉛直方向に移動させる第２の鉛直移動部９２と、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させる水平移動部９３とを有している。第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２、水平移動部９３は、鉛直方向に上からこの順で配置されている。

第１の鉛直移動部９１は、第３の保持部５２の外周部を円環状に鉛直方向に移動させる複数、例えば６つのシリンダ１００と、第３の保持部５２の中央部を支持する支持柱１０１と、シリンダ１００と支持柱１０１を支持する支持板１０２とを有している。図７に示すように６つのシリンダ１００は、支持板１０２と同一円周上に等間隔に配置されている。また、これらシリンダ１００は、第３の保持部５２の外周部に対応する位置に配置されている。支持柱１０１は、支持板１０２の中央部であって、第３の保持部５２の中央部に対応する位置に配置されている。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しないように、支持柱１０１が配置されている。

第２の鉛直移動部９２は、図４に示すように支持板１０２を昇降させる駆動部１１０と、支持板１０２を支持する支持部材１１１とを有している。駆動部１１０は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１１１は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１０２と水平移動部９３との間に例えば３箇所に設けられている。

水平移動部９３は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有し、第１の鉛直移動部９１、第２の鉛直移動部９２及び第３の保持部５２を水平方向に移動させることができる。

なお、第３の保持部５２の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第３の保持部５２に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第３の保持部５２の上面から突出可能になっている。

次に、上述した洗浄装置１３の構成について説明する。洗浄装置１３は、図８に示すように処理容器１２０を有している。処理容器１２０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、処理容器１２０内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタ（図示せず）が設けられている。また、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

処理容器１２０内の中央部には、回転保持部としてのウェハ保持部１３０が設けられている。ウェハ保持部１３０は、図９に示すようにダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１３１と、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持する吸着パッド１３２とを有している。

スピンチャック１３１は水平な上面を有し、当該上面には例えばダイシングテープＰを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。またスピンチャック１３１は、少なくとも被処理ウェハＷを覆うよう設けられている。そして吸引口からの吸引により、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷをスピンチャック１３１上に吸着保持できる。また被処理ウェハＷは、その接合面Ｗ_Ｊが上方を向くようにスピンチャック１３１に吸着保持される。

吸着パッド１３２は、スピンチャック１３１の外周部上に設けられている。すなわち、吸着パッド１３２は、ダイシングテープＰの外側に配置されている。また、吸着パッド１３２には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、吸着パッド１３２はダイシングテープＰの外側においてダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓを吸着保持することができる。なお、図１０に示すように、吸着パッド１３２は複数個所、例えば８箇所に設けられている。

ここで、上述したようにダイシングフレームＦの外周部には、図９に示すようにダイシングテープＰとの間に段差Ｂが存在している。このため、スピンチャック１３１でダイシングフレームＦを吸着保持しようとすると、当該スピンチャック１３１とダイシングフレームＦとの間に段差Ｂによる隙間が生じる。すなわち、スピンチャック１３１はダイシングフレームＦを直接吸着保持することができない。かかる場合、ダイシングフレームＦが固定されないので、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを適切に保持されない。この点、本実施の形態では、吸着パッド１３２によってダイシングフレームＦが吸着保持されるので、ウェハ保持部１３０によって被処理ウェハＷも適切に保持される。

ウェハ保持部１３０の下方には、図８に示すように例えばモータなどを備えた回転機構としてのチャック駆動部１３３が設けられている。スピンチャック１３１は、チャック駆動部１３３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１３３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１３１は昇降自在になっている。

ウェハ保持部１３０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１３４が設けられている。カップ１３４の下面には、回収した液体を排出する排出管１３５と、カップ１３４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１３６が接続されている。

ウェハ保持部１３０の上方には、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄するための洗浄治具１４０が設けられている。洗浄治具１４０は、ウェハ保持部１３０に保持された被処理ウェハＷに対向して配置されている。

洗浄治具１４０は、図９及ぶ図１１に示すように略円板形状を有している。洗浄治具１４０の下面には、少なくとも被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆うように供給面１４１が形成されている。なお、本実施の形態においては、供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊはほぼ同じ大きさである。

洗浄治具１４０の中央部には、図９に示すように供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２に対して、接着剤Ｇの溶剤（有機溶剤）、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０が設けられている。気液供給部１５０は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通している。なお、気液供給部１５０は、洗浄液である溶剤とリンス液を供給する洗浄液供給部として機能するが、本実施の形態の気液供給部１５０は不活性ガスも供給するため、気液供給部と称している。

気液供給部１５０には、供給管１５１が接続されている。供給管１５１には、接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、不活性ガスの流れを切り替えるバルブ１５２が設けられている。バルブ１５２には、内部に溶剤を貯留する溶剤供給源１５３に連通する供給管１５４、内部にリンス液を貯留するリンス液供給源１５５に連通する供給管１５６、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源１５７に連通する供給管１５８が接続されている。各供給管１５４、１５６、１５８には、それぞれ溶剤、リンス液、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１５９、１６０、１６１が設けられている。なお、接着剤Ｇの溶剤には、例えばシンナーが用いられる。リンス液には接着剤Ｇの主溶媒の成分に応じて種々の液が用いられ、例えば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。また、リンス液の乾燥を促進させるため、リンス液には揮発性の高い液を用いるのが好ましい。不活性ガスには、例えば窒素ガスが用いられる。

