TWI631999B - Cleaning device, stripping system, washing method and computer memory medium - Google Patents

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Abstract

適切且效率良好地洗淨從支撐基板剝離之被處理基板的接合面。
洗淨被處理基板(W)之接合面的第1洗淨裝置(151)，係具有：保持部(310)，保持被處理基板(W)；旋轉機構(320)，使保持部(310)旋轉；溶劑噴嘴(353)，對被處理基板(W)之接合面供給保護劑的溶劑；及吸引噴嘴(360)，吸引從被處理基板(W)之接合面剝離的剝離劑而予以去除。在第1洗淨裝置(151)中，係一邊藉由旋轉機構(320)，使被處理基板(W)旋轉，一邊從溶劑噴嘴(353)對被處理基板(W)之接合面供給保護劑之溶劑，而將該被處理基板(W)之接合面洗淨。

Description

洗淨裝置、剝離系統、洗淨方法及電腦記憶媒體
本發明，係關於洗淨裝置、具備有該洗淨裝置的剝離系統、使用該洗淨裝置的洗淨方法、程式及電腦記憶媒體，該洗淨裝置，係在被處理基板與支撐基板之間，從被處理基板側依序層疊保護劑、剝離劑及黏著劑，在將接合有該被處理基板與支撐基板的重合基板剝離之後，洗淨被剝離之被處理基板的接合面。
近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板的大直徑化及薄型化正在發展中。在半導體基板上，係形成有複數個電子回路，以下將該基板稱為被處理基板。大口徑且薄的被處理基板，係在搬送時或研磨處理時有產生翹曲或破裂之虞。因此，在將支撐基板貼合於被處理基板並加以補強之後，進行搬送或研磨處理，然後，進行將支撐基板從被處理基板剝離的處理。
例如專利文獻1所揭示般，在所接合之被處理基板與支撐基板之間，係設置有：黏著劑，用以黏著該 些被處理基板與支撐基板；剝離劑，用以使被處理基板與支撐基板順利地剝離；及保護劑，用以保護被處理基板之電子回路。
又，剝離被處理基板與支撐基板之剝離，係藉由例如揭示於專利文獻2之剝離系統而進行。該剝離系統，係具有：剝離裝置，剝離被處理基板與支撐基板；及洗淨裝置，將被該剝離裝置所剝離之被處理基板的接合面洗淨。在洗淨裝置中，係一邊以基板保持部來保持被處理基板而使其旋轉，一邊對被處理基板上供給黏著劑之溶劑，從而將該被處理基板之接合面洗淨。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-247292號公報
[專利文獻2]日本特開2014-060348號公報
在此，在上述之被處理基板與支撐基板之間，係從被處理基板側，以保護劑、剝離劑及黏著劑該順序予以層疊。而且，經發明者們深入研究的結果，已知：上述之被處理基板與支撐基板，係在剝離劑與黏著劑的界面被剝離。如此一來，在剝離後之被處理基板上會殘存有 保護劑與剝離劑，在將該被處理基板洗淨時，該保護劑與剝離劑會被去除。
然而，在專利文獻2之剝離系統中，係將由黏著劑所接合之被處理基板與支撐基板剝離，在被處理基板與支撐基板之間，除了黏著劑之外，未考慮設置保護劑與剝離劑。而且，在專利文獻2之洗淨裝置中，雖係對被處理基板上供給黏著劑之溶劑，而去除該被處理基板上的黏著劑，但並未考慮如上述之去除被處理基板上的保護劑與剝離劑。因此，在以往的方法，係存在有無法適切地將被處理基板之接合面洗淨的情形。又，在例如保護劑與黏著劑為不同材料的情況下，當使用以往方法時，去除該些保護劑與黏著劑需要很長的時間。
本發明，係有鑑於該點而進行研究者，且以適切且效率良好地將從支撐基板所剝離之被處理基板的接合面洗淨為目的。
為了達成前述目的，本發明，係在被處理基板與支撐基板之間，從被處理基板側依序層疊有保護劑、剝離劑及黏著劑，且在將接合有該被處理基板與支撐基板之重合基板剝離之後，將被剝離之被處理基板的接合面洗淨，該洗淨裝置，其特徵係，具有：保持部，保持前述被處理基板；溶劑供給部，對保持於前述保持部之被處理基板的接合面供給前述保護劑之溶劑；及剝離劑吸引部，吸 引從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。另外，被處理基板之接合面，係稱為與支撐基板接合的面。
重合基板，係在剝離劑與黏著劑的界面被剝離，且在被剝離之被處理基板的接合面係殘存有保護劑與剝離劑。根據本發明，由於是從溶劑供給部對被處理基板之接合面供給保護劑的溶劑，因此，該接合面上的保護劑會被溶劑溶解而予以去除。如此一來，形成為被處理基板之接合面上之剝離劑懸浮於接合面的狀態，且該剝離劑亦被予以去除。因此，不受限於剝離劑之材質，可一起去除保護劑與剝離劑，且可適切地將被處理基板之接合面洗淨。而且，在本發明中，由於只要對被處理基板之接合面供給保護劑之溶劑即可，且不用溶解剝離劑就去除剝離劑與保護劑，因此，可在短時間內將被處理基板的接合面洗淨。
前述洗淨裝置，係亦可更具有：旋轉機構，使前述保持部旋轉；及控制裝置，以一邊藉由前述旋轉機構，使前述被處理基板旋轉，一邊從前述溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供給前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨的方式，來控制前述溶劑供給部及前述旋轉機構。
前述被處理基板，係被配置於具有直徑大於該被處理基板之開口部之框架的該開口部，並且以對設置於前述開口部的膠帶黏貼前述被處理基板之非接合面的方 式，予以保持於前述框架，前述洗淨裝置，係亦可更具有：升降機構，使前述框架升降；及控制裝置，以藉由前述升降機構，對前述被處理基板將前述框架配置於上方，使前述被處理基板之接合面的前述保護劑浸漬於從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨的方式，來控制前述溶劑供給部及前述升降機構。
前述洗淨裝置，係更具有使前述保持部旋轉的旋轉機構，前述控制裝置，係亦可一邊藉由前述旋轉機構，使前述被處理基板與前述框架旋轉，一邊將該被處理基板之接合面洗淨的方式，來控制前述旋轉機構。
前述洗淨裝置，係亦可更具有：振動機構，對從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑賦予振動。
前述洗淨裝置，係亦可更具有：剝離劑吸引部，吸引從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。
前述洗淨裝置，係亦更具有：剝離劑吸附部，吸附從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。
前述洗淨裝置，係亦可更具有：旋轉機構，使前述保持部旋轉；及移動機構，使前述剝離劑吸引部或前述剝離劑吸附部往前述被處理基板之徑方向移動。
前述洗淨裝置，係亦可更具有：罩杯，將從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑回收；及捕捉部，設置於前述罩杯內，而捕捉前述剝離劑。
另一觀點之本發明，係一種具備有前述洗淨裝置的剝離系統，其特徵係，具有：第1處理區塊，對前述重合基板與前述被處理基板進行處理；及第2處理區塊，對前述支撐基板進行處理，前述第1處理區塊，係具有：搬入搬出站，載置有前述重合基板與前述被處理基板；剝離站，具備有將前述重合基板剝離為前述被處理基板與前述支撐基板的剝離裝置；洗淨站，具備有前述洗淨裝置；及第1搬送區域，具備有在前述搬入搬出站、前述剝離站及前述洗淨站之間，搬送前述重合基板與前述被處理基板的第1搬送裝置，前述第2處理區塊，係具有：搬出站，載置有前述支撐基板；及第2搬送區域，具備有對前述搬出站搬送前述支撐基板的第2搬送裝置。
