JP5617065B2 - 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び剥離システム - Google Patents

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Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、及び前記剥離方法を実行する剥離システムに関する。
近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。そして、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。
かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。例えば特許文献１には、熱酸化膜を形成した支持基板に、デバイスが形成されたウェハを直接接合し、その後ウェハの剥離を行う剥離装置が提案されている。この剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、接合されたウェハと支持基板との間、すなわちウェハと支持基板との接合面に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧でノズルから液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている。
特開平９−１６７７２４号公報
ところで、ウェハと支持基板の接合には、例えば特許文献１に開示されるような、熱酸化膜を形成した支持基板にウェハを直接接合する方法の他に、支持基板とウェハとの間に接着剤を介在させて接合する方法などがある。
接着剤を用いて接合を行った場合、ウェハと支持基板とを剥離するにあたり、ウェハと支持基板との間に介在する接着剤を軟化させる必要がある。このため、ウェハと支持基板の剥離を行う際には、接着剤の軟化を目的として、接合された状態のウェハと支持基板との加熱処理が行われる。
しかしながら、ウェハが加熱処理されていると、当該ウェハの露出した表面、すなわちウェハ上で露出した所定のパターン（デバイス）、特に銅などの金属からなるバンプ上に酸化膜が形成されてしまう。そして、この酸化膜により、所定のパターンがその機能を果たさず、製品に深刻なダメージを与える恐れがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被処理基板と支持基板の剥離処理において、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成される酸化膜を抑制することを目的とする。
前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、重合基板を加熱しながら当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、その後、前記剥離工程で剥離された被処理基板の表面に有機溶剤を供給し、被処理基板の表面の接着剤を除去する接着剤除去工程と、その後、前記接着剤除去工程で接着剤が除去された被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を有することを特徴としている。なお、本発明における所定のパターンは、例えば銅などの金属からなるバンプを有する。
本発明によれば、剥離工程において重合基板を被処理基板と支持基板に剥離し、続く接着剤除去工程において被処理基板の表面の接着剤を除去した後、酸化膜除去工程において被処理基板の表面に酸を供給している。このため、例えば剥離工程において被処理基板の表面の所定のパターン上に酸化膜が形成されても、前記酸化膜除去工程で供給される酸によって所定のパターン上の酸化膜を除去することができる。したがって、製品を適切に製造することができる。
前記剥離方法は、前記酸化膜除去工程後、被処理基板を検査する検査工程を有していてもよい。
前記剥離方法は、前記検査工程において被処理基板の表面の所定のパターン上に酸化膜が残存していると確認された場合、その後、当該被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する他の酸化膜除去工程を有していてもよい。
前記剥離方法は、前記酸化膜除去工程後、被処理基板の表面に防錆剤を供給する防錆剤供給工程を有していてもよい。
前記酸は酢酸であってもよい。
前記酸は所定の濃度以上の水溶液であってもよい。かかる場合、前記酸の廃液をアルカリ水溶液で中和してもよい。なお、本発明における所定の濃度は、所定のパターン上の酸化膜を除去できる濃度であって、例えば７０％である。
また、前記酸は気体状であってもよい。
別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
さらに別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、重合基板を加熱しながら当該重合基板を被処基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置において剥離された被処理基板の表面に有機溶剤を供給し、被処理基板の表面の接着剤を除去する溶剤供給部と、前記溶剤供給部によって接着剤が除去された被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する酸供給部と、を有することを特徴としている。
前記剥離システムは、前記酸供給部によって酸化膜が除去された被処理基板を検査する検査装置を有していてもよい。
前記剥離システムは、前記検査装置において被処理基板の表面の所定のパターン上に酸化膜が残存していると確認された場合、当該被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する他の酸供給部を有していてもよい。
前記剥離システムは、前記酸供給部によって酸化膜が除去された被処理基板の表面に防錆剤を供給する防錆剤供給部を有していてもよい。
前記酸は酢酸であってもよい。
前記酸は所定の濃度以上の水溶液であってもよい。
かかる場合、前記剥離システムは、アルカリ水溶液を供給し、前記酸の廃液を中和するアルカリ供給部を有していてもよい。前記アルカリ供給部は、前記酸の廃液を回収する回収部に前記アルカリ水溶液を供給してもよく、また前記アルカリ供給部は、被処理基板の表面に前記アルカリ水溶液を供給してもよい。
また、前記酸は気体状であってもよい。
本発明によれば、被処理基板と支持基板の剥離処理において、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成される酸化膜を抑制することができる。
本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 反転装置の構成の概略を示す縦断面図である。 検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。 検査装置の構成の概略を示す横断面図である。 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 剥離装置において第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 剥離装置の第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。 剥離装置において被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 剥離装置の第１の保持部から第２の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第２の搬送装置のベルヌーイチャックから第１の洗浄装置のポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第３の搬送装置のベルヌーイチャックから反転装置の第２の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 反転装置の第１の保持部から第３の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 他の実施の形態にかかる第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるダイシングフレームに装着された重合ウェハの縦断面図である。 他の実施の形態にかかるダイシングフレームに装着された重合ウェハ（支持ウェハ）の平面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。
剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面ＷＪ」といい、当該接合面ＷＪと反対側の面を「非接合面ＷＮ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面ＳＪ」といい、当該接合面ＳＪと反対側の面を「非接合面ＳＮ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面ＷＪ上に複数のデバイス（所定のパターン）がそれぞれ形成されている。所定のパターンは、例えば銅などの金属からなるバンプを有している。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面ＷＮが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ〜１００μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。
剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた剥離処理ステーション３と、剥離処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。
搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。インターフェイスステーション５は、剥離処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置７が配置されている。また、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置７の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷの接合面ＷＪ及び非接合面ＷＮの洗浄と、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う検査後洗浄ステーション８が配置されている。
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＷ、ＣＳ、ＣＴを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。
剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように剥離処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。
検査装置７では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無や、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪの所定のパターン、特にバンプ上に形成された酸化膜の残渣の有無が検査される。また、検査後洗浄ステーション８では、検査装置７で接着剤Ｇの残渣や酸化膜の残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション８は、被処理ウェハＷの接合面ＷＪを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを洗浄する非接合面洗浄装置４１、被処理ウェハＷの表裏面を上下反転させる反転装置４２を有している。これら接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１、反転装置４２は、後処理ステーション４側からＹ方向に並べて配置されている。
インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、剥離処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置７及び検査後洗浄ステーション８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。
なお、後処理ステーション４では、剥離処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理として、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。
次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図３に示すように、その内部に複数の機器を収容する処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。なお、本実施の形態における処理容器１００は、例えばステンレススチールの薄板等で構成されたものであり、その内部を密閉するものではないが、処理容器１００の構造は本実施の形態に限定されるものではなく、例えば内部を密閉可能な気密容器であってもよい。
処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。
処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。
第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１２１としては例えば炭化ケイ素が用いられる。
また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面ＷＮが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。
また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。
第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。
第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。
また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。
第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。
鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させて第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば３箇所に設けられている。
水平移動部１５２は、Ｘ方向（図３中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。
なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。
次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図４に示すように処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるポーラスチャック１９０が設けられている。ポーラスチャック１９０は、平板状の本体部１９１と、本体部１９１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス１９２とを有している。ポーラス１９２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス１９２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス１９２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス１９２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック１９０上に吸着保持できる。
ポーラスチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９３が設けられている。ポーラスチャック１９０は、チャック駆動部１９３により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９３には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、ポーラスチャック１９０は昇降自在になっている。
ポーラスチャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収する回収部としてのカップ１９４が設けられている。カップ１９４の下面には、後述する有機溶剤の廃液を排出する溶剤排出管１９５と、後述する酢酸の廃液を排出する酢酸排出管１９６が接続されている。なお、カップ１９４の下面には、当該カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管（図示せず）も接続されている。
図５に示すようにカップ１９４のＸ方向負方向（図５中の下方向）側には、Ｙ方向（図５中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９４のＹ方向負方向（図５中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、例えば２本のアーム２０１、２０２が取り付けられている。
第１のアーム２０１には、図４及び図５に示すように被処理ウェハＷに接着剤Ｇの洗浄液である接着剤Ｇの溶剤、例えば有機溶剤を供給する溶剤供給部としての溶剤ノズル２０３が支持されている。第１のアーム２０１は、図５に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、溶剤ノズル２０３は、カップ１９４のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、第１のアーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、溶剤ノズル２０３の高さを調節できる。
