TWI529778B - 基板反轉裝置、基板反轉方法、剝離系統及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Description

基板反轉裝置、基板反轉方法、剝離系統及電腦記憶媒體
本發明，係關於使基板反轉的基板反轉裝置、使用該基板反轉裝置之基板反轉方法、及具備該基板反轉裝置之剝離系統、程式及電腦記憶媒體。
近年來，例如於半導體裝置之製造程序，正進展著半導體晶圓(以下，簡稱「晶圓」)的大口徑化。此外，於實裝等特定步驟，要求著晶圓的薄型化。例如把大口徑而且薄的晶圓，直接搬送，或是進行研磨的話，晶圓會有發生翹曲或破裂之虞。因此，為了補強晶圓，例如進行於支撐基板之晶圓或玻璃基板上貼附晶圓。接著，在這樣晶圓與支撐基板被接合的狀態下進行晶圓的研磨處理等特定的處理之後，晶圓與支撐基板被剝離。
相關的晶圓與支撐基板的剝離，例如使用剝離裝置來進行。玻璃裝置，例如具有保持晶圓的第1保持器、保持支撐基板的第2保持器、對晶圓與支撐基板之間噴射液體的噴嘴。接著，在此剝離裝置，藉由在從噴嘴起到被接合的晶圓與支撐基板之間，以比該晶圓與支撐基板之間的接合強度更大的噴射壓，較佳者為比接合強度大2倍以上的噴射壓來噴射液體，而進行晶圓與支撐基板的剝離(專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開平9-167724號公報
然而，晶圓與支撐基板的剝離處理，如前所述剝離晶圓與支撐基板之後，這些晶圓的接合面與支撐基板的接合面分別被洗淨，但為了使微粒被帶到後續步驟的情況減少到最小限度，不僅對晶圓的接合面而已，連晶圓的接合面之相反側的面之非接合面也進行洗淨是較佳的。
洗淨晶圓的非接合面的場合，例如在保持晶圓的非接合面的狀態下首先洗淨接合面，其後，保持接合面而進行被接合面的洗淨。因此，於非接合面的洗淨，反轉晶圓的表背面的作業變成是必要的。
於晶圓的反轉，過去，例如像圖19所示，把晶圓反轉用之臂500作為反轉裝置使用。臂500，如圖19所示具有可以接近、遠離的一對晶圓座(chuck)部501、501。於晶圓座部501、501，分別設有晶圓挾持部502、502，藉由一對離開的晶圓座部501、501相互接近，晶圓W的周緣部為晶圓挾持部502、502所插入而使晶圓W被支撐。接著，藉由支撐臂500的反轉機構503使該臂500繞水平軸周圍反轉，而進行晶圓W的反轉。
然而，研磨處理後的晶圓已被薄型化，所以作為反轉裝置使用圖19所示的從前的臂500的話，如前所述有在晶 圓W上產生翹曲或破裂之虞。
本發明係有鑑於相關各點而完成之發明，目的在於把藉由研磨處理而薄型化的基板，不產生翹曲或破裂地使表背面反轉。
為了達成前述目的，本發明係使基板的表背面反轉的基板反轉裝置，其特徵為具有：保持基板的單面之第1保持部、對向於前述第1保持部而設的，保持基板的單面之第2保持部、至少使前述第1保持部或前述第2保持部相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構、及保持基板的單面而搬送的搬送機構；前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構之基板的保持，係藉由白努力晶片座進行的。
根據本發明的基板反轉裝置的話，具有對向而設的第1保持部及第2保持部，與使第1保持部及第2保持部相對移動而接近、遠離的移動機構，所以例如藉由搬送機構把基板搬送至第1保持部使該基板的單面以第1保持部保持，接著，藉由移動機構使第1保持部與第2保持部接近，可以使基板之與以第1保持部保持的面相反側之面，以第2保持部來保持。換句話說，可以替換藉由保持部保持的基板之面。接著，藉由搬送機構，保持著基板之與被保持於第2保持部之側的相反側之面，成為被保持於搬送機構的基板的表背面反轉的狀態。接著，於本發明，使基板反轉時，藉 由白努力晶圓座保持基板，所以可把例如藉由研磨處理被薄型化的基板，不產生翹曲或破裂地表背反轉。
根據其他觀點之本發明，係把被處理基板與支撐基板以接著劑接合的重合基板，剝離為被處理基板與支撐基板之剝離系統，特徵為具有：具備將重合基板剝離為被處理基板與支撐基板的剝離裝置、與洗淨以前述剝離裝置剝離的被處理基板之第1洗淨裝置、以及洗淨以前述剝離裝置剝離的支撐基板之第2洗淨裝置之剝離處理站、對前述剝離處理站，搬出搬入被處理基板、支撐基板或者重合基板的搬出搬入站、在前述剝離處理站與前述搬出搬入站之間，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板的搬送站、在前述剝離處理站，與對在該剝離處理站被剝離的被處理基板進行特定的後處理之後處理站之間，搬送被處理基板的界面站、鄰接於前述界面站而設置的，檢查被處理基板的檢查裝置、鄰接於前述界面站而設的，洗淨以前述檢查裝置檢查的基板之檢查後洗淨站；前述檢查後洗淨站，具有洗淨被處理基板的接合面之接合面洗淨裝置、與洗淨被處理基板之非接合面之非接合面洗淨裝置、與使被處理基板的表背面反轉的基板反轉裝置；前述基板反轉裝置，具有：保持被處理基板的單面之第1保持部、對向於前述第1保持部而設置的，保持被處理基板的單面之第2保持部、至少使前述第1保持部或前述第2保持部相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構，與保持被處理基板的單面而進行搬送的搬送機構；前述第1保持 部、前述第2保持部及前述搬送機構之被處理基板的保持，係藉由白努力晶片座進行的。
此外，根據其他觀點知本發明，係使用基板反轉裝置，使基板的表背面反轉的基板反轉方法，特徵為，前述基板反轉裝置具有：保持基板的單面之第1保持部、對向於前述第1保持部而設的，保持基板的單面之第2保持部、至少使前述第1保持部或前述第2保持部相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構、及保持基板的單面而搬送的搬送機構；前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構之基板的保持，係藉由白努力晶片座進行的，前述基板反轉方法，係藉由前述搬送機構將基板搬送至前述第1保持部而於前述第1保持部保持該基板的單面，其後，藉由移動機構使前述第1保持部與前述第2保持部接近，把基板遞送到第2保持部，其後，把被保持於第2保持部的基板藉由前述搬送機構保持。
