JP2013214676A - 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板に対する処理を適切に行う。
【解決手段】保持部６０は、重合ウェハＴから剥離された被処理ウェハＷに対して所定の処理を行う際、当該被処理ウェハＷを吸引して保持する。保持部６０は、複数の孔が形成されたポーラス６１と、被処理ウェハＷを吸引する吸引部材６２とを有している。吸引部材６２は、中心領域６３と外周領域６４とに区画されている。保持部６０は、中心領域６３と外周領域６４毎に被処理ウェハＷを吸引する吸引圧力を設定可能になっている。
【選択図】図３

Description

本発明は、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離システム、当該剥離システムを用いた剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

近年、例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」とする）の大口径化が進んでいる。また、実装などの特定の工程において、ウェハの薄型化が求められている。そして、例えば大口径で薄いウェハを、そのまま搬送したり、研磨処理したりすると、ウェハに反りや割れが生じる恐れがある。このため、ウェハを補強するために、０例えば支持基板であるウェハやガラス基板にウェハを貼り付けることが行われている。そして、このようにウェハと支持基板が接合された状態でウェハの研磨処理等の所定の処理が行われた後、ウェハと支持基板が剥離される。

かかるウェハと支持基板の剥離は、例えば剥離装置を用いて行われる。例えば特許文献１には、熱酸化膜を形成した支持基板に、デバイスが形成されたウェハを直接接合し、その後ウェハの剥離を行う剥離装置が提案されている。この剥離装置は、例えばウェハを保持する第１ホルダーと、支持基板を保持する第２ホルダーと、ウェハと支持基板との間に液体を噴射するノズルとを有している。そして、この剥離装置では、ノズルから接合されたウェハと支持基板との間、すなわちウェハと支持基板との接合面に、当該ウェハと支持基板との間の接合強度より大きい噴射圧、好ましくは接合強度より２倍以上大きい噴射圧で液体を噴射することにより、ウェハと支持基板の剥離が行われている。

特開平９−１６７７２４号公報

ところで、ウェハと支持基板が剥離されると、剥離されたウェハは所定の処理装置に搬送され、当該処理装置においてウェハに所定の処理が行われる。この処理が適切に行われるためには、例えば保持部にウェハが水平に保持される必要がある。

しかしながら、ウェハ上にはデバイスが形成されており、しかもウェハは薄型化されているため、ウェハの外周部が反る場合がある。かかる場合、保持部の外周部では外部の空気も吸引するため、ウェハを吸引する力が中心部に比べて弱くなり、外周部が反ったウェハを水平に保持することができない場合がある。そうすると、ウェハに対する所定の処理を適切に行うことができない。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板に対する処理を適切に行うことを目的とする。ことを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、重合基板から剥離された被処理基板に対して所定の処理を行う際、当該被処理基板を吸引して保持する保持部を有し、前記保持部の表面には、複数の孔が形成された多孔質体が設けられ、前記保持部は、少なくとも中心領域と当該中心領域の外側の外周領域とに区画され、当該中心領域と外周領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴としている。

本発明によれば、保持部が被処理基板を保持する際、中心領域と外周領域において異なる吸引圧力で被処理基板を吸引することができる。例えば被処理基板が下方に突出した反り形状を有する場合、中心領域に比べて外周領域における吸引圧力を大きくする。かかる場合、被処理基板の中心部は適切に吸引されると共に、保持部の外周領域において外部の空気を吸引したとしても、被処理基板の外周部を適切に吸引することができる。このため、保持部では、被処理基板の反りを矯正して、被処理基板を適切に保持することができる。なお、保持部の中心領域に比べて外周領域における吸引圧力を大きくしても、実際には被処理基板の中心部に比べて外周部を吸引する力が小さくなることはあるが、被処理基板の反りを矯正できる程度に保持部の外周領域における吸引圧力を設定すればよい。また、例えば被処理基板が上方に突出した反り形状を有する場合においても、被処理基板の反りを矯正できる程度に、中心領域の吸引圧力と外周領域の吸引圧力を設定すればよい。そうすると、保持部によって被処理基板の反りを矯正することができる。また、このように適切な吸引圧力で被処理基板を吸引することによって、被処理基板の位置ずれを抑制することもできる。さらに、このように適切な吸引圧力で被処理基板を吸引することによって、被処理基板の外周部のチッピングを防止することもできる。以上のよう本発明によれば、保持部において被処理基板を適切に保持することができ、当該被処理基板に対する処理を適切に行うことができる。

前記外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であってもよい。

前記剥離システムは、重合基板から剥離された被処理基板を環状のフレームの内側に配置して、テープを介して被処理基板と前記フレームを一体化するマウント装置を有し、前記マウント装置は前記保持部を有していてもよい。

前記剥離システムは、重合基板から剥離された被処理基板の表面を洗浄する洗浄装置を有し、前記洗浄装置は前記保持部を有していてもよい。

前記洗浄装置における前記保持部の前記外周領域の表面は、側面視において、内側から外側に向かって下方に傾斜していてもよい。

重合基板は環状のフレームの内側に配置されて、被処理基板の非接合面と前記フレームの表面に貼り付けられたテープにより保持され、前記外周領域は、第１の外周領域と当該第１の外周領域の外側の第２の外周領域とに区画され、当該第１の外周領域と第２の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、前記第２の外周領域は、被処理基板より外側の前記テープに対応する位置に形成されていてもよい。

前記第１の外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であってもよい。

前記剥離システムは、重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた処理ステーションと、前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有していてもよい。

別な観点による本発明は、被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、重合基板から剥離された被処理基板に対して所定の処理を行う際、当該被処理基板は保持部に吸引されて保持され、前記保持部の表面には、複数の孔が形成された多孔質体が設けられ、且つ前記保持部は、少なくとも中心領域と当該中心領域の外側の外周領域とに区画され、当該中心領域と外周領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、前記保持部が被処理基板を保持する際、前記中心領域と前記外周領域において異なる吸引圧力で被処理基板を吸引することを特徴としている。

前記外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であってもよい。

重合基板から剥離された被処理基板を環状のフレームの内側に配置して、テープを介して被処理基板と前記フレームを一体化するマウント装置において、前記保持部で被処理基板が保持されてもよい。

重合基板から剥離された被処理基板の表面を洗浄する洗浄装置において、前記保持部で被処理基板が保持されてもよい。

前記洗浄装置における前記保持部の前記外周領域の表面は、側面視において、内側から外側に向かって下方に傾斜していてもよい。

重合基板は環状のフレームの内側に配置され、被処理基板の非接合面と前記フレームの表面に貼り付けられたテープにより保持され、前記外周領域は、第１の外周領域と当該第１の外周領域の外側の第２の外周領域とに区画され、当該第１の外周領域と第２の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、前記保持部が被処理基板を保持する際、前記中心領域と前記外周領域において異なる吸引圧力で被処理基板を吸引し、前記第２の外周領域において被処理基板より外側の前記テープを吸引してもよい。

前記第１の外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であってもよい。

また別な観点による本発明によれば、前記剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板に対する処理を適切に行うことができる。

