TWI512876B - 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及非暫態電腦可讀取之記憶媒體 - Google Patents

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TWI512876B
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Naoto Yoshitaka
Hiroshi Komeda
Eiji Manabe
Osamu Hirakawa
Masatoshi Deguchi
Takeshi Tamura
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Tokyo Electron Ltd
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Description

剝離裝置、剝離系統、剝離方法及非暫態電腦可讀取之記憶媒體
本發明係從重合基板被剝離之被處理基板配置在環狀之框架之內側，而在藉由被黏貼於框架之表面和被處理基板之非接合面之膠帶被保持之狀態下，洗淨該被處理基板之接合面的剝離裝置、剝離系統、剝離方法及非暫態電腦可讀取之記憶媒體。
近年來，在例如半導體裝置之製造過程中，朝向半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)之大口徑化發展。再者，在安裝等之特定工程中，要求晶圓之薄型化。例如，當將大口徑且薄之晶圓原樣地進行搬運或進行研磨處理之時，則晶圓有可能產生翹曲或破裂之情形。因此，例如為了補強晶圓，進行在例如支撐基板之晶圓或玻璃基板黏貼晶圓。然後，在如此晶圓和支撐基板接合之狀態下，進行晶圓之研磨處理等之規定的處理之後，剝離晶圓和支撐基板。
如此晶圓和支撐基板之剝離例如使用剝離裝置進行。剝離裝置具有例如保持晶圓之第1保持器、保持支持基板之第2保持器及對晶圓和支撐基板之間噴射液體的噴嘴。然後，在該剝離裝置中，藉由從噴嘴以大於該晶圓和支撐基板之間之接合強度的噴射壓，理想為大於接合強度兩倍以上之噴射壓，對被接合之晶圓和支撐基板之間噴射液體，來進行晶圓和支撐基板之剝離(專利文獻1)。之後，各洗淨該些晶圓之接合面和支撐基板之接合面，而結束晶圓和支撐基板之剝離處理。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平9-167724號公報
然而，因晶圓被薄型化，故有晶圓被配置在環狀之切割框架之內側，藉由切割膠帶被黏接於切割框架之表面和晶圓之非接合面而被保持之情形。即是，有於剝離晶圓和支撐基板之後，接合面被洗淨之晶圓被保持於切割框架及切割膠帶之情形。
上述晶圓之接合面之洗淨使用接合例如晶圓和支撐基板之接著劑之溶劑。然後，晶圓之洗淨中，被供給至晶圓之接合面上之溶劑流入至晶圓和切割框架之間的切割膠帶 上。如此一來，有切割膠帶因溶劑受到損傷之情形。如此一來，切割膠帶變得無法適當保持晶圓，對該晶圓之搬運或後續之處理造成障礙。
本發明係鑒於如此之情形而創作出，其目的為適當地洗淨被配置在環狀之框架之內側而藉由該框架和膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面。
為了達成上述目的，本發明係提供一種剝離裝置，以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，該剝離裝置具有：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；及移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動，上述移動機構具有：第1移動部，其係保持上述另一保持部，並且僅使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和第2移動部，其係使上述第1移動部和上述另一保持部在垂直方向移動。
在上述剝離裝置中，即使上述一保持部被配置在上述另一保持部之上方，上述移動機構係使上述另一保持部往垂直下方移動亦可。
在上述剝離裝置中，即使上述一保持部具有加熱被處理基板的加熱機構，上述另一保持部具有加熱支撐基板的加熱機構亦可。
在上述剝離裝置中，即使上述第1移動部具有：複數汽缸，其係使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和支撐柱，其係於上述另一保持部之外周部藉由上述複數汽缸在垂直方向移動之時，支撐該另一保持部之中央部，使上述另一保持部之中央部之垂直方向之位置不會變化亦可。
在上述剝離裝置中，即使具有在上述膠帶之外側保持上述框架之保持部亦可。
若藉由另外觀點的本發明，提供一種剝離裝置，以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，該剝離裝置具有：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；及控制器，其係控制上述一保持部、上述另一保持部及上述移動機構，使實行在以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向 移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程，和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
若藉由另外觀點的本發明，提供一種剝離系統，具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板的剝離裝置，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述移動機構具有：第1移動部，其係保持上述另一保持部，並且僅使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和第2移動部，其係使上述第1移動部和上述另一保持部在垂直方向移動，上述剝離系統具有：剝離處理站，其具備：上述剝離裝置、洗淨在上述剝離裝置被剝離之被處理基板的第1洗淨裝置、和洗淨在上述剝離裝置被剝離之支撐基板的第2洗淨裝置；搬入搬出站，其係對上述剝離處理站，將被處理基板、支撐基板或重合基板予以搬入搬出；及搬運裝置，其係在上述剝離處理站和上述搬入搬出站之間，搬運被處理基板、支撐基板或重合基板。
若藉由本發明另外觀點的本發明，提供一種剝離方 法，具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，使用剝離裝置將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述剝離方法具有：第1工程，其係以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程；和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
在上述剝離方法中，即使上述一保持部被配置在上述另一保持部之上方，在上述第1工程和上述第2工程中，使上述另一保持部往垂直下方移動亦可。
在上述剝離方法中，即使上述一保持部具有加熱被處理基板之加熱機構，上述另一保持部具有加熱支撐基板的加熱機構，上述第1工程和上述第2工程係一面加熱被保持於上述一保持部之被處理基板和被保持於上述另一保持部之支撐基板一面被進行亦可。
在上述剝離方法中，即使上述剝離裝置係在上述膠帶 之外側具有保持上述框架的保持部，在上述第1工程中以保持部保持上述框架亦可。
若藉由另外觀點的本發明，提供一種非暫態電腦可讀取之記憶媒體，為了藉由剝離裝置實行剝離方法，儲存有控制該剝離裝置之控制部的在電腦上動作的程式，該剝離方法係具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，使用剝離裝置將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述剝離方法具有：第1工程，其係以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程；和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
若藉由本發明時，可以適當地洗淨被配置在環狀之框架之內側而藉由該框架和膠帶被保持之狀態之被處理基板 的接合面。
1‧‧‧剝離系統
10‧‧‧第1搬入搬出站
11‧‧‧第2搬入搬出站
12‧‧‧剝離裝置
13‧‧‧洗淨裝置(第1洗淨裝置)
14‧‧‧搬運裝置
130‧‧‧晶圓保持部
131‧‧‧旋轉吸盤
132‧‧‧吸附墊
133‧‧‧吸盤驅動部
140‧‧‧洗淨治具
141‧‧‧供給面
142‧‧‧間隙
150‧‧‧溶劑供給部
151‧‧‧沖洗液供給部
152‧‧‧惰性氣體供給部
153‧‧‧供給口
180‧‧‧收授臂
181‧‧‧框架保持部
250‧‧‧控制部
300‧‧‧吸引部
310‧‧‧氣體供給部
320‧‧‧填充液供給部
330‧‧‧加熱機構
340‧‧‧網眼板
400‧‧‧剝離系統
410‧‧‧搬入搬出站
411‧‧‧剝離處理站
414‧‧‧晶圓搬運區域
430‧‧‧第1搬運機構
440‧‧‧第2搬運機構
441‧‧‧第2洗淨裝置
A‧‧‧段部
D‧‧‧保護膠帶
F‧‧‧切割框架
G‧‧‧接著劑
K‧‧‧填充液
L‧‧‧溶劑
P‧‧‧切割膠帶
R‧‧‧沖洗液
S‧‧‧支撐晶圓
