KR20130054165A - 세정 장치, 박리 시스템, 세정 방법, 및 기억 매체 - Google Patents

세정 장치, 박리 시스템, 세정 방법, 및 기억 매체 Download PDF

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KR20130054165A
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히로시 고메다
에이지 마나베
신지 고가
다카히데 사카이
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 환형의 프레임 내측에 배치되고, 그 프레임과 테이프에 의해 유지된 상태의 피처리 기판의 접합면을 적절히 세정하는 것을 과제로 한다.
세정 장치(13)는, 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 웨이퍼 유지부(130)와, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 덮는 공급면(141)을 구비한 세정 지그(140)를 갖고 있다. 세정 지그(140)에는, 접합면(WJ)과 공급면(141) 사이의 간극(142)에 접착제(G)의 용제, 용제의 린스액 및 불활성 가스를 공급하는 기액 공급부(150)와, 접합면(WJ)과 공급면(141) 사이의 간극(142)에 공급된 용제나 린스액(혼합액)을 흡인하는 흡인부(170)와, 단부(A)에 기체를 공급하는 기체 공급부(180)가 설치되어 있다.

Description

세정 장치, 박리 시스템, 세정 방법, 및 기억 매체{CLEANING APPARATUS, SEPARATION SYSTEM, CLEANING METHOD, AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 중합 기판으로부터 박리된 피처리 기판이 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 또한 프레임의 표면과 피처리 기판의 비접합면에 접착된 테이프에 의해 유지된 상태에서, 상기 피처리 기판의 접합면을 세정하는 세정 장치, 이 세정 장치를 구비한 박리 시스템, 상기 세정 장치를 이용한 세정 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.
최근, 예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 대구경화가 진행되고 있다. 또한, 실장 등의 특정한 공정에 있어서 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있다. 예컨대 대구경이며 얇은 웨이퍼를 그대로 반송하거나 연마 처리하면, 웨이퍼에 휘어짐이나 균열이 생길 우려가 있다. 이 때문에, 예컨대 웨이퍼를 보강하기 위해서, 예컨대 지지 기판인 웨이퍼나 유리 기판에 웨이퍼를 접착하는 것이 행해지고 있다. 그리고, 이와 같이 웨이퍼와 지지 기판이 접합된 상태에서 웨이퍼의 연마 처리 등의 소정의 처리가 이루어진 후, 웨이퍼와 지지 기판이 박리된다.
이러한 웨이퍼와 지지 기판의 박리는, 예컨대 박리 장치를 이용하여 행해진다. 박리 장치는, 예컨대 웨이퍼를 유지하는 제1 홀더와, 지지 기판을 유지하는 제2 홀더와, 웨이퍼와 지지 기판 사이에 액체를 분사하는 노즐을 갖고 있다. 그리고, 이 박리 장치에서는, 노즐로부터 접합된 웨이퍼와 지지 기판 사이에, 상기 웨이퍼와 지지 기판 사이의 접합 강도보다 큰 분사압, 바람직하게는 접합 강도보다 2배 이상 큰 분사압으로 액체를 분사함으로써, 웨이퍼와 지지 기판의 박리가 이루어지고 있다(특허문헌 1). 그 후, 이들 웨이퍼의 접합면과 지지 기판의 접합면을 각각 세정하여, 웨이퍼와 지지 기판의 박리 처리는 종료된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평9-167724호 공보
그런데, 웨이퍼는 박형화되어 있기 때문에, 웨이퍼는 환형의 다이싱 프레임의 내측에 배치되고, 다이싱 프레임의 표면과 웨이퍼의 비접합면에 다이싱 테이프에 의해 접착되어 유지되는 경우가 있다. 즉, 웨이퍼와 지지 기판을 박리한 후, 접합면이 세정되는 웨이퍼는, 다이싱 프레임 및 다이싱 테이프에 유지되어 있는 경우가 있다.
상술한 웨이퍼의 접합면 세정에는, 예컨대 웨이퍼와 지지 기판을 접합하는 접착제의 용제가 이용된다. 그리고 웨이퍼의 세정 중, 웨이퍼의 접합면 상에 공급된 용제는 웨이퍼와 다이싱 프레임 사이의 다이싱 테이프 상으로 유입된다. 그러면, 다이싱 테이프가 용제에 의해서 손상을 입는 경우가 있다. 이러한 경우, 다이싱 테이프는 웨이퍼를 적절히 유지할 수 없게 되어, 그 웨이퍼의 반송이나 후속의 처리에 지장을 초래한다.
본 발명은 이러한 점에 감안하여 이루어진 것으로, 환형의 프레임 내측에 배치되고, 그 프레임과 테이프에 의해 유지된 상태의 피처리 기판의 접합면을 적절하게 세정하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을 박리한 후, 박리된 피처리 기판이 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 또한 상기 프레임의 표면과 피처리 기판의 비접합면에 접착된 테이프에 의해 유지된 상태에서, 상기 피처리 기판의 접합면을 세정하는 세정 장치로서, 피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와, 피처리 기판의 접합면을 덮는 공급면을 구비한 세정 지그를 포함하고, 상기 세정 지그에는, 상기 접합면과 상기 공급면 사이에 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 접합면과 상기 공급면 사이에 공급된 세정액을 흡인하는 세정액 흡인부가 마련되어 있는 것을 특징으로 한다. 한편, 피처리 기판의 접합면이란, 중합 기판의 피처리 기판에 있어서 지지 기판과 접합되는 면을 말하며, 피처리 기판의 비접합면이란, 중합 기판의 피처리 기판에 있어서 지지 기판과 접합되어 있지 않은 면을 말한다. 또한, 세정액에는, 접착제의 용제에 더하여 용제의 린스액 등도 포함된다.
다른 관점에 의한 본 발명은, 상기 세정 장치를 구비한 박리 시스템으로서, 중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치에 의해 박리된 피처리 기판을 세정하는 상기 세정 장치와, 상기 박리 장치에 의해 박리된 지지 기판을 세정하는 다른 세정 장치를 구비한 처리 스테이션과, 상기 처리 스테이션에 대하여, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션과, 상기 처리 스테이션과 상기 반입출 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반송하는 반송 장치를 갖는 것을 특징으로 한다.
또 다른 관점에 의한 본 발명은, 피처리 기판과 지지 기판이 접착제에 의해 접합된 중합 기판을 박리한 후, 박리된 피처리 기판이 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 또한 상기 프레임의 표면과 피처리 기판의 비접합면에 접착된 테이프에 의해 유지된 상태에서, 상기 피처리 기판의 접합면을 세정하는 세정 방법으로서, 피처리 기판의 접합면 상에 상기 접착제의 용제를 공급하기 위한 세정 지그의 공급면이 상기 접합면을 덮도록, 상기 세정 지그를 피처리 기판에 대향하여 배치하는 배치 공정과, 그 후, 상기 공급면과 상기 접합면 사이에 세정액을 공급하고, 피처리 기판을 회전시키면서, 상기 공급된 세정액을 상기 접합면 상에 확산시키는 세정 공정과, 그 후, 상기 접합면 상에서 확산된 세정액을 흡인하는 흡인 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 세정 방법을 세정 장치에 의해서 실행시키기 위해서, 상기 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.
본 발명에 따르면, 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 상기 프레임과 테이프에 의해 유지된 상태의 피처리 기판의 접합면을 적절히 세정할 수 있다.
도 1은 본 실시형태에 따른 박리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 다이싱 프레임과 다이싱 테이프에 유지된 중합 웨이퍼의 종단면도이다.
도 3은 다이싱 프레임과 다이싱 테이프에 유지된 중합 웨이퍼의 평면도이다.
도 4는 박리 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 5는 제1 유지부, 제2 유지부 및 제3 유지부의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 6은 제2 유지부의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 7은 제1 연직 이동부의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 8은 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 9는 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 10은 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 11은 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 12는 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 13은 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 14는 전달 아암의 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 15는 반송 장치의 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 16은 제1 반송 아암의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 17은 제2 반송 아암의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 18은 제1 유지부, 제2 유지부 및 제3 유지부로 중합 웨이퍼를 유지한 모습을 도시하는 설명도이다.
도 19는 제1 연직 이동부에 의해서 제3 유지부의 외주부를 연직 아래쪽으로 이동시키는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 20은 제2 연직 이동부에 의해서 제3 유지부를 연직 아래쪽으로 이동시키는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 21은 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼를 박리한 모습을 도시하는 설명도이다.
도 22는 세정 장치에 있어서 피처리 웨이퍼를 세정하는 모습을 도시한 설명도로, (a)는 세정 지그를 소정의 위치에 배치한 모습을 나타내고, (b)는 기액(氣液) 공급부로부터 공급면과 접합면 사이의 간극에 용제가 공급되는 모습을 나타내고, (c)는 상기 간극에 용제가 확산된 모습을 나타내고, (d)는 기액 공급부로부터 상기 간극에 린스액이 공급되는 모습을 나타내고, (e)는 상기 간극에 혼합액이 확산된 모습을 나타내고, (f)는 기액 공급부로부터 상기 간극에 불활성 가스가 공급되는 모습을 나타낸다.
도 23은 다른 실시형태에 따른 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 24는 다른 실시형태에 따른 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 25는 다른 실시형태에 따른 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 26은 다른 실시형태에 따른 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 27은 다른 실시형태에 따른 세정 지그의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 28은 다른 실시형태에 따른 박리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 29는 제2 반송 장치의 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 30은 반송 아암의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 31은 제2 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 종단면도이다.
도 32는 제2 세정 장치의 구성의 개략을 도시하는 횡단면도이다.
도 33은 제1 유지부 및 제2 유지부로부터 반송 아암에 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 34는 반송 아암으로부터 웨이퍼 유지부에 피처리 웨이퍼를 전달하는 모습을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 박리 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
박리 시스템(1)에서는, 도 2 및 도 3에 도시하는 것과 같이 피처리 기판으로서의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 기판으로서의 지지 웨이퍼(S)가 접착제(G)로 접합된 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)를, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한다. 이하, 피처리 웨이퍼(W)에 있어서, 접착제(G)를 통해 지지 웨이퍼(S)와 접합되는 면을「접합면 WJ」이라고 하고, 이 접합면(WJ)과 반대쪽의 면을 「비접합면 WN」이라고 한다. 마찬가지로, 지지 웨이퍼(S)에 있어서, 접착제(G)를 통해 피처리 웨이퍼(W)와 접합되는 면을 「접합면 SJ」이라고 하고, 이 접합면(SJ)과 반대쪽의 면을 「비접합면 SN」이라고 한다. 피처리 웨이퍼(W)는 제품으로 되는 웨이퍼이며, 예컨대 접합면(WJ)에 복수의 전자 회로가 형성되어 있다. 또한 피처리 웨이퍼(W)는, 예컨대 비접합면(WN)이 연마 처리되고, 박형화(예컨대 두께가 50 ㎛)되어 있다. 지지 웨이퍼(S)는, 피처리 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 가지며, 상기 피처리 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼이다. 한편, 본 실시형태에서는, 지지 기판으로서 웨이퍼를 이용한 경우에 관해서 설명하지만, 예컨대 유리 기판 등의 다른 기판을 이용하더라도 좋다.
