JP2006186224A - 基板の支持方法および該方法に用いられる支持体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1を支持するために用いられ、表層部に微細なパターン構造3が形成されており、かつ、裏面から基板支持面までの厚みの面内バラツキが5μm以下である。また、基板1を支持するための固定化剤4が、表層部に均等に充填されている。さらに、支持体2表面の面積が基板1よりも大きく、かつ、支持体2外周部が基板1の厚みより高い形状であり、支持体2に基板1を填め込むんで固定化させる。
【選択図】図3
Description
上記固定化剤は、溶融温度50〜300℃の結晶性化合物を主成分とし、かつ、該固定化剤の溶融温度幅が30℃以下であることが好ましい。また、上記結晶性化合物は、C、H、Oの元素のみで構成され、かつ、分子量が1000以下の有機化合物、好ましくは脂肪族化合物または脂環式化合物であることが望ましい。
さらに、支持体の形状を、基板を填め込んで固定化するような形状、すなわち、支持体が基板よりも大きく、かつ、支持体外周部を基板の厚みより高い形状にすることで、加圧貼り合せ時の固定化剤のはみ出しや、基板との固定に供されない固定化剤の基板表面および支持体裏面への回り込みによって生じていた装置や基板の汚染を防ぐことができる。
本発明に係る支持体は、表層部に微細なパターン構造が形成されており、該支持体表層部に特定の固定化剤を均等に充填して基板を貼り合わせることにより、良好に基板を固定化することができる。
本発明で用いられる固定化剤は、組成物に凝集力を付与するために結晶性化合物を主成分として含有し、該結晶性化合物の溶融温度は50〜300℃、好ましくは55〜250℃、より好ましくは100〜230℃であることを特徴とする。ここで、溶融温度とは、示差走査熱量分析装置(DSC)で昇温速度5℃/minの条件で測定したメインの溶融ピーク曲線におけるピーク温度をいう。結晶性化合物の溶融温度が上記範囲にあることにより、接着時の耐熱温度を向上させることができる。
(a)結晶性化合物を溶剤に溶解し、溶剤を徐々に留去して再結晶化させることで純度を高める方法、および
(b)結晶性化合物を溶剤に溶解し、その溶液をイオン交換樹脂に接触させて遊離金属を除去することで金属含有量を減らす方法などが挙げられる。
本発明に係る支持体は、セラミクス、金属化合物、ガラス素材からなる平滑な板で、その表層部(基板支持面)に微細なパターン構造が形成されている。セラミクスとしては、たとえば、炭化珪素、炭化窒素、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、チタニアなどが挙げられる。金属化合物としては、たとえば、SUS302B、SUS304、SUS309S、SUS310S、SUS316、SUS316Ti、SUS317、SUS321、SUS347、SUSXM15J1などのオーステナイト系ステンレス素材が挙げられる。ガラス素材としては、無アリカリガラス、石英などが挙げられる。また、シリコン、GaAs、GaNなどの半導体ウエハーも支持体として用いることができる。
(a) 支持体表面に感光性樹脂層を形成し、これを露光・現像することにより得られる樹脂パターンを、そのままパターン構造とする。この場合、感光性樹脂の厚みで支持体の厚みバラツキを補正して上記厚み範囲に調整することが可能であるため、パターン構造形成前の支持体の厚み精度の許容範囲は広い。
上記パターン構造の態様は、支持体の材質や固定化剤の溶融温度(=使用温度)などに応じて適宜選択することができる。(a)法では構造物は樹脂素材となるが、低温で用いるならばこの方法が簡便であり、(b)法および(c)法では無機素材が構造物となるため、その熱伝導性や導電性も有効に活用でき、さらには繰り返し使用が可能というメリットもある。
本発明で用いられる基板としては、初めから厚みが5〜100μmと薄い金属箔や、半導体素子が形成されたウエハーのように、初めは厚いが加工後に5〜100μmへと薄化する物などが対象となり、貼り合わせ表面に凹凸があってもよい。
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例で用いた結晶性化合物は、予めTHF溶液とし、20重量部のイオン交換樹脂を加えて10時間攪拌混合することによって脱イオン化処理を行い、Na,K,Ca,Fe,Cu,Ni,Cr,Alの各金属含有量が1ppmであることを確認して用いた。また、溶融温度、溶融温度幅および溶融粘度の測定は以下のようにして行った。
示差走査熱量装置(セイコー社製「RDC220」)を用い、5℃/min、空気中での値を測定した。メインの溶融ピーク曲線のピーク温度を溶融温度とし、該溶融ピーク曲線の始点と終点との温度差を溶融温度幅とした。
E型粘度計(東機産業社製)を用い、溶融温度にて測定した。
〔実施例1〕
6インチシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂(JSR製「ELPAC WPR-1020」)を膜厚が10μmとなるように塗布して成膜し、露光・現像することにより、幅50μm、高さ10μmのライン状パターンを図1(a)の様に放射状に形成し、190℃で1時間硬化して表面に微細パターンが形成されたウエハーを得た。なお、ラインパターン数はウエハー外周部で1180本、パターンの面積がウエハー面積の40%、ラインパターンのライン間隔は100〜200μmの範囲内であった。