本実施の形態にかかる剥離システムの構成の概略を示す平面図である。 被処理ウェハと支持ウェハの側面図である。 保持部の構成の概略を示す縦断面図である。 保持部の構成の概略を示す平面図である。 保持部が下方に突出した被処理ウェハの反りを矯正する様子を示す説明図である。 保持部が上方に突出した被処理ウェハの反りを矯正する様子を示す説明図である。 剥離装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第１の洗浄装置の構成の概略を示す横断面図である。 第２の洗浄装置の構成の概略を示す縦断面図である。 第２の搬送装置の構成の概略を示す側面図である。 反転装置の構成の概略を示す縦断面図である。 検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。 検査装置の構成の概略を示す横断面図である。 マウント装置の構成の概略を示す縦断面図である。 剥離処理の主な工程を示すフローチャートである。 重合ウェハを予備加熱する様子を示す説明図である。 重合ウェハを第２の保持部に載置した様子を示す説明図である。 第１の保持部と第２の保持部で重合ウェハを保持した様子を示す説明図である。 第２の保持部を鉛直方向及び水平方向に移動させる様子を示す説明図である。 被処理ウェハと支持ウェハを剥離した様子を示す説明図である。 剥離装置の第１の保持部から第２の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第２の搬送装置のベルヌーイチャックから第１の洗浄装置のポーラスチャックに被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 第３の搬送装置のベルヌーイチャックから反転装置の第２の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 反転装置の第２の保持部から第１の保持部に被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 反転装置の第１の保持部から第３の搬送装置のベルヌーイチャックに被処理ウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態においてダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの縦断面図である。 他の実施の形態においてダイシングフレームとダイシングテープに保持された重合ウェハの平面図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかる保持部の構成の概略を示す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。

剥離システム１では、図２に示すように被処理基板としての被処理ウェハＷと支持基板としての支持ウェハＳとが接着剤Ｇで接合された重合基板としての重合ウェハＴを、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する。以下、被処理ウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合される面を「接合面Ｗ_Ｊ」といい、当該接合面Ｗ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｗ_Ｎ」という。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介して被処理ウェハＷと接合される面を「接合面Ｓ_Ｊ」といい、当該接合面Ｓ_Ｊと反対側の面を「非接合面Ｓ_Ｎ」という。なお、被処理ウェハＷは、製品となるウェハであって、例えば接合面Ｗ_Ｊ上に複数の電子回路等を備えた複数のデバイスが形成されている。また被処理ウェハＷは、例えば非接合面Ｗ_Ｎが研磨処理され、薄型化（例えば厚みが５０μｍ〜１００μｍ）されている。支持ウェハＳは、被処理ウェハＷの径と同じ径の円板形状を有し、当該被処理ウェハＷを支持するウェハである。なお、本実施の形態では、支持基板としてウェハを用いた場合について説明するが、例えばガラス基板等の他の基板を用いてもよい。

剥離システム１は、図１に示すように例えば外部との間で複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔが搬入出される搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えた処理ステーション３と、処理ステーション３に隣接する後処理ステーション４との間で被処理ウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。

搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｘ方向（図１中の上下方向）に並べて配置されている。これら搬入出ステーション２と処理ステーション３との間には、ウェハ搬送領域６が形成されている。インターフェイスステーション５は、処理ステーション３のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）に配置されている。インターフェイスステーション５のＸ方向正方向側（図１中の上方向側）には、後処理ステーション４に受け渡す前の被処理ウェハＷを検査する検査装置７が配置されている。また、インターフェイスステーション５を挟んで検査装置７の反対側、すなわちインターフェイスステーション５のＸ方向負方向側（図１中の下方向側）には、検査後の被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ及び非接合面Ｗ_Ｎの洗浄と、被処理ウェハＷの表裏面の反転を行う検査後洗浄ステーション８が配置されている。

搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば３つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ方向（図１中の左右方向）に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、剥離システム１の外部に対してカセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを搬入出する際に、カセットＣ_Ｗ、Ｃ_Ｓ、Ｃ_Ｔを載置することができる。このように搬入出ステーション２は、複数の被処理ウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴを保有可能に構成されている。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施の形態に限定されず、任意に決定することができる。また、搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと、欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

またカセット載置台１０には、重合ウェハＴの水平方向の向きを調節する位置調節装置１２が設けられている。なお位置調節装置１２は、複数の重合ウェハＴを収容してバッファとしても機能している。

ウェハ搬送領域６には、第１の搬送装置２０が配置されている。第１の搬送装置２０は、例えば鉛直方向、水平方向（Ｙ方向、Ｘ方向）及び鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有している。第１の搬送装置２０は、ウェハ搬送領域６内を移動し、搬入出ステーション２と処理ステーション３との間で被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送できる。

処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０を有している。剥離装置３０のＹ方向負方向側（図１中の左方向側）には、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１が配置されている。剥離装置３０と第１の洗浄装置３１との間には、第２の搬送装置３２が設けられている。また、剥離装置３０のＹ方向正方向側（図１中の右方向側）には、剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３が配置されている。このように処理ステーション３には、第１の洗浄装置３１、第２の搬送装置３２、剥離装置３０、第２の洗浄装置３３が、インターフェイスステーション５側からこの順で並べて配置されている。

検査装置７では、剥離装置３０により剥離された被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無等が検査される。また、検査後洗浄ステーション８では、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認された被処理ウェハＷの洗浄が行われる。この検査後洗浄ステーション８は、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを洗浄する接合面洗浄装置４０、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを洗浄する非接合面洗浄装置４１、被処理ウェハＷの表裏面を上下反転させる反転装置４２を有している。これら接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１、反転装置４２は、後処理ステーション４側からＹ方向に並べて配置されている。

インターフェイスステーション５には、Ｙ方向に延伸する搬送路５０上を移動自在な第３の搬送装置５１が設けられている。第３の搬送装置５１は、鉛直方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、処理ステーション３、後処理ステーション４、検査装置７及び検査後洗浄ステーション８との間で被処理ウェハＷを搬送できる。

なお、後処理ステーション４では、処理ステーション３で剥離された被処理ウェハＷに所定の後処理を行う。所定の後処理としては、例えば被処理ウェハＷをマウントする処理や、被処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査を行う処理、被処理ウェハＷをチップ毎にダイシングする処理などが行われる。そして、後処理ステーション４には、例えば後述する被処理ウェハＷをマウントするマウント装置３２０が設けられている。

ここで、上述した剥離システム１において、重合ウェハＴから剥離された被処理ウェハＷに対して所定の処理を行う際、当該被処理ウェハＷを吸引して保持する保持部について説明する。なお本実施の形態では、上述した所定の処理は、被処理ウェハＷをマウントする処理と、被処理ウェハＷを洗浄する処理である。

図３及び図４に示すように保持部６０には、ポーラスチャックが用いられる。保持部６０は、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎと当接する多孔質体としてのポーラス６１と、ポーラス６１の下面側に設けられ、被処理ウェハＷを吸引する吸引部材６２とを有している。

ポーラス６１には、複数の孔が形成されている。またポーラス６１は、平面視において円形状を有し、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有している。なおポーラス６１としては、多孔質であれば種々の材料を用いることができ、例えばカーボン、アルミナ、炭化ケイ素、テフロン（デュポン社の登録商標）が用いられる。但し、被処理ウェハＷへの損傷の防止を鑑みると、カーボンを用いるのがより好ましい。

吸引部材６２は平面視において円形状を有し、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有している。吸引部材６２は、中心領域６３と外周領域６４とに区画されている。中心領域６３は、平面視において円形状を有している。外周領域６４は中心領域６３の外側に形成され、平面視において環状形状を有している。なお、例えば３００ｍｍの径を有する被処理ウェハＷを用いた場合、中心領域６３と外周領域６４の境目は例えば中心からの距離が２００ｍｍの位置である。

中心領域６３には、吸引管６５が設けられている。吸引管６５は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置６６に接続されている。そして中心領域６３では、吸引管６５からポーラス６１を介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが均一に吸引される。また外周領域６４には、吸引管６７が設けられている。吸引管６７は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置６８に接続されている。そして外周領域６４では、吸引管６７からポーラス６１を介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが均一に吸引される。以上のように保持部６０では、中心領域６３と外周領域６４毎に個別の負圧発生装置６６、６８が設けられ、当該中心領域６３と外周領域６４毎に被処理ウェハＷを吸引する吸引圧力を設定可能になっている。そして、保持部６０が被処理ウェハＷを保持する際、中心領域６３と外周領域６４において異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することができる。