중합 웨이퍼(T)에는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)가 부착되어 있다. 다이싱 프레임(F)은, 평면에서 보아 대략 직사각 형상을 갖고, 또한 내측에 중합 웨이퍼(T)의 외주부를 따른 개구부가 형성된 환형 형상을 갖고 있다. 그리고 중합 웨이퍼(T)는 다이싱 프레임(F) 내측의 개구부에 배치된다. 다이싱 프레임(F)에는, 예컨대 스테인리스강이 이용된다. 또한 다이싱 테이프(P)는, 평면에서 보아 대략 원 형상을 갖고, 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)과 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)에 접착되어 있다. 이렇게 해서, 중합 웨이퍼(T)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다. 또, 중합 웨이퍼(T)와 다이싱 프레임(F) 사이에는 간극이 형성되어 있고, 이 간극의 다이싱 테이프(P)의 위쪽에 단부(段部)(A)가 형성되어 있다. 또한, 다이싱 테이프(P)는 제작 형편상 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)의 단부(端部)까지는 접착되어 있지 않고, 다이싱 테이프(P)의 두께 분만큼 다이싱 프레임(F)의 외주부에 있어서 다이싱 테이프(P)와의 사이에 단차(B)가 존재하고 있다. 한편, 본 실시형태의 다이싱 프레임(F)은, 평면에서 보아 대략 직사각 형상을 갖고 있지만, 다이싱 프레임(F)은 여러 가지 형상, 예컨대 대략 원 형상을 취할 수 있다. 또한 다이싱 테이프(P)도 평면에서 보아 대략 원 형상을 갖고 있지만, 여러 가지 형상, 예컨대 대략 직사각 형상을 취할 수 있다.
그리고 박리 시스템(1)에 있어서, 중합 웨이퍼(T)는, 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지된 상태로, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리된다. 또한, 박리된 피처리 웨이퍼(W)는, 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지된 상태로 반송되어, 후속 처리, 예컨대 접합면(WJ)의 세정이 행해진다.
박리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 것과 같이, 예컨대 외부와의 사이에서 복수의 피처리 웨이퍼(W)와 복수의 중합 웨이퍼(T)를 각각 수용할 수 있는 카세트(CW, CT)가 반입출되는 제1 반입출 스테이션(10)과, 외부와의 사이에서 복수의 지지 웨이퍼(S)를 수용할 수 있는 카세트(CS)가 반입출되는 제2 반입출 스테이션(11)과, 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리하는 박리 장치(12)와, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 장치(13)와, 박리 시스템(1) 내에서 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송하는 반송 장치(14)를 갖고 있다. 제1 반입출 스테이션(10), 제2 반입출 스테이션(11), 박리 장치(12) 및 세정 장치(13)는, 반송 장치(14) 주위에, 예컨대 평면에서 보아 반시계 회전 방향에 있어서 이 순서로 나란히 늘어서도록 배치되어 있다.
제1 반입출 스테이션(10)에는 카세트 배치대(20)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(20)에는, 예컨대 2개의 카세트 배치판(21)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(21)은 Y 방향(도 1 중의 좌우 방향)으로 나란히 배치되어 있다. 이들 카세트 배치판(21)에는, 박리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(CW, CT)를 반입출할 때에, 카세트(CW, CT)를 배치할 수 있다. 이와 같이 제1 반입출 스테이션(10)은, 복수의 피처리 웨이퍼(W)와 복수의 중합 웨이퍼(T)를 보유할 수 있게 구성되어 있다. 이들 피처리 웨이퍼(W)와 중합 웨이퍼(T)는 각각 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다. 또한, 제1 반입출 스테이션(10)에 있어서, 카세트 배치판(21)의 개수는 본 실시형태에 한정되지 않고 임의로 결정할 수 있다.
제2 반입출 스테이션(11)에는 카세트 배치대(30)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(30)에는, 예컨대 하나의 카세트 배치판(31)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(31)에는, 박리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(CS)를 반입출할 때에, 카세트(CS)를 배치할 수 있다. 이와 같이 제2 반입출 스테이션(11)은 복수의 지지 웨이퍼(S)를 보유할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 카세트 배치판(31)에 인접하여 X 방향 플러스 방향(도 1 중의 위쪽 방향) 측에는, 피처리 웨이퍼(W)의 표리면을 반전시키는 반전 장치(32)가 배치되어 있다.
이어서, 상술한 박리 장치(12)의 구성에 관해서 설명한다. 박리 장치(12)는 도 4에 도시하는 것과 같이 처리 용기(40)를 갖고 있다. 처리 용기(40)의 측면에는, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또, 처리 용기(40) 내에는, 반송 장치(14)가 설치된 영역으로부터의 분위기가 유입되도록 되어 있다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)와 중합 웨이퍼(T)는, 각각 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
처리 용기(40)의 바닥면에는, 상기 처리 용기(40) 내부의 분위기를 흡인하는 흡기구(41)가 형성되어 있다. 흡기구(41)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압(負壓) 발생 장치(42)에 연통되는 흡기관(43)이 접속되어 있다.
처리 용기(40)의 내부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 하면에서 흡착 유지하는 제1 유지부(50)와, 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)을 흡착 유지하는 제2 유지부(51)와, 지지 웨이퍼(S)를 상면에서 얹어 놓아 유지하는 제3 유지부(52)가 설치되어 있다. 제1 유지부(50)와 제2 유지부(51)는 각각 제3 유지부(52)의 위쪽에 설치되고, 제1 유지부(50)는 제3 유지부(52)와 대향하도록 배치되어 있다. 즉, 처리 용기(40)의 내부에서는, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태에서, 중합 웨이퍼(T)에 박리 처리가 행해진다.
제1 유지부(50)는 도 5에 도시하는 것과 같이 대략 평판 형상을 갖고 있다. 제1 유지부(50)의 내부에는, 다이싱 테이프(P)를 통해 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 흡착 유지하기 위한 흡인관(60)이 설치되어 있다. 흡인관(60)은, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다.
또한, 제1 유지부(50)의 내부에는, 피처리 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 기구(61)가 설치되어 있다. 가열 기구(61)에는, 예컨대 히터가 이용된다.
제2 유지부(51)는 제1 유지부(50)의 외주부에서 상기 제1 유지부(50)와 일체로 설치되어 있다. 즉, 제2 유지부(51)는 다이싱 테이프(P)의 외측에 배치되어 있다. 또한, 제2 유지부(51)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)가 접속되고, 제2 유지부(51)는 다이싱 테이프(P)의 외측에 있어서 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)을 흡착 유지할 수 있다. 도 6에 도시하는 것과 같이 제2 유지부(51)는 복수 부위, 예컨대 4곳에 설치되어 있다. 4개의 제2 유지부(51)는 다이싱 프레임(F)의 각 변에 등간격으로 배치되어 있다.
여기서, 상술한 것과 같이 다이싱 프레임(F)의 외주부에는, 다이싱 테이프(P)와의 사이에 단차(B)가 존재하고 있다. 이 때문에, 제1 유지부(50)로 다이싱 프레임(F)을 흡착 유지하고자 하면, 상기 제1 유지부(50)와 다이싱 프레임(F) 사이에 단차(B)에 의한 간극이 생긴다. 즉, 제1 유지부(50)는 다이싱 프레임(F)을 직접 흡착 유지할 수 없다. 이러한 경우, 다이싱 프레임(F)이 고정되지 않기 때문에, 제1 유지부(50)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)를 적절히 유지하지 못한다. 이 점에서, 본 실시형태에서는, 제2 유지부(51)에 의해서 다이싱 프레임(F)이 흡착 유지되기 때문에, 제1 유지부(50)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)도 적절히 유지된다.
제3 유지부(52)는 도 5에 도시하는 것과 같이 대략 평판 형상을 갖고 있다. 제3 유지부(52)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 흡착 유지하기 위한 흡인관(70)이 설치되어 있다. 흡인관(70)은, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 제3 유지부(52)는 탄성체인, 예컨대 알루미늄이 이용된다.
또한, 제3 유지부(52)의 내부에는, 지지 웨이퍼(S)를 가열하는 가열 기구(71)가 설치되어 있다. 가열 기구(71)에는, 예컨대 알루미늄으로 이루어지는 히터가 이용된다.
도 4에 도시하는 것과 같이 제1 유지부(50)의 상면에는, 상기 제1 유지부(50)를 지지하는 지지판(80)이 설치되어 있다. 지지판(80)은 처리 용기(40)의 천장면에 지지되어 있다. 본 실시형태의 지지판(80)을 생략하고, 제1 유지부(50)가 처리 용기(40)의 천장면에 접촉하여 지지되더라도 좋다.
제3 유지부(52)의 아래쪽에는, 제3 유지부(52) 및 지지 웨이퍼(S)를 연직 방향 및 수평 방향으로 이동시키는 이동 기구(90)가 설치되어 있다. 이동 기구(90)는, 제3 유지부(52)를 유지하고, 또한 제3 유지부(52)의 외주부만을 연직 방향으로 이동시키는 제1 연직 이동부(91)와, 제1 연직 이동부(91)를 유지하고, 또한 제1 연직 이동부(91)와 제3 유지부(52)를 연직 방향으로 이동시키는 제2 연직 이동부(92)와, 제1 연직 이동부(91), 제2 연직 이동부(92) 및 제3 유지부(52)를 수평 방향으로 이동시키는 수평 이동부(93)를 갖고 있다. 제1 연직 이동부(91), 제2 연직 이동부(92), 수평 이동부(93)는, 연직 방향으로 위에서부터 이 순서로 배치되어 있다.