実施例1において、6インチシリコンウエハーの代わりに6インチSiCウエハーを用い、ラインパターンの高さを5μmに変更し、固定化剤(A)の代わりに固定化剤(B)としてm−テルフェニル(分子量;230.3、溶融温度;87℃、溶融温度幅;1℃、溶融粘度;1.5mPa・s)0.09gを用い、固定化剤(B)を充填する際の溶融温度を110℃とし、固化条件を80℃まで急冷し、50℃まで徐冷し、室温まで急冷に変更した以外は、実施例1と同様にして支持体(2)を得た。
6インチシリコンウエハーに銅を0.5μmにスパッタ成膜したウエハー上に、日立化成工業社製アルカリ現像形感光性フィルム「フォテック H2350」を、90℃、2Kg・f/cm2、1m/minの条件でラミネートし、基材表面からの膜厚が40μmの被膜を得た。露光用マスク(50μmφ穴、穴間隔が300μmのパターン)を介して、超高圧水銀灯により、i線(波長365nmの紫外線)を200mJ/cm2照射した。次いで、露光処理されたレジスト膜に対して、0.2%のTMAH水溶液(30℃)を現像液とするシャワー法による現像処理を50秒間行った後、超純水による水洗処理を行った。これにより、紫外線が照射されていない部分の未硬化部分が除去された。顕微鏡(×500倍)観察により、口径50μmの穴パターンがウエハー上に面内均等に形成されていることを確認した。
厚みバラツキが0.1μm未満の鏡面研磨した160mmφステンレス丸基板に、ポジレジストを用いてライン間隔50μmの溝状パターンを放射状に形成した(図1(a)において明暗が反転したパターン)。これをエッチング液に浸してステンレス面を約10μmエッチングした後、レジストを剥離して溝形成されたステンレス基板を得た。溝パターン数は最外周部で1180本、溝パターンの表面積は支持体の40%、溝間の間隔は100〜200μmであった。
2・・・支持体
3・・・パターン構造物
4・・・固定化剤
5・・・ガイド材
Claims (12)
- 基板を支持するために用いられ、表層部に微細なパターン構造が形成されており、かつ、裏面から基板支持面までの厚みの支持体面内におけるバラツキが10μm以下であることを特徴とする支持体。
- 上記支持体表層部に形成されたパターン構造が、支持体表面に感光性樹脂層を形成し、露光・現像することにより感光性樹脂層のパターンを形成し、得られた感光性樹脂層パターンをマスクにして支持体をエッチングした後、感光性樹脂層を除去することにより得られるエッチング構造であることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
- 上記支持体表層部に形成されたパターン構造が、金属箔または樹脂箔を支持体に接着固定し、該金属箔または樹脂箔をパターニングして得られるパターン構造であることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
- 上記支持体表層部に形成されたパターン構造が、支持体表面に感光性樹脂層を形成し、露光・現像することにより得られる樹脂構造物であることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
- 上記支持体表層部に形成されたパターン構造が、支持体表面に感光性樹脂層を形成し、露光・現像することにより感光性樹脂層のパターンを形成し、得られた感光性樹脂層パターンの凹部内に金属パターンを形成した後、感光性樹脂層を除去することにより得られる金属構造物であることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
- 上記金属パターンが、金属メッキ法によって形成される金属メッキパターンであることを特徴とする請求項5に記載の支持体。
- 上記金属パターンが、上記感光性樹脂層パターンの凹部内にハンダペーストを充填してリフローさせることにより形成されるハンダパターンであることを特徴とする請求項5に記載の支持体。
- 支持体表面の面積が基板よりも大きく、かつ、支持体外周部が基板の厚みより高い形状であり、支持体に基板を填め込んで固定化させる構造であることを特徴とする請求項1に記載の支持体。
- 基板を支持するための固定化剤が、表層部に均等に充填されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の支持体。
- 上記固定化剤が、溶融温度50〜300℃の結晶性化合物を主成分とし、かつ、該固定化剤の溶融温度幅が30℃以下であることを特徴とする請求項9に記載の支持体。
- 上記結晶性化合物が、C、H、Oの元素のみで構成され、かつ、分子量が1000以下の脂肪族化合物または脂環式化合物であることを特徴とする請求項10に記載の支持体。
- 請求項9〜11のいずれかに記載の支持体と基板とを真空中で加熱圧着することにより、基板を支持体に固定化して保持させることを特徴とする基板の支持方法。
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