CN102763208A - 用于形成减小的室空间的装置，和用于定位多层体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种形成减小的室空间的装置，例如加工盒或者加工罩，其具有用于定位至少两个各自具有至少一个待加工表面的多层体的装置，其中该设备如此配置：使得该多层体彼此相对，其中该待加工表面彼此背对背，以使得该多层体能够作为多层体布置在加工系统中加工。另外涉及一种定位至少两个每个具有至少一个待加工表面的多层体的方法，其中所述两个多层体布置在这样的形成减小的室空间的装置中，以使得多层体彼此相对，其中该待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中加工。

Description

用于形成减小的室空间的装置，和用于定位多层体的方法
本发明涉及一种用于形成减小的室空间的装置，其具有用于定位多层体的设备，以及用于定位多层体的方法。
在下面描述多层体(Mehrschichtkörper)例如基材(例如玻璃基材)的加工。即使在使用特定的术语“基材”时，该表述通常总是表示“多层体”。“裸露的”、未涂覆的基材可以称作基材，经涂覆的基材，即多层体也可以称作基材。多层体例如是通过在载体层(Trägerschicht)上施加功能层来形成的。为了使得所述各层或者至少该功能层具有期望的物理和/或化学性能，该多层体或者层可能必须进行加工。该加工可以例如是在加工气体存在下作为回火或者退火来提供。为此，提供这样的系统，在其中可以对多层体进行加热。使用多层体来生产例如(特别是大面积)薄膜半导体，例如薄膜太阳能电池或者薄膜太阳能电池模块(Dünnschichtsolarmodule)。太阳能功率系统是例如用基于黄铜矿半导体(例如CuInSe2，缩写为“CIS”或者Cu(In，Ga)(S，Se)2，缩写为“CIGSSE”)的太阳能电池模块来运行的。这样的薄膜太阳能电池模块具有至少一个基材(例如玻璃，陶瓷，金属箔，或者塑料膜)，第一电极(例如钼Mo或者金属氮化物)，吸收剂层(例如CuInSe2或者更通常的(Ag，Cu)(In，Ga，Al)(Se，S)2)，前电极(例如ZnO或者SnO2)，和包封和覆盖材料(例如EVA/玻璃或者PVB/玻璃，其中EVA表示乙烯乙酸乙烯酯，PVB表示聚乙烯醇缩丁醛)作为主要部件。其他层例如玻璃之间的碱性隔离层和吸收剂与窗户层之间的Mo或者缓冲层可以用于改进效率和/或长期稳定性。典型的薄膜太阳能电池模块的另外一种主要部件是集成的串联接头，其由单个太阳能电池形成串联链，并因此能够产生更高的运行电压。在下面，在每种情况中，将化学符号用于表示特定元素，例如“Mo”表示钼，或者“Se”表示硒。实验室试验表明目前已知的生产方法仍然可以进行很大的改进，并且依靠加工工程化方案和优化，能够实现大的成本节约。当前，存在着不同的用于生产基于黄铜矿半导体的薄膜太阳能电池模块的方法。在一种已知的两步法中，在第一步中将所谓的前体层Cu(Ga)，In和Se沉积到已经提供有Mo薄膜的冷却的基材上。这可以例如通过溅射，电沉积，丝网印刷，蒸发法或者化学气相沉积来进行。在第二步中，将以此方式涂覆的基材在加工室(适当的炉子)中在隔绝空气的情况下加热，该加热是通过从室温至大约600℃的预定的测试温度曲线来进行。在这个回火加工过程中，期望的黄铜矿半导体是在复杂的相变中由前体层形成的。这种方法可以称作在线加工，例如在线硒化。硫化在这种方式中也是可能的。在线回火方法需要可靠的控制快速的CIS层形成过程，以及例如用于大的涂覆玻璃片的同样的加速加热和冷却方法。由例如铜，铟和镓组成的包装层(Schichtpaket)，以及由元素硒制成的最终的覆盖物是以至多几个K/s的相对高的加热速率升高至相对高的温度，在该温度时前面施加的各个成分反应来形成半导体化合物(层堆叠体–前体层，SEL-前体，堆叠的元素层的快速热加工，RTP)。这些与炉法相比明显缩短的反应时间现在能够转化成连续加工。加工室例如具有隧道或者形成隧道，其例如可以通过闸密封或者是作为封闭的加工室来提供。该加工室是通过能量源照射(即，例如矩阵状布置的发射器)来用于加热的。Cu(In，Ga)(S，Se)2(CIGSSE)黄铜矿半导体在玻璃基材上的大面积加工是从SEL-前体开始的，因此必需具有下面的基本先决条件：在几个K/s范围内的快速的加热速率，在玻璃基材(侧面)和基材厚度上的均匀的温度分布，在RTP过程中确保硫属元素(Se和/或 S)足够高的、受控的和可再现的分压(防止Se和/或S损失或者其他施加元素的损失)，受控的加工气体供给(例如H2，N2，Ar，H2S，H2Se，S气体，Se气体)，和高于500℃的最大温度。工业规模的在线方法在加工和设备工程化方面是非常复杂的。这导致了这样的事实，即，用于这种加工步骤的投资成本消耗了太阳能电池制造设备的整个投资成本中的不可忽略的比例。
因此，本发明的目标是设计物体（特别是多层体）更有效的热加工，和因此降低投资成本，特别是相应的加工系统的成本，由此还降低了生产成本。这个目标是依靠独立的权利要求所述特征的用于形成减小的室空间的装置，以及用于定位多层体的方法来实现的。本发明有利的实施方案是通过从属权利要求的特征来给出的。
特别地，该目标是依靠一种用于形成减小的室空间的装置例如加工盒或者加工罩来实现的，其具有用于定位至少两个物体（特别是各自具有至少一个待加工表面的多层体）的设备。该用于定位至少两个物体，特别至少两个多层体(各自具有至少一个待加工表面)的设备如此配置：使得该物体，特别是多层体彼此相对，并且待加工表面彼此背对背。因此该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中加工，特别是硒化。该多层体在它们之间可以具有一定的距离；但是任选的，待加工的表面，特别是下面的待加工表面，也可以直接置放在合适的位置(例如室底面)上。本发明的一个基本点在于能够同时加工两个多层体，例如具有前体涂层的玻璃基材(双基材头对头RTP)，因为它们是通过用于定位的设备(同时也是支承设备)来适当的安放(gelagert)或者支承(gestützt)的。这两个基材是用前体元素例如Cu，Ga，In，Se，Na来涂覆的，并且这些涂覆的待加工表面彼此背对背布置。在加工时间保持相同情况下，这导致了双倍的系统生产量，其中具有基本不变的系统占地面积和堪相比较的系统投资体积。这意味着，能够基本上保持系统设计。如上所述，待加工的多层体已经具有第一涂层(前体)。将另外的元素沉积到这些涂层上和/或在该涂层中进行转化，来将前体转化成期望的半导体。因此，该待加工的表面在下面通常称作“涂层”，“涂覆表面”，“涂覆侧”，或者甚至“待加工表面”等。涂覆表面面朝着能量源方向；因此，对于所述层来说，更高的加热速率和通常更快的和更直接的温度测量以及因此的温度控制或者调控是可能的。因此提高了加工能够获得的效率水平；同时缩短了加工时间。本发明仅仅提及黄铜矿半导体，但是也涉及到功能性薄膜(Dünnshicht)在基材上的全部应用(例如除了黄铜矿半导体之外，CdTe-半导体和相类似的半导体)。