又，另一觀點之本發明，係一種洗淨方法，其係在被處理基板與支撐基板之間，從被處理基板側依序層疊有保護劑、剝離劑及黏著劑，且在將接合有該被處理基板與支撐基板的重合基板剝離之後，將被剝離之被處理基板的接合面洗淨，該洗淨方法，其特徵係，從溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供給前述保護劑之溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨。
亦可一邊使前述被處理基板旋轉，一邊從前述溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供給前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨。
前述被處理基板，係亦可被配置於具有直徑大於該被處理基板之開口部之框架的該開口部，並且藉由 對設置於前述開口部之膠帶黏貼前述被處理基板之非接合面的方式，予以保持於前述框架，且將前述框架配置於前述被處理基板之上方，使前述被處理基板之接合面的前述保護劑浸漬於從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨。
亦可一邊使前述被處理基板與前述框架旋轉，一邊將該被處理基板之接合面洗淨。
亦可對從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑賦予振動，而將前述被處理基板之接合面洗淨。
亦可由剝離劑吸引部來吸引從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。
亦可由剝離劑吸附部來吸附從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。
亦可一邊使前述被處理基板旋轉，一邊使前述剝離劑吸引部或前述剝離劑吸附部往前述被處理基板的徑方向移動，而去除前述剝離劑。
亦可使前述被處理基板旋轉，而捕捉從該被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑。
又，根據另一觀點之本發明，係提供有一種程式，該程式，係在控制該洗淨裝置之控制裝置的電腦上動作，以使得藉由洗淨裝置執行前述洗淨方法。
另外，再根據另一觀點之本發明，係提供一種儲存有前述程式的可讀取之電腦記憶媒體。
根據本發明，可適切且效率良好地將從支撐基板所剝離之被處理基板的接合面洗淨。
1‧‧‧剝離系統
10‧‧‧第1處理區塊
11‧‧‧搬入搬出站
13‧‧‧第1搬送區域
14‧‧‧剝離站
15‧‧‧第1洗淨站
20‧‧‧第2處理區塊
24‧‧‧第2搬送區域
25‧‧‧搬出站
30‧‧‧控制裝置
131‧‧‧第1搬送裝置
141、142‧‧‧剝離裝置
151、152‧‧‧第1洗淨裝置
241‧‧‧第2搬送裝置
310‧‧‧保持部
320‧‧‧旋轉機構
340‧‧‧罩杯
353‧‧‧溶劑噴嘴
360‧‧‧吸引噴嘴
361‧‧‧噴嘴驅動部
400‧‧‧升降機構
510‧‧‧振動機構
520‧‧‧吸附噴嘴
521‧‧‧吸附盤
530‧‧‧環網格
D‧‧‧切割帶
F‧‧‧切割框
G‧‧‧黏著劑
M‧‧‧溶劑
P‧‧‧保護劑
R‧‧‧剝離劑
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理基板
[圖1]表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。
[圖2]保持於切割框之重合基板的示意側視圖。
[圖3]保持於切割框之重合基板的示意平面圖。
[圖4]表示藉由剝離系統所執行之剝離處理之處理步驟的流程圖。
[圖5]表示第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖6]表示第1洗淨裝置之構成之概略的橫剖面圖。
[圖7]表示第1洗淨裝置之洗淨處理之主要工程的流程圖。
[圖8]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖9]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖10]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖11]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖12]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖13]表示第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖14]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖15]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理之主要工程的流程圖。
[圖16]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖17]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖18]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖19]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖20]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖21]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖22]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖23]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖24]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖25]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖26]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
[圖27]其他實施形態之第1洗淨裝置之洗淨處理動作的說明圖。
[圖28]表示其他實施形態之第1洗淨裝置之構成之概略的縱剖面圖。
以下，參閱添加圖面來說明本發明之實施形態。另外，該發明並不受下述所示的實施形態限定。
<1.剝離系統>
首先，參閱圖1~圖3，說明本實施形態之剝離系統的構成。圖1，係表示本實施形態之剝離系統之構成的示意平面圖。又，圖2，係保持於切割框之重合基板的示意側視圖；圖3，係同重合基板的示意平面圖。
另外，在下述中，係為了明確位置關係，而規定相互正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
