TWI606103B - Extreme ultraviolet light pellicle - Google Patents

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Description

極紫外線用防塵薄膜組件
本發明是有關於一種半導體裝置、印刷基板、液晶面板等製造時作為防塵器使用的防塵薄膜組件，特別是有關於在用極紫外線（Extreme Ultra-Violet，EUV）進行光刻時所用的EUV用防塵薄膜組件。
在LSI、超LSI等的半導體製造或液晶面板等的製造中，要對半導體晶圓或液晶用原板進行光照射製作圖，此時，使用的光罩或中間遮罩（以下，統稱光罩）會有灰塵附著，這會使尖端不變得模糊，還會使基底變得髒汙等等，如此產生尺寸、品質、外觀等受損的問題。
如此，這些作業通常在無塵室中進行，但是即使如此，也難以始終保持光罩的清潔。因此，壓在光罩表面將作為除塵器的防塵薄膜組件貼附後再進行曝光。在該場合，異物不在光罩的表面上直接附著，而是附著在防塵薄膜組件上，如此，在光刻時只要將焦點與光罩的圖案相合，防塵薄膜組件上的異物就與轉印無關係了。
一般，防塵薄膜組件為將光良好透過的硝酸纖維素、乙酸纖維素或氟樹脂等構成的透明防塵膜，在塗布了防塵膜的良溶媒的由鋁、不銹鋼、聚乙烯等構成的防塵薄膜組件框架的上端面上，將所述良溶劑風乾後接著（參照專利文獻1），或者用丙烯酸樹脂以及環氧樹脂等的接著劑進行接著（參照專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4）。接著，在防塵薄膜組件框架的下端面設置光罩接著用的由聚丁烯樹脂、聚乙酸乙烯基樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂等構成的黏著層，以及為保護黏著層的離型層（分離膜）。
如此，將這樣的防塵薄膜組件安裝在光罩的表面，對介於光罩半導體晶圓或液晶用原版上形成的光抗蝕材料膜進行曝光的場合，灰塵等的異物就在防塵薄膜組件的表面上附著，不在光罩的表面直接附著，如此，在光罩上形成的圖案上將焦點對準，進行曝光用的光照射，灰塵等的異物的影響就可以避免。
但是，近年，半導體裝置以及液晶面板越來越高積體化、細微化。現在將32nm左右的細微圖案在光抗蝕材料膜上形成的技術也逐漸實用化。如果為32nm左右的圖案，半導體晶圓或液晶用原版和投影透鏡之間充滿超純水等的液體，使用ArF準分子雷射，可以用將光抗蝕材料膜曝光的液浸曝光技術以及使用多重曝光等的以往的準分子雷射使用的改良技術來對應。
但是，在下一代的半導體裝置以及液晶面板上進一步細微化的10nm以下的圖案形成就成為必須，為了形成這樣的細微化的10nm以下的圖案，僅將以往的使用準分子雷射的曝光技術的改良來對應就不可能了。
由此，作為10nm以下的圖案的形成方法，就只有使用以13.5nm為主波長的EUV光的EUV曝光了。使用該EUV曝光技術在光抗蝕材料膜上形成10nm以下的細微的圖案的場合，使用那樣的光源、使用那樣的光抗蝕材料、使用那樣的防塵薄膜組件等的技術的課題的解決就變得必要了，這些技術的課題之中，新的光源和新的光抗蝕材料的開發有進步，有各種的提案。
其中，關於左右半導體裝置或液晶面板的產率的防塵薄膜組件，例如，專利文獻3中，作為EUV光刻中使用的防塵膜，雖然記載了透明，不發生光學變形的厚度0.1～2.0μm的矽製薄膜，但也留下了未解決的問題，這成為EUV曝光技術實用化的大問題。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開昭58-219023號公報 [專利文獻2]日本專利特公昭63-27707號公報 [專利文獻3]美國專利第6623893號說明書 [專利文獻4]美國專利第4861402號說明書