例えば図５に示すように被処理ウェハＷが下方に突出した反り形状を有する場合、中心領域６３に比べて外周領域６４における吸引圧力を大きくする。かかる場合、被処理ウェハＷの中心部は適切に吸引されると共に、保持部６０の外周部において外部の空気を吸引したとしても、被処理ウェハＷの外周部を適切に吸引することができる。このため、保持部６０では、被処理ウェハＷの反りを矯正して、被処理ウェハＷを適切に保持することができる。なお、保持部６０の中心領域６３に比べて外周領域６４における吸引圧力を大きくしても、実際に被処理ウェハＷの中心部に比べて外周部を吸引する力が小さくなることはあるが、被処理ウェハＷの反りを矯正できる程度に保持部６０の外周領域６４における吸引圧力を設定すればよい。

また例えば図６に示すように、被処理ウェハＷが上方に突出した反り形状を有する場合においても、被処理ウェハＷの反りを矯正できる程度に、保持部６０の中心領域６３の吸引圧力と外周領域６４の吸引圧力を設定すればよい。

次に、上述した剥離装置３０の構成について説明する。剥離装置３０は、図７に示すように、内部を密閉可能な処理容器１００を有している。処理容器１００の側面には、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器１００の底面には、当該処理容器１００の内部の雰囲気を排気する排気口１０１が形成されている。排気口１０１には、例えば真空ポンプなどの排気装置１０２に連通する排気管１０３が接続されている。

処理容器１００の内部には、被処理ウェハＷを下面で吸着保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを上面で載置して保持する第２の保持部１１１とが設けられている。第１の保持部１１０は、第２の保持部１１１の上方に設けられ、第２の保持部１１１と対向するように配置されている。すなわち、処理容器１００の内部では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、重合ウェハＴに剥離処理が行われる。

第１の保持部１１０には、例えばポーラスチャックが用いられている。第１の保持部１１０は、平板状の本体部１２０を有している。本体部１２０の下面側には、多孔質体であるポーラス１２１が設けられている。ポーラス１２１は、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有し、当該被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎと当接している。なお、ポーラス１２１としては、多孔質であれば種々の材料を用いることができ、例えばカーボン、アルミナ、炭化ケイ素、テフロン（デュポン社の登録商標）が用いられる。但し、被処理ウェハＷへの損傷の防止を鑑みると、カーボンを用いるのがより好ましい。

また、本体部１２０の内部であってポーラス１２１の上方には吸引空間１２２が形成されている。吸引空間１２２は、例えばポーラス１２１を覆うように形成されている。吸引空間１２２には、吸引管１２３が接続されている。吸引管１２３は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。そして、吸引管１２３から吸引空間１２２とポーラス１２１を介して被処理ウェハの非接合面Ｗ_Ｎが吸引され、当該被処理ウェハＷが第１の保持部１１０に吸着保持される。

また、本体部１２０の内部であって吸引空間１２２の上方には、被処理ウェハＷを加熱する加熱機構１２４が設けられている。加熱機構１２４には、例えばヒータが用いられる。

第１の保持部１１０の上面には、当該第１の保持部１１０を支持する支持板１３０が設けられている。支持板１３０は、処理容器１００の天井面に支持されている。なお、本実施の形態の支持板１３０を省略し、第１の保持部１１０は処理容器１００の天井面に当接して支持されてもよい。

第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを吸着保持するための吸引管１４０が設けられている。吸引管１４０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置（図示せず）に接続されている。

また、第２の保持部１１１の内部には、支持ウェハＳを加熱する加熱機構１４１が設けられている。加熱機構１４１には、例えばヒータが用いられる。

第２の保持部１１１の下方には、第２の保持部１１１及び支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向に移動させる移動機構１５０が設けられている。移動機構１５０は、第２の保持部１１１を鉛直方向に移動させる鉛直移動部１５１と、第２の保持部１１１を水平方向に移動させる水平移動部１５２とを有している。

鉛直移動部１５１は、第２の保持部１１１の下面を支持する支持板１６０と、支持板１６０を昇降させて第１の保持部１１０と第２の保持部１１１を鉛直方向に接近、離隔させる駆動部１６１と、支持板１６０を支持する支持部材１６２とを有している。駆動部１６１は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。また、支持部材１６２は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、支持板１６０と後述する支持体１７１との間に例えば４箇所に設けられている。なお、複数の支持部材１６２はそれぞれ個別に昇降可能に構成され、これら支持部材１６２を個別に昇降させることで支持板１６０、すなわち第２の保持部１１１の表面の平面度を調節してもよい。

水平移動部１５２は、Ｘ方向（図７中の左右方向）に沿って延伸するレール１７０と、レール１７０に取り付けられる支持体１７１と、支持体１７１をレール１７０に沿って移動させる駆動部１７２とを有している。駆動部１７２は、例えばボールネジ（図示せず）と当該ボールネジを回動させるモータ（図示せず）とを有している。

なお、第２の保持部１１１の下方には、重合ウェハＴ又は支持ウェハＳを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは第２の保持部１１１に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、第２の保持部１１１の上面から突出可能になっている。

次に、上述した第１の洗浄装置３１の構成について説明する。第１の洗浄装置３１は、図８に示すように内部を密閉可能な処理容器１８０を有している。処理容器１８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器１８０内の中央部には、被処理ウェハＷを保持して回転させるチャック１９０が設けられている。チャック１９０は、平板状の本体部１９１を有している。本体部１９１の上面側には、上述した保持部６０が配置されている。保持部６０は、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを吸着保持する。

チャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９２が設けられている。チャック１９０は、チャック駆動部１９２により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１９２には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、チャック１９０は昇降自在になっている。

チャック１９０の周囲には、被処理ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９３が設けられている。カップ１９３の下面には、回収した液体を排出する排出管１９４と、カップ１９３内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９５が接続されている。

図９に示すようにカップ１９３のＸ方向負方向（図９中の下方向）側には、Ｙ方向（図９中の左右方向）に沿って延伸するレール２００が形成されている。レール２００は、例えばカップ１９３のＹ方向負方向（図９中の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図９中の右方向）側の外方まで形成されている。レール２００には、アーム２０１が取り付けられている。

アーム２０１には、図８及び図９に示すように被処理ウェハＷに洗浄液、例えば有機溶剤を供給する洗浄液ノズル２０３が支持されている。アーム２０１は、図９に示すノズル駆動部２０４により、レール２００上を移動自在である。これにより、洗浄液ノズル２０３は、カップ１９３のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部２０５からカップ１９３内の被処理ウェハＷの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理ウェハＷ上を被処理ウェハＷの径方向に移動できる。また、アーム２０１は、ノズル駆動部２０４によって昇降自在であり、洗浄液ノズル２０３の高さを調節できる。

洗浄液ノズル２０３には、例えば２流体ノズルが用いられる。洗浄液ノズル２０３には、図８に示すように当該洗浄液ノズル２０３に洗浄液を供給する供給管２１０が接続されている。供給管２１０は、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１１に連通している。供給管２１０には、洗浄液の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１２が設けられている。また、洗浄液ノズル２０３には、当該洗浄液ノズル２０３に不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する供給管２１３が接続されている。供給管２１３は、内部に不活性ガスを貯留するガス供給源２１４に連通している。供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１５が設けられている。そして、洗浄液と不活性ガスは洗浄液ノズル２０３内で混合され、当該洗浄液ノズル２０３から被処理ウェハＷに供給される。なお、以下においては、洗浄液と不活性ガスを混合したものを単に「洗浄液」という場合がある。

なお、チャック１９０の下方には、被処理ウェハＷを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられていてもよい。かかる場合、昇降ピンはチャック１９０に形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、チャック１９０の上面から突出可能になっている。そして、チャック１９０を昇降させる代わりに昇降ピンを昇降させて、チャック１９０との間で被処理ウェハＷの受け渡しが行われる。

