TW201519358A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW201519358A
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polishing
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TW103137776A
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Masafumi Inoue
Takayoshi Meguro
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Ebara Corp
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Abstract

本發明能有效地抑制基板處理裝置內的基板產生損傷。本發明的基板處理裝置，具備：研磨單元，研磨基板；洗淨單元，洗淨及乾燥被研磨單元研磨處理過的基板；以及搬送單元，在研磨單元及洗淨單元內進行基板搬送。又，基板處理裝置具備：計測部5A，對各基板，計測在研磨單元、洗淨單元及搬送單元的滯留時間：以及判定部5B，比較被計測部所計測的滯留時間與對於各單元個別設定的設定時間，若滯留時間超過設定時間，則判定為錯誤產生。

Description

基板處理裝置
本發明是關於一種基板處理裝置。
近年來，為了對半導體晶圓等基板進行各種處理，使用基板處理裝置。做為基板處理裝置的一例，列舉用來進行基板研磨處理的CMP(Chemical Mechanical Polishing)裝置。
CMP裝置具備：研磨單元，用來進行基板的研磨處理；洗淨單元，用來進行基板的洗淨處理及乾燥處理；以及裝卸單元，傳遞基板到研磨單元，接收被洗淨單元洗淨處理及乾燥處理後的基板等。又，CMP裝置具備：搬送單元，在研磨單元、洗淨單元及裝卸內單元內進行基板的搬送。CMP裝置以搬送單元搬送基板，並依序進行研磨、洗淨及乾燥的各種處理。
然而，在CMP裝置的一部份單元發生故障的情況下，繼續一連串的處理會變得困難。因此，CMP裝置內基板會長期間閒置，結果在基板表面有產生腐蝕等損傷之虞。由於在基板處理裝置，做為處理對象的基板係高價，所以希望盡可能將基板在在可再使用狀態下回收。
即使基板處理裝置的一部分產生故障，就處於無法繼續對基板的一連串處理的狀態，以往技術不會使裝置整體停止，而是對基板繼續一部份的處理並迅速回收基板。藉此，在以往技術，已知降低了基板處理不良的風險。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2009-200476號公報
以往技術並未考慮有效地抑制基板處理裝置內的基板損傷產生。
也就是說，在基板處理裝置的一部份單元產生故障的情況下，通過產生故障的單元的預定基板，不進行後續處理，在基板處理裝置內閒置。但是，可容許基板處於閒置狀態的時間並不一致，對應對基板的處理狀況也各有不同。
例如，進行研磨處理前的基板，因為有閒置時間，在基板表面多少會產生腐蝕等損傷，接下來進行研磨處理，因基板表面被刮削，變成相對困難的問題。
另一方面，研磨處理結束後，在進行到洗淨處理前的狀態下閒置的基板，因為有閒置時間，在基板表面會產生腐蝕等損傷，較不佳。
因此，本發明的課題是有效地抑制在基板處理裝置內的基板產生損傷。
本發明的基板處理裝置的一形態，是有鑑於上述課題者，所以其特徵在於具備：研磨單元，研磨基板；洗淨單元，洗淨及乾燥被前述研磨單元研磨處理過的基板；搬送單元，在前述研磨單元及前述洗淨單元內進行基板搬送；計測部，對前述各基板，計測在前述研磨單元、前述洗淨單元及前述搬送單元的滯留時間：以及判定部，比較被前述計測部所計測的滯留時間與對於前述研磨單元、前述洗淨單元及前述搬送單元個別設定的設定時間，若前述滯留時間超過前述設定時間，則判定為錯誤產生。