제1 연직 이동부(91)는, 제3 유지부(52)의 외주부를 원환형으로 연직 방향으로 이동시키는 복수, 예컨대 6개의 실린더(100)와, 제3 유지부(52)의 중앙부를 지지하는 지지 기둥(101)과, 실린더(100)와 지지 기둥(101)을 지지하는 지지판(102)을 갖고 있다. 도 7에 도시하는 것과 같이, 6개의 실린더(100)는 지지판(102)과 동일 원주 상에 등간격으로 배치되어 있다. 또한, 이들 실린더(100)는, 제3 유지부(52)의 외주부에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 지지 기둥(101)은, 지지판(102)의 중앙부이며, 제3 유지부(52)의 중앙부에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 즉, 실린더(100)에 의해서 제3 유지부(52)의 외주부가 연직 아래쪽으로 이동할 때, 상기 제3 유지부(52)의 중앙부의 연직 방향의 위치가 변화되지 않도록, 지지 기둥(101)이 배치되어 있다.
제2 연직 이동부(92)는, 도 4에 도시하는 것과 같이, 지지판(102)을 승강시키는 구동부(110)와, 지지판(102)을 지지하는 지지 부재(111)를 갖고 있다. 구동부(110)는, 예컨대 볼나사(도시하지 않음)와 이 볼나사를 회동시키는 모터(도시하지 않음)를 갖고 있다. 또한, 지지 부재(111)는, 연직 방향으로 신축이 자유롭게 구성되어, 지지판(102)과 수평 이동부(93) 사이에, 예컨대 3곳에 설치된다.
수평 이동부(93)는, 예컨대 볼나사(도시하지 않음)와 이 볼나사를 회동시키는 모터(도시하지 않음)를 가지고, 제1 연직 이동부(91), 제2 연직 이동부(92) 및 제3 유지부(52)를 수평 방향으로 이동시킬 수 있다.
제3 유지부(52)의 아래쪽에는, 중합 웨이퍼(T) 또는 지지 웨이퍼(S)를 아래쪽에서 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 승강 핀은, 제3 유지부(52)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 삽입 관통하여, 제3 유지부(52)의 상면으로부터 돌출될 수 있게 되어 있다.
이어서, 상술한 세정 장치(13)의 구성에 관해서 설명한다. 세정 장치(13)는 도 8에 도시하는 것과 같이 처리 용기(120)를 갖고 있다. 처리 용기(120)의 측면에는 피처리 웨이퍼(W)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입출구에는, 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 한편, 처리 용기(120) 내에는, 내부의 분위기를 청정화하기 위한 필터(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
처리 용기(120) 내의 중앙부에는 회전 유지부로서의 웨이퍼 유지부(130)가 설치되어 있다. 웨이퍼 유지부(130)는, 도 9에 도시하는 것과 같이 다이싱 테이프(P)를 통해 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(131)과, 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)을 흡착 유지하는 흡착 패드(132)를 갖고 있다.
스핀 척(131)은 수평인 상면을 갖고, 이 상면에는, 예컨대 다이싱 테이프(P)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 또한 스핀 척(131)은 적어도 피처리 웨이퍼(W)를 덮도록 설치되어 있다. 그리고 흡인구로부터의 흡인에 의해, 다이싱 테이프(P)를 통해 피처리 웨이퍼(W)를 스핀 척(131) 상에 흡착 유지할 수 있다. 또한 피처리 웨이퍼(W)는, 그 접합면(WJ)이 위쪽을 향하도록 스핀 척(131)에 흡착 유지된다.
흡착 패드(132)는 스핀 척(131)의 외주부 상에 설치되어 있다. 즉, 흡착 패드(132)는 다이싱 테이프(P)의 외측에 배치되어 있다. 또한, 흡착 패드(132)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)가 접속되어, 흡착 패드(132)는 다이싱 테이프(P)의 외측에서 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)을 흡착 유지할 수 있다. 한편, 도 10에 도시하는 것과 같이, 흡착 패드(132)는 여러 곳, 예컨대 8곳에 설치된다.
여기서, 상술한 것과 같이 다이싱 프레임(F)의 외주부에는, 도 9에 도시하는 것과 같이 다이싱 테이프(P)와의 사이에 단차(B)가 존재하고 있다. 이 때문에, 스핀 척(131)으로 다이싱 프레임(F)을 흡착 유지하고자 하면, 상기 스핀 척(131)과 다이싱 프레임(F) 사이에 단차(B)에 의한 간극이 생긴다. 즉, 스핀 척(131)은 다이싱 프레임(F)을 직접 흡착 유지할 수 없다. 이러한 경우, 다이싱 프레임(F)이 고정되지 않기 때문에, 스핀 척(131)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)를 적절히 유지하지 못한다. 이 점에서, 본 실시형태에서는, 흡착 패드(132)에 의해서 다이싱 프레임(F)이 흡착 유지되기 때문에, 웨이퍼 유지부(130)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)도 적절히 유지된다.
웨이퍼 유지부(130)의 아래쪽에는, 도 8에 도시하는 것과 같이, 예컨대 모터 등을 구비한 회전 기구로서의 척 구동부(133)가 설치되어 있다. 스핀 척(131)은 척 구동부(133)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(133)에는, 예컨대 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(131)은 승강이 자유롭게 되어 있다.
웨이퍼 유지부(130)의 주위에는, 피처리 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어, 회수하는 컵(134)이 설치되어 있다. 컵(134)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(135)과, 컵(134) 안의 분위기를 진공 상태로 하여 배기하는 배기관(136)이 접속되어 있다.
웨이퍼 유지부(130)의 위쪽에는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하기 위한 세정 지그(140)가 설치되어 있다. 세정 지그(140)는, 웨이퍼 유지부(130)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)에 대향하여 배치되어 있다.
세정 지그(140)는 도 9 및 도 11에 도시하는 것과 같이 대략 원판 형상을 갖고 있다. 세정 지그(140)의 하면에는, 적어도 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 덮 도록 공급면(141)이 형성되어 있다. 한편, 본 실시형태에서는, 공급면(141)과 접합면(WJ)은 거의 동일한 크기이다.
세정 지그(140)의 중앙부에는, 도 9에 도시하는 것과 같이 공급면(141)과 접합면(WJ) 사이의 간극(142)에 대하여, 접착제(G)의 용제(유기 용제), 용제의 린스액 및 불활성 가스를 공급하는 기액 공급부(150)가 설치되어 있다. 기액 공급부(150)는 세정 지그(140)의 두께 방향으로 관통하고 있다. 한편, 기액 공급부(150)는 세정액인 용제와 린스액을 공급하는 세정액 공급부로서 기능하는데, 본 실시형태의 기액 공급부(150)는 불활성 가스도 공급하기 때문에, 기액 공급부라고 부르고 있다.
기액 공급부(150)에는 공급관(151)이 접속되어 있다. 공급관(151)에는, 접착제(G)의 용제, 용제의 린스액, 불활성 가스의 흐름을 전환하는 밸브(152)가 설치되어 있다. 밸브(152)에는, 내부에 용제를 저류하는 용제 공급원(153)에 연통하는 공급관(154), 내부에 린스액을 저류하는 린스액 공급원(155)에 연통하는 공급관(156), 내부에 불활성 가스를 저류하는 불활성 가스 공급원(157)에 연통하는 공급관(158)이 접속되어 있다. 각 공급관(154, 156, 158)에는 각각 용제, 린스액, 불활성 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(159, 160, 161)이 설치되어 있다. 접착제(G)의 용제에는, 예컨대 신나가 이용된다. 린스액에는 접착제(G)의 주용매 성분에 따라서 여러 가지 액이 이용되며, 예컨대 순수나 IPA(이소프로필알코올)이 이용된다. 또한, 린스액의 건조를 촉진시키기 위해서, 린스액에는 휘발성이 높은 액을 이용하는 것이 바람직하다. 불활성 가스에는, 예컨대 질소 가스가 이용된다.
세정 지그(140)의 외주부에는, 간극(142)에 공급된 용제나 린스액(후술하는 혼합액)인 세정액을 흡인하는, 세정액 흡인부로서의 흡인부(170)가 형성되어 있다. 흡인부(170)는 세정 지그(140)의 두께 방향으로 관통하여 형성된다. 또한 흡인부(170)는, 도 11에 도시하는 것과 같이 세정 지그(140)의 외주부를 따라서 환형으로 형성되어 있다. 흡인부(170)에는, 도 9에 도시하는 것과 같이, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(171)에 연통하는 흡기관(172)이 접속되어 있다.
세정 지그(140)의 외연부(外緣部), 즉 흡인부(170)의 외측에는 단부(A)에 기체를 공급하는 기체 공급부(180)가 설치되어 있다. 기체 공급부(180)는 세정 지그(140)의 두께 방향으로 관통하여 설치된다. 또한 기체 공급부(180)는, 도 11에 도시하는 것과 같이 세정 지그(140)의 외연부에 복수, 예컨대 2곳에 배치되어 있다. 기체 공급부(180)에는, 도 9에 도시하는 것과 같이 내부에 기체, 예컨대 건조 공기나 불활성 가스를 저류하는 기체 공급원(181)에 연통하는 공급관(182)이 접속되어 있다. 공급관(182)에는, 기체의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(183)이 설치되어 있다.
세정 지그(140)는 도 12에 도시하는 것과 같이 Y 방향으로 연신하는 지지 부재(190)에 지지되어 있다. 지지 부재(190)의 양단부에는, 이 지지 부재(190)를 연직 방향으로 승강시키는 승강 기구(191, 191)가 설치되어 있다. 승강 기구(191)에는, 예컨대 실린더 등이 이용된다. 또한, 승강 기구(191)는 도 10에 도시하는 것과 같이, 컵(134)의 외측에 배치되어 있다.
도 8에 도시하는 것과 같이 웨이퍼 유지부(130)의 위쪽에는, 상술한 세정 지그(140)에 더하여, 반송 장치(14)로부터 웨이퍼 유지부(130)에 피처리 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 아암(200)이 설치되어 있다. 전달 아암(200)은 도 13 및 도 14에 도시하는 것과 같이, 다이싱 프레임(F)의 외주부를 유지할 수 있도록 원환 형상을 갖고 있다. 전달 아암(200)의 하면에는, 프레임 유지부(201)가 여러 곳, 예컨대 4곳에 형성되어 있다. 프레임 유지부(201)에는, 예컨대 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)가 접속되어, 프레임 유지부(201)가 피처리 웨이퍼(W)가 부착된 다이싱 프레임(F)을 흡착 유지할 수 있다.
전달 아암(200)은 Y 방향으로 연신하는 지지 부재(202)에 지지되어 있다. 지지 부재(202)의 양단부에는, 상기 지지 부재(202)를 연직 방향으로 승강시키는 승강 기구(203, 203)가 설치되어 있다. 승강 기구(203)에는, 예컨대 실린더 등이 이용된다. 또한, 승강 기구(203)는 승강 기구(191)의 X 방향 마이너스 방향 측에 배치되어 있다.
