JP2007281325A - ウエハ保持治具およびウエハ保持方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来のウエハ保持治具においては、成膜処理後に、半導体ウエハを容易に取り出せないことがある。
【解決手段】ウエハ保持治具1は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハWを保持するウエハ保持治具であって、半導体ウエハWが載置される段部10(載置部)と、段部10に載置された半導体ウエハWを包囲するフランジ20と、を備えている。フランジ20の内壁のうち半導体ウエハWのオリエンテーションフラットに対向する部分は、平面視で上記オリエンテーションフラットよりも短い略直線状をしたフラット部22となっている。フランジ20の内壁のうちフラット部22に隣接する部分は、フラット部22に対して窪んだ凹部となっている。
【選択図】図1
【解決手段】ウエハ保持治具1は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハWを保持するウエハ保持治具であって、半導体ウエハWが載置される段部10(載置部)と、段部10に載置された半導体ウエハWを包囲するフランジ20と、を備えている。フランジ20の内壁のうち半導体ウエハWのオリエンテーションフラットに対向する部分は、平面視で上記オリエンテーションフラットよりも短い略直線状をしたフラット部22となっている。フランジ20の内壁のうちフラット部22に隣接する部分は、フラット部22に対して窪んだ凹部となっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体ウエハに薄膜を形成するための成膜装置に用いるウエハ保持治具およびウエハ保持方法に関し、特に、成膜の際に半導体ウエハを表裏両面から挟んで保持するウエハ保持治具およびウエハ保持方法に関する。
図6は、特許文献1に記載されたウエハ保持治具を示す平面図である。図7および図8は、図6のウエハ保持治具のVII-VII線に沿った断面を示す断面図である。図7は半導体ウエハW上に蓋104が置かれる直前の状態を示し、図8は半導体ウエハW上に蓋104が置かれた後の状態を示している。なお、図6においては、蓋104の図示を省略している。
ウエハ保持治具100は、半導体ウエハW上に薄膜を形成するための成膜装置において半導体ウエハWを表裏両面から挟んで保持する治具である。このウエハ保持治具100は、半導体ウエハWが載置される段部103と、段部103に載置された半導体ウエハWを包囲するフランジ102とを有している。フランジ102の下方に位置する段部103には、成膜処理のための開口部が設けられている。この開口部は、図6において破線で示されている。
フランジ102の内壁は、平面視で、半導体ウエハWの外形に沿った形状をしている。したがって、フランジ102の内壁のうち半導体ウエハWのオリエンテーションフラットに対向する部分107は、平面視で略直線状をしている。これにより、半導体ウエハWは、フランジ102の内側にすっぽり収まっている。半導体ウエハWの周縁とフランジ102の内壁との間の間隔は、大変狭い。例えば、半導体ウエハWが6インチウエハである場合、その間隔は0.75mm程度である。
半導体ウエハW上には、図7および図8に示すように、取っ手106が設けられた蓋104が載せられる。これにより、蓋104の縁に設けられた凸部105によって、半導体ウエハWの周縁部付近が押さえられる。成膜処理時には、この状態のウエハ保持治具100が成膜装置内にセットされる。成膜処理後は、成膜装置からウエハ保持治具100が取り外される。蓋104が取られた後、真空チャックを用いてウエハ保持治具100から半導体ウエハWが取り出される。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、特許文献1の他に、特許文献2が挙げられる。
特開2002−280441号公報
特開平8−255757号公報
ところで、成膜処理装置には、ウエハ保持治具100を成膜処理装置に入れて公転させて行われるものがある。そのような場合、成膜処理時、図9に示すように、半導体ウエハWが遠心力により反時計回り(図中に矢印A1で示す向き)に動く。それにより、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの端部108が、フランジ102の内壁のフラットな部分107に接触する。また、半導体ウエハWの上記端部108と反対側の部分109が、フランジ102の内壁に接触する。これにより、半導体ウエハWは、フランジ102の内壁に固定される。
