CN101599447B - 一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。本发明成功实现了对半导体晶片表面上肉眼不可见的手指印的检测，且本发明的技术方案简单且易实施，成本低，非常有利于在生产中推广使用。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域或光伏领域的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，特别是一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法。
背景技术
半导体晶片在生产过程中会由于各种原因，如人为因素的触摸，造成半导体晶片表面会被污染，手指印就是其中的一种，由于表面被手指印污染的半导体晶片无法用人工肉眼看到，所以许多表面被手指印污染的半导体晶片被当作正常半导体晶片来进行下一步的电池片制作。由于如果半导体晶片表面上有手指印被做成电池片，会影响电池片的质量。
目前国外已有一些技术用来检测表面被手指印污染的半导体晶片，如美国专利US20040152250，提出采用非振动接触电压差传感器来检测被手指印污染的晶片，但是由于采用该种技术方案的效率低，且成本高，不利于在生产中推广使用。
US20040152250的摘要中记载的主要内容为：这个方法及系统包括，提供了一种物质，比如一种半导体晶片，采用一种非振动接触电压差传感器来对半导体晶片进行扫描，产生接触电压差数据以及经过对这个数据进行处理来判断晶片表面上的缺陷或污染物的类别和特征，比如人的手指印。
US20040152250的第1条权利要求记载的主要内容为：一种用于检测一种材料表面的缺陷或污染物的方法，包括提供了一种物质，比如一种半导体晶片，采用一种非振动接触电压差传感器来对晶片进行扫描，通过传感器得到产生的接触电压差数据，并经过对这个非振动接触电压差数据进行处理后，自动检测出晶片表面上的缺陷或污染物的图像和特征。
US20040152250的第5条权利要求记载的主要内容为：一种用于检测一种材料表面的缺陷或污染物的方法，所述的图像种类可以是从被金属污染的晶片图像，被酒精污染的晶片图像，被真空精选损伤的晶片图像，被乳胶污染的晶片图像，被人的手指印污染的晶片图像，被机械损伤的晶片图像中的任意一种。
也有采用质谱方法来检测以及分析被手指印污染的晶片的报道。
目前的现有技术均是采用一些昂贵的设备仪器来检测以及分析被手指印污染的晶片，使用也不方便，这些方法的工作效率较低，而且设备投入成本高，不利于在生产中推广使用。所以找到一种合适的，高效的，低成本的检测方法来检测表面被手指印污染的半导体晶片对于整个半导体领域或光伏领域是非常有意义的。
发明内容
本发明解决的技术问题是采用简单地蒸汽处理手段用来检测半导体晶片表面上肉眼不可见的手指印的方法。
本发明的技术方案为：
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：采用蒸汽来检测半导体晶片表面被手指印污染的半导体晶片的手指印。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：将蒸汽喷至半导体晶片表面，被手指印污染的半导体晶片表面与未被手指印污染的半导体晶片表面显示出不同的印记，通过目测或机器识别半导体晶片表面的印记。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的成分可以是水。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的成分可以是任何一种水溶液。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度大于或等于60℃。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1bar-100bar。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为1-100克/分钟。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽是采用任何一种蒸汽发生装置释放的。
一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的半导体晶片可以是硅晶片。
本发明的技术方案与现有技术的检测效果比较
| 技术方案 | 检测质量 | 检测效率 | 检测成本 | 是否利于在生产中推广使用 |
| 本发明提供的蒸汽处理检测技术 | 好 | 高 | 低 | 非常利于在生产中推广使用 |
| 现有技术的非振动接触电压差传 | 好 | 低 | 高 | 不利于在生产中推广使用 |
| 感器扫描技术 | ||||
| 现有技术的质谱技术 | 好 | 低 | 高 | 不利于在生产中推广使用 |
本发明的工作原理：由于半导体晶片表面结构基本一致，其表面上的肉眼不可见的手指印作为污染物会影响半导体晶片的表面结构，不同的表面结构对蒸汽的吸附性不同从而使半导体晶片原本肉眼不可见的手指印的轮廓呈现出来，从而实现对半导体晶片的手指印的检测。
本发明的优点：本发明成功实现了对半导体晶片表面上肉眼不可见的手指印的检测。蒸汽的产生是非常简单的，而且只要将蒸汽喷至半导体晶片表面就能立即显示出印记的差异，这与利用非振动接触电压差，质谱等来检测被手指印污染的晶片的复杂方法相比，本发明的技术方案简单且易实施，成本低，非常有利于在生产中推广使用。
附图说明：
附图1是未经过蒸汽处理的被手指印污染的硅晶片表面外观图片示意图；
附图2是经过蒸汽处理的被手指印污染的硅晶片表面外观图片示意图；
附图标记：硅片1，手指印2。
具体实施方式
实施例1、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：采用蒸汽来检测半导体晶片表面被手指印污染的半导体晶片的手指印。
实施例2、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：采用蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。其余同实施例1。
实施例3、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的成分是水。其余同实施例1、实施例2。
实施例4、如权利要求1或2所述的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的成分可以是任何一种水溶液。其余同实施例1、实施例2。
实施例5、如权利要求1或2所述的一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的成分可以是氢氟酸水溶液。其余同实施例1、实施例2。
实施例6、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度大于或等于60℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例7、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为60℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例8、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为70℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例9、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为80℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例10、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为90℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例11、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为100℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例12、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为110℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例13、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为120℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例14、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为130℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例15、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为140℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例16、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为160℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例17、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为180℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例18、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的温度为200℃。其余同实施例1、实施例2。
