JP7383118B2 - 研削装置 - Google Patents

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Description

本開示は、研削装置に関する。
特許文献１に記載の加工装置は、第１搬送ユニットと、位置調整機構と、第２搬送ユニットと、ターンテーブルと、チャックテーブルと、加工ユニットと、洗浄機構とを備える。第１搬送ユニットは、カセットから位置調整機構に基板を搬送する。位置調整機構は、基板の位置を調整する。第２搬送ユニットは、位置調整機構からターンテーブル上のチャックテーブルに基板を搬送する。チャックテーブルが基板を吸引保持すると、ターンテーブルが回転し、基板が加工ユニットの下方に配置される。加工ユニットは、研削ホイールで基板を研削する。第２搬送ユニットは、研削後の基板を吸引保持して旋回し、洗浄機構に搬送する。洗浄機構は、研削後の基板を洗浄する。第１搬送ユニットは、洗浄後の基板を洗浄機構からカセットに搬送する。
日本国特開２０１９－１８５６４５号公報
本開示の一態様は、研削装置にて生じたパーティクル及びミストの流出を抑制する、技術を提供する。
本開示の一態様に係る研削装置は、回転テーブルと、チャックと、回転駆動部と、研削位置カバーと、洗浄部と、着脱位置カバーと、を有する。前記回転テーブルは、鉛直な回転中心線を中心に回転する水平なものである。前記チャックは、前記回転テーブルの回転中心線の周りに等間隔で複数配置される。前記回転駆動部は、前記回転テーブルを回転し、前記チャックに対する基板の着脱が行われる着脱位置と、前記チャックに着けた前記基板の研削が行われる研削位置との間で前記チャックを移動させる。前記研削位置カバーは、前記研削位置の上方及び側方を覆う。前記洗浄部は、前記着脱位置にて前記チャック又は前記基板に対して洗浄液を供給する。前記着脱位置カバーは、前記着脱位置の上方及び側方を覆う。前記着脱位置カバーは、側面に前記基板の搬送口を有し、内部に前記チャックと前記洗浄部とを収容する。
本開示の一態様によれば、研削装置にて生じたパーティクル及びミストの流出を抑制できる。
図１は、一実施形態に係る研削システムを示す平面図である。 図２は、一実施形態に係る研削システムを示す側面図である。 図３は、一実施形態に係る研削装置の着脱位置カバーを取り外した状態を示す平面図である。 図４は、研削ユニットと研削位置カバーの一例を示す断面図である。 図５は、研削位置カバーの一例を示す斜視図である。 図６は、研削位置カバーと着脱位置カバーの一例を示す断面図である。 図７は、変形例に係る研削装置のＹ軸方向に垂直な断面図である。 図８は、変形例に係る研削装置のＸ軸方向に垂直な断面図である。 図９は、変形例に係る筐体内部の気体の流れを示す平面図である。
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。
図１及び図２に示すように、研削システム１は、搬入出部２と、洗浄部３と、研削部５と、制御部９とを備える。搬入出部２と、洗浄部３と、研削部５とは、この順で、Ｘ軸方向負側からＸ軸方向正側に配置される。
搬入出部２は載置台２１を有する。載置台２１はカセットＣが載置されるものである。カセットＣは、基板Ｗを鉛直方向に間隔をおいて複数枚収容する。基板Ｗは、シリコンウェハ若しくは化合物半導体ウェハ等の半導体基板、又はガラス基板を含む。基板Ｗは、半導体基板又はガラス基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、電子回路を含む。また、基板Ｗは、複数の基板を接合した重合基板であってもよい。載置台２１は、Ｙ軸方向に一列に配置される複数の載置板２２を含む。複数の載置板２２のそれぞれに、カセットＣが載置される。なお、載置板２２の数は特に限定されない。同様に、カセットＣの数も特に限定されない。