洗浄治具１４０の外周部には、隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（後述する混合液）である洗浄液を吸引する、洗浄液吸引部としての吸引部１７０が設けられている。吸引部１７０は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通して設けられている。また吸引部１７０は、図１１に示すように洗浄治具１５０の外周部に沿って環状に形成されている。吸引部１７０には、図９に示すように例えば真空ポンプなどの負圧発生装置１７１に連通する吸気管１７２が接続されている。

洗浄治具１４０の外縁部、すなわち吸引部１７０の外側には、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０が設けられている。気体供給部１８０は、洗浄治具１４０の厚み方向に貫通して設けられている。また気体供給部１８０は、図１１に示すように洗浄治具１５０の外縁部に複数、例えば２箇所に配置されている。気体供給部１８０には、図９に示すように内部に気体、例えば乾燥空気や不活性ガスを貯留する気体供給源１８１に連通する供給管１８２が接続されている。供給管１８０には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群１８３が設けられている。

洗浄治具１４０は、図１２に示すようにＹ方向に延伸する支持部材１９０に支持されている。支持部材１９０の両端部には、当該支持部材１９０を鉛直方向に昇降させる昇降機構１９１、１９１が設けられている。昇降機構１９１には、例えばシリンダ等が用いられる。また、昇降機構１９１は、図１０に示すようにカップ１３４の外側に配置されている。

図８に示すようにウェハ保持部１３０の上方には、上述した洗浄治具１４０に加えて、搬送装置１４からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷを受け渡すための受渡アーム２００が設けられている。受渡アーム２００は、図１３及び図１４に示すようにダイシングフレームＦの外周部を保持できるように円環形状を有している。受渡アーム２００の下面には、フレーム保持部２０１が複数個所、例えば４箇所に設けられている。フレーム保持部２０１には例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）が接続され、フレーム保持部２０１は被処理ウェハＷが取り付けられたダイシングフレームＦを吸着保持することができる。

受渡アーム２００は、Ｙ方向に延伸する支持部材２０２に支持されている。支持部材２０２の両端部には、当該支持部材２０２を鉛直方向に昇降させる昇降機構２０３、２０３が設けられている。昇降機構２０３には、例えばシリンダ等が用いられる。また、昇降機構２０３は、昇降機構１９１のＸ方向負方向側に配置されている。

次に、上述した搬送装置１４の構成について説明する。搬送装置１４は、図１５に示すように重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム２１０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム２１１を有している。なお、第１の搬送アーム２１０で搬送される重合ウェハＴと被処理ウェハＷは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

第１の搬送アーム２１０は、図１６に示すように先端が２本の先端部２１２ａ、２１２ａに分岐したアーム部２１２と、このアーム部２１２と一体に形成され、且つアーム部２１２を支持する支持部２１３とを有している。アーム部２１２の各先端部２１２ａには、ダイシングフレームＦ又はダイシングテープＰを介して重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド２１４が設けられている。第１の搬送アーム２１０は、このアーム部２１２上に重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを水平に保持することができる。

第２の搬送アーム２１１は、図１７に示すように支持ウェハＳよりも大きい径の略３／４円環状に構成されたアーム部２１５と、このアーム部２１５と一体に形成され、且つアーム部２１５を支持する支持部２１６とを有している。アーム部２１５には、内側に向かって突出し、支持ウェハＳの角部を保持する保持部２１７が例えば４箇所に設けられている。第２の搬送アーム２１１は、この保持部２１７上に支持ウェハＳを水平に保持することができる。

搬送アーム２１０、２１１の基端部には、図１５に示すようにアーム駆動部２１８が設けられている。このアーム駆動部２１８により、各搬送アーム２１０、２１１は独立して水平方向に移動できる。これら搬送アーム２１０、２１１とアーム駆動部２１８は、基台２１９に支持されている。基台２１９の下面には、シャフト２２０を介して回転駆動部２２１が設けられている。この回転駆動部２２１により、基台２１９及び搬送アーム２１０、２１１はシャフト２２０を中心軸として回転でき、且つ昇降できる。

以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部２５０が設けられている。制御部２５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２５０にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣ_Ｔと空のカセットＣ_Ｗが、第１の搬入出ステーション１０の所定のカセット載置板２１に載置される。また空のカセットＣ_Ｓが、第２の搬入出ステーション１１の所定のカセット載置板３１に載置される。その後、搬送装置１４の第１の搬送アーム２１０によりカセットＣ_Ｔ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。

剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、第３の保持部５２に吸着保持される。その後、図１８に示すように移動機構９０の第２の鉛直移動部９２により第３の保持部５２を上昇させて、第１の保持部５０と第３の保持部５２で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部５０によりダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが吸着保持されると共に、第２の保持部５１にダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓが吸着保持され、また第３の保持部５２に支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎが吸着保持される。

その後、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。

続いて、加熱機構６１、７１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１９に示すように移動機構９０の第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２の外周部のみを円環状に鉛直下方に移動させる。すなわち、シリンダ１００によって第３の保持部５２の外周部が鉛直下方に移動する際、第３の保持部５２の中央部が支持柱１０１に支持され、当該第３の保持部５２の中央部の鉛直方向の位置が変化しない。

