JPH10230461A - ケミカルフィルタを備えたポリッシング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低圧損であり、フィルタ寿命が長寿命で、空
気中の広範囲の不純物に対して除去率が高除去率である
ことが可能なケミカルフィルタを備えたポリッシング装
置を提供する。 【解決手段】 研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配
した第１室２７と、研磨対象物を収納したカセットの受
け渡しをするロードアンドロードブロックと、研磨対象
物を移動させる搬送ブロックと、研磨後のウエハを洗浄
する洗浄ブロックと、装置の運転をコントロールする制
御ブロックを１つの室に配置した第２室２６からなる箱
状のポリッシング装置５０である。前記第２室に隣接し
てファン４１とフィルタを内蔵したフィルタブロック６
０を設け、前記第２室のベースと前記第１室内の各ブロ
ックとの間に多数の穴を上面に有す配管系を配置し、該
配管系と前記フィルタブロックの間を連通し、前記フィ
ルタブロック内に、ケミカルフィルタ４３を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はポリッシング装置に関
し、特に半導体ウエハ等の研磨対象物を平坦かつ鏡面状
に研磨するポリッシング装置の清浄雰囲気を保持するた
めのケミカルフィルタを備えたポリッシング装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に、０．５ミクロン以下の光リソグラ
フィの場合、焦点間深度が狭くなるためステッパの結像
面の平坦度を必要としている。そこで、半導体ウエハの
表面を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の
１手段としてポリッシング装置により研磨することが行
われている。従来、この種のポリッシング装置は、研磨
に砥粒との懸濁液である砥液を使用することからその液
のミスト飛散および付着後の乾燥による砥粒の飛散や、
砥液に薬液等を使用した場合には有毒ガスを発生する場
合がある。また、ポリッシング装置は比較的大きな動力
を使用するための動力駆動部からの発塵が懸念されるた
め、該装置の設置場所はクリーンルーム外となることが
あった。

【０００３】しかし、ポリッシング処理以外のウエハ処
理装置、例えばエッチング処理やスパッタリング処理等
の装置はクリーンルーム内に設置されているため、ポリ
ッシング装置をクリーンルーム外へ置くことはポリッシ
ング工程が一連の半導体製造工程から外れる事となり、
製造工程の完全自動化を妨げるものである。このため近
年では、ポリッシング装置全体をケーシングで覆ったう
えで、他のウエハ処理装置と同じクリーンルームへ設置
されるようになってきた。この種のポリッシング装置
は、装置内部で発生するダストを外へ出さない工夫が必
要となり、これまでにクリーンルームに設置可能なポリ
ッシング装置が提案されている。また、ポリッシング処
理後に砥液が付着したウエハは次のウエハ処理工程のた
めに洗浄されなければならないが、ポリッシング装置が
クリーンルーム内へ清浄な状態で搬出されることが望ま
しい。なぜならば、砥液が付着したウエハがクリーンル
ームを汚染してしまうためである。このため、ポリッシ
ング装置内部に洗浄装置を備えたものが製造されるよう
になってきた。また、ポリッシング装置を含む半導体製
造装置に微量ガスを除去するケミカルフィルタの設置取
り付けたものとしては、いくつか提案されている。しか
し、従来の装置においては、ケミカルフィルタの設け方
について開示されたものはなく、増してや、従来以上に
フィルタの低圧損、高除去率、フィルタ長寿命を図るこ
とのでき装置の開発については、その要求度の割には装
置の性能としては満足したものはないのが現状であっ
た。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特に半導体製造行程に
おいては、ポリッシング処理は他のウエハ処理に比べ
て、処理によって発生する塵埃やミストが非常に多いた
め、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置した場
合、発生する塵埃やミストがクリーンルーム内を汚染す
るという問題点を有する。また、ポリッシング対象とな
る膜の種類が多くなるにつれ、ポリッシングの砥液も砥
粒濃度の高いもの、酸性やアルカリ性の強いものが使用
されるようになってきている。このため、例えばウエハ
を洗浄室内に受け取って洗浄機に受け渡す間にウエハお
よび該ウエハを把持するロボットから、洗浄液等が設置
床に滴下し、又滴下した水滴が乾燥し、前記粗洗浄で残
っていた砥粒が舞い上がって洗浄後のウエハを汚染した
り、ウエハやロボットの付着水から有害なガスが発生す
る等の問題が懸念されている。