また、搬入出部２は、載置台２１の隣に配置される第１搬送領域２３を有する。第１搬送領域２３は、載置台２１のＸ軸方向正側に配置される。また、第１搬送領域２３は、後述のトランジション装置３５のＸ軸方向負側に配置される。
更に、搬入出部２は、第１搬送領域２３に設置される第１搬送装置２４を有する。第１搬送装置２４は、カセットＣに対し基板Ｗを搬入出する。第１搬送装置２４は、基板Ｗを保持する第１搬送アーム２４ａを含む。第１搬送アーム２４ａは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。第１搬送装置２４は、カセットＣとトランジション装置３５の間で基板Ｗを搬送する。第１搬送アーム２４ａの数は、１つでもよいし、複数でもよい。
洗浄部３は、第１洗浄装置３１（図２参照）と、第２洗浄装置３２とを有する。第１洗浄装置３１は、基板Ｗを洗浄する。例えば、第１洗浄装置３１は、後述の研削装置５１で研削された後の基板Ｗを擦り洗いする不図示の洗浄体を含む。洗浄体は、スポンジ又はブラシなどであり、研削屑などのパーティクルを除去する。洗浄体は、基板Ｗの研削された上面を擦り洗いすればよく、基板Ｗの上方に配置される。但し、洗浄体は、基板Ｗの上下両方に配置されてもよく、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。
第２洗浄装置３２も、基板Ｗを洗浄する。例えば、第２洗浄装置３２は、研削装置５１で研削された後の基板Ｗをエッチングする薬液を吐出する不図示のノズルを含む。ノズルは、回転する基板Ｗの上面の中心に薬液を供給する。薬液は、遠心力によって基板Ｗの上面の中心から周縁に向けて濡れ広がる。薬液は、一般的なものであってよく、例えばフッ硝酸、又はアルカリ溶液などであってよい。薬液は、基板Ｗの研削された上面をエッチングし、研削痕を除去する。
洗浄部３は、更に第３洗浄装置３３を有してもよい。第３洗浄装置３３は、第１洗浄装置３１及び第２洗浄装置３２とは異なり、研削装置５１で研削される前の基板Ｗを洗浄する。清浄な基板Ｗを研削装置５１のチャック５１ｂに載置でき、パーティクルの噛み込みを抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）の悪化を抑制できる。
第３洗浄装置３３は、第１洗浄装置３１と同様に、基板Ｗを擦り洗いする洗浄体を含む。洗浄体は、スポンジ又はブラシなどであり、パーティクルを除去する。洗浄体は、基板Ｗをチャック５１ｂに載置する際にパーティクルの噛み込みを抑制すべく、基板Ｗの下面を擦り洗いすればよく、基板Ｗの下方に配置される。但し、洗浄体は、基板Ｗの上下両方に配置されてもよく、基板Ｗの上下両面を洗浄してもよい。
洗浄部３は、検出装置３４を有する。検出装置３４は、研削装置５１で研削される前の基板Ｗの中心を検出する。平面視にて、後述のチャック５１ｂの中心と基板Ｗの中心とを位置合わせできる。検出装置３４は、基板Ｗの中心に加えて、基板Ｗの結晶方位を検出してもよく、具体的には基板Ｗの結晶方位を表すノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してもよい。チャック５１ｂと共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。
第１洗浄装置３１と第３洗浄装置３３と検出装置３４は、研削システム１の設置面積を低減すべく、鉛直方向に積層されてもよい。なお、本実施形態では図２に示すように下側から上側に向けて、検出装置３４と第１洗浄装置３１と第３洗浄装置３３がこの順番で配置されるが、その順番は特に限定されない。例えば検出装置３４が一番上に配置されてもよいし、第１洗浄装置３１が一番上に配置されてもよい。また、第３洗浄装置３３が一番下に配置されてもよいし、第１洗浄装置３１が一番下に配置されてもよい。