なお、上述した検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０と非接合面洗浄装置４１の構成は、この第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。

また、第２の洗浄装置３３の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成とほぼ同様である。第２の洗浄装置３３には、図１０に示すように第１の洗浄装置３１のチャック１９０に代えて、スピンチャック２２０が設けられる。スピンチャック２２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば支持ウェハＳを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、支持ウェハＳをスピンチャック２２０上に吸着保持できる。第２の洗浄装置３３のその他の構成は、上述した第１の洗浄装置３１の構成と同様であるので説明を省略する。

なお、第２の洗浄装置３３において、スピンチャック２２０の下方には、支持ウェハＳの裏面、すなわち非接合面Ｗ_Ｎに向けて洗浄液を噴射するバックリンスノズル（図示せず）が設けられていてもよい。このバックリンスノズルから噴射される洗浄液によって、支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎと支持ウェハＳの外周部が洗浄される。

次に、上述した第２の搬送装置３２の構成について説明する。第２の搬送装置３２は、図１１に示すように被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２３０を有している。ベルヌーイチャック２３０は、支持アーム２３１に支持されている。支持アーム２３１は、第１の駆動部２３２に支持されている。この第１の駆動部２３２により、支持アーム２３１は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に伸縮できる。第１の駆動部２３２の下方には、第２の駆動部２３３が設けられている。この第２の駆動部２３３により、第１の駆動部２３２は鉛直軸周りに回転自在であり、且つ鉛直方向に昇降できる。

なお、第３の搬送装置５１は、上述した第２の搬送装置３２と同様の構成を有しているので説明を省略する。但し、第３の搬送装置５１の第２の駆動部２３２は、図１に示した搬送路５０に取り付けられ、第３の搬送装置５１は搬送路５０上を移動可能になっている。

次に、上述した反転装置４２の構成について説明する。反転装置４２は、図１２に示すように、内部を密閉可能な処理容器２４０を有している。処理容器２４０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出を行うための搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口（図示せず）には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器２４０の底面には、当該処理容器２４０の内部の雰囲気を排気する排気口２５０が形成されている。排気口２５０には、例えば真空ポンプなどの排気装置２５１に連通する排気管２５２が接続されている。

処理容器２４０の内部には、被処理ウェハＷを下面で保持する第１の保持部２６０と、被処理ウェハＷを上面で保持する第２の保持部２６１とが設けられている。第１の保持部２６０は、第２の保持部２６１の上方に設けられ、第２の保持部２６１と対向するように配置されている。第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、例えば被処理ウェハＷをほぼ同じ直径を有している。また、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１にはベルヌーイチャックが用いられている。これにより、第１の保持部２６０及び第２の保持部２６１は、被処理ウェハＷの片面の全面をそれぞれ非接触で保持することができる。

第１の保持部２６０の上面には、第１の保持部２６０を支持する支持板２６２が設けられている。なお、本実施の形態の支持板２６２を省略し、第１の保持部２６０は処理容器２４０の天井面に当接して支持されていてもよい。

第２の保持部２６１の下方には、当該第２の保持部２６１を鉛直方向に移動させる移動機構２７０が設けられている。移動機構２７０は、第２の保持部２６１の下面を支持する支持板２７１と、支持板２７１を昇降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を鉛直方向に接近、離間させる駆動部２７２を有している。駆動部２７２は、処理容器２４０の底面に設けられた支持体２７３により支持されている。また、支持体２７３の上面には支持板２７１を支持する支持部材２７４が設けられている。支持部材２７４は、鉛直方向に伸縮自在に構成され、駆動部２７２により支持板２７１を昇降させる際に、自由に伸縮することができる。

次に、上述した検査装置７の構成について説明する。検査装置７は、図１３及び図１４に示すように処理容器２８０を有している。処理容器２８０の側面には、被処理ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。

処理容器２８０内には、被処理ウェハＷを保持するベルヌーイチャック２９０が設けられている。なお、被処理ウェハＷはベルヌーイチャック２９０によって非接触の状態で保持される。

ベルヌーイチャック２９０の下方には、チャック駆動部２９１が設けられている。このチャック駆動部２９１により、ベルヌーイチャック２９０は回転自在になっている。また、チャック駆動部２９１は、処理容器２８０内の底面に設けられ、Ｙ方向に沿って延伸するレール２９２上に取付けられている。このチャック駆動部２９１により、ベルヌーイチャック２９０はレール２９２に沿って移動できる。すなわち、ベルヌーイチャック２９０は、被処理ウェハＷを処理容器２８０の外部との間で搬入出するための受渡位置Ｐ１と、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整するアライメント位置Ｐ２との間を移動できる。

アライメント位置Ｐ２には、ベルヌーイチャック２９０に保持された被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出するセンサ２９３が設けられている。センサ２９３によってノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９１によってベルヌーイチャック２９０を回転させて、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調節することができる。

処理容器２８０のアライメント位置Ｐ２側の側面には、撮像装置３００が設けられている。撮像装置３００には、例えば広角型のＣＣＤカメラが用いられる。処理容器２８０の上部中央付近には、ハーフミラー３０１が設けられている。ハーフミラー３０１は、撮像装置３００と対向する位置に設けられ、鉛直方向から４５度傾斜して設けられている。ハーフミラー３０１の上方には、照度を変更することができる照明装置３０２が設けられ、ハーフミラー３０１と照明装置３０２は、処理容器２８０の上面に固定されている。また、撮像装置３００、ハーフミラー３０１及び照明装置３０２は、ベルヌーイチャック２９０に保持された被処理ウェハＷの上方にそれぞれ設けられている。そして、照明装置３０２からの照明は、ハーフミラー３０１を通過して下方に向けて照らされる。したがって、この照射領域にある物体の反射光は、ハーフミラー３０１で反射して、撮像装置３００に取り込まれる。すなわち、撮像装置３００は、照射領域にある物体を撮像することができる。そして、撮像した被処理ウェハＷの画像は、後述する制御部３５０に出力され、制御部３５０において被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無が検査される。

次に、上述した後処理ステーション４のマウント装置の構成について説明する。マウント装置は、後処理ステーション４の構成の一部であって、一連の後処理工程のうち、重合ウェハＴから剥離された被処理ウェハＷを環状のダイシングフレームの内側に配置して、ダイシングテープを介して被処理ウェハＷとダイシングフレームを一体化する。

図１５に示すようにマウント装置３２０は、被処理ウェハＷとダイシングフレームＦを載置する載置台３２１を有している。載置台３２１の上面には、上述した被処理ウェハＷを保持する保持部６０が配置される。保持部６０は、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを吸着保持する。また載置台３２１の上面であって保持部６０の外側には、ダイシングフレームＦを載置するフレーム保持部３２２が配置されている。ダイシングフレームＦは、平面視において略円形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして、フレーム保持部３２２は、このダイシングフレームＦの形状に対応して環状形状を有している。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。

載置台３２１の上方には、ダイシングフレームＦを昇降させて、当該ダイシングフレームＦを載置台３２１のフレーム保持部３２２に載置する昇降機構（図示せず）が設けられている。

さらに、ダイシングフレームＦの昇降機構の上方には、ダイシングテープＰを巻き取った一対のロール３２３、３２３が設けられている。また、ロール３２３、３２３には昇降機構（図示せず）が設けられている。このロール３２３、３２３と昇降機構等を用いて、ダイシングテープＰがダイシングフレームＦの表面と被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎに貼り付けられる。なお、このダイシングテープＰの貼り付け方法は、一般的な機構を用いて一般的な行うことができる。ここでは、その説明を省略する。そして、マウント装置３２０では、ダイシングフレームＦの内側の開口部に被処理ウェハＷが配置された状態で、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷとダイシングフレームＦが一体化される。