圖1所示之本實施形態之剝離系統1，係將重合基板T(參閱圖2)剝離為被處理基板W與支撐基板S，該重合基板T，係經由保護劑P、剝離劑R及黏著劑G而接合被處理基板W與支撐基板S。
在下述中，係如圖2所示，將被處理基板W之板面中經由保護劑P、剝離劑R及黏著劑G，與支撐基板S接合之側邊的板面稱為「接合面Wj」，將與接合面 Wj相反的一側之板面稱為「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由保護劑P、剝離劑R及黏著劑G，與被處理基板W接合之側邊的板面稱為「接合面Sj」，將與接合面Sj相反的一側之板面稱為「非接合面Sn」。
被處理基板W，係指在例如矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數個電子回路的基板，且將形成有電子回路之側邊的板面設成為接合面Wj。又，被處理基板W，係藉由例如研磨處理非接合面Wn的方式來予以薄化。具體而言，被處理基板W的厚度，係約20~50μm。
另一方面，支撐基板S，係指與被處理基板W大致同徑的基板，且支撐被處理基板W。支撐基板S之厚度，係約650~750μm。作為該支撐基板S，係除了矽晶圓外，亦可使用玻璃基板等。
在被處理基板W與支撐基板S之間，係從被處理基板W側，依序層疊設置有保護劑P、剝離劑R及黏著劑G。保護劑P，係為了保護形成於被處理基板W之接合面Wj的電子回路而設置。剝離劑R，係為了使被處理基板W與支撐基板S順利地剝離而設置。黏著劑G，係為了黏著被處理基板W與支撐基板S而設置。
又，如圖3所示，重合基板T，係被固定於切割框F。切割框F，係在中央具有直徑大於重合基板T之開口部Fa的略環狀構件，且由不鏽鋼等的金屬所形成。切割框F之厚度，係例如為1mm左右。
重合基板T，係經由切割帶D被固定於該切割框F。具體而言，係以在切割框F的開口部Fa配置重合基板T，而從背面堵塞開口部Fa的方式，將切割帶D黏貼於被處理基板W的非接合面Wn及切割框F的背面。藉此，重合基板T，係成為被固定(保持)於切割框F的狀態。
如圖1所示，剝離系統1，係具備有第1處理區塊10及第2處理區塊20之2個處理區塊。第1處理區塊10與第2處理區塊20，係配置為依第2處理區塊20及第1處理區塊10的順序，鄰接於X軸方向。
在第1處理區塊10中，係進行重合基板T之搬入、重合基板T之剝離處理、剝離後之被處理基板W之洗淨及搬出等。亦即，第1處理區塊10，係指對藉由切割框F所保持之基板(重合基板T與被處理基板W)進行處理的區塊。該第1處理區塊10，係具備有搬入搬出站11、待機站12、第1搬送區域13、剝離站14、第1洗淨站15及切割邊緣站16。
搬入搬出站11、待機站12、剝離站14、第1洗淨站15及切割邊緣站16，係配置為鄰接於第1搬送區域13。具體而言，搬入搬出站11與待機站12，係配置為排列於第1搬送區域13的Y軸負方向側，剝離站14之一剝離裝置141與第1洗淨站15之2個第1洗淨裝置151、152，係配置為排列於第1搬送區域13的Y軸正方向側。又，剝離站14之其他剝離裝置142，係配置於第1 搬送區域13的X軸負方向側，切割邊緣站16，係配置於第1搬送區域13的X軸正方向側。
在搬入搬出站11，係設置有複數個匣盒載置台111，在各匣盒載置台111，係載置有匣盒Ct(該匣盒Ct，係收容有重合基板T)或匣盒Cw(該匣盒Cw，係收容有剝離後之被處理基板W)。而且，在搬入搬出站11中，係在與外部之間搬入搬出該些匣盒Ct與匣盒Cw。
在待機站12中，係配置有進行讀取例如切割框F之ID(Identification)的ID讀取裝置，且可藉由該ID讀取裝置來識別處理中的重合基板T。另外，在該待機站12中，係除了上述之ID讀取處理外，更因應所需而進行使待處理之重合基板T暫時待機的待機處理。在該待機站12，係設置有載置台(該載置台，係載置有藉由後述之第1搬送裝置131所搬送之重合基板T)，在該載置台，係載置有ID讀取裝置與暫時待機部。
在第1搬送區域13，係配置有進行搬送重合基板T或剝離後之被處理基板W的第1搬送裝置131。第1搬送裝置131，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，被安裝於該搬送臂部的前端。在第1搬送區域13中，係藉由該第1搬送裝置131，進行將重合基板T搬送至待機站12、剝離站14及切割邊緣站16的處理，或者進行將剝離後之被處理基板W搬送至第1洗淨站15及搬入搬出站11的處理。
在剝離站14，係配置有2個剝離裝置141、142。在剝離站14，係進行剝離處理，該剝離處理，係藉由該剝離裝置141、142，將重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。具體而言，剝離裝置141、142，係在將被處理基板W配置於下側且將支撐基板S配置於上側的狀態下，將重合基板T剝離為被處理基板W與支撐基板S。作為剝離裝置141、142，係可使用記載於例如日本特開2014-060348號公報的剝離裝置。另外，配置於剝離站14之剝離裝置的個數，係不限定於本實施形態，可任意進行設定。又，本實施形態之剝離裝置141、142，雖係配置為排列於水平方向，但亦可配置為將該些層疊於垂直方向。
在第1洗淨站15，係配置有2個第1洗淨裝置151、152。第1洗淨站15，係在藉由該第1洗淨裝置151、152而使剝離後之被處理基板W保持於切割框F的狀態下，進行將該被處理基板W之接合面Wj洗淨的洗淨處理。另外，配置於第1洗淨站15之洗淨裝置的個數，係不限定於本實施形態，可任意設定。又，本實施形態之第1洗淨裝置151、152，雖係配置為排列於水平方向，但亦可配置為將該些層疊於垂直方向。
在切割邊緣站16，係配置有切割邊緣裝置。切割邊緣裝置，係進行切割邊緣處理，該切割邊緣處理，係藉由溶劑來使重合基板T之黏著劑G的周緣部溶解而予以去除。藉由該切割邊緣處理來去除黏著劑G之周緣 部，藉由此，可在後述之剝離處理中，使被處理基板W與支撐基板S輕易地剝離。另外，切割邊緣裝置，係藉由使例如重合基板T浸漬於黏著劑G之溶劑的方式，藉由溶劑使黏著劑G之周緣部溶劑。
又，在第2處理區塊20中，係進行剝離後之支撐基板S的洗淨及搬出等。亦即，第2處理區塊20，係指對藉由切割框F而未被保持的基板(支撐基板S)進行處理的區塊。該第2處理區塊20，係具備有第1收授站21、第2收授站22、第2洗淨站23、第2搬送區域24及搬出站25。
第1收授站21，係配置於剝離站14之剝離裝置141的X方向負方向側，且剝離裝置142的Y方向正方向側。又，第2收授站22、第2洗淨站23及搬出站25，係配置為鄰接於第2搬送區域24。具體而言，第2收授站22與第2洗淨站23，係配置為排列於第2搬送區域24的Y軸正方向側，搬出站25，係配置為排列於第2搬送區域24的Y軸負方向側。
在第1收授站21，係進行收授處理，該收授處理，係從剝離站14之剝離裝置141、142，接收剝離後之支撐基板S而傳送到第2收授站22。在第1收授站21，係配置有收授裝置211。收授裝置211，係構成為具有例如伯努利卡盤等的非接觸保持部，且該非接觸保持部，係繞水平軸旋動自如。具體而言，作為收授裝置211，係可使用記載於例如日本特開2014-060348號公報 的搬送裝置。而且，收授裝置211，係一邊使剝離後之支撐基板S之表背面反轉，一邊以非接觸的方式，將支撐基板S從剝離裝置141、142搬送至第2處理區塊20。