洗浄部３は、トランジション装置３５を有する。トランジション装置３５は、基板Ｗを一時的に収容する。複数のトランジション装置３５が鉛直方向に積み重ねられてもよい。トランジション装置３５の配置や個数は、特に限定されない。
図１に示すように、洗浄部３は、第１洗浄装置３１と第２洗浄装置３２の間に配置される第２搬送領域３６を有する。第２搬送領域３６のＹ軸方向正側に第２洗浄装置３２が配置され、第２搬送領域３６のＹ軸方向負側に第１洗浄装置３１と、第３洗浄装置３３と、検出装置３４とが配置される。また、第２搬送領域３６のＸ軸方向負側にトランジション装置３５が配置され、第２搬送領域３６のＸ軸方向正側に研削装置５１が配置される。
洗浄部３は、第２搬送領域３６に設置される第２搬送装置３７を有する。第２搬送装置３７は、第１洗浄装置３１、第２洗浄装置３２、第３洗浄装置３３、検出装置３４及びトランジション装置３５に対して基板Ｗを搬送する。
第２搬送装置３７は、基板Ｗを保持する第２搬送アーム３７ａを含む。第２搬送アーム３７ａは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。第２搬送アーム３７ａは、基板Ｗを下方から保持する。基板Ｗは、第２搬送アーム３７ａに載置される。第２搬送アーム３７ａの数は、１つでもよいし、複数でもよい。
研削部５は、研削装置５１を含む。研削装置５１は、基板Ｗを研削する。研削は、研磨を含む。研削に用いる砥粒は、固定砥粒、及び遊離砥粒のいずれでもよい。研削装置５１は、例えば、回転テーブル５１ａと、４つのチャック５１ｂと、３つの研削ユニット５１ｃとを有する。
回転テーブル５１ａは、回転中心線Ｒ１の周りに４つのチャック５１ｂを等間隔で保持し、回転中心線Ｒ１を中心に回転する。回転テーブル５１ａの回転には、図６に示す回転駆動部５１ｄが用いられる。回転駆動部５１ｄは、例えば回転モータを含む。４つのチャック５１ｂのそれぞれは、回転テーブル５１ａと共に回転し、着脱位置Ａ０と、１次研削位置Ａ１と、２次研削位置Ａ２と、３次研削位置Ａ３と、着脱位置Ａ０とにこの順番で移動する。
着脱位置Ａ０は、チャック５１ｂに対する基板Ｗの着脱が行われる位置であり、基板Ｗの装着が行われる位置と、基板Ｗの脱離が行われる位置とを兼ねる。１次研削位置Ａ１は、基板Ｗの１次研削が行われる位置である。２次研削位置Ａ２は、基板Ｗの２次研削が行われる位置である。３次研削位置Ａ３は、基板Ｗの３次研削が行われる位置である。
４つのチャック５１ｂは、それぞれの回転中心線Ｒ２（図４参照）を中心に回転自在に、回転テーブル５１ａに取り付けられる。１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２および３次研削位置Ａ３において、チャック５１ｂはそれぞれの回転中心線Ｒ２を中心に回転する。
１つの研削ユニット５１ｃは、１次研削位置Ａ１にて、基板Ｗを１次研削する。別の研削ユニット５１ｃは、２次研削位置Ａ２にて、基板Ｗを２次研削する。残りの研削ユニット５１ｃは、３次研削位置Ａ３にて、基板Ｗを３次研削する。
なお、研削ユニット５１ｃの数は、１つ以上であればよい。また、チャック５１ｂの数は、研削ユニット５１ｃの数よりも多ければよい。
図１に示すように、研削システム１は、洗浄部３と研削部５との間に配置される第３搬送領域６１を備える。第３搬送領域６１は、第１洗浄装置３１及び第２搬送領域３６に隣接して配置され、第２搬送領域３６を基準として第２洗浄装置３２とは反対側に配置される。
洗浄部３は平面視にて矩形の角を切り欠いた形状であり、その切り欠いた位置に第３搬送領域６１が配置される。第３搬送領域６１は、洗浄部３及び第３搬送領域６１の両方を覆う筐体の内部に設けられてもよいし、洗浄部３を覆う筐体とは別の筐体の内部に設けられ、洗浄部３に接続されてもよい。