이어서, 상술한 반송 장치(14)의 구성에 관해서 설명한다. 반송 장치(14)는, 도 15에 도시하는 것과 같이 중합 웨이퍼(T) 또는 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 제1 반송 아암(210)과, 지지 웨이퍼(S)를 유지하여 반송하는 제2 반송 아암(211)을 갖고 있다. 제1 반송 아암(210)에 의해 반송되는 중합 웨이퍼(T)와 피처리 웨이퍼(W)는 각각 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
제1 반송 아암(210)은, 도 16에 도시하는 것과 같이 선단이 2개의 선단부(212a, 212a)로 분기된 아암부(212)와, 이 아암부(212)와 일체로 형성되고, 또한 아암부(212)를 지지하는 지지부(213)를 갖고 있다. 아암부(212)의 각 선단부(212a)에는, 다이싱 프레임(F) 또는 다이싱 테이프(P)를 통해 중합 웨이퍼(T) 또는 피처리 웨이퍼(W)를 흡착하여 유지하는 흡착 패드(214)가 설치되어 있다. 제1 반송 아암(210)은 상기 아암부(212) 상에 중합 웨이퍼(T) 또는 피처리 웨이퍼(W)를 수평으로 유지할 수 있다.
제2 반송 아암(211)은 도 17에 도시하는 것과 같이 지지 웨이퍼(S)보다도 큰 직경의 대략 3/4 원환형으로 구성된 아암부(215)와, 이 아암부(215)와 일체로 형성되고, 또한 아암부(215)를 지지하는 지지부(216)를 갖고 있다. 아암부(215)에는, 내측을 향하여 돌출되어, 지지 웨이퍼(S)의 코너부를 유지하는 유지부(217)가, 예컨대 4곳에 형성되어 있다. 제2 반송 아암(211)은 이 유지부(217) 상에 지지 웨이퍼(S)를 수평으로 유지할 수 있다.
반송 아암(210, 211)의 기단부에는, 도 15에 도시하는 것과 같이 아암 구동부(218)가 설치되어 있다. 이 아암 구동부(218)에 의해, 각 반송 아암(210, 211)은 독립적으로 수평 방향으로 이동할 수 있다. 이들 반송 아암(210, 211)과 아암 구동부(218)는 베이스(219)에 지지되어 있다. 베이스(219)의 하면에는 샤프트(220)를 통해 회전 구동부(221)가 설치되어 있다. 이 회전 구동부(221)에 의해, 베이스(219) 및 반송 아암(210, 211)은 샤프트(220)를 중심축으로 하여 회전할 수 있고, 또 승강할 수 있다.
이상의 박리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 것과 같이 제어부(250)가 설치되어 있다. 제어부(250)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 박리 시스템(1)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 박리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 박리 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 한편, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(250)에 인스톨된 것이라도 좋다.
이어서, 이상과 같이 구성된 박리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리 방법에 관해서 설명한다.
우선, 여러 장의 중합 웨이퍼(T)를 수용한 카세트(CT)와 빈 카세트(CW)가, 제1 반입출 스테이션(10)의 소정의 카세트 배치판(21)에 배치된다. 또한 빈 카세트(CS)가 제2 반입출 스테이션(11)의 소정의 카세트 배치판(31)에 배치된다. 그 후, 반송 장치(14)의 제1 반송 아암(210)에 의해 카세트(CT) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 박리 장치(12)로 반송된다. 이 때, 중합 웨이퍼(T)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되고, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태로 반송된다.
박리 장치(12)에 반입된 중합 웨이퍼(T)는 제3 유지부(52)에 흡착 유지된다. 그 후, 도 18에 도시하는 것과 같이 이동 기구(90)의 제2 연직 이동부(92)에 의해 제3 유지부(52)를 상승시켜, 제1 유지부(50)와 제3 유지부(52)로 중합 웨이퍼(T)를 끼워 유지한다. 이 때, 제1 유지부(50)에 의해 다이싱 테이프(P)를 통해 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)이 흡착 유지되고, 제2 유지부(51)에 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)이 흡착 유지되고, 또한 제3 유지부(52)에 지지 웨이퍼(S)의 비접합면(SN)이 흡착 유지된다.
그 후, 가열 기구(61, 71)에 의해서 중합 웨이퍼(T)가 소정의 온도, 예컨대 200℃로 가열된다. 그러면, 중합 웨이퍼(T) 속의 접착제(G)가 연화된다.
이어서, 가열 기구(61, 71)에 의해서 중합 웨이퍼(T)를 가열하여 접착제(G)의 연화 상태를 유지하면서, 도 19에 도시하는 것과 같이 이동 기구(90)의 제1 연직 이동부(91)에 의해서 제3 유지부(52)의 외주부만을 원환형으로 연직 아래쪽으로 이동시킨다. 즉, 실린더(100)에 의해서 제3 유지부(52)의 외주부가 연직 아래쪽으로 이동할 때, 제3 유지부(52)의 중앙부가 지지 기둥(101)에 지지되어, 상기 제3 유지부(52)의 중앙부의 연직 방향의 위치는 변화되지 않는다.
이러한 경우, 제3 유지부(52)에 유지된 지지 웨이퍼(S)가, 그 외주부로부터 중심부로 향하여 제1 유지부(50) 및 제2 유지부(51)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)로부터 연속적으로 박리된다. 여기서, 상술한 것과 같이 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에는 전자 회로가 형성되어 있기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 한번에 박리하고자 하면, 접합면(WJ, SJ)에 많은 하중이 걸려, 접합면(WJ) 상의 전자 회로가 손상을 입을 우려가 있다. 이 점에서, 본 실시형태에서는, 외주부로부터 중심부로 향해서 지지 웨이퍼(S)가 피처리 웨이퍼(W)로부터 연속적으로 박리되기 때문에, 접합면(WJ, SJ)에 큰 하중이 걸리지 않는다. 따라서, 전자 회로의 손상을 억제할 수 있다.
그 후, 피처리 웨이퍼(W)의 중심부와 지지 웨이퍼(S)의 중심부만이 접착된 상태에서, 도 20에 도시하는 것과 같이 제2 연직 이동부(92)에 의해서 제3 유지부(52) 전체를 연직 아래쪽으로 이동시킨다. 그리고, 지지 웨이퍼(S)의 외주부가 연직 아래쪽으로 휜 상태에서, 지지 웨이퍼(S)가 피처리 웨이퍼(W)로부터 박리된다. 그 후, 도 21에 도시하는 것과 같이 제1 연직 이동부(91)에 의해서 제3 유지부(52)와 지지 웨이퍼(S)의 외주부가 연직 위쪽으로 이동되어, 상기 제3 유지부(52)와 지지 웨이퍼(S)가 평탄화된다. 이렇게 해서, 제1 유지부(50) 및 제2 유지부(51)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)와, 제3 유지부(52)에 유지된 지지 웨이퍼(S)가 박리된다.
그 후, 박리 장치(12)에 의해 박리된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 장치(14)의 제1 반송 아암(210)에 의해서 반전 장치(32)에 반송되어, 이 반전 장치(32)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)의 표리면이 반전된다. 즉, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 위쪽으로 향하게 된다. 그 후, 피처리 웨이퍼(W)는 반송 장치(14)의 제1 반송 아암(210)에 의해서 세정 장치(13)로 반송된다. 한편, 박리 장치(12)로부터 반출되어 세정 장치(13)에 반입되는 피처리 웨이퍼(W)는, 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
한편, 박리 장치(12)에 의해 박리된 지지 웨이퍼(S)는, 반송 장치(14)의 제2 반송 아암(211)에 의해서 제2 반입출 스테이션(11)의 카세트(CS)로 반송된다. 그 후, 지지 웨이퍼(S)는 제2 반입출 스테이션(11)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 지지 웨이퍼(S)가 제2 반입출 스테이션(11)에 반송되는 타이밍은 임의로 설정할 수 있다. 지지 웨이퍼(S)의 반송은, 예컨대 피처리 웨이퍼(W)를 반전 장치(32)에 반송하기 전이라도 좋고, 반전 장치(32)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)의 표리면의 반전 중이라도 좋고, 피처리 웨이퍼(W)를 세정 장치(13)에 반송한 후라도 좋다.
세정 장치(13)에 반입된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 장치(14)의 제1 반송 아암(210)으로부터 전달 아암(200)으로 전달된다. 이어서, 전달 아암(200)에 의해서, 피처리 웨이퍼(W)는 웨이퍼 유지부(130)로 전달되어 유지된다. 구체적으로는, 피처리 웨이퍼(W)는 다이싱 테이프(P)를 통해 스핀 척(131)에 흡착 유지된다. 동시에, 다이싱 프레임(F)의 표면(FS)은 흡착 패드(132)에 흡착 유지된다. 계속해서, 도 22의 (a)에 도시하는 것과 같이, 승강 기구(191)에 의해서 세정 지그(140)를 소정의 위치까지 하강시킨다. 이 때, 세정 지그(140)의 공급면(141)과 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 대향하도록 세정 지그(140)가 배치된다. 또한, 공급면(141)과 접합면(WJ) 사이의 소정의 거리(Q)는, 후술하는 것과 같이 공급면(141)과 접합면(WJ) 사이의 간극(142)에 있어서, 접착제(G)의 용제가 표면 장력에 의해서 확산될 수 있는 거리로 하는 것이 바람직하다.
그 후, 스핀 척(131)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 도 22의 (b)에 도시하는 것과 같이 용제 공급원(153)으로부터 기액 공급부(150)에 용제(L)를 공급한다. 이 때의 피처리 웨이퍼(W)의 회전수는 저속인 50 rpm이다. 용제(L)는, 기액 공급부(150)로부터 공급면(141)과 접합면(WJ) 사이의 간극(142)에 공급되어, 이 간극(142)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력에 의해, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 위에서 확산된다. 발명자들이 예의 검토한 결과, 저속인 50 rpm으로 회전시키더라도, 용제(L)가 접합면(WJ) 위에서 충분히 확산되는 것을 알 수 있었다. 이렇게 해서, 도 22의 (c)에 도시하는 것과 같이, 간극(142)에 있어서 용제(L)가 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)의 전체면에 공급된다.
한편, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)과의 사이가 상술한 것과 같이 소정의 거리(Q)로 유지되어 있으면, 간극(142)에 있어서 용제(L)는 이 용제(L)의 표면 장력에 의해서도 접합면(WJ) 위에서 확산된다. 이러한 경우, 용제(L)에 원심력과 표면 장력의 2개의 외력이 걸리기 때문에, 용제(L)를 보다 원활하게 확산시킬 수 있다.