このように半導体ウエハWが固定された状態で、成膜処理が続き、反時計回りの力が半導体ウエハWに継続的に加わる。このため、上記端部108とフラットな部分107との接触部、および上記部分109とフランジ102の内壁との接触部のそれぞれで、半導体ウエハWががっちりと固定される。すなわち、半導体ウエハWがフランジ102の内壁に噛み込んだ状態となる。
それゆえ、成膜処理後に、ウエハ保持治具100から半導体ウエハWを容易に取り出せないことがある。強引に取り出そうとすると、半導体ウエハWに、割れや傷等の損傷を与えてしまう危険性がある。
本発明によるウエハ保持治具は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハを保持するウエハ保持治具であって、上記半導体ウエハが載置される載置部と、上記載置部に載置された上記半導体ウエハを包囲するフランジと、を備え、上記フランジの内壁のうち上記半導体ウエハの上記オリエンテーションフラットに対向する部分は、平面視で上記オリエンテーションフラットよりも短い略直線状をしたフラット部となっており、上記フランジの上記内壁のうち上記フラット部に隣接する部分は、当該フラット部に対して窪んだ凹部となっていることを特徴とする。また、本発明によるウエハ保持方法は、上記ウエハ保持治具の上記載置部に上記半導体ウエハを載置して保持することを特徴とする。
このウエハ保持治具およびウエハ保持方法においては、フランジの内壁のフラット部に隣接する部分に、凹部が設けられている。これにより、このウエハ保持治具内で半導体ウエハが回転した場合であっても、当該半導体ウエハのオリエンテーションフラットの端部が上記凹部に入り込むため、半導体ウエハががっちりと固定されるのを防ぐことができる。
本発明によれば、半導体ウエハを容易に取り出すことが可能なウエハ保持治具およびウエハ保持方法が実現される。
以下、図面を参照しつつ、本発明によるウエハ保持治具およびウエハ保持方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明によるウエハ保持治具の一実施形態を示す平面図である。図2および図3は、図1のウエハ保持治具のII-II線に沿った断面を示す断面図である。図2は半導体ウエハW上に蓋30が置かれる直前の状態を示し、図3は半導体ウエハW上に蓋30が置かれた後の状態を示している。なお、図1においては、蓋30の図示を省略している。
ウエハ保持治具1は、オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハWを保持するウエハ保持治具であって、半導体ウエハWが載置される段部10(載置部)と、段部10に載置された半導体ウエハWを包囲するフランジ20と、を備えている。フランジ20の下方に位置する段部10には、成膜処理のための開口部が設けられている。この開口部は、図1において破線で示されている。
フランジ20の内壁のうち半導体ウエハWのオリエンテーションフラットに対向する部分は、平面視で上記オリエンテーションフラットよりも短い略直線状をしたフラット部22となっている。すなわち、フラット部22の長さNは、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの長さよりも短い。なお、このオリエンテーションフラットの長さは、後述する凹部24aのフラット部22と反対側の端部から凹部24bのフラット部22と反対側の端部までの長さLに略等しい。
また、フランジ20の内壁のうちフラット部22に隣接する部分は、フラット部22に対して窪んだ凹部となっている。すなわち、この部分は、半導体ウエハWから遠ざかる向きに窪んでいる。本実施形態においては、平面視でフラット部22の両端に隣接する部分の各々に凹部が設けられている。すなわち、フラット部22の一端23aに隣接して凹部24aが設けられるともに、フラット部22の他端23bに隣接して凹部24bが設けられている。各凹部24a,24bは、ウエハ保持治具1内で半導体ウエハWが回転した場合に、その半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの端部が当該各凹部24a,24bに入り込むように設けられている。
このように、フランジ20の内壁は、凹部24a,24bが設けられた部分を除いて、平面視で、半導体ウエハWの外形に沿った形状をしている。半導体ウエハWの周縁とフランジ20の内壁との間の間隔は、例えば、半導体ウエハWが6インチウエハである場合、0.75mm程度である。
本実施形態に係るウエハ保持方法においては、段部10に半導体ウエハWが載置される。半導体ウエハW上には、図2および図3に示すように、取っ手32が設けられた蓋30が載せられる。これにより、蓋30の縁に設けられた凸部34によって、半導体ウエハWの周縁部付近が押さえられる。成膜処理時には、この状態のウエハ保持治具1が成膜装置内にセットされる。成膜処理後は、成膜装置からウエハ保持治具1が取り外される。蓋30が取られた後、真空チャックを用いてウエハ保持治具1から半導体ウエハWが取り出される。