研削システム１は、第３搬送領域６１に設置される第３搬送装置６２を備える。第３搬送装置６２は、洗浄部３及び研削部５に対して基板Ｗを搬送する。具体的には、第３搬送装置６２は、検出装置３４から研削装置５１のチャック５１ｂに基板Ｗを搬送し、チャック５１ｂから第１洗浄装置３１に基板Ｗを搬送する。なお、第３搬送装置６２は、第３洗浄装置３３から研削装置５１のチャック５１ｂに基板Ｗを搬送してもよい。この場合、第３洗浄装置３３の近傍に、後述の搬送口７３ａが設けられる。
第３搬送装置６２は、基板Ｗを保持する吸着パッド６２ａを含む。吸着パッド６２ａは、基板Ｗを上方から吸着する。吸着パッド６２ａは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。
洗浄部３と研削部５とは、隔壁７１によって隔離される。隔壁７１は、例えば、洗浄部３の第２搬送領域３６と研削部５とを隔離する。研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを隔壁７１によって抑制できる。
本実施形態によれば、研削部５から洗浄部３を分離でき、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載できる。さらに、研削部５のほとんどのエリアは研削装置５１で占められるので、研削部５の残りのエリアに洗浄装置を搭載する場合に比べ、洗浄装置の搭載数を増加でき、洗浄性能を向上できる。また、清浄度の高いエリアに洗浄装置を搭載するので、洗浄後の基板Ｗを清浄な状態に維持できる。
また、本実施形態によれば、洗浄部３の切り欠いた位置に第３搬送領域６１が配置される。それゆえ、洗浄装置の搭載数の増加による、研削システム１の設置面積の増加を抑制できる。
洗浄部３と第３搬送領域６１とは、隔壁７２、７３によって隔離される。隔壁７２は、洗浄部３の第２搬送領域３６と第３搬送領域６１とを隔離する。また、隔壁７３は、洗浄部３の第１洗浄装置３１と第３搬送領域６１とを隔離する。第３搬送領域６１を介して研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを隔壁７２、７３によって抑制できる。
隔壁７３には、基板Ｗの通過する搬送口７３ａが形成される。基板Ｗは、隔壁７３の搬送口７３ａを介して、検出装置３４から研削装置５１のチャック５１ｂに搬送される。また、基板Ｗは、隔壁７３の搬送口７３ａを介して、チャック５１ｂから第１洗浄装置３１に搬送される。
隔壁７３の搬送口７３ａには、搬送口７３ａを開閉するシャッタ７４が設けられる。シャッタ７４は、基本的に隔壁７３の搬送口７３ａを閉塞しており、基板Ｗの通過時に隔壁７３の搬送口７３ａを開放する。搬送口７３ａを常時開放する場合に比べて、搬送口７３ａを介して研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを抑制でき、洗浄部３の清浄度をより向上できる。
研削部５と第３搬送領域６１とは、隔壁７５によって隔離される。隔壁７５は、研削部５の外壁である。第３搬送領域６１を介して研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを隔壁７５によって抑制できる。
隔壁７５には、基板Ｗの通過する搬送口７５ａが形成される。隔壁７５は搬送口７５ａの上下両側に広がる。未研削の基板Ｗは、隔壁７５の搬送口７５ａを介して、検出装置３４から研削装置５１のチャック５１ｂに搬送される。また、研削済みの基板Ｗは、隔壁７５の搬送口７５ａを介して、研削装置５１のチャック５１ｂから第１洗浄装置３１に搬送される。
隔壁７５の搬送口７５ａには、搬送口７５ａを開閉するシャッタ７６が設けられる。シャッタ７６は、基本的に隔壁７５の搬送口７５ａを閉塞しており、基板Ｗの通過時に隔壁７５の搬送口７５ａを開放する。搬送口７５ａを常時開放する場合に比べて、搬送口７５ａを介して研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを抑制でき、洗浄部３の清浄度をより向上できる。