以上の剥離システム１には、図１に示すように制御部３５０が設けられている。制御部３５０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における後述の剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部３５０にインストールされたものであってもよい。

次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理方法について説明する。図１６は、かかる剥離処理の主な工程の例を示すフローチャートである。

先ず、複数枚の重合ウェハＴを収容したカセットＣ_Ｔ、空のカセットＣ_Ｗ、及び空のカセットＣ_Ｓが、搬入出ステーション２の所定のカセット載置板１１に載置される。第１の搬送装置２０によりカセットＣ_Ｔ内の重合ウェハＴが取り出され、位置調節装置１２に搬送される。このとき、重合ウェハＴは、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で搬送される。そして、位置調節装置１２において、重合ウェハＴのノッチ部の位置を検出しながら当該重合ウェハＴの向きが調節される。その後、重合ウェハＴは第１の搬送装置２０によって処理ステーション３の剥離装置３０に搬送される。

剥離装置３０に搬入された重合ウェハＴは、予め上昇していた昇降ピン（図示せず）に受け渡される。そして、図１７に示すように重合ウェハＴは、第１の保持部１１０と第２の保持部１１１との間で、当該第１の保持部１１０と第２の保持部１１１のいずれにも接触しない位置に配置される。この状態で所定の時間経過後、重合ウェハＴは加熱機構１２４、１４１によって予備加熱される。かかる予備加熱によって、後述するように第１の保持部１１０で被処理ウェハＷを吸着保持して加熱しても、当該被処理ウェハＷの熱膨張を抑制することができる。このため、常温の被処理ウェハを第１の保持部で加熱する従来の場合に比べて、本実施の形態の方が、被処理ウェハＷの反りを抑制すると共に、被処理ウェハＷと第１の保持部１１０が擦れ合って発生するパーティクルを抑制することができる。

その後、図１８に示すように重合ウェハＴは、第２の保持部１１１に吸着保持される。そして、所定の時間経過後、重合ウェハＷは加熱機構１２４、１４１によって所定の温度、例えば２００℃〜２５０℃に加熱される。そうすると、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇが軟化する。その後、移動機構１５０により第２の保持部１１１を上昇させて、図１９に示すように第１の保持部１１０と第２の保持部１１１で重合ウェハＴを挟み込んで保持する。このとき、第１の保持部１１０に被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが吸着保持され、第２の保持部１１１に支持ウェハＳの非接合面Ｓ_Ｎが吸着保持される。

続いて、加熱機構１２４、１４１によって重合ウェハＴを加熱して接着剤Ｇの軟化状態を維持しながら、図２０に示すように移動機構１５０によって第２の保持部１１１と支持ウェハＳを鉛直方向及び水平方向、すなわち斜め下方に移動させる。そして、図２１に示すように第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷと、第２の保持部１１１に保持された支持ウェハＳとが剥離される（図１６の工程Ａ１）。

工程Ａ１において、第２の保持部１１１は、鉛直方向に１００μｍ移動し、且つ水平方向に３００ｍｍ移動する。ここで、本実施の形態では、重合ウェハＴ中の接着剤Ｇの厚みは例えば３０μｍ〜４０μｍであって、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに形成されたデバイス（バンプ）の高さは例えば２０μｍである。したがって、被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が微小となる。そこで、例えば第２の保持部１１１を水平方向にのみ移動させた場合、デバイスと支持ウェハＳが接触し、デバイスが損傷を被るおそれがある。この点、本実施の形態のように第２の保持部１１１を水平方向に移動させると共に鉛直方向にも移動させることによって、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避し、デバイスの損傷を抑制することができる。なお、この第２の保持部１１１の鉛直方向の移動距離と水平方向の移動距離の比率は、被処理ウェハＷ上のデバイス（バンプ）の高さに基づいて設定される。

その後、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷは、第２の搬送装置３２によって第１の洗浄装置３１に搬送される。ここで、第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送方法について説明する。

図２２に示すように第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を伸長させて、ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部１１０に保持された被処理ウェハＷの下方に配置する。その後、ベルヌーイチャック２３０を上昇させ、第１の保持部１１０における吸引管１２３からの被処理ウェハＷの吸引を停止する。そして、第１の保持部１１０からベルヌーイチャック２３０に被処理ウェハＷが受け渡される。その後、ベルヌーイチャック２３０を所定の位置まで下降させる。なお、被処理ウェハＷはベルヌーイチャック２３０によって非接触の状態で保持される。このため、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上のデバイスが損傷を被ることなく被処理ウェハＷが保持される。なお、このとき、第２の保持部１１１は第１の保持部１１０に対向する位置まで移動する。

次に図２３に示すように、第２の搬送装置３２の支持アーム２３１を回動させてベルヌーイチャック２３０を第１の洗浄装置３１のチャック１９０の上方に移動させると共に、ベルヌーイチャック２３０を反転させて被処理ウェハＷを下方に向ける。このとき、チャック１９０をカップ１９３よりも上方まで上昇させて待機させておく。その後、ベルヌーイチャック２３０からチャック１９０の保持部６０に被処理ウェハＷが受け渡され吸着保持される。このように保持部６０が被処理ウェハＷを保持する際、被処理ウェハＷの反りを矯正するように中心領域６３と外周領域６４において異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引する。

このようにチャック１９０の保持部６０に被処理ウェハＷが吸着保持されると、チャック１９０を所定の位置まで下降させる。続いて、アーム２０１によって待機部２０４の洗浄液ノズル２０２を被処理ウェハＷの中心部の上方まで移動させる。その後、チャック１９０によって被処理ウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル２０２から被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに洗浄液を供給する。供給された洗浄液は遠心力により被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの全面に拡散されて、当該被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊが洗浄される（図１６の工程Ａ２）。

ここで、上述したように搬入出ステーション２に搬入された複数の重合ウェハＴには予め検査が行われており、正常な被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴと欠陥のある被処理ウェハＷを含む重合ウェハＴとに判別されている。

正常な重合ウェハＴから剥離された正常な被処理ウェハＷは、工程Ａ２で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、非接合面Ｗ_Ｎが下方を向いた状態で第３の搬送装置５１によって検査装置７に搬送される。なお、この第３の搬送装置５１による被処理ウェハＷの搬送は、上述した第２の搬送装置３２による被処理ウェハＷの搬送とほぼ同様であるので説明を省略する。

検査装置７に搬送された被処理ウェハＷは、受渡位置Ｐ１においてベルヌーイチャック２９０上に保持される。続いて、チャック駆動部２９１によってベルヌーイチャック２９０をアライメント位置Ｐ２まで移動させる。次に、センサ２９３によって被処理ウェハＷのノッチ部の位置を検出しながら、チャック駆動部２９１によってベルヌーイチャック２９０を回転させる。そして、被処理ウェハＷのノッチ部の位置を調整して、当該被処理ウェハＷを所定の向きに配置する。

その後、チャック駆動部２９１によってベルヌーイチャック２９０をアライメント位置Ｐ２から受渡位置Ｐ１に移動させる。そして、被処理ウェハＷがハーフミラー３０１の下を通過する際に、照明装置３０２から被処理ウェハＷに対して照明を照らす。この照明による被処理ウェハＷ上での反射光は撮像装置３００に取り込まれ、撮像装置３００において被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの画像が撮像される。撮像された被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊの画像は制御部３５０に出力され、制御部３５０において、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊにおける接着剤Ｇの残渣の有無が検査される（図１６の工程Ａ３）。

検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１により検査後洗浄ステーション８の接合面洗浄装置４０に搬送され、接合面洗浄装置４０において接合面Ｗ_Ｊ上の接着剤Ｇが除去される（図１６の工程Ａ４）。なお、この工程Ａ４は、上述した工程Ａ２と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ４を省略してもよい。