特別是，有關將防塵膜貼附於防塵薄膜組件框架的接著劑的材料，在以往的i線（波長365nm）曝光，KrF準分子雷射光（波長248nm）曝光，ArF準分子雷射光（波長193nm）的曝光中，只對其接著力加以考慮而進行選擇。
但是，在使用EUV曝光技術，在光抗蝕材料膜中形成10nm以下的細微的圖案的場合，在最近進行的模擬結果中，矽製防塵膜中EUV光照射的部分，該EUV光的能能夠被加熱到500℃附近。防塵膜、接著劑、防塵薄膜組件框架的材質不同，線性膨漲係數不同，加熱的場合，各材質的膨漲比例不同。
進而，一般來說，有機物的接著劑的熱傳導率低，所以防塵膜受到的EUV光的照射能發生的熱，不能在防塵薄膜組件框架中傳遞放熱。因此，該熱會使防塵膜變形，所以細微的曝光變得不可能。進而，最嚴重的場合，有可能發生防塵膜的破損以及防塵膜的脫落等。以此，有必要將EUV光的照射能產生的熱迅速地向外部放熱。
作為參考資料，列出以下各種材料的熱傳導率、線性膨漲係數。 [參考資料（1）：各種材料的熱傳導率] 有機矽（防塵膜）：170W/（m・K） 石英玻璃（光罩）：1.5W/（m・K） 矽酮樹脂（接着劑）：0.2W/（m・K） 丙烯酸樹脂（接着劑）：0.2W/（m・K） 鋁（防塵薄膜組件框架）：240W/（m・K） [參考資料（2）：各種材料的線性膨漲係數] 矽（防塵膜）：2.4×10-6 （/K） 石英玻璃（光罩）：0.5×10-6 （/K） 矽酮樹脂（接著劑）：300×10-6 （/K） 丙烯酸樹脂（接著劑）：200×10-6 （/K） 鋁（防塵薄膜組件框架）：23×10-6 （/K）
由此，本發明，就是要解決上述的課題，其目的為提供一種不會產生由於EUV光的照射能造成的防塵膜的變形以及破損、脫落的EUV用防塵薄膜組件。
本發明者等人，對上述課題解決進行了深入的研究，在眾多的接著劑中，發現了對接著劑100質量份調配熱傳導性充填劑100～4,000質量份得到的接著劑組合物，例如，在EUV曝光技術的使用時，效果良好，從而得到了本發明。
本發明的EUV用防塵薄膜組件為至少包括防塵膜，上述防塵膜在一方的端面上通過接著層貼附的防塵薄膜組件框架，上述防塵薄膜組件框架的另一方的端面上設置的為了將防塵薄膜組件貼附於光罩的黏著層，其特徵在於，作為上述接著層的接著劑，使用配合了熱傳導性充填劑的接著劑組合物。
在本發明中，所謂熱傳導性充填劑的意思為，比接著層的接著劑的熱傳導率高的物性的粉末。 [發明的效果]
根據本發明，EUV曝光的能在防塵膜中發生的熱能夠迅速地向防塵薄膜組件框架傳導，進行放熱。其結果，就可以提供一種沒有防塵膜的變形以及破損、脫落的EUV用防塵薄膜組件。
以下，參考附圖對本發明進行詳細說明，但是本發明並不限於此。
圖1為本發明的防塵薄膜組件的一實施方式的縱截面圖。該防塵薄膜組件1中，防塵膜11通過接著層12繃緊設置在防塵薄膜組件1的防塵薄膜組件框架13的上端面上，由於該防塵薄膜組件1要貼附於光罩（或該玻璃基板部分）上，從而其形狀與光罩相對應，通常為四角框狀（長方形框狀或正方形框狀），在防塵薄膜組件框架13的下端面為了將防塵薄膜組件貼附於光罩，具有黏著層14。在黏著層14的下端面，具有保護黏著層14的離型層（分離膜）15，其為可剝離地貼附。接著層12，為在接著劑中將熱傳導性充填劑配合而成的接著劑組合物。
在此，防塵膜的材質沒有特別的限制，公知之物就可以使用。EUV曝光中使用的場合，以對EUV光透過率的高的矽等為優選。
防塵薄膜組件框架的材質也沒有特別的限制，鋁、不銹鋼等的金屬，合金，聚乙烯等的合成樹脂等的公知物都可以使用，從放熱性的點來看，金屬製物為優選。
本發明中，防塵膜和防塵薄膜組件框架為通過接著層而接著的。該接著層為在接著劑中將熱傳導性充填劑調配而成的接著劑組合物。該接著層，在防塵薄膜組件框架的上端面以規定的寬度設置（通常與防塵薄膜組件框架的框架寬相同或其以下），在防塵薄膜組件框架的上端面的周方向全周來形成，防塵膜在防塵薄膜組件框架上端面貼附。
