JP2008124091A - 半導体装置の処理装置および処理方法 - Google Patents

Abstract

【目的】従来の成膜条件を変えることなく高い生産性を図ることができると共にパーティクルの発生を抑制できる半導体装置の処理装置および処理方法を提供すること。
【解決手段】バッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置またはバッチ式縦型エピタキシャル装置のような処理装置において、デバイス面とは反対側のウエハ１０９の裏面同士を接触させた２枚のウエハ１０９を一組としてボート１０１に載置することで、１回の処理枚数を増やすことによる処理能力の向上を図ることができる。またウエハ１０９の裏面に不要な酸化膜などが被覆されないので、裏面を接触させて搬送するときにパーティクルの発生がおさえられる。
【選択図】 図１

Description

この発明は、半導体ウエハに所定の処理を施す処理装置および処理方法に関する。

半導体ウエハ（以下、単にウエハという）などに化学反応による成膜処理を施す装置としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やエピタキシャル装置が知られている。ＣＶＤ装置は、反応容器内に導入した原料ガスに熱やプラズマなどの反応エネルギーを与えることで気相中において化学反応を起こし、その反応生成物を半導体表面に堆積させることで薄膜を形成している。このＣＶＤ装置の中でも、バッチ式の減圧縦型ＣＶＤ装置はその生産性の高さから広く用いられている。

図２０は、一般的な減圧縦型ＣＶＤ装置の構成図である。この装置ではスリットの入ったボート１０１上に５０〜１５０枚程度のウエハを等間隔にチャージし、ボート１０１を反応炉１０２内へ導入する。導入後、反応炉１０２の周囲に取り付けられたヒーター１０３で反応炉１０２内を加熱し、真空ポンプ１０４を用いて高真空状態にし、温度・圧力が制御される。ここに原料ガスを導入することで、反応炉１０２内で原料ガスの化学反応が起き、ウエハ１０９の表面へ薄膜が堆積することになる。

尚、図中の１０５はウエハカセット、１０６はウエハカセット載置台、１０７はウエハ搬送機構、１１０はインナーチューブ、１１１は処理部、１１２は搬送部、１１５はウエハ搬送機構上部、１１８は支持台、１２１はシャフト、１２２は真空吸着のチャックである。
上記のようなバッチ式の減圧ＣＶＤ装置で成膜される膜種として代表的なものには、酸化膜（ＳｉＯ_２）や窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）が挙げられる。しかし、同じ酸化膜でも成膜プロセスに用いられる原料ガスは様々であり、製造する半導体素子の目的や求める酸化膜の特性（均一性、成膜速度、膜質、カバレージ特性、等）に応じて原料ガス、すなわち膜種が使い分けられる。原料ガスとして用いられる系には、例えばＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ；Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４）−Ｏ_２系やＳｉＨ_４−Ｎ_２Ｏ系、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２−Ｎ_２Ｏ系などが挙げられる。また、ＣＶＤ膜の場合、同じ原料を用いたとしても、その成膜条件、例えば成膜温度、原料ガス濃度、成膜圧力等が異なれば膜質や成膜速度、均一性などの特性も変化することになり、細かい成膜条件の決定はそれらの特性を考慮に入れた上で、各々の判断により決定されている。

特許文献１において、内周面が円周状もしくは多角形状の凹部と、その凹部開口側に形成した、対象物と対向する平坦状端面と、供給流体を凹部の内周面に臨む噴出口から凹部内へその凹部の内周方向に沿って吐出させる流体通路とを備える対象物を非接触で保持して搬送する非接触搬送装置が開示されている。
この非接触搬送装置はベルヌーイ効果を利用しており、対象物がウエハの場合には、凹部（吸着パッド）からウエハに空気が噴射され、ウエハ表面に平行に噴射空気によって負圧が生成されることにより、ウエハが吸着パッドにウエハが吸引され非接触状態で保持される。この吸着力は強力であるため、ウエハを保持したまま非接触吸着チャック（保持装置全体）を反転させることが可能である。

特許文献２において、保持治具は、ボート内の支持部材に保持される第１の半導体基板の直上において、第２の半導体基板を第１の半導体基板と略平行に保持しながら、支持部材に、第１の半導体基板および第２の半導体基板とともに搭載されることで２倍の処理量とすることができることが開示されている。
特開２００２−６４１３０号公報 特開２００４−１７２３７４号公報