接合面Ｗ_Ｊが洗浄されると、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって反転装置４２に搬送され、反転装置４２により表裏面を反転、すなわち上下方向に反転される（図１６の工程Ａ５）。ここで、反転装置４２による被処理ウェハＷの反転方法について説明する。

接合面洗浄装置４０で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された被処理ウェハＷは、図２４に示すように、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０により接合面Ｗ_Ｊを保持された状態で反転装置４２に搬送される。そして、被処理ウェハＷは、反転装置４２の第２の保持部２６１に接合面Ｗ_Ｊを上方に向けた状態で受け渡され、第２の保持部２６１により被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎの全面が保持される。

次いで、第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を第２の保持部２６１の上方から退避させ、その後、駆動部２８３により第２の保持部２６１を上昇、換言すれば、図２５に示すように第１の保持部２６０に接近させる。そして、第１の保持部２６０により被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを保持すると共に、第２の保持部２６１による被処理ウェハＷの保持を停止して、被処理ウェハＷを第１の保持部２６０に受け渡す。これにより図２６に示すように、被処理ウェハＷが第１の保持部２６０により、非接合面Ｗ_Ｎを下方に向けた状態で保持される。

その後、第２の保持部２６１を下降させて第１の保持部２６０と第２の保持部２６１を離隔し、次いで退避していた第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させる。そして、ベルヌーイチャック２３０が上方を向いた状態で、当該ベルヌーイチャック２３０を第１の保持部２６０の下方に配置する。次いでベルヌーイチャック２３０を上昇させ、それと共に第１の保持部２６０による被処理ウェハＷの保持を停止する。これにより、接合面洗浄装置４０に搬入される際にベルヌーイチャック２３０により接合面Ｗ_Ｊを保持されていた被処理ウェハＷは、図２７に示すように、ベルヌーイチャック２３０により非接合面Ｗ_Ｎが保持された状態となる。すなわち、ベルヌーイチャック２３０により保持される被処理ウェハの面の表裏が反転した状態となる。その後、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎを保持した状態で、ベルヌーイチャック２３０を反転装置４２から退避させる。

なお、検査装置７において接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは接合面洗浄装置４０に搬送されることなく反転装置４２にて被処理ウェハＷの反転が行われるが、反転の方法については、上述の方法と同様である。

その後、被処理ウェハＷを保持した状態で第３の搬送装置５１のベルヌーイチャック２３０を水平軸回りに回動させ、被処理ウェハＷを上下方向に反転させる。そして、被処理ウェハＷは、非接合面Ｗ_Ｎが上方を向いた状態でベルヌーイチャック２３０により再び検査装置７に搬送され、非接合面Ｗ_Ｎの検査が行われる（図１６の工程Ａ６）。そして、非接合面Ｗ_Ｎにパーティクルの汚れが確認された場合、被処理ウェハＷは第３の搬送装置５１によって非接合面洗浄装置４１に搬送され、非接合面洗浄装置４１において非接合面Ｗ_Ｎが洗浄される（図１６の工程Ａ７）。なお、この工程Ａ７は、上述した工程Ａ２と同様であるので説明を省略する。また、例えば検査装置７において接着剤Ｇの残渣がないと確認された場合、工程Ａ７を省略してもよい。

次いで、洗浄された被処理ウェハＷは、第３の搬送装置５１によって後処理ステーション４に搬送される。なお、検査装置７で接着剤Ｇの残渣が確認されなかった場合には、被処理ウェハＷは非接合面洗浄装置４１に搬送されることなくそのまま後処理ステーション４に搬送される。

その後、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに所定の後処理が行われる（図１６の工程Ａ８）。すなわち、マウント装置３２０において、ダイシングテープＰを介して被処理ウェハＷとダイシングフレームＦが一体化された後、処理ウェハＷ上のデバイスの電気的特性の検査が行われ、被処理ウェハＷがチップ毎にダイシングされる。こうして、被処理ウェハＷが製品化される。なお、マウント装置３２０において保持部６０が被処理ウェハＷを保持する際、被処理ウェハＷの反りを矯正するように中心領域６３と外周領域６４において異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引する。

一方、欠陥のある重合ウェハＴから剥離された欠陥のある被処理ウェハＷは、工程Ａ２及びＡ３で接合面Ｗ_Ｊが洗浄された後、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、欠陥のある被処理ウェハＷは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１６の工程Ａ９）。

被処理ウェハＷに上述した工程Ａ２〜Ａ９が行われている間、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって第２の洗浄装置３３に搬送される。そして、第２の洗浄装置３３において、支持ウェハＳの接合面Ｓ_Ｊ上の接着剤が除去されて、接合面Ｓ_Ｊが洗浄される（図１６の工程Ａ１０）。なお、工程Ａ１０における支持ウェハＳの洗浄は、上述した工程Ａ２における被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの除去と同様であるので説明を省略する。

その後、接合面Ｓ_Ｊが洗浄された支持ウェハＳは、第１の搬送装置２０によって搬入出ステーション２に搬送される。その後、支持ウェハＳは、搬入出ステーション２から外部に搬出され回収される（図１６の工程Ａ１１）。こうして、一連の被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離処理が終了する。

以上の実施の形態によれば、保持部６０が被処理ウェハＷを保持する際、中心領域６３と外周領域６４において異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することができる。上述したように被処理ウェハＷが下方に突出した場合や上方に突出したいずれの場合でも、被処理ウェハＷの反りを矯正できる程度に保持部６０の中心領域６３の吸引圧力と外周領域６４の吸引圧力を適切に設定することで、被処理ウェハＷの反りを矯正することができる。また、このように適切な吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することによって、被処理ウェハＷの位置ずれを抑制することもできる。さらに、このように適切な吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することによって、被処理ウェハＷの外周部のチッピングを防止することもできる。したがって、保持部６０において被処理ウェハＷを適切に保持することができ、当該被処理ウェハＷに対する処理を適切に行うことができる。

また本実施の形態において、保持部６０は、処理ステーション３の第１の洗浄装置３１と、後処理ステーション４のマウント装置３２０とに設けられている。すなわち、剥離装置３０で重合ウェハＴが被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離された以降の処理において、被処理ウェハＷを保持部６０で適切に保持することができる。したがって、処理ウェハＷに対する処理を適切に行うことができる。なお、剥離装置３０以降のその他の処理、例えば検査装置７における被処理ウェハＷの検査や、反転装置４２における被処理ウェハＷの表裏面の反転では、被処理ウェハＷはベルヌーイチャックで保持されるので、保持部６０による保持は不要である。

また以上の実施の形態の剥離システム１によれば、剥離装置３０において重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離した後、第１の洗浄装置３１において、剥離された被処理ウェハＷを洗浄すると共に、第２の洗浄装置３３において、剥離された支持ウェハＳを洗浄することができる。このように本実施の形態によれば、一の剥離システム１内で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄までの一連の剥離処理を効率よく行うことができる。また、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において、被処理ウェハＷの洗浄と支持ウェハＳの洗浄をそれぞれ並行して行うことができる。さらに、剥離装置３０において被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離する間に、第１の洗浄装置３１と第２の洗浄装置３３において別の被処理ウェハＷと支持ウェハＳを処理することもできる。したがって、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離を効率よく行うことができ、剥離処理のスループットを向上させることができる。

また、このように一連のプロセスにおいて、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの剥離から被処理ウェハＷの後処理まで行うことができるので、ウェハ処理のスループットをさらに向上させることができる。

以上の実施の形態の保持部６０において、図２８に示すように外周領域６４は複数、例えば４つの外周領域６４ａ〜６４ｄに区画されていてもよい。各外周領域６４ａ〜６４には、負圧発生装置６８に連通する吸引管６７がそれぞれ設けられている。そして、保持部６０が被処理ウェハＷを保持する際、外周領域６４ａ〜６４ｄ毎に被処理ウェハＷを吸引する吸引圧力を設定可能になっており、各外周領域６４ａ〜６４ｄにおいて異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することができる。なお外周領域６４を区画する数は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。