溶剤ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。溶剤ノズル２０３には、図４に示すように当該溶剤ノズル２０３に有機溶剤を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に有機溶剤を貯留する溶剤供給源２１１に連通している。供給管２１０には、有機溶剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、溶剤ノズル２０３には、当該溶剤ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、有機溶剤と不活性ガスは溶剤ノズル２０３内で混合され、当該溶剤ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、有機溶剤と不活性ガスを混合したものを単に「有機溶剤」という場合がある。
第２のアーム２０２には、液体状の酸である酢酸を供給する酸供給部としての酢酸ノズル２２０が支持されている。第２のアーム２０２は、図５に示すノズル駆動部２２１により、レール２００上を移動自在である。これにより、酢酸ノズル２２０は、カップ１９４のＹ方向負方向側の外方に配置された待機部２２２からカップ１９４内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、第２のアーム２０２は、ノズル駆動部２２１によって昇降自在であり、酢酸ノズル２２０の高さを調節できる。
酢酸ノズル２２０には、図４に示すように当該酢酸ノズル２２０に酢酸を供給する供給管２２３が接続されている。供給管２２３は、内部に濃度１００％の酢酸を貯留する酢酸供給源２２４と、内部に純水を貯留する純水供給源２２５に連通している。供給管２２３には、酢酸供給源２２４から供給された酢酸と純水供給源２２５から供給された純水を混合するミキサ２２６が設けられている。このミキサ２２６では、濃度１００％の酢酸と純水を混合して、所定の濃度、例えば濃度７０％の酢酸の水溶液が生成される。なお、以下においては、濃度１００％の酢酸と純水を混合した濃度７０％の酢酸の水溶液を単に「酢酸」という場合がある。また、供給管２２３には、ミキサ２２６の下流側において酢酸の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２２７が設けられている。
なお、ポーラスチャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはポーラスチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、ポーラスチャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、ポーラスチャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、ポーラスチャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。
なお、上述した検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１の構成は、この第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。また、接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１における酢酸ノズル２２０は、本発明における他の溶剤供給部を構成している。ここで、本実施の形態では、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮにはデバイスである所定のパターンが形成されていないため、当該非接合面ＷＮのバンプ上に酸化膜が形成されない。しかしながら、非接合面ＷＮ自体に酸化膜が形成されている場合において、非接合面洗浄装置４１の酢酸ノズル２２０と付随する部材２２１〜２２７は、上記酸化膜を除去する際に有用となる。また、特定の製品では、被処理ウェハの非接合面にもデバイスである所定のパターンが形成されている場合がある。かかる場合には、勿論、非接合面洗浄装置４１の酢酸ノズル２２０と付随する部材２２１〜２２７は、所定のパターンのバンプ上に形成された酸化膜を除去する際に有用となる。
また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図６に示すように第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０に代えて、スピンチャック２３０が設けられる。スピンチャック２３０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２３０上に吸着保持できる。また、第２の洗浄装置３３は、第１の洗浄装置３１における酢酸ノズル２２０と付随する部材２２１〜２２７を省略した構成を有している。さらに、第２の洗浄装置３３のカップ１９４には、第１の洗浄装置３１における酢酸排出管１９６が省略され、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管２３１が接続されている。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２３０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面ＷＮに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面ＳＮと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。
次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図７に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２４０を有している。ベルヌーイチャック２４０は、支持アーム２４１に支持されている。支持アーム２４１は、第１の駆動部２４２に支持されている。この第１の駆動部２４２により、支持アーム２４１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２４２の下方には、第２の駆動部２４３が設けられている。この第２の駆動部２４３により、第１の駆動部２４２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。
なお、第３の搬送装置５１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置５１の第２の駆動部２３２は、図１に示した搬送路５０に取り付けられ、第３の搬送装置５１は搬送路５０上を移動可能になっている。
次に、上述した反転装置４２の構成について説明する。反転装置４２は、図８に示すように、その内部に複数の機器を収容する処理容器２５０を有している。処理容器２５０の側面には、第３の搬送装置５１により被処理ウェハＷの搬入出を行うための搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口（図示せず）には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
処理容器２５０の底面には、当該処理容器２５０の内部の雰囲気を排気する排気口２６０が形成されている。排気口２６０には、例えば真空ポンプなどの排気装置２６１に連通する排気管２６２が接続されている。
処理容器２５０の内部には、被処理ウェハＷを下面で保持する第１の保持部２７０と、被処理ウェハＷを上面で保持する第２の保持部２７１とが設けられている。第１の保持部２７０は、第２の保持部２７１の上方に設けられ、第２の保持部２７１と対向するように配置されている。第１の保持部２７０及び第２の保持部２７１は、例えば被処理ウェハＷをほぼ同じ直径を有している。また、第１の保持部２７０及び第２の保持部２７１にはベルヌーイチャックが用いられている。これにより、第１の保持部２７０及び第２の保持部２７１は、被処理ウェハＷの片面の全面をそれぞれ非接触で保持することができる。
第１の保持部２７０の上面には、第１の保持部２７０を支持する支持板２７２が設けられている。なお、本実施の形態の支持板２７２を省略し、第１の保持部２７０は処理容器２５０の天井面に当接して支持されていてもよい。
第２の保持部２７１の下方には、当該第２の保持部２７１を鉛直方向に移動させる移動機構２８０が設けられている。移動機構２８０は、第２の保持部２７１の下面を支持する支持板２８１と、支持板２８１を昇降させて第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を鉛直方向に接近、離間させる駆動部２８２を有している。駆動部２８２は、処理容器２５０の底面に設けられた支持体２８３により支持されている。また、支持体２８３の上面には支持板２８１を支持する支持部材２８４が設けられている。支持部材２８４は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、駆動部２８２により支持板２８１を昇降させる際に、自由に伸縮することができる。