作為上述接著劑，聚丁烯系接著劑、聚乙酸乙烯基酯系接著劑、丙烯酸系接著劑、矽酮系接著劑等的任意的接著劑都可以作為上述接著劑組合物的基材來使用，其中，矽酮系接著劑、丙烯酸系接著劑作為上述接著劑組合物的基材特別適宜。
作為上述矽酮系接著劑，例如，可以使用信越化學工業股份有限公司市售的矽酮系接著劑，由於為使用於高溫，耐熱性高的接著劑為優選（例如，信越化學工業股份有限公司製的矽酮接著劑，商品名KE-101A/B、KE-1285A/B、KE-1803A/B/C、KE-1854、KE-1880等）。
進而，作為上述丙烯酸系接著劑，可以使用例如，綜研化學股份有限公司市售的丙烯酸系接著劑（商品名SK-DYNE SERIES等）。
上述接著劑在高溫時接著力也良好，例如，KE1285A/B的鋁拉伸剪切接著強度對初期值1.5MPa，在150℃×1000小時的耐熱試驗後，也能維持1.8MPa接著力。
該150℃×1000小時的耐熱試驗後的鋁拉伸剪切接著強度，如為試驗前的初期值為70%以上的值的話，由於接著劑被EUV光加熱的場合接著力也可以被保持，所以優選，如為90%以上，為進一步優選。
進而，上述矽酮系接著劑中，特別是耐熱性高，高溫時的揮發成分少的，以信越化學工業股份有限公司製的商品名KE-101A/B為優選。進而，上述丙烯酸系接著劑中，從接著力以及操作性來說，以綜研化學股份有限公司製的商品名SK-1425為優選。
上述熱傳導性充填劑，由於熱傳導率越高越可以提高作為接著層全體的熱傳導率，故而優選。特别是，比上述接着劑熱傳導率高2W/（m・K）以上為優選，高於5W/（m・K）以上為更優選。
作為上述熱傳導性充填劑，可以列舉氧化銀、氧化銅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂、氧化鐵等的金屬氧化物的粉末，碳酸鈣、碳酸鎂、碳酸鋅等的金屬碳酸鹽的粉末，氫氧化鋁、氫氧化鎂等的金屬氫氧化物的粉末，氮化硼、氮化鋁、氮化矽、氮化碳等的氮化物的粉末，碳化矽的粉末，以及金剛石的粉末。特別是氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氫氧化鋁、氫氧化鎂、氮化硼、以及氮化鋁為熱傳導率高，處理容易，故優選。這些的熱傳導性充填劑可以1種單獨或2種以上組合使用。
作為參考資料，以下列舉出各種熱傳導性充填劑的熱傳導率。 [參考資料（3）：各種熱傳導性充填劑的熱傳導率] 氧化鋁：36W/（m・K） 氧化钛：8W/（m・K） 氧化锌：25W/（m・K） 氮化硼：210W/（m・K）
上述熱傳導性充填劑的配合量，對接著劑100質量份，為100～4,000質量份，特別是200～4,000質量份為優選。該熱傳導性充填劑過少的場合，熱傳導特性不充分，該熱傳導性充填劑過多的場合，不能與接著劑的均一混煉。
本發明中的接著劑組合物，即使在接著劑中只調配熱傳導性充填劑之物也可，或進而根據需要，進一步調配著色劑以及氧化防止劑等的任意的添加劑的1種進而2種以上，只要在不損害本發明的目的的範圍內也可。
向防塵薄膜組件框架的上述接著劑組合物的塗布，可以用例如塗布裝置進行。圖2為本發明的接著層的形成中適宜使用的接著劑塗布裝置的一例的示意圖。該接著劑塗布裝置2這樣構成，即，注射器23通過由固定軌道以及可動軌道組合構成的3軸機器人22在架台21上方安裝，機器人可以使注射器23在XYZ軸方向上移動。注射器23的先端中有針25被安裝，裝滿上述接著劑組合物的注射器23與空氣加壓式分佈器（未圖示）接續，3軸機器人22的控制部（未圖示）對機器人動作和塗布液吐出的兩方進行控制。如此，在接著劑塗布裝置2的架台21上設置的防塵薄膜組件框架24，邊移動邊接受上述接著劑組合物從針25滴下的液滴，由此防塵薄膜組件框架24上被塗布上述接著劑組合物。
進而，上述接着劑組合物的移送手段（未圖示），不限於空氣加壓、氮氣加壓等的氣体加壓，注射器泵、管泵等，只要是可以控制供给量以及吐出・停止的各種的移送手段都可以利用。