ここで、例えば被処理ウェハＷの外周部において、その反り状態が異なる場合がある。すなわち、例えば被処理ウェハＷの外周部において一の場所では反り量が大きいが、他の場所では反り量が小さい場合がある。かかる場合、本実施の形態では、被処理ウェハＷの外周部の反り量に応じて、各外周領域６４ａ〜６４ｄにおける吸引圧力を設定することができる。したがって、保持部６０は、より効率よく被処理ウェハＷの反りを矯正して、当該被処理ウェハＷをより適切に保持することができる。

また以上の実施の形態において、第１の洗浄装置３１における保持部６０の外周領域６４の表面、すなわちポーラス６１の表面は、図２９に示すように側面視において、内側から外側に向かって下方に傾斜していてもよい。第１の洗浄装置３１では、上述したようにチャック駆動部１９２によって保持部６０は回転する。保持部６０が回転すると、当該保持部６０に保持された被処理ウェハＷの外周部には遠心力が作用し、外周領域６４が被処理ウェハＷの外周部をより吸引し難くなる。また保持部６０が回転することによって、外周領域６４に乱流が生じ易くなる。このため、被処理ウェハＷの外周部の反りを矯正し難くなる。この点、本実施の形態では、保持部６０のポーラス６１の表面を内側から外側に向かって下方に傾斜させることによって、当該ポーラス６１の表面に倣い、被処理ウェハＷの外周部は内側から外側に向かって下方に吸引され易くなる。したがって、被処理ウェハＷの反りをより適切に矯正することができる。

以上の実施の形態の剥離システム１において、図３０及び図３１に示すようにダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦと一体化された重合ウェハＴを剥離してもよい。

ダイシングフレームＦは、平面視において略円形状を有し、且つ内側に重合ウェハＴの外周部に沿った開口部が形成された環状形状を有している。そして重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦの内側の開口部に配置される。またダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの表面Ｆ_Ｓと被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎに貼り付けられている。こうして、重合ウェハＴはダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持されている。なおダイシングフレームＦには、例えばステンレス鋼が用いられる。また本実施の形態において、ダイシングフレームＦは円環状の構成を有していたが、ダイシングフレームＦの外周部は例えば略矩形状等の種々の形状を取り得る。

そして剥離システム１において、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で、被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離される。また、剥離された被処理ウェハＷは、ダイシングフレームＦとダイシングテープＰに保持された状態で搬送され、後続の処理が行われる。

かかる場合、本発明における所定の処理は、剥離された被処理ウェハＷを洗浄する処理である。そして第１の洗浄装置３１では、上記実施の形態の保持部６０に代えて、例えば図３２に示す保持部４００が用いられる。

保持部保持部４００には、ポーラスチャックが用いられる。保持部４００は、被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎと当接する多孔質体としてのポーラス４０１と、ポーラス６１の下面側に設けられ、被処理ウェハＷを吸引する吸引部材４０２とを有している。

ポーラス４０１には、複数の孔が形成されている。またポーラス４０１は、平面視において円形状を有し、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有している。なおポーラス４０１としては、多孔質であれば種々の材料を用いることができ、例えばカーボン、アルミナ、炭化ケイ素、テフロン（デュポン社の登録商標）が用いられる。但し、被処理ウェハＷへの損傷の防止を鑑みると、カーボンを用いるのがより好ましい。

吸引部材４０２は平面視において円形状を有し、例えば被処理ウェハＷとほぼ同じ径を有している。吸引部材４０２は、中心領域４０３、第１の外周領域４０４、第２の外周領域４０５に区画されている。中心領域４０３は、平面視において円形状を有している。第１の外周領域４０４は中心領域４０３の外側に形成され、平面視において環状形状を有している。中心領域４０３と第１の外周領域４０４は、被処理ウェハＷに対応する位置に形成されている。また、第２の外周領域４０５は第１の外周領域４０４のさらに外側に形成され、平面視において環状形状を有している。第２の外周領域４０５は、被処理ウェハＷより外側のダイシングテープＰに対応する位置に形成されている。

中心領域４０３には、吸引管４０６が設けられている。吸引管４０６は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４０７に接続されている。そして中心領域４０３では、吸引管４０６からポーラス４０１を介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが均一に吸引される。また第１の外周領域４０４には、吸引管４０８が設けられている。吸引管４０８は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４０９に接続されている。そして第１の外周領域４０４では、吸引管４０８からポーラス４０１を介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが均一に吸引される。また第２の外周領域４０５には、吸引管４１０が設けられている。吸引管４１０は、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置４１１に接続されている。そして第２の外周領域４０５では、吸引管４１０からポーラス４０１を介して被処理ウェハＷの非接合面Ｗ_Ｎが均一に吸引される。以上のように保持部４００では、中心領域４０３、第１の外周領域４０４、第２の外周領域４０５毎に個別の負圧発生装置４０７、４０９、４１１が設けられ、当該中心領域４０３、第１の外周領域４０４、第２の外周領域４０５毎に被処理ウェハＷを吸引する吸引圧力を設定可能になっている。そして、保持部４００が被処理ウェハＷを保持する際、中心領域４０３、第１の外周領域４０４、第２の外周領域４０５において異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することができる。

かかる場合、保持部４００は、中心領域４０３と第１の外周領域４０４で被処理ウェハＷを吸引して保持しつつ、第２の外周領域４０５で被処理ウェハＷより外側のダイシングテープＰを吸引して保持することができる。このように第２の外周領域４０５でダイシングテープＰも保持することによって、当該ダイシングテープＰが被処理ウェハＷ又はダイシングフレームＦから剥離するのを防止することができる。また保持部４００は、上記実施の形態の保持部６０と同様に、被処理ウェハＷの反りを矯正して当該被処理ウェハＷを保持することができる。なお、保持部４００における被処理ウェハＷの吸引方法は、保持部６０と同様であるので説明を省略する。但し、保持部４００の外周領域は第１の外周領域４０４と第２の外周領域４０５に分割されている分、保持部４００ではより適切に被処理ウェハＷの反りを矯正することができる。

以上の実施の形態の保持部４００において、図３４に示すように第１の外周領域４０４は複数、例えば４つの外周領域４０４ａ〜４０４ｄに区画されていてもよい。各外周領域４０４ａ〜４０４には、負圧発生装置４０９に連通する吸引管４０８がそれぞれ設けられている。そして、保持部４００が被処理ウェハＷを保持する際、外周領域４０４ａ〜４０４ｄ毎に被処理ウェハＷを吸引する吸引圧力を設定可能になっており、各外周領域４０４ａ〜４０４ｄにおいて異なる吸引圧力で被処理ウェハＷを吸引することができる。なお第２の外周領域４０４を区画する数は、本実施の形態に限定されず、任意に設定することができる。

かかる場合、図２８で示した保持部６０の外周領域６４を４つの外周領域６４ａ〜６４ｄに区画した場合と同様に、保持部４００はより効率よく被処理ウェハＷの反りを矯正して、当該被処理ウェハＷをより適切に保持することができる。

以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１２１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、第１の保持部１２０を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。あるいは、第１の保持部１２０と第２の保持部１２１の両方を鉛直方向及び水平方向に移動させてもよい。

また、以上の実施の形態では、剥離装置３０において第２の保持部１２１を鉛直方向及び水平方向に移動させていたが、例えば被処理ウェハＷ上のデバイスと支持ウェハＳとの間の距離が十分大きい場合には、第２の保持部１２１を水平方向にのみ移動させてもよい。かかる場合、デバイスと支持ウェハＳとの接触を回避できると共に、第２の保持部１２１の移動の制御が容易になる。さらに、第２の保持部１２１を鉛直方向にのみ移動させて被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離させてもよい。