進而根據其他觀點之本發明，提供一種電腦記憶媒體，特徵為供藉由基板反轉裝置執行前述基板反轉方法，容納控制該基板反轉裝置的控制部之在電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
根據本發明的話，可以把藉由研磨處理而薄型化的基板，不產生翹曲或破裂地使表背面反轉。
以下，針對本發明之實施型態進行說明。圖1係顯示具備相關於本實施型態之基板反轉裝置的剝離系統1的構成概略之平面圖。
在剝離系統1，把如圖2所示作為被處理基板之被處理晶圓W與作為支撐基板之支撐晶圓S以接著劑G接合的作為重合基板的重合晶圓T，剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S。以下，於被處理晶圓W，把中介著接著劑G與支撐晶圓S接合的面稱為「接合面WJ」，把與該接合面WJ相反側之面稱為「非接合面WN」。同樣地，於支撐晶圓S，把中介著接著劑G與被處理晶圓W接合的面稱為「接合面SJ」，把另面稱為「非接合面SN」。又，被處理晶圓W，係成為製品的晶圓，例如於接合面WJ被形成複數之電子電路。此外，被處理晶圓W，例如非接合面WN被研磨處理，被薄型化(例如厚度50μm)。支撐晶圓S，具有與被處理晶圓W的直徑相同的直徑，係支撐該被處理晶圓W的晶圓。又，在本實施型態，說明作為支撐基板使用晶圓的場合，但例如使用玻璃基板等其他基板亦可。
剝離系統1，具有將如圖1所示例如在與外部之間分別可收容複數之被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T之卡匣CW、CS、CT被搬出搬入的搬出搬入站2、具備對被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T施以特定的處理之各種處理裝置的剝離處理站3、在與鄰接於剝離處理站3的後處理站4之間進行被處理晶圓W的遞送之界面站5 、檢查遞送至後處理站4之前的被處理晶圓W的檢查裝置6等一體的連接的構成。
搬出搬入站2與剝離處理站3，於X方向(圖1中的上下方向)上排列配置。這些搬出搬入站2與剝離處理站3之間，設有搬送站7。界面站5，被配置於剝離處理站3的Y方向負方向側(圖1中的左方向側)。此外，檢查裝置6，被配置於界面站5的X方向正方向側(圖1中的上方向側)，挾著界面站5在檢查裝置6的相反側，亦即在界面站5的X方向負方向側，被配置著進行檢查後的被處理晶圓W的接合面WJ與非接合面WN的洗淨，與被處理晶圓W的表背面的反轉之檢查後洗淨站8。
於搬出搬入站2，設有卡匣載置台10。於卡匣載置台10，設有複數，例如3個卡匣載置板11。卡匣載置板11，於Y方向(圖1中的左右方向)排列配置為一列。於這些卡匣載置板11，對剝離系統1的外部搬出搬入卡匣CW、CS、CT時，可以載置卡匣CW、CS、CT。如此般，搬出般入站2，以可保有複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T的方式被構成。又，卡匣載置板11的個數，不限定於本實施型態，可以任意地決定。此外，於被搬入搬出搬入站2的複數之重合晶圓T預先進行了檢查，被判定為包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T與包含有缺陷的被處理晶圓W的重合晶圓T。
在被形成於搬送站7的內部的晶圓搬送區域9，被配置第1搬送裝置20。第1搬送裝置20，具有例如可在鉛直方向 、水平方向(Y方向、X方向)及鉛直軸周圍自由移動的搬送臂。第1搬送裝置20，可以移動於晶圓搬送區域9內，在與搬出搬入站2與剝離處理站3之間搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
剝離處理站3，具有把重合晶圓T剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離裝置30。剝離裝置30的Y方向負方向側(圖1中的左方向側)，被配置洗淨被剝離的被處理晶圓W之第1洗淨裝置31。於剝離裝置30與第1洗淨裝置31之間配置有第2搬送裝置32。此外，剝離裝置30的Y方向正方向側(圖1中的右方向側)，被配置洗淨被剝離的支撐晶圓S之第2洗淨裝置33。如此般，在剝離處理站3，第1洗淨裝置31、第2搬送裝置32、剝離裝置30、第2洗淨裝置33，由界面站5側起依此順序排列配置著。
在檢查裝置6，檢查藉由剝離裝置30剝離的被處理晶圓W上有無接著劑G的殘渣。此外，在檢查後洗淨站8，進行在檢查裝置6被確認了接著劑G的殘渣之被處理晶圓W的洗淨。此檢查後洗淨站8，具有洗淨被處理晶圓W的接合面WJ之接合面洗淨裝置40、洗淨被處理晶圓W的非接合面WN之非接合面洗淨裝置41、使被處理晶圓W的表背面反轉之作為基板反轉裝置之晶圓反轉裝置42。
於界面站5，設有在延伸於Y方向的搬送路徑50上自由移動的搬送機構51。搬送機構51，在水平軸周圍、鉛直方向及鉛直軸周圍(θ方向)上均可自由移動，可以在剝離處理站3、後處理站4、檢查裝置6及檢查後洗淨站8之間 搬送被處理晶圓W。此外，搬送機構51，構成晶圓反轉裝置42的一部分。
又，在後處理站4，對在剝離處理站3被剝離的被處理晶圓W進行特定的後處理。作為特定的後處理，例如進行裝載被處理晶圓W的處理、進行被處理晶圓W上的電子電路的電氣特性之檢查的處理、將被處理晶圓W切割為各個晶片的處理等。
其次，說明前述之剝離裝置30之構成。剝離裝置30，如圖3所示，於其內部具有收容複數機器的筐體100。於筐體100的側面，被形成被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬出搬入口(未圖示)，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
於筐體100的底面，被形成把該筐體100的內部的氛圍予以排氣之排氣口101。於排氣口101，例如被連接著連通至真空泵等排氣裝置102的排氣管103。
於筐體100的內部，設有在下面吸附保持被處理晶圓W的上部晶圓座110、及在上面載置支撐晶圓S而保持的下部晶圓座111。上部晶圓座110，設於下部晶圓座111的上方，以與下部晶圓座111對向的方式配置。亦即，在筐體100的內部，在把被處理晶圓W配置於上側，且將支撐晶圓S配置於下側的狀態，對重合晶圓T進行剝離處理。
