CN104106131B - 用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法 - Google Patents

用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及用于处理在单侧被涂层的衬底的可运送的处理盒，包括：用于以整面支持的方式安放第一衬底的底部，其中所述底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理；框架；被放置到所述框架上的盖；用于以整面支持的方式安放第二衬底的被布置在底部和盖之间的中间元件，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理。此外，本发明涉及用于处理衬底的装置和方法，其中处理盒或处理载体被安装并且被装载有衬底，被运送到处理室中，并且辐射能量从盖上方和/或底部下方被入射。在预先安装的处理载体情况下，盖或与框架连接的盖被递送到处理载体上用于构造处理盒。

Description

用于处理被涂层的衬底的处理盒、装置和方法
技术领域
本发明涉及用于处理在单侧被涂层的（beschichtet）衬底的处理盒、装置和方法。本发明尤其是涉及衬底的热处理，所述衬底被涂有先驱层用于制造薄层太阳能电池用的吸收体。
用于直接将太阳光转换成电能的光伏层系统是充分已知的。这些层系统大多被称为“太阳能电池”，其中术语“薄层太阳能电池”涉及具有仅几微米的小厚度的层系统，所述层系统需要衬底用于足够的机械强度。已知的衬底包括无机玻璃、塑料（聚合物）或金属、尤其是金属合金，并且可以根据相应的层厚和特定材料特性被构成为刚性板或柔韧薄膜。
就工艺可操纵性和效率来说，具有由非晶、微晶态（mikromorphem）或多晶硅、碲化镉（CdTe）、砷化镓（GaAs）、黄铜矿化合物、尤其是铜-铟/镓-二硫/二硒化物(通过公式Cu(In,Ga)(S,Se)2缩写)或者锌黄锡矿化合物、尤其是铜-锌/锡-二硫/二硒化物（通过公式Cu2(Zn,Sn)(S,Se)4缩写）制成的半导体层的薄层太阳能电池证明是有利的。
因为利用单个太阳能电池仅能实现小于1伏特的电压电平，所以一般很多太阳能电池在一个太阳能模块中串行地相互接线。通过这种方式可以对于应用获得可用的输出电压。在此情况下，薄层太阳能模块提供特殊的优点，即太阳能电池已经在层制造期间就能以集成的形式接线。在专利文献中已经多次描述过串行接线的薄层太阳能模块。与此有关地仅仅示例性地参照出版物DE 4324318C1和EP 2200097A1。
吸收体的特定特性对薄层太阳能模块中的光输出有重要影响。直到最近，吸收体的结构和组成是密集型研究活动的主题。在制造半导体层的不同可能性中，近年来基本上实施了两种方法。这是将单元件共蒸镀到热衬底上以及逐渐将单层（先驱层）中的元件例如通过磁控管阴极溅射施加到冷衬底上，这与接着的快速热处理（RTP=Rapid ThermalProcessing(快速热处理)）相结合，其中进行实际的晶体形成和先驱层至半导体层的相转换（Phasenumwandlung）。该方式例如在J.Palm等人的“CIS module pilot processingapplying concurrent rapid selenization and sulfurization of large area thinfilm precursors”（Thin Solid Films 431-432, S. 414-522 （2003））中详细地得以描述。
在工业批量生产中，在所谓的顺序设备（In-Line-Anlage）中进行先驱层的RTP热处理，在所述顺序设备中被涂层的衬底经由引入室（Einschleusekammer）被运入并且在加热室中根据精确确定的温度变化曲线被加温。加温典型地通过电运行的热辐射器进行。接着，经处理的衬底在冷却室中和/或在冷却段中被冷却，之后是借助于引出室（Ausschleusekammer）从顺序设备中引出。这样的方法例如由EP 0662247 B1已知。
一般地，RTP热处理是在制造薄层太阳能电池时的费用多的处理，其需要对处理气氛的精确控制。为此目的已知，通过处理盒限制围绕衬底的处理空间。这能够在热处理期间将诸如硒或硫的容易挥发的氧族组分的颗粒压力至少在最大程度上保持为恒定的。此外，减少具有腐蚀性气体的热处理室的暴露。这样的处理盒例如由DE 102008022784 A1已知。
此外，欧洲专利申请EP 2360720 A1示出了用于处理在两侧被涂层的衬底的可运送的处理盒，其中两个衬底以其未被涂层的侧相叠或者通过间隔保持件彼此分离。要处理的涂层彼此背离（背靠背（"back-to-back"））。下衬底通过间隔保持件与处理盒的底部相间隔，其中间隔保持件被构造为使得下衬底的朝向下的涂层对于处理气体自由可达。下衬底的整面安放是不可能的。该下衬底通过上衬底的重力被加负荷。衬底的涂层在非对称的处理空间中被处理。
欧洲专利申请EP 2360721 A1示出了两个被涂层的衬底的与此不同的装置。这里，要处理的涂层彼此朝向（面对面（"face-to-face"））。对于两个涂层，通过衬底本身构成共同的处理空间。衬底的整面安放是不可能的。此外，两个涂层不具有单独的处理空间。
发明内容
本发明的任务在于，以有利的方式改进用于对被涂层的衬底进行热处理的在现有技术中已知的处理盒。尤其是，应该提供成本低的和节省能量的处理盒，其中提高设备吞吐量，而不显著提高投资成本和运行成本。此外应该能够在工业批量生产中以特别高的质量制造被涂层的衬底。
该任务和其他任务根据本发明的建议通过根据并列权利要求所述的用于处理在单侧被涂层的衬底的可运送的处理盒、装置和方法来解决。本发明的优选实施方式由从属权利要求的特征得知。
在本发明的意义上，表述“衬底”涉及拥有两个相互相反的表面的平面体，其中在两个表面之一上施加典型地包含多个层的层结构（“涂层”）。衬底的另一表面一般是未被涂层的。优选地，这涉及用于制造薄层太阳能模块的被涂有吸收体（例如黄铜矿化合物或锌黄锡矿化合物）的前驱层或先驱层的衬底，所述衬底必须经受RTP热处理。
表述“松动地（lose）”涉及一个体被安放或放置到另一体上的情形，其中在这些体之间不存在固定连接或不存在固定。两个体从而可以在无解除连接剂或固着剂的情况下无破坏地彼此被移除。
根据本发明的处理盒被构造为，使得所述处理盒可以被组装用于用衬底装载并且尤其是又（无破坏地）被拆开用于取出经处理的衬底。
所述处理盒包括底部，例如底板，所述底部被构造为使得可以以整面支持的方式安放第一衬底，优选地以其未被涂层的衬底侧，其中所述底部此外被构造为使得两个衬底的涂层、基本上或主要是第一衬底的涂层通过输送给底部的下侧的辐射的辐射能量被热处理。
表述“以整面支持的方式”这里以及此外涉及衬底以其下面（未被涂层的侧）被放到底部上或进一步在下面陈述的中间元件上的情形，其中下衬底面完全地、也即在每个面片段中被支持。在热处理时衬底的可能弯曲由此可以被防止。
处理盒此外包括用于将底部与盖连接的框架以及包括盖。所述盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射的辐射能量被热处理。盖优选地松动地被放置到框架上。同样，框架优选地松动地被放置到底部上。但是也可设想的是，框架与底部固定地连接。通过将盖放置到框架上可以以简单的方式实现气密的或（在无另外的密封装置的情况下）准气密的处理空间。