かかる場合、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳが、その外周部から中心部に向けて第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷから連続的に剥離される。ここで、上述したように被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊには電子回路が形成されているため、被処理ウェハＷと支持ウェハＳを一度に剥離しようとすると、接合面Ｗ_Ｊ、Ｓ_Ｊに多大な荷重がかかり、接合面Ｗ_Ｊ上の電子回路が損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態では、外周部から中心部に向けて支持ウェハＳが被処理ウェハＷから連続的に剥離されるので、接合面Ｗ_Ｊ、Ｓ_Ｊに大きな荷重がかからない。したがって、電子回路の損傷を抑制することができる。

その後、被処理ウェハＷの中心部と支持ウェハＳの中心部のみが接着した状態で、図２０に示すように第２の鉛直移動部９２によって第３の保持部５２全体を鉛直下方に移動させる。そして、支持ウェハＳの外周部が鉛直下方に撓んだ状態で、支持ウェハＳが被処理ウェハＷから剥離される。その後、図２１に示すように第１の鉛直移動部９１によって第３の保持部５２と支持ウェハＳの外周部が鉛直上方に移動され、当該第３の保持部５２と支持ウェハＳが平坦化される。こうして、第１の保持部５０及び第２の保持部５１に保持された被処理ウェハＷと、第３の保持部５２に保持された支持ウェハＳとが剥離される。

その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２１０によって反転装置３２に搬送され、当該反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面が反転される。すなわち、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが上方に向けられる。その後、被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２１０によって洗浄装置１３に搬送される。なお、剥離装置１２から搬出され洗浄装置１３に搬入される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

一方、剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、搬送装置１４の第２の搬送アーム２１１によって第２の搬入出ステーション１１のカセットＣ_Ｓに搬送される。その後、支持ウェハＳは、第２の搬入出ステーション１１から外部に搬出され回収される。なお、支持ウェハＳが第２の搬入出ステーション１１に搬送されるタイミングは、任意に設定できる。支持ウェハＳの搬送は、例えば被処理ウェハＷを反転装置３２に搬送する前であってもよいし、反転装置３２において被処理ウェハＷの表裏面の反転中であってもよいし、被処理ウェハＷを洗浄装置１３に搬送した後であってもよい。

洗浄装置１３に搬入された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２１０から受渡アーム２００に受け渡される。続いて、受渡アーム２００によって、被処理ウェハＷはウェハ保持部１３０に受け渡され保持される。具体的には、被処理ウェハＷはダイシングテープＰを介してスピンチャック１３１に吸着保持される。同時に、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓは吸着パッド１３２に吸着保持される。続いて、図２２（ａ）に示すように、昇降機構１９１によって洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。このとき、洗浄治具１４０の供給面１４１と被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが対向するように洗浄治具１４０が配置される。また、供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊの間の所定の距離Ｑは、後述するように供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２において、接着剤Ｇの溶剤が表面張力によって拡散できる距離にするのが好ましい。

その後、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させながら、図２２（ｂ）に示すように溶剤供給源１５３から気液供給部１５０に溶剤Ｌを供給する。このときの被処理ウェハＷの回転数は、低速の５０ｒｐｍである。溶剤Ｌは、気液供給部１５０から供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２に供給され、当該隙間１４２において被処理ウェハＷの回転による遠心力により、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。なお、発明者らが鋭意検討した結果、低速の５０ｒｐｍで回転させても、溶剤Ｌが接合面Ｗ_Ｊ上を十分に拡散することが分かっている。こうして、図２２（ｃ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌが被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に供給される。

なお、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊとの間が上述したように所定の距離Ｑに維持されていると、隙間１４２において溶剤Ｌは当該溶剤Ｌの表面張力によっても接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。かかる場合、溶剤Ｌに遠心力と表面張力の２つの外力がかかるので、溶剤Ｌをより円滑に拡散させることができる。

このように溶剤Ｌを接合面Ｗ_Ｊ上で拡散させる際、被処理ウェハＷの回転数は低速の５０ｒｐｍであるので、溶剤Ｌが段部Ａに流入するのが抑制される。しかも、このように気液供給部１５０から隙間１４２に溶剤Ｌを供給して接合面Ｗ_Ｊ上を拡散させる際、吸引部１７０によって溶剤Ｌの吸引を行うと共に、気体供給部１８０から段部Ａへの気体の供給を行う。そうすると、溶剤Ｌが段部Ａに流入するのがさらに抑制される。このため、段部ＡにおけるダイシングテープＰが損傷を被るのを抑制することができる。

その後、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを溶剤Ｌに浸した状態を所定の時間、例えば数分間維持する。そうすると、接合面Ｗ_Ｊに残存していた接着剤Ｇ等の不純物が溶剤Ｌによって除去される。

その後、不活性ガス供給源１５７から気液供給部１５０に不活性ガスを供給する。この不活性ガスによって、気液供給部１５０内の溶剤Ｌが排出される。

その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図２２（ｄ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置、すなわち隙間１４２にリンス液Ｒを供給できる位置まで上昇させる。続いて、リンス液供給源１５５から気液供給部１５０にリンス液Ｒを供給する。リンス液Ｒは、気液供給部１５０から隙間１４２に供給されて溶剤Ｌと混合されつつ、当該隙間１４２において遠心力（及び表面張力）により、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。こうして、図２２（ｅ）に示すように、隙間１４２において溶剤Ｌとリンス液Ｒとの混合液Ｃが、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に供給される。