次に、上述した検査装置７の構成について説明する。検査装置７は、図９及び図１０に示すように処理容器２９０を有している。処理容器２９０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
処理容器２９０内には、被処理ウェハＷを保持するポーラスチャック３００が設けられている。ポーラスチャック３００は、平板状の本体部３０１と、本体部３０１の上面側に設けられた多孔質体であるポーラス３０２とを有している。ポーラス３０２は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面ＷＮと当接している。なお、ポーラス３０２としては例えば炭化ケイ素が用いられる。ポーラス３０２には吸引管（図示せず）が接続され、当該吸引管からポーラス３０２を介して被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを吸引することにより、当該被処理ウェハＷをポーラスチャック３００上に吸着保持できる。
ポーラスチャック３００の下方には、チャック駆動部３０３が設けられている。このチャック駆動部３０３により、ポーラスチャック３００は回転自在になっている。また、チャック駆動部３０３は、処理容器２９０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール３０４上に取付けられている。このチャック駆動部３０３により、ポーラスチャック３００はレール３０４に沿って移動できる。すなわち、ポーラスチャック３００は、被処理ウェハＷを処理容器２９０の外部との間で搬入出するための受渡位置Ｐ１と、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整するアライメント位置Ｐ２との間を移動できる。
アライメント位置Ｐ２には、ポーラスチャック３００に保持された被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出するセンサ３０５が設けられている。センサ３０５によってノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部３０３によってポーラスチャック３００を回転させて、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節することができる。
処理容器２９０のアライメント位置Ｐ２側の側面には、撮像装置３１０が設けられている。撮像装置３１０には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。処理容器２９０の上部中央付近には、ハーフミラー３１１が設けられている。ハーフミラー３１１は、撮像装置３１０と対向する位置に設けられ、鉛直方向から４５度傾斜して設けられている。ハーフミラー３１１の上方には、照度を変更することができる照明装置３１２が設けられ、ハーフミラー３１１と照明装置３１２は、処理容器２９０の上面に固定されている。また、撮像装置３１０、ハーフミラー３１１及び照明装置３１２は、ポーラスチャック３００に保持された被処理ウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明装置３１２からの照明は、ハーフミラー３１１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー３１１で反射して、撮像装置３１０に取り込まれる。すなわち、撮像装置３１０は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして、撮像した被処理ウェハＷの画像は、後述する制御部３５０に出力され、制御部３５０において被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無と被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に形成された酸化膜の残渣の有無が検査される。
以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３５０にインストールされたものであってもよい。
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１１は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。
先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣＴ、空のカセットＣＷ、及び空のカセットＣＳが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣＴ内の重合ウェハＴが取り出され、剥離処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。
剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１２に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面ＷＮが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面ＳＮが吸着保持される。
その後、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴが所定の温度、例えば２００℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。
続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図１３に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図１４に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１１の工程Ａ１）。
このとき、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに形成されたバンプの高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上のデバイス（所定のパターン）と支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、デバイスと支持ウェハＳが接触し、デバイスが損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上のバンプの高さに基づいて設定される。
なお、このように重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する際、処理容器１００の内部の雰囲気は排気されているが、僅かに酸素が残存している。このように残存する酸素が僅かであっても、被処理ウェハＷは加熱されているため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪの所定のパターン、特にバンプ上に酸化膜が形成される。
その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。
図１５に示すように第２の搬送装置３２の支持アーム２４１を伸長させて、ベルヌーイチャック２４０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２４０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２４０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、ベルヌーイチャック２４０を所定の位置まで下降させる。なお、被処理ウェハＷはベルヌーイチャック２４０によって非接触の状態で保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上のデバイスが損傷を被ることなく被処理ウェハＷが保持される。なお、このとき、第２の保持部１１１は第１の保持部１１０に対向する位置まで移動する。
次に図１６に示すように、第２の搬送装置３２の支持アーム２４１を回動させてベルヌーイチャック２４０を第１の洗浄装置３１のポーラスチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２４０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、ポーラスチャック１９０をカップ１９４よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２４０からポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。