此外，处理盒包括布置在底部和盖之间的中间元件，所述中间元件被构造为使得第二衬底可以以整面支持的方式被安放。中间元件尤其是可以以板状元件、也即中间板的形式来构造。
通过底部、盖和框架构成用于处理两个衬底的（减小）的处理空间。将开放的、准闭合的或准气密的或者气密的处理空间理解为本发明意义上的处理空间。开放的处理空间允许在处理空间和处理盒的外部周围环境之间的自由气体交换。与此不同地，在气密的处理空间情况下，在处理空间和外部周围环境之间的这种气体交换被完全禁止。在准闭合的或准气密的处理空间情况下，处理盒直至在处理空间和外部周围环境之间的确定的最大压力差为止是气密的。在超过最大压力差时，发生在处理空间和外部周围环境之间的压力平衡。最大压力差与处理盒的特定设计有关。
处理盒可以具有气体连接端，以便在确定的处理步骤期间给处理空间有针对性地配备确定的气体气氛。气体气氛例如可以包含诸如H2S、H2Se、S蒸汽、Se蒸汽或H2的反应性气体，以及诸如N2、He或Ar的惰性气体。可以理解，处理盒即使在气密的或准气密的处理空间情况下也可以拥有气体连接端，通过所述气体连接端可以将具有外部超压的处理气体或惰性气体导入到处理空间中。
在根据本发明的处理盒中，底部、中间元件、盖和框架原则上可以由每种对于所考虑的应用适用的材料制成。优选地，底部、中间元件、盖和框架包含金属、玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、碳纤维增强的碳原料或石墨或由金属、玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、碳纤维增强的碳原料或石墨组成。在此情况下，底部应该被构造用于能够通过输送到底部的下侧上的热能量实现热处理。相应情况适用于盖，所述盖被构造用于能够通过被输送到盖的上侧上的热能量实现热处理。底部和盖为此目的对于用于输送用来处理衬底的热能量的电磁辐射可以是透明的、部分透明的或不透明的。底部和盖尤其是也可以包含以下材料（例如石墨）或由这样的材料组成，所述材料适用于至少部分地、尤其是完全地从用于输送热能量用来处理衬底的辐射源吸收电磁辐射，以便自身被加热。被加热的底部或盖于是可以用作用于尤其是加热分别邻接的衬底的二次热源，这尤其是可能导致热量分布的均匀化。
根据本发明的处理盒能够以有利的方式实现两个在单侧被涂层的衬底的同时处理（热处理）。通过整面支持两个衬底，可以避免在通常在玻璃软化点之上进行的热处理时由于重力作用引起的衬底弯曲的危险。与此不同地，在传统的处理盒（例如EP 2360720 A1和EP 2360721A1）中为了避免或减少衬底弯曲必须设置附加的支承元件。附加的是，与相应的配置有关地，至少在两个衬底之一处不能避免通过支承元件对要处理的涂层的碰触。在根据本发明的处理盒中，衬底可以被处理，而不需要相应衬底的涂层的碰触。涂层和/或衬底的损坏从而可以被避免。此外，使衬底的自动化操纵变得容易，因为两个衬底分别可以以其涂层朝向上地被放到底部或中间元件上并且从而不必被旋转。在传统的处理盒中，在“面对面”配置或“背靠背”配置情况下，两个衬底之一必须被旋转，这随之出现提高的制造成本和废品增加的危险。
另一重要优点通过以下事实得出，即处理盒可以以简单的和成本低的方式在处理室（例如热处理室）之外自动化地被组装和装载。相应情况适用于处理盒的拆卸和经处理的衬底的取出。就此而言，在批量生产中，用于连续地处理衬底的循环时间可以明显被减少。
在气密的或准气密的处理空间情况下，被加载到处理盒中的衬底也在处理室之外良好地被保护免受环境影响。在顺序设备中，被装载的处理盒可以在不同的处理室之间被运送，而不必从处理空间中移除在单侧被涂层的衬底。
处理盒可以自由选择地被装载一个或两个衬底，其中为了提高吞吐量，装载有两个衬底是优选的。处理盒的装载可以以特别简单的方式通过将衬底安放到底部和中间元件上来进行，使得在工业批量生产中能够实现简单的和成本低的自动化。
在本发明处理盒的一种有利的构型情况下，中间元件松动地被放置到由框架形成的阶梯上，这在工业批量生产中能够实现特别简单的和快速的组装以及给处理盒装载在单侧被涂层的衬底。此外，处理盒的处理空间以特别简单的方式单独地（仅仅）通过中间元件被划分成两个处理子空间，也即用于处理第一衬底的第一处理子空间和用于处理第二衬底的第二处理子空间。两个处理子空间可以在流技术上相互连接。但是可替换地，也可能的是，两个处理子空间气密地或准气密地相互分离。通过所述措施可以对于每个衬底特定地适配自己的处理子空间。因此，衬底的两个涂层例如可以不同地被处理。优选地，处理子空间对称地来构造，这通过处理子空间的相同高度或（垂直）尺寸给出，使得衬底可以统一地被处理。这支持高质量要求和品质要求的实现。
在替换于此的构型情况下，处理盒松动地被放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上，其中中间元件被构造为使得所述中间元件与第一间隔保持件或第二间隔保持件一起将处理空间划分成用于处理第一衬底的第一处理子空间和用于处理第二衬底的第二处理子空间。间隔保持件分别与框架不同。通过间隔保持件能够实现在工业批量生产中特别简单和快速地组装以及给处理盒装载在单侧被涂层的衬底。优选地，第二间隔保持件支撑在第一衬底的无涂层的或至少不作为功能面设置的边缘区中。在薄层太阳能模块情况下，规则地设置这样的边缘区，使得可以以有利的方式避免光学活性面处的损失。
本发明也涉及用于在如上述的根据本发明的可运送的处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的方法，具有以下步骤：
在第一步骤中，安装处理盒并且给处理盒装载一个或多个衬底。为此目的提供底部，通过所述底部可以整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是施加在其上的第一衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理。将框架松动放置到底部上用于将底部与盖连接。必要时将第一衬底（以其未被涂层的侧向下）放到底部上。此外布置中间元件，通过所述中间元件可以整面支持第二衬底。必要时将第二衬底（以其未被涂层的侧向下）放到中间元件上。接着将盖松动地放置到框架上用于构造处理盒，其中盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射能量被热处理。通过底部、盖和框架构成用于处理两个衬底的处理空间。处理盒可以被装载有一个或两个衬底。
在第二步骤中，将处理盒运送到具有热辐射器的热处理室中。
在第三步骤中，将热能量或辐射能量输送给底部的下侧用于对衬底的涂层、基本上或主要是第一衬底的涂层进行热处理，和/或将热能量或辐射能量输送给盖元件的上侧用于对衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层进行热处理。
通过根据本发明的方法，处理盒可以以简单的方式在处理室之外自动化地被组装和装载。一个或两个在单侧被涂层的衬底可以特别简单和成本低地以高制造质量被处理（热处理）。
