TWI557827B - 基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及基板運送裝置 - Google Patents

基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及基板運送裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI557827B
TWI557827B TW101106521A TW101106521A TWI557827B TW I557827 B TWI557827 B TW I557827B TW 101106521 A TW101106521 A TW 101106521A TW 101106521 A TW101106521 A TW 101106521A TW I557827 B TWI557827 B TW I557827B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
fork
wafer
spacer member
disposed
Prior art date
Application number
TW101106521A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201306149A (zh
Inventor
山岸大祐
小山勝彥
佐藤正孝
竹內靖
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201306149A publication Critical patent/TW201306149A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI557827B publication Critical patent/TWI557827B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H01L21/67309—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements characterized by the substrate support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記 錄媒體、及基板運送裝置 【相關申請案之交互參照】
本申請案乃基於並主張2011年3月8日申請之日本專利申請案第2011-050747號的優先權之利益，該案整體內容係併於此作為參考。
本發明係關於用以運送基板的基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及用以運送基板的基板運送裝置。
在製造半導體裝置時，舉例而言，乃使用各種處理設備以使如半導體晶圓的待處理之基板(下文亦稱作「基板」)進行如氧化、擴散、化學氣相沉積(CVD)等的處理。作為此等處理設備其中之一的膜沉積設備係因其由一垂直熱處理設備所形成而為人所知，該垂直熱處理設備可一次對複數個待處理基板執行熱處理。
膜沉積設備包含晶舟、升降機構、及傳送機構(基板運送裝置)。晶舟為一用以被載入及載出膜沉積腔室的基板夾持器，該基板夾持器並同時在垂直方向上以預定夾持間距夾持複數基板。升降機構係設置於膜沉積腔室下方所形成的裝載區域中。升降機構在膜沉積腔室及裝載區域之間，藉由將蓋體(其上設置晶舟)上下移動而將晶舟移上移下，該蓋體將膜沉積腔室之開口關閉。傳送機構在被載出至裝載區域的晶舟及用以容納複數基板的容器之間傳送基板。
使用此種膜沉積設備的膜沉積方法包含在基板表面上沉積聚亞醯胺膜的方法。沉積在基板之表面上的聚亞醯胺膜可用以作為半導體裝置中的絕緣膜。例如，已知一種沉積聚亞醯胺膜的典型方法，於其中係使用苯均四酸二酐(PMDA，pyromellitic dianhydride) 以及4,4'-二氨基二苯醚(ODA，4,4'-oxydianiline)來作為來源材料單體，並具藉由PMDA與ODA的氣相沉積聚合來形成聚亞醯胺膜。
在此種膜沉積設備中，為了增加晶舟中可載入的基板數量，晶舟可在垂直方向上以預定夾持間距夾持層狀體，該層狀體各具有兩個堆疊成層的基板，並在彼此相對之兩基板各自底面之間設有一間隔構件。(請見，例如日本公開專利申請案第2009-81259號)。
再者，在用以容納基板的容器及基板夾持部件之間運送基板之過程中，有以制動器構件及夾持部件夾持基板的基板運送裝置(請見，例如日本公開專利申請案第2009-99918號)。依據日本公開專利申請案第2009-99918號之基板運送裝置，制動器構件係設置於叉件之遠端以接觸基板之周圍，而夾持部件則設置於叉件之近端側上而可來回移動、且係藉由將基板朝向制動器構件推壓而夾持基板。
依據本發明之一實施例，說明一種基板運送方法，其運送具有堆疊成層的第一基板及第二基板之層狀體，其中並具有間隔構件設置於第一基板及第二基板之彼此相對的各自底面之間，該基板運送方法的步驟包含：使用第一夾持機構自第一基板之底面下方來夾持第一基板，以接收容置於容納部件中的第一基板，該第一夾持機構乃設置於第二叉上方的第一叉之一側上，再將第一叉反轉而使所接收之第一基板放置於第二叉上；使用第二夾持機構自間隔構件上方來夾持間隔構件，以接收夾持於基板夾持部件中的間隔構件，該第二夾持機構乃設置於與第一夾持機構相同的第一叉之同一側上，並將所接收之間隔構件放置於第二叉上所放置的第一基板上；及使用第一夾持機構，以自第二基板之頂面上方夾持容置於容納部件中的第二基板，並將所接收之第二基板放置於第二叉上方所放置的間隔構件上。
依據本發明之另一實施例，說明一非暫態電腦可讀記錄媒體，其上紀錄有可執行程式，該程式係指示電腦處理器執行如上 述的基板運送方法。
依據本發明之另一實施例，基板運送裝置包含：第一叉，其設置係用以移向及遠離基板夾持部件並傳送層狀體進出該基板夾持部件，該層狀體具有堆疊成層的兩基板，並在該兩基板之彼此相對的各自底面之間設有一間隔構件；第二叉，設置於第一叉上方，該第二叉的設置係用以：移向及遠離容置基板的容納部件及基板夾持部件兩者之各者、反轉、在容納部件及第一叉之間逐次傳送基板、及在基板夾持部件及第一叉之間傳送間隔構件；第一夾持機構，設置於該第二叉之一側上，並用以自基板上方或下方逐個夾持基板；及第二夾持機構，設置於與第一夾持機構相同的第二叉之同一側上，並用以自間隔構件上方夾持間隔構件。
本發明之目標及優點將藉由申請專利範圍中所特別指出的元件及組合加以實現及達成。
應明瞭前述一般性描述內容及後續詳細描述內容，兩者均為例示性及說明性，且並未限制所主張的發明。
然而，如上述之具有用以夾持層狀體之晶舟的膜沉積設備中所設置的傳送機構，亦即基板運送裝置，乃具有如下問題。
其係假定當沒有執行膜沉積處理時，間隔構件係被容置於設置在膜沉積設備之外的容器中，而基板被容置於基板容器中。在此情況下，用以使基板容器與膜沉積設備內部連通的連接開口其中之一乃連接至間隔構件容器，使得待連接至基板容器的連接開口之數量減少。這在切換基板容器及運送基板過程中產生等待時間，因此導致更長的運送時間。
舉例而言，令第一基板容器與膜沉積設備內部連通，而於基板傳送後，切斷第一基板容器及膜沉積設備內部之間的連通。然後，第一基板容器被下一個基板容器取代，且令該下一個的基板容器與膜沉積設備內部連通，以傳送基板。此時，在切斷第一基板容器及膜沉積設備內部之間的連通後，於該下一個的基板容器 與膜沉積設備內部連通以使基板準備用於運送之前，產生一等待時間，因此導致更長之運送時間。
依據本發明之一實施態樣，提供一種基板運送方法及基板運送裝置，在運送層狀體進出基板夾持部件時，減少運送時間，其中該每一層狀體均具有兩個堆疊成層的基板，並在彼此相對之兩基板各自底面之間設有一間隔構件。
依據本發明之一實施態樣，在運送層狀體進出基板夾持部件時，可減少運送時間，其中層狀體之各者具有兩個堆疊成層的基板，並在彼此相對之兩基板各自底面之間設有一間隔構件。
其次，參考隨附圖式，描述本發明之一實施例。
首先，參考圖1至圖7，描述依據本發明之實施例的膜沉積設備。
依據本實施例的膜沉積設備包含依據本發明之一實施例的基板運送裝置，且為膜沉積設備之應用，該膜沉積設備係配置成於批次處理中在待處理之複數基板(之後稱作「基板」或「晶圓W」)上沉積膜。