又，本發明的基板處理裝置更具備：裝卸單元，將基板傳遞至前述研磨單元，並接收被前述洗淨單元洗淨及乾燥處理後的基板；前述搬送單元可以在前述研磨單元、前述洗淨單元及前述裝卸單元內進行基板的搬送。
又，本發明的基板處理裝置可以更具備：錯誤處理部，若以前述判定部判定錯誤產生，則在顯示介面上顯示類似前述基板處理裝置的圖像，並在類似前述基板處理裝置的圖像上，顯示辨識做為前述錯誤對象的基板所滯留的單元的圖像。
又，前述錯誤處理部若以前述判定部判定錯誤產生，則類似 前述基板處理裝置的圖像所包含的複數個單元中，可辨識前述滯留時間超過前述設定時間原因的單元，顯示該辨識到的單元成可與其他單元識別。
又，前述錯誤處理部若以前述判定部判定錯誤產生，則可在前述顯示介面上顯示做為前述錯誤對象的基板的搬送路徑。
根據所述本發明，可有效地抑制在基板處理裝置內的基板產生損傷。
2‧‧‧裝卸單元
3‧‧‧研磨單元
3A‧‧‧第一研磨單元
3B‧‧‧第二研磨單元
3C‧‧‧第三研磨單元
3D‧‧‧第四研磨單元
4‧‧‧洗淨單元
5‧‧‧控制部
5A‧‧‧計測部
5B‧‧‧判定部
5C‧‧‧滯留時間極限DB
5D‧‧‧錯誤處理部
10‧‧‧研磨墊
22‧‧‧搬送自動機
30A、30B、30C、30D‧‧‧研磨台
31A、31B、31C、31D‧‧‧頂環
36‧‧‧頂環軸
41‧‧‧第一洗淨室(CLIA)
42‧‧‧第一洗淨室(CLIB)
43‧‧‧第一搬送室(RB1)
44‧‧‧第二洗淨室(CL2A)
45‧‧‧第二洗淨室(CL2B)
46‧‧‧第二搬送室(RB2)
47‧‧‧乾燥室(CL3A)
48‧‧‧乾燥室(CL3B)
50‧‧‧Lifter
51‧‧‧LTP1
52‧‧‧LTP2
53‧‧‧LTP3
54‧‧‧LTP4
55‧‧‧STP5
56‧‧‧STP6
57‧‧‧LTP7
58‧‧‧STP
61‧‧‧圖像
62‧‧‧箭頭
61‧‧‧PLC-1
62‧‧‧PLC-2
63‧‧‧PLC-3
64‧‧‧PLC-4
65‧‧‧CC-LINK IE Network
W‧‧‧晶圓
第一圖表示本實施形態的基板處理裝置的全體結構的平面圖。
第二圖概略表示研磨單元的斜視圖。
第三圖表示在基板處理裝置內的晶圓W的搬送路徑的一例圖。
第四圖表示晶圓W的搬送延遲的狀態圖。
第五圖表示基板處理裝置的功能方塊圖。
第六圖表示晶圓在各單元的滯留時間的一例圖。
第七圖表示滯留時間極限DB5C的一例圖。
第八圖表示基板處理裝置的處理流程圖。
以下，根據圖式來說明關於本發明的一實施形態的基板處理裝置。以下，雖然以CMP裝置做為基板處理裝置的一例來說明，但並不受限於此。又，以下，雖然說明關於具備裝卸單元2、研磨單元3及洗淨單元4的基板處理裝置，但不受限於此。
<基板處理裝置>
第一圖表示本實施形態的基板處理裝置的全體結構的平面圖。如第一圖所示，基板處理裝置具備：裝卸單元(RBD)2、研磨單元3以及洗淨單元4。裝卸單元2、研磨單元3以及洗淨單元4分別獨立地被組裝，獨立地排氣。又，洗淨單元4具有：控制部(HMI)5控制基板處理動作。在控制部5包含有單元控制盤(電源盤)。又，在研磨單元3、洗淨單元4及裝卸單元2內，包含有進行基板搬送的搬送單元(搬送自動機、搬送機構)。
<裝卸單元>
在裝卸單元2，設置有用來搬送晶圓的搬送自動機(裝載機、搬送機構)22。搬送自動機22將投入至晶圓卡匣的晶圓搬送至研磨單元3，並將被洗淨單元4處理過的晶圓搬送到晶圓卡匣。搬送自動機22在上下具備兩個手。搬送自動機22是在處理過的晶圓回到晶圓卡匣時使用上側手，在處理前的晶圓從晶圓卡匣取出時使用下側手。藉此，搬送自動機22可使上下手分開使用。再者，搬送自動機22的下側手，藉由在軸心周圍旋轉，被構成為可使晶圓反轉。