이와 같이 용제(L)를 접합면(WJ) 상에서 확산시킬 때, 피처리 웨이퍼(W)의 회전수는 저속인 50 rpm이기 때문에, 용제(L)가 단부(A)로 유입되는 것이 억제된다. 더구나, 이와 같이 기액 공급부(150)로부터 간극(142)에 용제(L)를 공급하여 접합면(WJ) 위에서 확산시킬 때, 흡인부(170)에 의해서 용제(L)를 흡인하고, 기체 공급부(180)로부터 단부(A)로 기체를 공급한다. 그러면, 용제(L)가 단부(A)에 유입되는 것이 더욱 억제된다. 이 때문에, 단부(A)에 있어서의 다이싱 테이프(P)가 손상을 입는 것을 억제할 수 있다.
그 후, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 용제(L)에 적신 상태를 소정 시간, 예컨대 수분간 유지한다. 그러면, 접합면(WJ)에 잔존하고 있었던 접착제(G) 등의 불순물이 용제(L)에 의해서 제거된다.
그 후, 불활성 가스 공급원(157)으로부터 기액 공급부(150)에 불활성 가스를 공급한다. 이 불활성 가스에 의해서 기액 공급부(150) 내의 용제(L)가 배출된다.
그 후, 스핀 척(131)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 계속해서 행한 상태에서, 도 22의 (d)에 도시하는 것과 같이 세정 지그(140)를 소정 위치, 즉 간극(142)에 린스액(R)를 공급할 수 있는 위치까지 상승시킨다. 계속해서, 린스액 공급원(155)으로부터 기액 공급부(150)에 린스액(R)를 공급한다. 린스액(R)은, 기액 공급부(150)로부터 간극(142)에 공급되어 용제(L)와 혼합되면서, 상기 간극(142)에 있어서 원심력(및 표면 장력)에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 위에서 확산된다. 이렇게 해서, 도 22의 (e)에 도시하는 것과 같이, 간극(142)에 있어서 용제(L)와 린스액(R)의 혼합액(C)이 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)의 전체면에 공급된다.
이와 같이 기액 공급부(150)로부터 간극(142)에 린스액(R)을 공급하여 접합면(WJ) 위를 확산시킬 때에도, 흡인부(170)에 의해서 혼합액(C)(린스액(R)과 용제(L))의 흡인을 행하고, 기체 공급부(180)로부터 단부(A)로의 기체 공급을 행한다. 그러면, 혼합액(C)이 단부(A)에 유입되는 것이 억제된다.
그 후, 스핀 척(131)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 계속해서 행한 상태에서, 도 22의 (f)에 도시하는 것과 같이 세정 지그(140)를 소정 위치까지 하강시킨다. 그리고, 불활성 가스 공급원(157)으로부터 기액 공급부(150)를 통해 간극(142)에 불활성 가스가 공급된다. 이 불활성 가스에 의해서, 간극(142)에 충전되어 있던 혼합액(C)은 피처리 웨이퍼(W)의 외주부 측으로 흘러가게 되어, 흡인부(170)로부터 흡인된다. 이렇게 해서 간극(142)의 혼합액(C)이 제거된다.
상술한 것과 같이 간극(142)에 불활성 가스를 공급할 때에 세정 지그(140)를 하강시키는 것은, 간극(142)의 연직 방향의 거리를 작게 하여 불활성 가스의 유속을 빨리 하기 위해서이다. 이에 따라, 간극(142)의 혼합액(C)을 신속하게 제거할 수 있다.
간극(142)의 혼합액(C)이 제거된 후에도, 스핀 척(131)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 회전과, 간극(142)에의 불활성 가스의 공급을 계속해서 행한다. 그리고, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 건조된다. 이렇게 해서, 세정 장치(13)에서 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 세정된다.
그 후, 세정 장치(13)에서 세정된 피처리 웨이퍼(W)는, 반송 장치(14)의 제1 반송 아암(210)에 의해서 제1 반입출 스테이션(10)의 카세트(CW)로 반송된다. 그 후, 피처리 웨이퍼(W)는 제1 반입출 스테이션(10)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이렇게 해서, 박리 시스템(1)에 있어서의 일련의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리가 종료된다.
이상의 실시형태에 따르면, 기액 공급부(150)로부터 공급면(141)과 접합면(WJ) 사이의 간극(142)에 용제(L)를 공급하고, 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 공급된 용제(L)를 접합면(WJ) 상에 확산시킨다. 그러면, 이 용제(L)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정할 수 있다. 이 때, 피처리 웨이퍼(W)의 회전수는 저속인 50 rpm이기 때문에, 용제(L)가 단부(A)로 유입되는 것이 억제된다. 더구나, 이와 같이 기액 공급부(150)로부터 간극(142)에 용제(L)를 공급하여 접합면(WJ) 위에서 확산시킬 때, 흡인부(170)에 의해서 용제(L)를 흡인하고, 기체 공급부(180)로부터 단부(A)에 기체를 공급한다. 그러면, 용제(L)가 단부(A)에 유입되는 것이 더욱 억제된다. 따라서, 단부(A)에 있어서의 다이싱 테이프(P)의 손상을 억제하면서, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 적절하게 세정할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 용제(L)는 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 이외로 확산되지 않기 때문에, 상기 용제(L)의 공급량도 소량으로 억제할 수 있어, 용제(L)의 비용을 저렴화할 수도 있다.
여기서, 단부(A)에 일단 용제(L)가 유입되면, 용제(L)는 단부(A)로부터 유출되기 어렵게 된다. 이 때문에, 단부(A)는 건조되기 어려워, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하는 데 시간이 걸린다. 이 점에서, 본 실시형태에서는, 단부(A)에 용제(L)가 유입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 접합면(WJ)의 세정을 신속하게 행할 수 있다.
또한, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정할 때, 간극(142)에 용제(L)를 공급한 후, 상기 간극(142)에 린스액(R)을 공급하기 때문에, 상기 린스액(R)에 의해서 접합면(WJ) 상의 접착제(G)를 제거할 수 있어, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 보다 적절하게 세정할 수 있다.
더욱이, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정할 때, 간극(142)에 린스액(R)을 공급한 후, 상기 간극(142)에 불활성 가스를 공급하기 때문에, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 적절하게 건조시킬 수 있다.
이상의 실시형태에 있어서, 흡인부(170)에 의한 용제(L)와 혼합액(C)의 흡인은, 피처리 웨이퍼(W)의 회전이 정지된 상태에서 행해지더라도 좋다. 구체적으로는, 도 22의 (b)에 도시하는 것과 같이, 피처리 웨이퍼(W)를 50 rpm의 회전수로 회전시키면서, 접합면(WJ) 상에 용제(L)를 확산시킨다. 그리고, 도 22의 (c)에 도시하는 것과 같이 용제(L)가 접합면(WJ)의 전체면으로 확산되면, 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 정지하여, 흡인부(170)로부터 용제(L)를 흡인한다. 이러한 경우, 피처리 웨이퍼(W)의 회전이 정지되어 있기 때문에, 용제(L)가 이 이상 확산되는 일이 없다. 따라서, 흡인부(170)에 의해서 용제(L)를 효율적으로 흡인할 수 있어, 용제(L)가 단부(A)로 유입되는 것을 더욱 억제할 수 있다. 한편, 흡인부(170)에 의해서 혼합액(C)을 흡인하는 경우도, 상기 용제(L)의 흡인과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
이상의 실시형태의 세정 지그(140)의 공급면(141)에는, 도 23에 도시하는 것과 같이 홈부(300)가 형성되어 있더라도 좋다. 홈부(300)는, 흡인부(170)의 내측이며, 공급면(141)과 동심원형으로 복수, 예컨대 3곳에 형성되어 있다. 이러한 경우, 간극(142)에 있어서 용제(L)를 확산시킬 때, 용제(L)는 홈부(300) 사이마다 접합면(WJ) 위를 확산한다. 구체적으로는, 기액 공급부(150)로부터 간극(142)에 공급된 용제(L)는, 가장 내측의 홈부(300a)까지 확산된다. 그리고, 홈부(300a)의 내측이 용제(L)로 충전된다. 이어서, 용제(L)는, 다음 홈부(300b)까지 확산되고, 또한 가장 외측의 홈부(300c)까지 순차 확산된다. 이와 같이 용제(L)가 홈부(300)마다 확산되기 때문에, 접합면(WJ) 상에서 용제(L)를 균일하고 또한 원활하게 확산시킬 수 있다. 마찬가지로, 린스액(R)에 대해서도, 홈부(300) 사이마다 접합면(WJ) 위에서 확산되어, 그 접합면(WJ) 위를 균일하고 또 원활하게 확산한다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 보다 적절하게 세정할 수 있다.
이상의 실시형태에서는, 용제(L)나 린스액(R)을 접합면(WJ) 상에서 확산시킬 때, 피처리 웨이퍼(W)를 저속인 50 rpm의 회전수로 회전시키고 있었지만, 상기 피처리 웨이퍼(W)를 고속인 1000 rpm∼2000 rpm의 회전수로 회전시키더라도 좋다. 발명자들이 예의 검토한 결과, 이와 같이 고속인 1000 rpm∼2000 rpm으로 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면, 도 24에 도시하는 것과 같이 간극(142)에서 확산된 용제(L)는, 그 간극(142)의 외부로 비산되는 것을 알 수 있었다. 더구나 용제(L)는, 고속회전의 원심력에 의해서, 단부(A)로 유입되지 않고, 다이싱 프레임(F)의 외부로 비산된다. 마찬가지로, 간극(142)의 혼합액(C)에 대해서도, 고속 회전의 원심력에 의해서 단부(A)로 유입되지 않고, 다이싱 프레임(F)의 외부로 비산된다. 따라서, 단부(A)에 있어서의 다이싱 테이프(P)가 손상을 입는 것을 더욱 억제할 수 있다.
상술한 것과 같이 피처리 웨이퍼(W)를 고속 회전시키는 경우, 고속 회전력의 원심력에 의해서 단부(A)에 용제(L)가 유입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 상기 실시형태의 세정 지그(140)에 있어서 기체 공급부(180)를 생략하더라도 좋다. 이러한 경우, 세정 지그(140)와 피처리 웨이퍼(W)를 평면에서 보아 거의 동일한 크기로 하여도 좋다.
마찬가지로, 단부(A)에 용제(L)가 유입되는 것을 억제할 수 있기 때문에, 상기 실시형태의 세정 지그(140)에 있어서 흡인부(170)를 생략하더라도 좋다.