实施例19、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为0.1bar-100bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例20、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1.1bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例21、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1.3bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例22、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1.5bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例23、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1.8bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例24、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为1bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例25、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为2bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例26、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为3bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例27、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为5bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例28、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为8bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例29、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为10bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例30、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为20bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例31、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为30bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例32、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为40bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例33、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为50bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例34、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为60bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例35、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为80bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例36、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的压力为100bar。其余同实施例1、实施例2。
实施例37、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为1克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例38、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为2克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例39、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为5克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例40、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为8克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例41、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为10克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例42、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为20克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例43、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为30克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例44、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为40克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例45、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为50克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例46、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为60克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例47、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为70克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例48、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为90克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例49、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽的流量为100克/分钟。其余同实施例1、实施例2。
实施例50、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的蒸汽是采用任何一种蒸汽发生装置释放的。其余同实施例1、实施例2。
实施例51、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：所述的半导体晶片是硅晶片。其余同实施例1、实施例2。
实施例52、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：采用蒸汽发生装置释放蒸汽，喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。其余同实施例1—实施例51中的任意一种实施例。
实施例53、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：将蒸汽清洁装置接上电源让装置充电加温，大概5-8分钟左右蒸汽可以使用，轻轻按下蒸汽按钮，释放蒸汽，将准备好的硅晶片慢慢划过蒸汽，蒸汽喷至半导体晶片表面，半导体晶片表面肉眼不可见的手指印即可用人工肉眼辨别出来，完成检测步骤。其余同实施例1—实施例51中的任意一种实施例。
实施例54、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：将蒸汽喷至半导体晶片表面，被手指印污染的半导体晶片表面与未被手指印污染的半导体晶片表面显示出不同的印记，因为印记明显，可以通过目测识别半导体晶片表面的印记。其余同实施例1—实施例51中的任意一种实施例。
实施例55、一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其中：将蒸汽喷至半导体晶片表面，被手指印污染的半导体晶片表面与未被手指印污染的半导体晶片表面显示出不同的印记，因为印记明显，也可以通过机器识别半导体晶片表面的印记。其余同实施例1—实施例51中的任意一种实施例。尽管机器识别比目测识别投入稍高，但可以配合更良好的自动化控制。
Claims (1)
1.一种用于检测表面被手指印污染的半导体晶片的方法，其特征在于：将蒸汽喷至半导体晶片表面，被手指印污染的半导体晶片表面与未被手指印污染的半导体晶片表面显示出不同的印记，通过目测或机器识别半导体晶片表面的印记；所述的蒸汽的温度为120℃；所述的蒸汽的压力为60bar；所述的蒸汽的流量为8克/分钟。
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