【０００５】本発明は、特に、洗浄後のウエハの二次汚
染がなく有害が発生するガスに安全に対処した、クリー
ンルーム内に設置可能なケミカルフィルタを備えたポリ
ッシング装置を提供することを目的とする。また、ポリ
ッシング装置を含む半導体製造装置に微量ガスを除去す
る効果的に除去でき且つ低圧損、高除去率、長寿命のケ
ミカルフィルタを備えたポリッシング装置を提供するこ
とを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、下記の如き本発明によって上記目的を達成するこ
とができた。 （１）研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配した第１
室と、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをする
ロードアンドロードブロックと、研磨対象物を移動させ
る搬送ブロックと、研磨後のウエハを洗浄する洗浄ブロ
ックと、装置の運転をコントロールする制御ブロックを
１つの室に配置した第２室からなる箱状のポリッシング
装置において、前記第２室に隣接してファンとフィルタ
を内蔵したフィルタブロックを設け、前記第２室のベー
スと前記第１室内の各ブロックとの間に多数の穴を上面
に有す配管系を配置し、該配管系と前記フィルタブロッ
クの間を連通し、前記フィルタブロック内に、ケミカル
フィルタを設けたことを特徴とするポリッシング装置。

【０００７】（２）前記ケミカルフィルタはイオン交換
体と活性炭素を含んだ樹脂のフィルタとゼオライトを含
んだフィルタとの少なくとも１つにより構成されている
ことを特徴とする上記（１）に記載のポリッシング装
置。 （３）前記イオン交換体のイオン交換基としてスルホン
基、リン酸基およびカルボキシル基、アニオン交換基と
して４級アンモニウム、３級アミン、２級アミン及び１
級アミンより選択されたものである上記（２）に記載の
ポリッシング装置。 （４）前記イオン交換体に用いる基材が単繊維、単繊維
の集合体である織布および不織布、それらの加工品また
は空隙材料より選択されたものである請求項２又は３記
載に記載のポリッシング装置。

【０００８】（５）前記イオン交換体のフィルタ形状
が、プリーツ折り直交流、平行流、ハニカム状より選択
されたものである上記（２）から（４）のいずれかに記
載のポリッシング装置。 （６）前記イオン交換体のプリーツ折り直交流型、平行
流型に使用するセパレータは、金属、樹脂および紙より
選択された材料で構成され、空隙率が５０％以上を有す
る上記（２）から（５）のいずれかに記載のポリッシン
グ装置。 （７）前記セパレータの高さは３〜１０ｍｍである上記
（６）に記載のポリッシング装置。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施形態を図面に基ずいて説明する。図１は、本
発明のポリッシング装置５０をクリーンルームに設置し
た状態の概略図を示す。図２はポリッシング装置５０の
内部構造を示す概略斜視図であり、図３はポリッシング
装置５０を側面から見た内部構造示す概略側面図であ
る。

【００１０】図１に示すように、ポリッシング装置５０
は、カセット受け渡し口１と操作パネル２のある側面３
Ａが仕切壁３としてクリーン度の高いワーキングゾーン
４に突出しており、その他の側面３Ｂと天井３Ｃがクリ
ーン度の低いユーティリティーゾーン５に解放されてい
る。そして、このポリッシング装置５０は、ウエハ１６
（図２参照）を収納したカセット１３（図２参照）の受
け渡しをするロードアンドブロック７（図２参照）と、
該カセット１３からウエハ１６を移動させる搬送ブロッ
ク８（図２参照）と、ウエハ１６を研磨する研磨ブロッ
ク６（図２参照）と、研磨後のウエハを洗浄する洗浄ブ
ロック９（図２参照）と、該ポリッシング装置５０の運
転をコントロールする制御ブロック１０（図２参照）と
を共通のベース上に配置して、これら全体を覆うように
周囲及び天井に壁板（外溝）を設け箱状に構成したもの
である。

【００１１】天井３Ｃ上にはフィルタブロック６０が搭
載され、ロードアンドロードブロック７と搬送ブロック
８と洗浄ブロック９と制御ブロック１０とを収納した洗
浄空間の清浄空気を循環させるようになっている。図２
に示すように、ポリッシング装置５０は、研磨ブロック
６とそれ以外のロードアンドロードブロック７、搬送ブ
ロック８、洗浄ブロック９、制御ブロック１０とが隔壁
１１によって仕切られており、これらの各ブロックは共
通ベース１２に独立して配置されている。