進一步，上述接著劑組合物的黏度高，用塗布裝置塗布困難的場合，根據需要，可以添加甲苯、二甲苯等的芳香族系溶劑，己烷、辛烷、異辛烷、異構鏈烷烴等的脂肪族系溶劑，甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯的等的酯系溶劑，二異丙基醚、1,4-二氧雜環已烷等的醚系溶劑或這些的混合溶劑。
進而，黏著層14在防塵薄膜組件框架13的下端面形成，用於向光罩的貼附。黏著劑的材質沒有特別的限制，可以使用矽酮系黏著劑、丙烯酸系黏著劑等的公知之物。其形成方法可以用與上述接著層的形成方法同樣的方法進行。進而，離形層（分離膜）15用來保護黏著層，直至防塵薄膜組件貼附於光罩，在防塵薄膜組件的使用時去除。即，在離型層（分離膜），在黏著層直至防塵薄膜組件的使用時需要保護的場合，要進行適宜設置。防塵薄膜組件產品一般是帶著離型層（分離膜）而流通的。離型層（分離膜）的材質也沒有特別的限制，可以使用公知之物，進而，離型層（分離膜）用公知的方法在黏著層上貼附即可。 [實施例]
以下，用實施例以及比較例對本發明進行具體說明，但是本發明並不限於下述實施例。
[實施例1] 首先，對外尺寸782×474mm，內尺寸768×456mm，高度5.0mm，的，防塵薄膜組件框架的上端面以及下端面的各外內兩邊緣部進行R加工的，這些兩端面側的各平坦面為寬4.0mm，角部的內尺寸R2.0mm，外尺寸R6.0mm的長方形的鋁合金製防塵薄膜組件框架進行機械加工製作，表面施以黒色氧化膜處理。將該防塵薄膜組件框架搬入無塵室，用中性洗劑和純水，充分洗浄・乾燥。
然後，在圖2中所示的接著劑塗布裝置2的架台21上，將防塵薄膜組件框架24固定，使上述防塵薄膜組件框架24的上端面（接著劑塗布端面）向上，且放置為水平。
在矽酮系接著劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接著劑：製品名：硬化後的熱傳導率0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉，製品名）400質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）200質量份，混合成均一的組合物。進一步加入甲苯100質量份，稀釋調製為接著劑組合物原料。
如此調製的上述接著劑組合物原料充填到圖2中所示的接著劑塗布裝置2的聚丙烯（PP）製注射器23中。注射器23與空氣加壓式分佈器（岩下工程股份有限公司製，未圖示）接續，3軸機器人22的控制部（未圖示）對機器人動作和塗布液吐出的兩方進行控制，自動運行，在防塵薄膜組件框架24的上端面的周方向全周，從針25上述接著劑組合物原料滴下，在上端面的平坦部將該接著劑組合物原料塗布。
其後，將上述接著劑組合物原料風乾為難以流動後，在上述防塵薄膜組件框架下端面，塗布作為光罩的貼附用黏著劑的矽酮系黏著劑（信越化學工業股份有限公司製，製品名：X-40-3122）。用高頻感應加熱裝置將上述防塵薄膜組件框架加熱至130℃，上述接著劑組合物原料中溶媒完全蒸發的同時，該接著劑組合物原料以及上述黏著劑硬化，接著層以及黏著層形成。
其後，將防塵膜在上述防塵薄膜組件框架的上述接著劑組合物原料塗布端面側貼附，用刀將外側的不需要膜切除，得到防塵薄膜組件。
[實施例2] 在有機矽系接着劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接着劑：製品名：硬化後的熱傳導率0.2W/（m・K））100質量份中，加入BW-53（日本氫金屬股份有限公司製氫氧化鋁粉：製品名）400質量份和BF-013（日本氫金屬股份有限公司製氫氧化鋁粉：製品名）200質量份，混合得到均一的組合物，進一步用甲苯100質量份稀釋，得到接着劑組合物原料，除此之外與實施例1同樣進行防塵薄膜組件的製作。