図２０のバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置において、図２１に示すように、ウエハ搬送機構１０７は上下、左右に移動し、さらに回転もするウエハ搬送機構上部１１５と、これに取り付けられ、左右に移動するシャフト１２１と、このシャフト１２１に結合する真空吸着するチャック１２２で構成される。ウエハ搬送機構上部１１５は下の支持台に設置されている。

また、ウエハ１０９は図２２（ａ）、（ｂ）に示すようにボート１０１を構成する支柱に作られたスリット１０８に挿入され、保持される。尚、図２２（ａ）は図２０のＣ部拡大図であり、図２２（ｂ）は図２２（ａ）のＤ部拡大図である。また、図２２（ｂ）に示すようにウエハ１０９の上側はデバイス面（表面）となり、下側が裏面となる。このようにボート１０１上に多枚数ウエハが充填され成膜されるバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置では、反応時には反応炉１０２内へ導入された原料ガスがウエハ１０９の外周部よりウエハ１０９の中心部へ向かって拡散、反応し消費されることになる。よって、このような構成の装置ではウエハ外周部ほど原料ガス濃度が高く、中心部ほど低くなるため、一般的に堆積膜厚は外周部ほど厚くなるような面内分布となる。

この面内分布は、ガス種や成膜条件によっては非常に大きなものとなるため、所望の面内分布に抑える必要がある場合には、対策として、例えばインナーチューブ１１０とボート１０１間のクリアランスを狭くする、または、ボート１０１へのウエハチャージピッチ間隔を変更するなどしてウエハ１０９間へのガス供給量を増やすなどの対策を施す。
しかし、上記のような対策においてはインナーチューブ１１０−ボート１０１間のクリアランスを狭くするとインナーチューブ１１０−ボート１０１間の前後左右のわずかな差が、そこを流れるガス流の差となって面内分布に大きな影響（偏り）が発生してしまう。

この問題に関しては処理中にボート１０１を回転させるなどの対策である程度回避することは可能である。一方、チャージピッチ間隔を広げた場合は、上下のウエハ１０９間隔の広がりによりウエハ１０９間への原料ガス拡散量が増えることによる膜厚均一性の改善が図れるが、例えばチャージピッチを通常の２倍とすると、ボート１０１へチャージする枚数、すなわち、一度に処理できる枚数が半分となってしまい、処理のスループット低下を招いてしまう。

また、図２２から分かるように、このようなボート１０１へのウエハチャージ方法ではウエハ被処理表面だけでなく、その裏面にも表面と同様に膜が形成されることになる。ウエハ１０９の裏面に形成された膜は搬送治具、ＣＶＤ装置、他の処理装置等を汚染したり、パーティクル発生の原因となったりする恐れがある。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、従来の成膜条件を変えることなく高い生産性を図ることができると共にパーティクルの発生を抑制できる半導体装置の処理装置および処理方法を提供することである。

前記の目的を達成するために、裏面同士が接触して重なった２枚のウエハが載置されるボートと、該ボートを収納し前記２枚のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する反応炉と、前記２枚のウエハの内第１のウエハを裏返しにして前記ボートに搬入し該ボートに前記第１のウエハの裏面を上にして載置し、第２のウエハの表面を上にして前記ボートに搬入し前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面が接触するように該第２のウエハを載置する非接触式チャックとを有する構成とする。

また、前記被覆膜が、酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜もしくはエピタキシャル膜のいずれかであるとよい。
また、前記非接触式チャックがベルヌーイチャック（ベルヌーイ効果を用いたチャック）であるとよい。
また、前記処理装置がバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置もしくはバッチ式縦型エピタキシャル成長装置であるとよい。

また、非接触式チャックで第１のウエハを非接触吸着・保持し、前記非接触式チャックを回転させ前記第１のウエハを裏返して、該第１のウエハの裏面が上になるようにボートに搬入・載置する工程と、
前記非接触式チャックで第２のウエハを非接触吸着・保持し、前記ボートに搬入し前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面を接触させて載置する工程と、
前記ボートを反応炉に格納し、前記第１のウエハと前記第２のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する工程と、
を含む処理方法とする。