【００１２】以下、ウエハ１６の処理工程について概略
を説明する。図１に示すカセット受け渡し口１から投入
されたカセット１３は、ロードアンドロードブロック７
のステージ１４に置かれ、センシングセンサ１５によっ
て収納されたウエハ１６の数と収納棚１７（図２のｂ参
照）の位置が計測（ウエハのマッピング）され、その情
報が制御ブロック１０内のコンピュータ１８に記憶され
る。マッピングを終了すると搬送ブロック８に搭載され
たロボット１９の略水平方向に張り出したフィンガー２
０がウエハ１６を取り出してくる。カセット１３から取
り出されたウエハ１６は、ロボット１９のフィンガー２
０に捕捉されたまま隔壁１１のウエハ受け渡し穴２１を
通過して、研磨ブロック６のトップリング２２に装着さ
れ、回転テーブル２３上で研磨される。

【００１３】この回転テーブル２３の表面には研磨布が
張り付けられており、砥液が流下された状態で回転テー
ブル２３が回転し、トップリング２２に装着されたウエ
ハ１６が研磨される。研磨後のウエハ１６は、トップリ
ング２２に取り付けた状態で付属の洗浄機で粗洗浄され
た後、ロボット１９によって洗浄ブロック９に移送さ
れ、該ブロック９内の洗浄槽２４に装着される。この洗
浄ブロック９にて洗浄が終了すると、ウエハ１６は同ブ
ロック内の乾燥槽２５に装着され、水切りが行われた後
にロボット１９によって洗浄ブロック９から取り出さ
れ、カセット１３の収納棚１７に戻される。このように
して１枚のウエハの研磨が終了するが、引き続き残りの
ウエハが研磨され全枚数が処理終了したところでカセッ
ト１３が交換される。

【００１４】図３により良く判るように、ポリッシング
装置５０は隔壁１１によって仕切られ、前記のロードア
ンドロードブロック７と、搬送ブロック８と、洗浄ブロ
ック９と、制御ブロック１０とが配置された洗浄室２６
（第２室）と、研磨ブロック６が配置されたポリッシン
グ室２７（第１室）とからなっている。前述のウエハ１
６の研磨中に発生した砥液のミストや発生ガスは、回転
テーブル２３の駆動部３４の駆動ベルトの塵埃とともに
排気口２９から排気される。これらの排気は、図１に示
す排気管５１を経てポリッシング装置５０外へ排出され
る。これらの排気に見合う空気は、カセット受け渡し口
１から、クリーンルーム内の清浄空気が洗浄ブロック９
を含む第２室である洗浄室２６に流入し、更にフィルタ
ブロック６０の吸気口から流入した空気が洗浄室２６に
吹き出し、隔壁１１に設けられたウエハ受け渡し穴２１
及び開口面積が調整される穴４０から第１室であるポリ
ッシング室２７に供給される。

【００１５】フィルタブロック６０には例えばファン４
１が内蔵され、ファン４１の出口側には例えば濾過精度
０.１ミクロンのＨＥＰＡフィルタ４２が、またファン
４１の入口側には有害なガスを吸着除去するケミカルフ
ィルタ４３が取り付けられている。フィルタ４２からの
清浄な空気はロボット１９の移動範囲と洗浄槽２４及び
乾燥槽２５を含む範囲、つまりウエハ１６の移動する範
囲に吹き降ろされ、送風スピードは隣接するウエハ間の
相互汚染を防ぐのに有効な０.３〜０.４ｍ／ｓになって
いる。吹き降ろされた空気の一部は前述したポリッシン
グ室２７へ、また洗浄槽２４及び乾燥槽２５の開口部へ
流入して、装置外へ排気され、この排気分を除いて、大
部分は装置床面へ降下する。

【００１６】床面には、例えば偏平な箱状の管であるダ
クトヘッダ４５が取り付けられ、このダクトヘッダ４５
には多数の穴４６が設けられ、穴４６には開口面積を適
宜調整可能な羽板４７が付いている。そして、ダクトヘ
ッダ４５は例えばダクト４８でフィルタブロック６０に
接続されている。ポリッシング装置５０の床面に降下し
た空気は、前記穴４６から吸い込まれ、ダクトヘッダ４
５に集められ、ダクト４８を通ってケミカルフィルタ４
３を含む各フィルタにより濾過される。従って、ポリッ
シング室２７から、粗洗浄後ウエットな状態で洗浄室２
６へ入ってきたウエハ１６やロボット１９のフィンガー
２０に付着していた砥液を少し含む洗浄液からでる有害
なガスは、前述の降下する空気と共にケミカルフィルタ
４３等で不純物が濾過され除かれる。