在本发明方法的一种有利的构型情况下，将中间元件松动地放置到由框架形成的阶梯上，这能够实现处理盒的特别简单的组装和装载。可替换地，将中间元件松动地放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上，这同样能够实现处理盒的特别简单的组装和装载。
此外示出用于构造用来处理在单侧被涂层的衬底的处理盒的可运送的处理载体。这里以及此外，术语“处理载体”涉及用于构造处理盒的可预先安装的开放的组件。处理载体包括底部，其被构造为使得第一衬底可以以整面支持的方式被安放，并且衬底的涂层、基本上或主要是第一衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理。此外，处理载体包括用于将底部与盖进行连接的框架，其中所述框架被构造为使得可以松动地放置盖。框架可以被松动地被放置到底部上。可替换地，框架可以与底部固定连接。此外，处理载体包括中间元件，所述中间元件被构造为使得第二衬底可以以整面支持的方式被安放，其中中间元件被松动地放置到由框架形成的阶梯上。
处理载体此外可以在处理室之外被组装并且被装载有衬底并且（无破坏地）被拆开用于取出经处理的衬底。通过在用于处理被涂层的衬底的处理室中静止地布置的盖可以使处理载体完善成处理盒。由此可以节省在批量生产中的成本，因为盖是可以再次使用的，并且对于处理盒可以不设置单独的盖。
此外，本发明涉及用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的装置，所述装置包括如前述所构造的载体衬底。此外，所述装置包括用于松动地放置到处理载体的框架上以形成处理盒的在处理室中静止地布置的盖，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射能量被热处理；以及用于使盖和处理载体相对运动的运动机械装置。该运动机械装置被构造为使得可以使盖相对于处理载体和/或使处理载体相对于盖运动，以便将盖放置到框架上。通过底部、框架和盖构成用于处理两个衬底的处理空间。
本发明此外涉及用于在如前述所构造的装置中的处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的方法。
在第一步骤中，组装如上述所构造的处理载体并且给处理载体装载一个或多个衬底。为此目的，在第一替换方案情况下，提供底部，通过所述底部可以整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是被施加在其上的第一衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理。将框架松动地放置到底部上用于将底部与盖连接。在第二替换方案情况下，提供底部，所述底部与框架固定地连接。必要时将第一衬底（以其未被涂层的侧向下）安放到底部上。此外，在第一替换方案情况下，将中间元件松动地放置到由框架形成的阶梯上，通过所述中间元件能够整面支持第二衬底，或者在第二替换方案情况下，将中间元件松动地放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上。必要时将第二衬底（以其未被涂层的侧向下）放到中间元件上。
在第二步骤中，将经装载的处理载体运送到具有热辐射器的热处理室中。
在第三步骤中，将在热处理室中静止布置的盖松动地放置到框架上用于构造处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要地是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射能量被热处理。通过底部、框架和盖构成用于处理两个衬底的处理空间。
在第四步骤中，将热能量或辐射能量输送给底部的下侧用于对衬底的涂层、基本上或主要是第一衬底的涂层进行热处理和/或将热能量或辐射能量输送给盖的上侧用于对衬底的涂层、基本上或主要地是第二衬底的涂层进行热处理。
通过根据本发明的方法，开放的处理载体可以以简单的方式在处理室之外自动化地被组装和装载。一个或两个在单侧被涂层的衬底可以特别简单和成本低地以高制造质量被处理（热处理）。
此外示出用于构造用来处理在单侧被涂层的衬底的处理盒的可运送的开放的处理载体，具有：底部，其被构造为使得第一衬底可以以整面支持的方式被安放，并且衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理；中间元件，其被构造为使得第二衬底可以以整面支持的方式被安放，其中中间元件被松动地放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上。
这样的处理载体可以在处理室之外被组装用于装载有衬底并且（无破坏地）被拆开用于取出经处理的衬底。通过在处理室中静止地布置的、具有与之固定连接的框架的盖可以使处理载体完善成处理盒。由此可以节省在批量生产中的成本。
此外，本发明涉及用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的装置，所述装置包括如紧接在前所述所构造的处理载体。此外，该装置包括在处理室中静止地布置的、具有固定在其处的框架的盖，所述框架用于放置到底部上用以形成处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射能量被热处理。此外，该装置包括用于使具有框架的盖和/或处理载体运动的运动机械装置，该运动机械装置被构造为使得框架可以被放置到底部上。通过底部、盖和框架构成用于处理两个衬底的处理空间。
本发明此外涉及用于在如紧接在前所述所构造的装置中处理在单侧被涂层的衬底的方法。
在第一步骤中相应的处理载体被组装并且被装载有一个或多个衬底。为此目的提供底部，通过所述底部可以整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是施加在其上的第一衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射能量被热处理。必要时将第一衬底（以未被涂层的侧向下）放到底部上。此外，将中间元件松动地放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上，通过所述中间元件可以整面支持第二衬底。必要时将第二衬底（以未被涂层的侧向下）放到中间元件上。
在第二步骤中，将经装载的处理载体运送到具有热辐射器的热处理室中。
在第三步骤中，将在热处理室中静止布置的、与盖固定连接的框架松动地放置到底部上用于构造处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射能量被热处理。通过底部、框架和盖构成用于处理两个衬底的（减小的）处理空间。
在第四步骤中，将热能量输送给底部的下侧用于对衬底的涂层、基本上或主要是第一衬底的涂层进行热处理和/或将热能量输送给盖的上侧用于对衬底的涂层、基本上或主要是第二衬底的涂层进行热处理。
通过根据本发明的方法可以以简单的方式在处理室之外自动化地组装和装载开放的处理载体。两个在单侧被涂层的衬底可以特别简单地和成本低地以高制造质量被处理（热处理）。通过设置静止的盖和静止的框架可以节省制造成本。因为盖和框架固定地相互连接，所以可以以简单的方式使处理载体完善成处理盒。
可以理解，本发明的不同构型可以单独地或以任意组合的方式实现。尤其是，前述的和下面还要阐述的特征可以不仅以所说明的组合方式而且以其他组合方式或者单独地被使用，而不偏离本发明的范围。