裝卸單元2是需要保持最潔淨狀態的區域。因此，裝卸單元2的內部經常維持在比基板處理裝置外部、研磨單元3以及洗淨單元4的任一者更高的壓力。研磨單元3是因為使用漿體做為研磨液，所以是最髒的區域。因此，在研磨單元3的內部形成負壓，該壓力被維持在比洗淨單元4的內部壓力更低。在裝卸單元2，設有過濾風扇單元(圖未顯示)，該過濾風扇單元具有高效率空氣過濾器、超低滲透空氣過濾器或化學過濾器等潔淨空氣過濾器。從過濾風扇單元持續吹出除去粒子、有毒蒸氣、有毒氣體的潔淨空氣。
<研磨單元>
研磨單元3是進行晶圓研磨(平坦化)的區域。研磨單元3具備：第一研磨單元(PL-A)3A、第二研磨單元(PL-B)3B、第三研磨單元(PL-C)3C以及第四研磨單元(PL-D)3D。第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元3C以及第四研磨單元3D如第一圖所示，沿著基板處理裝置的長方向配列。
第一研磨單元3A具備：研磨台30A，安裝有具有研磨面的研磨墊；以及頂環31A，用來保持晶圓且將晶圓按壓至研磨台30A上的研磨墊並研磨。
同樣地，第二研磨單元3B具備：研磨台30B，安裝有研磨墊；以及頂環31B。第三研磨單元3C具備：研磨台30C，安裝有研磨墊；以及頂環31C。第四研磨單元3D具備：研磨台30D，安裝有研磨墊；以及頂環31D。
由於第一研磨單元3A、第二研磨單元3B、第三研磨單元 3C以及第四研磨單元3D彼此具有相同結構，所以以下說明關於第一研磨單元31A。
第二圖概略表示第一研磨單元31A的斜視圖。頂環31A被頂環軸36支持。在研磨台30A的上面貼附有研磨墊10，此研磨墊10的上面構成研磨晶圓W的研磨面。又，也可以用固定研磨粒來取代研磨墊10。 頂環31A及研磨台30A如箭頭所示，被構成為在其軸心周圍旋轉。晶圓W在頂環31A的下面以真空吸附來保持。在研磨時，從研磨液供給噴嘴供給研磨液至研磨墊10的研磨面，為研磨對象的晶圓W被頂環31A按壓至研磨面並研磨。
接下來，說明在研磨單元3的關於用來搬送晶圓的搬送機構。如第一圖所示，鄰接於第一研磨單元3A及第二研磨單元3B，設有Lifter(升降機)50、LTP1(51)、LTP2(52)、LTP3(53)及LTP4(54)。晶圓W從裝卸單元2經由Lifter50、LTP1(51)、LTP2(52)、LTP3(53)及LTP4(54)搬送至第一研磨單元3A及第二研磨單元3B。又，以第一研磨單元3A及第二研磨單元3B處理的晶圓W，經由LTP1(51)、LTP2(52)、LTP3(53)及LTP4(54)搬送至STP58，經由STP58搬送至洗淨單元4。
又，鄰接於第三研磨單元3C及第四研磨單元3D，設有STP58、STP5(55)、STP6(56)以及LTP7(57)。晶圓W從裝卸單元2經由STP5(55)、STP6(56)以及LTP7(57)被搬送到第三研磨單元3C及第四研磨單元3D。又，以第三研磨單元3C及第四研磨單元3D處理的晶圓W，經由STP5(55)、STP6(56)以及LTP7(57)搬送至STP58，經由STP58搬送至洗淨單元4。
<洗淨單元>
洗淨單元4被區分成第一洗淨室(CLIA)41、(CLIB)42、第一搬送室(RB1)43、第二洗淨室(CL2A)44、(CL2B)45、第二搬送室(RB2)46、乾燥室(CL3A)47、(CL3B)48。
在第一洗淨室41、42內配置有一次洗淨模組。經由STP58搬送的晶圓W，被第一洗淨室41或第一洗淨室42的一次洗淨模組進行一次洗淨。
一次洗淨過的晶圓W，通過第一搬送室43被搬送至第二洗淨室44或第二洗淨室45。在第二洗淨室44、45內，分別配置有二次洗淨模組。晶圓W被第二洗淨室44或第二洗淨室45內的二次洗淨模組進行二次洗淨。