於上部晶圓座110，例如使用多孔性晶圓座。上部晶圓座110，具有平板狀的本體部120。於本體部120的下面側，設有多孔質體121。多孔質體121，例如具有與被處理 晶圓W幾乎相同的直徑，與該被處理晶圓W的非接合面WN抵接。又，作為多孔質體121例如使用碳化矽。
此外，在本體部120的內部且為多孔質體121的上方被形成抽吸空間122。抽吸空間122，例如以覆蓋多孔質體121的方式形成。抽吸空間122，被連接著抽吸管123。抽吸管123，被連接於例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。接著，由抽吸管123中介著抽吸空間122與多孔質體121吸附著被處理晶圓之非接合面WN，該被處理晶圓W被吸附保持於上部晶圓座110。
此外，在本體部120的內部且為抽吸空間122的上方，設有加熱被處理晶圓W的加熱機構124。於加熱機構124，例如使用加熱器。
於上部晶圓座110的上面，設有支撐該上部晶圓座110之支撐板130。支撐板130，被支撐於筐體100的天花板面。又，省略本實施型態的支撐板130，上部晶圓座110抵接而支撐於筐體100的天花板面亦可。
於下部晶圓座111的內部，設有供吸附保持支撐晶圓S之用的抽吸管140。抽吸管140，被連接於例如真空泵等排氣產生裝置(未圖示)。
此外，於下部晶圓座111的內部，設有加熱支撐晶圓S的加熱機構141。於加熱機構141，例如使用加熱器。
於下部晶圓座111的下方，設有使下部晶圓座111及支撐晶圓S於鉛直方向及水平方向上移動的移動機構150。移動機構150，具有使下部晶圓座111移動於鉛直方向的鉛直 移動部151，及使下部晶圓座111移動於水平方向的水平移動部152。
鉛直移動部151，具有支撐下部晶圓座111的下面之支撐板160、使支撐板160升降而使上部晶圓座110與下部晶圓座111於鉛直方向上接近、遠離之驅動部161、以及支撐支撐板160的支撐構件162。驅動部161，例如藉由滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。此外，支撐構件162，係可在鉛直方向上自由伸縮地構成，在支撐板160與後述的支撐體171之間例如設在3處所。
水平移動部152，具有沿著X方向(圖3中之左右方向)延伸的軌道170，被安裝於軌道170的支撐體171，以及使支撐體171沿著軌道170移動的驅動部172。驅動部172，例如具有滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。
又，於下部晶圓座111的下方，設有由下方支撐升降重合晶圓T或支撐晶圓S之用的升降栓(未圖示)。升降栓插通被形成於下部晶圓座111的貫通孔(未圖示)，成為可由下部晶圓座111的上面突出。
其次，說明前述之第1洗淨裝置31之構成。第1洗淨裝置31，如圖4所示具有筐體180。於筐體180的側面，被形成被處理晶圓W之搬出搬入口(未圖示)，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
於筐體180內的中央部，設有保持被處理晶圓W而使其迴轉的多孔性晶圓座190。多孔性晶圓座190，具有平板 狀的本體部191、設於本體部191的上面側的多孔質體192。多孔質體192，例如具有與被處理晶圓W幾乎相同的直徑，與該被處理晶圓W的非接合面WN抵接。又，作為多孔質體192例如使用碳化矽。於多孔質體192，被連接著抽吸管(未圖示)，藉由從該抽吸管中介著多孔質體192抽吸被處理晶圓W之非接合面WN，該被處理晶圓W可以吸附保持於多孔性晶圓座190上。
於多孔性晶圓座190的下方，設有具備例如馬達等的晶圓座驅動部193。多孔性晶圓座190，可以藉由晶圓座驅動部193旋轉於特定的速度。此外，於晶圓座驅動部193，設有例如汽缸等之升降驅動源，多孔性晶圓座190成為可自由升降。
於多孔性晶圓座190的周圍，為了承接由被處理晶圓W飛散或落下的液體，設有進行回收的杯194。於杯194的下面，被連接著排出回收的液體之排出管195，與真空抽吸杯194內的氛圍而進行排氣的排氣管196。
如圖5所示於杯194的X方向負方向(圖5中之下方向)側，被形成沿著Y方向(圖5中之左右方向)延伸的軌道200。軌道200，例如由杯194的Y方向負方向(圖5中的左方向)側的外方起形成至Y方向正方向(圖5中的右方向)側的外方為止。於軌道200，被安裝著臂201。
於臂201，如圖4及圖5所示被支撐著對被處理晶圓W供給洗淨液，例如有機溶劑之洗淨液噴嘴203。臂201，藉由圖5所示之噴嘴驅動部204，可以自由移動於軌道200上 。藉此，洗淨液噴嘴203，可以由被設置在杯194的Y方向正方向側的外方之等待部205移動至杯194內的被處理晶圓W的中心部上方為止，進而，可以使該被處理晶圓W上移動於被處理晶圓W的直徑方向。此外，臂201，藉由噴嘴驅動部204而自由升降，可以調節洗淨液噴嘴203的高度。
於洗淨液噴嘴203，例如使用2流體噴嘴。於洗淨液噴嘴203，如圖4所示被連接著對該洗淨液噴嘴203供給洗淨液的供給管210。供給管210，連通於內部貯留洗淨液的洗淨液供給源211。於供給管210，設有包含控制洗淨液的流動之閥與流量調節部等的供給機器群212。此外，於洗淨液噴嘴203，被連接著對該洗淨液噴嘴203供給惰性氣體，例如氮氣之供給管213。供給管213，連通於內部貯留惰性氣體的氣體供給源214。於供給管213，設有包含控制惰性氣體的流動之閥與流量調節部等的供給機器群215。接著，洗淨液與惰性氣體在洗淨液噴嘴203內混合，由該洗淨液噴嘴203被供給至被處理晶圓W。又，於以下，亦有把混合了洗淨液與惰性氣體者簡稱為「洗淨液」的場合。
又，於多孔性晶圓座190的下方，亦可設有由下方支撐升降被處理晶圓W之用的升降栓(未圖示)。相關的場合，升降栓插通被形成於多孔性晶圓座190的貫通孔(未圖示)，成為可由多孔性晶圓座190的上面突出。接著，替代使多孔性晶圓座190升降而使升降栓升降，在與多孔性晶圓座190之間進行被處理晶圓W之遞送。又，前述之檢查後洗淨站8之接合面洗淨裝置40與非接合面洗淨裝置 41的構成，與此第1洗淨裝置31相同，所以針對接合面洗淨裝置40與非接合面洗淨裝置41省略說明。
此外，第2洗淨裝置33之構成，與前述之第1洗淨裝置31的構成大致相同。於第2洗淨裝置33，如圖6所示替代第1洗淨裝置31的多孔性晶圓座190，設有旋轉晶圓座220。旋轉晶圓座220，具有水平的上面，於該上面，設有例如抽吸著支撐晶圓S的抽吸口(未圖示)。藉由從此抽吸口之抽吸，使支撐晶圓S可以吸附保持於旋轉晶圓座220上。第2洗淨裝置33的其他構成，與前述之第1洗淨裝置31的構成為相同，所以省略說明。