依據本實施例的膜沉積設備可應用至一膜沉積設備，其設置係用以在夾持於膜沉積腔室中的基板上沉積一聚亞醯胺膜，其係藉由對基板供應第一原料氣體(例如苯均四酸二酐(pryomellitic dianhydride，以下縮寫為「PMDA」))及第二原料氣體(例如氣相4,4’-二胺基二苯醚(4,4’-oxydianiline，以下縮寫為「ODA」))來進行沉積。
圖1為依據本實施例的膜沉積設備10之示意縱剖面圖。圖2為裝載區域20之示意立體圖。圖3為顯示當先前批次(第一批次)之晶圓W在膜沉積腔室40中受到膜沉積處理時、後續批次(第二批次)之晶圓W的狀態之示意圖。圖4為晶舟24之立體圖。圖5為裝載有雙基板單元36的晶舟24之剖面圖。圖6為間隔構件35之示意俯視圖。圖7為膜沉積腔室40及其鄰近區域之部分放大的剖面圖。
如圖1中所示，膜沉積設備10包含配置台(裝載埠)12、外殼 18、及控制部件50。
配置台12係設置於外殼18之正面上。外殼18包含裝載區域(工作區域)20及膜沉積腔室40。裝載區域20係設置於外殼18之下部中。膜沉積腔室40係設置於外殼18中的裝載區域20上方。再者，底板19係設置於裝載區域20及膜沉積腔室40之間。
底板19為例如不鏽鋼底板，用以設置膜沉積腔室40之反應管41。開口(圖未示)係形成於底板19中，以允許反應管41自底部向上插入。
配置台12係用以將晶圓W載入及載出外殼18。容器13及14係設置於配置台12上。亦即，容器13及14係設置於外殼18之外。容器13及14為可關閉容器(前開式晶圓盒(front opening unified pods或FOUPs))，其在正面上具有可分開蓋(圖未示)、且以預定間距容置複數例如約50個晶圓。
容器13及14可對應至依據本發明之一實施態樣的容納部件。
再者，對準單元(對準器)15可被設置於配置台12下方，其中對準單元(對準器)15的配置係用以將設置於晶圓W之周圍中的凹口對準成單一方向，且該等晶圓W係藉由傳送機構27所傳送。對準單元15亦可於外殼18中將間隔構件35以相同的旋轉角度對準。對準單元15可對應至依據本發明之一實施態樣的對準機構。
裝載區域20為工作區域，用以在容器13及晶舟24之間傳送晶圓W、將晶舟24載入(裝載)膜沉積腔室40、及自膜沉積腔室40將晶舟24載出(卸載)。門機構21、擋門機構22、蓋體23、晶舟24、基座25a及25b、升降機構26(見圖2)、及傳送機構27係設置於裝載區域20中。
蓋體23及晶舟24可對應至依據本發明之一實施態樣的基板夾持部件。再者，傳送機構27可對應至依據本發明之一實施態樣的基板運送裝置。
門機構21的配置係用以移除容器13及14之蓋，進而使容器13及14與裝載區域20之內部連通，並對裝載區域20之內部敞開。
擋門機構22係設置於裝載區域20之上部中。擋門機構22係 設置成便於在開啟蓋體23時，覆蓋(或關閉)膜沉積腔室40之開口43，來控制或預防高溫下之膜沉積腔室40內部的熱，經由開口43釋出至裝載區域20。
蓋體23包含絕熱管28及旋轉機構29。絕熱管28係設置於蓋體23上。絕熱管28預防晶舟24經由與蓋體23之熱傳而冷卻，且維持晶舟24中的熱。旋轉機構29係附接至蓋體23之底部。旋轉機構29使晶舟24旋轉。旋轉機構29之旋轉軸係設置成便於以密封方式通過蓋體23，來使設置於蓋體23上的旋轉台(圖未示)旋轉。
上述使間隔構件35以相同旋轉角度對準的對準機構並未侷限於對準單元15。舉例而言，包含光發射元件及光接收元件的感測器可被設置於晶舟24周圍，且可將用以使間隔構件35以相同旋轉角度對準的對準記號形成於間隔構件35上。然後，當間隔構件35被夾持於晶舟24中時，間隔構件35可使用如下方式對準：使用感測器及對準記號，藉由旋轉機構29使晶舟24旋轉若干角度。
當晶舟24係自裝載區域20載入膜沉積腔室40及載出膜沉積腔室40至裝載區域20時，升降機構26驅動蓋體23上下移動。蓋體23係設置成當蓋體23(藉由升降機構26向上移動)已被載入膜沉積腔室40時，與開口43接觸以密封地關閉開口43。設置於蓋體23上的晶舟24可於膜沉積腔室40中夾持晶圓W，俾利允許晶圓W在水平面上旋轉。
膜沉積設備10可具有複數晶舟24。在本實施例中，以下係參考圖2而描述膜沉積設備10之包含二晶舟24a及24b的情況。當沒有必要特別做出晶舟24a及24b之間的區別時，亦可總稱為「晶舟24」。
晶舟24a及24b係設置於裝載區域20中。基座25a及25b和晶舟運送機構25c係設置於裝載區域20中。基座25a及25b為配置台，晶舟24a及24b分別自蓋體23傳送至該等配置台上。晶舟運送機構25c分別將晶舟24a及24b自蓋體23傳送至基座25a及25b。
如圖3中所示，當已將裝載有先前批次(第一批次)之晶圓W的晶舟24a載入膜沉積腔室40且受到膜沉積處理時，可將後續批次(第二批次)之晶圓W自容器13傳送至裝載區域20中的晶舟24b。此允許在先前批次(第一批次)之晶圓W上沉積膜的步驟完成之後，裝載有後續批次(第二批次)之晶圓W的晶舟24b，緊接在使晶舟24a載出膜沉積腔室40後，被載入膜沉積腔室40。因此，可減少用於膜沉積處理的時間(產距時間，tact time)並減少製造成本。
晶舟24a及24b係由例如石英所製成，並配置成使晶圓W(例如直徑300mm的大型者)在垂直方向上以預定間距(以預定節距寬度)裝載於水平方位上。舉例而言，如圖4中所示，晶舟24a及24b具有設置於頂板30及底板31之間的複數個柱支持件32(例如三個)。柱支持件32乃設有用以夾持晶圓W的爪形部件33。再者，輔助柱34可適當地與柱支持件32共同設置。
晶舟24a及24b可在垂直方向上以預定間距夾持複數雙基板單元36，該雙基板單元36各者具有兩個堆疊成層的基板W，其中並設有間隔構件於兩個基板之彼此相對的各自底面之間。晶舟24a及24b可在爪形部件33上夾持複數雙基板單元36，並可在不夾持雙基板單元36時、夾持間隔構件35來代替雙基板單元36。亦即，當晶圓W未受到膜沉積處理時，晶舟24a及24b乃用以在外殼18中容置間隔構件35。
在本實施例中，以下描述雙基板單元36之各者具有兩個堆疊成層的晶圓W、且其中並具有環形間隔構件35設置於兩個晶圓W之間的情況。
雙基板單元36可對應至依據本發明之一實施態樣的層狀體。
如圖5中所示，爪形部件33之各者具有底部33a及側壁部33b，並具有與晶舟24a(24b)之環向垂直的L形縱剖面。關於雙基板單元36之各者，下側晶圓W1之周圍部分受到對應之爪形部件33的底部33a所支持，其中下側晶圓W1之底面Wb面朝上(即頂面Wa面朝下)。間隔構件35係堆置於下側晶圓W1上，其頂面 Wa之周圍部分係支持於底部33a上。上側晶圓W2係支持於間隔構件35上，其中上側晶圓W2之底面Wb面朝下(即頂面Wa面朝上)。側壁部33b的設置係靠近雙基板單元36的下側晶圓W1、間隔構件35、及上側晶圓W2三者之側面，並預防雙基板單元36之水平位移。
下側晶圓W1可對應至依據本發明之一實施態樣的第一基板，且上側晶圓W2可對應至依據本發明之一實施態樣的第二基板。
除了個別晶圓之外，藉由結合複數晶圓所形成的結合晶圓亦可被用作晶圓W。例如具有0.75mm至1.2mm之厚度的晶圓(包含該等各種晶圓)可被使用。
如圖5及圖6中所示，間隔構件35具有環形，該環形具有實質上等於晶圓W之外徑的外徑及稍微小於晶圓W之外徑的內徑。在膜沉積腔室40中的膜沉積處理當下，間隔構件35分別使其環形部受夾於對應之下側及上側晶圓W1及W2的周圍部分之間，晶圓W1及W2為兩個具有彼此相對之各自底面的晶圓W。如此可預防來源氣體進入兩個具有彼此相對之各自底面的晶圓W之間的間隙並在晶圓W1及W2之底面上沉積膜。間隔構件35可由例如SiC、矽、或石英所製成。
如圖6中所示，間隔構件35包含刻痕部35a及35b。如以下使用圖11A至11C所述，刻痕部35a係如此設置為當間隔構件35受到第二夾持機構62所支持時，可預防間隔構件35干擾第一夾持機構61之第一爪形部件61a。再者，刻痕部35b係如此設置成當間隔構件35受到第二夾持機構62所支持時，可預防間隔構件35干擾第一夾持機構61之第一推壓部件61b。
刻痕部35a及35b亦可用作上述對準記號。可將爪形部件33設置成對應至形成刻痕部35a及35b的位置、且具有沿間隔構件35之環向逐漸變細的錐形部。間隔構件35可與刻痕部35a及35b以相同旋轉角度對準，其中刻痕部35a及35b受到爪形部件33所夾持、同時接合錐形部。