二次洗淨過的晶圓W，通過第二搬送室46被搬送至乾燥室47或乾燥室48。在乾燥室47、48內，分別配置有乾燥模組。晶圓W被乾燥室47或乾燥室48內的乾燥模組進行乾燥處理。乾燥處理過的晶圓W，被搬送至裝卸單元2。如第一圖所示，在本實施形態的CMP裝置的洗淨單元4，設有洗淨處理及乾燥處理兩系統，所以可有效地進行洗淨處理及乾燥處理。
接下來說明關於基板處理裝置內的晶圓W的搬送路徑。第三圖表示基板處理裝置內的晶圓W的搬送路徑的一例圖。
如第三圖所示，晶圓W從第三圖的左側單元(裝卸單元2)向右側單元搬送並進行各種處理。藉由在基板處理裝置所設定的程序與單元狀態，晶圓W的搬送路徑有各種變化。例如，在第三圖，雖然表示三條搬送路徑，但實際上存在更多搬送路徑。此外，雖然第三圖所示的各單元的一例，實際上也存在其他單元。
在此，當構成基板處理裝置的任一單元產生故障，則預定通過產生故障的單元的晶圓W，不會進行前面的步驟，閒置於該處。
第四圖顯示晶圓W的搬送延遲的狀態。在第四圖，在第一洗淨室41產生故障的情況下，預定通過第一洗淨室41的晶圓W，不會進行前面的步驟，表示閒置的狀態。
在第四圖的例中，預定通過第一洗淨室41的晶圓W，在RBD2、Liffter50、LTP1(51)、第二研磨單元3B、LTP3(53)及STP58閒置。例如，滯留於RBD2、Lifter50、LTP1(51)及第二研磨單元3B的晶圓W，即使因為有閒置時間，在基板表面多少會產生腐蝕等損傷，接下來進行研磨處理，因基板表面被刮削，變成相對困難的問題。
另一方面，研磨處理結束後，在進行洗淨處理前的狀態，閒置於ITP3(53)或STP58的晶圓W，因為有閒置時間，在晶圓W表面會 產生腐蝕等損傷，較不佳。
因此，本實施形態的基板處理裝置，在各晶圓W基準下，具有監視各單元的滯留時間的功能。關於此點在下面說明。
第五圖表示基板處理裝置的功能方塊圖。如第五圖所示，基板處理裝置具備：PLC-1(61)、PLC-2(62)、PLC-3(63)以及PLC-4(64)。PLC-1(61)收集在RDB2的晶圓W的各種資訊(例如晶圓W進入RDB2內的時刻，晶圓W從RDB2出來至外部的時刻等)。
又，PLC-2(62)收集包含在洗淨單元4的各單元(以第一洗淨室41、42、第二搬送室43以及第二洗淨室44等來做為一例)的晶圓W的各種資訊(例如晶圓W進入各單位內的時刻，晶圓W從各單位出來至外部的時刻等)。
又，PLC-3(63)收集包含在研磨單元3的各單元(以Lifter50、LTP1(51)、第一研磨單元3A、第二研磨單元3B以及LTP1(53)等來做為一例)的晶圓W的各種資訊(例如晶圓W進入各單位內的時刻，晶圓W從各單位出來至外部的時刻等)。
又，PLC-4(64)收集包含在研磨單元3的各單元(以STP58、LTP5(55)、第三研磨單元3C、第四研磨單元3D等來做為一例)的晶圓W的各種資訊(例如晶圓W進入各單位內的時刻，晶圓W從各單位出來至外部的時刻等)。
又，基板處理裝置具有HMI5。由PLC-1(61)、PLC-2(62)、PLC-3(63)以及PLC-4(64)所收集取得的各種資訊，經由CC-LINK IE Network65匯集於HMI5。
HMI5具備：計測部5A、判定部5B、滯留時間極限DB(5C)以及錯誤處理部5D。
計測部5A根據從PLC-1(61)、PLC-2(62)、PLC-3(63)以及PLC-4(64)收集的各種資訊，計測每一個晶圓W在各單元的滯留時間。
在此，說明關於晶圓W在各單元的滯留時間。第六圖表示晶圓在各單元的滯留時間的一例圖。第六圖是表示關於某一片晶圓在各單 元的滯留時間的一例圖。