【００１７】ケミカルフィルタ４３の選定に当たって
は、活性炭素を含んだ樹脂フィルタ、ゼオライト、放射
線グラフト重合法により作製したイオン交換体の繊維フ
ィルタがある。ここではプリーツ加工したイオン交換体
の繊維フィルタは、放射線グラフト重合法により作製し
たものであり、繊維表面にイオン交換機能が集中してい
るので、実質的濾過に寄与する面積が大きくなり、濾過
成分の吸着速度が大きく、また、固体内濃度拡散効果に
より、低濃度ガスに対して極めて有効的な濾過機能を発
揮することができる。したがって、被濾過気体中の広範
囲の不純物に対して除去率が高除去率であり、更に、本
発明者らの実験結果から、従来のフィルタに比べてフィ
ルタ自信からの発塵がないことが判明し、濾過性能が従
来に比べて格段に向上する。更に、このイオン交換体は
実質的な濾過面積を大きくでき、フィルタ寿命を従来に
比べて長寿命としてフィルタの交換作業等のメンテナン
スの頻度を実質的に少なくすることができる。更にま
た、鋭意研究の結果、放射線グラフト重合法により作製
したイオン交換体は、低圧損であり、機械的なトラブル
要因となる振動、騒音が少ない低速ファンを適用して
も、送風量の低下が抑えられる等の効果を発揮すること
ができることが判った。

【００１８】このようなことから、ケミカルフィルタ４
３は、前記したＨＥＰＡフィルタと異なり、半導体製造
装置内で使用する場合、常にフィルタ交換作業が必要と
なるものの、前掲のごとく寿命が長くなることから好ま
しい。また、半導体製造装置の性格上、振動、騒音等の
機械的なトラブルを少なくするため使用するファンに低
速のシロッコファンと称されて低速ファンを用いること
が望ましいが、前掲のごとく、ケミカルフィルタは、低
圧損、高除去率、長寿命であることから、極めて望まし
い。

【００１９】また、プリーツ加工したイオン交換体の繊
維フィルタの低圧損、高除去率、長寿命化のポイントと
して、セパレータの形状とプリーツ折りの先端部が気流
の乱れによって、その先端部位のイオン交換機能が他所
よりも早く消費されないようにすることにあることが分
かってきた。セパレータの形状については、例えばＨＥ
ＰＡフィルタで使われている波板タイプでは気流の乱れ
がなく、セパレータとイオン交換繊維の接触部が有効利
用されない。また、セパレータの高さをあまり狭めてし
まうと、フィルタに入るイオン交換体の繊維の量は増え
るものの、高圧損でイオン交換体の繊維の有効利用がで
きなくなる。

【００２０】前記ケミカルフィルタはイオン交換体と活
性炭素を含んだ樹脂のフィルタとゼオライトを含んだフ
ィルタとから構成することができる。また、前記イオン
交換体のイオン交換基としてスルホン基、リン酸基およ
びカルボキシル基、アニオン交換基として４級アンモニ
ウム、３級アミン、２級アミン及び１級アミンより選択
されたものを用いることができる。

【００２１】前記イオン交換体に用いる基材としては、
単繊維、単繊維の集合体である織布および不織布、それ
らの加工品または空隙材料より選択することができる。
更に、前記イオン交換体のフィルタ形状は、後述するプ
リーツ折り直交流型、平行流型、ハニカム形状型より選
択することができる。また、前記イオン交換体のプリー
ツ折り直交流型、平行流型に使用するセパレータは、イ
オン交換体とイオン交換体との間に空気が流れる流路を
形成するための手段であり、前述のように多孔板、網か
らできた板状のものであり、例えば金属、樹脂および紙
より選択された材料で構成され、空隙率が５０％以上を
有することにより、好ましい結果を得ることができる。

【００２２】本発明におけるケミカルフィルタ４３にお
けるイオン交換体の形状として、下記するようなプリー
ツ折りの直交流型、平行流型、ハニカム形状型より選択
することができる。直交流型ものは、図４に示すよう
に、例えば、組上がった状態で矩形状なるような適宜形
状の外枠８１，８２，８３，８４で支持された空間に、
複数のフィルタを積層してプリーツ加工して形成したフ
ィルタユニット８０の入口側プリーツの間にガス流路を
形成するための入口側セパレータ７０を挿入し、出口側
プリーツの間に出口側セパレータ７１を挿入し、前記ガ
ス流路がフィルタ素材の折り目に対して直交な流路（矢
印Ａにて示す方向の流路）を形成する形態である。そし
て、前記セパレータ７０、７１は、小孔７４が多数形成
された多孔板として形成されている。なお、図５には、
前記セパレータが、網７２、７３にて構成されたものを
図示した。図５において、網７２、７３以外の構成は図
４に示す構成と同様であるので、説明を省略する。