制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリなどの記憶媒体９２と、を備える。記憶媒体９２には、研削システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、研削システム１の動作を制御する。
次に、研削システム１の動作について説明する。下記の動作は、制御部９による制御下で実施される。
先ず、第１搬送装置２４が、カセットＣから基板Ｗを取り出し、トランジション装置３５に搬送する。続いて、第２搬送装置３７が、トランジション装置３５から第３洗浄装置３３に基板Ｗを搬送する。
次に、第３洗浄装置３３が、研削装置５１で研削する前の基板Ｗを洗浄する。清浄な基板Ｗを研削装置５１のチャック５１ｂに載置でき、パーティクルの噛み込みを抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差の悪化を抑制できる。第３洗浄装置３３は、基板Ｗの下面を洗浄する。基板Ｗの乾燥後、第２搬送装置３７が、第３洗浄装置３３から検出装置３４に基板Ｗを搬送する。
なお、未研削の基板Ｗが清浄な場合、又は研削装置５１が未研削の基板Ｗを洗浄する機構を有する場合、第３洗浄装置３３は無くてもよい。その場合、第２搬送装置３７は、トランジション装置３５から検出装置３４に基板Ｗを搬送する。
次に、検出装置３４が、基板Ｗの中心を検出する。検出装置３４は、基板Ｗのノッチなどをも検出してもよい。その後、第３搬送装置６２が、検出装置３４から研削装置５１のチャック５１ｂに基板Ｗを搬送する。
制御部９は、検出装置３４の検出結果に基づき第３搬送装置６２を制御し、チャック５１ｂの回転中心線Ｒ２と基板Ｗの中心とを位置合わせする。また、制御部９は、検出装置３４の検出結果に基づき第３搬送装置６２を制御し、チャック５１ｂと共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせする。
次に、研削装置５１が、基板Ｗの上面を研削する。基板Ｗは、回転テーブル５１ａと共に回転し、着脱位置Ａ０と、１次研削位置Ａ１と、２次研削位置Ａ２と、３次研削位置Ａ３と、着脱位置Ａ０とにこの順番で移動する。この間、１次研削と、２次研削と、３次研削とがこの順番で行われる。その後、第３搬送装置６２が、チャック５１ｂから第１洗浄装置３１に基板Ｗを搬送する。
次に、第１洗浄装置３１は、基板Ｗの上面を洗浄し、パーティクルを除去する。基板Ｗの乾燥後、第２搬送装置３７が、第１洗浄装置３１から第２洗浄装置３２に基板Ｗを搬送する。
次に、第２洗浄装置３２は、基板Ｗの上面をエッチングし、研削痕を除去する。基板Ｗの乾燥後、第２搬送装置３７が、第２洗浄装置３２からトランジション装置３５に基板Ｗを搬送する。続いて、第１搬送装置２４が、トランジション装置３５からカセットＣに基板Ｗを搬送する。基板Ｗは、カセットＣに収容される。
なお、本実施形態の第１搬送装置２４は、カセットＣから取り出した基板Ｗを、トランジション装置３５に搬送するが、本開示の技術はこれに限定されない。第１搬送装置２４は、カセットＣから取り出した基板Ｗを、第３洗浄装置３３又は検出装置３４に搬送してもよい。
次に、図４等を参照して研削装置５１の研削ユニット５１ｃについて説明する。研削ユニット５１ｃは、研削工具Ｄが装着される可動部１１０を含む。研削工具Ｄは、基板Ｗに接触させられ、基板Ｗを研削する。研削工具Ｄは、例えば円盤状の研削ホイールＤ１と、研削ホイールＤ１の下面にリング状に配列される複数の砥石Ｄ２と、を含む。