又，於第2洗淨裝置33，在旋轉晶圓座220的下方，亦可設有朝向被處理晶圓W的背面，亦即非接合面WN噴射洗淨液的背後潤濕噴嘴(未圖示)。藉由此背後潤濕噴嘴所噴射的洗淨液，被處理晶圓W的非接合面WN與被處理晶圓W的外周部被洗淨。
其次，說明前述之第2搬送裝置32之構成。第2搬送裝置32，如圖7所示具有保持被處理晶圓W之白努力晶圓座230。白努力晶圓座230，藉由從該晶圓座的表面噴出空氣而使被處理晶圓W浮游，可以在非接觸的狀態吸引懸垂而保持被處理晶圓W。白努力晶圓座230，被支撐於支撐臂231。支撐臂231，被支撐於作為反轉機構之第1驅動部232。藉由此第1驅動部232，支撐臂231自由地繞著水平軸反轉，而且可在水平方向上伸縮。於第1驅動部232的下方，設有第2驅動部233。藉由此第2驅動部233，第1驅動部232 自由地繞著鉛直軸反轉，而且可在鉛直方向上升降。
又，搬送機構51，具有與前述之第2搬送裝置32同樣的構成，所以省略說明。但是，搬送機構51之第2驅動部233，被安裝於圖1所示的搬送路徑50，搬送機構51成為可在搬送路徑50上移動。
其次，說明前述之晶圓反轉裝置42之構成。晶圓反轉裝置42，如圖8所示，於其內部具有收容複數機器的筐體250。於筐體250的側面，被形成藉由搬送機構進行被處理晶圓W之搬出搬入之用的搬出搬入口251，於該搬出搬入口251設有開關快門(未圖示)。
於筐體250的底面，被形成把該筐體250的內部的氛圍予以排氣之排氣口260。於排氣口260，例如被連接著連通至真空泵等排氣裝置261的排氣管262。
於筐體250的內部，設有在下面保持被處理晶圓W的第1保持部270、及在下面保持被處理晶圓W的第2保持部271。第2保持部271，於第1保持部270的上方，以與第1保持部270對向的方式被配置。第1保持部270及第2保持部271，具有例如與被處理晶圓W幾乎相同的直徑。此外，於第1保持部270及第2保持部271使用白努力晶圓座。藉此，第1保持部270及第2保持部271，可以非接觸地分別保持被處理晶圓W的單面之全面。又，第1保持部270及第2保持部271，沒有必要一定與被處理晶圓W具有幾乎相同的直徑，只要可以保持被處理晶圓W的單面之全面的話，保持部270、271的直徑例如可以比被處理晶圓W的直徑更小 ，也可以更大。此外，所謂保持被處理晶圓W的單面之全面，不是意味著保持被處理晶圓W的單面的全部，而是意味著以使被薄型化的被處理晶圓W不翹曲或者不破裂的方式以面來保持該被處理晶圓。亦即，例如作為保持部之白努力晶圓座的直徑比基板的直徑更小的場合，只要可以使被處理晶圓W不產生翹曲或破裂地方式來保持的話，就可以說是保持被處理晶圓W的單面之全面。
又，前述之第2搬送裝置32及搬送機構51之白努力晶圓座230，也與第1保持部270及第2保持部271同樣，以可以保持被處理晶圓W的單面之全面的方式被構成。
於第1保持部270的下方，設有使該第1保持部移動於鉛直方向的移動機構272。移動機構272，具有支撐第1保持部270的下面之支撐板273，及使支撐板273升降而使第1保持部270與第2保持部271於鉛直方向上接近、遠離的驅動部274。驅動部274，是藉由被設在筐體250的底面之支撐體275來支撐的。此外，於支撐體275的上面，設有支撐支撐板273的支撐構件276。支撐構件276，以在鉛直方向自由伸縮的方式構成，藉由驅動部274使支撐板273升降時，可以自由地伸縮。
於第2保持部271的上面，設有支撐第2保持部271之支撐板280。此外，如前所述，在構成晶圓反轉裝置42的機器包含有搬送機構51。又，省略本實施型態的支撐板280，第2保持部抵接而支撐於筐體250的天花板面亦可。
於以上之剝離系統，如圖1所示，設有控制部300。控 制部300，例如為電腦，具有程式容納部(未圖示)。於程式容納部，被收容著控制剝離系統1之被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的處理之程式。此外，於程式容納部，也收容著供控制前述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系的動作，實現剝離系統1之後述的剝離處理之用的程式。又，前述程式，係被記錄於例如電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記憶媒體H者，亦可以是由該記憶媒體H對控制部300安裝者。
其次，說明使用如以上所述構成的剝離系統1而進行的被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理方法。圖9係顯示相關的剝離處理的主要步驟之流程圖。
首先，收容了複數枚重合晶圓T的卡匣CT、空的卡匣CW、及空的卡匣CS，被載置於搬出搬入站2之特定的卡匣載置板11。藉由第1搬送裝置20取出卡匣CT內的重合晶圓T，被搬送至剝離處理站3之剝離裝置30。此時，重合晶圓T，在把被處理晶圓W配置於上側，且將支撐晶圓S配置於下側的狀態被搬送。
被搬入剝離裝置30的重合晶圓T，被吸附保持於下部晶圓座111。其後，藉由移動機構150使下部晶圓座111上升，如圖10所示以上部晶圓座110與下部晶圓座111挾入重合晶圓T而保持。此時，於上部晶圓座110被吸附保持著被處理晶圓W的非接合面WN，於下部晶圓座111被吸附保持著支撐晶圓S的非接合面SN。
其後，藉由加熱機構124、141使重合晶圓T被加熱至特定的溫度，例如200℃。如此一來，重合晶圓T中的接著劑G軟化。
接著，藉由加熱機構124、141加熱重合晶圓T而維持接著劑G的軟化狀態，同時如圖11所示藉由移動機構150使下部晶圓座111與支撐晶圓S移動於鉛直方向及水平方向，亦即移動往斜下方。接著，如圖12所示被保持於上部晶圓座110的被處理晶圓W，與被保持於下部晶圓座111的支撐晶圓S被剝離(圖9之步驟A1)。