在第2收授站22，係配置有：載置部221，載置有支撐基板S；及移動部222，使載置部221往Y方向移動。載置部221，係具備有例如3個支撐銷，且支撐並載置支撐基板S之非接合面Sn。移動部222，係具備有：導軌，延伸於Y方向；及驅動部，使載置部221往Y方向移動。第2收授站22，係在使支撐基板S從第1收授站21之收授裝置211載置於載置部221之後，藉由移動部222，使載置部221往第2搬送區域24側移動。而且，使支撐基板S從載置部221收授至後述之第2搬送區域24的第2搬送裝置241。另外，在本實施形態中，載置部221，雖係僅往Y方向移動，但除此之外，亦可構成為往X方向移動。
另外，上述之第1收授站21的收授裝置211，係由於以伯努利卡盤等的非接觸保持部來保持支撐基板S，因此，搬送可靠性並不高。因此，當欲將支撐基板S從收授裝置211直接收授至後述之第2搬送區域24的第2搬送裝置241時，則有掉落該支撐基板S的可能性。因此，本實施形態，係在第1收授站21與第2搬送區域24之間設置第2收授站22，並以該第2收授站22來暫時載置支撐基板S。
在第2洗淨站23，係配置有將剝離後之支撐 基板S之接合面Sj洗淨的第2洗淨裝置。作為第2洗淨裝置，係可使用記載於例如日本特開2014-060348號公報的洗淨裝置。
在第2搬送區域24，係配置有進行搬送剝離後之支撐基板S的第2搬送裝置241。第2搬送裝置241，係具備有：搬送臂部，可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及以垂直方向為中心旋轉；及基板保持部，安裝於該搬送臂部的前端。在第2搬送區域24中，係藉由該第2搬送裝置241，進行將剝離後之支撐基板S搬送至搬出站25的處理。
在搬出站25，係設置有複數個匣盒載置台251，在各匣盒載置台251，係載置有匣盒Cs(該匣盒Cs，係收容有剝離後之支撐基板S)。而且，在搬入搬出站11，係在與外部之間搬出該匣盒Cs。
又，剝離系統1，係具備有控制裝置30。控制裝置30，係指控制剝離系統1之動作的裝置。該控制裝置30，係例如為電腦，具備有未圖示的控制部與記憶部。在記憶部中，係儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部，係藉由讀出並執行記憶於記憶部之程式的方式，來控制剝離系統1之動作。
另外，該程式，係記錄於可藉由電腦進行讀取之記憶媒體者，亦可為由該記憶媒體安裝於控制裝置30之記憶部者。作為可藉由電腦進行讀取的記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟 (MO)、記憶卡等。
接下來，說明使用如上述所構成之剝離系統1而進行之被處理基板W與支撐基板S的剝離處理方法。圖4，係表示該剝離處理之主要工程之例子的流程圖。另外，剝離系統1，係根據控制裝置30的控制，來執行圖4所示之各處理步驟。
首先，收容有複數片重合基板T之匣盒Ct與空的匣盒Cw，係被載置於搬入搬出站11之預定的匣盒載置台111，並且空的匣盒Cs，係被載置於搬出站25之預定的匣盒載置台251。而且，在剝離系統1中，第1處理區塊10之第1搬送裝置131，係從載置於搬入搬出站11的匣盒Ct取出重合基板T。此時，重合基板T，係在被處理基板W位於下面且支撐基板S位於上面的狀態下，從上方被保持於第1搬送裝置131之基板保持部。而且，第1搬送裝置131，係進行基板搬入處理，該基板搬入處理，係將從匣盒Ct取出的重合基板T搬入至待機站12(圖4之步驟A101)。
接下來，在待機站12中，ID讀取裝置，係進行讀取切割框F之ID的ID讀取處理(圖4之步驟A102)。藉由ID讀取裝置所讀取的ID，係被發送至控制裝置30。然後，重合基板T，係藉由第1搬送裝置131，從待機站12被取出，而搬入至切割邊緣站16。
在切割邊緣站16中，切割邊緣裝置，係對重合基板T進行切割邊緣處理(圖4之步驟A103)。藉由該 切割邊緣處理予以去除黏著劑G之周緣部，藉由此，在後段的剝離處理中，被處理基板W與支撐基板S會變得容易剝離。因此，可縮短剝離處理所需的時間。
如此一來，在本實施形態之剝離系統1中，由於切割邊緣站16係被組入至第1處理區塊10，故可使用第1搬送裝置131，將被搬入至第1處理區塊10的重合基板T直接搬入至切割邊緣站16。因此，可提升一連串之剝離處理的生產率。又，可輕易地管理從切割邊緣處理至剝離處理的時間，且可使剝離性能穩定化。
另外，在因例如裝置間之處理時間差等而產生待處理之重合基板T的情況下，可使用設置於待機站12之暫時待機部來使重合基板T暫時待機，且可縮短一連串工程間的損失時間。
接下來，切割邊緣處理後的重合基板T，係藉由第1搬送裝置131，從切割邊緣站16被取出，而搬入至剝離站14之剝離裝置141。在剝離站14中，剝離裝置141，係對重合基板T進行剝離處理(圖4之步驟A104)。藉由該剝離處理，重合基板T，係被剝離為被處理基板W與支撐基板S。此時，重合基板T，係在剝離劑R與黏著劑G之界面，剝離為被處理基板W與支撐基板S。像這樣進行剝離，係因支撐基板S與黏著劑G之黏著力比剝離劑R與保護劑P之黏著力強的緣故。而且，在被處理基板W之接合面Wj，係殘存有保護劑P與剝離劑R，在支撐基板S之接合面Sj，係殘存有黏著劑G。
然後，剝離系統1，係在第1處理區塊10進行關於剝離後之被處理基板W的處理，且在第2處理區塊20進行關於剝離後之支撐基板S的處理。另外，剝離後之被處理基板W，係藉由切割框F來予以保持。
在第1處理區塊10中，剝離後之被處理基板W，係藉由第1搬送裝置131，從剝離站14之剝離裝置141被取出，而搬入至第1洗淨站15之第1洗淨裝置151。在第1洗淨站15中，第1洗淨裝置151，係對剝離後之被處理基板W進行洗淨處理(圖4之步驟A105)。藉由該洗淨處理，予以去除殘留於被處理基板W之接合面Wj的保護劑P與剝離劑R。
洗淨處理後的被處理基板W，係藉由第1搬送裝置131，從第1洗淨站15之第1洗淨裝置151被取出，而收容至被載置於搬入搬出站11的匣盒Cw。然後，收容有複數個被處理基板W的匣盒Cw，係從搬入搬出站11被搬出而回收(圖4之步驟A106)。如此一來，關於被處理基板W的處理結束。
另一方面，在第2處理區塊20中，係與步驟A105及步驟A106之處理並行地，對剝離後之支撐基板S進行處理(後述之步驟A107~步驟A109)。
在第2處理區塊20中，首先，第1收授站21之收授裝置211，係進行剝離後之支撐基板S之收授處理。具體而言，收授裝置211，係將剝離後之支撐基板S從剝離站14之剝離裝置141取出，而搬入至第2收授站 22(圖4之步驟A107)。
在此，剝離後之支撐基板S，係形成為藉由剝離裝置141予以保持上面側亦即非接合面Sn側的狀態，收授裝置211，係從下方以非接觸的方式來保持支撐基板S的接合面Sj側。然後，收授裝置211，係在使所保持的支撐基板S反轉後，載置於第2收授站22的載置部221。藉此，支撐基板S，係在將接合面Sj朝向上方的狀態下，載置於載置部221。
在第2收授站22中，載置有支撐基板S的載置部221，係藉由移動部222，移動至第2搬送區域24側的預定位置。該預定位置，係指第2搬送裝置241之搬送臂部可接收載置部221上之支撐基板S的位置。
接下來，支撐基板S，係藉由第2搬送裝置241，從第2收授站22被取出，而搬入至第2洗淨站23。在第2洗淨站23中，第2洗淨裝置，係對剝離後之支撐基板S進行洗淨處理(圖4之步驟A108)。藉由該洗淨處理，予以去除殘留於支撐基板S之接合面Sj的黏著劑G。