【００２３】なお、前記セパレータ７０、７１、７２、
７３において、折り曲げた時の折り曲げ高さｈ（空気流
路の間隙を形成するための実質的な厚み）は３〜１０ｍ
ｍ、好ましくは６〜８mmとすることによりの良好な結果
を得ることができる。

【００２４】また、平行流型は、図６に示すように、図
４に示す構造と同様に組上がった状態で矩形状となるよ
うな外枠（図示せず）で支持された空間に、布状のフィ
ルタユニット９０と、該フィルタ素材間にガス流路を形
成するためのセパレータ７１を積み重ねて固定したエア
フィルタである。そして、ガス流路（矢印Ａにて示す方
向の流路）がフィルタユニット９０の配置に対して平行
な流路を形成するように構成された形態である。そし
て、前記セパレータ７０は小孔７４を備えた多孔板など
から形成することができる。

【００２５】また、ハニカム形状型とは、その基本的構
成は、外枠で支持された空間に、図７に示すような布状
のフィルタ素材７８と、該フィルタ素材間にガス流路を
形成するためのセパレータ７９を積み重ねて固定したエ
アフィルタであって、このガス流路がフィルタ素材に対
して平行な流路を形成すると共に、前記セパレータが布
状のフィルタ素材から形成されたプリーツ状若しくはハ
ニカム状のものから構成されている。そして、上下の布
状のフィルタ素材とセパレータを形成するプリーツ状若
しくはハニカム状の布状のフィルタ素材とが融着して固
定された形態であり、例えば、図７における矢印Ａ方向
から見てハニカム状の構造である。なお、上下の布状の
フィルタ素材７８とハニカム状の布状のフィルタ素材７
９は、同一の素材であっても、異種のものでもよい。

【００２６】（実施例）プリーツ加工したイオン交換体
の繊維フィルタの低圧損、高除去率、長寿命化のポイン
トとして、セパレータの形状とプリーツ折りの先端部が
気流の乱れが関与することの確認を行った。確認方法と
して、図４に示すような構成のフィルタ１００を使用
し、フィルタ１００の外観寸法は高さ３０５mm(H)×幅
３０５mm(W)×厚さ７０〜１５０mmでイオン交換体の繊
維を１〜３枚プリーツ折り積層した構成とした。フィル
タ１００は、セパレータ７０の開口率を変えたもの、フ
ィルタの先端部を変えたもの、セパレータ７０の折り目
の高さ（ｈ）を変えたものを各々３種類複数個製作し
た。これらを各々ファンフィルタユニットに装着し、風
速０.５ｍ／ｓ〜２ｍ／ｓ、アンモニア濃度を１００ｐ
ｐｂ〜１０ｐｐｍの範囲で変えた場合の圧損、除去率、
寿命について実験した。

【００２７】（１）圧損 セパレータの折り目の高さ（ｈ）を２〜１５ｍｍまで変
えた場合、圧損は２から５ｍｍになるにつれて徐々に下
がり、６〜８ｍｍでほぼ最低になった。また８から１５
ｍｍになるにつれて徐々に上がりつづけた。また、セパ
レータの開口率を変えた場合の圧損は、開口率のない場
合が最も低いが、その効果はセパレータの高さ程影響は
なかった。 （２）除去率 セパレータの高さを２〜１５ｍｍまで変えても、除去率
に影響はなかった。また、セパレータの開口率を変えた
場合の除去率は、開口率５０％以上で気流に乱れによっ
て接触回数が増し高除去率（９９％以上）が得られた。

【００２８】（３）寿命 セパレータの高さによる影響は、セパレータの高さをあ
まり狭めてしまうと、フィルタに入るイオン交換体の繊
維量は増えるものの、高圧損でイオン交換体の繊維の有
効利用ができなくなる。また、ＨＥＰＡフィルタで使わ
れている波板タイプでは気流の乱れがなく、セパレータ
とイオン交換体の繊維の接触部が有効利用されない。開
口率５０％以上で気流の乱れによって接触回数が増し、
波板タイプに比べて１５％以上の長寿命が得られた。以
上の結果から、セパレータの高さが４〜１０ｍｍ、好ま
しくは６〜８ｍｍで、開口率５０％以上としたことによ
り、フィルタは低圧損、高除去率、長寿命となった。