该用于形成减小的室空间的装置尤其可以位于加工系统之外，来容纳该多层体，以便最终将它们带入到所述室或者隧道中。为此目的，例如提供了传输设备，来将它们传输到所述系统之内和重新传输出来。为此，该装置优选是这样配置的，即，它可以用传输设备在运载元件(一种传送器，一类传输设备，例如传输板)上传输。该传送器还可以单独形成传输设备。该装置也可以手工引入到所述系统中或者在其中直接组装。
为了尽可能低地消耗加工气体，有利的是减小该室空间和提供明示的加工空间。结果，至少部分透明的板(例如玻璃陶瓷制成的)或者对于所选择的能量源具有高吸收性的板(其充当了第二能量源或者能量递质)可以布置在基材和能量源之间，并且这些板形成了界定的加工空间，来使得加热加工过程中挥发性成分的蒸发减小或者最小化。在所述加工的某个阶段中，可以将另外的加工气体(例如H2，N2，Ar，H2S，H2Se，S气体，Se气体和/或其他)引入到这种加工空间中。这可以用用于形成减小的室空间的装置，例如加工盒或者加工罩来实现。用于定位至少两个多层体的设备如此配置：它位于加工盒中或者加工罩中。在RTP方法中，例如可以使用加工气体H2，N2，Ar，H2S，H2Se，S气体，Se气体，并且在选定的加工时间引入到炉子内部，也即引入到加工盒的室空间或者内部。因此还可以用气态硫(S)进行硫化方法或者用气态硒(Se)进行硒化方法。足够量的Se对于保证金属(例如)CuInGa-前体的完全硒化来说是必需的。Se损失将导致前体向黄铜矿半导体不完全的转化，和因此导致太阳能电池模块功率明显的损失。确保足够量的Se是例如通过使用加工盒来保证的。对于其他这样的方法同样如此。加工盒可以设计成开口的或者封闭的。使用开口盒时，不存在侧壁或者仅仅部分的侧壁。使用封闭盒时，底面元件，覆盖元件和侧壁基本上完全封闭了所述的加工空间。加工罩通常位于加工室的底面上，并且提供用于固定保持在所述室中。优选该定位设备的至少一部分形成了加工盒的至少一部分，特别是至少部分地形成了加工盒的侧壁元件。因此，加工盒可以通过简单方式来生产。如果提供用于减小室空间的加工盒，则该定位设备可以直接布置在其中。最终，该加工盒因此可以与该多层体布置一起传输到加工系统中(例如依靠传送器)。还可以在系统之外“组装”该多层体布置，并且其后才将它引入到所述室中(例如依靠可能的可移动的传送器或者甚至手工)。这意味着，该设备位于传送器上，以使得组装的多层体布置可以依靠传输设备和/或依靠传送器带入到所述系统中。该系统的加工室然后可以具有例如上述的加工罩，以使得它可以用减小的室空间来运行。
用于形成减小的室空间的装置和/或用于定位的设备(其任选地形成该装置的一部分)优选是这样配置的，即，通过底面元件和下面基材或者覆盖元件和上面基材所形成的(减小的)空间具有合适的体积：它不得过大，以使得没有太大量的硫属元素(Se或者S)或者任选的甚至挥发性反应产物蒸发(基于在加工温度时平衡的蒸气压来估计)，但是也不得过小，以使得在加热加工过程中基材的临时扭曲的情况中，该基材的涂覆侧不会接触相对置的对面板(特别是在上面的板的情况中)。对面板和基材之间的距离在每种情况中例如应当是大约1-20mm。但是原则上，甚至基材和对面板之间的直接接触也将是可能的。
为了使得来自能量源的辐射能够透射直到待加工表面，(如上所述)，将它们之间的元件例如加工盒的底面元件和覆盖元件或者甚至加工罩制成至少部分透明的，这取决于该能量源的设计。在基材和辐射源之间，任何元件因此必须制成(到该能量源布置对其需要的程度)部分透明的或者透明的板(例如玻璃陶瓷制成的)或者对于所选择的能量源高吸收性的板，其充当了第二能量源或者能量递质。如果该能量源例如位于加工室内部(任选地甚至位于加工盒或者罩内部)，和如果该多层体布置也位于例如加工室中，则室壁(侧壁，盖子和/或底面)也可以是非透明的。例如玻璃陶瓷，其他陶瓷，石墨，金属，和难熔玻璃(选项)可以提供作为用于底面和覆盖元件或者加工罩的材料。碳化硅也可以提供用于此。传送器还应当至少部分由部分透明的或者高吸收性材料制成，因为它在加工过程中会保持在系统中。
在一种有利的实施方案中，该设备配置成这样，即，该多层体在使用时是彼此夹层状叠置的，和因此形成该多层体布置的下多层体和上多层体。因此，涂层或者待加工表面位于上面基材的顶部和下面基材的底部(背对背排列)。在这种情况中，基材可以通过简单方式安放或者定位或者布置于所述室中或者用于形成减小的室空间的装置中，即，以待加工表面彼此背对背的方式彼此叠置。这意味着，基材背侧是彼此叠置的。
优选该设备具有至少一个间隔元件，其中该间隔元件如此至少部分位于两个多层体之间：以使得它们可以彼此隔开地定位或者布置。间隔元件使得随后的将上面基材举起离开下面基材(例如粘着)变得容易。
在本发明的一种有利的实施方案中，该用于定位至少两个多层体的设备具有至少一个第一置放元件，该置放元件可以或者已经置放在加工盒的底面元件上和/或侧壁元件(an dem Seitenwandelement)。该第一置放元件是这样配置的，即，下多层体可以优选在它的边缘区域至少部分布置于第一置放元件上，特别是可以置放于置放元件上。
有利地，本发明的设备具有至少一个第二置放元件，其特别能够或者已经布置于加工盒的底面元件上和/或侧壁元件上。该第二置放元件是这样配置的，即，上多层体可以优选在它的边缘区域至少部分布置于第二置放元件上，特别是可以置放于置放元件上。两个多层体因此可以基本上彼此明显隔开来布置。在完全隔开安放的情况中，单个多层体可以彼此独立的定位(因此便于随后的加工基材的除去)。特别地，该第一或者下面置放元件本身还可以起到传送器的作用，并且是例如用辊驱动来输送的。
在本发明的一种有利的实施方案中提供了第一置放元件和/或第二置放元件，在每种情况中作为框架元件，优选作为复制了该多层体的轮廓的矩形或者正方形框架元件，以使得该多层体可以优选在它们的边缘区域至少部分布置于各自的框架元件上，特别是可以置放于该框架元件。该框架元件允许尽可能少地接触该多层体，即，例如基材，使用此(即，使用该框架元件)来尽可能保持待加工表面的开放(frei)。
优选该第一置放元件和/或第二置放元件每个配置为在多层体的延伸平面中彼此相对的两个框架板条元件，以使得该多层体，优选在它们的边缘区域上，例如在它们的纵向侧上能够至少部分地布置在框架板条元件上，特别是能够置放在该框架板条元件上。该板条对于定位是足够的；同时，待加工表面仍然较少受到可能的置放区域的影响。当然，该多层体也可以经由它们的横向侧来安放。
置放元件(特别是下面的置放元件)优选配置成这样(例如侧面开口)，即，使得在加工过程中即使在例如来自外部气源的加工气体仍然可以从侧面引入。在这种情况中，基材和相对板之间的距离也必须足够大，以便能够分配加工气体(例如H2，N2，Ar，H2S，H2Se，S气体，Se气体)。任选地，提供至少一个明示的用于将加工气体供给到加工空间中和/或从其中排出的气体供给元件和/或气体排出元件(其例如布置于框架元件中)。该框架元件也可以具有开口来使得能够进行加工气体循环。就此而言，气体分配器也可以位于所述室和/或加工盒上。重要的是能够将加工气体基本均匀地从气源(例如外部气源)引入直到基材(经由加工室或者加工隧道，或者绕过加工室或者加工隧道而仅仅引入到可能存在的加工盒或者加工罩中)，以使得在基材表面上，从例如一个纵向边缘到另一个纵向边缘存在着尽可能层流的气体流动。在温度曲线的任何时间，可以在气体分配器预定的入口处对气体供给进行控制。加工气体的消耗量因此可以重新补入和/或不再需要的多余的(例如)硒蒸气(和/或蒸气的其他成分)可以在正确的时间被驱动离开反应室。还可以如此配置该框架板条元件，以使得它们在每种情况中在该多层体布置的至少两个对角周围延伸。提供在所述布置的纵向侧和横向侧二者上的其他开口区域用于气体交换。