洗淨處理後的支撐基板S，係藉由第2搬送裝置241，從第2洗淨站23被取出，而收容至被載置於搬出站25的匣盒Cs。然後，收容有複數個支撐基板S之匣盒Cs，係從搬出站25被搬出而回收(圖4之步驟A109)。如此一來，關於支撐基板S的處理亦結束。
如上述，本實施形態之剝離系統1，係具備： 第1處理區塊10，對重合基板T及被處理基板W進行處理；及第2處理區塊20，對支撐基板S進行處理。因此，由於可並列地進行對重合基板T及被處理基板W之處理與對支撐基板S之處理，因此，可有效率地進行一連串基板處理。更具體而言，本實施形態之剝離系統1，係具備有：被保持於切割框F之基板(重合基板T及剝離後之被處理基板W)用的前端(搬入搬出站11及第1搬送裝置13)；及未被保持於切割框F之基板(剝離後之支撐基板S)用的前端(搬出站25及第2搬送區域24)。藉此，可並列地進行將被處理基板W搬送至搬入搬出站11的處理與將支撐基板S搬送至搬出站25的處理。因此，可減輕以往之基板的等待搬送，且可提升剝離處理的生產率。
又，根據本實施形態，即使重合基板T與被處理基板W被保持於切割框F，被切割框F所保持之重合基板T及被處理基板W的搬送與未保持於切割框F之支撐基板S的搬送，係亦分別以個別的第1搬送裝置131與第2搬送裝置241而進行。因此，如以往，與以1個搬送裝置來搬送保持於切割框的基板與未保持於切割框的基板相比，在本實施形態中，係可使搬送重合基板T、被處理基板W、支撐基板S時之控制簡單化，且可效率良好地進行剝離處理。
而且，在本實施形態之剝離系統1中，剝離站14、第2洗淨站23及第2搬送區域24，係經由第1收授站21與第2收授站22而連接。藉此，由於不用經由第 1搬送區域13，即可將剝離後之支撐基板S從剝離站14直接搬入至第2搬送區域24，因此，可順利地進行剝離後之支撐基板S之搬送。
而且，第2收授站22，係具備有：載置部221，載置支撐基板S；及移動部222，使載置部221往水平方向移動。藉此，由於在第1收授站21與第2搬送區域24之間收授支撐基板S時，可移動載置有支撐基板S的載置部221，因此，不需使該第1收授站21之收授裝置211的非接觸保持部或第2搬送區域24之第2搬送裝置241的搬送臂部伸長。因此，可縮小第1收授站21與第2搬送區域24的專有面積，從而可縮小剝離系統1全體的專有面積。
另外，在以上的剝離系統1中，第1處理區塊10，係亦可具備有用於將切割框F安裝於重合基板T的安裝裝置。在該情況下，將未安裝有切割框F的重合基板T從匣盒Ct取出而搬入至安裝裝置，且在安裝裝置中，將切割框F安裝於重合基板T之後，將固定於切割框F的重合基板T搬送至剝離站14。另外，安裝裝置，係只要配置於第1處理區塊10之任意位置即可。
又，設置於以上之剝離系統1之第1處理區塊10的第1洗淨站15與切割邊緣站16，係亦可設置於剝離系統1之外部。而且，設置於第2處理區塊20的第2洗淨站23，係亦可設置於剝離系統1之外部。
又，在以上的剝離系統1中，各處理站之處 理裝置或搬送區域的配置，係可任意進行設計，且亦可配置為排列於水平方向，或亦可配置為層疊於垂直方向。
<2.第1洗淨裝置之構成>
接下來，參閱圖5及圖6來說明設置於第1洗淨站15之第1洗淨裝置151、152的構成。圖5，係表示本實施形態之第1洗淨裝置151之構成的縱剖面圖；圖6，係表示第1洗淨裝置151之構成的橫剖面圖。另外，由於第1洗淨裝置152之構成，係與第1洗淨裝置151之構成相同，故省略其說明。
如圖5所示，第1洗淨裝置151，係具有處理容器300。在處理容器300的側面，係形成有被處理基板W之搬入搬出口(未圖示)，在該搬入出口，係設置有開關閘門(未圖示)。
在處理容器300內的中央部，係設置有保持被處理基板W而使其旋轉的保持部310。在保持部310，係使用例如多孔性吸盤。保持部310，係由例如鋁等的金屬構件所構成。
在保持部310之表面，係設置有吸附面311。吸附面311，係與被處理基板W大致同徑，且與被處理基板W的非接合面WN抵接。該吸附面311，係由例如碳化矽等的多孔介質或多孔陶瓷所形成。
在保持部310之內部，係形成有經由吸附面311而與外部連通的吸引空間312。在吸引空間312，係 連接有配管313。配管313，係經由閥314而分支成為2支配管。在一配管313，係連接有例如真空泵等的吸氣裝置315。在吸氣裝置315，係設置有感測器(未圖示)，該感測器，係測定其吸氣壓力，亦即以保持部吸引被處理基板W時之吸引壓力。在其外配管313，係在內部連接有氣體供給源316，該氣體供給源316，係儲存有例如氮氣或大氣。
該保持部310，係利用藉由吸氣裝置315之吸氣而產生的負壓，經由切割帶D，使被處理基板W的非接合面WN吸附於吸附面311。藉此，保持部310，係保持被處理基板W。又，保持部310，係亦可一邊從表面噴出氣體而使被處理基板W浮起，一邊進行保持。另外，在此，雖係表示保持部310為多孔性吸盤時的例子，但保持部310，係亦可為例如靜電夾盤等。
在保持部310之下方，係經由支撐構件317而設置有旋轉機構320。旋轉機構320，係具備有例如馬達等的驅動部，而使保持部310繞垂直軸旋轉。又，在旋轉機構320，係設置有例如汽缸等的升降驅動部，且保持部310係藉由該升降驅動部進行升降。
又，在保持部310之下方，係設置有包圍支撐構件317的環狀導引環330。導引環330之周緣部，係朝下方側彎曲延伸。又，在保持部310及導引環330的周圍，係設置有罩杯340，該罩杯340，係接取從被處理基板W飛散或落下之液體而予以回收。
在罩杯340之上面，係形成有直徑大於切割框F的開口部，並且在罩杯340的側周面與導引環330的周緣部之間，係形成有成為排出路徑的間隙341。罩杯340之下部，係與導引環330之周緣部分一起形成彎曲路徑，而構成氣液分離部。
在形成於罩杯340之下部之氣液分離部的外側區域，係連接有排液管342，該排液管342，係用以排出在該罩杯340所回收的液體。排液管342，係與儲存有所回收之廢液的廢液容器(未圖示)連通。
又，在形成於罩杯340之下部之氣液分離部的內側區域，係連接有排氣管343，該排氣管343，係用以對該罩杯340內之氛圍進行排氣。排氣管343，係與例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)連接。
如圖6所示，在罩杯340之X方向負方向(圖6中之下方向)側，係設置有沿著Y方向(圖6中之左右方向)而延伸的導軌350。導軌350，係形成為從例如罩杯340之Y方向負方向(圖6中的左方向)側的外方直至Y方向正方向(圖6中之右方向)側的外方為止。在導軌350，係安裝有例如2根臂部351、352。
在第1臂部351，係如圖5及圖6所示，支撐有溶劑噴嘴353，該溶劑噴嘴353，係作為供給保護劑P之溶劑的溶劑供給部。第1臂部351，係藉由圖6所示的噴嘴驅動部354，在導軌350上移動自如。藉此，溶劑噴嘴353，係可從設置於罩杯340之Y方向正方向側之外方 的待機部355，在罩杯340內之被處理基板W的上方，以徑方向移動。又，第1臂部351，係藉由噴嘴驅動部354升降自如，且可調節溶劑噴嘴353的高度。
在溶劑噴嘴353，係如圖5所示，連接有對該溶劑噴嘴353供給保護劑P之溶劑的供給管356。供給管356，係與溶劑供給源357連通，該溶劑供給源357，係在內部儲存有保護劑P之溶劑。又，在供給管356，係設置有供給機器群358，該供給機器群358，係包含有控制保護劑P之溶劑之流動的閥或流量調節部等。