附图说明
现在根据实施例更详细地阐述本发明，其中参照附图。在简化的未按比例的图示中：
图1根据横断面图示出用于处理在单侧被涂层的衬底的本发明处理盒的实施例；
图2示出具有处理载体和静止的盖的图1的处理盒的变型方案；
图3示出图1的处理盒的另一变型方案。
具体实施方式
在图中示出在典型的工作位置水平取向的处理盒1，其中可以理解，处理盒1也可以不同地取向。在下面的描述中进行的位置和方向说明涉及处理盒1在图中的表示并且仅仅用于更简单地描述本发明，其中本发明不应由此限制。
应首先观察图1，其中处理盒1的实施例根据纵断面图来阐明。处理盒1用于处理在单侧被涂层的衬底3a、3b，例如用于制造薄层太阳能模块。虽然示出了两个衬底3a、3b，可以理解，处理盒1同样可以被用于处理仅一个唯一的衬底。
因此，处理盒1包括平坦的底部5，其这里例如被构造为具有下底部面9和上底部面10的板或方形体。在底部5的边缘区域11中，闭合的框架6被松动地放置到上底部面10上。但是也可设想的是，框架6与底部5固定连接。
如在图1的纵断面图中可以良好地看出的，框架6具有两个水平的阶梯12、13，所述阶梯分别用作支承面。因此，平坦的中间元件7松动地被放置到下阶梯12上，所述中间元件这里例如被构造为具有下中间面15和上中间面16的板或方形体。平坦的盖8被松动地放置到上阶梯13上，所述盖这里例如被构造为具有下盖面26和上盖面27的板或方形体。
在处理盒1中，底部5、中间元件7和盖8堆叠状地相叠地或彼此地布置。在此，通过底部5和盖8与框架6共同地划定气密的或准气密的处理空间17的界限，其中处理空间17仅通过中间元件7被划分成下处理子空间17a和上处理子空间17b。两个处理子空间17a、17b对称地构造并且具有大致相同的高度，这通过在彼此相邻的板之间的净宽给出。在本实施例中，两个处理子空间17a、17b气密地或准气密地彼此隔开，其中同样可设想的是，两个处理子空间17a、17b在流技术上相互连接，使得可以进行相互气体交换。
图1示出装载有两个在单侧被涂层的衬底3a、3b的处理盒1，其中每个衬底3a、3b这里例如被构造为具有下衬底面19a、19b和上衬底面20a、20b的方形体。在上衬底面20a、20b上分别施加层结构4a、4b。在制造薄层太阳能模块时，层结构4a、4b例如是用于制造吸收体的要经受RTP热处理的先驱层或前驱层。在此情况下，下衬底3a利用其下衬底面19a放在底部5上并且由上底部面10整面地支持。以相应的方式，上衬底3b以其下衬底面19b放在中间元件7上并且由上中间面16整面地支持。在两个衬底3a、3b情况下，层结构4a、4b分别位于朝向盖8的衬底侧。
因此，下衬底3a位于下处理子空间17a中并且上衬底3b位于上处理子空间17b中。因为对于一致的处理气氛而言尤其是在层结构4a、4b的RTP热处理期间基本上重要的是相应处理子空间17a、17b的净宽的测定，所述净宽对于两个衬底3a、3b至少近似地相等，所以两个处理子空间17a、17b鉴于处理气氛被看作是对称的。这支持例如薄层太阳能模块在各种情况下均必须满足的特别高的品质要求和质量要求的遵守。
处理盒1的不同组成部分可以由相同的材料或彼此不同的材料组成。典型的材料是金属、玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷、碳纤维增强的碳原料或石墨。在此情况下重要的是，底部5被构造为使得下衬底3a的层结构4a的热处理能够通过以辐射形式被输送到底部5的下侧上或被输送给下底部面9的热能量实现。以相应的方式，盖8被构造为使得上衬底3b的层结构4b的热处理能够通过以辐射形式被输送到盖8的上侧上或被输送给上盖面27的热能量实现。热能量在示意性地在图2中表明的热处理室29中可以通过在盖8之上以及在底部5之下例如行列式布置的热辐射器30输送，这里不必对所述热辐射器的构型更详细地予以探讨。
例如，底部5和/或盖8为此目的包括对于入射的电磁辐射是透明的或至少部分透明的材料，例如玻璃陶瓷。同样也可能的是，底部5和/或盖8包括以下材料，所述材料适用于至少部分地、尤其是完全地吸收电磁辐射，以便本身被加热，例如石墨。在后述的情况下，底部5和/或盖8用作被动加热的二次热源。
两个衬底3a、3b例如由具有在1mm至4mm、尤其是2mm至3mm范围中的厚度的玻璃组成。如已经提及的，两个衬底3a、3b分别在其上衬底面20a、20b上配备有层结构4a、4b，所述层结构例如由吸收体（例如黄铜矿化合物或锌黄锡矿化合物）的薄先驱层组成，所述薄先驱层必须经受RTP热处理。例如，层结构4a、4b是层序列氮化硅/钼/铜-铟-镓/硒。例如，氮化硅层具有在50nm至300nm的范围中的厚度，钼层具有在200nm至700nm的范围中的厚度，铜-铟-镓层具有在300nm至1000nm的范围中的厚度以及硒层具有在500nm至2000nm的范围中的厚度。
处理盒1可以以简单的方式在用于处理衬底3a、3b的处理室（例如热处理室）之外自动化地被组装并且被装载有在单侧被涂层的衬底3a、3b。例如，为此目的首先将框架6松动地放到上底部面10上并且接着将下衬底3a以下衬底面19a松动地放到上底部面10上。但是也可以设想的是，框架6与上底部面10固定地连接。下衬底3a在此情况下位于闭合的框架6内。然后，将中间元件7松动地放到下阶梯12上，由此得出闭合的或者准闭合的下处理子空间17a。接着，将第二衬底3b以下衬底面19b松动地放到上中间面16上。最后，将盖8松动地放到上阶梯13上，由此，得出闭合的或准闭合的上处理子空间17b。
处理盒1可以拥有接插套筒（未示出），通过所述接插套筒可以分别单独地将处理气体或惰性气体总地输送给处理空间17或处理子空间17a、17b。
如开头所述的，在薄层太阳能模块的工业批量生产中在顺序设备中进行衬底3a、3b的处理，其中被装载的处理盒1相继地被输送给不同的处理室。如对于技术人员本身已知的，处理盒1的运送例如可以在末端辊（Stummelrollen）上进行，所述末端辊在下底部面9处支撑处理盒1。运送速度典型地为直至1m/s。
例如，装载有衬底3a、3b的处理盒1首先被运入到引入室中，从那里开始所述处理盒1被运送到热处理室中用于对两个衬底3a、3b的层结构4a、4b进行RTP热处理。在RTP热处理时，衬底3a、3b例如通过热辐射器以1℃/s至50℃/s的加热速度被加热到例如350℃至800℃的温度。例如在此，由铜、铟、镓和硒组成的先驱层在含有硫的气氛中被转换成Cu(In,Ga)(S,Se)2半导体层。接着，经装载的处理盒1被运入到冷却室中用于冷却衬底3a、3b。也就是说，衬底3a、3b例如以直至50℃被冷却直至在处理技术上需要的温度、例如10℃至380℃。冷却例如可以通过冷却板进行并且通过循环气流加速，例如空气流、氩气流或氮气流。可替换地，冷却可以在无冷却板的情况下通过对流冷却或强制冷却实现。接着，经加载的处理盒1从冷却室被运入到引出室中，从那里开始衬底3a、3b可以被输送给进一步的处理装置。可以理解，这种顺序设备的结构与用于制造薄层太阳能模块的特殊要求有关，其中尤其是可以设置另外的加温室和/或冷却室以及冷却段。同样必要时可以放弃引入室和/或引出室。
处理盒1能够实现顺序设备的批量供应，其中可以在不同的处理室中同时处理经加载的处理盒。尤其是，衬底3a、3b可以在冷却室中被冷却，而其他衬底3a、3b在热处理室中经受RTP热处理。