このように気液供給部１５０から隙間１４２にリンス液Ｒを供給して接合面Ｗ_Ｊ上を拡散させる際にも、吸引部１７０によって混合液Ｃ（リンス液Ｒと溶剤Ｌ）の吸引を行うと共に、気体供給部１８０から段部Ａへの気体の供給を行う。そうすると、混合液Ｃが段部Ａに流入するのが抑制される。

その後、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転を引き続き行った状態で、図２２（ｆ）に示すように洗浄治具１４０を所定の位置まで下降させる。そして、不活性ガス供給源１５７から気液供給部１５０を介して隙間１４２に、不活性ガスが供給される。この不活性ガスによって、隙間１４２に充填されていた混合液Ｃは被処理ウェハＷの外周部側に押し流され、吸引部１７０から吸引される。こうして、隙間１４２の混合液Ｃが除去される。

なお、上述したように隙間１４２に不活性ガスを供給する際に洗浄治具１４０を下降させるのは、隙間１４２の鉛直方向の距離を小さくして不活性ガスの流速を速くするためである。これによって、隙間１４２の混合液Ｃを迅速に除去することができる。

隙間１４２の混合液Ｃが除去された後も、スピンチャック１３１による被処理ウェハＷの回転と、隙間１４２への不活性ガスの供給を引き続き行う。そして、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが乾燥される。こうして、洗浄装置１３において被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。

その後、洗浄装置１３で洗浄された被処理ウェハＷは、搬送装置１４の第１の搬送アーム２１０によって第１の搬入出ステーション１０のカセットＣ_Ｗに搬送される。その後、被処理ウェハＷは、第１の搬入出ステーション１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム１における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。

以上の実施の形態によれば、気液供給部１５０から供給面１４１と接合面Ｗ_Ｊとの間の隙間１４２に溶剤Ｌを供給し、被処理ウェハＷを回転させながら、供給された溶剤Ｌを接合面Ｗ_Ｊ上に拡散させる。そうすると、この溶剤Ｌによって、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄することができる。このとき、被処理ウェハＷの回転数は低速の５０ｒｐｍであるので、溶剤Ｌが段部Ａに流入するのが抑制される。しかも、このように気液供給部１５０から隙間１４２に溶剤Ｌを供給して接合面Ｗ_Ｊ上を拡散させる際、吸引部１７０によって溶剤Ｌの吸引を行うと共に、気体供給部１８０から段部Ａへの気体の供給を行う。そうすると、溶剤Ｌが段部Ａに流入するのがさらに抑制される。したがって、段部ＡにおけるダイシングテープＰの損傷を抑制しつつ、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを適切に洗浄することができる。また、本実施の形態では、溶剤Ｌは被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ以外に拡散しないため、当該溶剤Ｌの供給量も少量に抑えることができ、溶剤Ｌのコストを低廉化することもできる。

ここで、段部Ａに一旦溶剤Ｌが流入すると、溶剤Ｌは段部Ａから流出し難くなる。このため、段部Ａは乾燥し難く、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄するのに時間がかかる。この点、本実施の形態では、段部Ａに溶剤Ｌが流入するのを抑制できるので、接合面Ｗ_Ｊの洗浄を迅速に行うことができる。

また、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄する際、隙間１４２に溶剤Ｌを供給した後、当該隙間１４２にリンス液Ｒを供給するので、当該リンス液Ｒによって接合面Ｗ_Ｊ上の接着剤Ｇを除去でき、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊをより適切に洗浄することができる。

さらに、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄する際、隙間１４２にリンス液Ｒを供給した後、当該隙間１４２に不活性ガスを供給するので、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを適切に乾燥させることができる。

以上の実施の形態において、吸引部１７０による溶剤Ｌと混合液Ｃの吸引は、被処理ウェハＷの回転が停止した状態で行われてもよい。具体的には、図２２（ｂ）に示したように被処理ウェハＷを５０ｒｐｍの回転数で回転させながら、接合面Ｗ_Ｊ上に溶剤Ｌを拡散させる。そして、図２２（ｃ）に示したように溶剤Ｌが接合面Ｗ_Ｊの全面に拡散すると、被処理ウェハＷの回転を停止し、吸引部１７０から溶剤Ｌを吸引する。かかる場合、被処理ウェハＷの回転が停止しているので、溶剤Ｌがこれ以上拡散することがない。したがって、吸引部１７０によって溶剤Ｌを効率よく吸引することができ、溶剤Ｌが段部Ａに流入するのをさらに抑制することができる。なお、吸引部１７０によって混合液Ｃを吸引する場合も、上記溶剤Ｌの吸引と同様であるので説明を省略する。

以上の実施の形態の洗浄治具１４０の供給面１４１には、図２３に示すように溝部３００が形成されていてもよい。溝部３００は、吸引部１７０の内側であって、供給面１４１と同心円状に複数、例えば３箇所に形成されている。かかる場合、隙間１４２において溶剤Ｌを拡散させる際、溶剤Ｌは溝部３００間毎に接合面Ｗ_Ｊ上を拡散する。具体的には、気液供給部１５０から隙間１４２に供給された溶剤Ｌは、最内側の溝部３００ａまで拡散する。そして、溝部３００ａの内側が溶剤Ｌで充填される。続いて、溶剤Ｌは、次の溝部３００ｂまで拡散し、さらに最外側の溝部３００ｃまで順次拡散する。このように溶剤Ｌが溝部３００毎に拡散するので、接合面Ｗ_Ｊ上で溶剤Ｌを均一且つ円滑に拡散させることができる。同様に、リンス液Ｒについても、溝部３００間毎に接合面Ｗ_Ｊ上を拡散し、当該接合面Ｗ_Ｊ上を均一且つ円滑に拡散する。したがって、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊをより適切に洗浄することができる。