在第2臂部352，係支撐有吸引噴嘴360，該吸引噴嘴360，係作為吸引從被處理基板W之接合面Wj剝離之剝離劑R的剝離劑吸引部。第2臂部352，係藉由作為圖6所示之移動機構的噴嘴驅動部361，在導軌350上移動自如。藉此，吸引噴嘴360，係可從設置於罩杯340之Y方向負方向側之外側的待機部362，在罩杯340內之被處理基板W的上方，以徑方向移動。又，第2臂部352，係藉由噴嘴驅動部361升降自如，且可調節吸引噴嘴360的高度。
在吸引噴嘴360，係如圖5所示，連接有吸引剝離劑R的吸引管363。吸引管363，係與廢棄容器364連通，該廢棄容器364，係在內部可儲存剝離劑R。在廢棄容器364，係設置有例如真空泵等的負壓產生裝置(未圖示)，且剝離劑R，係藉由該負壓產生裝置，經由吸引管363被予以回收至廢棄容器364內。
另外，在本實施形態之第1洗淨裝置151中，雖係設置有1個吸引噴嘴360，但亦可設置有複數個。在該情況下，可更效率良好地去除剝離劑R。
<3.第1洗淨裝置之動作>
接下來，說明使用第1洗淨裝置151而進行之被處理基板W之接合面Wj的洗淨方法。圖7，係表示該洗淨處理之主要工程之例子的流程圖。又，圖8~圖15，係洗淨處理的說明圖。另外，第1洗淨裝置151，係根據控制裝置30之控制，來執行圖7所示的各處理步驟。
首先，藉由第1搬送裝置131被搬入至第1洗淨裝置151的被處理基板W，係如圖8所示，被收授至保持部310而予以保持(圖7之步驟A201)。
接下來，如圖9所示，藉由第1臂部351，使待機部355之溶劑噴嘴353移動至被處理基板W的中心部上方。然後，如圖10所示，一邊藉由旋轉機構320使保持部310(被處理基板W)旋轉，一邊從溶劑噴嘴353對被處理基板W之接合面Wj供給溶劑M(圖7之步驟A202)。所供給的溶劑M，係藉由離心力被擴散至被處理基板W之接合面Wj的全面。
經過預定時間後，如圖11所示，被處理基板W之接合面Wj的保護劑P，係被溶劑M溶解而予以去除(圖7之步驟A203)。此時，例如在剝離劑R不溶解於溶劑M，或者剝離劑R難以溶解於溶劑M時，剝離劑R， 係形成為懸浮於被處理基板W之接合面Wj的狀態。另外，雖然亦考慮剝離劑R係與保護劑P同樣地溶解於溶劑M的情形，但在該情況下，保護劑P與剝離劑R，係藉由溶劑M而溶解，藉由此，被處理基板W之接合面Wj的洗淨處理結束。
另外，在步驟A203中，當保護劑P被溶解而予以去除時，則停止來自溶劑噴嘴353之溶劑M的供給，且藉由第1臂部351，使被處理基板W之中心部上方的溶劑噴嘴353往待機部355移動。
然後，如圖12所示，藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉，且藉由該離心力，使溶劑M從被處理基板W之接合面Wj往外方飛散而予以去除(圖7之步驟A204)。飛散的溶劑M，係被回收至罩杯340，而從排液管342排出。此時，在被處理基板W之接合面Wj，雖係殘存有剝離劑R，但剝離劑R係僅殘存於接合面Wj，並未黏著於接合面Wj。
然後，如圖13所示，藉由第2臂部352，使待機部362之吸引噴嘴360移動至被處理基板W的外周部上方。接下來，一邊藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉，一邊在徑方向上使吸引噴嘴360從被處理基板W之一端W1移動至另一端W2。而且，在從該吸引噴嘴360之一端W1至另一端W2的移動中，藉由該吸引噴嘴360來吸引剝離劑R。如此一來，吸引噴嘴360，係可在被處理基板W之接合面Wj的全面吸引剝離 劑R，且從被處理基板W之接合面Wj去除剝離劑R(圖7之步驟A205)。如此一來，第1洗淨裝置151之一連串的洗淨處理結束。
根據本實施形態，在步驟A202中，由於是從溶劑噴嘴353對被處理基板W之接合面Wj供給保護劑P之溶劑M，因此，在步驟A203中，該接合面Wj上之保護劑P，係被溶劑M溶解而予以去除。如此一來，則形成為被處理基板W之接合面Wj上的剝離劑R懸浮於接合面Wj的狀態，在接下來的步驟A205中，剝離劑R，係藉由吸引噴嘴360予以吸引去除。因此，不受限於剝離劑R之材質，可一起去除保護劑P與剝離劑R，且可適切地洗淨被處理基板W之接合面Wj。
而且，在本實施形態中，由於只要對被處理基板W之接合面Wj供給溶劑M即可，且不使剝離劑R溶解而予以去除，因此，可在短時間內洗淨被處理基板W之接合面Wj。
<4.其他實施形態>
在上述的實施形態中，在步驟A202及A203中，雖係一邊使保持部310(被處理基板W)旋轉，一邊從溶劑噴嘴353對被處理基板W之接合面Wj供給溶劑M，而去除該接合面Wj的保護劑P，但保護劑P的去除方法並不限定於此。例如亦可使切割框F上升，並使接合面Wj之保護劑P浸漬於從溶劑噴嘴353所供給的溶劑M而予以去 除。
在該情況下，使用例如圖14所示的第1洗淨裝置151。在第1洗淨裝置151之處理容器300內，係設置有升降機構400，該升降機構400，係在保持部310的周圍使切割框F升降。升降機構400，係具備有滾珠軸承401、支撐構件402及驅動部403。滾珠軸承401，係被支撐於支撐構件402之前端部，驅動部403，係被設置於支撐構件402之基端部。驅動部403，係具備有例如馬達等的驅動部，且經由支撐構件402使滾珠軸承401升降。滾珠軸承401，係配置於切割框F的下方，且與被黏貼於該切割框F的切割帶D抵接，而使該切割框F升降。
升降機構400，係設置有複數個，且被支撐於基底部410。基底部410，係構成為使支撐構件317貫穿於其內側。又，基底部410，係藉由固定機構(未圖示)而被固定於後述之罩杯340。
另外，升降機構400之構成，係不限定於本實施形態，只要是使切割框F升降的構成，則可採取任意構成。又，關於第1洗淨裝置151之其他構成，係由於與上述實施形態(圖5)之第1洗淨裝置151的構成相同，故省略說明。
接下來，說明使用圖14所示之第1洗淨裝置151而進行之被處理基板W之接合面Wj的洗淨方法。圖15，係表示該洗淨處理之主要工程之例子的流程圖。又，圖16~圖22，係洗淨處理的說明圖。另外，第1洗淨裝置 151，係根據控制裝置30之控制，來執行圖15所示的各處理步驟。
首先，藉由第1搬送裝置131被搬入至第1洗淨裝置151的被處理基板W，係如圖16所示，被收授至保持部310而予以保持(圖15之步驟A301)。此時，升降機構400之滾珠軸承401，係未支撐切割框F。
接下來，如圖17所示，藉由第1臂部351，使待機部355之溶劑噴嘴353移動至被處理基板W的中心部上方。又，藉由升降機構400來使切割框F上升，而將該切割框F配置於被處理基板W的上方(圖15之步驟A302)。切割框F之高度位置，雖係可任意進行設定，但設定於藉由保持部310來適切地保持被處理基板W的位置，且如後述，至少被處理基板W之接合面Wj的保護劑P浸漬於從溶劑噴嘴353所供給之保護劑P之溶劑的位置。具體而言，係以使切割框F之表面與被處理基板W之接合面Wj之間的距離H成為例如5mm~10mm的方式，來予以配置切割框F。而且，如此一來，在被處理基板W之上方配置切割框F，藉由此，切割帶D會延伸，且在被處理基板W之接合面Wj，係形成有可暫時儲存後述之保護劑P之溶劑的儲存空間420。
然後，如圖18所示，從溶劑噴嘴353對被處理基板W之接合面Wj供給保護劑P之溶劑M(圖15之步驟A303)。所供給之溶劑M，係被儲存於儲存空間420。而且，被處理基板W之接合面Wj的保護劑P，係被浸漬 於該儲存空間420的溶劑M。另外，當預定量之溶劑M被儲存於儲存空間420時，則停止來自溶劑噴嘴353之溶劑M的供給，且藉由第1臂部351，使被處理基板W之中心部上方的溶劑噴嘴353往待機部355移動。