また、前記非接触式チャックで第１のウエハを非接触吸着・保持し、該第１のウエハの裏面が上になるようにボートに搬入・載置する工程と、
非接触式チャックで第２のウエハを非接触吸着・保持し、前記非接触式チャックを回転させ前記第２のウエハを裏返して、前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面を接触させて載置する工程と、
前記ボートを反応炉に格納し、前記第１のウエハと前記第２のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する工程と、
を含む処理方法とする。

この発明によれば、バッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置またはバッチ式縦型エピタキシャル装置のような処理装置において、デバイス面とは反対側の裏面同士を接触させた２枚のウエハを一組としてボートに載置することで、１回の処理枚数を増やすことによる処理能力の向上を図ることができる。
また、デバイス作成で不要な裏面への成膜をなくしたことによりパーティクルの低減効果が実現される。

実施の形態を以下の実施例にて説明する。

図１は、この発明の第１実施例の半導体装置の処理装置の構成図である。従来の処理装置である図２０と同一部位には同一の符号を付した。
図１に示すように、処理装置は処理部１１１と搬送部１１２を備える。図１は、本発明をバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置に適用した例である。この減圧縦型ＣＶＤ装置はウエハに例えば、酸化膜を形成する装置である。

処理部１１１は、ボート１０１と、ボート１０１を格納して処理をする反応炉１０２と、反応炉１０２の外部に設置されるヒーター１０３と、反応炉１０２を減圧するための真空ポンプ１０４と、反応炉１０２内に設置されるインナーチューブ１１０と、反応炉１０２内に反応ガスを送るパイプ１１６とで構成される。
搬送部１１２は、ウエハカセット１０５を載置するウエハカセット載置台１０６と、ウエハ１０９を搬送するウエハ搬送機構１０７と、ボート１０１を上下に搬送するボート搬送機構１１７で構成される。

ウエハ搬送機構１０７はウエハ搬送機構上部１１５と、このウエハ搬送機構上部１１５に設置されているシャフト１１３と、シャフト１１３に結合している非接触チャック（以下、単にチャック１１４という）で構成される。
搬送部１１２は、ウエハカセット載置台１０６とウエハ搬送機構１０７とを備える。ウエハカセット載置台１０６は長手状に形成され、複数個のウエハカセット１０５を載置可能に構成されている。ウエハカセット載置台１０６には、処理前のウエハ１０９を収容したウエハカセット１０５及び処理後のウエハを収容したウエハカセット１０５が載置される。

このウエハ搬送機構１０７はウエハ１０９を非接触状態で保持することのできるベルヌーイチャック（非接触チャック）であるチャック１１４により搬送するものである。このチャック１１４はシャフト１１３をＸ方向（左右）に移動させることでＸ方向へ移動させることができ、かつ、シャフト１１３をＸ軸を中心として回転させること回転させることができる構成となっている。シャフト１１３が結合しているウエハ搬送機構上部１１５は上下方向（Ｙ方向）に移動できる構成となっている。これによりウエハ搬送機構１０７は、ウエハカセット載置台１０６上のウエハカセット１０５に収容されたウエハ１０９のすべてにアクセス可能となりボート１０１への搬送も可能となる。

図２は、ウエハ搬送機構の構成図である。ウエハ搬送機構１０７は、支持台１１８上にウエハ搬送機構上部１１５がＹ軸方向（垂直）に起立し、略垂直に屈曲するシャフト１１３と、シャフト１１３の先端に設置されたチャック１１４とを備える。このチャック１１４はいわゆるベルヌーイチャックであり、ウエハ１０９を非接触で吸着・保持とリリースすることが可能である。また、シャフト１１３は図示しないモーター等の駆動機構に接続され、Ｘ軸方向に伸縮し、さらにシャフト１１３はＸ軸を中心にして１８０度回転することが可能である。これによりウエハ１０９を吸着したままチャック１１４を反転することが可能となる。さらに、ウエハ搬送機構上部１１５はＹ軸を中心として回転可能であり、さらにＹ方向（上下方向）とＸ方向（左右方向）に移動可能である。

尚、チャック１１４の非接触でのウエハ１０９の吸着・保持に関しては、ウエハ１０９の裏面からの非接触吸着、およびウエハ１０９の表面からの非接触吸着のどちらでも可能である。
図３は、ボートにウエハを載置した状態の図であり、同図（ａ）は図１のＡ部拡大図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ部拡大図である。２枚のウエハ１０９は裏面同士が互いに接触した状態でデバイス面（表面）が反応ガスに触れる状態になっている。この２枚のウエハ１０９を一組としてボート１０１のスリット１０８に載置される。