T‧‧‧重合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
第1圖為表示與本實施形態有關之剝離系統之構成之概略的俯視圖。
第2圖為被保持於切割框架和切割膠帶之重合晶圓之縱剖面圖
第3圖為被保持於切割框架和切割膠帶之重合晶圓之俯視圖
第4圖為表示剝離裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第5圖為表示第1保持部、第2保持部及第3保持部之構成之概略的縱剖面圖。
第6圖為表示第2保持部之構成之概略的俯視圖。
第7圖為表示第1垂直移動部之構成之概略的俯視圖。
第8圖為表示洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第9圖為表示洗淨治具之構成之概略的縱剖面圖。
第10圖為表示洗淨裝置之構成之概略的橫剖面圖。
第11圖為表示收授臂之構成之概略的側面圖。
第12圖為表示搬運裝置之構成之概略的側面圖。
第13圖為表示第1搬運臂之構成之概略的俯視圖。
第14圖為表示第2搬運臂之構成之概略的俯視圖。
第15圖為表示以第1保持部、第2保持部及第3保持部保持重合晶圓之樣子的說明圖。
第16圖為表示藉由第1垂直移動部使第3保持部外周部在垂直下方移動之樣子的說明圖。
第17圖為表示藉由第2垂直移動部使第3保持部在垂直下方移動之樣子的說明圖。
第18圖為表示剝離被處理晶圓和支撐晶圓之樣子的說明圖。
第19圖為在洗淨裝置洗淨被處理晶圓之樣子的說明圖，(a)為表示將洗淨治具配置在特定位置之樣子，(b)為溶劑從溶劑供給部被供給至供給面和接合面之間的間隙之樣子，(c)為表示在上述間隙擴散溶劑之樣子，(d)為表示沖洗液從沖洗液供給部被供給至上述間隙之樣子，(e)為表示混合液在上述間隙擴散之樣子，(f)為表示惰性氣體從惰性氣體供給部被供給至上述間隙之樣子。
第20圖為表示與其他實施形態有關之洗淨治具之構成之概略的縱剖面圖。
第21圖為表示與其他實施形態有關之洗淨治具之構成之概略的俯視圖。
第22圖為表示使用與其他實施型態有關之洗淨治具而使溶劑擴散之樣子的說明圖。
第23圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第24圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第25圖為表示與其他實施形態有關之洗淨治具之構 成之概略的縱剖面圖。
第26圖為表示與其他實施形態有關之洗淨治具(網眼板)之構成之概略的俯視圖。
第27圖為表示使用與其他實施型態有關之洗淨治具(網眼板)而使溶劑擴散之樣子的說明圖。
第28圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第29圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第30圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第31圖為表示使用與其他實施型態有關之洗淨治具而使溶劑擴散之樣子的說明圖。
第32圖為表示與其他實施形態有關之洗淨治具之構成之概略的縱剖面圖。
第33圖為表示與其他實施形態有關之洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第34圖為表示與其他實施形態有關之剝離系統之構成之概略的俯視圖。
第35圖為表示第2搬運裝置之構成之概略的側面圖。
第36圖為表示搬運臂之構成之概略的俯視圖。
第37圖為表示第2洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
第38圖為表示第2洗淨裝置之構成之概略的橫剖面圖。
第39圖為表示從第1保持部及第2保持部將被處理晶圓收授於搬運臂之樣子的說明圖。
第40圖為表示將被處理晶圓從搬運臂收授至晶圓保持部之樣子的說明圖。
第41圖係表示在其他實施型態中，於被處理晶圓和切割框架之間之段部之切割框架上設置保護膠帶之樣子的縱剖面圖。
第42圖係表示在其他實施型態中，於被處理晶圓和切割框架之間之段部之切割框架上設置保護膠帶之樣子的縱剖面圖。
以下，針對本發明之實施型態而予以說明。第1圖為表示與本實施形態有關之剝離系統1之構成之概略的俯視圖。
在剝離系統1中，如第2及3圖所示般，將以接著劑G接合當作被處理基板之被處理晶圓W和當作支撐基板之支撐晶圓S的重合基板之重合晶圓T剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S。以下，在處理晶圓W中，將經接著劑G而與支撐晶圓S接合之面稱為「接合面WJ 」，將與該接合面WJ 相反側之面稱為「非接合面WN 」。同樣，在支撐晶圓S中，將經接著劑G而與被處理晶圓W接合之面稱 為「接合面SJ 」，將與該接合面SJ 相反側之面稱為「非接合面SN 」。被處理晶圓W為成為製品之晶圓，在例如接合面WJ 形成有複數之電子電路。再者，被處理晶圓W係例如非接合面WN 被研磨處理，成為薄型化(例如厚度為50μm)。支撐晶圓S具有與被處理晶圓W之直徑相同的直徑，為支撐該被處理晶圓W之晶圓。並且，在本實施型態中，雖然針對使用晶圓當作支撐基板之情形予以說明，但是即使使用例如玻璃基板等之其他基板亦可。
於重合晶圓T安裝有切割框架F和切割膠帶P。切割框架F具有俯視觀看下略矩形狀，並且在內側具有形成有沿著重合晶圓T之外周部之開口部的環狀形狀。然後，重合晶圓T被配置在切割框架F之內側之開口部。並且，切割框架F使用例如不鏽鋼。再者，切割膠帶P被黏貼在切割框架F之表面FS 和被處理晶圓W之非接合面WN 。如此一來，重合晶圓T被保持於切割框架F和切割膠帶P。並且，為了便於製作，切割膠帶P不黏貼至切割框架F之表面FS 之端部，僅切割膠帶P之厚度的部分，就在切割框架F之外周部與切割膠帶P之間存在有階差B。
然後，在剝離系統1中，重合晶圓T係在被保持於切割框架F和切割膠帶P之狀態下被剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S。再者，被剝離之被處理晶圓W係在被保持於切割框架F和切割膠帶P之狀態下被搬運，進行後續之處理，例如接合面WJ 之洗淨。
剝離系統1係如第1圖所示般，具有在例如與外部之 間搬入搬出能夠各收容複數之被處理晶圓W和複數之重合晶圓T之匣盒CW 、CT 的第1搬入搬出站10、在與外部之間，搬入搬出能夠收容複數之被處理晶圓S之匣盒CS 的第2搬入搬出站11、將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離裝置12、洗淨被剝離之被處理晶圓W的洗淨裝置13，和在剝離系統1內搬運被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬運裝置14。第1搬入搬出站10、第2搬入搬出站11、剝離裝置12及洗淨裝置13係在例如俯視觀看逆時鐘旋轉方向以該順序排列配置在搬運裝置14之周圍。
在第1搬入搬出站10設置有匣盒載置台20。在匣盒載置台20上設置有例如兩個匣盒載置板21。匣盒載置板21係排列配置在Y方向(第1圖中之左右方向)。在該些匣盒載置板21，於對剝離系統1之外部搬入搬出匣盒CW 、CT 之時，則可以載置匣盒CW 、CT 。如此一來，第1搬入搬出站10構成能夠保有複數之被處理晶圓W和複數之重合晶圓T。並且，該些被處理晶圓W和重合晶圓T各被保持於切割框架F和切割膠帶P。再者，在第1搬入搬出站10，匣盒載置板21之個數並不限定於本實施型態，可以任意決定。
在第2搬入搬出站11設置有匣盒載置台30。在匣盒載置台30上設置有例如一個匣盒載置板31。在匣盒載置板31，於對剝離系統1之外部搬入搬出匣盒CS 之時，則可以載置匣盒CS 。如此一來，第2搬入搬出站11構成能 夠保有複數之支撐晶圓S。再者，與匣盒載置板31鄰接在X方向正方向(第1圖中之上方向)側，配置有使被處理晶圓W之表背面反轉之反轉裝置32。
接著，針對上述剝離裝置12之構成予以說明。剝離裝置12係如第4圖所示般具有處理容器40。在處理容器40之側面，形成被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。並且，在處理容器40內流入來自設置有搬運裝置14之區域的氛圍。並且，被處理晶圓W和重合晶圓T各被保持於切割框架F和切割膠帶P。
在處理容器40之底面，形成有吸引該處理容器40之內部之氛圍的吸氣口41。在排氣口41連接有例如與真空泵等之負壓產生裝置42連通之吸氣管43。
在處理容器40之內部設置有在下面吸附保持被處理晶圓W之第1保持部50，和吸附保持切割框架F之表面FS 的第2保持部51，和在上面載置支撐晶圓S而予以保持之第3保持部52。第1保持部50和第2保持部51各被設置在第3保持部52之上方，第1保持部50被配置成與第3保持部52相向。即是，在處理容器40之內部，在上側配置被處理晶圓W，並且於下側配置支撐晶圓S之狀態下，對重合晶圓T進行剝離處理。
第1保持部50係如第5圖所示般具有略平板形狀。在第1保持部50之內部設置有用以經切割膠帶P而吸附保持被處理晶圓W之非接合面WN 之吸引管60。吸引管 60被連接於例如真空泵等之負壓產生裝置(無圖示)。
再者，在第1保持部50之內部設置有用以加熱被處理晶圓W之加熱機構61。加熱機構61使用例如加熱器。
第2保持部51係在第1保持部50之外周部被設置成與該第1保持部50一體。即是，第2保持部51係被配置在切割膠帶P之外側。再者，在第2保持部51連接例如真空泵等之負壓產生裝置(無圖示)，第2保持部51可以在切割膠帶P之外側吸附保持切割框架F之表面FS 。並且，如第6圖所示般，第2保持部51係被設置在複數處，例如4個。4個第2保持部51以等間隔地被配置在切割框架F之各邊。