本実施形態の効果を説明する。ウエハ保持治具1においては、フランジ20の内壁のフラット部22に隣接する部分に、凹部24a,24bが設けられている。これにより、ウエハ保持治具1内で半導体ウエハWが回転した場合であっても、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの端部が上記凹部に入り込むため、半導体ウエハWががっちりと固定されるのを防ぐことができる。よって、半導体ウエハを容易に取り出すことが可能なウエハ保持治具1およびそれを用いたウエハ保持方法が実現されている。
図4および図5を参照しつつ、本実施形態の効果をより詳細に説明する。図5は、図4のウエハ保持治具1の一部(フラット部22を含む部分)を示している。成膜処理時、半導体ウエハWが遠心力により、時計回りまたは反時計回りに動く。ここでは、反時計回り(図中に矢印A1で示す向き)に動くものとする。それにより、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの端部42付近に、フラット部22の一端23aが接触する。このとき、半導体ウエハWがフランジ20の内壁に固定される場合がある。しかし、成膜処理が続き、反時計回りの力が半導体ウエハWに継続的に加わっても、半導体ウエハWがフランジ20の内壁にがっちりとは固定されない。すなわち、いわゆる噛み込みは発生しない。
それゆえ、成膜処理後に、ウエハ保持治具1から半導体ウエハWを容易に取り出すことができる。このため、取り出し時に、半導体ウエハWに、割れや傷等の損傷を与えてしまう危険性を回避することができる。さらに、半導体ウエハWの取り出しに要する作業時間を短縮することができる。
平面視でフラット部22の両端に隣接する部分の各々に凹部が設けられている。これにより、半導体ウエハWが時計回りまたは反時計回りの何れの向きに回転した場合であっても、半導体ウエハWがフランジ20の内壁にがっちりと固定されるのを防ぐことができる。
ところで、図9に示したウエハ保持治具100内においては、半導体ウエハWが、オリエンテーションフラットの端部108とフランジ102の内壁との間で、がっちりと固定される。ここで点109の位置は、フランジ102を図中の上下に2等分するVII-VII線と、フランジ102のフラットな部分107と反対側の内壁との交点の付近にある。ここで、端部108と点109との間の直線距離をPとする。6インチウエハ用のウエハ保持治具100の場合、実測したPは、149mmであった。また、VII-VII線と上記部分107との交点をSとした場合、点Sと点109との間の距離S9の実測値は、147.5mmであった。
一方、図4および図5に示したウエハ保持治具1内においては、半導体ウエハWが、フランジ20のフラット部22の一端23aとフランジ20の内壁との間で、固定されているとしても、がっちりとは固定されていない。ここで、半導体ウエハWとフランジ20の内壁との接触部である点44の位置は、フランジ20を図中の上下に2等分するII-II線と、フランジ20のフラット部22と反対側の内壁との交点46よりも図中上側にある。フラット部22の一端23aと点44との間の直線距離をQとする。6インチウエハ用のウエハ保持治具1の場合、実測したQは、146mmであった。また、II-II線とフラット部22との交点をUとした場合、点Uと点46との間の距離U9の実測値は、147.5mmであった。この距離U9は、従来技術に係るウエハ保持治具100における上記距離S9に等しい。
以上からわかるように、距離Q、S9、U9、Pは、Q<S9=U9<Pという関係にある。P>S9となることは、図9において、端部108、点Sおよび点109を頂点とする三角形の各片の関係から明らかである。U9>Qとなる理由は、図4および図5において、半導体ウエハWのオリエンテーションフラットの端部42が凹部24aにわずかに入り込み、且つ、フランジ20のフラット部22の反対側の内壁と半導体ウエハWとの接触点が、フラット部22により近い点44になるためである。
よって、図9に示すように、従来技術に係るウエハ保持治具100内の半導体ウエハWが距離Pで固定された状態でさらに反時計回りの力を継続して受けると、距離Pが距離S9へと短くなろうとする。そのため、オリエンテーションフラットの端部108が下方へ進もうとするが進みきれず、いわゆる噛み込みが発生する。それにより、半導体ウエハWは、端部108と点109との間でがっちりと固定されることになる。