可動部１１０は、研削工具Ｄが装着されるフランジ１１１と、フランジ１１１が下端に設けられるスピンドル軸１１２と、スピンドル軸１１２を回転させるスピンドルモータ１１３と、を有する。フランジ１１１は水平に配置され、その下面に研削工具Ｄが装着される。スピンドル軸１１２は鉛直に配置される。スピンドルモータ１１３は、スピンドル軸１１２を回転し、フランジ１１１に装着された研削工具Ｄを回転させる。研削工具Ｄの回転中心線Ｒ３は、スピンドル軸１１２の回転中心線である。
研削ユニット５１ｃは、更に、可動部１１０を昇降させる昇降部１２０を有する。昇降部１２０は、例えば、鉛直なＺ軸ガイド１２１と、Ｚ軸ガイド１２１に沿って移動するＺ軸スライダ１２２と、Ｚ軸スライダ１２２を移動させるＺ軸モータ１２３と、を有する。Ｚ軸スライダ１２２には可動部１１０が固定され、Ｚ軸スライダ１２２と共に可動部１１０及び研削工具Ｄが昇降する。昇降部１２０は、研削工具Ｄの位置を検出する位置検出器１２４を更に有する。位置検出器１２４は、例えばＺ軸モータ１２３の回転を検出し、研削工具Ｄの位置を検出する。
昇降部１２０は、研削工具Ｄを待機位置から下降させる。研削工具Ｄは、下降しながら回転し、回転する基板Ｗの上面と接触し、基板Ｗの上面全体を研削する。基板Ｗの厚みが設定値に達すると、昇降部１２０は研削工具Ｄの下降を停止する。その後、昇降部１２０は、研削工具Ｄを待機位置まで上昇させる。
図４に示すように、研削装置５１は、研削位置カバー１３０と、研削液ノズル１４０とを有する。研削位置カバー１３０は、例えば１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２及び３次研削位置Ａ３の上方及び側方を覆う。研削位置カバー１３０は、チャック５１ｂと、研削工具Ｄと、研削液ノズル１４０とを収容する。研削液ノズル１４０は、チャック５１ｂで保持された基板Ｗと研削工具Ｄの間に研削液を供給する。
研削位置カバー１３０は、研削屑等のパーティクル、及び研削液が外部に飛散するのを抑制する。研削位置カバー１３０は、水平に配置される上面パネル１３１と、鉛直に配置される側面パネル１３２と、を有する。上面パネル１３１には、可動部１１０の挿入口１３３が形成される。研削位置カバー１３０は、内部に、基板Ｗの研削が行われる研削室ＧＲを形成する。研削位置カバー１３０の下部には、不図示の回収パンが設置される。回収パンは、パーティクル及び研削液を回収する。
研削液ノズル１４０は、研削液を供給する。研削液は、例えば、ＤＩＷ（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）等の純水である。研削液は、基板Ｗと研削工具Ｄの間に入り込み、研削抵抗を減らし、熱の発生を抑制する。
図５に示すように、研削位置カバー１３０は、固定仕切壁１３４を有する。固定仕切壁１３４は、上面パネル１３１の下面に設けられる。固定仕切壁１３４は、回転テーブル５１ａの回転中心線Ｒ１の周りに等間隔で複数配置され、１次研削用の研削室ＧＲと、２次研削用の研削室と、３次研削用の研削室と、後述の着脱室ＤＲとを仕切る。
固定仕切壁１３４は、例えば、上面部１３５と、側面部１３６とを含む。上面部１３５は、上面パネル１３１の下面に取り付けられ、回転テーブル５１ａとの間に隙間を形成する。その隙間は、回転テーブル５１ａの回転時に、チャック５１ｂ及び基板Ｗを通過させるものである。上面部１３５の下縁には、基板Ｗとの間を塞ぐ短冊状の可撓性シート１３７が設けられる。側面部１３６は、側面パネル１３２の内壁面に取り付けられる。側面部１３６は、上面部１３５よりも下方に突出し、回転テーブル５１ａの側面と側面パネル１３２との間を塞ぐ。
一方、回転仕切壁１３８は、回転テーブル５１ａの上面に設けられ、回転テーブル５１ａと共に回転する。回転仕切壁１３８は、固定仕切壁１３４と同数設けられ、回転テーブル５１ａの回転停止時に、固定仕切壁１３４の真下に配置される。固定仕切壁１３４と回転仕切壁１３８とによって、研削室ＧＲの内部にて発生したパーティクルが研削室ＧＲの外部に流出するのを抑制できる。