在此，如上述般，在切割框架F之外周部，於切割膠帶P之間存在有階差B。因此，當以第1保持部50吸附保持切割框架F時，則在該第1保持部50和切割框架F之間產生階差B所造成的間隙。即是，第1保持部50無法直接吸附保持切割框架F。如此一來，因無固定切割框架F，故藉由第1保持部50無適當地保持被處理晶圓W。此點，在本實施型態中，因藉由第2保持部51吸附保持切割框架F，故藉由第1保持部50也適當地保持被處理晶圓W。
第3保持部52係如第5圖所示般具有略平板形狀。在第3保持部52之內部設置有用以吸附保持支撐晶圓S之吸引管70。吸引管70被連接於例如真空泵等之負壓產生裝置(無圖示)。並且，第3保持部52係使用彈性體之 例如鋁。
再者，在第3保持部52之內部設置有用以加熱支撐晶圓S之加熱機構71。加熱機構71使用例如由鋁所構成之加熱器。
如第4圖所示般，在第1保持部50之上面，設置有支撐該第1保持部50的支撐板80。支撐板80被支撐於處理容器40之頂棚面。並且，即使省略本實施型態之支撐板80，第1保持部50抵接於處理容器40之頂棚面而被支撐亦可。
在第3保持部52之下方，設置有使第3保持部52及支撐晶圓S在垂直方向及水平方向移動之移動機構90。移動機構90具有保持第3保持部52，並且僅使第3保持部52之外周部在垂直方向移動之第1垂直移動部91，和保持第1垂直移動部91，並且使第1垂直移動部91和第3保持部52在垂直方向移動之第2垂直移動部92，和使第1垂直移動部91、第2垂直移動部92及第3保持部52在水平方向移動之水平移動部93。第1垂直移動部91、第2垂直移動部92、水平移動部93係從上方依該順序配置在垂直方向。
第1垂直移動部91係具有使第3保持部52之外周部圓環狀地在垂直方向移動之複數，例如6個汽缸100、支撐第3保持部52之中央部的之支撐柱101，和支撐汽缸100和支撐柱101之支撐板102。如第7圖所示般，6個汽缸100係以等間隔上被配置在與支撐板102相同之圓周 上。再者，該些汽缸100係被配置在對應於第3保持部52之外周部的位置上。支撐柱101係被配置在支撐板102之中央部，即對應於第3保持部52之中央部的位置。即是，於藉由汽缸100使第3保持部52之外周部移動至垂直下方之時，以該第3保持部52之中央部之垂直方向之位置不變化之方式，配置有支撐柱101。
第2垂直移動部92係如第4圖所示般，具有使支撐板102升降之驅動部110，和支撐支撐板102之支撐構件111。驅動部110具有例如滾珠螺桿(無圖示)和使該滾珠螺桿轉動之馬達(無圖示)。再者，支撐構件111被構成在垂直方向伸縮自如，在支撐板102和水平移動部93之間設置例如3處。
水平移動部93具有例如滾珠螺桿(無圖示)和使該滾珠螺桿轉動之馬達(無圖示)，可以使第1垂直移動部91、第2垂直移動部92及第3保持部52在水平方向移動。
並且，在第3保持部52之下方，設置有從下方支撐重合晶圓T或支撐晶圓S並使予以升降之升降銷(無圖示)。升降銷揷通被形成第3保持部52之貫通孔(無圖示)，成為能夠從第3保持部52之上面突出。
接著，針對上述洗淨裝置13之構成予以說明。洗淨裝置13係如第8圖所示般具有處理容器120。在處理容器120之側面，形成被處理晶圓W之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。並且，處理容器120內設置有用以淨化內部之氛圍的過濾器(無圖 示)。再者，被處理晶圓W被保持於切割框架F和切割膠帶P。
在處理容器120內之中央部設置有當作基板保持部之晶圓保持部130。晶圓保持部130係如第9圖所示般，具有經切割膠帶P而保持被處理晶圓W並使旋轉之作為第1保持部的旋轉吸盤131，和吸附保持切割框架F之表面FS 之作為第2保持部的吸附墊132。
旋轉吸盤131具有水平之上面，在該上面設置有例如吸引切割膠帶P之吸引口(無圖示)。再者，旋轉吸盤131被設置成至少覆蓋被處理晶圓W。然後，可以藉由來自吸引口之吸引，經切割膠帶P使被處理晶圓W吸附保持在旋轉吸盤131上。再者，被處理晶圓W係以其接合面WJ 朝向上方之方式被吸附保持在旋轉吸盤131。
吸附墊132被設置在旋轉吸盤131之外周部上。即是，吸附墊132係被配置在切割膠帶P之外側。再者，在吸附墊132連接例如真空泵等之負壓產生裝置(無圖示)，吸附墊132可以在切割膠帶P之外側吸附保持切割框架F之表面FS 。並且，如第10圖所示般，吸附墊132係被設置在複數處，例如8處。
在此，如上述般，在切割框架F之外周部，如第9圖所示般於切割膠帶P之間存在有階差B。因此，當以旋轉吸盤131吸附保持切割框架F時，則在該旋轉吸盤131和切割框架F之間產生階差B所造成的間隙。即是，旋轉吸盤131無法直接吸附保持切割框架F。如此一來，因無固 定切割框架F，故藉由旋轉吸盤131無適當地保持被處理晶圓W。此點，在本實施型態中，因藉由吸附墊132吸附保持切割框架F，故藉由晶圓保持部130也適當地保持被處理晶圓W。
在晶圓保持部130之下方如第8圖所示般設置有當作具備例如馬達等之旋轉機構的吸盤驅動部133。旋轉吸盤131係可以藉由吸盤驅動部133以規定之速度旋轉。再者，在吸盤驅動部133設置有例如汽缸等之升降驅動源，旋轉吸盤131成為升降自如。
在晶圓保持部130之周圍設置有用以接取且回收從被處理晶圓W飛散或落下之液體的罩杯134。在罩杯134之下面連接有排出回收之液體的排出管135，和對罩杯134內之氛圍抽真空而予以排氣的排氣管136。
在晶圓保持部130之上方設置有用以洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之洗淨治具140。洗淨治具140係被配置成與被保持在晶圓保持部130之被處理晶圓W相向。
洗淨冶具140係如第9圖所示般具有略圓板形狀。在洗淨治具140之下面形成有供給面141以至少覆蓋被處理晶圓W之接合面WJ 。並且，在本實施型態中，供給面141和接合面WJ 幾乎相同大小。
在洗淨治具140之中央部設置有對供給面141和接合面WJ 之間之間隙142供給接著劑G之溶劑例如稀釋劑的溶劑供給部150，和對間隙142供給溶劑之沖洗液的沖洗液供給部151，和對間隙142供給惰性氣體例如氮氣之惰 性氣體供給部152。溶劑供給部150、沖洗液供給部151、惰性氣體供給部152係在洗淨治具140之內部合流，與被形成在洗淨治具140之供給面141之供給口153連通。即是，從溶劑供給部150至供給口153之溶劑之流路、從沖洗液供給部151至供給口153之沖洗液之流路、從惰性氣體供給部152至供給口153之惰性氣體的流路各貫通至洗淨治具140之厚度方向。並且，沖洗液因應接著劑G之主溶媒之成分而使用各種液體，使用例如純水或IPA(異丙醇)。再者，因促進沖洗液之乾燥，故沖洗液以使用揮發性高之液體為佳。
在溶劑供給部150連接有與在內部貯留溶劑之溶劑供給源154連通之供給管155。在供給管155設置有包含控制溶劑之流動的閥或流量調節部等之供給機器群156。在沖洗液供給部151連接有與在內部貯留沖洗液之沖洗液供給源157連通之供給管158。在供給管158設置有包含控制沖洗液之流動的閥或流量調節部等之供給機器群159。在惰性氣體供給部152連接有與在內部貯留惰性氣體之惰性氣體供給源160連通之供給管161。在供給管161設置有包含控制溶劑之流動的閥或流量調節部等之供給機器群162。
如第8圖所示般，在處理容器120之頂棚面，即洗淨治具140之上方設置有使洗淨治具140在垂直方向及水平方向移動之移動機構170。移動機構170具有支撐洗淨治具140之支撐構件171，和用以支撐支撐構件171，並使 洗淨治具140在垂直方向及水平方向移動之治具驅動部172。
再者，在處理容器120之內部如第10圖及第11圖所示般具有用以從搬運裝置14將被處理晶圓W收授至晶圓保持部130之收授臂180。收授臂180具有圓環形狀，使可以保持切割框架F之外周部。在收授臂180之下面於複數處例如4處設置有框架保持部181。在框架保持部181連接有例如真空泵等之負壓產生裝置(無圖示)，框架保持部181係可以吸附保持安裝有被處理晶圓W之切割框架F。
收授臂180係被支撐於一對伸縮構件182、182。伸縮構件182係被構成在水平方向(第10圖中之X方向)伸縮自如。再者，伸縮構件182係被支撐在延伸於第10圖中之Y方向的支撐構件183。在支撐構件183之兩端部設置有使該支撐構件183在垂直方向升降之升降機構184。升降機構184使用例如汽缸等。藉由如此之構成，收授臂180係在水平方向移動自如，並且構成在垂直方向升降自如。
接著，針對上述搬運裝置14之構成予以說明。搬運裝置14係如第12圖所示般，具有保持重合晶圓T或被處理晶圓W而搬運之第1搬運臂190，和保持支撐晶圓S而搬運之第2搬運臂191。並且，在第1搬運臂190被搬運之重合晶圓W和被處理晶圓W各被保持於切割框架F和切割膠帶P。
第1搬運臂190係如第13圖所示般，具有前端分歧成兩根前端部192a、192a之機械臂部192，和與該機械臂部192一體形成，並且支撐機械臂部192的支撐部193。在機械臂192之各前端部192a設置有經切割框架F或切割膠帶P而吸附重合晶圓T或被處理晶圓W而保持之吸附墊194。第1搬運臂190可以在該機械臂部192上水平保持重合晶圓T或被處理晶圓W。
第2搬運臂191係如第14圖所示般，具有構成為比支撐晶圓S更大直徑之略3/4圓環狀的機械臂部195，和與該機械臂部195一體形成，並且支撐機械臂部195的支撐部196。機械臂部195在例如4處設置有朝向內側突出，並保持支撐晶圓S之角部的保持部197。第2搬運臂191可以在該保持部197上水平保持支撐晶圓S。