一方、図4のように、本実施形態に係るウエハ保持治具1内の半導体ウエハWは、距離Qで一旦停止する。さらに反時計回りの力を継続して受けると、オリエンテーションフラットの端部42が下方へ進もうとする。このとき、Q<U9の関係であるから、距離Qが距離U9へと長くなる、言わば、半導体ウエハWが開放される状態となる。したがって、半導体ウエハWは、フランジ20の内壁でがっちりと固定されることがない。
実際、本実施形態によるウエハ保持治具1を使って半導体ウエハ上に成膜を行った後、ウエハ保持治具1から当該半導体ウエハを取り出したところ、容易に取り出すことができた。すなわち、従来技術に係るウエハ保持治具で発生していた、半導体ウエハが取り出しにくいという問題を解消することができた。
本発明によるウエハ保持治具およびウエハ保持方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態においてはフラット部の両端にそれぞれ凹部が設けられた例を示したが、フラット部の一端にのみ凹部が設けられていてもよい。
1 ウエハ保持治具
10 段部
20 フランジ
22 フラット部
23a フラット部の一端
23b フラット部の他端
24a 凹部
24b 凹部
30 蓋
32 取っ手
34 凸部
42 オリエンテーションフラットの端部
W 半導体ウエハ
10 段部
20 フランジ
22 フラット部
23a フラット部の一端
23b フラット部の他端
24a 凹部
24b 凹部
30 蓋
32 取っ手
34 凸部
42 オリエンテーションフラットの端部
W 半導体ウエハ
Claims (3)
- オリエンテーションフラットを有する半導体ウエハを保持するウエハ保持治具であって、
前記半導体ウエハが載置される載置部と、
前記載置部に載置された前記半導体ウエハを包囲するフランジと、を備え、
前記フランジの内壁のうち前記半導体ウエハの前記オリエンテーションフラットに対向する部分は、平面視で前記オリエンテーションフラットよりも短い略直線状をしたフラット部となっており、
前記フランジの前記内壁のうち前記フラット部に隣接する部分は、当該フラット部に対して窪んだ凹部となっていることを特徴とするウエハ保持治具。 - 請求項1に記載のウエハ保持治具において、
前記凹部は、平面視で前記フラット部の両端に隣接する部分の各々に設けられているウエハ保持治具。 - 請求項1または2に記載のウエハ保持治具の前記載置部に前記半導体ウエハを載置して保持することを特徴とするウエハ保持方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108306A JP2007281325A (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | ウエハ保持治具およびウエハ保持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006108306A JP2007281325A (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | ウエハ保持治具およびウエハ保持方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281325A true JP2007281325A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38682447
Family Applications (1)
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JP2006108306A Pending JP2007281325A (ja) | 2006-04-11 | 2006-04-11 | ウエハ保持治具およびウエハ保持方法 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2007281325A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015156485A (ja) * | 2010-02-23 | 2015-08-27 | サン−ゴバン グラス フランス | 縮小チャンバ空間を形成する装置、および多層体を位置決めする方法 |
-
2006
- 2006-04-11 JP JP2006108306A patent/JP2007281325A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015156485A (ja) * | 2010-02-23 | 2015-08-27 | サン−ゴバン グラス フランス | 縮小チャンバ空間を形成する装置、および多層体を位置決めする方法 |
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