以上の実施の形態では、溶剤Ｌやリンス液Ｒを接合面Ｗ_Ｊ上で拡散させる際、被処理ウェハＷを低速の５０ｒｐｍの回転数で回転させていたが、当該被処理ウェハＷを高速の１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの回転数で回転させてもよい。発明者らが鋭意検討した結果、このように高速の１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍで被処理ウェハＷを回転させると、図２４に示すように隙間１４２を拡散した溶剤Ｌは、当該隙間１４２の外部に飛散することが分かった。しかも溶剤Ｌは、高速回転の遠心力によって、段部Ａに流入することなく、ダイシングフレームＦの外部に飛散する。同様に、隙間１４２の混合液Ｃについても、高速回転の遠心力によって、段部Ａに流入することなく、ダイシングフレームＦの外部に飛散する。したがって、段部ＡにおけるダイシングテープＰが損傷を被るのをさらに抑制することができる。

上述のように被処理ウェハＷを高速回転させる場合、高速回転力の遠心力によって、段部Ａへの溶剤Ｌの流入を抑制できるので、上記実施の形態の洗浄治具１４０において気体供給部１８０を省略してもよい。かかる場合、洗浄治具１４０と被処理ウェハＷを平面視においてほぼ同じ大きさとしてもよい。

同様に、段部Ａへの溶剤Ｌの流入を抑制できるので、上記実施の形態の洗浄治具１４０において吸引部１７０を省略してもよい。

あるいは吸引部１７０に代えて、図２５に示すように洗浄治具１４０には、隙間１４２に供給された溶剤Ｌや混合液Ｃを吸引する洗浄液吸引部としての吸引部３１０が、段部Ａの外側に設けられていてもよい。吸引部３１０は、例えば洗浄治具１４０の外周部に沿って環状に設けられている。かかる場合、隙間１４２から外部に飛散した溶剤Ｌや混合液Ｃは、段部Ａ上を通過して、強制的に吸引部３１０に吸引される。このため、溶剤Ｌや混合液Ｃが段部Ａに流入するのをさらに抑制することができる。したがって、段部ＡにおけるダイシングテープＰが損傷を被るのをさらに抑制することができる。

以上の実施の形態の洗浄治具１４０には、図２６に示すようにカバー３２０が設けられていてもよい。カバー３２０は、例えば洗浄治具１４０の外周部に沿って環状、且つ段部Ａの上方に設けられている。また、カバー３２０は、移動機構（図示せず）によって鉛直方向に移動自在に構成され、段部Ａに対して進退自在に構成されている。そして、カバー３２０は、段部ＡのダイシングテープＰを覆うことができる。かかる場合、例えば隙間１４２から流出した溶剤Ｌや混合液Ｃが段部Ａに僅かに流入しようとする場合であっても、カバー３２０によって溶剤Ｌや混合液Ｃが段部ＡのダイシングテープＰ上に流入するのを抑制することができる。したがって、当該ダイシングテープＰが損傷を被るのをさらに抑制することができる。

また、以上の実施の形態のダイシングフレームＦには、図２７に示すように張出部３３０が設けられていてもよい。張出部３３０は、段部Ａ内において、ダイシングフレームＦの外側面から内側に張り出している。また、張出部３３０は、ダイシングフレームＦの外周部に沿って環状に設けられている。そして、張出部３３０は、段部ＡのダイシングテープＰを覆うことができる。かかる場合、例えば隙間１４２から流出した溶剤Ｌや混合液Ｃが段部Ａに僅かに流入しようとする場合であっても、張出部３３０によって溶剤Ｌや混合液Ｃが段部ＡのダイシングテープＰ上に流入するのを抑制することができる。したがって、当該ダイシングテープＰが損傷を被るのをさらに抑制することができる。

なお、上述したカバー３２０と張出部３３０は、段部Ａのスペースに応じて両方設けてもよい。また、図２６と図２７において、洗浄治具１４０の吸引部１７７０、３１０及び気体供給部１８０が省略されて描図されているが、必要に応じてこれらを設けてもよい。

以上の実施の形態の洗浄装置１３では、スピンチャック１３１によって被処理ウェハＷを回転させていたが、洗浄治具１４０を回転させてもよい。かかる場合、洗浄装置１３には、洗浄治具１４０を回転させるための回転機構（図示せず）が設けられる。あるいは、洗浄治具１４０とスピンチャック１３１に保持された被処理ウェハＷを共に回転させてもよい。いずれの場合でも、洗浄治具１４０と被処理ウェハＷを相対的に回転させることによって、溶剤Ｌや混合液Ｃは遠心力により被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上を拡散することができる。

以上の実施の形態の洗浄装置１３では、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄するために溶剤Ｌ、リンス液Ｒ、不活性ガスを用いていたが、例えば溶剤Ｌが高い揮発性を有する場合には、リンス液Ｒと不活性ガスを省略することもできる。