このようにポーラスチャック１９０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、ポーラスチャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、第１のアーム２０１によって待機部２０５の溶剤ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、ポーラスチャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、溶剤ノズル２０３から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに有機溶剤を供給する。供給された有機溶剤は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の接着剤Ｇが除去される（図１１の工程Ａ２）。
被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の接着剤Ｇが除去されると、溶剤ノズル２０３を被処理ウェハＷの中心部上方から待機部２０５に移動させると共に、第２のアーム２０２によって待機部２２２の酢酸ノズル２２０を被処理ウェハＷの中心部上方まで移動させる。その後、被処理ウェハＷを回転させながら、酢酸ノズル２２０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸を供給する。供給された酢酸は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に形成された酸化膜が除去される（図１１の工程Ａ３）。
工程Ａ３では、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに濃度が７０％の酢酸が供給される。発明者らが鋭意検討した結果、このように濃度７０％の酢酸を用いても、酢酸の供給流量や供給時間、被処理ウェハＷの回転時間等を調整することで、十分にバンプ上の酸化膜を除去できることが分かっている。例えば酢酸を０．３ｌ（リットル）／ｍｉｎで１８０秒間〜２４０秒間供給し、被処理ウェハＷを６０秒間回転させると、バンプ上の酸化膜を除去できることが分かった。また、このように濃度が低い酢酸を用いているので、バンプ以外のパターン、すなわち酸化膜が形成されていないパターン上に酢酸が供給されても、当該パターンが損傷を被るのを回避することができる。なお、この酢酸の濃度は７０％に限定されず、バンプ上の酸化膜を除去できる所定の濃度以上であればよい。
ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。
正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２及びＡ３で接合面ＷＪが洗浄された後、非接合面ＷＮが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置７に搬送される。なお、この第３の搬送装置５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。
検査装置７に搬送された被処理ウェハＷは、受渡位置Ｐ１においてポーラスチャック３００上に保持される。続いて、チャック駆動部３０３によってポーラスチャック３００をアライメント位置Ｐ２まで移動させる。次に、センサ３０５によって被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部３０３によってポーラスチャック３００を回転させる。そして、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整して、当該被処理ウェハＷを所定の向きに配置する。
その後、チャック駆動部３０３によってポーラスチャック３００をアライメント位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１に移動させる。そして、被処理ウェハＷがハーフミラー３１１の下を通過する際に、照明装置３１２から被処理ウェハＷに対して照明を照らす。この照明による被処理ウェハＷ上での反射光は撮像装置３１０に取り込まれ、撮像装置３１０において被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像が撮像される。撮像された被処理ウェハＷの接合面ＷＪの画像は制御部３５０に出力され、制御部３５０において、被処理ウェハＷの接合面ＷＪにおける接着剤Ｇの残渣の有無と被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に形成された酸化膜の残渣の有無が検査される（図１１の工程Ａ４）。
検査装置７において接着剤Ｇの残渣や酸化膜の残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面ＷＪ上の接着剤Ｇが除去される（図１１の工程Ａ５）。また、接合面洗浄装置４０では、接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜も除去される（図１１の工程Ａ６）。なお、これら工程Ａ５とＡ６は、それぞれ上述した工程Ａ２と工程Ａ３と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ５を省略してもよい。同様に検査装置７において酸化膜の残渣がないと確認された場合、工程Ａ６を省略してもよい。
接合面ＷＪが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって反転装置４２に搬送され、反転装置４２により表裏面を反転、すなわち上下方向に反転される（図１１の工程Ａ７）。ここで、反転装置４２による被処理ウェハＷの反転方法について説明する。
接合面洗浄装置４０で接合面ＷＪが洗浄され被処理ウェハＷは、図１７に示すように、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２４０により接合面ＷＪを保持された状態で反転装置４２に搬送される。そして、被処理ウェハＷは、反転装置４２の第２の保持部２７１に接合面ＷＪを上方に向けた状態で受け渡され、第２の保持部２７１により被処理ウェハＷの非接合面ＷＮの全面が保持される。
次いで、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２４０を第２の保持部２７１の上方から退避させ、その後、駆動部２８３により第２の保持部２７１を上昇、換言すれば、図１８に示すように第１の保持部２７０に接近させる。そして、第１の保持部２７０により被処理ウェハＷの接合面ＷＪを保持すると共に、第２の保持部２７１による被処理ウェハＷの保持を停止して、被処理ウェハＷを第１の保持部２７０に受け渡す。これにより図１９に示すように、被処理ウェハＷが第１の保持部２７０により、非接合面ＷＮを下方に向けた状態で保持される。
その後、第２の保持部２７１を下降させて第１の保持部２７０と第２の保持部２７１を離隔し、次いで退避していた第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２４０を水平軸回りに回動させる。そして、ベルヌーイチャック２４０が上方を向いた状態で、当該ベルヌーイチャック２４０を第１の保持部２７０の下方に配置する。次いでベルヌーイチャック２４０を上昇させ、それと共に第１の保持部２７０による被処理ウェハＷの保持を停止する。これにより、接合面洗浄装置４０に搬入される際にベルヌーイチャック２４０により接合面ＷＪを保持されていた被処理ウェハＷは、図２０に示すように、ベルヌーイチャック２４０により非接合面ＷＮが保持された状態となる。すなわち、ベルヌーイチャック２４０により保持される被処理ウェハの面の表裏が反転した状態となる。その後、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮを保持した状態で、ベルヌーイチャック２４０を反転装置４２から退避させる。
なお、検査装置７において接着剤Ｇの残渣と酸化膜の残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく反転装置４２にて被処理ウェハＷの反転が行われるが、反転の方法については、上述の方法と同様である。
その後、被処理ウェハＷを保持した状態で第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２４０を水平軸回りに回動させ、被処理ウェハＷを上下方向に反転させる。そして、被処理ウェハＷは、非接合面ＷＮが上方を向いた状態でベルヌーイチャック２４０により再び検査装置７に搬送され、非接合面ＷＮの検査が行われる（図１１の工程Ａ８）。そして、非接合面ＷＮにパーティクルや酸化膜の汚れが確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面ＷＮが洗浄される（図１１の工程Ａ９）。また、非接合面洗浄装置４１では、非接合面ＷＮ上の酸化膜も除去される（図１１の工程Ａ１０）。なお、本実施の形態では、被処理ウェハＷの非接合面ＷＮには所定のパターンが形成されていないため、当該所定のパターンのバンプ上には酸化膜が形成されていないが、非接合面ＷＮ自体に酸化膜が形成されている場合には工程Ａ１０を行う。また、これら工程Ａ９とＡ１０は、それぞれ上述した工程Ａ２と工程Ａ３と同様であるので説明を省略する。さらに、例えば検査装置７においてパーティクルや酸化膜の汚れがないと確認された場合、工程Ａ９やＡ１０を省略してもよい。
次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣や酸化膜の残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。