如圖5中所示，假定晶圓W之各者的厚度為Wt，雙基板單元36之各者的整體厚度為Pa，且夾持雙基板單元36的垂直間距、亦即垂直相鄰爪形部件33之間的間距為Pb。在此情況下，具有彼此相對之各自底面的二垂直相鄰晶圓W之間的間距為Pa-2Wt，且具有彼此相對之各自頂面的二垂直相鄰晶圓W之間的間距為Pb-Pa。在此配置中，Pa-2Wt較佳係小於Pb-Pa。亦即，較佳而言，晶圓W係垂直受到夾持，使得具有彼此相對之各自底面的二垂直相鄰晶圓W之間的間距Pa-2Wt，小於具有彼此相對之各自頂面的二垂直相鄰晶圓W之間的間距Pb-Pa。
於此，雙基板單元36之厚度Pa可為例如3.3mm，且夾持雙基板單元36的垂直間距(垂直相鄰爪形部件33之間的間距)Pb可為例如21mm。在此情況下，具有彼此相對之各自頂面的二垂直相鄰晶圓W之間的間距Pb-Pa可為21-3.3=17.7mm。另一方面，在支持晶圓W以使得晶圓W之二者乃以21mm(也就是雙基板單元36之間的間距Pb)的相等間距加以容置的情況下，照例，若使晶圓W之厚度Wt為0.9mm，則二垂直相鄰晶圓W之間的間距為(21-0.9x2)/2=9.6，小於17.7mm。因此，藉由使用雙基板單元36來支持晶圓W，而使晶圓W之各自底面彼此相對，可增加一晶圓W之頂面Wa及另一晶圓W之頂面Wa之間的間隙，如此便可將足量來源氣體供應至晶圓W之頂面Wa上。
圖7為顯示膜沉積腔室40、進料機構44、及排出機構47的示意圖，其中膜沉積腔室40係顯示成剖面圖。
膜沉積腔室40可為垂直爐體，其係容置如薄碟形晶圓W之複數待處理基板且於待處理基板上執行如CVD之預定處理。膜沉積腔室40包含反應管41及加熱器(加熱裝置)42。
反應管41乃由例如石英所製成、具有垂直加長形狀、且具有形成於下端的開口43。加熱器42係設置成覆蓋於反應管41之周圍，且可控制加熱，而使反應管41之內部被加熱至例如100℃至1200℃的預定溫度。
進料機構44包含第一來源氣體供應部件45及第二來源氣體 供應部件46。第一來源氣體供應部件45係經由閥45b連接至注射器45c。第二來源氣體供應部件46係經由閥46b連接至注射器46c。
第一來源氣體供應部件45包含用以使例如PMDA來源材料汽化的第一汽化器45a。第一汽化器45a加熱並汽化由PMDA所形成之第一來源材料，並將由汽化所得的PMDA氣體所形成之第一來源氣體與由氮氣(N2氣體)所形成之第一載送氣體一起供入反應管41。
第二來源氣體供應部件46包含用以使例如ODA來源材料汽化的第二汽化器46a。第二汽化器46a加熱並汽化由ODA所形成之第二來源材料，並將由汽化所得的ODA氣體所形成之第二來源氣體與由氮氣(N2氣體)所形成之第二載送氣體一起供入反應管41。第二載送氣體運送由ODA氣體所形成之第二來源氣體，且亦用以使呈液態的ODA冒泡。
排出機構47包含排出裝置48及設置於膜沉積腔室40中的排出管49。排出機構47係用以自膜沉積腔室40之內部排空氣體。
開口(圖未示)係設置於注射器45c及46c之側面上，使PMDA氣體及ODA氣體(由第一來源氣體供應部件45及第二來源氣體供應部件46所分別產生)如圖7中的箭頭所示被供應至晶圓W上。所供應之PMDA氣體及ODA氣體便進行晶圓W上的氣相沉積聚合反應，使得一聚亞醯胺膜被沉積於晶圓W上。使未協助沉積聚亞醯胺膜的PMDA氣體及ODA氣體之部分經由排出管49流出，以排出至膜沉積腔室40之外。再者，晶舟24係藉由旋轉機構29被驅動旋轉，俾使聚亞醯胺膜平均沉積於晶圓W上。
控制部件50包含例如處理部件50a、儲存部件50b、及顯示部件50c，上述者均電性互連。處理部件50a為例如包含中央處理單元(CPU)的電腦。儲存部件為電腦可讀取記錄媒體，其係由例如硬碟所形成且紀錄有用以使處理部件50a執行各種處理之程式。顯示部件50c係由例如電腦螢幕(顯示器)所形成。處理部件50a讀取記錄於儲存部件50b中的程式，並依據程式將控制訊號傳送至晶舟24(基板夾持部件)、傳送機構27、進料機構44、及排出機構 47之構件，藉此執行以下待述的基板運送方法及膜沉積處理。
其次，參考圖8至圖11A而至11C，描述傳送機構27。
圖8為傳送機構27之側視圖，示意顯示傳送機構27之配置。圖9A、圖9B及9C分別為上叉54的俯視圖、二幅水平剖面圖，示意顯示上叉54自晶圓W下方支持(夾持)晶圓W的狀態。圖10A、圖10B及10C分別為上叉54的仰視圖、二幅水平剖面圖，示意顯示上叉54自晶圓W上方支持(夾持)晶圓W的狀態。圖11A、圖11B及11C分別為上叉54的俯視圖、二幅水平剖面圖，示意顯示上叉54自間隔構件35上方支持(夾持)間隔構件35的狀態。
圖9B、10B、及11B之右半部分別顯示沿圖9A、10A、及11A中的線A-A所得之剖面，且圖9B、10B、及11B之左半部分別顯示沿圖9A、10A、及11A中的線D-D所得之剖面。圖9C、10C、及11C之右半部分別顯示沿圖9A、10A、及11A中的線B-B所得之剖面，且圖9C、10C、及11C之左半部分別顯示沿圖9A、10A、及11A中的線C-C所得之剖面。
傳送機構27的配置係用以於容器13及14和晶舟24a及24b之間傳送晶圓W，並用以傳送間隔構件35進出晶舟24a及24b。傳送機構27包含基座51、升降機構52、下叉53、及上叉54。基座51係設置成可轉動。升降機構52係例如設置成可沿設置於垂直方位上的軌道52a(圖1)垂直移動(可往上及往下移動)。下叉53係設置成可相對於基座51水平及垂直移動。上叉54係設置成可相對於基座51水平移動並可反轉。
依據本發明之一實施態樣，下叉53及上叉54可分別對應至第一叉及第二叉，但依據本發明之另一實施態樣，下叉53及上叉54亦可分別對應至第二叉及第一叉。可將下叉53及上叉54設置成使得下叉53及上叉54其中之一者可相對於另一者垂直移動。因此，可讓上叉54取代下叉53而設置成可相對於基座51垂直移動。
下叉53係設置成藉由可動體55，而可移向及遠離裝載有雙基 板單元36的晶舟24a或24b，且將雙基板單元36傳入及傳出晶舟24a或24b。在另一方面，上叉54係設置成可水平移動，並藉由可動體56而可移向及遠離容置晶圓W的容器13，且將晶圓W傳入及傳出容器13。再者，上叉54係設置成藉由可動體56，而可移向及遠離容置晶圓W的容器14，且將晶圓W傳入及傳出容器14。
如圖9A中所示，上叉54具有分叉端部58。如同上叉54，下叉53亦具有分叉端部57，然而其圖示被省略。
上叉54包含第一夾持機構61、第二夾持機構62、及支持部件71。
第一夾持機構61包含兩個第一爪形部件61a及兩個第一推壓部件61b。兩個第一爪形部件61a被固定在上叉54之表面54a上，每一者在分叉端部58之各臂部上。上叉54具有兩個第一推壓部件61b，其係設置在近端60側及表面54a側上，便於可移向及遠離第一爪形部件61a。兩個第一推壓部件61b與晶圓W之周圍部分接觸，並將晶圓W朝向第一爪形部件61a推壓，使得晶圓W被夾持在第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間。該兩個第一推壓部件61b可設置成一單元。
第二夾持機構62包含兩個第二爪形部件62a及兩個第二推壓部件62b。兩個第二爪形部件62a被固定在上叉54之表面54a上，每一者在分叉端部58之各臂部上。上叉54具有兩個第二推壓部件62b，其係設置在近端60側及表面54a側上，便於可移向及遠離第二爪形部件62a。兩個第二推壓部件62b與間隔構件35之周圍部分接觸，並將間隔構件35朝向第二爪形部件62a推壓，使得間隔構件35被夾持在第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間。可將兩個第二推壓部件62b設置成一單元。
亦即，上叉54具有設置於一表面54a側上的第一夾持機構61，且第一夾持機構61係設置成在表面54a面朝下的情況下，可自晶圓W上方夾持及支持晶圓W。再者，上叉54具有第二夾持機構62，其係設置於與其上設有第一夾持機構61的表面54a相同 之側上，且第二夾持機構62係設置成在表面54a面朝下的情況下可自間隔構件35上方夾持及支持間隔構件35。換言之，第一夾持機構61及第二夾持機構62自下叉53看來乃橫跨上叉54而設置。
第一爪形部件61a及第一推壓部件61b可配置成藉由接觸晶圓W之周圍部分的至少三點來夾持晶圓W，並可設置成使得第一爪形部件61a之數量及第一推壓部件61b之數量總計大於或等於三。再者，第二爪形部件62a及第二推壓部件62b可配置成藉由接觸間隔構件35之周圍部分的至少三點來夾持間隔構件35，並可設置成使得第二爪形部件62a之數量及第二推壓部件62b之數量總計大於或等於三。