在搬運臂190、191之基端部如第12圖所示般設置有機械臂驅動部198。藉由該機械臂驅動部198，各搬運臂190、191可以獨立在水平方向移動。該些搬運臂190、191和機械臂驅動部198被支撐於基台199。在基台199之下面隔著傳動軸200設置有旋轉驅動部201。藉由該旋轉驅動部201，基台199及搬運臂190、191可以傳動軸200為中心軸而旋轉並且可以升降。
在上述之剝離系統1，如第1圖所示般設置有控制部250。控制部250係例如電腦，具有程式儲存部(無圖示)。在程式儲存部儲存有控制剝離系統1中之被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之處理的程式。再者，於 程式儲存部也儲存有用以控制上述各種處理裝置或搬運裝置等之驅動系統之動作，而實現剝離系統1中之後述的剝離處理之程式。並且，上述程式，為被記錄於例如電腦可讀取之硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等之電腦可讀取之記憶媒體H者，即使為自其記憶媒體H被安裝於控制部250者亦可。
接著，針對使用如上述般構成之剝離系統1而執行之被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離處理方法予以說明。
首先，收容有複數片重合晶圓T之匣盒CT 和空的匣盒CW 被載置在第1搬入搬出站10之特定的匣盒載置板21。再者，空的匣盒CS 被載置在第2搬入搬出站11之特定的匣盒載置板31。之後，藉由搬運裝置14之第1搬運臂190取出匣盒CT 內之重合晶圓T，被搬運至剝離裝置12。此時，重合晶圓T係被保持在切割框架F和切割膠帶P，在將被處理晶圓W配置在上側，且將支撐晶圓S配置在下側之狀態下被搬運。
被搬入至剝離裝置12之重合晶圓T被吸附保持在第3保持部52。之後，如第15圖所示般，藉由移動機構90之第2垂直移動部92，使第3保持部52上升，而以第1保持部50和第3保持部52夾持重合晶圓T而加以保持。此時，藉由第1保持部50，經切割膠帶P而吸附保持被處理晶圓W之非接合面WN ，並且在第2保持部51吸附保持切割框架F之表面FS ，再者在第3保持部52吸附保持支撐晶圓S之非接合面SN 。
之後，重合晶圓T藉由加熱機構61、71被加熱至規定之溫度，例如200℃。如此一來，重合晶圓T中之接著劑G軟化。
接著，一面藉由加熱機構61、71加熱重合晶圓T而維持接著劑G之軟化狀態，如第16圖所示般，藉由移動機構90之第1垂直移動部91僅使第3保持部52之外周部圓環狀地朝垂直下方移動。即是，於藉由汽缸100使第3保持部52之外周部朝垂直下方移動之時，該第3保持部52之中央部被支撐於支撐柱101，該第3保持部52之中央部之垂直方向之位置不變化。
如此一來，被保持於第3保持部52之支撐晶圓S從其外周部朝向中心部從被保持於第1保持部50及第2保持部51之被處理晶圓W連續性地被剝離。在此，如上述般，因在被處理晶圓W之接合面WJ 形成有電子電路，故當一次剝離被處理晶圓W和支撐晶圓S之時，在接合面WJ 、SJ 受到極大的負載，有接合面WJ 上之電子電路受到損傷之虞。該點，因在本實施型態中，從外周部朝向中心部，支撐晶圓S從被處理晶圓W連續性被剝離，故不會在接合面WJ 、SJ 施加大荷重。因此，可以抑制電子電路之損傷。
之後，在僅有被處理晶圓W之中心部和支撐晶圓S之中心部接著之狀態下，如第17圖所示般，藉由第2垂直移動部92使第3保持部52全體朝垂直下方移動。然後，在支撐晶圓S之外周部彎曲至垂直下方之狀態下，支 撐晶圓S從被處理晶圓W被剝離。之後，如第18圖所示般，藉由第1垂直移動部91使第3保持部52和支撐晶圓S之外周部在垂直上方移動，該第3保持部52和支撐晶圓S被平坦化。如此一來，被第1保持部50及第2保持部51保持之被處理晶圓W和被保持於第3保持部52之支撐晶圓S被剝離。
之後，在剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W係藉由搬運裝置14之第1搬運臂190被搬運至反轉裝置32，在該反轉裝置32被處理晶圓W之表背面反轉。即是，被處理晶圓W之接合面WJ 朝向上方。之後，被處理晶圓W係藉由搬運裝置14之第1搬運臂190被搬運至洗淨裝置13。並且，從剝離裝置12被搬出，被搬入至洗淨裝置13之被處理晶圓W被保持在切割框架F和切割膠帶P。
另外，在剝離裝置12被剝離之支撐晶圓S藉由搬運裝置14之第2搬運臂191被搬運至第2搬入搬出站11之匣盒CS 。之後，支撐晶圓S從第2搬入搬出站11被搬出至外部且被回收。並且，支撐晶圓S被搬運至第2搬入搬出站11之時機可以任意設定。支撐晶圓S之搬運即使在將例如被處理晶圓W搬運至反轉裝置32之前亦可，即使在反轉裝置32被處理晶圓W之表背面之反轉中亦可，即使在將被處理晶圓W搬運至洗淨裝置13之後亦可。
被搬入至洗淨裝置13之被處理晶圓W係從搬運裝置14之第1搬運臂190被收授至收授臂180。接著，藉由收授臂180，被處理晶圓W被收授至晶圓保持部130且被保 持。具體而言，被處理晶圓W係經切割膠帶P而被吸附保持在旋轉吸盤131。同時，切割框架F之表面FS 被吸附保持在吸附墊132。接著，藉由移動機構170調整洗淨治具140之水平方向之位置，並且如第19圖(a)所示般使洗淨治具140下降至特定位置。此時，洗淨治具140之供給面141和被處理晶圓W之接合面WJ 之間的特定距離Q，係如後述般，在供給面141和接合面WJ 之間的間隙142，成為藉由接著劑G之溶劑藉由表面張力而可以擴散之距離。
之後，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面如第19圖(b)所示般從溶劑供給源154對溶劑供給部150供給溶劑L。溶劑L係從供給口153被供給至供給面141和接合面WJ 之間之間隙142，在該間隙142藉由溶劑L之表面張力和被處理晶圓W之旋轉產生之離心力，在被處理晶圓W之接合面WJ 上擴散。如此一來，如第19圖(c)所示般，在間隙142中溶劑L被供給至被處理晶圓W之接合面WJ 之全面。
之後，將被處理晶圓W之接合面WJ 浸漬於溶劑L之狀態維持特定時間例如數分鐘期間。如此一來，殘存在接合面WJ 之接著劑G等之雜質藉由溶劑L被除去。
之後，在持續進行藉由旋轉吸盤131之被處理晶圓W之旋轉的狀態下，如第19圖(d)所示般使洗淨治具140上升至特定位置，即是可以對間隙142供給沖洗液R之位置。接著，從沖洗液供給源157對沖洗液供給部151供給 沖洗液R。沖洗液R係從供給口153被供給至間隙142而與溶劑L混合，並且在該間隙142藉由表面張力和離心力，在被處理晶圓W之接合面WJ 上擴散。如此一來，如第19圖(e)所示般，在間隙142中溶劑L和沖洗液R之混合液C被供給至被處理晶圓W之接合面WJ 之全面。
之後，在持續進行藉由旋轉吸盤131之被處理晶圓W之旋轉之狀態下，如第19圖(f)所示般使洗淨治具140下降至特定位置。然後，從惰性氣體供給部160經惰性氣體供給部152和供給口153對間隙142供給惰性氣體。惰性氣體係使被填充於間隙142之混合液C推流至該間隙142之外部。如此一來，除去間隙142之混合液C。
並且，於上述般對間隙142供給惰性氣體之時，使洗淨治具140下降，係因為縮小間隙142之垂直方向之距離而加快惰性氣體之流速之故。依此，可以迅速地除去間隙142之混合液C。再者，藉由惰性氣體被推流之混合液C也有可能流入至被處理晶圓W和切割框架F之間的段部A之切割膠帶P上之可能性，即使此時因混合液C中之溶劑L被稀釋，故切割膠帶P不會受到損傷。
即使於間隙142之混合液C被除去之後，也持續進行藉由旋轉吸盤131之被處理晶圓W之旋轉，和對間隙142供給惰性氣體。然後，被處理晶圓W之接合面WJ 被乾燥。如此一來，在洗淨裝置13中被處理晶圓W之接合面WJ 被洗淨。
之後，在洗淨裝置13被洗淨之被處理晶圓W藉由搬 運裝置14之第1搬運臂190被搬運至第1搬入搬出站10之匣盒CW 。之後，被處理晶圓W係從第1搬入搬出站10被搬出至外部且被回收。如此一來，完成剝離系統1中之一連串之被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離處理。
若藉由以上之實施型態之洗淨裝置13時，被供給至洗淨治具140之供給面141和被處理晶圓W之接合面WJ 之間之間隙142的接著劑G之溶劑L，藉由溶劑L之表面張力和被處理晶圓W之旋轉所產生之離心力而在間隙142擴散。此時，溶劑L因受到表面張力和離心力之兩個外力，故可以有效率地在間隙142擴散。再者，溶劑L僅在被處理晶圓W之接合面WJ 擴散，不會流入至被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上。因此，可以邊抑制藉由溶劑L造成切割膠帶P之損傷，邊適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。再者，在本實施型態中，溶劑L因不會擴散至被處理晶圓W之接合面WJ 以外，故可以將該溶劑L之供給量抑制成少量，並也可以使溶劑L之成本低廉化。
再者，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，於對間隙142供給溶劑L之後，因對該間隙142供給沖洗液R，故可以藉由該沖洗液R除去接合面WJ 上之接著劑G，並可以更適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。再者，因在間隙142藉由沖洗液R稀釋溶劑L，故即使溶劑L和沖洗液R之混合液C流入至被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上，亦可以抑制該切割 膠帶P受到損傷之情形。