另外一种实施方案提供了用于定位的设备包括中间元件，该中间元件可以布置在第一置放元件和第二置放元件之间，以使得该第二置放元件可以经由该中间元件安放于该第一置放元件上。使用模块化设计原理，可以提供两个多层体之间不同的距离，并且因此可以任选地控制加工气体的供给。
一种有利的实施方案提供了该第一置放元件和第二置放元件在每种情况中具有至少一个置放区域，该（一个或多个）多层体能够布置于其上，特别是该（一个或多个）多层体可以置放于其上。该明示的置放区域优选设计为这样，即，待加工表面尽可能少地受到安放的影响。在该框架元件情况下，整个板条或者甚至仅仅部分区域可以提供用于置放。在基材安放过程中，必须小心使得涂覆侧尽可能少地接触，来防止由于接触或者加工气氛在接触表面上的干扰而引起的污染(因此不局部或者整体地损害所产生的吸收剂的层品质)。这种要求部分通过如下方式变得易于满足：每个边缘的例如15mm边缘区域在随后的加工步骤中被除掉，并因此不属于活性层。在RTP加工过程中，可能必须考虑基材弯曲，因为基材可能是浮动安放的(取决于置放元件)。可以想到的是，在高的加工温度时会发生弯曲，其体现为在加工之后的基材弯曲。该第一置放元件和/或该第二置放元件在每种情况中可以具有至少一个横向连接元件，来连接在该多层体的延伸平面中各框架元件的彼此相对的区域或者在使用中彼此相对的框架板条元件，以使得该（一个或多个）多层体可以另外得到支承以防止弯曲。该横条同时用于稳定所述框架或者框架元件或者框架板条元件。在该横条或者横向连接元件的设计中，必须确保最小的宽度，来使得对(热)辐射体或者能量源的辐射的遮蔽最小。因为横向连接元件可以基本上“横向”越过待加工表面，因此该横向连接元件和表面之间的接触必须保持为尽可能小。为此目的，该横向连接元件可以具有至少一个第一支承元件，以使得该多层体可以经由该支承元件置放于横向连接元件上或者邻接于横向连接元件，并且该支承元件这样配置，即，它具有与各自至少一个框架元件或者框架板条元件(该基材平坦置放于该（一个或多个）框架元件和支承元件上)相同的高度。优选至少一个(定位设备的)第二支承元件提供到加工室的室底面上和/或加工盒的底面元件上，来支承该多层体布置。特别地，布置在该多层体布置的“底部”区域上是有利地，因为最大负荷可能位于此(取决于定位设备的构造)。
优选该第一和/或第二支承元件(或者支承元件)配置成点支承元件，优选球形元件。因此，确保了尽可能小的置放面积或者甚至系统面积。甚至更小的遮蔽是依靠针状置放来实现的。在本发明的一种优选的实施方案中，各框架元件和/或框架板条元件具有至少两个支承元件，以使得该多层体可以置放于支承元件上或者邻接于支承元件。这意味着，如果其配置有支承元件，则可以降低在该框架元件上的置放区域。优选该第一和/或该第二置放元件是由石墨或者石英玻璃制成；玻璃陶瓷，其他陶瓷和难熔玻璃也是能想到的。该框架材料应当是惰性的，在腐蚀性环境(包含S，Se)中是耐受性的，和机械稳定的。由于与基材的直接接触，还必须考虑热导率和热膨胀系数，来尽可能避免基材上的侧向温度分布不均匀和防止层剥离或者损坏。框架材料以及支承元件可以由石墨或者石英玻璃，玻璃陶瓷，其他陶瓷，或者难熔玻璃(例如石墨球)制成。在用于点支承的材料的选择中，还必须考虑下面的材料性能：惰性材料，耐腐蚀性，机械稳定性，热导率，和热膨胀系数。将石墨球例如与石墨框架元件或者框架板条元件组合使用例如也是可以想到的。
同样独立保护的是一种系统，其用于加工，特别是用于硒化至少两个物体，特别是至少两个多层体(每个具有至少一个待加工的表面)，其包含至少一个具有室空间的加工室(隧道也是可能的)，和至少一个形成减小的室空间的装置，该装置具有用于定位至少两个多层体的设备，如上所述。优选该系统具有至少一个用于加热多层体的能量源。优选该能量源如此布置于加工室或者加工系统中，来直接加热每个待加工表面。为此，例如可以提供两个能量源：一个用于下多层体，一个用于上多层体(这意味着，为多层体的每个提供各自至少一个能量源)。但是，优选为每个基材提供多个能量源，其例如在每种情况中以矩阵状布置。该布置是可变的。在这种布置中，基材的快速加热因此是依靠加热各自的层侧来主要仅仅在一侧进行的：上面基材仅仅从上面加热；下面基材仅仅从下面加热。不发生玻璃背面的直接加热。因此，在高的加热速率时，必须小心由于玻璃上侧和下侧不同的热膨胀而引起的临时板弯曲。在达到最大温度之后，垂直梯度和由此产生的弯曲总是要重新得到平衡。因为玻璃厚度仅为2-3mm，因此预期到使用几个K/s的加热速率时，不会在玻璃内形成强到在板中引起破裂的垂直梯度。对于低的断裂率来说重要的是侧向的加热均匀性(在基材表面中)。试验已经表明还非常重要的是在冷却过程中优化侧向的均匀性。使用在这种布置中可以获得的冷却速率，不可预期的是由于所述层侧面和背面之间的垂直梯度，在玻璃中会形成应力。层的直接加热产生了非常良好的加热速率。高的加热速率在由金属和硒来形成CIS层的某些阶段是有利的。
根据本发明，将至少一种用于形成减小的室空间的装置，优选加工盒或者加工罩，布置在加工室中。这种类型的装置降低了加工实际可以利用的空间，并且形成了明示的加工空间(见上)。有利地，该加工盒具有至少一个覆盖元件和至少一个底面元件，它们之间能够或者已经布置了至少两个多层体，其中该加工盒可以引入到加工室中(与多层体布置一起)，并再由其中除去。在这种情况中，该多层体可以置于底面元件上。加工盒依靠覆盖元件来封闭。因此，该多层体布置被以预定的方式容纳在系统的加工空间内部。加工罩通常设计用于固定保持在加工系统中，并且例如罩在通过传输设备所引入的多层体布置上方。因此，加工罩提供了界定的加工空间，并且在加工空间和室空间之间的气体交换因此明显降低。如上所述，加工盒还可以至少部分地通过用于定位物体的设备来形成。优选该系统具有用于将加工气体供给到室空间和/或加工空间中和/或从其中排出的气体供给元件和/或气体排出元件。如上所述，这可以例如提供在第一和/或第二置放元件上，这取决于用于定位的设备的设计。
本发明进一步扩展到一种用于定位至少两个多层体的方法，每个多层体具有至少一个待加工表面，其中该两个多层体如此位于用于形成减小的室空间的装置例如加工盒或者加工罩中，以使得该多层体彼此相对，其中待加工表面彼此背对背，以使得至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中进行加工。