以上の実施の形態の剥離装置１２では、第１の保持部５０と第３の保持部５２の内部には、それぞれ加熱機構６１、７１が設けられていたが、これら加熱機構６１、７１を省略してもよい。かかる場合、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する際に、重合ウェハＴは加熱されず、常温の状態を維持している。この場合であっても、上述したように支持ウェハＳを被処理ウェハＷから連続的に剥離できる。また、例えば接着剤Ｇの種類によっては当該接着剤Ｇを軟化させるのに加熱が必要ないものもあり、かかる場合に本実施の形態は特に有用である。

以上の実施の形態の重合ウェハＴの剥離処理は、上記剥離システム１と異なる剥離システムで行ってもよい。

例えば図２８に示すように剥離システム４００は、外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔが搬入出される搬入出ステーション４１０と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション４１１と、処理ステーション４１１に隣接する後処理ステーション４１２との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション４１３とを一体に接続した構成を有している。なお、本実施の形態においても、被処理ウェハＷと重合ウェハＴは、それぞれダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

搬入出ステーション４１０と処理ステーション４１１は、Ｘ方向（図２８中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション４１０と処理ステーション４１１との間には、ウェハ搬送領域４１４が形成されている。インターフェイスステーション４１３は、処理ステーション４１１のＹ方向負方向側（図２８中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション４１３のＸ方向正方向側（図２８中の上方向側）には、後処理ステーション４１２に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置４１５が配置されている。また、インターフェイスステーション４１３を挟んで検査装置４１５の反対側、すなわちインターフェイスステーション４１３のＸ方向負方向側（図２８中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷを洗浄する検査後洗浄装置４１６が配置されている。

搬入出ステーション４１０には、カセット載置台４２０が設けられている。カセット載置台４２０には、複数、例えば３つのカセット載置板４２１が設けられている。カセット載置板４２１は、Ｙ方向（図２８中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板４２１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように搬入出ステーション４１０は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板４２１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

ウェハ搬送領域４１４には、第１の搬送装置４３０が配置されている。第１の搬送装置４３０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な２本の搬送アームを有している。これら２本の搬送アームは、上記実施の形態における重合ウェハＴ又は被処理ウェハＷを保持して搬送する第１の搬送アーム２１０と、支持ウェハＳを保持して搬送する第２の搬送アーム２１１とそれぞれ同様の構成を有している。第１の搬送装置４３０は、ウェハ搬送領域４１４内を移動し、搬入出ステーション４１０と処理ステーション４１１との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。

処理ステーション４１１は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置１２を有している。剥離装置１２のＹ方向負方向側（図２８中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置１３が配置されている。剥離装置１２と第１の洗浄装置１３との間には、第２の搬送装置４４０が設けられている。また、剥離装置１２のＹ方向正方向側（図２４中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する他の洗浄装置としての第２の洗浄装置４４１が配置されている。このように処理ステーション４１１には、第１の洗浄装置１３、第２の搬送装置４４０、剥離装置１２、第２の洗浄装置４４１が、インターフェイスステーション４１３側からこの順で並べて配置されている。なお、剥離装置１２は、上記実施の形態の剥離システム１における剥離装置１２と同様の構成を有する。また、第１の洗浄装置１３も剥離システム１における洗浄装置１３と同様の構成を有するが、第２の洗浄装置４４１と区別するため、便宜上、第１の洗浄装置１３と呼称する。

検査装置４１５では、剥離装置１２により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄装置４１６では、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄装置４１６は、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄する接合面洗浄部４１６ａ、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを洗浄する非接合面洗浄部４１６ｂ、被処理ウェハＷを上下反転させる反転部４１６ｃを有している。なお、接合面洗浄部４１６ａと非接合面洗浄部４１６ｂは、第１の洗浄装置１３と同様の構成を有する。

インターフェイスステーション４１３には、Ｙ方向に延伸する搬送路４５０上を移動自在な第３の搬送装置４５１が設けられている。第３の搬送装置４５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション４１１、後処理ステーション４１２、検査装置４１５及び検査後洗浄装置４１６との間で被処理ウェハＷを搬送できる。

なお、後処理ステーション４１２では、処理ステーション４１１で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理としては、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理などが行われる。

次に、上述した第２の搬送装置４４０の構成について説明する。第２の搬送装置４４０は、図２９に示すように被処理ウェハＷを保持して搬送する搬送アーム４６０を有している。なお、搬送アーム４６０で搬送される被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

搬送アーム４６０は、図３０に示すように先端が２本の先端部４６０ａ、４６０ａに分岐した形状を有している。搬送アーム４６０には、ダイシングフレームＦ（又はダイシングテープＰ）を介して被処理ウェハＷを吸着して保持する吸着パッド４６１が設けられている。これにより搬送アーム４６０は、当該搬送アーム４６０上に被処理ウェハＷを水平に保持することができる。

搬送アーム４６０は、図２９に示すように支持アーム４６２に支持されている。支持アーム４６２は、第１の駆動部４６３に支持されている。この第１の駆動部４６３により、支持アーム４６２は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部４６３の下方には、第２の駆動部４６４が設けられている。この第２の駆動部４６４により、第１の駆動部４６３は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。

なお、第３の搬送装置４５１は、上述した第２の搬送装置４４０と同様の構成を有している。但し、第３の搬送装置４５１の第２の駆動部４６４は、図２８に示した搬送路４５０に取り付けられ、第３の搬送装置４５１は搬送路４５０上を移動可能になっている。