並且，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，因於對間隙142供給沖洗液R之後，對該間隙142供給惰性氣體，故可以適當地使被處理晶圓W之接合面WJ 乾燥。
即使在以上之實施型態之洗淨治具140之外周部，如第20圖及第21圖所示般，設置用以吸引供給面141和接合面WJ 之間的間隙142之溶劑L或混合液C之吸引部300亦可。吸引部300係在洗淨治具140之厚度方向貫通而被設置。再者，吸引部300係以等間隔在與洗淨治具140相同圓周上配置複數例如8處。在各吸引部300連接有例如與真空泵等之負壓產生裝置301連通之吸氣管302。並且，洗淨治具140之其他構成因與上述實施型態之洗淨治具140之構成相同，故省略說明。再者，洗淨治具140之供給口153和吸引部300之形狀或配置並不限定於本實施型態，可以採取各種型態。例如，供給口153和吸引部300即使在俯視觀看下具有槽縫狀之細長形狀亦可。
如此一來，如第22圖所示般，當溶劑L經溶劑供給部150從供給口153被供給至供給面141和接合面WJ 之間之間隙142之時，藉由吸引部300進行間隙142之溶劑L的吸引。如此一來，溶劑L不會流入至被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上。之後，即使於對間隙142供給沖洗液R，並且對間隙142供給惰性氣體之時，亦持續進行藉由吸引部300之吸引。如此一 來，溶劑L和沖洗液R之混合液C也不會流入至段部A之切割膠帶P上。因此，在本實施型態中，因可以確實地抑制溶劑L或混合液C流入至被處理晶圓W和切割框架F之間的段部A之切割膠帶P上，故可以抑制切割膠帶P受到損傷。
在此，一旦溶劑L或混合液C流入至段部A時，該些溶劑L或混合液C難從段部A流出。因此，段部A難乾燥，要洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 需花較長時間。此點，在本實施型態中，因溶劑L或混合液C不流入至段部A，故可以迅速地進行接合面WJ 之洗淨。
並且，抑制溶劑L或混合液C流入至段部A之方法，並不限定於本實施之型態，可採取各種方法。例如第23圖所示般，洗淨裝置13即使具有對段部A供給氣體例如乾燥氣體或惰性氣體之氣體供給部310亦可。如此一來，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面從氣體供給部310供給氣體，依此可以抑制溶劑L或混合液C流入至該段部A。因此，可以抑制切割膠帶P受到損傷，再者可以迅速地進行接合面WJ 之洗淨。並且，氣體供給部310係如圖示之例般即使設置複數亦可。
再者，例如第24圖所示般洗淨裝置13即使具有對段部A供給填充液K之填充液供給部320亦可。填充液K使用不對切割膠帶P造成損傷之材料，因應切割膠帶P之種類而決定。再者，為了促進被處理晶圓W於洗淨後之 段部A之乾燥，填充液K以使用發揮性高之液體為佳。如此一來，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面以從填充液供給部320被供給之填充液K填充段部A。如此一來，即使溶劑L或混合液C流出至被處理晶圓W之接合面WJ 之外部，在段部A中，該溶劑L或混合液C被稀釋於填充液K。因此，可以抑制切割膠帶P受到損傷。
即使在以上之實施型態之洗淨治具140之內部如第25圖所示般設置加熱機構330亦可。加熱機構330使用例如加熱器。如此一來，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 而藉由惰性氣體除去間隙142之混合液C之後，於使接合面WJ 乾燥之後，藉由加熱機構330使洗淨治具140加熱。如此一來，該熱被傳至接合面WJ ，可以迅速地使該接合面WJ 乾燥。並且，加熱機構330即使設置在洗淨治具140之外部亦可。
以上之實施型態之洗淨治具140雖然具有略平板形狀，但是即使如第26圖所示般，使用網眼板340當作洗淨治具亦可。網眼板140具有至少覆蓋被處理晶圓W之接合面WJ 之大小，在本實施型態中，網眼板140和被處理晶圓W為幾乎相同之大小。再者，在網眼板340形成有複數之開口部341。
如此一來，如第27圖所示般各使用當作溶劑供給部之溶劑噴嘴342、當作沖洗液供給部之沖洗液噴嘴343、當作惰性氣體供給部之惰性氣體噴嘴344，來取代被形成 在洗淨治具140之內部的溶劑供給部150、沖洗液供給部151、惰性氣體供給部152。該些溶劑噴嘴342、沖洗液噴嘴343、惰性氣體噴嘴344被配置在網眼板340之上方。在溶劑噴嘴342連接有與上述溶劑供給源154連通之供給管155。在沖洗液噴嘴343連接有與上述沖洗液供給源157連通之供給管158。惰性氣體噴嘴344連接有與上述惰性氣體供給源160連通之供給管161。並且，在本實施型態中，雖然個別地設置該些溶劑噴嘴342、沖洗液噴嘴343、惰性氣體噴嘴344，但是即使從一個噴嘴供給溶劑L、沖洗液R、惰性氣體亦可。
然後，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面使溶劑L從溶劑噴嘴342被供給至網眼板340和接合面WJ 之間之間隙345，溶劑L係在間隙345藉由表面張力和離心力在接合面WJ 上擴散。此時，因使用網眼板340，故容易形成表面張力大，容易形成接合面WJ 被浸漬於溶劑L之狀態。之後，沖洗液R從沖洗液噴嘴343被供給至間隙345，沖洗液R邊與溶劑L混合，邊在間隙345，藉由表面張力和離心力在被處理晶圓W之接合面WJ 上擴散。之後，惰性氣體從惰性氣體噴嘴344被供給至間隙345，藉由惰性氣體而除去間隙345之混合液C，並且接合面WJ 被乾燥。如此一來，即使在本實施型態中，亦可以適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。
並且，如本實施型態般於使用網眼板340之時，即使 設置用以吸引間隙345之溶劑L或混合液C之吸引部(無圖示)亦可。在吸引部使用例如在被處理晶圓W之徑向移動自如之掃描噴嘴。
在以上之實施型態之洗淨治具140雖然設置有溶劑供給部150、沖洗液供給部151、惰性氣體供給部152，但是溶劑供給部、沖洗液供給部、惰性氣體供給部可採取各種型態。例如，第28圖所示般，即使將溶劑供給部150、沖洗液供給部151設置在洗淨治具140之內部，將對間隙142供給惰性氣體之惰性氣體供給部350設置在洗淨治具140之外部亦可。惰性氣體供給部350連接有與上述惰性氣體供給源160連通之供給管161。或是，即使在洗淨治具140之外部設置該些溶劑供給部、沖洗液供給部、惰性氣體供給部全部亦可。即使在任何情形時，亦可以適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。
在以上之實施型態之洗淨裝置13中，即使如第29圖所示般省略洗淨治具140亦可。如此一來，供給溶劑L、沖洗液R、惰性氣體之供給噴嘴360，和吸引溶劑L、沖洗液R(混合液C)之吸引噴嘴361，被設置在晶圓保持部130之上方。然後，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面從供給噴嘴360供給溶劑L、沖洗液R、惰性氣體至被處理晶圓W上，並且從吸引噴嘴361吸引被處理晶圓W上之溶劑L、沖洗液R(混合液體C)。即使在本實施型態中，亦可以適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。
在以上之實施型態之洗淨裝置13中，洗淨治具140雖然被配置在晶圓保持部130之上方，但是即使如第30圖所示般，使洗淨治具140和晶圓保持部130之上下位置相反亦可。即是，即使將洗淨治具140配置在晶圓保持部130之下方亦可。
如此一來，洗淨治具140被配置成其供給面141朝向上方。再者，洗淨治具140之下方設置有具備例如馬達或汽缸等之升降驅動源等之治具驅動部370。洗淨治具140藉由治具驅動部370而升降自如。並且，洗淨治具140之構成因與上述實施型態之洗淨治具140相同，故省略說明。
晶圓保持部130係被配置成被保持於旋轉吸盤131之被處理晶圓W之接合面WJ 朝向下方。再者，使旋轉吸盤131旋轉並且升降之吸盤驅動部133被設置在晶圓保持部130之上方，被安裝在處理容器120之頂棚面。
於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面如第31圖所示般溶劑L從溶劑供給部150被供給至洗淨治具140和接合面WJ 之間的間隙142，溶劑L在間隙142藉由表面張力和離心力在接合面WJ 上擴散。之後，沖洗液R從沖洗液供給部151被供給至間隙142，沖洗液R邊與溶劑L混合，邊在間隙142，藉由表面張力和離心力在被處理晶圓W之接合面WJ 上擴散。之後，惰性氣體從惰性氣體供給部152被供給至間隙 142，藉由惰性氣體而除去間隙142之混合液C，並且接合面WJ 被乾燥。此時，即使溶劑L或混合液C流出至間隙142之外部，該些溶劑L或混合液C落下至下方。如此一來，溶劑L或混合液C不會流入至被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上。因此，可以抑制切割膠帶P受到損傷，再者可以迅速地進行接合面WJ 之洗淨。因此，即使在使洗淨治具140和晶圓保持部130之上下位置成為相反之時，亦可以適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。而且，因被處理晶圓W以其接合面WJ 朝向下方之方式被保持於旋轉吸盤131，故不需要使在剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W之表背面反轉。因此，可以省略反轉裝置32。