ところで、図３に示すように、研削位置カバー１３０は、平面視にて矩形の角を切り欠いた形状であり、その切り欠いた位置に着脱位置Ａ０が配置される。着脱位置Ａ０では、基板Ｗの脱離前に、研削後の基板Ｗに対する洗浄液の供給が行われる。また、着脱位置Ａ０では、基板Ｗの脱離後、次の基板Ｗの装着前に、チャック５１ｂに対する洗浄液の供給が行われる。
研削装置５１は、着脱位置Ａ０にて基板Ｗに対して洗浄液を供給する基板洗浄部１５０を有する。基板洗浄部１５０は、チャック５１ｂと共に回転する基板Ｗの上面に洗浄液を供給する。洗浄液は、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、基板Ｗの上面に付いたパーティクルを洗い流す。洗浄液としては、例えばＤＩＷ等が用いられる。
基板洗浄部１５０は、例えば洗浄液を吐出するノズルを含む。ノズルは、基板Ｗの上方にて移動してもよい。その際、基板Ｗはチャック５１ｂと共に回転しており、ノズルは洗浄液を吐出しながら基板Ｗの径方向に移動する。ノズルは、基板Ｗの中心及び周縁の真上に到達した際に移動方向を反転してもよいし、基板Ｗの中心の真上では移動方向を反転することなく基板Ｗの中心の真上を通り過ぎ、基板Ｗの周縁の真上に到達した際に移動方向を反転してもよい。
研削装置５１は、着脱位置Ａ０にてチャック５１ｂに対して洗浄液を供給するチャック洗浄部１５１を有する。チャック洗浄部１５１は、回転するチャック５１ｂの上面に洗浄液を供給する。洗浄液は、遠心力によってチャック５１ｂの上面全体に濡れ広がり、チャック５１ｂの上面に付いたパーティクルを洗い流す。洗浄液としては、例えばＤＩＷ等が用いられる。
チャック洗浄部１５１は、例えば洗浄液を吐出するノズルを含む。ノズルは、チャック５１ｂの上方にて移動してもよい。その際、チャック５１ｂは回転しており、ノズルは洗浄液を吐出しながらチャック５１ｂの径方向に移動する。ノズルは、チャック５１ｂの中心及び周縁の真上に到達した際に移動方向を反転してもよいし、チャック５１ｂの中心の真上では移動方向を反転することなくチャック５１ｂの中心の真上を通り過ぎ、チャック５１ｂの周縁の真上に到達した際に移動方向を反転してもよい。
チャック洗浄部１５１は、チャック５１ｂの上面を摩擦して洗浄する摩擦体を含んでもよい。摩擦体は、例えばブラシ、スポンジ、又は砥石等である。ブラシ、スポンジ、及び砥石から選ばれる２つ以上が用いられてもよい。摩擦体は、チャック５１ｂの上を移動する。その際、チャック５１ｂは回転しており、摩擦体はチャック５１ｂの径方向に移動する。摩擦体は、チャック５１ｂの中心及び周縁に到達した際に移動方向を反転してもよいし、チャック５１ｂの中心では移動方向を反転することなくチャック５１ｂの中心を通り過ぎ、チャック５１ｂの周縁に到達した際に移動方向を反転してもよい。
チャック５１ｂが真空吸着チャックであって多孔質体を含む場合、多孔質体の内部に流体を供給し、多孔質体の上面から流体を噴出させる噴出器が設けられてもよい。多孔質体の上面は、多数の凹部を有する。その凹部に入り込んだパーティクルをも、流体の噴出圧によって浮き上がらせ、除去できる。噴出器は、流体として、例えば、水などの液体と、空気又は窒素ガスなどの気体との混合流体を、多孔質体の上面から噴出させる。流体として、液体のみ又は気体のみが用いられてもよいが、液体と気体の混合流体が用いられることで、パーティクルの除去効率を向上できる。
上記の通り、着脱位置Ａ０では、チャック５１ｂの上面に対して洗浄液が供給され、洗浄液がチャック５１ｂの上面に付いたパーティクルを洗い流す。清浄なチャック５１ｂの上面に基板Ｗを載置でき、パーティクルの噛み込みを抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差の悪化を抑制できる。