再者，第一夾持機構61包含第一向前及向後驅動部件63，其配置係用以驅動第一推壓部件61b移向及遠離第一爪形部件61a。再者，第二夾持機構62包含第二向前及向後驅動部件64，其配置係用以驅動第二推壓部件62b移向及遠離第二爪形部件62a。
可將第一推壓部件61b及第二推壓部件62b形成為一單元。此允許第一向前及向後驅動部件63(用以驅動第一推壓部件61b向前及向後移動)及第二向前及向後驅動部件64(用以驅動第二推壓部件62b向前及向後移動)被共同設置。圖8至圖11A而至11C顯示將第一推壓部件61b及第二推壓部件62b形成為一單元、且受到相同(單一)之向前及向後驅動部件63(64)所驅動的情況。
再者，第一夾持機構61可具有除了第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之外的構件，只要該等構件允許晶圓W自晶圓W上方受到夾持。再者，第二夾持機構62可具有除了第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之外的構件，只要該等構件允許間隔構件35自間隔構件35上方受到夾持。
支持部件71包含兩個接觸部71a。支持部件71為當自晶圓W下方夾持晶圓W時、晶圓W之周圍部分所被支撐之放置處。
在自晶圓W下方夾持及支持晶圓W的情況中，如圖9A及9B中所示，晶圓W被夾持於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間，以受到水平限制。再者，晶圓W之下表面與第一爪形 部件61a之底部61e接觸、並與接觸部71a接觸，使得晶圓W受到垂直支持。在另一方面，如圖9A及9C中所示，晶圓W既不與第二爪形部件62a接觸、亦不與第二推壓部件62b接觸，且不被夾持於第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間。
在自晶圓W上方夾持及支持晶圓W的情況中，如圖10A及10B中所示，晶圓W被夾持於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間，以受到水平限制。再者，晶圓W之下表面與第一爪形部件61a之凸緣部61c接觸、並與第一推壓部件61b之凸緣部61d接觸，使得晶圓W受到垂直支持。在另一方面，如圖10A及10C中所示，晶圓W既不與第二爪形部件62a接觸、亦不與第二推壓部件62b接觸，且不被夾持於第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間。
在自間隔構件35上方夾持及支持間隔構件35的情況中，如圖11A及11C中所示，間隔構件35被夾持於第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間，以受到水平限制。再者，間隔構件35之下表面與第二爪形部件62a之凸緣部62c接觸、並與第二推壓部件62b之凸緣部62d接觸，使得間隔構件35受到垂直支持。在另一方面，如圖11A及11B中所示，由於間隔構件35係設有如圖6中所示的刻痕部35a及35b，故間隔構件35既不與第一爪形部件61a接觸、亦不與第一推壓部件61b接觸，且不被夾持於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間。
再者，可在間隔構件35之部份中形成刻痕部35c，其係自間隔構件35之底面稍微向上削減，而與第二爪形部件62a之凸緣部62c接觸。如此當自晶舟24接收雙基板單元36之後、間隔構件35返至晶舟24時，可促進自間隔構件35上方夾持放置於晶圓W1(圖5)上的間隔構件35。
再者，第一夾持機構61及第二夾持機構62係設置成使得晶圓W之中心位置C1及間隔構件35之中心位置C2在沿上叉54之前後移動方向的不同位置上，其中晶圓W受到第一夾持機構61所支持，且間隔構件35受到第二夾持機構62所支持。此使得當 在第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間夾持間隔構件35時、可預防間隔構件35干擾第一爪形部件61a或第一推壓部件61b。
當晶圓W為例如300mm外徑時，中心位置C1及C2之間的距離DC可為例如2mm。
於此，參考圖12A及12B顯示出與比較性示例相比，依據本實施例的傳送機構可減少容置於容器中的晶圓或間隔構件之間的間距。
圖12A及12B為垂直剖面圖，分別比較性地顯示依據本實施例的傳送機構27之上叉54的端部58及依據比較性示例的傳送機構之上叉154的端部158。
假定端部58及158之各者的厚度為TF、第一爪形部件61a之最大厚度為TW、且第二爪形部件62a之最大厚度為TS。再者，假定第二爪形部件62a之最大厚度TS大於第一爪形部件61a之最大厚度TW，亦即TS>TW。此乃因例如1.5mm的間隔構件35之厚度大於例如0.9mm的晶圓W之厚度。
如圖12B中所示，依據比較性示例的傳送機構具有第一爪形部件61a及第二爪形部件62a，其係分別設置於上叉154之相對表面154a及154b上。因此，在端部158的上叉154之厚度為TS+TF+TW。
在另一方面，如圖12A中所示，依據本實施例的傳送機構27具有第一爪形部件61a及第二爪形部件62a，其係設置於上叉54之相同表面54a上。因此，在端部58的上叉54之厚度為TS+TF，因為TS>TW。亦即，可使得依據本實施例的傳送機構27之上叉54的厚度(TS+TF)小於依據比較性示例的傳送機構之上叉154的厚度(TS+TF+TW)。因此，可減少容器13及14中的晶圓W之間的間距。
再者，在容置晶圓W的容器13中，乃已預定一定節距用以垂直容置晶圓W。若使一定節距為PL1且使晶圓W之厚度為Wt，則在圖12B中所示的比較性示例中，上叉154及容器13中的上側 及下側上的晶圓W之各者之間的空隙CL0為(PL1-Wt-(TS+TF+TW))/2。在另一方面，依據圖12A中所示的本實施例，上叉54及容器13中的上側及下側上的晶圓W之各者之間的空隙CL1為(PL1-Wt-(TS+TF))/2，大於空隙CL0。因此，可使得依據本實施例的傳送機構27之上叉54所用的容器13中的空隙CL1大於依據比較性示例的傳送機構之上叉154所用的容器13中的空隙CL0。
舉例而言，假定PL1為10mm、Wt為0.9mm、比較性示例中的TS+TF+TW為7.2mm、且本實施例中的TS+TF為5.3mm。在此情況下，比較性示例中的CL0為0.95mm，而本實施例中的CL1為1.9mm。因此，可使得CL1大於CL0。
其次，參考圖13A至13U和圖14A及14B，描述關於傳送機構27建構並運送雙基板單元36之基板運送方法。
圖13A至圖13U為顯示建構及運送雙基板單元36之傳送機構27之過程的側視圖。再者，圖14A及14B為顯示當上叉54將晶圓W傳送至下叉53時、上叉54及第一推壓部件61b之每次移動的示意圖。圖14A顯示在上叉54將晶圓W傳送至下叉53之前的狀態，而圖14B顯示在上叉54將晶圓W傳送至下叉53之後的狀態。
首先，使上叉54向前移入容器13中，以藉由自晶圓W1下方以第一夾持機構61夾持及支持晶圓W1來接收晶圓W1，且使上叉54後移並反轉，以將晶圓W1放置於下叉53上(第一步驟，圖13A至13G)。
如圖13A中所示，使上叉54在表面54a面朝上的情況下向前移入容置晶圓W1的容器13。此時，使上叉54前移，而讓晶圓W1被放置於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間。其次，如圖13B中所示，使第一推壓部件61b前移，以自晶圓W1下方夾持及支持晶圓W1，同時將晶圓W1朝向第一爪形部件61a推壓，藉此接收晶圓W1。其次，如圖13C中所示，使上叉54自容器13之內部向後移動，同時支持晶圓W1。其次，如圖13D中所 示，使上叉54反轉，同時支持晶圓W1。其次，如圖13E中所示，使下叉53上移以接近上叉54。其次，如圖13F中所示，使第一推壓部件61b後移，以將晶圓W1放置於下叉53上。其次，如圖13G中所示，使下叉53下移至其原始位置。