その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１１の工程Ａ１１）。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。
一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２及びＡ３で接合面ＷＪが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ１２）。
被処理ウェハＷに上述した工程Ａ１〜Ａ１２が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面ＳＪ上の接着剤が除去されて、接合面ＳＪが洗浄される（図１１の工程Ａ１３）。なお、工程Ａ１３における支持ウェハＳの洗浄は、上述した工程Ａ２における被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの除去と同様であるので説明を省略する。
その後、接合面ＳＪが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１１の工程Ａ１４）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。
以上の実施の形態によれば、工程Ａ１において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離し、続く工程Ａ２において被処理ウェハＷの接合面ＷＪの接着剤Ｇを除去した後、工程Ａ３において被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸を供給している。このため、工程Ａ１において被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に酸化膜が形成されても、工程Ａ３で供給される酢酸によって酸化膜を除去することができる。したがって、製品を適切に製造することができる。
また、工程Ａ４において剥離された接合面ＷＪの検査を行い、被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に酸化膜が残存していると確認された場合、続く工程Ａ６において被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸を供給して酸化膜を除去している。したがって、被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜をより確実に除去することができる。
また、工程Ａ３、Ａ６、Ａ１０において酸化膜を除去する際、濃度が７０％の酢酸を用いているので、当該酸化膜を十分に除去することができる。しかも、このように濃度が低い酢酸を用いているので、バンプ以外のパターン、すなわち酸化膜が形成されていないパターン上に酢酸が供給されても、当該パターンが損傷を被るのを回避することができる。
また、工程Ａ３、Ａ６、Ａ１０において酸化膜を除去する際、酢酸を用いているので、高い安全性を確保することができる。また、酢酸は安価であるため、製品の製造コストを低廉化することができる。
以上の実施の形態において、工程Ａ３で被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を除去した後、さらに被処理ウェハＷの接合面ＷＪに防錆剤を塗布してもよい。
図２１に示すように第１の洗浄装置３１には、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷの接合面ＷＪに防錆剤を塗布する防錆剤供給部としての防錆剤ノズル４００が設けられる。防錆剤ノズル４００には、供給管４０１が接続されている。供給管４０１は、内部に防錆剤を貯留する防錆剤供給源４０２に連通している。また、供給管４０１には、防錆剤の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４０３が設けられている。なお、防錆剤としては、例えば酸性の水溶性ポリマーが用いられる。
防錆剤ノズル４００は、第３のアーム４０４に支持されている。第３のアーム４０４は、ノズル駆動部４０５により、レール２００上を移動自在である。これにより、防錆剤ノズル４００は、カップ１９４と待機部２２２の間に設置された待機部４０６と、カップ１９４と待機部２０５の間に設置された待機部４０７との間を移動でき、さらにカップ１９４内の被処理ウェハＷ上を当該被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、第３のアーム４０４は、ノズル駆動部４０５によって昇降自在であり、防錆剤ノズル４００の高さを調節できる。なお、第１の洗浄装置３１のその他の構成は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、工程Ａ３において酢酸ノズル２２０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸を供給して当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を除去した後、第３のアーム４０４によって待機部４０６の防錆剤ノズル４００を被処理ウェハＷの中心部上方まで移動させる。その後、被処理ウェハＷを回転させながら、防錆剤ノズル４００から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに防錆剤を供給する。供給された防錆剤は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散される。なお、その他の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４は、上記実施の形態の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４と同様であるので説明を省略する。
本実施の形態によれば、バンプ上の酸化膜を除去した後、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに防錆剤が塗布され、当該接合面ＷＪが防錆されるので、その後、被処理ウェハＷに対して大気中での搬送や所定の処理が行われる場合でも、バンプ上に酸化膜が形成されるのを確実に防止することができる。
なお、接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１も、上記第１の洗浄装置３１と同様の構成を有し、工程Ａ６後とＡ１０後に被処理ウェハＷの接合面ＷＪに防錆剤を供給してもよい。
以上の実施の形態の第１の洗浄装置３１において、酢酸の廃液をアルカリ水溶液で中和処理してもよい。アルカリ水溶液には、弱アルカリの水溶液が用いられ、例えば苛性ソーダ（水酸化ナトリウム）の水溶液が用いられる。
図２２に示すように第１の洗浄装置３１のカップ１９４の側面には、当該カップ１９４の内部にアルカリ水溶液を供給するアルカリ供給部としてのアルカリ供給管４１０が設けられている。アルカリ供給管４１０は、複数設けられていてもよい。また、アルカリ供給管４１０は、内部にアルカリ水溶液を貯留するアルカリ供給源４１１に連通している。また、アルカリ供給管４１０には、アルカリ水溶液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４１２が設けられている。なお、第１の洗浄装置３１のその他の構成は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、工程Ａ３において被処理ウェハＷ上に供給された酢酸は、被処理ウェハＷから飛散しカップ１９４に回収される。また、アルカリ供給管４１０からカップ１９４の内部にアルカリ水溶液が供給される。そして、カップ１９４内の酢酸の廃液は、アルカリ水溶液によって中和されて酢酸排出管１９６から排出される。なお、その他の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４は、上記実施の形態の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４と同様であるので説明を省略する。
上述したアルカリ供給管４１０は、酢酸排出管１９６に設けられていてもよいし、酢酸排出管１９６が接続されて酢酸の廃液が貯留される廃液タンク（図示せず）に設けられていてもよい。
また、図２３に示すように第１の洗浄装置３１には、ポーラスチャック１９０に保持された被処理ウェハＷ上にアルカリ水溶液を供給するアルカリ供給部としてのアルカリノズル４２０が設けられていてもよい。アルカリノズル４２０には、供給管４２１が接続されている。供給管４２１は、内部にアルカリ水溶液を貯留するアルカリ供給源４２２に連通している。また、供給管４２１には、アルカリ水溶液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４２３が設けられている。