在图2中示出了图1的处理盒1的变型方案。为了避免不必要的重复，仅仅示出与图1的处理盒的差异并且在其他方面参照对图1的陈述。因此，处理盒1如下不同：由底部5、框架6和中间元件7组成的开放的处理载体2在顺序设备之外或在处理室之外被组装并且被装载有衬底3a、3b。才在相应的处理室中使处理盒1完善。
如在图2中所示，为此目的，盖8在热处理室29中静止地（位置固定地）布置。盖8可以通过未更详细示出的运动机械装置21在其垂直位置上被调节，以便被递送给开放的处理载体2，其中盖8松动地被放置到上阶梯13上。因此，才在热处理室29中构造处理空间17。该变型方案具有优点：总是可以使用相同的盖8相继地用于多个经装载的处理载体2，使得不必对于每个处理盒1设置单独的盖8。由此可以在批量生产中节省成本。该变型方案此外具有优点：相同的盖8不必持续地被加热和冷却并且从而可以节省能量成本。开放的处理载体2与静止的盖8和运动机械装置21共同地形成用于处理衬底3a、3b的装置，所述装置在图2中总地用附图标记28表示。
在图3中示出了图1的处理盒1的另一变型方案，其中又仅仅阐述了与图1的处理盒1的差异并且在其他方面参照在那里的陈述。
因此，框架6不包括用于放置中间元件7的下阶梯12，而是仅仅包括用于放置盖8的上阶梯13。代替下阶梯12设置间隔保持件22、24，所述间隔保持件分别以闭合的框架形式来构造。因此，松动地放置到上底部面10上的第一间隔保持件22的上侧用作用于中间元件7的第一支承面23。另一方面，与第一间隔保持件22不同地松动地放置到下衬底3a的上侧上的另一位于内部的第二间隔保持件24的上侧用作用于中间元件7的第二支承面25。因为用于制造薄层太阳能模块的被涂层的衬底3a、3b一般拥有无涂层的或者至少不作为光学活性面设置的边缘区14，所以有利的是，第二间隔保持件24在该无涂层的边缘区38的区域中支撑在下衬底3a处，使得不通过第二间隔保持件24引起功率减小。
例如以以下方式进行处理盒1的组装和装载，即首先将框架6松动地放置到上底部面10上。接着在框架6内将第一衬底3a以其下衬底面19a松动地放置到上底部面10上。然后，将两个框架式间隔保持件22、24置于位置，其中第一间隔保持件22松动地被放置到上底部面10上并且第二间隔保持件24松动地被放置到下衬底3a上。接着，将中间元件7松动地放到两个支承面23、25上，由此使下处理子空间17a完整。然后，将第二衬底3b以其下衬底面19b松动地放置到上中间面16上。最后，将盖8松动地放置到上阶梯13上，由此使上处理子空间17b完整。处理盒1因此可以以简单的、可靠的和成本低的方式自动化地被组装和装载。
同样可能的是，与图2对应地，仅仅开放的处理载体2以前述方式在顺序设备或处理室之外被安装和装载，所述开放的处理载体由底部5、框架6和中间元件7组成或由底部5和中间元件7组成。在该情况下，在处理室中静止地布置的盖8被递送给处理载体2用于完成处理盒1。可替换地，也可能的是，在处理室中，静止地布置的盖8以及框架6被递送给处理载体2。有利地，为此目的，盖8与框架6固定地连接。因此，可以不为每个处理盒1设置单独的盖8以及必要时单独的框架6。
根据本发明的处理盒1能够实现在单侧被涂层的衬底3a、3b的处理，其中处理盒1或者开放的处理载体2可以在处理室之外自动地被安装和被装载有衬底3a、3b。通过整面地支持两个衬底3a、3b，可以以特别有利的方式避免通过重力引起的衬底弯曲。尤其是在典型地在玻璃软化点之上进行的RTP热处理情况下，可以通过这种方式可靠地和安全地避免玻璃衬底3a、3b的弯曲。此外，两个衬底3a、3b的层结构4a、4b既不必在处理之前、也不必在处理期间或者在处理之后被碰触，从而可以避免机械损坏。尤其是，两个衬底3a、3b的位置对于处理不必被改变，例如通过旋转衬底3a、3b，从而大大简化自动化的处理。处理盒1的处理空间17可以以特别有利的方式至少近似对称地被划分成两个处理子空间17a、17b，使得两个衬底3a、3b可以利用相同的处理气氛被处理。此外，可以如此控制对处理盒1的上侧和下侧的供热，使得在两个衬底3a、3b内存在尽可能均匀的热量分布。这鉴于在RTP热处理时前驱材料至吸收体的受控转化是期望的。处理盒1因此支持以高品质要求或质量要求对用于薄层太阳能模块的被涂层的衬底的制造。
本发明的其他特征从以下描述中得出：
用于处理在单侧被涂层的衬底的可运送的处理盒，包括：用于优选以整面支持的方式安放第一衬底的底部，其中底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理；用于将底部与盖进行连接的框架；用于优选以整面支持的方式安放第二衬底的中间元件；盖，所述盖被放置到框架上并且被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理。
在处理盒的一种构型情况下，处理空间（单独地）通过中间元件被划分成用于处理第一衬底的第一处理子空间和用于处理第二衬底的第二处理子空间。在处理盒的另一构型情况下，中间元件被放置到框架上。在处理盒的另一构型情况下，中间元件被放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上。在处理盒的另一构型情况下，第二间隔保持件支撑在第一衬底的无涂层的边缘区中。在处理盒的另一构型情况下，框架被放置到底部上。处理盒的构型可以任意地相互组合。
用于处理在单侧被涂层的衬底的处理盒用的可运送的处理载体，包括：用于优选地以整面支持的方式安放第一衬底的底部，其中底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理；用于将底部与盖进行连接的框架，其中所述框架被构造为使得可以放置盖；用于优选以整面支持的方式安放第二衬底的中间元件，其中中间元件被放置到框架上。
用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的装置，包括：如前述的可运送的处理载体；用于放置到处理载体的框架上以形成处理盒的在处理室中静止地布置的盖，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理；用于使盖和/或处理载体运动的运动机械装置，其中该运动机械装置被构造为使得盖可以被放置到框架上。
用于处理在单侧被涂层的衬底的处理盒用的可运送的处理载体，包括：用于优选地以整面支持的方式安放第一衬底的底部，其中底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理；用于优选以整面支持的方式安放第二衬底的中间元件，其中中间元件被放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上。
用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的装置，包括：如紧接在前所述的可运送的处理载体；在处理室中静止地布置的、具有固定在其处的框架的盖，所述框架用于连接底部和盖以形成处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理；用于使具有框架的盖和/或处理载体运动的运动机械装置，其中该运动机械装置被构造为使得框架可以被放置到底部上。