如第六圖所示，計測部5A根據從各PLC收集的資訊，對於各晶圓W，記錄進入各單元(Location)的時刻(In)以及從各單元出來的時刻(Out)。又，計測部5A對於各晶圓W，根據進入各單元的時刻與從各單元出來的時刻，計測各單元的滯留時間(Elapsed)。
判定部5B比較以計測部5A計測的滯留時間與以滯留時間極限DB(5C)預設的對於各單元個別設定的設定時間。判定部5B是當以計測部5A計測的滯留時間超過以滯留時間極限DB(5C)預設的設定時間，則判定錯誤產生。
在此，說明關於滯留時間極限DB(5C)。第七圖表示滯留時間極限DB5C的一例圖。如第六圖所示，例如從裝卸單元2搬送晶圓W到研磨單元3的Lifter50，晶圓W的滯留時間為還未對晶圓W進行任何處理的狀態(5C-1)。在此情況的滯留時間的極限被設定成600(sec)。又，例如在晶圓W滯留於研磨單元3A、3B、3C、3D的任一者，研磨中的狀態(5C-2)的情況下，滯留時間的極限被設定成600(sec)。
對此，例如晶圓W滯留於LTP3(53)等的搬送單元的情況，在研磨處理結束，開始洗淨處理為止之間的狀態的情況，滯留時間極限被設定成300(sec)。
又，晶圓W滯留於第一洗淨室41、42、第二洗淨室44、45的任一者的洗淨中狀態(5C-4)的情況，滯留時間極限被設定成1800(sec)。
對此，例如晶圓W滯留於第二搬送室46等的搬送單元的情況，再洗淨處理結束，開始乾燥處理為止之間的狀態(5C-5)的情況，滯留時間極限被設定成160(sec)。
如以上所述，在基板處理裝置內，對應對晶圓W的處理狀況，可容許晶圓W成閒置狀態的時間各有不同。因此，在本實施形態，對於各單元可個別地設定時限。判定部5B是當以計測部5A計測的各晶圓W的滯留時間超過滯留時間極限DB(5C)預設的設定時間，則判定錯誤產生。
錯誤處理部5D是當以判定部5B判定錯誤產生，則在顯示介面上顯示類似基板處理裝置的圖像，並在類似基板處理裝置的圖像上， 顯示辨識做為錯誤對象的晶圓W所滯留的單元的圖像。
也就是說，錯誤處理部5D在以判定部5B判定錯誤產生的情況下，發出用來喚起使用者注意的警報。具體來說，錯誤處理部5D如第一圖所示，在顯示介面顯示類似基板處理裝置的圖像。再者，錯誤處理部5D顯示辨識做為錯誤對象的晶圓W所滯留的單元的圖像。在第一圖的例中，藉由在LTP3的區域顯示類似晶圓W的圖像61，來顯示晶圓W滯留在LTP3超過設定時間的300(sec)的情況。
又，錯誤處理部5D是當以判定部5B判定產生錯誤，則類似基板處理裝置的圖像所包含的複數個單元中，辨識滯留時間超過設定時間原因的單元。又，錯誤處理部5D顯示成該辨識到的單元可與其他單元識別。例如，為了在第一洗淨室41產生損傷，假定晶圓W滯留於LTP3超過設定時間的300(sec)。在此情況下，錯誤處理部5D如第一圖所示，在類似第一洗淨室41的圖像上部顯示產生損傷的「Down」。
再者，錯誤處理部5D是當以判定部5B判定產生錯誤，則在顯示介面上顯示成為錯誤對象的晶圓W的搬送路徑。例如假定晶圓W滯留在LTP3超過設定時間的300(sec)。在此情況下，錯誤處理部5D如第一圖所示，藉由顯示從類似晶圓W的圖像61延伸的箭頭62，表示滯留於LTP3的晶圓W，經由STP58被搬送到第一洗淨室41的路徑。
接下來，說明關於基板處理裝置的處理流程。第八圖表示基板處理裝置的的處理流程圖。第八圖的流程表示晶圓W進入各單元後到出來為止所執行的處理。
首先，計測部5A是當晶圓W進入單元(步驟S101)，判定是否對於晶圓W的程序處理中(步驟S102)。
接著，當計測部5A判定對於晶圓W的程序處理中(步驟S102，Yes)，則判定程序處理是否正常執行(步驟S103)。
然後，當計測部5A判定程序處理正常執行(步驟S103，Yes)，，則判定是否對於晶圓W的Cu腐蝕有影響(步驟S104)。