[實施例3] 在丙烯酸系接著劑SK-1425（綜研化學股份有限公司製丙烯酸系黏著劑：製品名：硬化後的熱傳導率 0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）400質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）200質量份，混合得到均一的組合物，進一步用甲苯100質量份進行稀釋，得到接著劑組合物原料，除此以外，用與實施例1相同的方法製作防塵薄膜組件。
[實施例4] 在矽酮系接著劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接著劑：製品名：硬化後的熱傳導率 0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）100質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）50質量份，混合得到均一的組合物，進一步用甲苯100質量份進行稀釋，得到接著劑組合物原料，其他步驟與實施例1相同，得到防塵薄膜組件。
[實施例5] 在矽酮系接著劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接著劑：製品名：硬化後的熱傳導率 0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）2400質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）1200質量份，混合得到均一的組合物，進一步用甲苯100質量份進行稀釋，得到接著劑組合物原料，其他步驟與實施例1相同，製得防塵薄膜組件。
[比較例1] 在矽酮系接著劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接著劑：製品名：硬化後的熱傳導率　0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）60質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）30質量份，混合得到均一的組合物，進一步用甲苯100質量份進行稀釋，得到接著劑組合物原料，其他步驟與實施例1同樣，得到防塵薄膜組件。
[比較例2] 在矽酮系接著劑KE-101A/B（信越化學工業股份有限公司製矽酮系接著劑：製品名：硬化後的熱傳導率 0.2W/（m・K））100質量份中，加入alumina AS-30（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）3000質量份和alumina AL-47-1（昭和電工股份有限公司製氧化鋁粉：製品名）1500質量份，混合，相對於矽酮系接著劑成分，熱傳導性充填劑的充填量過多，沒有製得均一的組合物。
對實施例1～5，比較例1，進行以下的加熱試驗，測定熱傳導率，進行評價。
[加熱試驗] 將上述實施例1～5以及比較例1製作的防塵薄膜組件在玻璃基板上貼附，進行加熱試驗。向玻璃基板的貼附以及加熱試驗條件如下。
將上述防塵薄膜組件黏著層側向放在玻璃基板上，用加壓機在防塵薄膜組件框架上以10MPa的壓力加壓5分鐘，製作向玻璃基板貼附的防塵薄膜組件貼附評價用試樣。將該評價用試樣放入烘箱中，進行配置，使120℃的熱風吹到防塵膜，進行240小時加熱試驗，對試驗前後的防塵薄膜組件的狀態進行確認。結果列於表1。
[熱傳導率測定] 在75mm×150mm的金屬製框體中，將實施例1～5以及比較例1調製的接著劑組合物原料加以充填，得到硬化後的厚度為12mm的塊狀物。硬化是將接著劑組合物原料與框體一同放置熱板上，加熱至130℃，使溶媒完全蒸發，該接著劑組合物原料硬化，製得熱傳導率測定用試樣。對該試樣，用熱傳導率計（商品名：Kemtherm QTM-D3迅速熱傳導率計，京都電子工業股份有限公司製），對熱傳導率進行測定。結果列於表1中。