本发明进一步涉及一种用于定位至少两个物体，特别是至少两个多层体的方法，每个多层体具有至少一个待加工表面，该方法是依靠用于定位至少两个物体，特别多层体的设备来完成的，该设备被设计来容纳至少两个物体，特别是该多层体，其中该方法包含下面的步骤：将该设备布置在为其提供的位置上；将两个物体，特别是多层体如此布置到该设备上，以使得该物体，特别是多层体彼此相对，其中待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中进行加工，特别是硒化。优选提供了另外的步骤：将该设备布置到具有室空间的加工系统的加工室或者加工隧道中和/或排列到用于形成减小的室空间的装置中和/或排列在运载元件上或者与之邻接，该运载元件用于依靠传输设备将多层体布置传输到加工系统中(即，传输到加工室中或者加工隧道中)和从其中传输出来或者传输到为其提供的另一位置。在该方法的一种有利的实施方案中，可以提供如下的布置该设备的步骤：布置在作为用于形成减小的室空间的装置的加工盒(具有底面元件，覆盖元件和优选具有侧壁元件)中或者布置在作为用于形成减小的室空间的装置的加工罩之内或者下方，该加工罩被具体配置来固定保持在加工系统中。
如上所述，该多层体布置可以在加工系统之外例如在加工盒中组装，其例如用运载元件传输或者直接在运载元件上传输。该布置然后可以依靠运载元件传输到加工系统中。还可以不使用运载元件来传输所述布置，例如使用辊驱动来传输。甚至将所述布置(单个部件以及整个事先组装的布置二者)手工引入到加工系统中也是可能的。此外，该下面置放元件可以用作运载元件和/或传输元件。
优选该方法包含步骤：将两个多层体在使用中彼此夹层状叠置到所述设备上，来形成多层体布置的下多层体和上多层体。在使用时的“水平”放置的多层体因此能进行最均匀和最可靠的加工。因为两个待加工表面是彼此背对背的，因此该基材在最简单的情况中能够彼此叠置放置(背对背)来用于加工。这意味着，该方法优选包含另外的步骤：将两个多层体在使用中如此布置到所述设备上，以使得该多层体以待加工表面彼此背对背的方式彼此叠置定位。优选该另外的步骤提供了布置间隔元件，其包括在定位设备中，并且实际上至少部分的位于两个多层体之间，以使得所述多层体彼此隔开地定位。以此方式，避免了基材“粘着”(例如由于附着力)。在所述方法另外一种有利的方案中，提供了下面的另外的步骤：将至少一个第一置放元件(其包括在定位设备中，即，其是该设备的一部分)排列到加工室的室底面和/或室侧壁上和/或加工盒的底面元件和/或侧壁元件上和/或布置到运载元件上，该运载元件用于依靠传输设备将该多层体布置传输到加工系统中和从其中传输出来，或者传输到为其提供的或者适于其的另一位置上；下多层体优选在它的边缘区域至少部分地布置、特别是置放于第一置放元件上或者与之邻接。
还可以提供下面的另外的步骤：将至少一个第二置放元件(其包括在定位设备中)布置到加工室的室底面上和/或室侧壁上和/或加工盒的底面元件上和/或侧壁元件和/或布置在该第一置放元件上或者与之邻接和/或布置到运载元件上或者与之邻接，该运载元件用于依靠传输设备将该多层体布置传输到加工系统中和从其中传输出来(例如，传送器)，或者传输到为其提供的另一位置上；上多层体优选在它的边缘区域至少部分地布置，特别是置放于第二置放元件上或者与之邻接。进一步提供了将该定位的多层体引入到加工系统中，来加工它们，和将它们重新从系统中除去。这例如依靠已经所述的传输设备或者甚至手工也是可能的。
在装料过程中，例如将下面基材置放于合适的位置上，例如处于加工盒的底部元件上的下面或者第一置放元件上(或者甚至没有下面置放元件)。然后，将上面基材置于下面基材上或者依靠第二置放元件来定位。最后，放置覆盖元件，并且将整个盒子移动到加工系统中。在加工罩的情况中，任选地将传送器移入加工室中，并且将该罩(具有盖子和框架)设置到带有多层体布置的传送器上。该布置可以手工(即，用手)例如引入到加工系统中或者在其中组装。
本发明还涉及一种用于定位至少两个物体，特别是至少两个多层体的方法，每个多层体具有至少一个待加工表面，该方法包含下面的步骤：布置这两个物体，特别是两个多层体，以使得该物体，特别是多层体彼此相对，并且待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中进行加工，特别是硒化。具体地，这意味着例如将下多层体布置在加工室中，加工盒中，传送器上，或者另一合适的位置，并且将上多层体置放于下多层体上，以使得待加工表面彼此背对背。这可以称作加工空间，即使至少一个待加工表面直接置于相应的合适的位置(例如室底面)上也是如此。
使用刚刚描述的用于组装所述多层体布置的方法步骤，该多层体或者基材可以精确安放，以使得它们的加工可以在相应的系统中以高生产量和有效的方式进行。就方法而言，其他部分和进一步的细节还可以参考关于相应的用于定位物体的设备的描述。
此外，本发明还扩展到这样的设备以及这样的在物体上沉积由至少两种成分组成的层的方法用于生产薄膜太阳能电池或者薄膜太阳能电池模块的用途，其优选包括作为半导体层的黄铜矿化合物，特别是Cu(In，Ga)(S，Se)2。优选用于生产CIS或者(CIGSSe)薄膜太阳能电池或者CIS或者(CIGSSe)薄膜太阳能电池模块，其中特别地，每个多层体体现为玻璃板的形式，并且至少涂覆有元素Cu，In或者Cu，In，Ga或者Cu，In，Ga，Se，用于硒化和/或硫化黄铜矿薄膜半导体。
应当理解本发明主题的不同的实施方案可以单个实现或者以任何的组合来实现。特别地，上述和下面将要解释的特征不仅可以用于所示的组合中，而且还可以用于其他组合或者单个设置中，而不脱离本发明的范围。
下面，将参考工作实施例来描述本发明，该工作实施例是参考附图来详细解释的。其中：
- 图1示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的一种实施方案；
- 图2示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的另外一种实施方案；
- 图3示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的另一种实施方案；
- 图4示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的另一种实施方案；
- 图5示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的另一种实施方案；
- 图6示出了本发明的用于形成减小的室空间的设备或在装置中的布置的另一实施方案；
- 图7示出了本发明的用于形成减小的室空间的装置的另一种实施方案；
- 图8以横截面图示出了加工系统。
在下面的说明书中，使用相同的附图标记来表示相同的和作用相同的部件。应当注意附图所示的实施方案表示了穿过相应的布置的横截面，但是为了简要地图示，省掉了横截面阴影。