以上の実施の形態の剥離装置３０において、第１の保持部１２０と第２の保持部１２１との間の処理空間を覆うカバー（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、処理空間を不活性ガスの雰囲気にすることにより、被処理ウェハＷが加熱処理されても、当該被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上のデバイスに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。

また、以上の実施の形態の剥離装置３０において、第２の保持部１２１に追従して水平方向に移動可能であって、複数の孔から不活性ガスを供給するポーラスプレート（図示せず）を設けてもよい。かかる場合、重合ウェハＴを剥離するために第２の保持部１２１を移動させる際、第２の保持部１２１に追従してポーラスプレートを移動させながら、剥離により露出した被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊに不活性ガスを供給する。そうすると、被処理ウェハＷが加熱処理されても、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊ上のデバイスに酸化膜が形成されるのを抑制することができる。

なお、以上の実施の形態の剥離装置３０では、被処理ウェハＷを上側に配置し、且つ支持ウェハＳを下側に配置した状態で、これら被処理ウェハＷと支持ウェハＳを剥離していたが、被処理ウェハＷと支持ウェハＳの上下配置を反対にしてもよい。

以上の実施の形態では、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１の洗浄液ノズル２４２には２流体ノズルが用いられていたが、洗浄液ノズル２４２の形態は本実施の形態に限定されず種々のノズルを用いることができる。例えば洗浄液ノズル２４２として、有機溶剤を供給するノズルと不活性ガスを供給するノズルとを一体化したノズル体や、スプレーノズル、ジェットノズル、メガソニックノズルなどを用いてもよい。また、洗浄処理のスループットを向上させるため、例えば８０℃に加熱された洗浄液を供給してもよい。

また、第１の洗浄装置３１、第２の洗浄装置３２、接合面洗浄装置４０、非接合面洗浄装置４１において、洗浄液ノズル２４２に加えて、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するノズルを設けてもよい。かかる場合、洗浄液ノズル２４２からの洗浄液によって被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳを洗浄した後、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳ上の洗浄液をＩＰＡに置換する。そうすると、被処理ウェハＷ又は支持ウェハＳの接合面Ｗ_Ｊ、Ｓ_Ｊがより確実に洗浄される。

また、検査装置７の構成は上記実施の形態の構成に限定されない。検査装置７は、被処理ウェハＷの画像を撮像して、当該被処理ウェハＷ上の接着剤Ｇの残渣の有無と酸化膜の残渣の有無が検査できれば、種々の構成を取り得る。

以上の実施の形態の剥離システム１において、剥離装置３０で加熱された被処理ウェハＷを所定の温度に冷却する温度調節装置（図示せず）が別途設けられていてもよい。かかる場合、被処理ウェハＷの温度が積極的に適切な温度に調節されるので、後続の処理をより円滑に行うことができる。

以上の実施の形態では、後処理ステーション４において被処理ウェハＷに後処理を行い製品化する場合について説明したが、本発明は、例えば３次元集積技術で用いられる被処理ウェハを支持ウェハから剥離する場合にも適用することができる。なお、３次元集積技術とは、近年の半導体デバイスの高集積化の要求に応えた技術であって、高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置する代わりに、当該複数の半導体デバイスを３次元に積層する技術である。この３次元集積技術においても、積層される被処理ウェハの薄型化が求められており、当該被処理ウェハを支持ウェハに接合して所定の処理が行われる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

１ 剥離システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
４ 後処理ステーション
２０ 第１の搬送装置
３０ 剥離装置
３１ 第１の洗浄装置
４０ 接合面洗浄装置
４１ 非接合面洗浄装置
６０ 保持部
６１ ポーラス
６２ 吸引部材
６３ 中心領域
６４ 外周領域
３２０ マウント装置
３５０ 制御部
４００ 保持部
４０１ ポーラス
４０２ 吸引部材
４０３ 中心領域
４０４ 第１の外周領域
４０５ 第２の外周領域
Ｆ ダイシングフレーム
Ｇ 接着剤
Ｐ ダイシングテープ
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ 被処理ウェハ

Claims (17)

1. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離システムであって、
   重合基板から剥離された被処理基板に対して所定の処理を行う際、当該被処理基板を吸引して保持する保持部を有し、
   前記保持部の表面には、複数の孔が形成された多孔質体が設けられ、
   前記保持部は、少なくとも中心領域と当該中心領域の外側の外周領域とに区画され、当該中心領域と外周領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴とする、剥離システム。
2. 前記外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。
3. 重合基板から剥離された被処理基板を環状のフレームの内側に配置して、テープを介して被処理基板と前記フレームを一体化するマウント装置を有し、
   前記マウント装置は前記保持部を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の剥離システム。
4. 重合基板から剥離された被処理基板の表面を洗浄する洗浄装置を有し、
   前記洗浄装置は前記保持部を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の剥離システム。
5. 前記洗浄装置における前記保持部の前記外周領域の表面は、側面視において、内側から外側に向かって下方に傾斜していることを特徴とする、請求項４に記載の剥離システム。
6. 重合基板は環状のフレームの内側に配置されて、被処理基板の非接合面と前記フレームの表面に貼り付けられたテープにより保持され、
   前記外周領域は、第１の外周領域と当該第１の外周領域の外側の第２の外周領域とに区画され、当該第１の外周領域と第２の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、
   前記第２の外周領域は、被処理基板より外側の前記テープに対応する位置に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の剥離システム。
7. 前記第１の外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴とする、請求項６に記載の剥離システム。
8. 重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置を備えた処理ステーションと、
   前記処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
   前記処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の剥離システム。
9. 被処理基板と支持基板が接着剤で接合された重合基板を、被処理基板と支持基板に剥離する剥離方法であって、
   重合基板から剥離された被処理基板に対して所定の処理を行う際、当該被処理基板は保持部に吸引されて保持され、
   前記保持部の表面には、複数の孔が形成された多孔質体が設けられ、且つ前記保持部は、少なくとも中心領域と当該中心領域の外側の外周領域とに区画され、当該中心領域と外周領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、
   前記保持部が被処理基板を保持する際、前記中心領域と前記外周領域において異なる吸引圧力で被処理基板を吸引することを特徴とする、剥離方法。
10. 前記外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴とする、請求項９に記載の剥離方法。
11. 重合基板から剥離された被処理基板を環状のフレームの内側に配置して、テープを介して被処理基板と前記フレームを一体化するマウント装置において、前記保持部で被処理基板が保持されることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の剥離方法。
12. 重合基板から剥離された被処理基板の表面を洗浄する洗浄装置において、前記保持部で被処理基板が保持されることを特徴とする、請求項９〜１１のいずれかに記載の剥離方法。
13. 前記洗浄装置における前記保持部の前記外周領域の表面は、側面視において、内側から外側に向かって下方に傾斜していることを特徴とする、請求項１２に記載の剥離方法。
14. 重合基板は環状のフレームの内側に配置され、被処理基板の非接合面と前記フレームの表面に貼り付けられたテープにより保持され、
    前記外周領域は、第１の外周領域と当該第１の外周領域の外側の第２の外周領域とに区画され、当該第１の外周領域と第２の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であり、
    前記保持部が被処理基板を保持する際、前記中心領域と前記外周領域において異なる吸引圧力で被処理基板を吸引し、前記第２の外周領域において被処理基板より外側の前記テープを吸引することを特徴とする、請求項９に記載の剥離方法。
15. 前記第１の外周領域は複数の領域に区画され、当該複数の領域毎に被処理基板を吸引する吸引圧力を設定可能であることを特徴とする、請求項１４に記載の剥離方法。
16. 請求項９〜１５のいずれかに記載の剥離方法を剥離システムによって実行させるために、当該剥離システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
17. 請求項１６に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。

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