[綜合評價] 基於上述加熱試驗以及上述傳導率測定的結果，用下述的基準進行綜合評價。結果列於表1中。 ○：防塵薄膜組件的狀態、熱傳導率皆為良好的場合 ×：防塵薄膜組件的狀態、熱傳導率之中，皆不良的場合
[表1]
從表1的結果得知，實施例1～5中，防塵膜中發生的熱可以迅速地傳到防塵薄膜組件框架中，並進行放熱，其結果為，本發明中沒有防塵膜的變形以及破損、脫落，可以提供在EUV曝光技術的使用時也良好的EUV用防塵薄膜組件。
1‧‧‧防塵薄膜組件
2‧‧‧接著劑塗布裝置
11‧‧‧防塵膜
12‧‧‧接著層
13‧‧‧防塵薄膜組件框架
14‧‧‧黏著層
15‧‧‧離型層（分離膜）
21‧‧‧架台
22‧‧‧3軸機器人
23‧‧‧注射器
24‧‧‧防塵薄膜組件框架
25‧‧‧針
圖1為本發明的防塵薄膜組件的一實施方式的縱截面圖。 圖2為接著劑塗布裝置的概略說明圖。
1‧‧‧防塵薄膜組件
11‧‧‧防塵膜
12‧‧‧接著層
13‧‧‧防塵薄膜組件框架
14‧‧‧黏著層
15‧‧‧離型層(分離膜)

Claims (10)

  1. 一種極紫外線用防塵薄膜組件，至少具有防塵膜、所述防塵膜在一方的端面上通過接著層貼附的防塵薄膜組件框架以及所述防塵薄膜組件框架的另一方的端面上設置的黏著層，所述極紫外線用防塵薄膜組件的特徵在於：所述接著層包括對接著劑100質量份調配熱傳導性充填劑100~4,000質量份而成的接著劑組合物，所述熱傳導性充填劑為從由金屬氧化物的粉末、金屬碳酸鹽的粉末、金屬氫氧化物的粉末、氮化物的粉末、碳化矽的粉末以及金剛石的粉末組成的組中選擇的至少1種。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述金屬氧化物為從由氧化銀、氧化銅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鎂及氧化鐵組成的群中選擇的至少1種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述金屬氧化物為從由氧化鋁、氧化鈦以及氧化鋅組成的群中選擇的至少1種。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述金屬氫氧化物為從由氫氧化鋁以及氫氧化鎂組成的組中選擇的至少1種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述氮化物為從由氮化硼、氮化鋁、氮化矽及氮化碳組成的組中選擇的至少1種。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的極紫外線用塵薄膜組件，其中所述金屬碳酸鹽為從由碳酸鈣、碳酸鎂及碳酸鋅組成的組中選擇的至少1種。
  7. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的極紫外線用塵薄膜組件，其中所述接著劑為矽酮系接著劑。
  8. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述接著劑為丙烯酸系接著劑。
  9. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述接著劑的150℃×1000小時的耐熱試驗後的鋁拉伸剪切接著強度為試驗前的初期值的70%以上的值。
  10. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的極紫外線用防塵薄膜組件，其中所述接著劑為從由信越化學工業股份有限公司製的商品名KE-101A/B、KE-1285A/B、KE-1803A/B/C、KE-1854、KE-1880的產品以及綜研化學股份有限公司製的商品名SK-1425產品組成的群中選擇的至少1種。
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