【００２９】

【発明の効果】本発明により、洗浄後のウエハの二次汚
染がなく有害な発生するガスに安全に対処した、クリー
ンルーム内に設置可能なポリッシング装置を提供するこ
とが可能となった。また、ポリッシング装置を含む半導
体製造装置に微量ガスを除去するケミカルフィルタの取
り付けに当たっては、プリーツ加工したイオン交換繊維
フィルタの構造について、低圧損、高除去率、長寿命に
必要な条件を確認した。更に、半導体製造装置以外のケ
ミカルフィルタを使用する食品、医薬品、空気清浄業界
への適用が可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態におけるポリッシング装置
をクリーンルームに設置した状態の概略図である。

【図２】本発明の一実施形態のポリッシング装置の内部
構造を示す概略斜視図である。

【図３】本発明の一実施形態のポリッシング装置を側面
から見た内部構造示す概略側面図である。

【図４】本発明におけるフィルタの一実施形態を示す要
部の分解斜視図である。

【図５】本発明におけるフィルタの他の実施形態を示す
要部の分解斜視図である。

【図６】本発明におけるフィルタの他の実施形態を示す
要部の分解斜視図である。

【図７】本発明におけるフィルタの他の実施形態を示す
要部の斜視図である。

【符号の説明】

１ カセット受け渡し口 ２ 操作パネル ３ 仕切壁 ４ ワーキングゾーン ５ ユーティリティーゾーン ６ 研磨ブロック ７ ロードアンドブロック ８ 搬送ブロック ９ 洗浄ブロック １０ 制御ブロック １１ 隔壁 １２ 共通ベース １３ カセット １６ ウエハ ２４ 洗浄槽 ２５ 乾燥槽 ２６ 洗浄室 ２７ ポリッシング室 ４０、４６ 穴 ４１ ファン ４３ ケミカルフィルタ ４５ ダクトヘッダ ４７ 羽根 ４８ ダクト ５０ ポリッシング装置 ６０ フィルタブロック

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 研磨対象物を研磨する研磨ブロックを配
   した第１室と、研磨対象物を収納したカセットの受け渡
   しをするロードアンドロードブロックと、研磨対象物を
   移動させる搬送ブロックと、研磨後のウエハを洗浄する
   洗浄ブロックと、装置の運転をコントロールする制御ブ
   ロックを１つの室に配置した第２室からなる箱状のポリ
   ッシング装置において、 前記第２室に隣接してファンとフィルタを内蔵したフィ
   ルタブロックを設け、前記第２室のベースと前記第１室
   内の各ブロックとの間に多数の穴を上面に有す配管系を
   配置し、該配管系と前記フィルタブロックの間を連通
   し、前記フィルタブロック内に、ケミカルフィルタを設
   けたことを特徴とするポリッシング装置。
2. 【請求項２】 前記ケミカルフィルタはイオン交換体と
   活性炭素を含んだ樹脂のフィルタとゼオライトを含んだ
   フィルタとの少なくとも１つにより構成されていること
   を特徴とする請求項１に記載のポリッシング装置。
3. 【請求項３】 前記イオン交換体のイオン交換基として
   スルホン基、リン酸基およびカルボキシル基、アニオン
   交換基として４級アンモニウム、３級アミン、２級アミ
   ン及び１級アミンより選択されたものである請求項２に
   記載のポリッシング装置。
4. 【請求項４】 前記イオン交換体に用いる基材が単繊
   維、単繊維の集合体である織布および不織布、それらの
   加工品または空隙材料より選択されたものである請求項
   ２又は３記載に記載のポリッシング装置。
5. 【請求項５】 前記イオン交換体のフィルタ形状が、プ
   リーツ折り直交流、平行流、ハニカム状より選択された
   ものである請求項１から４のいずれかに記載のポリッシ
   ング装置。
6. 【請求項６】 前記イオン交換体のプリーツ折り直交流
   型、平行流型に使用するセパレータは、金属、樹脂およ
   び紙より選択された材料で構成され、空隙率が５０％以
   上を有する請求項２から５のいずれかに記載のポリッシ
   ング装置。
7. 【請求項７】 前記セパレータの高さは３〜１０ｍｍで
   ある請求項６記載のポリッシング装置。