この状態のボート１０１をインナーチューブ１１０の内側に挿入して反応炉１０２を減圧し反応ガスを流して酸化膜のような被覆膜をウエハのデバイス面に被覆する。尚、被覆膜は、酸化膜の他に窒化膜やポリシリコン膜などである。
つぎに、処理方法について説明する。

図４〜図１８は、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法を示す図であり、工程順に示した要部工程図である。
まず、ボート１０１のウエハ搬送口を正面からウエハ搬送機構１０７のある横方向に向ける。またチャック１１４をウエハカセット１０５のある横方向に向ける。最初から横方向に向いているときはこの工程は省かれる（図４）。

つぎに、ウエハ搬送機構１０７のウエハ機構上部１１５はウエハ載置台１０６にセットされたウエハカセット１０５へアクセスし、処理前のウエハ１０９を下面からチャック１１４で非接触吸着、保持する（図５）。
つぎに、チャック１１４がウエハ１０９を保持した状態でシャフト１１３を１８０度回転させ、ウエハ１０９のデバイス面を裏返し、デバイス面を下向きの状態にしながら、ウエハ搬送機構上部１１５を１８０度回転させ、チャック１１４をボート１０１の方へ向ける（図６、図７）。

つぎに、この状態のままチャックに保持したウエハ１０９をボート１０１のスリット１０８上へ非接触状態で移載する（図８）。
つぎに、チャック１１４をこのままの状態で戻す（図９）。
つぎに、下面が非接触吸着面となっているチャック１１４を回転させずに、ウエハ搬送機構上部１１５を１８０度回転させてウエハカセット１０５の方向に向ける（図１０）。

つぎに、ウエハ搬送機構上部１１５をウエハ載置台１０６にセットされたウエハカセット１０５へアクセスし、一段上のウエハ１０９を上面から非接触吸着、保持する（図１１）。
つぎに、チャック１１４に結合しているシャフト１１３を縮める（図１２）。
つぎに、ウエハ搬送機構上部１１５を１８０度回転させてボート１０１の方向にチャック１１４を向ける（図１３）。

つぎに、この状態のままチャック１１４に保持されたウエハ１０９をボート１０１のスリット１０８上へ非接触状態で移動させ、先にセットされているウエハ１０９の裏面に今回のウエハ１０９の裏面が接触するように移載する（図１４）。
つぎに、シャフト１１３を縮め、シャフト１１３を１８０度回転させながら、さらにウエハ搬送機構上部１１５を１８０度回転させチャックをカセットの方向へ向ける（図１５、図１６）。

これらの一連の移載作業を繰り返し行う。そうすると、ボート１０１が裏面同士が接触した２枚一組のウエハ１０９群で充填される（図１７）。
上記、一通りの充填作業が終わった段階で、ウエハ１０９が充填されたボート１０１を反応炉１０２へ導入し、通常の成膜処理を行う（図１８）。
ボート１０９上には通常の処理枚数の２倍のウエハ１０９がチャージされているため、１回の成膜処理で通常の２倍の量の処理が可能となる。または製品処理のスループットを２倍に高めることが可能となる。

つぎに、成膜処理後のボート１０１からウエハカセット１０５へのウエハ１０９の移載方法は図示しなが次のように行う。
まず、ウエハ搬送機構１０７のチャック１１４のチャック面を下向きにした状態でボート１０１のスリット１０８へアクセスし、２枚重なったウエハ１０９の内、デバイス面が上を向いた上側のウエハ１０９を非接触状態で吸着・保持する。

つぎに、チャック１１４に非接触保持したウエハ１０９をウエハカセット１０５へアクセスし、非接触状態のまま載置する。
上記のウエハ１０９のボート１０１からウエハカセット１０５への移載作業を繰り返し行い、ボート１０１のスリット１０８から各１枚ずつ処理後のウエハ１０９を回収する。
つぎに、ボート１０１上の各スリット１０８に残った１枚の処理済ウエハ１０９の移載作業を行う。移載方法は、まず、ウエハ搬送機構１０７のチャック１１４はボート１０１のスリット１０８へアクセスし、デバイス面が下を向いた状態の処理済ウエハ１０９を非接触状態にて吸着・保持する。このとき吸着・保持するウエハ面はデバイス面でも裏面でも構わない。