在上叉54將晶圓W1傳送至下叉53之前，如圖14A中所示，晶圓W1係夾持於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間。如圖14B中所示，當上叉54將晶圓W1傳送至下叉53時，在使第一推壓部件61b後移的同時，可使上叉54藉由可動體56稍微前移(圖8)，且可使傳送機構27藉由升降機構52稍微上移。如此當晶圓W1傳送至下叉53時、可預防晶圓W1被卡在第一爪形部件61a或第一推壓部件61b上。間隔構件35及晶圓W2可以相同方式自上叉54被傳送至下叉53。(見圖13L及13R)。
如上述，代替下叉53，上叉54可被設置成相對於基座51垂直移動。在此情況下，可使上叉54下移，以接近下叉53並藉由使第一推壓部件61b後移而將晶圓W1放置於下叉53上，之後，使上叉54上移至其原始位置。間隔構件35及晶圓W2可以相同方式自上叉54被傳送至下叉53。(見圖13L及13R)
接著，使上叉54向前移入晶舟24中，藉由第二夾持機構62自間隔構件35上方夾持並支持間隔構件35以接收間隔構件35，且使上叉54後移並將間隔構件35放置於下叉53上所放置的晶圓W1上(第二步驟，圖13H至13M)。
如圖13H中所示，使上叉54在表面54a面朝下的情況下向前移入在爪形部件33上夾持間隔構件35的晶舟24。此時，使上叉54前移而使間隔構件35置放於第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間。接著，如圖13I中所示，使第二推壓部件62b前移，以自間隔構件35下方夾持及支持間隔構件35，同時將間隔構件35朝向第二爪形部件62a推壓，藉此接收間隔構件35。其次，如圖13J中所示，使上叉54自晶舟24之內部後移、同時支持間隔構件35。其次，如圖13K中所示，使下叉53上移以接近上叉54。其次，如圖13L中所示，使第二推壓部件62b後移，以將間隔構件 35放置於下叉53上所放置的晶圓W1上。其次，如圖13M中所示，使下叉53下移至其原始位置。
在第二步驟中，當受到第二夾持機構62所支持之間隔構件35的中心位置C2(圖11A)與受到第一夾持機構61所支持之晶圓W1之中心位置C1(圖11A)在沿著上叉54之前後移動方向上位於不同的位置上時，接收間隔構件35。如此可使當在第二爪形部件62a及第二推壓部件62b之間夾持間隔構件35時、可預防間隔構件35干擾第一爪形部件61a或第一推壓部件61b。
其次，使上叉54向前移入容器13中，藉由第一夾持機構61自晶圓W2上方夾持並支持晶圓W2以接收晶圓W2，且使上叉54後移並將晶圓W2放置於下叉53上方所放置的間隔構件35上(第三步驟，圖13N至13S)。
如圖13N中所示，使上叉54在表面54a面朝下的情況下向前移入容置晶圓W2的容器13中。此時，使上叉54前移而讓晶圓W2被放置於第一爪形部件61a及第一推壓部件61b之間。其次，如圖13O中所示，使第一推壓部件61b前移，以自晶圓W2下方夾持及支持晶圓W2，同時將晶圓W2朝向第一爪形部件61a推壓，藉此接收晶圓W2。其次，如圖13P中所示，使上叉54自容器13之內部後移、同時支持晶圓W2。其次，如圖13Q中所示，使下叉53上移以接近上叉54。其次，如圖13R中所示，使第一推壓部件61b後移，以將晶圓W2放置於下叉53上方所放置的間隔構件35上。其次，如圖13S中所示，使下叉53下移至其原始位置。
其次，使下叉53向前移入晶舟24中，並將雙基板單元36傳送至爪形部件33(第四步驟，圖13T及13U)。
如圖13T中所示，使下叉53向前移入晶舟24中，以將雙基板單元36(由晶圓W1、間隔構件35、及晶圓W2所形成)傳送至爪形部件33，間隔構件35在第二步驟中由此被傳送至上叉54。其次，如圖13U中所示，使下叉53自晶舟24之內部後移。
再者，在依據本實施例的基板運送方法中，間隔構件35可在 外殼18內部使用例如對準單元15(對準步驟)以相同旋轉角度加以對準。如下述，如此可消除於外殼18之外將間隔件構件35以相同旋轉角度對準的處理之必要性。
其次，參考圖15與圖1至圖7，描述依據本實施例之使用膜沉積設備的膜沉積處理。圖15為一流程圖，顯示依據本實施例的步驟之過程，該步驟之過程包含使用膜沉積設備之膜沉積處理。
開始膜沉積處理之後，在步驟S11中，雙基板單元36被載入膜沉積腔室40中(載入步驟)。就示於圖1至圖4中的膜沉積設備10而言，例如在裝載區域20中，雙基板單元36可利用傳送機構27而被裝載至晶舟24a中，接著裝載有雙基板單元36的晶舟24a可利用晶舟運送機構25c而被放置於蓋體23上。然後，使蓋體23(其上放置晶舟24a)藉由升降機構26上移，以被插入膜沉積腔室40中，使得雙基板單元36被載入膜沉積腔室40中。晶圓W便可經由以上使用圖13A至13U所述的處理，而自容器13及14傳送至晶舟24a(藉由插入間隔構件35)。
其次，在步驟S12中，膜沉積腔室40之內壓減少(減壓步驟)。藉由控制排出裝置48或設置於排出裝置48及排出管49之間的流量調整閥(圖未示)之排出能力，膜沉積腔室40經由排出管49而排空的總量增加。膜沉積腔室40之內壓係自例如大氣壓力(760Torr)的預定壓力減少至例如0.3Torr。
其次，在步驟S13中，沉積一聚亞醯胺膜(膜沉積步驟)。
使第一來源氣體(PMDA氣體)流至注射器45c的第一流率F1及使第二來源氣體(ODA氣體)流至注射器46c的第二流率F2係藉由控制部件50而預先或在步驟S13中決定。當晶圓W受到旋轉機構29所旋轉時，使PMDA氣體以決定之第一流率F1自第一來源氣體供應部件45流至注射器45c，且使ODA氣體以決定之第二流率F2自第二來源氣體供應部件46流至注射器46c。藉此，PMDA氣體及ODA氣體以預定混合比例加以混合並供入膜沉積腔室40中。PMDA及ODA在晶圓W之頂面上乃進行聚合反應，使得聚亞醯胺膜沉積於晶圓W之頂面上。具體而言，例如，第一 流率F1可為900sccm且第二流率F2可為900sccm。
此時PMDA及ODA之聚合反應依照下列方程式(1)。
依據本實施例，可夾持複數晶圓W，使得兩垂直相鄰且具有彼此相對之各自底面的晶圓W之間的間距比兩垂直相鄰且具有彼此相對之各自頂面的晶圓W之間的間距為窄。如此可增加兩垂直相鄰且具有彼此相對之各自頂面的晶圓W之間的間距，同時使可裝載於晶舟24中的晶圓數量維持相同。因此可增加晶圓W其中之一者的頂面及晶圓W其中之另一者的頂面之間的間隙，使得可將足量來源氣體供應至晶圓W之頂面上。
其次，在步驟S14中，停止來自第一來源氣體供應部件45的PMDA氣體供應及來自第二來源氣體供應部件46的ODA氣體供應，且將膜沉積腔室40之內壓恢復至大氣壓力(壓力恢復步驟)。藉由控制排出裝置48或設置於排出裝置48及排出管49之間的流量調節閥(圖未示)之排出能力，膜沉積腔室40經由排出管49而排空的總量減少。膜沉積腔室40之內壓係自例如0.3Torr恢復至例如大氣壓力(760Torr)。
其次，在步驟S15中，雙基板單元36被載出膜沉積腔室40(載出步驟)。就示於圖1至圖4中的膜沉積設備10而言，例如，可使蓋體23(其上放置晶舟24a)藉由升降機構26下移，而自膜沉積腔室40之內部載出至裝載區域20。然後，晶圓W係藉由傳送機構27自放置於載出之蓋體23上的晶舟24a傳送至容器13。藉此，雙基板單元36被載出膜沉積腔室40。經由使用與圖13A至13U所述的處理(藉此晶圓W係自容器13傳送至晶舟24a)反向之處理，可將晶圓W自晶舟24a傳送至容器13。此時，間隔構件35乃歸返至晶舟24a中，而受到晶舟24a之爪形部件33所夾持。之 後，膜沉積處理結束。
在進行連續複數批次之膜沉積處理的情況下，則需藉由傳送機構27於裝載區域20中，自容器13另外將晶圓W傳送至晶舟24，處理再度返回至步驟S11，以使其下一批次受到膜沉積處理。
依據本實施例，當不夾持雙基板單元36時，晶舟24夾持間隔構件35取代雙基板單元36。
假定當未執行膜沉積處理時，間隔構件35被容置於設置在外殼18之外的容器(之後稱為「間隔構件容器」)14中，且晶圓W被容置於容器(之後稱為「晶圓容器」)13中。在此情況下，使晶圓容器13與外殼18連通的門機構21其中之一者係連接至間隔構件容器14，使得待連接至晶圓容器13的門機構21之數量減少。如此便產生切換至晶圓容器13的等待時間，因此造成更長的運送時間。