图1表示了两个物体的布置，其可以用本发明的设备来生产。该物体体现为多层体，这里体现为基材40，50，提供其来用于加工，特别是用于硒化。该基材在表面44，54上具有涂层(前体)45，55(待加工表面)。将该涂层(由例如铜，铟和镓组成的包装层以及由元素硒，前体制成的最终覆盖物)在加工系统的加工室(参见图8)中以至多几个K/s的相对高的加热速率升温到较高的温度，以使得事先施加的各成分反应来形成半导体化合物(叠层—前体层，SEL-前体，堆叠的元素层的快速热加工，RTP)。薄膜半导体可以以此方式来生产，例如薄膜太阳能电池或者薄膜太阳能电池模块。太阳能功率系统是例如用基于黄铜矿半导体的太阳能电池模块来运行的(例如CuInSe2，缩写为“CIS”或者Cu(In，Ga)(S，Se)2，缩写为“CIGSSE”)。
图8以截面图表示了加工系统，该系统被提供来加工该多层体。系统10设计来加工大面积基材。很明显所述系统具有加工室11，该加工室具有室盖子15，室底面16，室壁17(和因此具有室空间12)，入口门13，和与入口门相对的出口门14。加工室11或者处理室在这种情况中例如具有隧道或者形成隧道，其可以例如用门(闸)密封。箭头B表示了入口门或者出口门的移动方向。为了传输所述至少两个多层体或者所述多层体布置(在此未示出)，可以例如提供了传输设备(未示出)，其可以通过门或者闸13，14将基材传输通过加工室11。在加工室11上方和下方，排列着多个用于电磁辐射的点源18，例如以矩阵状排列。不同类型的源和/或不同排列的这些源也是可能的。为了透射辐射，至少将加工室11的室盖15和室底面16在至少部分区域中配置为至少部分透明的，以使得能量能够均匀作用于基材上。该能量源还可以布置在室11内；因此，加工室的壁也可以是不透明的。还可以将该能量源布置在所述室相应的壁或者壁部分中和/或所述的壁中，以使得它们在能量源作用下充当第二发射器。该加工可以用引入的加工气体来进行。用于此的合适的气体例如是H2，N2，Ar，H2S，H2Se，S气体，Se气体和/或其他气体。原则上，无任何气体交换(例如在加工室和加工盒之间，或者气源和加工室或者加工盒或者加工罩之间)的加工也是能想到的。加工系统层面之间的流体交换，特别是气体交换可以以不同的方式进行。因此例如气体的交换可以在(例如外部)气源，加工室(或者加工隧道)，和任选的加工盒或者加工罩之间进行。该气体交换还可以在外部气源和任选存在的加工盒或者加工罩之间进行，在此情况下绕过加工室，即，加工盒直接连接到气源。
再看本发明的设备或者布置。多层体40，50是这样布置的，即，使得待加工表面44，54彼此背对背(双基材背对背RTP)。基材40，50在使用中水平布置，并且彼此夹层状叠置。因此可以称作下多层体40或者下面基材和上多层体50或者上面基材。它们的位置可能性在下面详述。在上述的系统10中，经常期望的是减少加工室11的室空间12，以能够更好地控制加工气体的供给或者加工气体排出以及加工气体量。在界定的空间中，加工(即，涂覆基材表面的转化)例如可以更容易地计算和重复。就此而言，该界定的加工空间是有利的。为此，在例如加工室的室空间中，可以布置或者已经布置有用于形成减小的室空间(和因此用于形成已经描述的加工空间)的装置。在加工室内，这样的装置例如作为所谓的加工盒提供，在其中容纳着待加工的基材。同样已知的是加工罩，其置于待加工的基材上方(下降到基材)和置于例如下面基材上，室底面上，或者明示的托架上。彼此堆叠的基材40，50容纳在加工盒20a中，其可以依靠传输设备引入到上述的加工系统中，并且在加工后重新从该系统中除去(手工引入和除去也是可能的)。加工盒具有覆盖元件22，底面元件23，和侧壁元件24。前侧壁不可见。因为它们的布置，两个基材40，50是同时加工的(即，例如硒化的)，来明显提高系统的生产量(如图8所示)。加工盒20a中界定的空间(所谓的加工空间21)可以有针对性填充有特定量的用于进行所述加工的加工气体。这意味着，该加工最终主要是在加工空间21内进行的。原则上，可以使用术语“上”和“下”加工空间，即，覆盖元件和上面基材和底面元件和下面基材之间的空间。在这个实施方案中，基材40，50直接彼此叠置，并置于用于定位基材40，50的设备30a上，以使得待加工表面彼此背对背。上面基材50的前体层55面“朝上”；下面基材40的前体层45面“朝下”。该布置位于或者支承在设备30a的第一置放元件131上。置放元件131包含两个框架板条元件131a和131c(各自具有置放表面)或者置放区域131b或者131d，在加工盒20a的底面元件23上布置有条带(固定连接到底面元件上或者简单的放在那里)。下多层体40以边缘区域41置放在板条元件上，且其自身进而承载上多层体50。因此形成了多层体布置28a。为了使得待加工表面44，45能够与加工气体充分接触，置放元件131必须至少部分是开放的。因此，这里例如下面基材仅仅在它的纵向侧上置于板条元件131a，131c上，而气体循环可以经由横向侧来进行。这意味着，布置28a在每种情况中在基材或者布置的横向侧上具有开口区域。这里可以看到开口区域60。当然，可以在纵向侧上提供开口区域。为了使得气体能够驱动流过待加工表面上，开口区域60优选与第二开口区域相对布置(这种情况主要用于下面基材)。该多层体布置28a同样可以在传送器上组装，并且引入到加工系统的加工室中或者加工隧道中(在其中例如布置有加工罩，该加工罩可以下降到该多层体布置上)。甚至没有明示的该用于形成减小的室空间的装置时，也能够进行所述加工。
图2表示了类似于图1所示的一种实施方案；但是，用于定位的设备30b的置放元件231具有横向连接元件33来连接彼此相对的框架板条元件231a，231c，以使得该多层体40，50可以另外得到支承来防止弯曲。该多层体布置28b因此是更稳定的设计。但是，为了不过度覆盖待加工表面44，54，该横向连接元件33具有至少一个(第一)支承元件35，所述（一个或多个）基材可以置于其上或者与之邻接。在这种情况中，支承元件35是这样配置的，即，它具有与板条231a，231c相同的高度。仅仅以此方式确保了用于基材40，50的平坦置放表面。该框架板条231a，231c和横向连接元件33二者可以具有一个或者甚至多个支承元件。这减小了置放区域，以使得基材尽可能开放地位于待加工表面44，54。横向连接元件和支承元件的数目可以自由选择，并且根据需要变化。支承元件的排列也是可变的，即，支承元件可以位于置放元件上和/或横向连接元件上。（一个或多个）支承元件35优选配置成点支承元件，即例如球形。使用球形元件，仅仅提供了小的置放区域。依靠针形元件能够实现发射器18的辐射的甚至更小的遮蔽(参见例如图3)。
图3表示了多层体布置28c，其具有用于定位基材40，50的设备30c，其中该布置同样容纳在加工盒20a中。基材40，50位于或者支承在该第一置放元件331上，其中在这种实施方案中置放元件331同样具有两个框架板条元件331a，331c，各自具有置放表面或者置放区域331b，331d。这里，板条331a，331c没有施加到底面元件上，而是施加到加工盒的侧壁元件24上。另外，(第二)支承元件36位于底面元件上，并且另外地支承该多层体，来基本上防止所述多层体弯曲。多个这些的第二支承元件也是能够想到的。还可能的是配置该框架板条元件(即，该定位设备的第一置放元件)，以使得它们形成加工盒的侧壁元件(在例如图6中很容易看出)。