つぎに、チャック１１４が処理後ウエハ１０９を保持した状態でシャフト１１３を１８０度回転させ、ウエハ１０９を反転させ、デバイス面が上向きの状態にする。
つぎに、この状態のままチャック１１４に保持したウエハ１０９をウエハカセット１０５へ非接触状態で移載する。
以上の一連の作業でボート上の処理後のウエハ１０９を非接触状態で元のウエハカセット１０５へ移載することが可能である。

ここまで述べたように、ウエハ搬送機構１０７に反転機能を有するベルヌーイチャック（チャック１１４）を用いることで、ボート１０１上へ非接触状態での搬送が可能となり、かつ、通常の２倍の枚数のウエハ１０９を載置することが可能となる。
上記実施例では、各スリット１０８上に処理前、または処理後のウエハ１０９について、スリット１０８へ移載する順番は、１つのスリット１０８について２枚のウエハ１０９を逆向きに移載、または取り出した後、次のスリット１０８について行うことを示したが、一通り同じ向きに載置、または取り出した後、逆向きのウエハを載置、または取り出すという順番で移載作業を行うといった移載順でも構わない。

また、本発明の処理方法では、ウエハ１０９には表（デバイス面）のみに成膜されることになり、２枚のウエハ１０９で重ねされた裏面には成膜されないことになる。通常デバイス作成に関して必要となるのはデバイス面のみであり、裏面に成膜された膜についてはその後の工程で除去されるかそのまま流動されデバイス作成には関係のない部分となる。よって裏面にデバイス面と同様の膜が成膜されないことによる不都合はほとんど発生しない。

そればかりか、ウエハ１０９の裏面に成膜される膜はその後の工程や搬送時のパーティクル発生の原因となりうるため、不要な膜が裏面に生成されないことは処理後の製品流動におけるパーティクルの発生を抑制できる効果も期待できる。また、通常裏面に成膜された膜を除去する工程が入る場合にはその工程を省くもしくは処理時間を短縮できるため、スループットの向上が期待できる。

尚、前記した方法は、ウエハカセット１０５からウエハ１０９をチャック１１４で非接触吸着する場合、吸着面は最初のウエハ１０９は裏側、つぎのウエハ１０９はデバイス面である表側となり、２番目のウエハ１０９の表側を吸着する場合は３段目のウエハ１０９と２段目のウエハ１０９の間にチャック１１４を挿入しなければならない。チャック１１４の厚さが厚い場合にはウエハカセット１０５およびボート１０１に載置されるウエハ１０９間隔を大きくせねばならずウエハカセット１０５およびボート１０１に載置するウエハ１０９の枚数が減少する。

それを防止するために、デバイス面が上になるようにウエハ１０９がウエハカセット１０５にセットされている場合、ウエハカセット１０５の下側にセットされたウエハ１０９と上側にセットされたウエハ１０９を交互にカセットからとるようにして前記した工程に従って行えばよい。このようにすると、ウエハ１０９間にチャック１１４が挿入されることがないため、ウエハ１０９間隔を狭くできて、ボート１０１やウエハカセット１０５に載置できるウエハ１０９の枚数は減少しない。ボート１０１からウエハカセット１０５にウエハ１０９を戻す場合はボート１０１への充填と逆の手順で行えばよい。

図１９は、ウエハの裏面上に次のウエハの裏面を接触させて載置した状態を示す図であり同図（ａ）は裏面が水平な場合、同図（ｂ）は奥行きに下がる勾配を持たせた場合を示す。同図（ａ）の場合は裏面同士の隙間に空気層があるため裏面同士での滑り抵抗が極めて低くなり、上側に載置したウエハ１０９ａが滑り落ちる不都合を生じる。
これを防止するために、同図（ｂ）示すように、ウエハ１０９がボート１０１の奥行き方向（搬入方向）に多少（傾斜が数度程度）下がるようにすることで、ウエハ１０９はボート１０１の奥の支柱で停止し、上側のウエハ１０９ａを下側のウエハ１０９ｂの裏面に載置する場合に手前方向（搬入方向と逆の方向）に上側のウエハ１０９ａがはみ出してくることはないので、ウエハ１０９は滑り落ちることがなくなる。つまりボート１０１の支柱に形成されるスリット１０８の高さを搬入側で高くし、搬入側と反対側の奥側で低くするとよい。