此時，下部晶圓座111，在鉛直方向移動100μm，而且於水平方向移動300mm。此處，在本實施型態，重合晶圓T中的接著劑G的厚度例如為30μm~40μm，被形成於被處理晶圓W的接合面WJ的電子電路(凸塊)的高度例如為20μm。亦即，被處理晶圓W上的電子電路與支撐晶圓S之間的距離變得微小。在此，例如使下部晶圓座111僅於水平方向上移動的場合，有使電子電路與支撐晶圓S接觸，而使電子電路遭受損傷之虞。這一點，可以藉由如本實施型態這樣使下部晶圓座111移動於水平方向同時也移動於鉛直方向，避免電子電路與支撐晶圓S之接觸，可以抑制電子電路的損傷。又，此下部晶圓座111之鉛直方向的移動距離與水平方向的移動距離的比率，是根據被處理晶圓W上的電子電路(凸塊)的高度而設定的。
其後，以剝離裝置30剝離的被處理晶圓W，藉由第2搬送裝置32被搬送至第1洗淨裝置31。此處，說明根據第2 搬送裝置32之被處理晶圓W的搬送方法。
如圖13所示使支撐臂231伸長，使白努力晶圓座230配置於被保持於上部晶圓座110的被處理晶圓W的下方。其後，使白努力晶圓座230上升，停止由上部晶圓座110之抽吸管123之被處理晶圓W的抽吸。接著，由上部晶圓座110往白努力晶圓座230遞送被處理晶圓W。此時，被處理晶圓W的接合面WJ被保持於白努力晶圓座230，但白努力晶圓座230是以非接觸狀態使被處理晶圓W被保持著，所以被處理晶圓W的接合面WJ上的電子電路沒有受到損傷之虞。
其次，如圖14所示，使支撐臂231反轉而使白努力晶圓座230移動至第1洗淨裝置31的多孔性晶圓座190的上方，同時使白努力晶圓座230反轉而使被處理晶圓W朝向下方。此時，先使多孔性晶圓座190上升至比杯194更為上方的位置等待。其後，由白努力晶圓座230往多孔性晶圓座190遞送而吸附保持被處理晶圓W。
如此般於多孔性晶圓座190被吸附保持著被處理晶圓W時，使多孔性晶圓座190下降至特定的位置。接著，藉由臂201使等待部205的洗淨液噴嘴203移動至被處理晶圓W的中心部的上方。其後，藉由多孔性晶圓座190使被處理晶圓W旋轉，同時由洗淨液噴嘴203對被處理晶圓W的接合面WJ供給洗淨液。被供給的洗淨液藉由離心力擴散至被處理晶圓W的接合面WJ的全面，使該被處理晶圓W的接合面WJ被洗淨(圖9之步驟A2)。
此處，如前所述於被搬入搬出搬入站2的複數之重合晶圓T預先進行了檢查，被判定為包含正常的被處理晶圓W的重合晶圓T與包含有缺陷的正常的被處理晶圓W的重合晶圓T。
由正常的重合晶圓T剝離的正常的被處理晶圓W，在步驟A2被洗淨接合面WJ後，以非接合面WN朝向下方的狀態藉由搬送機構51被搬送至檢查裝置6。又，根據此搬送機構51之被處理晶圓W的搬送，具有與根據前述之第2搬送裝置32之被處理晶圓W的搬送為幾乎相同，所以省略說明。
非接合面WN朝向下方的狀態，換句話說，在接合面WJ朝向上方的狀態被搬送至檢查裝置6的被處理晶圓W，於該檢查裝置6檢查接合面WJ有無接著劑G之殘渣(圖9之步驟A3)。於檢查裝置6確認了接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W藉由搬送機構51搬送至檢查後洗淨站8之接合面洗淨裝置40，在接合面洗淨裝置40洗淨接合面WJ(圖9之步驟A4)。又，此搬送時，搬送機構51也是在非接觸的狀態保持被處理晶圓W，所以接合面WJ之接著劑G的殘渣不會附著於搬送機構51。因此，接著劑G的殘渣不會中介著搬送機構51而附著於後續的被處理晶圓W。
接合面WJ被洗淨後，被處理基板W藉由搬送機構51被搬送至晶圓反轉裝置42，藉由晶圓反轉裝置42使表背面反轉，亦即於上下方向反轉(圖9之步驟A5)。此處，說明根據晶圓反轉裝置42之被處理晶圓W的反轉方法。
以接合面洗淨裝置40洗淨接合面WJ之被處理晶圓W，如圖15所示，藉由搬送機構51的白努力晶圓座230使接合面WJ被保持著的狀態下被搬送至晶圓反轉裝置42。接著，被處理晶圓W，在使接合面WJ朝向上方的狀態下被遞送至晶圓反轉裝置42的第1保持部270，藉由第1保持部270保持著被處理晶圓W的單面之全面，於本實施型態，例如保持非接合面WN的全面。
接著，使白努力晶圓座230由第1保持部270的上方退避開，其後，藉由驅動部274使第1保持部270上升，換句話說，如圖16所示接近至第2保持部271。接著，藉由第2保持部271保持被處理晶圓W的接合面WJ，同時停止根據第1保持部270之被處理晶圓W的保持，使被處理晶圓W遞送至第2保持部271。藉此，如圖17所示，被處理晶圓W藉由第2保持部271，以使非接合面WN朝向下方的狀態被保持。
其後，使第1保持部270下降而使第1保持部270與第2保持部271遠離，接著使退避的搬送機構51之白努力晶圓座230繞著水平軸反轉。接著，在白努力晶圓座230朝向上方的狀態，使該白努力晶圓座230配置於第2保持部271的下方。接著使白努力晶圓座230上升，與此同時停止根據第2保持部271之被處理晶圓W的保持。藉此，於被搬出接合面洗淨裝置40時藉由白努力晶圓座230保持著接合面WJ的全面之被處理晶圓W，如圖18所示，成為藉由白努力晶圓座230被保持著非接合面WN的全面的狀態。亦即，成為 藉由白努力晶圓座230保持的被處理晶圓的面之表背反轉的狀態。其後，使白努力晶圓座230在保持被處理晶圓W的非接合面WN的狀態由晶圓反轉裝置42退避開。
又，於檢查裝置6未被確認到接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W不被搬送至接合面洗淨裝置40而以晶圓反轉裝置42進行被處理晶圓W的反轉，而針對反轉方法，與前述之方法相同。
其後，在保持被處理晶圓W的狀態使白努力晶圓座230繞著水平軸反轉，使被處理晶圓W於上下方向反轉。接著，被處理晶圓W，在非接合面WN朝向上方的狀態藉由白努力晶圓座230再度被搬送至檢查裝置6，進行非接合面WN的檢查(圖9之步驟A6)。接著，於非接合面WN確認到接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W藉由搬送機構51搬送至非接合面洗淨部8c，進行非接合面WN的洗淨(圖9之步驟A7)。接著，被洗淨的被處理晶圓W，藉由搬送機構51搬送至後處理站4。又，以檢查裝置6未被確認到接著劑G的殘渣的場合，被處理晶圓W不被搬送至非接合面洗淨裝置41而直接被搬送到後處理站4。
其後，於後處理站4對被處理晶圓W進行特定的後處理(圖9之步驟A8)。如此進行，使被處理晶圓W製品化。
另一方面，由有缺陷的重合晶圓T剝離的有缺陷的被處理晶圓W，在步驟A2被洗淨接合面WJ後，藉由第1搬送機構20被搬送至搬出搬入站2。其後，有缺陷的被處理晶 圓W，由搬出搬入站2被搬出至外部而被回收(圖9之步驟A9)。
