JP5016321B2 - サポートプレートの処理方法 - Google Patents
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まず、サポートプレートに貼り付けられた基板を薄化する工程について図1を参照しつつ説明する。図1(a)〜(d)は、基板の薄化工程を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板が半導体ウエハである場合を例として説明する。
第2の実施形態では、サポートプレートとして、保護膜が形成されたサポートプレートを用いる場合を、図2を参照しつつ説明する。図2(a)〜(c)は、第2の実施形態にかかる基板の薄化工程を示す断面図である。なお、本明細書では、保護膜が形成されているサポートプレートを、「保護膜付サポートプレート」と称する。
本実施例では、次の条件を満たすサンプルを準備した。
処理内容:膜厚が2μmである、エポキシ膜を成膜(サンプル1)
膜厚が2μmである金、銅およびニッケルを含む金属膜を成膜(サンプル2)
さらに、参照用にいずれの膜も形成していないガラス(参照サンプル)を準備した。
ついで、サンプル1は、加水硫酸に20分間浸漬した。サンプル2は、王水に40分間浸漬した。
処理後のサンプル1、2について、側面と上面とについてXPS分析を行った。測定結果を、参照用ガラスのXPS分析から得られたチャートと比較して、不純物が残存していないか否かを調べた。測定条件は、下記のとおりである。
X線源:単色化 AlKα(1486.6eV)200W
測定領域:400μm径
検出角:45°
中和電子銃:使用
測定箇所:上面および側面
サンプル1、2および参照サンプルの上面について、XPS分析をした結果、得られたチャートを比較したところ、不純物に由来するピークを観測することができなかった。そのため、実施例による処理により、成膜された膜が除去されていることが確認された。また、サンプル1、2および参照サンプルの側面での測定においても、同様の結果が得られ、本実施例における処理の有効性を確認することができた。
サンプル1、2および参照用ガラスについて、SEM写真により表面の形態を観察した。サンプル1、2について、有機膜または無機膜に由来すると思われる異物は観測されなかった。なお、サンプル1、2について、実施例にかかる処理を終えた後は、肉眼および光学顕微鏡による観察において残膜は確認できなかった。
サンプル1、2および参照サンプルについて、AFMにより表面の凹凸を調べた。その結果、サンプル1、2では、膜に由来すると考えられる凹凸は観測されず、参照サンプルと同様であった。これにより、サンプル1、2では共に膜が除去されていることが確認された。
12 接着剤
14a 半導体ウエハ(薄化前)
14 半導体ウエハ(基板)
16 付着物
20 保護膜付サポートプレート
22 保護膜
Claims (9)
- 薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するサポートプレートを処理する方法であって、該基板と該サポートプレートとが貼着された状態で該基板を処理し、該サポートプレートと基板とを剥離した後、該サポートプレートに互いに異なる薬液を用いた浸漬を複数回行うことで付着物を除去する工程、および、該サポートプレートにドライプラズマエッチングを行うことで付着物を除去する工程を行うことを特徴とするサポートプレートの処理方法。
- 前記処理は、金属膜を基板に付着させる処理であることを特徴とする請求項1に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記金属膜は、Al、Ti、Zr、Cd、Au、Ag、Pt、Pd、Zn、Ni、CuおよびSnからなる群より選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項2に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記処理は、無機絶縁膜を基板に付着させる処理であることを特徴とする請求項1に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記処理は、CVD、PVD、メッキ処理およびスピンコートの少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記薬液のうちの1つは、王水、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、リン酸、加水硫酸、過酸化水素およびフッ酸からなる群より選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記処理は、有機化合物を基板に付着させる処理であることを特徴とする請求項1に記載のサポートプレートの処理方法。
- 前記薬液のうちの1つは、有機溶剤、レジストの剥離液、加水硫酸のいずれか1つであることを特徴とする請求項7に記載のサポートプレートの処理方法。
- 基板と剥離した後のサポートプレートを研磨する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のサポートプレートの処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007042538A JP5016321B2 (ja) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | サポートプレートの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007042538A JP5016321B2 (ja) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | サポートプレートの処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012108939A Division JP5285793B2 (ja) | 2012-05-10 | 2012-05-10 | サポートプレートの処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008205387A JP2008205387A (ja) | 2008-09-04 |
JP5016321B2 true JP5016321B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=39782525
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007042538A Active JP5016321B2 (ja) | 2007-02-22 | 2007-02-22 | サポートプレートの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5016321B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5448619B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2014-03-19 | 東京応化工業株式会社 | サポートプレートの洗浄方法 |
JP5617065B2 (ja) * | 2011-09-09 | 2014-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び剥離システム |
JP6114610B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-04-12 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JP2016174092A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社ディスコ | 光デバイスチップの製造方法 |
CN112635302A (zh) * | 2020-12-21 | 2021-04-09 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种降低硅片边缘抛光碎片率的工艺 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0824099B2 (ja) * | 1989-05-26 | 1996-03-06 | 日本電気株式会社 | 目合わせ装置 |
JPH0719737B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | S01基板の製造方法 |
JPH0661335A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Ulvac Japan Ltd | 半導体製造装置用の基板保持プレート |
JP3605927B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2004-12-22 | 株式会社神戸製鋼所 | ウエハーまたは基板材料の再生方法 |
JPH11145105A (ja) * | 1997-11-13 | 1999-05-28 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置 |
JPH11158628A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-15 | Asuzakku Kk | 成膜及び触刻装置用セラミック素材 |
JP2001077304A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-03-23 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 電子部品の製造法 |
JP3646640B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2005-05-11 | 三菱住友シリコン株式会社 | シリコンウェーハのエッジ部保護方法 |
JP2002141327A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Canon Inc | 結晶薄膜の製造方法 |
JP2004241443A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4405246B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
EP1667223B1 (en) * | 2004-11-09 | 2009-01-07 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. | Method for manufacturing compound material wafers |
JP2006186224A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Jsr Corp | 基板の支持方法および該方法に用いられる支持体 |
-
2007
- 2007-02-22 JP JP2007042538A patent/JP5016321B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008205387A (ja) | 2008-09-04 |
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