舉例而言，使晶圓容器13之第一者藉由門機構21之一者與外殼18連通，且在晶圓W係自晶圓容器13之第一者傳送之後，與外殼18的連通係藉由門機構21其中之一者而切斷。然後，晶圓容器13之第一者由晶圓容器13之下一者所取代，且使晶圓容器13之下一者經由門機構21其中之一者與外殼18連通，以自晶圓容器13之下一者傳送晶圓W。此時，在切斷晶圓容器13之第一者及外殼18內部之間的連通之後、再使晶圓容器13之下一者與外殼18連通而使晶圓W準備用於運送之前便產生了等待時間，因此導致更長的運送時間。
尤其，當雙基板單元36由兩個晶圓W及單一間隔構件35所組成時，所運送的晶圓W之數量為例如所運送的間隔構件35之數量的兩倍。如此將導致在間隔構件35儲存於間隔構件容器14中時，經由相同的門機構21來切換晶圓容器13以進行連通的等待時間之比例增加。
同樣地，於晶圓W為用以監測或用以測試而非用於膜沉積之情況下，運送時間亦變得更長。
在另一方面，依據本實施例，間隔構件35被容置於設置於外 殼18內部的晶舟24中。因此，並未減少待連接至晶圓容器13的門機構21之數量。於是，在經由門機構21其中之一者切斷晶圓容器13之第一者及外殼18之內部之間的連通之前，可使晶圓容器13之下一者經由門機構21之另一者與外殼18連通，如此可減少運送時間。
再者，在將間隔構件35儲存於間隔構件容器14中的情況下，除了晶圓容器13之外，膜沉積設備10必須具有間隔構件容器14，因此導致構件數量之增加。再者，除了配置台12外，有必要於膜沉積設備10之部分中提供用以容置間隔構件容器14的存放台，因此導致膜沉積設備10的設置區域或整體尺寸之增加。
在另一方面，依據本實施例，間隔構件35被容置於設置在外殼18內部的晶舟24中。因此，沒有必要提供具有間隔構件容器14的膜沉積設備10，如此可減少構件數量。再者，亦可減少膜沉積設備10的，設置區域或整體尺寸。
再者，當被夾持於晶舟24中而需進行熱處理時，間隔構件35則需加以清潔。若間隔構件35儲存於間隔構件容器14中，則每當間隔構件35欲進行清潔時，必須將間隔構件35自間隔構件容器14運送至晶舟24，因此導致更長的清潔時間。
在另一方面，依據本實施例，間隔構件35乃容置於設置在外殼18內部的晶舟24中。因此，每當執行清潔，不需將間隔構件35自間隔構件容器14運送至晶舟24，如此可減少清潔時間。
再者，當執行複數次膜沉積處理、使得間隔構件35接連被使用複數次時，因為由於熱膨脹及/或傳送機構27所致的間隔構件35之旋轉角位移累積至超過可容忍範圍，故可預防間隔構件35受到運送。在此情況下，必須將間隔構件35歸還至間隔構件容器14中，以在外殼18之外將間隔構件35以相同旋轉角度對準。
在另一方面，依據本實施例，間隔構件35可在外殼18內部藉由如上述之對準機構以相同旋轉角度加以對準。如此可消除在外殼18之外將間隔構件35以相同旋轉角度對準之必要性。
對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，將輕易產 生額外優點及修改。因此，在較廣實施態樣中的本發明並未侷限於此處所示及描述的具體細節及代表性實施例。於是，在不悖離如隨附請求項及其相等範圍所定義的一般發明概念之精神及範圍的情況下，可進行各種修改。
在上述實施例中，描述傳送機構27的配置係用以將雙基板單元36傳送至膜沉積設備10之晶舟24的情況。然而，傳送機構27可為任何傳送機構，只要傳送機構27可以預定垂直間距來夾持雙基板單元36並將雙基板單元36運送至基板夾持部件，該基板夾持部件當不夾持雙基板單元36時係夾持間隔構件35。因此，除了膜沉積設備10之晶舟24之外，可將傳送機構27配置成可將雙基板單元36傳送至各種基板處理設備的基板夾持部件。
10‧‧‧膜沉積設備
12‧‧‧配置台
13‧‧‧容器
14‧‧‧容器
15‧‧‧對準單元
18‧‧‧外殼
19‧‧‧底板
20‧‧‧裝載區域
21‧‧‧門機構
22‧‧‧擋門機構
23‧‧‧蓋體
24‧‧‧晶舟
24a‧‧‧晶舟
24b‧‧‧晶舟
25a‧‧‧基座
25b‧‧‧基座
25c‧‧‧晶舟運送機構
26‧‧‧升降機構
27‧‧‧傳送機構
28‧‧‧絕熱管
29‧‧‧旋轉機構
30‧‧‧頂板
31‧‧‧底板
32‧‧‧柱支持件
33‧‧‧爪形部件
33a‧‧‧底部
33b‧‧‧側壁部
34‧‧‧輔助柱
35‧‧‧間隔構件
35a‧‧‧刻痕部
35b‧‧‧刻痕部
35c‧‧‧刻痕部
36‧‧‧雙基板單元
40‧‧‧膜沉積腔室
41‧‧‧反應管
42‧‧‧加熱器
43‧‧‧開口
44‧‧‧進料機構
45‧‧‧第一來源氣體供應部件
45a‧‧‧第一汽化器
45b‧‧‧閥
45c‧‧‧注射器
46‧‧‧第二來源氣體供應部件
46a‧‧‧第二汽化器
46b‧‧‧閥
46c‧‧‧注射器
47‧‧‧排出機構
48‧‧‧排出裝置
49‧‧‧排出管
50‧‧‧控制部件
50a‧‧‧處理部件
50b‧‧‧儲存部件
50c‧‧‧顯示部件
51‧‧‧基座
52‧‧‧升降機構
52a‧‧‧軌道
53‧‧‧下叉
54‧‧‧上叉
54a‧‧‧表面
55‧‧‧可動體
56‧‧‧可動體
57‧‧‧端部
58‧‧‧端部
60‧‧‧近端
61‧‧‧第一夾持機構
61a‧‧‧第一爪形部件
61b‧‧‧第一推壓部件
61c‧‧‧凸緣部
61d‧‧‧凸緣部
61e‧‧‧底部
62‧‧‧第二夾持機構
62a‧‧‧第二爪形部件
62b‧‧‧第二推壓部件
62c‧‧‧凸緣部
62d‧‧‧凸緣部
63‧‧‧第一向前及向後驅動部件
64‧‧‧第二向前及向後驅動部件
71‧‧‧支持部件
71a‧‧‧接觸部
154‧‧‧上叉
154a‧‧‧表面
154b‧‧‧表面
158‧‧‧端部
C1‧‧‧中心位置
C2‧‧‧中心位置
511‧‧‧步驟
S12‧‧‧步驟
S13‧‧‧步驟
S14‧‧‧步驟
S15‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧晶圓
W2‧‧‧晶圓
Wa‧‧‧頂面
Wb‧‧‧底面
隨附之圖式係併入本說明書並且構成本說明書之一部份，其乃顯示本發明之實施例，且與以上一般性描述及實施例的詳細描述共同用以說明本發明之原理，其中：圖1為依據一實施例的膜沉積設備之示意縱剖面圖；圖2為依據該實施例的裝載區域之示意立體圖；圖3為一示意圖，顯示依據該實施例，當先前批次之晶圓在膜沉積腔室中受到膜沉積處理時、後續批次之晶圓的狀態；圖4為依據實施例的晶舟之立體圖；圖5為依據實施例裝載有雙基板單元的晶舟之剖面圖；圖6為依據該實施例的間隔構件之示意平面圖；圖7為依據實施例的膜沉積腔室及其鄰近區域之部分放大的剖面圖；圖8為傳送機構之側視圖，示意顯示依據實施例的傳送機構之組態；圖9A、圖9B及9C分別為上叉的俯視圖以及水平剖面圖，示意顯示依據實施例的上叉自晶圓下方支持(夾持)晶圓的狀態；圖10A、圖10B及10C分別為上叉的仰視圖以及水平剖面圖， 示意顯示依據實施例的上叉自晶圓上方支持(夾持)晶圓的狀態；圖11A、圖11B及11C分別為上叉的俯視圖及水平剖面圖，示意顯示依據實施例的上叉自間隔構件上方支持(夾持)間隔構件的狀態；圖12A及12B為垂直剖面圖，分別對照說明依據實施例的傳送機構之上叉的端部、及依據比較性示例的傳送機構之上叉的端部；圖13A至13U為側視圖，顯示依據本實施例，建構及運送雙基板單元之傳送機構的過程；圖14A及14B為示意圖，顯示依據本實施例，當上叉將晶圓傳送至下叉時、上叉及第一推壓部件之每次運動；及圖15為顯示依據該實施例的步驟之流程圖，該步驟之過程包含使用膜沉積設備之膜沉積處理。
27‧‧‧傳送機構
51‧‧‧基座
52‧‧‧升降機構
53‧‧‧下叉
54‧‧‧上叉
54a‧‧‧表面
55‧‧‧可動體
56‧‧‧可動體
57‧‧‧端部
58‧‧‧端部
60‧‧‧近端
61‧‧‧第一夾持機構
61a‧‧‧第一爪形部件
61b‧‧‧第一推壓部件
62‧‧‧第二夾持機構
62a‧‧‧第二爪形部件
62b‧‧‧第二推壓部件
63‧‧‧第一向前及向後驅動部件
64‧‧‧第二向前及向後驅動部件

Claims (17)