혹은 흡인부(170) 대신에, 도 25에 도시하는 것과 같이 세정 지그(140)에는, 간극(142)에 공급된 용제(L)나 혼합액(C)을 흡인하는 세정액 흡인부로서의 흡인부(310)가, 단부(A)의 외측에 마련되어 있더라도 좋다. 흡인부(310)는, 예컨대 세정 지그(140)의 외주부를 따라서 환형으로 형성된다. 이러한 경우, 간극(142)으로부터 외부로 비산된 용제(L)나 혼합액(C)은, 단부(A) 위를 통과하여 강제적으로 흡인부(310)에 흡인된다. 이 때문에, 용제(L)나 혼합액(C)이 단부(A)로 유입되는 것을 더욱 억제할 수 있다. 따라서, 단부(A)에 있어서의 다이싱 테이프(P)가 손상을 입는 것을 더욱 억제할 수 있다.
이상의 실시형태의 세정 지그(140)에는, 도 26에 도시하는 것과 같이 커버(320)가 설치되어 있더라도 좋다. 커버(320)는, 예컨대 세정 지그(140)의 외주부를 따라서 환형으로, 또한 단부(A)의 위쪽에 설치되어 있다. 또한, 커버(320)는 이동 기구(도시하지 않음)에 의해서 연직 방향으로 이동이 자유롭게 구성되고, 단부(A)에 대하여 진퇴가 자유롭게 구성되어 있다. 그리고, 커버(320)는 단부(A)의 다이싱 테이프(P)를 덮을 수 있다. 이러한 경우, 예컨대 간극(142)으로부터 유출된 용제(L)나 혼합액(C)이 단부(A)로 약간 유입되고자 하는 경우라도, 커버(320)에 의해서 용제(L)나 혼합액(C)이 단부(A)의 다이싱 테이프(P) 위로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 다이싱 테이프(P)가 손상을 입는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 이상의 실시형태의 다이싱 프레임(F)에는, 도 27에 도시하는 것과 같이 돌출부(330)가 마련되어 있더라도 좋다. 돌출부(330)는 단부(A) 내에 있어서 다이싱 프레임(F)의 외측면으로부터 내측으로 돌출되어 있다. 또한, 돌출부(330)는 다이싱 프레임(F)의 외주부를 따라서 환형으로 형성되어 있다. 그리고, 돌출부(330)는 단부(A)의 다이싱 테이프(P)를 덮을 수 있다. 이러한 경우, 예컨대 간극(142)으로부터 유출된 용제(L)나 혼합액(C)이 단부(A)로 약간 유입되고자 하는 경우라도, 돌출부(330)에 의해서 용제(L)나 혼합액(C)이 단부(A)의 다이싱 테이프(P) 위로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 상기 다이싱 테이프(P)가 손상을 입는 것을 더욱 억제할 수 있다.
상술한 커버(320)와 돌출부(330)는 단부(A)의 스페이스를 따라서 양쪽에 마련되어도 좋다. 또한, 도 26과 도 27에 있어서, 세정 지그(140)의 흡인부(170, 310) 및 기체 공급부(180)가 생략되어 도시되어 있지만, 필요에 따라서 이들을 설치하더라도 좋다.
이상의 실시형태의 세정 장치(13)에서는, 스핀 척(131)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키고 있었지만, 세정 지그(140)를 회전시키더라도 좋다. 이러한 경우, 세정 장치(13)에는 세정 지그(140)를 회전시키기 위한 회전 기구(도시하지 않음)가 설치된다. 혹은, 세정 지그(140)와 스핀 척(131)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)를 함께 회전시키더라도 좋다. 어느 경우라도, 세정 지그(140)와 피처리 웨이퍼(W)를 상대적으로 회전시킴으로써, 용제(L)나 혼합액(C)이 원심력에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ) 위를 확산할 수 있다.
이상의 실시형태의 세정 장치(13)에서는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하기 위해서 용제(L), 린스액(R), 불활성 가스를 이용하고 있었지만, 예컨대 용제(L)가 높은 휘발성을 갖는 경우에는, 린스액(R)과 불활성 가스를 생략할 수도 있다.
이상의 실시형태의 박리 장치(12)에서는, 제1 유지부(50)와 제3 유지부(52)의 내부에는 각각 가열 기구(61, 71)가 설치되어 있었지만, 이들 가열 기구(61, 71)를 생략하더라도 좋다. 이러한 경우, 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리할 때에, 중합 웨이퍼(T)는 가열되지 않고, 상온의 상태를 유지하고 있다. 이 경우라도, 상술한 것과 같이 지지 웨이퍼(S)를 피처리 웨이퍼(W)로부터 연속적으로 박리할 수 있다. 또한, 예컨대 접착제(G)의 종류에 따라서는 상기 접착제(G)를 연화시키는 데 가열이 필요 없는 것도 있으며, 이러한 경우에 본 실시형태는 특히 유용하다.
이상의 실시형태의 중합 웨이퍼(T)의 박리 처리는, 상기 박리 시스템(1)과 상이한 박리 시스템으로 행하더라도 좋다.
예컨대 도 28에 도시하는 것과 같이 박리 시스템(400)은, 외부와의 사이에서 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 각각 수용할 수 있는 카세트(CW, CS, CT)가 반입출되는 반입출 스테이션(410)과, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 갖춘 처리 스테이션(411)과, 처리 스테이션(411)에 인접하는 후처리 스테이션(412)과의 사이에서 피처리 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(413)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다. 한편, 본 실시형태에서도, 피처리 웨이퍼(W)와 중합 웨이퍼(T)는 각각 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
반입출 스테이션(410)과 처리 스테이션(411)은 X 방향(도 28에서 상하 방향)으로 나란히 늘어서 배치되어 있다. 이들 반입출 스테이션(410)과 처리 스테이션(411) 사이에는, 웨이퍼 반송 영역(414)이 형성되어 있다. 인터페이스 스테이션(413)은 처리 스테이션(411)의 Y 방향 마이너스 방향측(도 28에서 좌측 방향)에 배치되어 있다. 인터페이스 스테이션(413)의 X 방향 플러스 방향측(도 28에서 위쪽 방향)에는, 후처리 스테이션(412)에 전달되기 전의 피처리 웨이퍼(W)를 검사하는 검사 장치(415)가 배치되어 있다. 또한, 인터페이스 스테이션(413)을 사이에 두고서 검사 장치(415)의 반대쪽, 즉 인터페이스 스테이션(413)의 X 방향 마이너스 방향측(도 28에서 하측 방향)에는, 검사 후의 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 검사 후 세정 장치(416)가 배치되어 있다.
반입출 스테이션(410)에는 카세트 배치대(420)가 설치되어 있다. 카세트 배치대(420)에는 복수, 예컨대 3개의 카세트 배치판(421)이 설치되어 있다. 카세트 배치판(421)은 Y 방향(도 28에서 좌우 방향)으로 일렬로 늘어서 배치되어 있다. 이들 카세트 배치판(421)에는, 박리 시스템(400)의 외부에 대하여 카세트(CW, CS, CT)를 반입출할 때에, 카세트(CW, CS, CT)를 배치할 수 있다. 이와 같이 반입출 스테이션(410)은 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 보유할 수 있게 구성되어 있다. 한편, 카세트 배치판(421)의 개수는 본 실시형태에 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다. 또한, 반입출 스테이션(410)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행해져, 정상적인 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)로 판별되어 있다.
웨이퍼 반송 영역(414)에는 제1 반송 장치(430)가 배치되어 있다. 제1 반송 장치(430)는, 예컨대 연직 방향, 수평 방향(Y 방향, X 방향) 및 연직축 둘레로 이동이 자유로운 2개의 반송 아암을 갖고 있다. 이들 2개의 반송 아암은, 상기 실시형태에 있어서의 중합 웨이퍼(T) 또는 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 제1 반송 아암(210)과, 지지 웨이퍼(S)를 유지하여 반송하는 제2 반송 아암(211)과 각각 같은 구성을 갖고 있다. 제1 반송 장치(430)는, 웨이퍼 반송 영역(414) 안을 이동하여, 반입출 스테이션(410)과 처리 스테이션(411) 사이에서 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(411)은, 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리하는 박리 장치(12)를 갖고 있다. 박리 장치(12)의 Y 방향 마이너스 방향측(도 28에서 좌측 방향)에는, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정하는 제1 세정 장치(13)가 배치되어 있다. 박리 장치(12)와 제1 세정 장치(13) 사이에는 제2 반송 장치(440)가 설치되어 있다. 또한, 박리 장치(12)의 Y 방향 플러스 방향측(도 24에서 우측 방향)에는, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정하는 다른 세정 장치로서의 제2 세정 장치(441)가 배치되어 있다. 이와 같이 처리 스테이션(411)에는, 제1 세정 장치(13), 제2 반송 장치(440), 박리 장치(12), 제2 세정 장치(441)가 인터페이스 스테이션(413) 측에서부터 이 순서로 늘어서 배치되어 있다. 박리 장치(12)는 상기 실시형태의 박리 시스템(1)에 있어서의 박리 장치(12)와 같은 구성을 갖는다. 또한, 제1 세정 장치(13)도 박리 시스템(1)에 있어서의 세정 장치(13)와 같은 구성을 갖지만, 제2 세정 장치(441)와 구별하기 위해서 편의상 제1 세정 장치(13)라 부른다.
검사 장치(415)에서는, 박리 장치(12)에 의해 박리된 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)의 잔사 유무가 검사된다. 또한, 검사 후 세정 장치(416)에서는, 검사 장치(415)에서 접착제(G)의 잔사가 확인된 피처리 웨이퍼(W)의 세정이 이루어진다. 이 검사 후 세정 장치(416)는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)을 세정하는 접합면 세정부(416a), 피처리 웨이퍼(W)의 비접합면(WN)을 세정하는 비접합면 세정부(416b), 피처리 웨이퍼(W)를 상하 반전시키는 반전부(416c)를 갖고 있다. 한편, 접합면 세정부(416a)와 비접합면 세정부(416b)는 제1 세정 장치(13)와 같은 구성을 갖는다.
인터페이스 스테이션(413)에는 Y 방향으로 연신되는 반송로(450) 위에서 이동이 자유로운 제3 반송 장치(451)가 설치되어 있다. 제3 반송 장치(451)는 연직 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동이 자유로우며, 처리 스테이션(411), 후처리 스테이션(412), 검사 장치(415) 및 검사 후 세정 장치(416)와의 사이에서 피처리 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
또, 후처리 스테이션(412)에서는, 처리 스테이션(411)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리를 행한다. 소정의 후처리로서는, 예컨대 피처리 웨이퍼(W) 상의 디바이스의 전기적 특성을 검사하는 처리 등이 행해진다.