經過預定時間後，如圖19所示，被處理基板W之接合面Wj的保護劑P，係被溶劑M溶解而予以去除(圖15之步驟A304)。此時，例如在剝離劑R不溶解於溶劑M，或者剝離劑R難以溶解於溶劑M時，剝離劑R，係形成為懸浮於被處理基板W之接合面Wj的狀態。另外，雖然亦考慮剝離劑R係與保護劑P同樣地溶解於溶劑M的情形，但在該情況下，保護劑P與剝離劑R，係藉由溶劑M而溶解，藉由此，被處理基板W之接合面Wj的洗淨處理結束。
然後，如圖20所示，藉由升降機構400來使切割框F下降(圖15之步驟A305)。而且，使切割框F返回到切割帶D成為平坦的位置。
然後，如圖21所示，藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉，且藉由該離心力，使溶劑M從被處理基板W之接合面Wj往外方飛散而予以去除(圖15之步驟A306)。飛散的溶劑M，係被回收至罩杯340，而從排液管342排出。此時，在被處理基板W之接合面Wj，雖係殘存有剝離劑R，但剝離劑R係僅殘存於接合面Wj，並未黏著於接合面Wj。
然後，如圖22所示，藉由第2臂部352，使 待機部362之吸引噴嘴360移動至被處理基板W的外周部上方。接下來，一邊藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉，一邊在徑方向上使吸引噴嘴360從被處理基板W之一端W1移動至另一端W2。而且，在從該吸引噴嘴360之一端W1至另一端W2的移動中，藉由該吸引噴嘴360來吸引剝離劑R。如此一來，吸引噴嘴360，係可在被處理基板W之接合面Wj的全面吸引剝離劑R，且從被處理基板W之接合面Wj去除剝離劑R(圖15之步驟A307)。如此一來，第1洗淨裝置151之一連串的洗淨處理結束。
在本實施形態中，亦可享受與上述實施形態相同的效果，亦即，藉由溶解被處理基板W之接合面Wj之保護劑P的方式，剝離劑R會懸浮於接合面Wj。因此，不受限於剝離劑R之材質，可一起去除保護劑P與剝離劑R，且可適切地洗淨被處理基板W之接合面Wj。而且，由於只要對被處理基板W之接合面Wj供給溶劑M即可，因此，可在短時間內洗淨被處理基板W的接合面Wj。
又，如本實施形態般，在步驟A303及304中，在使接合面Wj之保護劑P浸漬於儲存空間420的溶劑M而予以去除時，例如上述實施形態般，與使用所謂之旋轉法的情形相比，可在更短時間內洗淨被處理基板W之接合面Wj。具體而言，經發明者們調查後，在使用以往的方法時，係在洗淨接合面Wj時約花費900秒，相對 於此，在使用本實施形態的方法時，可在60秒~600秒洗淨接合面Wj。
又，由於在上述實施形態的旋轉法中，係一邊使被處理基板W旋轉，一邊供給溶劑M，因此，所供給之溶劑M會從被處理基板W飛散，從而需要更多的溶劑M。對此，根據本實施形態，由於所供給之溶劑M係被儲存於儲存空間420，且所有的溶劑M被使用於溶解保護劑P，故不會浪費。因此，可將溶劑M之供給量抑制為少量。
而且，如本實施形態般，在將溶劑M儲存於儲存空間420時，可抑制該溶劑M迴繞至切割框F之背面的情形。
以上之實施形態的第1洗淨裝置151，係在步驟A303及A304中，於使接合面Wj之保護劑P浸漬於儲存空間420的溶劑M而予以去除之際，保持部310(被處理基板W)雖為靜止，但亦可使該保持部310旋轉。
如圖23所示，在溶劑M被儲存於儲存空間420的狀態下，藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉。此時，由於滾珠軸承401係構成為旋轉自如，因此，被支撐於該滾珠軸承401的切割框F亦會旋轉。在該情況下，對儲存空間420內之溶劑M賦予振動，而藉由該溶劑M促進保護劑P之溶解。因此，根據本實施形態，可在更短時間內洗淨被處理基板W之接合面Wj。
又，在步驟A303及步驟A304中，由於使保持部310旋轉，因此，亦可使用例如圖24所示之第1洗淨裝置151。在該第1洗淨裝置151中，支撐升降機構400之基底部410，係經由複數個支撐構件500亦支撐保持部310。又，在上述實施形態，雖係直接支撐保持部310，但支撐構件317在本實施形態中係支撐基底部410。而且，以藉由旋轉機構320讓基底部410旋轉的方式，保持部310及支撐構件317(被處理基板W)與升降機構400(切割框F)會一體旋轉。即使在該情況下，由於在溶劑M被儲存於儲存空間420的狀態下，被處理基板W與切割框F亦旋轉，因此，可在更短時間內洗淨被處理基板W之接合面Wj。
在上述實施形態之第1洗淨裝置151中，亦可對從溶劑噴嘴353所供給的溶劑M賦予振動。例如如圖25所示，在第1洗淨裝置151中，在保持部310的下面側設置有振動機構510。振動機構510，係使例如超音波產生，而對溶劑M賦予振動。另外，振動機構510之構成，係不限定於本實施形態，亦可以除了產生超音波之外的方法，對溶劑M賦予振動。又，振動機構510之配置亦不限定於本實施形態，可設定於任意位置。亦可例如在溶劑噴嘴353設置振動機構510，而對從溶劑噴嘴353供給至被處理基板W之接合面Wj的溶劑M賦予振動。
在該情況下，如圖18及圖19所示，從振動機構510對儲存於儲存空間420之溶劑M發出超音波， 而對該溶劑M賦予振動。藉此，藉由溶劑M促進保護劑P之溶解，因此，可在更短時間內洗淨被處理基板W之接合面Wj。又，如圖10及圖11所示，即使在一邊藉由旋轉機構320使保持部310旋轉，一邊從溶劑噴嘴353供給溶劑M的情況下，亦可對被供給至被處理基板W之接合面Wj的溶劑M賦予振動，因此，可藉由溶劑M促進保護劑P之溶解。
上述之實施形態，雖係在步驟A307(A205)中，使用吸引噴嘴360來去除剝離劑R，但去除剝離劑R之方法並不限定於此。
例如亦可吸附被處理基板W之接合面Wj的剝離劑R而予以去除。在該情況下，使用例如圖26所示的第1洗淨裝置151。在第1洗淨裝置151，係設置有吸附噴嘴520來代替吸引噴嘴360。在吸附噴嘴520之前端部，係設置有吸附盤521。吸附盤521，係藉由例如橡膠等的彈性構件而形成。又，在吸附盤521，係形成有吸氣口(未圖示)，在吸氣口，係經由吸附噴嘴520連接有吸氣管523。吸氣管523，係與例如真空泵等的負壓產生裝置524連通。而且，被處理基板W之接合面Wj的剝離劑R，係藉由負壓產生裝置524被吸引，而吸附於吸附盤521。又，於處理容器300之內部，在例如罩杯340之Y方向負方向側的外側，係設置有廢棄容器525，該廢棄容器525，係在內部可儲存剝離劑R。在廢棄容器525，係回收有藉由吸附盤521而予以吸附去除的剝離劑R。另 外，本實施形態之吸附噴嘴520與吸附盤521，係亦可設置複數個。又，本實施形態之吸附噴嘴520與吸附盤521，係構成本發明之剝離劑吸附部。
在該情況下，如圖27所示，藉由第2臂部352，使吸附噴嘴520移動至被處理基板W之一端W1的上方。然後，以吸附盤521來吸附剝離劑R，藉由第2臂部352，使吸附噴嘴520移動至廢棄容器525。而且，被吸附盤521所吸附去除的剝離劑R，係被回收至廢棄容器525。然後，再次藉由第2臂部352，使吸附噴嘴520移動至比被處理基板W之一端W1更往另一端W2側之位置的上方，並且藉由旋轉機構320，使保持部310(被處理基板W)旋轉，而在吸附盤521之下方配置剝離劑R未被去除之被處理基板W的接合面Wj。而且，以吸附盤521來吸附去除剝離劑R，而使該剝離劑R回收至廢棄容器525。如此一來，一邊在徑方向上使吸附噴嘴520從被處理基板W之一端W1移動至另一端W2，一邊藉由旋轉機構320，使被處理基板W旋轉，當藉由吸附盤521吸附去除剝離劑R時，在廢棄容器525重複進行剝離劑R之回收，而從被處理基板W之接合面Wj適切地去除剝離劑R。