次に、上述した第２の洗浄装置４４１の構成について説明する。第２の洗浄装置４４１は、図３１に示すように処理容器４７０を有している。処理容器４７０の側面には、支持ウェハＳの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器４７０内の中央部には、支持ウェハＳを保持して回転させるスピンチャック４８０が設けられている。スピンチャック４８０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック４８０上に吸着保持できる。

スピンチャック４８０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部４８１が設けられている。スピンチャック４８０は、チャック駆動部４８１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部４８１には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック４８０は昇降自在になっている。

スピンチャック４８０の周囲には、支持ウェハＳから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ４８２が設けられている。カップ４８２の下面には、回収した液体を排出する排出管４８３と、カップ４８２内の雰囲気を真空引きして排気する排気管４８４が接続されている。

図３２に示すようにカップ４８２のＸ方向負方向（図３２中の下方向）側には、Ｙ方向（図３２中の左右方向）に沿って延伸するレール４９０が形成されている。レール４９０は、例えばカップ４８２のＹ方向負方向（図３２中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図３２中の右方向）側の外方まで形成されている。レール４９０には、アーム４９１が取り付けられている。

アーム４９１には、図３１及び図３２に示すように支持ウェハＳに洗浄液、例えば接着剤Ｇの溶剤Ｌである有機溶剤を供給する洗浄液ノズル４９２が支持されている。アーム４９１は、図３２に示すノズル駆動部４９３により、レール４９０上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル４９２は、カップ４８２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部４９４からカップ４８２内の支持ウェハＳの中心部上方まで移動でき、さらに当該支持ウェハＳ上を支持ウェハＳの径方向に移動できる。また、アーム４９１は、ノズル駆動部４９３によって昇降自在であり、洗浄液ノズル４９２の高さを調節できる。

洗浄液ノズル４９２には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル４９２には、図３１に示すように当該洗浄液ノズル４９２に洗浄液を供給する供給管５００が接続されている。供給管５００は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源５０１に連通している。供給管５００には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０２が設けられている。また、洗浄液ノズル４９２には、当該洗浄液ノズル４９２に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管５０３が接続されている。供給管５０３は、内部に不活性ガスを貯留する不活性ガス供給源５０４に連通している。供給管５０３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群５０５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル４９２内で混合され、当該洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。

なお、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはスピンチャック４８０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、スピンチャック４８０の上面から突出可能になっている。そして、スピンチャック４８０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、スピンチャック４８０との間で支持ウェハＳの受け渡しが行われる。

また、第２の洗浄装置４４１において、スピンチャック４８０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面Ｓ_Ｎに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。

次に、以上のように構成された剥離システム４００を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣ_Ｔ、空のカセットＣ_Ｗ、及び空のカセットＣ_Ｓが、搬入出ステーション４１０の所定のカセット載置板４２１に載置される。第１の搬送装置４３０によりカセットＣ_Ｔ内の重合ウェハＴが取り出され、処理ステーション４１１の剥離装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持され、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。

剥離装置１２に搬入された重合ウェハＴは、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。この剥離装置１２における被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。

その後、剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置４４０によって第１の洗浄装置１３に搬送される。ここで、第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。なお、被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。

図３３に示すように支持アーム４６２を伸長させて、搬送アーム４６０を第１の保持部５０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、搬送アーム４６０を上昇させ、第１の保持部５０における吸引管６０からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部５０から搬送アーム４６０に被処理ウェハＷが受け渡される。

次に図３４に示すように、支持アーム４６２を回動させて搬送アーム４６０を第１の洗浄装置１３のウェハ保持部１３０の上方に移動させると共に、搬送アーム４６０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ウェハ保持部１３０をカップ１３４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、搬送アーム４６０からウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。

このようにウェハ保持部１３０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ウェハ保持部１３０を所定の位置まで下降させる。続いて、洗浄治具１４０によって被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。なお、この第１の洗浄装置１３における被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの洗浄方法は、上記実施の形態で説明した方法と同様であるので説明を省略する。

ここで、上述したように搬入出ステーション４１０に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、第３の搬送装置４５１によって検査装置４１５に搬送される。なお、この第３の搬送装置４５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置４４０による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。

検査装置４１５においては、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。検査装置４１５において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１により検査後洗浄装置４１６の接合面洗浄部４１６ａに搬送され、接合面洗浄部４１６ａで接合面Ｗ_Ｊが洗浄される。接合面Ｗ_Ｊが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって反転部４１６ｃに搬送され、反転部４１６ｃにおいて上下方向に反転される。なお、接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄部４１６ａに搬送されることなく反転部４１６ｃにて反転される。

その後、反転された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１により再び検査装置４１５に搬送され、非接合面Ｗ_Ｎの検査が行われる。そして、非接合面Ｗ_Ｎにおいて接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置４５１によって非接合面洗浄部４１６ｃに搬送され、非接合面Ｗ_Ｎの洗浄が行われる。次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置４５１によって後処理ステーション４１２に搬送される。なお、検査装置４１５で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄部４１６ｂに搬送されることなくそのまま後処理ステーション４１２に搬送される。

その後、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。

一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、第１の洗浄装置１３で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣ_Ｗに搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。