並且，即使如第19圖所示般在接合面WJ 朝向上方之狀態下進行對間隙142供給溶劑L和沖洗液R，之後使被處理晶圓W之表背面反轉，如第31圖所示般在接合面WJ 朝向下方之狀態下進行對間隙142供給惰性氣體亦可。如此一來，藉由溶劑L和沖洗液R適當地除去朝向上方之狀態的接合面WJ 上之雜質。之後，雖然藉由惰性氣體使朝向下方之狀態的接合面WJ 乾燥，但是此時可以抑制間隙142之混合液C流入至段部A。
如上述實施型態般，即使洗淨治具140被配置在晶圓保持部130之下方之時，如第32圖所示般在洗淨治具140之外周部設置吸引部300亦可。並且，吸引部300之構成因與上述實施型態之吸引部300之構成相同，故省略 說明。如此一來，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，因可以從吸引部300吸引間隙142之溶劑L或混合液C，故可以抑制溶劑L或混合液C流入至被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P。而且，因從吸引部300之下方吸引溶劑L或混合液C，施加於該溶劑L或混合液C之重力之部分，可以縮小來自吸引部300之吸引力，並可以降低施加於負壓產生裝置301之負載。
並且，如此一來，洗淨治具140被配置在晶圓保持部130之下方時，即使如第33圖所示般省略洗淨治具140亦可。如此一來，在旋轉吸盤131之下方，設置有對被處理晶圓W之接合面WJ 供給溶劑L之溶劑噴嘴380、對接合面WJ 供給沖洗液R之沖洗液噴嘴381、對接合面WJ 供給惰性氣體之惰性氣體噴嘴382。並且，在本實施型態中，雖然個別地設置該些溶劑噴嘴380、沖洗液噴嘴381、惰性氣體噴嘴382，但是即使從一個噴嘴供給溶劑L、沖洗液R、惰性氣體亦可。
然後，於洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 之時，一面藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，一面從溶劑噴嘴380對接合面WJ 供給溶劑L，溶劑L藉由離心力在接合面WJ 上擴散。之後，從沖洗液噴嘴381對接合面WJ 供給沖洗液R，沖洗液R邊與溶劑L混合，邊藉由離心力在接合面WJ 上擴散。之後，惰性氣體從惰性氣體噴嘴382被供給至接合面WJ ，藉由惰性氣體使接合面WJ 上之混合液C被除去，並且接合面WJ 被乾燥。如此一來，即使在 本實施型態中，亦可以適當地洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。
在以上之實施型態之洗淨裝置13中，雖然藉由旋轉吸盤131使被處理晶圓W旋轉，但是即使使洗淨治具140旋轉亦可。如此一來，在洗淨裝置13設置用以使洗淨治具140旋轉之旋轉機構(無圖示)。或是，即使使洗淨治具140和被保持於旋轉吸盤131之被處理晶圓W一起旋轉亦可。即使在任一情形下，皆可以藉由使洗淨治具140和被處理晶圓W相對性旋轉，溶劑L或混合液C藉由離心力在被處理晶圓W之接合面WJ 上擴散。
並且，即使停止如此的洗淨治具140和被處理晶圓W之相對性之旋轉，而僅以表面張力使溶劑L或混合劑C擴散亦可。
在以上之實施型態之洗淨裝置13中，為了洗淨被處理晶圓W之接合面WJ ，雖然使用溶劑L、沖洗液R、惰性氣體，但是於例如溶劑L具有高揮發性之時，也可以省略沖洗液R和惰性氣體。
以上之實施型態之重合晶圓T之剝離處理即使在與上述剝離系統1不同之剝離系統進行亦可。
例如，第34圖所示般，剝離系統400具有一體連接下述構件的構成：在與外部之間搬入搬出各能夠收容複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T之匣盒CW 、CS 、CT 的搬入搬出站410；具備對被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T施予規定之處理之各種處理裝置 的剝離處理站411；及在與剝離處理站411鄰接之後處理站412之間進行被處理晶圓W之收授的介面站413。並且，即使在本實施型態中，被處理晶圓W和重合晶圓T也各被保持於切割框架F和切割膠帶P。
搬入搬出站410和剝離處理站411係排列配置在X方向(第34圖中之上下方向)。在該些搬入搬出站410和剝離處理站411之間形成有晶圓搬運區域414。介面站413係被配置在剝離處理站411之Y方向負方向側(第34圖中之左方向側)。在介面站413之X方向正方向側(第34圖中之上方向側)配置有檢查收授於後處理站412之前的被處理晶圓W之檢查裝置415。再者，夾著介面站413在檢查裝置415之相反側，即是介面站413之X方向負方向側(第34圖中之下方向側)配置有洗淨檢查後之被處理晶圓W之檢查後洗淨裝置416。
在搬入搬出站410設置有匣盒載置台420。在匣盒載置台420上設置有複數例如三個匣盒載置板421。匣盒載置板421係在Y方向(第34圖中之左右方向)排列成一列而配置。在該些匣盒載置板421，於對剝離系統1之外部搬入搬出匣盒CW 、CS 、ST 之時，則可以載置匣盒CW 、CS 、CT 。如此，搬入搬出站410被構成能夠保有複數之被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數之重合晶圓T。並且，匣盒載置板421之個數並不限定於本實施型態，可以任意決定。再者，對被搬入至搬入搬出站410之複數重合晶圓T進行事先檢查，判別成含有正常之被處理晶圓W 的重合晶圓T和具有缺陷之被處理晶圓W的重合晶圓T。
在晶圓搬運區域414配置有第1搬運裝置430。第1搬運裝置430具有在例如垂直方向、水平方向(X方向、Y方向)及繞垂直軸移動自如之兩根搬運臂。該些兩根搬運臂具有各與上述實施型態中保持搬運重合晶圓T或被處理晶圓W之第1搬運臂190，和保持搬運支撐晶圓S之第2搬運臂191相同之構成。第1搬運裝置430係在晶圓搬運區域414內移動，在搬入搬出站410和剝離處理站411之間可以搬運被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
剝離處理站411具有將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S的剝離裝置12。在剝離裝置12之Y方向負方向側(第34圖中之左方向側)配置有洗淨被剝離之被處理晶圓W的第1洗淨裝置13。在剝離裝置12和第1洗淨裝置13之間設置第2搬運裝置440。再者，在剝離裝置12之Y方向正方向側(第24圖中之右方向側)配置有洗淨被剝離之支撐晶圓S的當作其他洗淨裝置之第2洗淨裝置441。如此，在剝離處理站411從介面站413側依序配置有第1洗淨裝置13、第2搬運裝置440、剝離裝置12、第2洗淨裝置441。並且，剝離裝置12具有與上述實施型態之剝離系統1中之剝離裝置12相同之構成。再者，雖然第1洗淨裝置13也具有與剝離系統1中之洗淨裝置13相同之構成，但是為了與第2洗淨裝置441區別方便，稱為第1洗淨裝置13。
在檢查裝置415中，檢查藉由剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W上有無接著劑G之殘渣。再者，在檢查後洗淨裝置416中，以檢查裝置415進行確認出接著劑G之殘渣的被處理晶圓W之洗淨。該檢查後洗淨裝置416具有洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 的接合面洗淨部416a、洗淨被處理晶圓W之非接合面WN 的非接合洗淨部416b、使被處理晶圓W上下反轉之反轉部416c。並且，接合面洗淨部416a和非接合面洗淨部416b具有與第1洗淨裝置13相同之構成。
在介面站413設置有當作在延伸於Y方向之搬運路450上移動自如的第3搬運裝置451。第3搬運裝置451也在垂直方向及繞垂直軸(θ方向)移動自如，在剝離處理站411、後處理站412、檢查裝置415及檢查後洗淨裝置416之間可以搬運被處理晶圓W。
並且，在後處理站412中，對在剝離處理站411被剝離之被處理晶圓W進行規定之後處理。就以特定之後處理而言，進行例如被處理晶圓W上之裝置之電性特性之檢查的處理等。
接著，針對上述之第2搬運裝置440之構成予以說明。第2搬運裝置440如第35圖所示般具有保持搬運被處理晶圓W之搬運臂460。並且，以搬運臂460搬運之被處理晶圓W被保持在切割框架F和切割膠帶P。
搬運臂460係如第36圖所示般具有前端分歧成兩根前端部460a、460a之形狀。在搬運臂460設置有經切割 框架F(或是切割膠帶P)而吸附保持被處理晶圓W之吸附墊461。依此，搬運臂460可以在該搬運臂460上水平保持被處理晶圓W。
搬運臂460係如第35圖所示般被支撐於支撐臂462。支撐臂462係被支撐於第1驅動部463支撐。藉由該第1驅動部463，支撐臂462係繞水平軸旋轉自如，並且可以在水平方向伸縮。在第1驅動部463之下方設置有第2驅動部464。藉由該第2驅動部464，第1驅動部463繞垂直軸旋轉自如，並且可以在垂直方向升降。
並且，第3搬運裝置451因具有與上述第2搬運裝置440相同之構成。但是，第3搬運裝置451之第2驅動部464被安裝於第34圖所示之搬運路徑450，第3搬運裝置451能夠在搬運路徑450上移動。
接著，針對上述之第2洗淨裝置441之構成予以說明。第1洗淨裝置13如第37圖所示般具有處理容器470。在處理容器470之側面，形成支撐晶圓S之搬入搬出口(無圖示)，在該搬入搬出口設置有開關快門(無圖示)。
在處理容器470內之中央部設置有保持支撐晶圓W而使旋轉之旋轉吸盤480。旋轉吸盤480具有水平之上面，在該上面設置有例如吸引支撐晶圓S之吸引口(無圖示)。藉由該吸引口之吸引，可以在旋轉吸盤480上吸附保持支撐晶圓S。