用于在可运送的处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的方法，具有以下步骤：a)通过以下方式安装和装载处理盒，即提供底部，通过所述底部可以优选整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理，将框架放置到底部上用于将底部与盖连接，必要时将第一衬底安放到底部上，布置中间元件，通过所述中间元件可以优选整面支持第二衬底，必要时将第二衬底安放到中间元件上，将盖放置到框架上用于构造处理盒，其中盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理；b)将处理盒运送到具有热辐射器的热处理室中；c)将辐射输送给底部的下侧和/或将辐射输送给盖的上侧用于对衬底的涂层进行热处理。在该方法的一种构型情况下，将中间元件放置到框架上。在该方法的另一构型情况下，将中间元件放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上。该方法的构型可以任意地相互组合。
用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的方法，具有以下步骤：a)通过以下方式安装和装载可运送的处理载体，即提供底部，通过所述底部可以优选整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理，将框架放置到底部上用于将底部与盖连接，必要时将第一衬底安放到底部上，将中间元件放置到框架上，通过所述中间元件可以优选整面支持第二衬底，必要时将第二衬底安放到中间元件上；b)将处理载体运送到具有热辐射器的热处理室中；c)将在热处理室中静止布置的盖放置到框架上用于构造处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理；d)将辐射输送给底部的下侧和/或将辐射输送给盖的上侧用于对衬底的涂层进行热处理。
用于在处理盒中处理在单侧被涂层的衬底的方法，具有以下步骤：a)通过以下方式安装和装载可运送的处理载体，即提供底部，通过所述底部可以优选整面支持第一衬底并且所述底部被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给底部的下侧的辐射被热处理，必要时将第一衬底安放到底部上，将中间元件放置到支撑在底部上的第一间隔保持件和/或支撑在第一衬底上的第二间隔保持件上，通过所述中间元件可以优选整面支持第二衬底，必要时将第二衬底安放到中间元件上；b)将经装载的处理载体运送到具有热辐射器的热处理室中；c)将在热处理室中静止布置的、与盖固定连接的框架放置到底部上用于构造处理盒，其中所述盖被构造为使得衬底的涂层可以通过被输送给盖的上侧的辐射被热处理；d)将辐射输送给底部的下侧和/或将辐射输送给盖的上侧用于对衬底的涂层进行热处理。
附图标记列表
1 处理盒
2 处理载体
3a、3b 衬底
4a、4b 层结构
5 底部
6 框架
7 中间元件
8 盖
9 下底部面
10 上底部面
11 边缘区域
12 下阶梯
13 上阶梯
14 边缘区
15 下中间面
16 上中间面
17 处理空间
17a、17b 处理子空间
19a、19b 下衬底面
20a、20b 上衬底面
21 运动机械装置
22 第一间隔保持件
23 第一支承面
24 第二间隔保持件
25 第二支承面
26 下盖面
27 上盖面
28 装置
29 热处理室
30 热辐射器。

Claims (11)

1.用于处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的可运送的处理盒（1），包括：
底部（5），所述底部被构造为使得第一衬底（3a）能够利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，并且衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理，
用于将底部（5）与盖（8）连接的框架（6），
中间元件（7），所述中间元件被构造为使得第二衬底（3b）能够利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，
盖（8），所述盖被放置到框架（6）上并且被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射被热处理，其中通过底部（5）、盖（8）和框架（6）构成用于处理衬底（3a，3b）的处理空间（17）。
2.根据权利要求1所述的处理盒（1），其中所述中间元件（7）松动地被放置到由框架（6）形成的阶梯（12）上，其中所述中间元件（7）将处理空间（17）划分成用于处理第一衬底（3a）的第一处理子空间（17a）和用于处理第二衬底（3b）的第二处理子空间（17b）。
3.根据权利要求1所述的处理盒（1），其中所述中间元件（7）松动地被放置到支撑在底部（5）上的第一间隔保持件（22）和/或支撑在第一衬底（3a）上的第二间隔保持件（24）上，其中所述中间元件（7）被构造为使得所述中间元件（7）与第一间隔保持件（22）或第二间隔保持件（24）共同地将所述处理空间（17）划分成用于处理第一衬底（3a）的第一处理子空间（17a）和用于处理第二衬底（3b）的第二处理子空间（17b）。
4.根据权利要求3所述的处理盒（1），其中第二间隔保持件（24）支撑在第一衬底（3a）的无涂层的边缘区（14）中。
5.根据权利要求1至4之一所述的处理盒（1），其中所述框架（6）松动地被放置到底部（5）上。
6.用于在根据权利要求1至5之一所述的可运送的处理盒（1）中处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的方法，具有以下步骤：
a)通过以下方式来安装和装载处理盒（1），即
-提供底部（5），通过所述底部能够在未被涂层的衬底侧上整面支持第一衬底（3a）并且所述底部被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理，
-将框架（6）松动地放置到底部（5）上用于将底部（5）与盖（8）连接，
-必要时将第一衬底（3a）安放到底部（5）上，
-布置中间元件（7），通过所述中间元件能够在未被涂层的衬底侧上整面支持第二衬底（3b），
-必要时将第二衬底（3a）安放到中间元件（7）上，
-将盖（8）放置到框架（6）上用于构造处理盒（1），其中所述盖（8）被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射被热处理，
b)将处理盒（1）运送到具有热辐射器（30）的热处理室（29）中，
c)将辐射输送给底部（5）的下侧（9）和/或将辐射输送给盖（8）的上侧（27）用于对衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）进行热处理。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在第一替换方案情况下，将中间元件（7）松动地放置到由框架（6）形成的阶梯（12）上，或者在第二替换方案情况下，将中间元件（7）松动地放置到支撑在底部（5）上的第一间隔保持件（22）和/或支撑在第一衬底（3a）上的第二间隔保持件（24）上。