图4表示了多层体布置28d，其具有用于定位基材40，50的设备30d，其中该布置位于加工罩20b下。这里，该多层体布置28d位于传送器25上，其依靠传输设备(未示出)将该多层体布置28d引入到加工系统中。加工罩20b位于加工室中或者加工隧道中，其然后下降到带有多层体布置28d的传送器上，来因此形成界定的加工空间21。这里同样地，设备30d包含第一置放元件431，其具有两个框架板条元件431a，431c，其中该多层体40，50置于置放区域431b，431d上(边缘区域41)。置放元件类似于图1所示构成。基材50位于基材40上，其中具有各自的涂层45，55的待加工表面44，54彼此背对背。这里设备30d进一步包含两个(第二)支承元件36，36'，其位于传送器25上，并且其另外支承基材40，50。针形设计的置放元件几乎不遮蔽待加工表面，以使得该表面是对于加工基本是自由可到达的。
图5基本表示了图3的布置，具有用于定位该多层体40，50的设备30e，使用其来形成多层体布置28e。置放元件331对应于图3的那些。与图3不同，这里两个基材是用间隔元件38定位或者布置的。这里，间隔元件38包含例如两个板条元件38a，38b，并且置于两个基材40，50之间(在非加工表面上)，以使得该基材彼此以一定的间隔布置。
图6最后表示了本发明的用于定位布置在多层体布置28f中的两个基材40，50的设备30f的另外一种实施方案。这里，为了将两个基材40，50放到加工盒20a中，提供了第一置放元件631和第二置放元件632。该第一置放元件631进而包含两个框架板条元件631a，631c，各自具有置放区域或者置放表面631b，631d。该第二置放元件632同样包含两个框架板条元件632a，632c，各自具有置放区域或者置放表面632b，632d。基材40，50在每种情况中以它们的边缘区域41，51置于各自的置放表面631b，631d，632b，632d上。两个置放元件631，632是这样配置的，即，它们可以彼此堆叠，以使得基材40，50进而能够夹层状布置或者定位。这里，各自的框架板条元件具有L-形横截面，和因此形成了加工盒20a的侧壁元件。当然，还可以提供加工盒20a的明示的侧壁元件，并且在其上固定置放元件(例如可以再除去，以使得加工盒还能够用于基材的其他布置)。使用单个放置的基材时，作用于下面基材40上的力较小，这样其可能的弯曲也较小。在这种实施方案中，置放元件631，632在每种情况中具有横向连接元件33和34，并且支承元件35或者35'分别位于“上”横向连接元件34以及位于“下”横向连接元件33二者上。第二(上面)置放元件632的支承元件35'位于下面基材的基材背侧上(和当然支承了上面基材)。该实施方案甚至在无这些横向连接元件也可以实现。
图7表示了多层体布置28g，其具有用于定位基材40，50的设备30g，其中该布置进而位于加工盒20a中。设备30g包含第一置放元件731(具有框架板条元件731a，置放区域731b，框架板条元件731c，置放区域731d)，第二置放元件732(具有框架板条元件732a，置放区域732b，框架板条元件732c，置放区域732d)和中间元件37，任选的还具有板条元件37a，37b，其位于该第一置放元件731和该第二置放元件732之间，以使得三个元件在横截面上形成了基本C形的排列。第一置放元件731位于加工盒20a的底面元件23上。置放元件731，置放元件732，和中间元件37还可以形成为单块(至少各自的板条元件)。加工盒20a具有明示的侧壁元件24。还通过这种布置，下面基材40是无负荷的，并且抵销了它可能的弯曲。
在所示的实施方案中，置放元件设计成板条元件，以使得在每种情况中，用于加工空间和室空间之间的气体交换(特别是用于下多层体的前体层)的开口区域60保持在所述布置的横向侧上。还可以使用封闭的框架元件和提供至少一个气体供给和排出元件。这可以例如体现为在各自的框架元件中的气体分配梳，并且可以具有用于气体连接管线的对接棒(连接元件)。这特别对于下多层体来说是重要的，因为上多层体或者上前体层总是“开放的”。此外，开口区域还可以提供在所述布置的纵向侧上，或者将置放元件如此配置：使得开口区域提供在横向侧和纵向侧二者上。在正方形基材的情况中，纵向侧和横向侧之间没有区别。
图8最后表示了上述系统10，可以用定位设备30a，30b，30c，30d，30e，30f和/或30g(这里未示出) 将布置28a，28b，28c，28d，28e，28f和/或28g引入到系统10中来加工，使用或者不使用明示的用于形成减小的室空间的装置。
该布置或者设备(具有或者不具有用于形成减小的室空间的装置)向系统中的传入和传出例如是经由传输设备(未示出)来进行的，其是使用或者不使用用于基材的载体(即例如传送器)或者手工来进行。该布置还可以在加工系统内直接组装。
使用所提出的用于定位物体（用所述物体形成了多层体布置）的设备时(该多层体布置是无定位设备来组装的)，用于加工该多层体布置的系统，和相应的形成该多层体布置的方法，可以通过简单的方式，以高的生产量(例如生产黄铜矿半导体)来加工多层体例如基材。
下面的说明书揭示了本发明另外的特性：
本发明涉及一种设备，该设备用于定位至少两个物体，特别是至少两个多层体（各自具有至少一个待加工表面），其中该用于容纳至少两个物体(特别是多层体)的设备是这样配置的，即，使得该物体特别是多层体彼此相对，其中待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中加工，特别是硒化。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备是这样配置的，即，它可以布置或者被布置在具有室空间的加工系统的加工室或者加工隧道中和/或用于形成减小的室空间的装置中，优选布置在加工盒中(该加工盒具有底面元件，覆盖元件，和优选具有侧壁元件)或者布置在加工罩中(该加工罩特别被配置用于固定保持在加工系统中)，和/或在运载元件之上或者与之相接（该运载元件用于依靠传输设备将多层体布置传输到加工系统中和从其中传输出来）。根据一种实施方案中，该用于定位至少两个物体的设备是这样配置的，即，至少一部分的该设备形成了加工盒的至少一部分，特别至少部分构成了加工盒的侧壁元件。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备是这样配置的，即，该多层体在使用时彼此夹层状叠置，并因此形成该多层体布置的下多层体和上多层体。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备是这样配置的，即，该具有彼此背对背的待加工表面的多层体可以彼此叠置来定位。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备具有至少一个间隔元件，其中该间隔元件可以如此至少部分地置于两个多层体之间，以使得它们能够彼此间隔开定位。