이어서, 상술한 제2 반송 장치(440)의 구성에 관해서 설명한다. 제2 반송 장치(440)는, 도 29에 도시하는 것과 같이 피처리 웨이퍼(W)를 유지하여 반송하는 반송 아암(460)을 갖고 있다. 반송 아암(460)에 의해 반송되는 피처리 웨이퍼(W)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
반송 아암(460)은 도 30에 도시하는 것과 같이 선단이 2개의 선단부(460a, 460a)로 분기된 형상을 갖고 있다. 반송 아암(460)에는, 다이싱 프레임(F)(또는 다이싱 테이프(P))을 통해 피처리 웨이퍼(W)를 흡착하여 유지하는 흡착 패드(461)가 설치되어 있다. 이에 따라 반송 아암(460)은 상기 반송 아암(460) 상에 피처리 웨이퍼(W)를 수평으로 유지할 수 있다.
반송 아암(460)은 도 29에 도시하는 것과 같이 지지 아암(462)에 지지되어 있다. 지지 아암(462)은 제1 구동부(463)에 지지되어 있다. 이 제1 구동부(463)에 의해, 지지 아암(462)은 수평축 둘레로 회동이 자유로우며, 또한 수평 방향으로 신축할 수 있다. 제1 구동부(463)의 하측에는 제2 구동부(464)가 설치되어 있다. 이 제2 구동부(464)에 의해, 제1 구동부(463)는 연직축 둘레로 회전이 자유로우며, 또한 연직 방향으로 승강할 수 있다.
제3 반송 장치(451)는 상술한 제2 반송 장치(440)와 같은 구성을 갖고 있다. 단, 제3 반송 장치(451)의 제2 구동부(464)는 도 28에 도시한 반송로(450)에 부착되어, 제3 반송 장치(451)가 반송로(450) 위를 이동할 수 있게 되어 있다.
이어서, 상술한 제2 세정 장치(441)의 구성에 관해서 설명한다. 제2 세정 장치(441)는 도 31에 도시하는 것과 같이 처리 용기(470)를 갖고 있다. 처리 용기(470)의 측면에는 지지 웨이퍼(S)의 반입출구(도시하지 않음)가 형성되고, 이 반입출구에는 개폐 셔터(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
처리 용기(470) 내의 중앙부에는 지지 웨이퍼(S)를 유지하여 회전시키는 스핀 척(480)이 설치되어 있다. 스핀 척(480)은 수평인 상면을 갖고, 이 상면에는, 예컨대 지지 웨이퍼(S)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해 지지 웨이퍼(S)를 스핀 척(480) 상에 흡착 유지할 수 있다.
스핀 척(480)의 아래쪽에는, 예컨대 모터 등을 갖춘 척 구동부(481)가 설치되어 있다. 스핀 척(480)은 척 구동부(481)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(481)에는, 예컨대 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(480)은 승강이 자유롭게 되어 있다.
스핀 척(480)의 주위에는, 지지 웨이퍼(S)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아내어 회수하는 컵(482)이 설치되어 있다. 컵(482)의 하면에는, 회수한 액체를 배출하는 배출관(483)과, 컵(482) 안의 분위기를 진공 상태로 하여 배기하는 배기관(484)이 접속되어 있다.
도 32에 도시하는 것과 같이 컵(482)의 X 방향 마이너스 방향(도 32에서 아래쪽 방향) 측에는, Y 방향(도 32에서 좌우 방향)을 따라서 연신하는 레일(490)이 형성되어 있다. 레일(490)은, 예컨대 컵(482)의 Y 방향 마이너스 방향(도 32에서 좌측 방향) 측의 바깥쪽에서부터 Y 방향 플러스 방향(도 32에서 우측 방향) 측의 바깥쪽까지 형성되어 있다. 레일(490)에는 아암(491)이 부착되어 있다.
아암(491)에는, 도 31 및 도 32에 도시하는 것과 같이 지지 웨이퍼(S)에 세정액, 예컨대 접착제(G)의 용제(L)인 유기 용제를 공급하는 세정액 노즐(492)이 지지되어 있다. 아암(491)은, 도 32에 도시하는 노즐 구동부(493)에 의해, 레일(490) 위를 자유롭게 이동한다. 이에 따라, 세정액 노즐(492)은, 컵(482)의 Y 방향 플러스 방향 측의 바깥쪽에 설치된 대기부(494)로부터 컵(482) 안의 지지 웨이퍼(S)의 중심부 위쪽까지 이동할 수 있고, 더욱이 상기 지지 웨이퍼(S) 위를 지지 웨이퍼(S)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 아암(491)은 노즐 구동부(493)에 의해서 승강이 자유로우며, 세정액 노즐(492)의 높이를 조절할 수 있다.
세정액 노즐(492)에는, 예컨대 2 유체 노즐이 이용된다. 세정액 노즐(492)에는 도 31에 도시하는 것과 같이 상기 세정액 노즐(492)에 세정액을 공급하는 공급관(500)이 접속되어 있다. 공급관(500)은, 내부에 세정액을 저류하는 세정액 공급원(501)에 연통되어 있다. 공급관(500)에는 세정액의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(502)이 설치되어 있다. 또한, 세정액 노즐(492)에는, 상기 세정액 노즐(492)에 불활성 가스, 예컨대 질소 가스를 공급하는 공급관(503)이 접속되어 있다. 공급관(503)은 내부에 불활성 가스를 저류하는 불활성 가스 공급원(504)에 연통되어 있다. 공급관(503)에는, 불활성 가스의 흐름을 제어하는 밸브나 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(505)이 설치되어 있다. 그리고, 세정액과 불활성 가스는 세정액 노즐(492) 내에서 혼합되어, 상기 세정액 노즐(492)로부터 지지 웨이퍼(S)에 공급된다. 한편, 이하에서는, 세정액과 불활성 가스를 혼합한 것을 단순히 「세정액」이라고 하는 경우가 있다.
한편, 스핀 척(480)의 아래쪽에는, 지지 웨이퍼(S)를 아래쪽에서 지지하여 승강시키기 위한 승강 핀(도시하지 않음)이 설치되어 있더라도 좋다. 이러한 경우, 승강 핀은 스핀 척(480)에 형성된 관통 구멍(도시하지 않음)을 삽입 관통하여, 스핀 척(480)의 상면으로부터 돌출할 수 있게 되어 있다. 그리고, 스핀 척(480)을 승강시키는 대신에 승강 핀을 승강시켜, 스핀 척(480)과의 사이에서 지지 웨이퍼(S)를 주고받게 된다.
또한, 제2 세정 장치(441)에 있어서, 스핀 척(480)의 아래쪽에는 지지 웨이퍼(S)의 이면, 즉 비접합면(SN)을 향해서 세정액을 분사하는 백린스 노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있더라도 좋다. 이 백린스 노즐로부터 분사되는 세정액에 의해서 지지 웨이퍼(S)의 비접합면(SN)과 지지 웨이퍼(S)의 외주부가 세정된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 박리 시스템(400)을 이용하여 행해지는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리 방법에 관해서 설명한다.
우선, 복수매의 중합 웨이퍼(T)를 수용한 카세트(CT), 빈 카세트(CW) 및 빈 카세트(CS)가 반입출 스테이션(410)의 소정의 카세트 배치판(421)에 배치된다. 제1 반송 장치(430)에 의해 카세트(CT) 내의 중합 웨이퍼(T)가 취출되어, 처리 스테이션(411)의 박리 장치(12)로 반송된다. 이 때, 중합 웨이퍼(T)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되고, 피처리 웨이퍼(W)를 상측에 배치하고, 또한 지지 웨이퍼(S)를 하측에 배치한 상태로 반송된다.
박리 장치(12)에 반입된 중합 웨이퍼(T)는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리된다. 이 박리 장치(12)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 방법은, 상기 실시형태에서 설명한 방법과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
그 후, 박리 장치(12)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)는 제2 반송 장치(440)에 의해서 제1 세정 장치(13)로 반송된다. 여기서, 제2 반송 장치(440)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송 방법에 관해서 설명한다. 피처리 웨이퍼(W)는 다이싱 프레임(F)과 다이싱 테이프(P)에 유지되어 있다.
도 33에 도시하는 것과 같이 지지 아암(462)을 신장시켜, 반송 아암(460)을 제1 유지부(50)에 유지된 피처리 웨이퍼(W)의 아래쪽에 배치한다. 그 후, 반송 아암(460)을 상승시켜, 제1 유지부(50)에 있어서의 흡인관(60)으로부터의 피처리 웨이퍼(W)의 흡인을 정지한다. 그리고, 제1 유지부(50)로부터 반송 아암(460)으로 피처리 웨이퍼(W)가 전달된다.
이어서 도 34에 도시하는 것과 같이, 지지 아암(462)을 회동시켜 반송 아암(460)을 제1 세정 장치(13)의 웨이퍼 유지부(130)의 위쪽으로 이동시키고, 반송 아암(460)을 반전시켜 피처리 웨이퍼(W)를 아래쪽으로 향하게 한다. 이 때, 웨이퍼 유지부(130)를 컵(134)보다도 위쪽까지 상승시켜 대기시켜 놓는다. 그 후, 반송 아암(460)으로부터 웨이퍼 유지부(130)에 피처리 웨이퍼(W)가 전달되어 흡착 유지된다.
이와 같이 웨이퍼 유지부(130)에 피처리 웨이퍼(W)가 흡착 유지되면, 웨이퍼 유지부(130)를 소정의 위치까지 하강시킨다. 이어서, 세정 지그(140)에 의해서 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)이 세정된다. 이 제1 세정 장치(13)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)의 세정 방법은, 상기 실시형태에서 설명한 방법과 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
여기서, 상술한 것과 같이 반입출 스테이션(410)에 반입된 복수의 중합 웨이퍼(T)에는 미리 검사가 행해져, 정상적인 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)와, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)를 포함하는 중합 웨이퍼(T)로 판별되어 있다.
정상적인 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 정상적인 피처리 웨이퍼(W)는, 제1 세정 장치(13)에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 제3 반송 장치(451)에 의해서 검사 장치(415)로 반송된다. 한편, 이 제3 반송 장치(451)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송은, 상술한 제2 반송 장치(440)에 의한 피처리 웨이퍼(W)의 반송과 거의 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다.