對被處理晶圓W進行前述步驟A1~A9時，以剝離裝置30剝離的支撐晶圓S，藉由第1搬送裝置20搬送至第2洗淨裝置33。接著，於第2洗淨裝置33，洗淨支撐晶圓S的接合面SJ(圖9之步驟A10)。又，第2洗淨裝置33之支撐晶圓S的洗淨，與前述之第1洗淨裝置31之被處理晶圓W的洗淨為相同，所以省略說明。
其後，接合面SJ被洗淨的支撐晶圓S，藉由第1搬送裝置20搬送至搬出搬入站2。其後，支撐晶圓S，由搬出搬入站2被搬出至外部而被回收(圖9之步驟A11)。如此進行，結束一連串之被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理。
根據以上的實施型態的話，因為具有對向而設的第1保持部270及第2保持部271，與使第1保持部及第2保持部相對移動而接近、遠離的移動機構272，所以例如藉由搬送機構51把被處理晶圓W搬送至第1保持部270使被處理晶圓W的單面以第1保持部270保持，接著，使第1保持部270與第2保持部271接近而使被處理晶圓W遞送至第2保持部271，可以使以被處理晶圓W之第1保持部270保持的面相反側之面，以第2保持部271來保持。換句話說，可以替換藉由保持部保持的被處理晶圓W之面。接著，藉由搬送機構51，進而保持著被保持於第2保持部271的被處理晶圓，成為被保持於搬送機構51的被處理晶圓W的表背面反轉的狀態。接著，於本發明，因為於第1保持部270及第2保持 部271使用白努力晶圓座，所以可把例如藉由研磨處理被薄型化的被處理晶圓W，不產生翹曲或破裂地表背反轉。
此外，因為具有使搬送機構51之白努力晶圓座230繞著水平軸反轉之作為反轉機構的的1驅動部232，所以藉由使保持使表背反轉的被處理晶圓W的白努力晶圓座230繞著水平軸反轉，而使被處理晶圓W於上下方向反轉。
在以上之實施型態，藉由使第1保持部270升降，使第1保持部270與第2保持部271於鉛直方向上相對地接近、遠離，但只要可以使第1保持部270與第2保持部271於鉛直方向上相對地接近、遠離的話，其移動方法並不限於本實施型態的方法。例如，使第2保持部271於鉛直方向上移動亦可，或者是使第1保持部270與第2保持部271雙方於鉛直方向上移動。
此外，在以上的實施型態，於第1保持部270保持被處理晶圓W，接著藉由遞送至第2保持部271而進行被處理晶圓W的表背面的反轉，但首先使被處理晶圓W保持於第2保持部271，接著把被處理晶圓W遞送至第1保持部270，使該被處理晶圓W反轉亦可。
此外，根據以上的實施型態，可以在剝離裝置30使重合晶圓T剝離為被處理晶圓W與支撐晶圓S之後，於第1洗淨裝置31，洗淨被剝離的被處理晶圓W，同時於第2洗淨裝置33，洗淨被剝離的支撐晶圓S。如此般根據本實施型態的話，於一個剝離系統1內，可以有效率地進行由被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離起至被處理晶圓W的洗淨與支 撐晶圓S的洗淨為止之一連串的剝離處理。此外，於第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33，可以分別併行地進行被處理晶圓W的洗淨與支撐晶圓S的洗淨。進而，於剝離裝置30剝離被處理晶圓W與支撐晶圓S之間，於第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33也可以處理其他的被處理晶圓W與支撐晶圓S。亦即，可以有效率地進行被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離，可以提高剝離處理的生產率。
此外，可以於檢查裝置6檢查被處理晶圓W，所以可根據檢查結果補正剝離系統1之處理條件。亦即，可以進而更為適切地剝離被處理晶圓W與支撐晶圓S。
接著，因為具有具備接合面洗淨裝置40及非接合面洗淨裝置41的檢查後洗淨站8，所以可抑制往後處理的步驟之接著劑G的殘渣之帶入。此外，檢查後洗淨站8具有晶圓反轉裝置42，所以可以在剝離系統1內有效率地進行剝離後的被處理晶圓W的接合面WJ與非接合面WN的洗淨。
此外，在剝離處理站3剝離的被處理晶圓W為正常的被處理晶圓W的場合，於後處理站4對該被處理晶圓W進行特定的後處理，而被製品化。另一方面，在剝離處理站3剝離的被處理晶圓W為有缺陷的被處理晶圓W的場合，該被處理晶圓W由搬出般入站2回收。如此般僅有正常的被處理晶圓W被製品化，所以可以提高製品的生產率。此外，回收有缺陷的被處理晶圓W，隨著缺陷的程度而可以再利用此被處理晶圓W，可以有效活用資源同時可以使製造成本低廉化。
此外，於這樣的一連串的製程，可以由被處理晶圓W與支撐晶圓S的剝離進行至被處理晶圓W的後處理為止，所以可以進而提高晶圓處理的生產率。
此外，在剝離裝置30剝離的支撐晶圓S，洗淨後，由搬出搬入站2回收，所以可以再利用該支撐晶圓S。亦即，可以有效活用資源同時使製造成本低廉化。
此外，在剝離裝置30，加熱重合晶圓T同時藉由移動機構150使下部晶圓座111與支撐晶圓S移動於鉛直方向與水平方向，剝離被處理晶圓W與支撐晶圓S。如此般藉由在鉛直方向及水平方向等兩方向使下部晶圓座111移動，即使被處理晶圓W上的電子電路與支撐晶圓S之間的距離為微小的場合，也可以避免電子電路與支撐晶圓S之接觸。亦即，可以抑制電子電路的損傷，可適切地進行被處理晶圓W與支撐晶圓S之剝離處理。
此外，第2搬送裝置32與搬送機構51具有保持被處理晶圓W的白努力晶圓座230，所以即使被處理晶圓W薄型化也可以適切地保持該被處理晶圓W。進而，於第2搬送裝置32與搬送機構51，被處理晶圓W的接合面WJ被保持於白努力晶圓座230，但白努力晶圓座230能夠以非接觸狀態使被處理晶圓W被保持著，所以被處理晶圓W的接合面WJ上的電子電路沒有受到損傷之虞。
此外，第1洗淨裝置31具有保持被處理晶圓W的多孔性晶圓座190，所以即使被處理晶圓W薄型化也可以適切地保持該被處理晶圓。
在以上的實施型態，於剝離裝置30使下部晶圓座111移動於鉛直方向及水平方向，但使上部晶圓座110移動於鉛直方向及水平方向亦可。或者是使上部晶圓座110與下部晶圓座111雙方移動於鉛直方向及水平方向亦可。
於以上的剝離裝置30是使下部晶圓座111移動於鉛直方向及水平方向，但使下部晶圓座111僅移動於水平方向，而改變該下部晶圓座111的移動速度亦可。具體而言，使下部晶圓座111開始移動時的移動速度為低速，其後徐徐加速移動速度亦可。亦即，使下部晶圓座111開始移動時，被處理晶圓W與支撐晶圓S之接著面積很大，被處理晶圓W上的電子電路容易受到接著劑G的影響，所以使下部晶圓座111的移動速度為低速。其後，隨著被處理晶圓W與支撐晶圓S之接著面積變小，被處理晶圓W上的電子電路變得不容易受到接著劑G的影響，所以使下部晶圓座111的移動速度徐徐加速。即使在這樣的場合，也可以避免電子電路與支撐晶圓S之接觸，抑制電子電路的損傷。