  1. 一種基板運送方法，運送一具有堆疊成層的一第一基板及一第二基板的層狀體，其中並具有一間隔構件設置於該第一基板及該第二基板之彼此相對的各自底面之間，該基板運送方法的步驟包含：使用一第一夾持機構於該第一基板之該底面下方夾持該第一基板，以接收容置於一容納部件之該第一基板，該第一夾持機構乃設置於一第二叉上方的一第一叉之一側上，再將該第一叉反轉而使所接收之該第一基板放置於該第二叉上；使用一第二夾持機構自該間隔構件上方來夾持該間隔構件，以接收夾持於一基板夾持部件中的該間隔構件，該第二夾持機構乃設置於與該第一夾持機構相同之該第一叉的該同一側上，並將該接收之間隔構件放置於該第二叉上所放置的該第一基板上；及使用該第一夾持機構，以自該第二基板之一頂面上方夾持容置於該容納部件中的該第二基板，並將該所接收之第二基板放置於該第二叉上方所放置的該間隔構件上。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其中：前述夾持該第一基板的步驟乃在該第一夾持機構之一第一爪形部件及一第一推壓部件之間，藉由利用該第一推壓部件將該第一基板朝向該第一爪形部件推壓以夾持該第一基板，該第一爪形部件係固定至該第一叉之一遠端部，該第一推壓部件則係設置於該第一叉之一近端側上，以便可移向及遠離該第一爪形部件；前述夾持該間隔構件的步驟乃在該第二夾持機構的一第二爪形部件及一第二推壓部件之間，藉由利用該第二推壓部件將該間隔構件朝向該第二爪形部件推壓，以夾持該間隔構件，該第二爪形部件係固定至該第一叉之該遠端部，該第二推壓部件則係設置於該第一叉之該近端側上，以便可移向及遠離該第二爪形部件；及前述夾持該第二基板的步驟乃在該第一夾持機構的該第一爪 形部件及該第一推壓部件之間，藉由利用該第一推壓部件將該第二基板朝向該第一爪形部件推壓，以夾持該第二基板。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其中前述夾持該間隔構件的該步驟乃自該間隔構件上方夾持該間隔構件，使得受到該第二夾持機構所支撐的該間隔構件係偏心於：在夾持該第一基板之該步驟中，由該第一夾持機構所支撐之該第一基板；以及在夾持該第二基板的該步驟中，由該第一夾持機構所支撐之該第二基板。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其步驟更包含：在一外殼內部，將該間隔構件及一額外間隔構件以一相同旋轉角度對準，該外殼內設有該基板夾持部件，其中該容納部件係設置於該外殼之外。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其中該間隔構件具有一環形。
  6. 如申請專利範圍1項之基板運送方法，其中該基板夾持部件乃夾持該層狀體及一額外層狀體，使得兩垂直相鄰且具有彼此相對之底面的該第一及第二基板之間的一第一間距比兩垂直相鄰且具有彼此相對之頂面的該第一及第二基板之間的一第二間距為窄。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板運送方法，其步驟更包含：在前述將所接收之該第一基板設置於該第二叉上的步驟、前述將所接收之該間隔構件放置於該第二叉上所放置的該第一基板上的步驟、及前述將所接收之該第二基板放置於該第二叉上方所放置的該間隔構件上的步驟之至少一者中，使該第一叉及該第二叉之其中之一者垂直移向並接近該第一叉及該第二叉之另一者。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板運送方法，其步驟更包含：使該第一叉及該第二叉藉由一升降機構共同垂直移動。
  9. 一種非暫態電腦可讀取記錄媒體，其上紀錄有一可執行程式，該程式係指示一電腦處理器執行如申請專利範圍第1項中所提出的基板運送方法。
  10. 一種基板運送裝置，包含：一第一叉，其設置係用以移向及遠離一基板夾持部件並傳送一層狀體進出該基板夾持部件，該層狀體具有堆疊成層的兩基板，並在該兩基板之彼此相對的各自底面之間設有一間隔構件；一第二叉，設置於該第一叉上方，該第二叉的設置係用以移向及遠離容置該兩基板的一容納部件及該基板夾持部件兩者之各者、反轉、在該容納部件及該第一叉之間逐次傳送該兩基板、及在該基板夾持部件及該第一叉之間傳送該間隔構件；一第一夾持機構，設置於該第二叉之一側上，並用以自該兩基板上方或下方逐個夾持該兩基板；及一第二夾持機構，設置於與該第一夾持機構相同的該第二叉之該同一側上，並用以自該間隔構件上方夾持該間隔構件。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，其中：該第一夾持機構包含：一第一爪形部件，固定至該第二叉之一遠端部；及一第一推壓部件，設置於該第二叉之一近端側上，以便可移向及遠離該第一爪形部件並將該兩基板之其一朝向該第一爪形部件推壓，以使該兩基板之其一被夾持於該第一爪形部件及該第一推壓部件之間，且該第二夾持機構包含：一第二爪形部件，固定至該第二叉之該遠端部；及一第二推壓部件，設置於該第二叉之該近端側上，以便 可移向及遠離該第二爪形部件並將該間隔構件朝向該第二爪形部件推壓，以使該間隔構件被夾持於該第二爪形部件及該第二推壓部件之間。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，其中該第二夾持機構的設置係用以自該間隔構件上方夾持該間隔構件，使得該第二夾持機構所支撐的該間隔構件係偏心於該第一夾持機構所支撐的該兩基板。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，更包含：一對準機構，其設置係用以在一外殼內部，以一相同旋轉角度對準該間隔構件及一額外間隔構件，該外殼內係設有該基板夾持部件，其中該容納部件係設置於該外殼之外。
  14. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，其中該間隔構件具有一環形。
  15. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，其中該基板夾持部件乃夾持該層狀體及一額外層狀體，使得垂直相鄰且具有彼此相對之底面的兩片基板之間的一第一間距比垂直相鄰且具有彼此相對之頂面的兩片基板之間的一第二間距為窄。
  16. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，其中該第一叉及該第二叉之一者的設置係相對於該第一叉及該第二叉之另一者垂直移動。
  17. 如申請專利範圍第10項之基板運送裝置，更包含：一升降機構，其設置係用以使該第一叉及該第二叉共同垂直移動。
TW101106521A 2011-03-08 2012-02-29 基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及基板運送裝置 TWI557827B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011050747A JP5709592B2 (ja) 2011-03-08 2011-03-08 基板搬送方法、その基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201306149A TW201306149A (zh) 2013-02-01
TWI557827B true TWI557827B (zh) 2016-11-11

Family

ID=46795735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101106521A TWI557827B (zh) 2011-03-08 2012-02-29 基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及基板運送裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9368384B2 (zh)
JP (1) JP5709592B2 (zh)
KR (1) KR101520995B1 (zh)
CN (1) CN102683252B (zh)
TW (1) TWI557827B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5797176B2 (ja) 2012-09-14 2015-10-21 東京エレクトロン株式会社 スペーサ、スペーサの搬送方法、処理方法、及び、処理装置
JP5935676B2 (ja) * 2012-12-07 2016-06-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板装置の運用方法及び記憶媒体
JP6054213B2 (ja) 2013-03-11 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 支持部材及び半導体製造装置