アルカリノズル４２０は、第４のアーム４２４に支持されている。第４のアーム４２４は、ノズル駆動部４２５により、レール２００上を移動自在である。これにより、アルカリノズル４２０は、カップ１９４と待機部２２２の間に設置された待機部４２６と、カップ１９４と待機部２０５の間に設置された待機部４２７との間を移動でき、さらにカップ１９４内の被処理ウェハＷ上を当該被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、第４のアーム４２４は、ノズル駆動部４２５によって昇降自在であり、アルカリノズル４２０の高さを調節できる。なお、第１の洗浄装置３１のその他の構成は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、工程Ａ３において酢酸ノズル２２０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸を供給して当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を除去した後、第４のアーム４２４によって待機部４２６のアルカリノズル４２０を被処理ウェハＷの中心部上方まで移動させる。その後、被処理ウェハＷを回転させながら、アルカリノズル４２０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪにアルカリ水溶液を供給する。供給されたアルカリ水溶液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面ＷＪの全面に拡散されて、カップ１９４内に飛散する。そして、このアルカリ水溶液によって、被処理ウェハＷ上に残存する酢酸、或いはカップ１９４の内部に回収された酢酸の廃液は中和される。中和された酢酸の廃液は、酢酸排出管１９６から排出される。なお、その他の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４は、上記実施の形態の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４と同様であるので説明を省略する。
以上のいずれの実施の形態においても、酢酸の廃液がアルカリ水溶液によって中和されるので、その後、酢酸の廃液を処理する際の取り扱いを容易にすることができる。また、高い安全性も確保することができる。
なお、接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１も、上記第１の洗浄装置３１と同様の構成を有し、工程Ａ６とＡ１０において酢酸の廃液をアルカリ水溶液で中和してもよい。
以上の実施の形態の第１の洗浄装置３１では、酢酸ノズル２２０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに液体状の酢酸を供給していたが、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに気体状の酢酸ガスを供給してもよい。
図２４に示すように第１の洗浄装置３１には、処理容器１８０の天井面であってスピンチャック１９０に保持された被処理ウェハＷの上方に、被処理ウェハＷの接合面ＷＪに気体状の酢酸ガスを供給する酸供給部としての酢酸ガス供給管４３０が設けられている。酢酸ガス供給管４３０には、酢酸ガスを供給する酢酸供給源４３１が接続されている。また、酢酸ガス供給管４３０には、酢酸ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４３２が設けられている。
酢酸供給源４３１は、内部に液体状の酢酸を貯留している。また、酢酸供給源４３１には、当該酢酸供給源４３１内に窒素ガスを供給する窒素ガス供給管４３３が接続されている。酢酸供給源４３１では、内部に窒素ガスが供給されることで液体状の酢酸が気化して、酢酸ガスが生成される。この酢酸ガスは、前記窒素ガスをキャリアガスとして酢酸ガス供給管４３０に供給される。
第１の洗浄装置３１は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１における酢酸ノズル２２０と付随する部材２２１〜２２７を省略した構成を有している。さらに、第１の洗浄装置３１は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１における酢酸排出管１９６が省略され、カップ１９４内の雰囲気を真空引きして排気する排気管４３４が接続されている。なお、第１の洗浄装置３１のその他の構成は、上記実施の形態の第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。
かかる場合、工程Ａ３において酢酸ガス供給管４３０から被処理ウェハＷの接合面ＷＪに酢酸ガスを供給して、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を除去する。そして、酸化膜を除去後の酢酸ガスは、排気管４２４から排気される。なお、その他の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４は、上記実施の形態の工程Ａ１、Ａ２、Ａ４〜Ａ１４と同様であるので説明を省略する。
本実施の形態においても、工程Ａ１において被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上に酸化膜が形成されても、工程Ａ３で供給される酢酸によって酸化膜を除去することができる。したがって、製品を適切に製造することができる。しかも、酢酸の廃液処理を省略することができるので、より高い安全性を確保し、且つ製品の製造コストを低廉化することができる。
なお、接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１も、上記第１の洗浄装置３１と同様の構成を有し、工程Ａ６とＡ１０において気体状の酢酸ガスを用いて被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を除去してもよい。
以上の実施の形態の第１の洗浄装置３１、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１では、酸として酢酸を用いていたが、他の酸を用いてもよい。例えば硫酸、塩酸、硝酸等を用いてもよい。
また、第１の洗浄装置３１で被処理ウェハＷの接合面ＷＪのバンプ上の酸化膜を確実に除去できる場合、接合面洗浄装置４０、被接合面洗浄装置４１の酢酸ノズル２２０及び付随する部材２２１〜２２７を省略してもよい。また、この場合、検査装置７を省略してもよい。
以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１の溶剤ノズル２０３には２流体ノズルが用いられていたが、溶剤ノズル２０３の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば溶剤ノズル２０３として、有機溶剤を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。
また、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１３において、溶剤ノズル２０３に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、溶剤ノズル２０３からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面ＷＪ、ＳＪがより確実に洗浄される。
以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１１０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。
以上の剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第２の保持部１１１を水平方向のみに移動させ、当該第２の保持部１１１の移動速度を変化させてもよい。具体的には、第２の保持部１１１を移動させ始める際の移動速度を低速にし、その後徐々に移動速度を加速してもよい。すなわち、第２の保持部１１１を移動させ始める際には、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が大きく、被処理ウェハＷ上のデバイスが接着剤Ｇの影響を受け易いため、第２の保持部１１１の移動速度を低速にする。その後、被処理ウェハＷと支持ウェハＳとの接着面積が小さくなるにつれ、被処理ウェハＷ上のデバイスが接着剤Ｇの影響を受け難くなるため、第２の保持部１１１の移動速度を徐々に加速する。かかる場合でも、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。
また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１１１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１１１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１１１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよく、第２の保持部１１１の外周部端部を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。