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备具有至少一个第一置放元件，其可以或者已经位于加工室的室底面和/或室侧壁上和/或加工盒的底面元件和/或侧壁元件上和/或位于运载元件上或者与之邻接（该运载元件用于依靠传输设备将多层体布置传输到加工系统中和从中传输出来），并且该第一置放元件配置成这样，即，使得下多层体能够优选在它的边缘区域至少部分布置于该第一置放元件上，特别可以置放在置放元件上。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备具有至少一个第二置放元件，其可以或者已经位于加工室的室底面和/或室侧壁上和/或加工盒的底面元件和/或侧壁元件上和/或位于第一置放元件上或者与之邻接和/或位于运载元件上或者与之邻接（该运载元件用于依靠传输设备将多层体布置传输到加工系统中和从其中传输出来），其中该第二置放元件配置成这样，即，使得上多层体能够优选在它的边缘区域至少部分布置在该第二置放元件上，特别可以置放于置放元件上。根据一种实施方案，一方面，提供该第一置放元件和/或第二置放元件，在每种情况中作为框架元件，优选作为复制了该多层体的轮廓的矩形或者正方形框架元件，以使得该多层体能够优选在它们的边缘区域至少部分布置于各自的框架元件上，特别是可以置放于该框架元件上，和/或另一方面，该第一置放元件和/或该第二置放元件每个配置为在使用中，在该多层体的延伸平面上彼此相对的两个框架板条元件，以使得该多层体，优选在它们的边缘区域上，优选在它们的纵向侧，能够至少部分地布置于该框架板条元件上，特别能够置放于该框架板条元件上。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备包括中间元件，其可以位于第一置放元件和第二置放元件之间，以使得第二置放元件能够位于第一置放元件上。根据一种实施方案，第一置放元件和/或第二置放元件各自具有至少一个横向连接元件，其用来连接在该多层体的延伸平面上彼此相对的各自的框架元件的区域或者在使用中彼此相对的框架板条元件的区域，使得能够另外支承该多层体以防止弯曲。根据一种实施方案，该横向连接元件具有至少一个第一支承元件，优选点支承元件，特别优选球形元件，以使得该多层体可以经由支承元件置于横向连接元件上或者与之邻接，其中该支承元件是这样配置的，即，它具有与各自的至少一个框架元件和/或框架板条元件相同的高度。根据一种实施方案，该用于定位至少两个物体的设备具有至少一个第二支承元件，优选点支承元件，特别优选球形元件，其提供在加工室的室底面上和/或加工盒的底面元件上，来支承该多层体布置。根据一种实施方案，各自的框架元件和/或框架板条元件具有至少两个支承元件，以使得该多层体可以置于该支承元件上或者邻接于该支承元件。
本发明涉及一种多层体布置，其包含至少两个各自具有至少一个待加工表面的多层体，和至少一个用于定位该至少两个多层体的设备，如上所述。
本发明涉及一种多层体布置，其包含至少两个各自具有至少一个待加工表面的多层体，其中该至少两个多层体设计成使得它们彼此相对，并且待加工表面彼此背对背。
本发明涉及一种用于加工，特别是硒化至少两个物体，特别是至少两个多层体的系统，每个多层体具有至少一个待加工表面，该系统包含至少一个具有室空间的加工室，和用于定位该至少两个物体的设备，如上所述。有利地，该系统具有用于将加工气体供给到室空间和/或加工空间中和/或从其中排出的气体供给元件和/或气体排出元件。
本发明涉及一种用于定位至少两个物体，特别是至少两个多层体(各自具有至少一个待加工表面)的方法，该方法依靠用于定位至少两个物体，特别是多层体的设备来进行，该设备经配置来容纳该至少两个物体，特别是该多层体，其中该方法包含下面的步骤：将该设备布置在为其提供的位置上；将两个物体，特别是多层体布置到该设备上，以使得该物体，特别是多层体彼此相对，其中待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中进行加工，特别是硒化。
本发明涉及一种用于定位至少两个物体，特别是至少两个多层体(各自具有至少一个待加工表面)的方法，其中该方法包含下面的步骤：如此布置两个物体，特别是多层体，以使得该物体，特别是多层体彼此相对，并且待加工表面彼此背对背，以使得该至少两个物体能够作为多层体布置在加工系统中进行加工，特别是硒化。
附图标记列表
10 加工系统
11 加工室，加工隧道
12 室空间
13 入口门
14 出口门
15 室盖子
16 室底面
17 （一个或多个）室(侧)壁
18 电磁辐射源
20a 形成减小的室空间的装置，加工盒
20b 形成减小的室空间的装置，加工罩
21 加工空间
22 覆盖元件
23 底面元件
24 （一个或多个）侧壁元件
25 运载元件，传送器
28a 布置，多层体布置
28b 布置，多层体布置
28c 布置，多层体布置
28d 布置，多层体布置
28e 布置，多层体布置
28f 布置，多层体布置
28g 布置，多层体布置
30a 用于定位的设备
30b 用于定位的设备
30c 用于定位的设备
30d 用于定位的设备
30e 用于定位的设备
30f 用于定位的设备
30g 用于定位的设备
131 第一置放元件
131a 框架板条元件
131b 置放区域
131c 框架板条元件
131d 置放区域
231 第一置放元件
231a 框架板条元件
231b 置放区域
231c 框架板条元件
231d 置放区域
331 第一置放元件
331a 框架板条元件
331b 置放区域
331c 框架板条元件
331d 置放区域
431 第一置放元件
431a 框架板条元件
431b 置放区域
431c 框架板条元件
431d 置放区域
631 第一置放元件
631a 框架板条元件
631b 置放区域
631c 框架板条元件
631d 置放区域
731 第一置放元件
731a 框架板条元件
731b 置放区域
731c 框架板条元件
731d 置放区域
632 第二置放元件
632a 框架板条元件
632b 置放区域
632c 框架板条元件
632d 置放区域
732 第二置放元件
732a 框架板条元件
732b 置放区域
732c 框架板条元件
732d 置放区域
33 横向连接元件
34 横向连接元件
35 支承元件
35' 支承元件
36 支承元件
36' 支承元件
37 中间元件
37a 中间元件的板条元件
37b 中间元件的板条元件
38 间隔元件
38a 间隔元件的板条元件
38b 间隔元件的板条元件
40 下多层体，基材
41 (一个或多个)边缘区域
44 待加工表面
45 (前体-)涂层
50 上多层体，基材
51 (一个或多个)边缘区域
54 待加工表面
55 (前体-)涂层
60 布置的开口区域
B 入口门，出口门的移动方向。

Claims (16)

1.用于形成减小的室空间的装置(20a，20b)，例如加工盒(20a)或者加工罩(20b)，其具有用于定位至少两个各自具有至少一个待加工表面(44，54)的多层体(40，50)的设备(30a，30b，30c，30d，30e，30f，30g)，其中该设备(30a-30g)如此配置：使得所述多层体(40，50)彼此相对，其中所述待加工表面(44，54)彼此背对背，以使得该多层体(40，50)能够作为多层体布置(28a，28b，28c，28d，28e，28f，28g)在加工系统(10)中加工。