又，例如亦可使被處理基板W之接合面Wj的剝離劑R，從該接合面Wj往外方飛散而予以去除。在該情況下，使用例如圖28所示的第1洗淨裝置151。在第1洗淨裝置151中，係在罩杯340內設置有作為捕捉剝 離劑R之捕捉部的環網格530。環網格530，係以設置於罩杯340內之間隙341，且包圍導引環330的方式而設置。在環網格530，係形成有複數個開口部531。另外，在本實施形態中，係亦可省略吸引噴嘴360或吸附噴嘴520及吸附盤521。
在該情況下，在步驟A306中，從被處理基板W之接合面Wj往外方飛散而由罩杯340所回收的溶劑M，係通過環網格530之開口部531，流入至罩杯340之氣液分離部，而從排液管342排出。
然後，在步驟A307中，藉由旋轉機構320來使保持部310(被處理基板W)旋轉，且藉由該離心力，使剝離劑R從被處理基板W之接合面Wj往外方飛散而予以去除。飛散的剝離劑R，係被回收至罩杯340，而被環網格530捕捉。亦即，由於剝離劑R不會流入至罩杯340之氣液分離部，因此，該氣液分離部或排液管342不會因為剝離劑R而堵塞。因此，在本實施形態中，亦可從被處理基板W之接合面Wj適切地去剝離劑R。
在上述之實施形態中，雖說明了關於重合基板T被保持於切割框F時的例子，但重合基板T不一定要被保持於切割框F。
以上，雖一邊參閱附加圖面一邊說明了本發明之較佳的實施形態，但本發明不限定於該例。只要是所屬技術領域中具有通常知識者，可於申請專利範圍所記載之思想範圍內，想到各種變形例或修正例係屬顯見，且了 解到關於該等當然亦屬於本發明之技術範圍者。

Claims (19)

  1. 一種洗淨裝置，係在被處理基板與支撐基板之間，從被處理基板側依序層疊有保護劑、剝離劑及黏著劑，且在將接合有該被處理基板與支撐基板之重合基板剝離之後，將被剝離之被處理基板的接合面洗淨，該洗淨裝置，其特徵係，具有：保持部，保持前述被處理基板；溶劑供給部，對保持於前述保持部之被處理基板的接合面供給前述保護劑之溶劑；及剝離劑吸引部，吸引從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑而予以去除。
  2. 如申請專利範圍第1項之洗淨裝置，其中，具有：旋轉機構，使前述保持部旋轉；及移動機構，使前述剝離劑吸引部往前述被處理基板之徑方向移動。
  3. 如申請專利範圍第2項之洗淨裝置，其中，具有：控制裝置，控制前述溶劑供給部與前述剝離劑吸引部與前述旋轉機構與前述移動機構。
  4. 如申請專利範圍第3項之洗淨裝置，其中，前述控制裝置，係以一邊藉由前述旋轉機構，使前述被處理基板旋轉，一邊從前述溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供 給前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨的方式，控制前述溶劑供給部及前述旋轉機構。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之洗淨裝置，其中，前述控制裝置，係以一邊藉由前述旋轉機構，使前述被處理基板旋轉，一邊將前述剝離劑吸引部從前述被處理基板之外周部之一端往前述被處理基板之徑方向移動的同時，吸引前述剝離劑之方式，控制前述剝離劑吸引部及前述旋轉機構。
  6. 如申請專利範圍第2項之洗淨裝置，其中，前述被處理基板，係配置於具有直徑大於該被處理基板之開口部之框架的該開口部，並且藉由對設置於前述開口部之膠帶黏貼前述被處理基板之非接合面的方式，予以保持於前述框架，且具有支撐前述框架而與前述保持部一起旋轉的支撐構件。
  7. 如申請專利範圍第3項之洗淨裝置，其中，前述控制裝置，係以一邊藉由前述旋轉機構，使前述被處理基板與前述框架旋轉，一邊將該被處理基板之接合面洗淨的方式，控制前述旋轉機構。
  8. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之洗淨裝置，其中，具有：振動機構，對從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑賦予振動。
  9. 如申請專利範圍第1~4項中任一項之洗淨裝置， 其中，更具有：罩杯，回收從前述被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑；及捕捉部，設置於前述罩杯內，而捕捉前述剝離劑。
  10. 一種剝離系統，係具備有如申請專利範圍第1~4項中任一項之洗淨裝置，該剝離系統，其特徵係，具有：第1處理區塊，對前述重合基板與前述被處理基板進行處理；及第2處理區塊，對前述支撐基板進行處理，前述第1處理區塊，係具有：搬入搬出站，載置有前述重合基板與前述被處理基板；剝離站，具備有將前述重合基板剝離為前述被處理基板與前述支撐基板的剝離裝置；洗淨站，具備有前述洗淨裝置；及第1搬送區域，具備有在前述搬入搬出站、前述剝離站及前述洗淨站之間，搬送前述重合基板與前述被處理基板的第1搬送裝置，前述第2處理區塊，係具有：搬出站，載置有前述支撐基板；及第2搬送區域，具備有對前述搬出站搬送前述支撐基板的第2搬送裝置。
  11. 一種洗淨方法，係在被處理基板與支撐基板之間，從被處理基板側依序層疊有保護劑、剝離劑及黏著 劑，且在將接合有該被處理基板與支撐基板的重合基板剝離之後，將被剝離之被處理基板的接合面洗淨，該洗淨方法，其特徵係，從溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供給前述保護劑之溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨。
  12. 如申請專利範圍第11項之洗淨方法，其中，一邊使前述被處理基板旋轉，一邊從前述溶劑供給部對前述被處理基板之接合面供給前述溶劑，而將該被處理基板之接合面洗淨。
  13. 如申請專利範圍第11項之洗淨方法，其中，前述被處理基板，係配置於具有直徑大於該被處理基板之開口部之框架的該開口部，並且藉由對設置於前述開口部之膠帶黏貼前述被處理基板之非接合面的方式，予以保持於前述框架。
  14. 如申請專利範圍第13項之洗淨方法，其中，一邊使前述被處理基板與前述框架旋轉，一邊將該被處理基板之接合面洗淨。
  15. 如申請專利範圍第11~14項中任一項之洗淨方法，其中，對從前述溶劑供給部所供給的前述溶劑賦予振動，而將前述被處理基板之接合面洗淨。
  16. 如申請專利範圍第11~14項中任一項之洗淨方法，其中，以剝離劑吸引部來吸引從前述被處理基板之接合面剝 離的前述剝離劑而予以去除。
  17. 如申請專利範圍第16項之洗淨方法，其中，一邊使前述被處理基板旋轉，一邊使前述剝離劑吸引部或前述剝離劑吸附部往前述被處理基板之徑方向移動，而去除前述剝離劑。
  18. 如申請專利範圍第11~14項中任一項之洗淨方法，其中，使前述被處理基板旋轉，而捕捉從該被處理基板之接合面剝離的前述剝離劑。
  19. 一種可讀取之電腦記憶媒體，其特徵係，儲存有程式，該程式，係在控制該洗淨裝置之控制裝置的電腦上動作，以使得藉由洗淨裝置執行如申請專利範圍第11~18項中任一項之洗淨方法。
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