8.用于在处理盒（1）中处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的装置（28），包括：
可运送的处理载体（2），所述处理载体（2）具有底部（5），所述底部被构造为使得第一衬底（3a）能够利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，并且衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理；框架（6），所述框架被构造为使得所述框架将底部（5）与盖（8）连接并且所述盖（8）能够松动地被放置到框架上；中间元件（7），所述中间元件被构造为使得第二衬底（3b）能够利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，其中所述中间元件松动地被放置到框架（6）的阶梯（12）上；在处理室（29）中静止地布置的盖（8），其用于松动地放置到处理载体（2）的框架（6）上用以形成处理盒（1），其中所述盖（8）被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射被热处理，
用于使盖（8）和/或处理载体（2）运动的运动机械装置（21），其中该运动机械装置被构造为使得盖（8）能够被放置到框架（6）上。
9.用于在根据权利要求8所述的装置（28）中处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的方法，具有以下步骤：
a)通过以下方式来安装和装载可运送的处理载体（2），即
-在第一替换方案情况下：提供底部（5），通过所述底部能够利用未被涂层的衬底侧整面支持第一衬底（3a）并且所述底部被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理，并且将框架（6）松动地放置到底部（5）上用于将底部（5）与盖（8）连接，或者在第二替换方案情况下：提供底部（5），通过所述底部能够整面支持第一衬底（3a）并且所述底部被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理，其中底部（5）与框架（6）固定地连接，所述框架用于将底部（5）与盖（8）连接，
-必要时将第一衬底（3a）安放到底部（5）上，
-在第一替换方案情况下，将中间元件（7）松动地放置到由框架（6）形成的阶梯（12）上，通过所述中间元件能够利用未被涂层的衬底侧整面支持第二衬底（3b），或者在第二替换方案情况下，将中间元件（7）松动地放置到支撑在底部（5）上的第一间隔保持件（22）和/或支撑在第一衬底（3a）上的第二间隔保持件（24）上，
-必要时将第二衬底（3b）安放到中间元件（7）上，
b)将处理载体（2）运送到具有热辐射器（30）的热处理室（29）中，
c)将在热处理室（30）中静止地布置的盖（8）松动地放置到框架（6）上用于构造处理盒（1），其中所述盖（8）被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射被热处理，
d)将辐射输送给底部（5）的下侧（9）和/或将辐射输送给盖（8）的上侧（27）用于对衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）进行热处理。
10.用于在处理盒（1）中处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的装置，包括：
可运送的处理载体（2），其具有底部（5），所述底部被构造为使得第一衬底（3a）能够利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，并且衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理；中间元件（7），所述中间元件被构造为使得第二衬底（3b）能利用未被涂层的衬底侧以整面支持的方式被安放，其中所述中间元件（7）松动地被放置到支撑在底部（5）上的第一间隔保持件（22）和/或松动地被放置到支撑在第一衬底（3a）上的第二间隔保持件（24）上；在处理室（29）中静止地布置的、具有被固定在其处的框架（6）的盖（8），所述框架用于连接底部（5）和盖（8）用以形成处理盒（1），其中所述盖（8）被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射能量被热处理，
用于使具有框架（6）的盖（8）和/或处理载体（2）运动的运动机械装置（21），该运动机械装置被构造为使得框架（6）能够松动地被放置到底部（5）上。
11.用于在根据权利要求10所述的装置（28）中处理在单侧被涂层的衬底（3a，3b）的方法，具有以下步骤：
a)通过以下方式安装和装载可运送的处理载体（2），即
-提供底部（5），通过所述底部能够利用未被涂层的衬底侧整面支持第一衬底（3a）并且所述底部被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给底部（5）的下侧（9）的辐射被热处理，
-必要时将第一衬底（3a）安放到底部（5）上，
-将中间元件（7）放置到支撑在底部（5）上的第一间隔保持件（22）和/或支撑在第一衬底（3a）上的第二间隔保持件（24）上，通过所述中间元件能够利用未被涂层的衬底侧整面支持第二衬底（3b），
-必要时将第二衬底（3b）安放到中间元件（7）上，
b)将经装载的处理载体（2）运送到具有热辐射器（30）的热处理室（29）中，
c)将在热处理室（29）中静止布置的、与盖（8）固定连接的框架（6）松动地放置到底部（5）上用于构造处理盒（1），其中所述盖（8）被构造为使得衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）能够通过被输送给盖（8）的上侧（27）的辐射被热处理，
d)将辐射输送给底部（5）的下侧（9）和/或将辐射输送给盖（8）的上侧（27）用于对衬底（3a，3b）的涂层（4a，4b）进行热处理。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen
JP5933837B2 (ja) * 2012-07-09 2016-06-15 サン−ゴバン グラス フランスＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｇｌａｓｓ Ｆｒａｎｃｅ 基板を処理するためのシステムと方法
HUE054704T2 (hu) * 2018-12-06 2021-09-28 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Csomagolási egység szubsztrátok számára
EP3664130B1 (de) * 2018-12-06 2022-02-02 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verpackungseinheit für ein substrat