剥離装置１２で剥離された被処理ウェハＷに上述した処理が行われている間、当該剥離装置１２で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって第２の洗浄装置４４１に搬送される。

第２の洗浄装置４４１に搬入された支持ウェハＳは、スピンチャック４８０に吸着保持される。その後、スピンチャック４８０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム４９１によって待機部４９４の洗浄液ノズル４９２を支持ウェハＳの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック４８０によって支持ウェハＳを回転させながら、洗浄液ノズル４９２から支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊの全面に拡散されて、当該支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊが洗浄される。

その後、第２の洗浄装置４４１で洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置４３０によって搬入出ステーション４１０のカセットＣ_Ｓに搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション４１０から外部に搬出され回収される。こうして、剥離システム４００における一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。

以上の実施の形態の剥離システム４００によれば、剥離装置１２において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置１３において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置４４１において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム４００内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置１２において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置１３と第２の洗浄装置４４１において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。

また、以上の実施の形態では、後処理ステーション４１２において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

１ 剥離システム
１０ 第１の搬入出ステーション
１１ 第２の搬入出ステーション
１２ 剥離装置
１３ 洗浄装置（第１の洗浄装置）
１３０ ウェハ保持部
１３１ スピンチャック
１４０ 洗浄治具
１４１ 供給面
１４２ 隙間
１５０ 気液供給部
１７０ 吸引部
１８０ 気体供給部
２５０ 制御部
３００ 溝部
３１０ 吸引部
３２０ カバー
３３０ 張出部
４００ 剥離システム
４１０ 搬入出ステーション
４１１ 処理ステーション
４１４ ウェハ搬送領域
４３０ 第１の搬送装置
Ａ 段部
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｌ 溶剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｒ リンス液
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ

Claims (21)

1. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、且つ前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄装置であって、
   被処理基板を保持して回転させる回転保持部と、
   被処理基板の接合面を覆う供給面を備えた洗浄治具と、を有し、
   前記洗浄治具には、前記接合面と前記供給面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記接合面と前記供給面との間に供給された洗浄液を吸引する洗浄液吸引部とが設けられていることを特徴とする、洗浄装置。
2. 前記供給面には、当該供給面と同心円状に複数の溝部が形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の洗浄装置。
3. 前記洗浄液吸引部は、前記供給面の外周部において当該外周部に沿って環状に形成されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄装置。
4. 前記洗浄治具には、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して、気体を供給する気体供給部が設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄装置。
5. 被処理基板を５０ｒｐｍの回転数で回転させるように前記回転保持部を制御する制御部を有することを特徴とする、請求項３又は４に記載の洗浄装置。
6. 前記洗浄液吸引部は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部の外側に設けられていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の洗浄装置。
7. 被処理基板を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの回転数で回転させるように前記回転保持部を制御する制御部を有することを特徴とする、請求項６に記載の洗浄装置。
8. 前記洗浄治具には、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して進退自在に構成され、当該段部のテープを覆うカバーが設けられていることを特徴とする、請求項１〜７に記載の洗浄装置。
9. 前記フレームには、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に張り出した張出部が設けられていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の洗浄装置。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
    重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた処理ステーションと、
    前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
    前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。
11. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を剥離した後、剥離された被処理基板が環状のフレームの内側に配置されて、且つ前記フレームの表面と被処理基板の非接合面に貼り付けられたテープにより保持された状態で、当該被処理基板の接合面を洗浄する洗浄方法であって、
    被処理基板の接合面上に前記接着剤の溶剤を供給するための洗浄治具の供給面が前記接合面を覆うように、前記洗浄治具を被処理基板に対向して配置する配置工程と、
    その後、前記供給面と前記接合面との間に洗浄液を供給し、被処理基板を回転させながら、前記供給された洗浄液を前記接合面上に拡散させる洗浄工程と、
    その後、前記接合面上を拡散した洗浄液を吸引する吸引工程と、を有することを特徴とする、洗浄方法。
12. 前記供給面には、当該供給面と同心円状に複数の溝部が形成され、
    前記洗浄工程において、前記洗浄液は前記溝部間毎に前記接合面上を拡散することを特徴とする、請求項１１に記載の洗浄方法。
13. 前記吸引工程において、前記洗浄液は前記洗浄治具の外周部から吸引されることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の洗浄方法。
14. 前記洗浄工程において、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に対して、気体を供給することを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の洗浄方法。
15. 前記洗浄工程における被処理基板の回転数は５０ｒｐｍであって、
    前記吸引工程は、被処理基板の回転を停止した状態で行われることを特徴とする、請求項１３又は１４に記載の洗浄方法。
16. 前記吸引工程において、前記洗浄液は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部の外側から吸引されることを特徴とする、請求項１１又は１２に記載の洗浄方法。
17. 前記洗浄工程における被処理基板の回転数は１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍであることを特徴とする、請求項１６に記載の洗浄方法。
18. 前記洗浄工程と前記吸引工程は、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部内において、当該段部のテープを覆うカバーが設けられた状態で行われることを特徴とする、請求項１１〜１７のいずれかに記載の洗浄方法。
19. 前記フレームには、被処理基板と前記フレームとの間で前記テープの上方に形成された段部に張り出した張出部が設けられていることを特徴とする、請求項１１〜１８のいずれかに記載の洗浄方法。
20. 請求項１１〜１９のいずかに記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるために、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
21. 請求項２０に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

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