尚、本発明での実施例では酸化膜を形成するバッチ式減圧ＣＶＤ装置についての例を挙げて説明したが、本発明は酸化膜のみならず窒化膜やポリシリコン膜などその他のＣＶＤ装置についても適用可能であることはもちろん、デバイス面にのみ所望の成膜を施すことを目的としたバッチ式の成膜装置、例えばエピタキシャル装置などについても適用可能である。

また、本方法で形成した酸化膜や窒化膜の場合、酸化膜の厚さが、数μｍを超えると２枚のウエハの側面に被覆した酸化膜や窒化膜でウエハ１０９同士が離れなくなるので、酸化膜や窒化膜の厚みは数μｍ以下とするとよい。

この発明の第１実施例の半導体装置の処理装置の構成図 ウエハ搬送機構の構成図 ボートにウエハを載置した状態の図であり、（ａ）は図１のＡ部拡大図、（ｂ）は（ａ）のＢ部拡大図 この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図４に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図５に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図６に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図７に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図８に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図９に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１０に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１１に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１２に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１３に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１４に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１５に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１６に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 図１７に続く、この発明の第２実施例の半導体装置の処理方法に関する要部工程図 ウエハの裏面上に次のウエハの裏面を接触させて載置した状態を示す図であり、（ａ）は裏面が水平な場合、同図（ｂ）は奥行きに下がる勾配を持たせた場合の図 従来の一般的なバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置の構成図 従来のウエハ搬送機構の構成図 ウエハを載置したボートの従来図であり、（ａ）は図２０のＣ部拡大図、（ｂ）は（ａ）のＤ部拡大図

符号の説明

１０１ ボート
１０２ 反応炉
１０３ ヒーター
１０４ 真空ポンプ
１０５ ウエハカセット
１０６ ウエハカセット載置台
１０７ ウエハ搬送機構
１０８ スリット
１０９ ウエハ
１１０ インナーチューブ
１１１ 処理領域
１１２ 搬送領域
１１３ シャフト
１１４ チャック（非接触吸着）
１１５ ウエハ搬送機構上部
１１６ パイプ
１１７ ボート搬送機構
１１８ 支持台

Claims (6)

1. 裏面同士が接触して重なった２枚のウエハが載置されるボートと、該ボートを収納し前記２枚のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する反応炉と、前記２枚のウエハの内第１のウエハを裏返しにして前記ボートに搬入し該ボートに前記第１のウエハの裏面を上にして載置し、第２のウエハの表面を上にして前記ボートに搬入し前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面が接触するように該第２のウエハを載置する非接触式チャックとを有することを特徴とする半導体装置の処理装置。
2. 前記被覆膜が、酸化膜、窒化膜、ポリシリコン膜もしくはエピタキシャル膜のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の処理装置。
3. 前記非接触式チャックがベルヌーイチャックであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の処理装置。
4. 前記処理装置がバッチ式減圧縦型ＣＶＤ装置もしくはバッチ式縦型エピタキシャル成長装置であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の処理装置。
5. 非接触式チャックで第１のウエハを非接触吸着・保持し、前記非接触式チャックを回転させ前記第１のウエハを裏返して、該第１のウエハの裏面が上になるようにボートに搬入・載置する工程と、
   前記非接触式チャックで第２のウエハを非接触吸着・保持し、前記ボートに搬入し前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面を接触させて載置する工程と、
   前記ボートを反応炉に格納し、前記第１のウエハと前記第２のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の処理方法。
6. 前記非接触式チャックで第１のウエハを非接触吸着・保持し、該第１のウエハの裏面が上になるようにボートに搬入・載置する工程と、
   非接触式チャックで第２のウエハを非接触吸着・保持し、前記非接触式チャックを回転させ前記第２のウエハを裏返して、前記第１のウエハの裏面上に前記第２のウエハの裏面を接触させて載置する工程と、
   前記ボートを反応炉に格納し、前記第１のウエハと前記第２のウエハのそれぞれの表面に被覆膜を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の処理方法。

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