WO2023245550A1 (en) * 2022-06-23 2023-12-28 Cnbm Research Institute For Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Energy-saving heat treatment device for metal substrate in corrosive gas

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW300327B (zh) * 1995-03-13 1997-03-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5674786A (en) * 1993-01-28 1997-10-07 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area glass substrates
CN1483218A (zh) * 2000-12-29 2004-03-17 应用材料有限公司 用于均匀加热衬底的腔室
CN102165607A (zh) * 2008-05-08 2011-08-24 法国圣戈班玻璃厂有限公司 用于在处理腔中对物体进行退火的装置和方法
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06818Y2 (ja) * 1989-09-21 1994-01-05 日本エー・エス・エム株式会社 Ｃｖｄ装置のための基板支持装置
EP0662247B1 (de) 1992-09-22 1999-03-10 Siemens Aktiengesellschaft Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat
DE4324318C1 (de) 1993-07-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zur Serienverschaltung einer integrierten Dünnfilmsolarzellenanordnung
US5837555A (en) * 1996-04-12 1998-11-17 Ast Electronik Apparatus and method for rapid thermal processing
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
US20050188923A1 (en) * 1997-08-11 2005-09-01 Cook Robert C. Substrate carrier for parallel wafer processing reactor
WO2004032593A2 (de) 2002-10-07 2004-04-22 Schott Ag Dünnstsubstratträger
JP4860167B2 (ja) * 2005-03-30 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置，処理システム及び処理方法
JP4619854B2 (ja) * 2005-04-18 2011-01-26 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び処理方法
EP1739213B1 (de) * 2005-07-01 2011-04-13 Freiberger Compound Materials GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
KR20100108364A (ko) * 2007-12-20 2010-10-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 이송 모듈 상의 하나의 단일한 면을 사용하는 엇갈린 이중 처리 챔버
EP2200097A1 (en) 2008-12-16 2010-06-23 Saint-Gobain Glass France S.A. Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
JP5543125B2 (ja) * 2009-04-08 2014-07-09 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5507274B2 (ja) * 2010-01-29 2014-05-28 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理方法および熱処理装置
EP2360721A1 (de) 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen
US9076742B2 (en) * 2010-11-05 2015-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Oxidation annealing device and method for fabricating thin film transistor using oxidation annealing
KR102068186B1 (ko) * 2012-02-29 2020-02-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로드 록 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674786A (en) * 1993-01-28 1997-10-07 Applied Materials, Inc. Method of heating and cooling large area glass substrates
TW300327B (zh) * 1995-03-13 1997-03-11 Tokyo Electron Co Ltd
CN1483218A (zh) * 2000-12-29 2004-03-17 应用材料有限公司 用于均匀加热衬底的腔室
CN102165607A (zh) * 2008-05-08 2011-08-24 法国圣戈班玻璃厂有限公司 用于在处理腔中对物体进行退火的装置和方法
EP2360720A1 (de) * 2010-02-23 2011-08-24 Saint-Gobain Glass France Vorrichtung zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen, Anordnungen, insbesondere Mehrschichtkörperanordnungen, Anlage zum Prozessieren, insbesondere zum Selenisieren, von Gegenständen, Verfahren zum Positionieren von mindestens zwei Gegenständen

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