當判定對於晶圓W的Cu腐蝕沒有影響(步驟S104，No)，則晶圓W從單元出來(步驟S105)，結束處理。
另一方面，計測部5A是當在步驟S102判定並非對於晶圓W的程序處理中(步驟S102，No)、判定程序處理並未正常執行(步驟S103，No)或判定對於晶圓W的Cu腐蝕有影響(步驟S104，Yes)，則判定晶圓W的閒置時間是否經過中(步驟S106)。
當計測部5A判定晶圓W的閒置時間並非經過中(步驟S106，No)則回到步驟S102的處理。
另一方面，當計測部5A判定晶圓W的閒置時間是經過中(步驟S106，Yes)，則計算(count)閒置時間(步驟S107)。
接著，判定部5B判定計算的閒置時間是否超過設定時間(步驟S108)。當判定部5B判定計算的待機時間不超過設定時間(步驟S108，No)，則回到步驟S106的處理。
另一方面，判定部5B判定計算的閒置時間超過設定時間(步驟S108，Yes)，則判定錯誤產生，錯誤處理部5D執行錯誤處理(步驟S109)。
錯誤處理部5D為例如第一圖所示，在顯示介面顯示類似基板處理裝置的圖像。再者，錯誤處理部5D藉由顯示辨識做為錯誤對象的基板所滯留的單元的圖像，進行喚起對使用者的注意。又，錯誤處理部5D也可以顯示成錯誤發生的原因的單元可與其他單元識別，顯示做為錯誤對象的晶圓W的搬送路徑。
如以上所述，根據本實施形態的基板處理裝置，在個別的晶圓W基準下管理各單元內的滯留時間，所以可有效地抑制在基板處理裝置內的晶圓產生損傷。又，基板處理裝置內，對應晶圓W的處理狀況，可容許晶圓W為閒置狀態的時間各有不同。因此，在本實施形態，對於各單元可設定個別的時限。再者，可有效地抑制基板處理裝置內的晶圓產生損傷的狀況。
又，根據本實施形態，在錯誤產生的情況下，藉由顯示辨識成為錯誤對象的晶圓W滯留的單元的圖像，使用者可迅速掌握擔憂受損傷的晶圓W位置。再者，根據本實施形態，藉由顯示成做為錯誤產生原因的單元可與其他單元識別，顯示做為作物對象的晶圓W的搬送路徑，使用者可容易判斷因哪一個單元的影響導致錯誤產生。
2‧‧‧裝卸單元
3A‧‧‧第一研磨單元
3B‧‧‧第二研磨單元
3C‧‧‧第三研磨單元
3D‧‧‧第四研磨單元
4‧‧‧洗淨單元
41‧‧‧第一洗淨室(CLIA)
42‧‧‧第一洗淨室(CLIB)
43‧‧‧第一搬送室(RB1)
44‧‧‧第二洗淨室(CL2A)
5‧‧‧控制部
5A‧‧‧計測部
5B‧‧‧判定部
5C‧‧‧滯留時間極限DB
5D‧‧‧錯誤處理部
50‧‧‧Lifter
51‧‧‧LTP1
53‧‧‧LTP3
55‧‧‧STP5
58‧‧‧STP
61‧‧‧PLC-1
62‧‧‧PLC-2
63‧‧‧PLC-3
64‧‧‧PLC-4
65‧‧‧CC-LINK IE Network

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵在於具備：研磨單元，研磨基板；洗淨單元，洗淨及乾燥被前述研磨單元研磨處理過的基板；搬送單元，在前述研磨單元及前述洗淨單元內進行基板的搬送；計測部，對前述各基板，計測在前述研磨單元、前述洗淨單元及前述搬送單元的滯留時間：以及判定部，比較被前述計測部所計測的滯留時間與對於前述研磨單元、前述洗淨單元及前述搬送單元個別設定的設定時間，若前述滯留時間超過前述設定時間，則判定為錯誤產生。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中更具備裝卸單元，將基板傳遞至前述研磨單元，並接收被前述洗淨單元洗淨及乾燥處理後的基板；前述搬送單元，在前述研磨單元、前述洗淨單元及前述裝卸單元內進行基板的搬送。