此外，在以上的實施型態，於剝離裝置30使下部晶圓座111移動於鉛直方向及水平方向，但例如在被處理晶圓W上的電子電路與支撐晶圓S之間的距離充分大的場合，使下部晶圓座111僅移動於水平方向亦可。在相關的場合，可以避免電子電路與支撐晶圓S之接觸，同時下部晶圓座111的移動的控制變得容易。進而，使下部晶圓座111僅移動於鉛直方向而剝離被處理晶圓W與支撐晶圓S亦可，使下部晶圓座111的外周部端部僅移動於鉛直方向而剝離 被處理晶圓W與支撐晶圓S亦可。
又，在以上的實施型態，是在把被處理晶圓W配置於上側，且把支撐晶圓S配置於下側的狀態，剝離這些被處理晶圓W與支撐晶圓S，但被處理晶圓W與支撐晶圓S之上下配置為相反亦可。
於以上的實施型態之第2搬送裝置32，於白努力晶圓座230的表面，亦可形成供給洗淨液之用的複數供給口(未圖示)。在這樣的場合，由白努力晶圓座230往第1洗淨裝置31的多孔性晶圓座190遞送被處理晶圓W時，由白努力晶圓座230往被處理晶圓W的接合面WJ供給洗淨液而洗淨該接合面WJ，同時也可以洗淨白努力晶圓座230自身。如此一來，可以縮短其後之第1洗淨裝置31之被處理晶圓W的洗淨時間，可以進而提高剝離處理的生產率。而且，白努力晶圓座230也可以洗淨，擃以可以適切地搬送次一被處理晶圓W。
在以上的實施型態，於第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33之洗淨液噴嘴203使用2流體噴嘴，但洗淨液噴嘴203的型態不限於本實施型態，可以使用種種的噴嘴。例如作為洗淨液噴左203，亦可使用供給洗淨液的噴嘴與供給惰性氣體的噴嘴被一體化之噴嘴體，或者噴霧噴嘴、噴射噴嘴、超音速噴嘴等。此外，為了提高洗淨處理的生產性，亦可供給例如被加熱至80℃的洗淨液。
此外，於第1洗淨裝置31與第2洗淨裝置33，除了洗淨液噴嘴203以外，設置供給IPA(異丙醇)之噴嘴亦可。相 關的場合，藉由來自洗淨液噴嘴203的洗淨液洗淨被處理晶圓W或支撐晶圓S之後，把被處理晶圓W或支撐晶圓S上的洗淨液置換為IPA。如此一來，被處理晶圓W或支撐晶圓S的接合面WJ、SJ更確實地被洗淨。
於以上的實施型態之剝離系統1，亦可設置使在剝離裝置30被加熱的被處理晶圓W冷卻至特定的溫度之溫度調節裝置(未圖示)。相關的場合，被處理晶圓W的溫度被調節至適切的溫度，所以使後續的處理可以更為圓滑地進行。
此外，作為白努力晶圓座230之其他實施型態，亦可如圖20所示，於白努力晶圓座230的周緣，設置保持被處理晶圓W的周緣之複數的保持導塊314。如此一來，可以防止被保持於白努力晶圓座230的被處理晶圓W的位置偏移。此外，亦可進而設置使保持導塊313對被處理晶圓W接近、離開之導塊移動手段315。
又，組合前述實施型態之一部分而實施亦可，可以得到同樣的作用、效果。
此外，在以上的實施型態，說明了在後處理站4對被處理晶圓W進行後處理而進行製品化的場合，但本發明也可以適用於例如在3次元集積技術使用的從支撐晶圓剝離被處理晶圓的場合。又，所謂3次元集積技術，是因應於近年來半導體裝置的高集積化的要求之技術，取代把高集積化的複數半導體裝置在水平面內進行配置，而使該複數半導體裝置3次元地進行層積之技術。於此3次元集積技術 ，也被要求著層積的被處理晶圓的薄型化，將該被處理晶圓接合於支撐晶圓而進行特定的處理。
又，在以上的實施型態，說明了使藉由研磨處理而薄型化的被處理晶圓W反轉的場合，但本發明也可以適用於反轉被薄型化之前的，通常的晶圓的場合。
以上，參照附圖說明本發明之適切的實施型態，但是本發明並不以相關之例為限。如果是熟悉該項技藝者，於申請專利範圍所記載之思想的範圍內，所能夠想到的各種變更例或者修正例，當然也應該被瞭解為係屬於本發明的技術範圍內。
本發明並不限於此例，可以採取種種態樣。本發明在基板為晶圓以外之FPD(平面面板顯示器)、光罩用之遮罩標線等其他基板的場合也可以適用。
1‧‧‧剝離系統
2‧‧‧搬出搬入站
3‧‧‧剝離處理站
4‧‧‧後處理站
5‧‧‧界面站
6‧‧‧檢查裝置
7‧‧‧搬送站
8‧‧‧檢查後洗淨站
9‧‧‧晶圓搬送區域
10‧‧‧卡匣載置台
20‧‧‧第1搬送裝置
30‧‧‧剝離裝置
31‧‧‧第1洗淨裝置
32‧‧‧第2搬送裝置
33‧‧‧第2洗淨裝置
40‧‧‧接合面洗淨裝置
41‧‧‧非接合面洗淨裝置
42‧‧‧基板反轉裝置
50‧‧‧搬送路徑
51‧‧‧搬送機構
100‧‧‧筐體
110‧‧‧上部晶圓座
111‧‧‧下部晶圓座
124‧‧‧加熱機構
141‧‧‧加熱機構
150‧‧‧移動機構
190‧‧‧多孔質晶圓座
230‧‧‧白努力(Bernoulli)晶圓座
250‧‧‧筐體
251‧‧‧搬出入口
260‧‧‧排氣口
261‧‧‧排氣裝置
262‧‧‧排氣管
270‧‧‧第1保持部
271‧‧‧第2保持部
272‧‧‧移動機構
300‧‧‧控制部
G‧‧‧接著劑
S‧‧‧支撐晶圓
T‧‧‧重合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
圖1係顯示相關於本實施型態之剝離系統的構成概略之平面圖。
圖2為被處理晶圓與支撐晶圓之側面圖。
圖3係顯示剝離裝置的構成概略之縱剖面圖。
圖4係顯示第1洗淨裝置的構成概略之縱剖面圖。
圖5係顯示第1洗淨裝置的構成概略之橫剖面圖。
圖6係顯示第2洗淨裝置的構成概略之縱剖面圖。
圖7係顯示第2搬送裝置的構成概略之側面圖。
圖8係顯示晶圓反轉裝置的構成概略之縱剖面圖。
圖9係顯示剝離處理的主要步驟之流程圖。
圖10係顯示以第1保持部與第2保持部保持重合晶圓的模樣之說明圖。
圖11係顯示使第2保持部移動於鉛直方向及水平方向的模樣之說明圖。
圖12係顯示剝離被處理晶圓與支撐晶圓的模樣之說明圖。