CN103207529B (zh) 2013-03-22 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 曝光方法及曝光设备
JP2017183665A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板搬送装置、基板処理装置及び基板処理方法
CN106625585A (zh) * 2016-11-29 2017-05-10 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶玻璃基板搬运机器人
JP6862163B2 (ja) * 2016-12-09 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242237A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Yamagata Ltd ウエハ移載装置および移載方法
JP2005175413A (ja) * 2003-11-18 2005-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 搬送システム及び搬送方法
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP2009081259A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及び熱処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001274232A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP4467208B2 (ja) 2001-06-01 2010-05-26 芝浦メカトロニクス株式会社 ロボット装置及び処理装置
JP2003100727A (ja) * 2001-09-20 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd シートフィルム保持機構、カセット、搬送機構、薄膜形成装置ならびにシートフィルム搬送方法
JP2004172374A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Shin Etsu Handotai Co Ltd 保持治具、半導体ウェーハの製造装置、半導体基板及び保持治具の搭載方法
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP4726776B2 (ja) 2006-12-27 2011-07-20 大日本スクリーン製造株式会社 反転装置およびそれを備えた基板処理装置
JP4966800B2 (ja) * 2007-09-26 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4821756B2 (ja) 2007-10-19 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 被処理体の移載機構、被処理体の移載方法及び被処理体の処理システム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10242237A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Nec Yamagata Ltd ウエハ移載装置および移載方法
JP2005175413A (ja) * 2003-11-18 2005-06-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd 搬送システム及び搬送方法
JP2008124091A (ja) * 2006-11-09 2008-05-29 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の処理装置および処理方法
JP2009081259A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Tokyo Electron Ltd 熱処理方法及び熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201306149A (zh) 2013-02-01
CN102683252B (zh) 2015-08-19
US20120230805A1 (en) 2012-09-13
JP5709592B2 (ja) 2015-04-30
KR101520995B1 (ko) 2015-05-15
CN102683252A (zh) 2012-09-19
JP2012190850A (ja) 2012-10-04
KR20120102533A (ko) 2012-09-18
US9368384B2 (en) 2016-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI557827B (zh) 基板運送方法、記錄有用以執行該基板運送方法之程式的記錄媒體、及基板運送裝置
TWI532867B (zh) 成膜裝置（一）
JP5243569B2 (ja) 基板搬送装置、基板搬送方法及びその基板搬送方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
JP7101551B2 (ja) 選択的に対象膜を形成する方法およびシステム
TW201208027A (en) Joining system, joining method, program, and computer memory media
TW201241233A (en) Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use
JP2002541657A (ja) 垂直にスタックされた処理チャンバーおよび単一軸二重ウエハー搬送システムを備えた半導体ウエハー処理システム
TWI495019B (zh) 常溫接合裝置及常溫接合方法
US8672602B2 (en) Vertical thermal processing apparatus
KR20150052294A (ko) 멀티-챔버 진공 시스템 확인 내에서의 다공성 유전체, 폴리머-코팅된 기판들 및 에폭시의 통합 프로세싱
TWI523080B (zh) 成膜裝置（二）
JP4971089B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP2006264799A (ja) 真空処理装置及び処理室増設方法
TW201729338A (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
JP5557942B2 (ja) 基板搬送装置
JP2001250780A (ja) 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法
JP5358651B2 (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP2008235810A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置並びに被処理基板移載方法
JP7489786B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW201205707A (en) Joining method, program, and computer recording medium
TW201137959A (en) Bonding apparatus, bonding method, and computer storage medium
JP6316128B2 (ja) スペーサ及びこれを用いた基板処理方法
JPH11168129A (ja) 基板搬送装置およびプラズマ処理装置