以上の実施の形態の剥離装置３０において、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１との間の処理空間を覆うカバー（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、処理空間を不活性ガスの雰囲気にすることにより、被処理ウェハＷが加熱処理されても、当該被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の所定のパターンに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。
また、以上の実施の形態の剥離装置３０において、第２の保持部１１１に追従して水平方向に移動可能であって、複数の孔から不活性ガスを供給するポーラスプレート（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、重合ウェハＴを剥離するために第２の保持部１１１を移動させる際、第２の保持部１１１に追従してポーラスプレートを移動させながら、剥離により露出した被処理ウェハＷの接合面ＷＪに不活性ガスを供給する。そうすると、被処理ウェハＷが加熱処理されても、被処理ウェハＷの接合面ＷＪ上の所定のパターンに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。
なお、以上の実施の形態の剥離装置３０では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。
また、検査装置７の構成は上記実施の形態の構成に限定されない。検査装置７は、被処理ウェハＷの画像を撮像して、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無と酸化膜の残渣の有無が検査できれば、種々の構成を取り得る。
以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。
次に、他の実施の形態を説明する。なお、上記実施の形態と同じ部分は説明を省略する。この実施の形態では、前述の重合ウェハＴではなく、図２５に示すように、重合ウェハＴの破損を防止するための保護部材、例えばダイシングフレーム４４０を重合ウェハＴに装着した状態で、本剥離システム１にて同様の処理を行う。なお、図２５は、ダイシングフレーム４４０に装着された重合ウェハＴの縦断面図である。図２６は、図２５に示したダイシングフレーム４４０と重合ウェハＴを下方から見た平面図である。ダイシングフレーム４４０は、円環状の板材である。図２５に示すように、ダイシングフレーム４４０の上面に、粘着面を下にして粘着テープ４４１を貼り付ける。そして、この粘着面に重合ウェハＴの非接合面ＷＮを接合する。このように、ダイシングフレーム４４０を接合した状態で本発明を実施することにより、本剥離システム１内で被処理ウェハＷが破損することを防止できる。なお、本実施の形態において、ダイシングフレーム４４０は円環状の構成を有していたが、ダイシングフレーム４４０の外周部は例えば略矩形状等の種々の形状を取り得る。
かかる場合、重合ウェハＴとダイシングフレーム４４０をあらかじめ接合したものをカセットＣＴに収容し、そのカセットＣＴをカセット載置板１１に載置すればよい。または、外部装置（図示せず）と本剥離システム１とを接続し、外部装置にて重合ウェハＴとダイシングフレーム４４０とを接合した後、本剥離システム１で処理を行えばよい。或いは、本剥離システム１内に重合ウェハＴとダイシングフレーム４４０とを接合する処理装置を設けてもよい。
そして、剥離装置３０で処理を行うと、支持ウェハＳが剥離され、被処理ウェハＷとダイシングフレーム４４０が接合された状態となる。そして、本剥離システム１での処理終了まで、被処理ウェハＷとダイシングフレーム４４０を接合したままで処理するのがよい。そして、被処理ウェハＷとダイシングフレーム４４０を接合したままカセットＣＷに収納する。このようにすれば、被処理ウェハＷの破損を防止することができる。そして、本剥離システム１で処理が終わってから、外部装置（図示せず）で被処理ウェハＷとダイシングフレーム４４０の分離作業を行えばよい。
以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
１ 剥離システム
７ 検査装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
３２ 第２の搬送装置
４０ 接合面洗浄装置
４１ 非接合面洗浄装置
４２ 反転装置
１９４ カップ
２０３ 溶剤ノズル
２２０ 酢酸ノズル
３５０ 制御部
４００ 防錆剤ノズル
４１０ アルカリ供給管
４２０ アルカリノズル
４３０ 酢酸ガス供給管
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ

Claims (20)

  1. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
    重合基板を加熱しながら当該重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離工程と、
    その後、前記剥離工程で剥離された被処理基板の表面に有機溶剤を供給し、被処理基板の表面の接着剤を除去する接着剤除去工程と、
    その後、前記接着剤除去工程で接着剤が除去された被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、を有することを特徴とする、剥離方法。
  2. 前記酸化膜除去工程後、被処理基板を検査する検査工程を有することを特徴とする、請求項１に記載の剥離方法。
  3. 前記検査工程において被処理基板の表面の所定のパターン上に酸化膜が残存していると確認された場合、その後、当該被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する他の酸化膜除去工程を有することを特徴とする、請求項２に記載の剥離方法。
  4. 前記酸化膜除去工程後、被処理基板の表面に防錆剤を供給する防錆剤供給工程を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の剥離方法。
  5. 前記酸は酢酸であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の剥離方法。
  6. 前記酸は所定の濃度以上の水溶液であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離方法。
  7. 前記酸の廃液をアルカリ水溶液で中和することを特徴とする、請求項６に記載の剥離方法。
  8. 前記酸は気体状であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の剥離方法。
  9. 請求項１〜８のいずれかに記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
  10. 請求項９に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
  11. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
    重合基板を加熱しながら当該重合基板を被処基板と支持基板に剥離する剥離装置と、
    前記剥離装置において剥離された被処理基板の表面に有機溶剤を供給し、被処理基板の表面の接着剤を除去する溶剤供給部と、
    前記溶剤供給部によって接着剤が除去された被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する酸供給部と、を有することを特徴とする、剥離システム。
  12. 前記酸供給部によって酸化膜が除去された被処理基板を検査する検査装置を有することを特徴とする、請求項１１に記載の剥離システム。
  13. 前記検査装置において被処理基板の表面の所定のパターン上に酸化膜が残存していると確認された場合、当該被処理基板の表面に酸を供給し、被処理基板の表面の所定のパターン上に形成された酸化膜を除去する他の酸供給部を有することを特徴とする、請求項１２に記載の剥離システム。
  14. 前記酸供給部によって酸化膜が除去された被処理基板の表面に防錆剤を供給する防錆剤供給部を有することを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれかに記載の剥離システム。
  15. 前記酸は酢酸であることを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれかに記載の剥離システム。
  16. 前記酸は所定の濃度以上の水溶液であることを特徴とする、請求項１１〜１５のいずれかに記載の剥離システム。
  17. アルカリ水溶液を供給し、前記酸の廃液を中和するアルカリ供給部を有することを特徴とする、請求項１６に記載の剥離システム。
  18. 前記アルカリ供給部は、前記酸の廃液を回収する回収部に前記アルカリ水溶液を供給することを特徴とする、請求項１７に記載の剥離システム。
  19. 前記アルカリ供給部は、被処理基板の表面に前記アルカリ水溶液を供給することを特徴とする、請求項１７に記載の剥離システム。
  20. 前記酸は気体状であることを特徴とする、請求項１１〜１５のいずれかに記載の剥離システム。
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