圖13係顯示由第1保持部至白努力晶圓座遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖14係顯示由白努力晶圓座至多孔性晶圓座遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖15係顯示由白努力晶圓座至第1保持部遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖16係顯示由第1保持部至第2保持部遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖17係顯示由第1保持部至第2保持部遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖18係顯示由第2保持部至白努力晶圓座遞送被處理晶圓的模樣之說明圖。
圖19係顯示從前的晶圓反轉用臂的構成概略之說明圖。
圖20係顯示白努力晶圓座之其他實施型態之說明圖。
42‧‧‧基板反轉裝置
250‧‧‧筐體
251‧‧‧搬出入口
260‧‧‧排氣口
261‧‧‧排氣裝置
262‧‧‧排氣管
270‧‧‧第1保持部
271‧‧‧第2保持部
272‧‧‧移動機構
273‧‧‧支撐支撐板
274‧‧‧驅動部
275‧‧‧支撐體
276‧‧‧支撐構件
280‧‧‧支撐板
W‧‧‧被處理晶圓

Claims (12)

  1. 一種基板反轉裝置，係使基板的表背面反轉的基板反轉裝置，其特徵為具有：保持前述基板的第1面之具有第1白努力晶片座的第1保持部、對向於前述第1保持部而設的，保持前述基板的第2面之具有第2白努力晶片座的第2保持部、使前述第1保持部及前述第2保持部之中的至少任一方相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構、及在前述基板往前述第1保持部搬送時保持前述基板之前述第2面，在前述基板往前述第2保持部搬送時保持前述基板之前述第1面之具有第3白努力晶片座的搬送機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板反轉裝置，其中前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構，係保持基板的第1面或第2面之全面。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板反轉裝置，其中具有使前述搬送機構繞著水平軸反轉的反轉機構。
  4. 一種剝離系統，係把被處理基板與支撐基板以接著劑接合的重合基板，剝離為被處理基板與支撐基板之剝離系統，其特徵為具有：具備將重合基板剝離為被處理基板與支撐基板的剝離裝置、與洗淨以前述剝離裝置剝離的被處理基板之第1洗 淨裝置、以及洗淨以前述剝離裝置剝離的支撐基板之第2洗淨裝置之剝離處理站、對前述剝離處理站，搬出搬入被處理基板、支撐基板或者重合基板的搬出搬入站、在前述剝離處理站與前述搬出搬入站之間，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板的搬送站、在前述剝離處理站，與對在該剝離處理站被剝離的被處理基板進行特定的後處理之後處理站之間，搬送被處理基板的界面站、鄰接於前述界面站而設置的，檢查被處理基板的檢查裝置、鄰接於前述界面站而設的，洗淨以前述檢查裝置檢查的基板之檢查後洗淨站；前述檢查後洗淨站，具有洗淨被處理基板的接合面之接合面洗淨裝置、與洗淨被處理基板之非接合面之非接合面洗淨裝置、與使被處理基板的表背面反轉的基板反轉裝置；前述基板反轉裝置，具有：保持被處理基板的單面之第1保持部、對向於前述第1保持部而設置的，保持被處理基板的單面之第2保持部、至少使前述第1保持部或前述第2保持部相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構，與 保持被處理基板的單面而進行搬送的搬送機構；前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構之被處理基板的保持，係藉由白努力晶片座進行的。
  5. 如申請專利範圍第4項之剝離系統，其中前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構，保持基板單面之全面。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之剝離系統，其中前述基板反轉裝置，具有使前述搬送機構繞著水平軸反轉的反轉機構。
  7. 如申請專利範圍第6項之剝離系統，其中具有於前述檢查裝置進行被處理基板的接合面的檢查，把在檢查被發現異常的被處理基板的接合面，以前述接合面洗淨裝置洗淨之後，以前述基板反轉裝置使反轉，於前述檢查裝置，進行使反轉的被處理基板的非接合面的檢查，把在檢查被發現異常的被處理基板的非接合面，以前述非接合面洗淨裝置進行洗淨的方式，控制前述基板反轉裝置的控制部。
  8. 如申請專利範圍第4或5項之剝離系統，其中前述接合面洗淨裝置及前述非接合面洗淨裝置，具有保持被處理基板的多孔質晶圓座。
  9. 一種基板反轉方法，係使用基板反轉裝置，使基板的表背面反轉的基板反轉方法，其特徵為，前述基板反轉裝置具有：保持基板的單面之第1保持部、對向於前述第1保持 部而設的，保持基板的單面之第2保持部、至少使前述第1保持部或前述第2保持部相對移動而使前述第1保持部與前述第2保持部接近、遠離之移動機構、及保持基板的單面而搬送的搬送機構；前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構之基板的保持，係藉由白努力晶片座進行的，前述基板反轉方法，係藉由前述搬送機構將基板搬送至前述第1保持部而於前述第1保持部保持該基板的單面，其後，藉由移動機構使前述第1保持部與前述第2保持部接近，把基板遞送到第2保持部，其後，把被保持於第2保持部的基板藉由前述搬送機構保持。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板反轉方法，其中前述第1保持部、前述第2保持部及前述搬送機構，保持基板單面之全面。
  11. 如申請專利範圍第9或10項之基板反轉方法，其中前述基板反轉裝置，具有使前述搬送機構繞著水平軸反轉的反轉機構。
  12. 一種電腦記憶媒體，其特徵為供藉由基板反轉裝置執行記載於申請專利範圍第9項之基板反轉方法，容納控制該基板反轉裝置的控制部之在電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
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