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之基板處理裝置，其中更具備錯誤處理部，若以前述判定部判定錯誤產生，則在顯示介面上顯示類似前述基板處理裝置的圖像，並在類似前述基板處理裝置的圖像上，顯示辨識做為前述錯誤對象的基板所滯留的單元的圖像。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中前述錯誤處理部若以前述判定部判定錯誤產生，則從類似前述基板處理裝置的圖像所包含的複數個單元中，辨識前述滯留時間超過前述設定時間之原因的單元，將該辨識到的單元顯示成可與其他單元識別。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之基板處理裝置，其中前述錯誤處理部若以前述判定部判定為錯誤產生，則在前述顯示介面上顯示做為前述錯誤對象的基板的搬送路徑。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019198940A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 株式会社ディスコ 加工装置
JP7113722B2 (ja) * 2018-11-05 2022-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板収容容器の蓋を開閉する方法、及びプログラム
JP6899813B2 (ja) * 2018-11-27 2021-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2022072570A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置
KR102640371B1 (ko) * 2021-09-03 2024-02-27 엘에스이 주식회사 기판 이송 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09326339A (ja) * 1996-06-05 1997-12-16 Nikon Corp デバイス製造ラインの処理状況表示方法
AU2003290752A1 (en) * 2002-11-12 2004-06-03 Fei Company Defect analyzer
JP4793927B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及びその装置
JP2008091698A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8206197B2 (en) * 2007-04-20 2012-06-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and program thereof
JP5422143B2 (ja) * 2008-06-04 2014-02-19 株式会社荏原製作所 基板把持機構
JP5491022B2 (ja) * 2008-12-10 2014-05-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理装置の制御方法および基板処理装置の表示方法
US9136149B2 (en) * 2012-11-16 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Loading port, system for etching and cleaning wafers and method of use

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