2.根据权利要求1的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)的至少一部分形成了该装置的至少一部分。
3.根据权利要求1或者2之一的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)如此配置：使得该多层体(40，50)在使用时彼此夹层状叠置，和以此方式形成所述多层体布置(28a-28g)的下多层体(40)和上多层体(50)。
4.根据权利要求3的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)具有至少一个第一置放元件(131，231，331，431，631，731)，其能够或者已经布置在加工盒(20a)的底面元件(23)上和/或侧壁元件(24)上，其中所述第一置放元件(131，231，331，431，631，731)如此配置：使得下多层体(40)能够至少部分地置放在第一置放元件(131，231，331，431，631，731)上。
5.根据权利要求4的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)具有至少一个第二置放元件(632，732)，其能够或者已经布置在加工盒(20a)的底面元件(23)上和/或侧壁元件(24)上和/或在第一置放元件(131，231，331，431，631，731)上或者邻接该第一置放元件，其中所述第二置放元件(632，732)如此配置：使得上多层体(50)能够至少部分地置放在该第二置放元件(632，732)上。
6.根据权利要求4或者5之一的装置(20a，20b)，其中一方面，所述第一置放元件(131，231，331，431，631，731)和/或所述第二置放元件(632，732)在每种情况中是作为框架元件来提供的，以使得该多层体(40，50)能够至少部分地布置在各自的框架元件上，和/或另一方面，将该第一置放元件(131，231，331，431，631，731)和/或该第二置放元件(632，732)设计成在每一情况下在多层体(40，50)的延伸平面中在使用中彼此相对的两个框架板条元件(131a，131c，231a，231c，331a，331c，431a，431c，631a，631c，731a，731c，632a，632c，732a，732c)，以使得该多层体(40，50)能够至少部分地布置在该框架板条元件上。
7.根据权利要求5或者6之一的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)包括中间元件(37)，该中间元件能够布置在第一置放元件(131，231，331，431，631，731)和第二置放元件(632，732)之间，以使得该第二置放元件(632，732)能够安放在该第一置放元件(131，231，331，431，631，731)上。
8.根据权利要求4-7之一的装置(20a，20b)，其中所述第一置放元件(131，231，331，431，631，731)和/或所述第二置放元件(632，732)各自具有至少一个横向连接元件(33，34)，该横向连接元件(33，34)用于连接各框架元件的在该多层体(40，50)的延伸平面中彼此相对的区域或者在使用中彼此相对的框架板条元件(131a，131c，231a，231c，331a，331c，431a，431c，631a，631c，731a，731c，632a，632c，732a，732c)，以使得一个或多个所述多层体(40，50)能够得到另外支承以防止弯曲。
9.根据权利要求8的装置(20a，20b)，其中所述横向连接元件(33，34)具有至少一个第一支承元件(35，35')，以使得该多层体(40，50)能够经由所述支承元件(35，35')置放到所述横向连接元件(33，34)上或者邻接于所述横向连接元件(33，34)，其中所述支承元件(35，35')如此配置：它具有与各自的至少一个框架元件和/或所述框架板条元件(131a，131c，231a，231c，331a，331c，431a，431c，631a，631c，731a，731c，632a，632c，732a，732c)相同的高度。
10.根据权利要求1-9之一的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体的设备(30a，30b，30c，30d，30e，30f，30g)具有至少一个第二支承元件(36，36')，该支承元件提供在加工盒(20a)的底面元件(23)上，以支承所述多层体布置(28a-28g)。
11.根据权利要求6-10之一的装置(20a，20b)，其中各个框架元件和/或框架板条元件(131a，131c，231a，231c，331a，331c，431a，431c，631a，631c，731a，731c，632a，632c，732a，732c)具有至少两个支承元件(35，35')，以使得该多层体(40，50)能够置放到该支承元件(35，35')上或者邻接于该支承元件(35，35')。
12.根据权利要求1-11之一的装置(20a，20b)，其中用于定位至少两个多层体(40，50)的设备(30a-30g)具有至少一个间隔元件(38)，其中所述间隔元件(38)能够如此至少部分地布置在所述两个多层体(40，50)之间，以使得它们能够彼此间隔地定位。
13.用于加工至少两个各自具有至少一个待加工表面(44，54)的多层体(40，50)的系统(10)，该系统包含至少一个具有室空间(12)的加工室(11)和至少一个根据权利要求1-12之一的用于形成减小的室空间的装置(20a，20b)，该装置(20a，20b)具有用于定位所述至少两个多层体的设备(30a-30g)。
14.根据权利要求13的系统(10)，其具有用于将加工气体供给到所述室空间中和/或从其中排出的气体供给元件和/或气体排出元件。
15.用于定位至少两个各自具有至少一个待加工表面(44，54)的多层体(40，50)的方法，其中所述两个多层体(40，50)如此布置在用于形成减小的室空间的装置例如加工盒(20a)或者加工罩(20b)中，以使得多层体(40，50)彼此相对，其中待加工表面(44，54)彼此背对背，以使得所述至少两个物体能够作为多层体布置(28a-28g)在加工系统(10)中加工。
16.根据权利要求1-12之一的用于形成减小的室空间的装置，以及根据权利要求15的方法用于生产薄膜太阳能电池或者薄膜太阳能电池模块，特别是CIS(CIGSSe)-薄膜太阳能电池或者CIS(CIGSSe)-薄膜太阳能电池模块的用途，其中特别地，每个多层体设计为玻璃板的形式，并且至少涂覆有元素Cu、In或者Cu、In、Ga或者Cu、In、Ga、硒，用于硒化和/或硫化黄铜矿薄膜半导体。
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