在旋轉吸盤480之下方設置有具備有例如馬達等之吸 盤驅動部481。旋轉吸盤480係可以藉由吸盤驅動部481以規定之速度旋轉。再者，在吸盤驅動部481設置有例如汽缸等之升降驅動源，旋轉吸盤480成為升降自如。
在旋轉吸盤480之周圍設置有用以接取並回收從支撐晶圓S飛散或滴落之液體的罩杯482。在罩杯482之下面連接有排出回收之液體的排出管483，和對罩杯482內之氛圍抽真空而予以排氣的排氣管484。
如第38圖所示般，在罩杯482之X方向負方向(第38圖中之下方向)側，形成有沿著Y方向(第38圖中之左右方向)延伸的軌道490。軌道490係從例如罩杯482之Y方向負方向(第38圖中之左方向)側之外方形成至Y方向正方向(第38圖中之右方向)側之外方。在軌道490安裝有機械臂491。
在機械臂491如第37及第38圖所示般，支撐有對支撐晶圓S供給例如有機溶劑之洗淨液的洗淨液噴嘴492。機械臂491係藉由第38圖所示之噴嘴驅動部493在軌道490上移動自如。依此，洗淨液噴嘴492可以從被設置在罩杯482之Y方向正方向側之外方的待機部494移動至罩杯482內之支撐晶圓S之中心部上方，並且可以在該支撐晶圓S之徑向於該支撐晶圓S上移動。再者，機械臂491係藉由噴嘴驅動部493升降自如，可以調節洗淨液噴嘴492之高度。
洗淨液噴嘴492使用例如2流體噴嘴。洗淨液噴嘴492如第37圖所示般連接有對該洗淨液噴嘴492供給洗 淨液之供給管500。供給管500與在內部貯留洗淨液之洗淨液供給源501連通。在供給管500設置有包含控制洗淨液之流動的閥或流量調節部等之供給機器群502。再者，在洗淨液噴嘴492連接有對該洗淨液噴嘴492供給惰性氣體例如氮氣之供給管503。供給管503與在內部貯留惰性氣體之惰性氣體供給源504連通。在供給管503設置有包含控制惰性氣體之流動的閥或流量調節部等之供給機器群505。然後，洗淨液和惰性氣體係在洗淨液噴嘴492內混合，從該洗淨液噴嘴492被供給至支撐晶圓S。並且，在下述中，有將混合洗淨液和惰性氣體單稱為「洗淨液」之情形。
並且，即使在旋轉吸盤480之下方，設置有用以從下方支撐支撐晶圓S並使升降之升降銷(無圖示)亦可。如此一來，升降銷揷通形成在旋轉吸盤480之貫通孔(無圖示)，成為能夠從旋轉吸盤480之上面突出。然後，使升降銷升降以取代使旋轉吸盤480升降，而在與旋轉吸盤480之間進行支撐晶圓S之收授。
再者，在第2洗淨裝置441中，即使在旋轉吸盤480之下方，設置朝向支撐晶圓S之背面，即是非接合面SN 噴射洗淨液之背面沖洗噴嘴(無圖示)亦可。藉由自該背面沖洗噴嘴噴射之洗淨液，洗淨支撐晶圓S之非接合面SN 和支撐晶圓S之外周部。
接著，針對使用如上述般構成之剝離系統400而執行之被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離處理方法予以說 明。
首先，收容有複數片重合晶圓T之匣盒CT 、空的匣盒CW 及空的匣盒CS 被載置在搬入搬出站410之特定的卡匣載置板421。藉由第1搬運裝置430，匣盒CT 內之重合晶圓T被取出，被搬運至剝離處理站411之剝離裝置12。此時，重合晶圓T係被保持在切割框架F和切割膠帶P，在將被處理晶圓W配置在上側，且將支撐晶圓S配置在下側之狀態下被搬運。
被搬入至剝離裝置12之重合晶圓T係被剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S。該剝離裝置12中之被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離方法因與在上述實施型態中說明之方法相同，故省略說明。
之後，在剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W藉由第2搬運裝置440被搬運至第1洗淨裝置13。在此，針對藉由第2搬運裝置440之被處理晶圓W之搬運方法予以說明。再者，被處理晶圓W被保持於切割框架F和切割膠帶P。
如第39圖所示般，使支撐臂462伸長而將搬運臂460配置在被保持於第1保持部50之被處理晶圓W之下方。之後，使搬運臂460上升，停止第1保持部50中自吸引管60吸引被處理晶圓W。然後，被處理晶圓W從第1保持部50被收授至搬運臂460。
接著，如第40圖所示般，轉動支撐臂462使搬運臂460移動至第1洗淨裝置13之晶圓保持部130之上方， 並且使搬運臂460反轉而使被處理晶圓W朝向下方。此時，使晶圓保持部130上升至較罩杯134上方而進行待機。之後，被處理晶圓W從搬運臂460被收授至晶圓保持部130，並被吸附保持。
如此一來，當被處理晶圓W被吸附保持在晶圓保持部130時，則使晶圓保持部130下降至規定之位置。接著，藉由洗淨裝置140洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。並且，該第1洗淨裝置13中之被處理晶圓W之接合面WJ 之洗淨方法，因與在上述實施型態中所說明之方法相同，故省略說明。
在此，對如上述般被搬入至搬入搬出站410之複數重合晶圓T進行事先檢查，判別成含有正常之被處理晶圓W的重合晶圓T和含有具有缺陷之被處理晶圓W的重合晶圓T。
從正常之重合晶圓T被剝離之正常的被處理晶圓W，在第1洗淨裝置13洗淨接合面WJ 之後，藉由第3搬運裝置451被搬運至檢查裝置415。並且，藉由該第3搬運裝置451之被處理晶圓W之搬運因幾乎與藉由上述第2搬運裝置440之被處理晶圓W之搬運相同，故省略說明。
在檢查裝置415中，檢查被處理晶圓W之接合面WJ 中有無接著劑G之殘渣。在檢查裝置415中，於確認接著劑G之殘渣時，被處理晶圓W藉由第3搬運裝置451，被搬運至檢查後洗淨裝置416之接合面洗淨部416a，在接合面洗淨部416a洗淨接合面WJ 。當接合面WJ 被洗淨 時，被處理晶圓W藉由第3搬運裝置451被搬運至反轉部416c，在反轉部416c上下方向被反轉。並且，於未確認出接著劑G之殘渣時，被處理晶圓W不用被搬運至接合面洗淨部416a，在反轉部416c被反轉。
之後，被反轉之被處理晶圓W藉由第3搬運裝置451再次被搬運至檢查裝置415，進行非接合面WN 之檢查。然後，在非接合面WN 確認出接著劑G之殘渣時，被處理晶圓W藉由第3搬運裝置451被搬運至非接合面洗淨部416c，進行非接合面WN 之洗淨。接著，被洗淨之被處理晶圓W藉由第3搬運裝置451被搬運至後處理站412。並且，在檢查裝置415無確認出接著劑G之殘渣時，被處理晶圓W不被搬運至非接合面洗淨部416b，原樣地被搬運至後處理站412。
之後，在後處理站412對被處理晶圓W進行特定之後處理。如此一來，被處理晶圓W被製品化。
另外，從具有缺陷之重合晶圓T被剝離之具有缺陷的被處理晶圓W，在第1洗淨裝置13洗淨接合面WJ 之後，藉由第1搬運裝置430被搬運至搬入搬出站410之匣盒CW 。之後，具有缺陷之被處理晶圓W係從搬入搬出站410被搬出至外部且被回收。
於對在剝離裝置12被剝離之被處理晶圓W進行上述處理之期間，在該剝離裝置12被剝離之支撐晶圓S藉由第1搬運裝置430被搬運至第2洗淨裝置441。
被搬入至第2洗淨裝置441之支撐晶圓S被吸附保持 在旋轉吸盤480。之後，使旋轉吸盤480下降至規定之位置。接著，藉由機械臂491使待機部494之洗淨液噴嘴492移動至被支撐晶圓S之中心部之上方。之後，一面藉由旋轉吸盤480使支撐晶圓S旋轉，一面從洗淨液噴嘴492對支撐晶圓S之接合面SJ 供給洗淨液。被供給之洗淨液藉由離心力擴散至支撐晶圓S之接合面SJ 之全面，而洗淨該支撐晶圓S之接合面SJ 。
之後，在第2洗淨裝置441被洗淨之支撐晶圓S藉由第1搬運裝置430被搬運至搬入搬出站410之匣盒CS 。之後，支撐晶圓S從搬入搬出站410被搬出至外部且被回收。如此一來，完成剝離系統400中之一連串之被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離處理。
若藉由以上之實施型態之剝離系統400時，在剝離裝置12將重合晶圓T剝離成被處理晶圓W和支撐晶圓S之後，在第1洗淨裝置13中，洗淨被剝離之被處理晶圓W，並且在第2洗淨裝置441中，可以洗淨被剝離之支撐晶圓S。如此一來若藉由本實施型態，在一個剝離系統400內，可以有效率地進行從被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離至被處理晶圓W之洗淨和支撐晶圓S之洗淨為止之一連串的剝離處理。再者，在第1洗淨裝置13和第2洗淨裝置441中，可以分別並行進行被處理晶圓W和支撐晶圓S之洗淨。並且，在剝離裝置12中剝離被處理晶圓W和支撐晶圓S之期間，在第1洗淨裝置13和第2洗淨裝置441中亦可以處理另外之被處理晶圓W和支撐晶 圓S。因此，可以有效率地進行被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離，並可以提高剝離處理之生產量。
再者，在如此一連串之製程中，因可以從被處理晶圓W和支撐晶圓S之剝離進行至被處理晶圓W之後處理，故可以更提升晶圓處理之生產量。
在以上之實施型態之剝離系統400中，即使設置將以剝離裝置12被加熱之被處理晶圓W冷卻至規定之溫度的溫度調節裝置(無圖示)亦可。在如此之情況下，因被處理晶圓W之溫度被調節至適當之溫度，故可以更圓滑地進行後續處理。
再者，在上述之實施型態中，雖然針對在後處理站412對被處理晶圓W進行後處理且予以製品化之時進行說明，但是本發明亦可以適用於例如從支撐晶圓剝離在三次元積體技術中被使用的被處理晶圓之時。並且，三次元積體技術係因應近年來之半導體裝置之高積體化之要求的技術，三次元積層該複數半導體裝置，以取代在水平面內配置高積體化之複數之半導體裝置的技術。即使在該三次元積體技術中，也要求被積層之被處理晶圓之薄型化，將該被處理晶圓接合於支撐晶圓而進行特定之處理。