검사 장치(415)에서는, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면(WJ)에 있어서의 접착제(G)의 잔사 유무가 검사된다. 검사 장치(415)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 제3 반송 장치(451)에 의해 검사 후 세정 장치(416)의 접합면 세정부(416a)로 반송되어, 접합면 세정부(416a)에서 접합면(WJ)이 세정된다. 접합면(WJ)이 세정되면, 피처리 웨이퍼(W)는 제3 반송 장치(451)에 의해서 반전부(416c)로 반송되어, 반전부(416c)에서 상하 방향으로 반전된다. 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 접합면 세정부(416a)로 반송되지 않고 반전부(416c)에서 반전된다.
그 후, 반전된 피처리 웨이퍼(W)는, 제3 반송 장치(451)에 의해 다시 검사 장치(415)로 반송되어, 비접합면(WN)의 검사가 이루어진다. 그리고, 비접합면(WN)에 있어서 접착제(G)의 잔사가 확인된 경우, 피처리 웨이퍼(W)는 제3 반송 장치(451)에 의해서 비접합면 세정부(416b)로 반송되어, 비접합면(WN)의 세정이 행해진다. 이어서, 세정된 피처리 웨이퍼(W)는 제3 반송 장치(451)에 의해서 후처리 스테이션(412)으로 반송된다. 검사 장치(415)에서 접착제(G)의 잔사가 확인되지 않은 경우에는, 피처리 웨이퍼(W)는 비접합면 세정부(416b)에 반송되지 않고서 그대로 후처리 스테이션(412)으로 반송된다.
그 후, 후처리 스테이션(412)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 소정의 후처리가 행해진다. 이렇게 해서 피처리 웨이퍼(W)가 제품화된다.
한편, 결함이 있는 중합 웨이퍼(T)로부터 박리된 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는, 제1 세정 장치(13)에서 접합면(WJ)이 세정된 후, 제1 반송 장치(430)에 의해서 반입출 스테이션(410)의 카세트(CW)로 반송된다. 그 후, 결함이 있는 피처리 웨이퍼(W)는 반입출 스테이션(410)으로부터 외부로 반출되어 회수된다.
박리 장치(12)에서 박리된 피처리 웨이퍼(W)에 상술한 처리가 행해지고 있는 사이, 상기 박리 장치(12)에서 박리된 지지 웨이퍼(S)는 제1 반송 장치(430)에 의해서 제2 세정 장치(441)로 반송된다.
제2 세정 장치(441)로 반입된 지지 웨이퍼(S)는 스핀 척(480)에 흡착 유지된다. 그 후, 스핀 척(480)을 소정 위치까지 하강시킨다. 이어서, 아암(491)에 의해서 대기부(494)의 세정액 노즐(492)을 지지 웨이퍼(S)의 중심부의 위쪽까지 이동시킨다. 그 후, 스핀 척(480)에 의해서 지지 웨이퍼(S)를 회전시키면서, 세정액 노즐(492)로부터 지지 웨이퍼(S)의 접합면(SJ)에 세정액을 공급한다. 공급된 세정액은 원심력에 의해 지지 웨이퍼(S)의 접합면(SJ)의 전체면으로 확산되어, 상기 지지 웨이퍼(S)의 접합면(SJ)이 세정된다.
그 후, 제2 세정 장치(441)에서 세정된 지지 웨이퍼(S)는, 제1 반송 장치(430)에 의해서 반입출 스테이션(410)의 카세트(CS)로 반송된다. 그 후, 지지 웨이퍼(S)는 반입출 스테이션(410)으로부터 외부로 반출되어 회수된다. 이렇게 해서, 박리 시스템(400)에 있어서의 일련의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리 처리가 종료된다.
이상의 실시형태의 박리 시스템(400)에 따르면, 박리 장치(12)에 있어서 중합 웨이퍼(T)를 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)로 박리한 후, 제1 세정 장치(13)에 있어서, 박리된 피처리 웨이퍼(W)를 세정하고, 제2 세정 장치(441)에 있어서, 박리된 지지 웨이퍼(S)를 세정할 수 있다. 이와 같이 본 실시형태에 따르면, 하나의 박리 시스템(400) 내에서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리에서부터 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정까지의 일련의 박리 처리를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 제1 세정 장치(13)와 제2 세정 장치(441)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)의 세정과 지지 웨이퍼(S)의 세정을 각각 병행하여 행할 수 있다. 더욱이, 박리 장치(12)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 박리하는 사이에, 제1 세정 장치(13)와 제2 세정 장치(441)에 있어서 다른 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 처리할 수도 있다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리를 효율적으로 행할 수 있어, 박리 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
또한, 이와 같이 일련의 프로세스에 있어서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 박리에서부터 피처리 웨이퍼(W)의 후처리까지 행할 수 있기 때문에, 웨이퍼 처리의 작업 처리량을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 이상의 실시형태에서는, 후처리 스테이션(412)에 있어서 피처리 웨이퍼(W)에 후처리를 행하여 제품화하는 경우에 관해서 설명했지만, 본 발명은, 예컨대 3차원 집적 기술에서 이용되는 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼로부터 박리하는 경우에도 적용할 수 있다. 3차원 집적 기술이란, 최근의 반도체 디바이스의 고집적화의 요구에 부응한 기술로서, 고집적화된 복수의 반도체 디바이스를 수평 면내에서 배치하는 대신에, 그 복수의 반도체 디바이스를 3차원으로 적층하는 기술이다. 이 3차원 집적 기술에 있어서도, 적층되는 피처리 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있어, 상기 피처리 웨이퍼를 지지 웨이퍼에 접합하여 소정의 처리가 행해진다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 관해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있음은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.
본 발명은 이 예에 한하지 않고 여러 가지 양태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판인 경우에도 적용할 수 있다.
1 : 박리 시스템 10 : 제1 반입출 스테이션
11 : 제2 반입출 스테이션 12 : 박리 장치
13 : 세정 장치(제1 세정 장치) 130 : 웨이퍼 유지부
131 : 스핀 척 140 : 세정 지그
141 : 공급면 142 : 간극
150 : 기액 공급부 170 : 흡인부
180 : 기체 공급부 250 : 제어부
300 : 홈부 310 : 흡인부
320 : 커버 330 : 돌출부
400 : 박리 시스템 410 : 반입출 스테이션
411 : 처리 스테이션 414 : 웨이퍼 반송 영역
430 : 제1 반송 장치 A : 단부
F : 다이싱 프레임 G : 접착제
L : 용제 P : 다이싱 테이프
R : 린스액 S : 지지 웨이퍼
T : 중합 웨이퍼 W : 피처리 웨이퍼

Claims (20)

  1. 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을 박리한 후, 박리된 피처리 기판이 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 상기 프레임의 표면과 피처리 기판의 비접합면에 접착된 테이프에 의해 유지된 상태에서, 상기 피처리 기판의 접합면을 세정하는 세정 장치로서,
    피처리 기판을 유지하여 회전시키는 회전 유지부와,
    피처리 기판의 접합면을 덮는 공급면을 구비한 세정 지그
    를 포함하고,
    상기 세정 지그에는, 상기 접합면과 상기 공급면 사이에 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
    상기 접합면과 상기 공급면 사이에 공급된 세정액을 흡인하는 세정액 흡인부
    가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공급면에는, 상기 공급면과 동심원형으로 복수의 홈부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정액 흡인부는, 상기 공급면의 외주부에서 그 외주부를 따라서 환형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 지그에는, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부(段部)에 대하여, 기체를 공급하는 기체 공급부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  5. 제3항에 있어서, 피처리 기판을 50 rpm의 회전수로 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정액 흡인부는, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부의 외측에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  7. 제6항에 있어서, 피처리 기판을 1000 rpm∼2000 rpm의 회전수로 회전시키도록 상기 회전 유지부를 제어하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정 지그에는, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부에 대하여 진퇴가 자유롭게 구성되며, 상기 단부의 테이프를 덮는 커버가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 프레임에는, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부에 돌출된 돌출부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 기재한 세정 장치를 구비한 박리 시스템으로서,
    중합 기판을 피처리 기판과 지지 기판으로 박리하는 박리 장치와, 상기 박리 장치로 박리된 피처리 기판을 세정하는 상기 세정 장치와, 상기 박리 장치로 박리된 지지 기판을 세정하는 다른 세정 장치를 구비한 처리 스테이션과,
    상기 처리 스테이션에 대하여, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반입출하는 반입출 스테이션과,
    상기 처리 스테이션과 상기 반입출 스테이션 사이에서, 피처리 기판, 지지 기판 또는 중합 기판을 반송하는 반송 장치
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 박리 시스템.
  11. 피처리 기판과 지지 기판이 접착제로 접합된 중합 기판을 박리한 후, 박리된 피처리 기판이 환형의 프레임의 내측에 배치되고, 상기 프레임의 표면과 피처리 기판의 비접합면에 접착된 테이프에 의해 유지된 상태에서, 상기 피처리 기판의 접합면을 세정하는 세정 방법으로서,
    피처리 기판의 접합면 상에 상기 접착제의 용제를 공급하기 위한 세정 지그의 공급면이 상기 접합면을 덮도록, 상기 세정 지그를 피처리 기판에 대향하여 배치하는 배치 공정과,
    그 후, 상기 공급면과 상기 접합면 사이에 세정액을 공급하고, 피처리 기판을 회전시키면서, 상기 공급된 세정액을 상기 접합면 상에 확산시키는 세정 공정과,
    그 후, 상기 접합면 위에서 확산된 세정액을 흡인하는 흡인 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 공급면에는, 이 공급면과 동심원형으로 복수의 홈부가 형성되고,
    상기 세정 공정에서, 상기 세정액은 상기 홈부 사이마다 상기 접합면 위에서 확산되는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 흡인 공정에 있어서, 상기 세정액은 상기 세정 지그의 외주부로부터 흡인되는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 세정 공정에서, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부(段部)에 대하여, 기체를 공급하는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 세정 공정에서의 피처리 기판의 회전수는 50 rpm이며,
    상기 흡인 공정은, 피처리 기판의 회전을 정지한 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  16. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 흡인 공정에서, 상기 세정액은, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부의 외측으로부터 흡인되는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 세정 공정에서의 피처리 기판의 회전수는 1000 rpm∼2000 rpm인 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  18. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 세정 공정과 상기 흡인 공정은, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부 내에 있어서, 이 단부의 테이프를 덮는 커버가 설치된 상태에서 행해지는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  19. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 프레임에는, 피처리 기판과 상기 프레임 사이에서 상기 테이프의 위쪽에 형성된 단부로 돌출된 돌출부가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
  20. 제11항 또는 제12항에 기재한 세정 방법을 세정 장치에 의해서 실행시키기 위해서, 상기 세정 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.
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