在以上之實施型態中，如第41圖所示般，即使在被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上設置環狀之保護膠帶D亦可。即是，保護膠帶D被設置成在俯視觀看下不存在切割膠帶P之露出部分。並且，保護膠帶D使用對接著劑G之溶劑L具有耐蝕性之材料， 例如鐵氟龍(註冊商標)等之氟系樹脂
保護膠帶D即使於將重合晶圓T安裝於切割框架F之前設置亦可，即使於將重合晶圓T安裝於切割框架F之時設置亦可。於重合晶圓T之安裝前設置保護膠帶D之時，例如將事先在切割膠帶P上之特定位置安裝有保護膠帶D者黏貼在切割框架F和重合晶圓T。再者，於重合晶圓T之安裝時設置保護膠帶D之時，藉由例如保持構件(無圖示)保持保護膠帶D，黏貼在被處理晶圓W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上亦可，或是在例如被處理晶圓晶W和切割框架F之間之段部A之切割膠帶P上塗佈保護材料而設置保護膠帶D亦可。
如此一來，在洗淨裝置13洗淨被處理晶圓W之時，溶劑L經溶劑供給部150從供給口153被供給至供給面141和接合面WJ 之間之間隙142，即使該溶劑L流入至被處理晶圓W和切割框架F之間的段部A，亦可以藉由保護膠帶D抑制由於溶劑L所造成的切割膠帶P之損傷。
再者，因保護膠帶D對溶劑L具有耐蝕性，故可以更確實地抑制由於溶劑L所造成之切割膠帶P之損傷。並且，即使例如保護膠帶D對溶劑L不具有耐蝕性之時，若流入至段部A之溶劑L無接觸到切割膠帶P即可。即是，即使保護膠帶D藉由溶劑L而腐蝕，若該溶劑L無到達至切割膠帶P之表面即可。
在以上之實施型態中，如第42圖所示般，保護膠帶D即使被設置成覆蓋被處理晶圓W和切割框架F之間之 段部A之切割膠帶P，並且又覆蓋切割框架F亦可。如此一來，可以抑制溶劑L污染切割框架F。再者，於完成對被處理晶圓W之處理之後，可以容易從切割膠帶P剝開保護膠帶D。
並且，經本發明者精心研究之結果，可知在洗淨裝置13洗淨被處理晶圓W之時，於接著劑G之溶劑L使用異十二烷(Isododecane)或孟烷(menthane)之時，由於該溶劑L切割膠帶P不會惡化。再者，也確認出藉由異十二烷或孟烷之溶劑L，可以充分洗淨被處理晶圓W之接合面WJ 。因此，於使用該溶劑L之時，即使切割膠帶P露出，即是即使例如省略上述保護膠帶D，亦可以邊抑制藉由溶劑L所造成之切割膠帶P之損傷，邊適當地洗淨被處理晶圓W。
以上，雖然一面參照附件圖面一面針對本發明之最佳實施形態予以說明，但是本發明並不限並於如此之例。若為本項技藝者在記載於申請專利範圍之思想範疇內應該能夠思及各種變更例或是修正例，即使針對該些變更例或修正例當然也屬於本發明之技術範圍。本發明並不限定於此例，可採用各種態樣。本發明亦可以適用於基板為晶圓以外之FPD(平面顯示器)、光罩用之光柵等之其他基板之時。
130‧‧‧晶圓保持部
131‧‧‧旋轉吸盤
132‧‧‧吸附墊
140‧‧‧洗淨治具
141‧‧‧供給面
142‧‧‧間隙
150‧‧‧溶劑供給部
151‧‧‧沖洗液供給部
152‧‧‧惰性氣體供給部
153‧‧‧供給口
154‧‧‧溶劑供給源
155‧‧‧供給管
156‧‧‧供給機器群
157‧‧‧沖洗液供給源
158‧‧‧供給管
159‧‧‧供給機器群
160‧‧‧惰性氣體供給源
161‧‧‧供給管
162‧‧‧供給機器群
A‧‧‧段部
F‧‧‧切割框架
P‧‧‧切割膠帶
B‧‧‧階差
W‧‧‧被處理晶圓
WJ ‧‧‧接合面
FS ‧‧‧切割框架之表面

Claims (12)

  1. 一種剝離裝置，以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，該剝離裝置具有：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；及移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動，上述移動機構具有：第1移動部，其係保持上述另一保持部，並且僅使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和第2移動部，其係使上述第1移動部和上述另一保持部在垂直方向移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之剝離裝置，其中上述一保持部被配置在上述另一保持部之上方，上述移動機構係使上述另一保持部往垂直下方移動。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之剝離裝置，其中上述一保持部具有加熱被處理基板的加熱機構，上述另一保持部具有加熱支撐基板的加熱機構。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之剝離裝置，其中上述第1移動部具有：複數汽缸，其係使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和支撐柱，其係於上述另一保持部之外周部藉由上述複數汽缸在垂直方向移動之時，支撐該另一保持部之中央部，使上述另一保持部之中央部之垂直方向之位置不會變化。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之剝離裝置，其中具有在上述膠帶之外側保持上述框架之保持部。
  6. 一種剝離裝置，以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，該剝離裝置具有：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；及控制器，其係控制上述一保持部、上述另一保持部及 上述移動機構，使實行在以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程，和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
  7. 一種剝離系統，具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板的剝離裝置，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述移動機構具有：第1移動部，其係保持上述另一保持部，並且僅使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動；和第2移動部，其係使上述第1移動部和上述另一保持部在垂直方向移動，上述剝離系統具有：剝離處理站，其具備：上述剝離裝置、洗淨在上述剝 離裝置被剝離之被處理基板的第1洗淨裝置、和洗淨在上述剝離裝置被剝離之支撐基板的第2洗淨裝置；搬入搬出站，其係對上述剝離處理站，將被處理基板、支撐基板或重合基板予以搬入搬出；及搬運裝置，其係在上述剝離處理站和上述搬入搬出站之間，搬運被處理基板、支撐基板或重合基板。
  8. 一種剝離方法，具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，使用剝離裝置將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板；移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述剝離方法具有：第1工程，其係以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程；和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之剝離方法，其中上述一保持部被配置在上述另一保持部之上方，在上述第1工程和上述第2工程中，使上述另一保持部往垂直下方移動。
  10. 如申請專利範圍第8或9項所記載之剝離方法，其中上述一保持部具有加熱被處理基板之加熱機構，上述另一保持部具有加熱支撐基板的加熱機構，上述第1工程和上述第2工程係一面加熱被保持於上述一保持部之被處理基板和被保持於上述另一保持部之支撐基板一面被進行。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所記載之剝離方法，其中上述剝離裝置係在上述膠帶之外側具有保持上述框架的保持部，在上述第1工程中以保持部保持上述框架。
  12. 一種非暫態電腦可讀取之記憶媒體，為了藉由剝離裝置實行剝離方法，儲存有控制該剝離裝置之控制部的在電腦上動作的程式，該剝離方法係具備以接著劑接合被處理基板和支撐基板的重合基板，被配置在環狀之框架之內側，藉由被黏貼在上述框架之表面和被處理基板之非接合面的膠帶被保持之狀態下，使用剝離裝置將該重合基板剝離成被處理基板和支撐基板，上述剝離裝置具備：一保持部，其係透過膠帶保持被處理基板；另一保持部，其係保持支撐基板； 移動機構，其係以被保持於上述另一保持部之支撐基板，從其外周部朝向中心部自被保持於上述一保持部之被處理基板連續剝離之方式，保持上述另一保持部之外周部而在垂直方向移動；上述剝離方法具有：第1工程，其係以上述一保持部保持被處理基板，並以上述另一保持部保持支撐基板之狀態下，使上述另一保持部之外周部在垂直方向移動，從外周部朝向中心部而自被處理基板連續性地剝離支撐基板的第1工程；和之後使其他保持部全體在垂直方向移動，剝離被處理基板和支撐基板的第2工程。
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