但し、着脱位置Ａ０では、パーティクルが舞い上がることがある。また、洗浄液のミストが発生することがある。
そこで、本実施形態の研削装置５１は、図６に示すように着脱位置カバー１６０を有する。着脱位置カバー１６０は、着脱位置Ａ０の上方及び側方を覆う。着脱位置カバー１６０は、チャック５１ｂと、基板洗浄部１５０と、チャック洗浄部１５１とを収容する。
着脱位置カバー１６０は、発生したパーティクル及びミストを内部に留め、パーティクル及びミストの流出を抑制する。従って、研削部５から洗浄部３へのパーティクル及びミストの流出を抑制でき、洗浄部３を清浄に維持できる。
また、着脱位置カバー１６０は、その外部から内部へのパーティクルの侵入を抑制する。従って、清浄なチャック５１ｂの上面に清浄な基板Ｗを載置でき、パーティクルの噛み込みを抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差の悪化を抑制できる。
着脱位置カバー１６０は、内部に、チャック５１ｂに対する基板Ｗの着脱が行われる着脱室ＤＲを形成する。着脱位置カバー１６０の下部には、不図示の回収パンが設置される。回収パンは、パーティクル及び洗浄液を回収する。
着脱位置カバー１６０は、研削位置カバー１３０とは分離されており、取り外し可能である。着脱位置カバー１６０を取り外せば、着脱室ＤＲを開放でき、メンテナンスの作業性を向上できる。
着脱位置カバー１６０は、水平に配置される上面パネル１６１と、鉛直に配置される側面パネル１６２と、を有する。上面パネル１６１は、平面視にて矩形に形成される。側面パネル１６２は、上面パネル１６１の四辺のそれぞれに設けられる。
側面パネル１６２には、基板Ｗの搬送口１６３が形成される。搬送口１６３は、第３搬送領域６１に近い側面パネル１６２に形成される。基板Ｗは、搬送口１６３を介して研削装置５１の外部から内部へ搬入され、また、搬送口１６３を介して研削装置５１の内部から外部へ搬出される。
基板Ｗは、搬送口１６３の通過時に、第３搬送装置６２によって水平に保持される。水平に保持された基板Ｗは、側方から見た形状が長方形である。長方形の長辺の長さは基板Ｗの直径に等しく、長方形の短辺の長さは基板Ｗの厚みに等しい。一方、水平に保持された基板Ｗは、上方から見た形状が円形である。円形の直径は基板Ｗの直径に等しい。従って、水平に保持された基板Ｗは、側方から見た大きさが、上方から見た大きさよりも小さい。それゆえ、側面パネル１６２に搬送口１６３を形成すれば、上面パネル１６１に搬送口１６３を形成するよりも、搬送口１６３の大きさを小さくできる。
搬送口１６３には、搬送口１６３を開閉するシャッタ１６５が設けられてもよい。シャッタ１６５は、基本的に搬送口１６３を閉塞しており、基板Ｗの通過時に搬送口１６３を開放する。搬送口１６３を常時開放する場合に比べて、搬送口１６３を介して研削部５から洗浄部３へパーティクル及びミストが流出するのを抑制でき、洗浄部３の清浄度をより向上できる。
研削装置５１は、着脱位置カバー１６０の内部に、搬送口１６３から搬出する前の基板Ｗに対して上方からガスを吹き付けるガス供給ノズル１７０を有してもよい。ガス供給ノズル１７０は、搬送口１６３の近くに設けられ、基板Ｗに残る洗浄液を吹き落す。基板Ｗと共に洗浄液が外部に出てしまうのを抑制できる。ガスとしては、空気又は窒素ガスなどが用いられる。
着脱位置カバー１６０の天井の高さは、研削位置カバー１３０の天井の高さよりも高くてもよい。つまり、着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１の高さは、研削位置カバー１３０の上面パネル１３１の高さよりも高くてもよい。着脱位置カバー１６０の天井の高さが高いので、その天井まで洗浄液のミスト及びパーティクルが舞い上がるのを抑制できる。
仮に、洗浄液のミストが天井に付着し、乾燥すると、ミストに含まれる残渣がパーティクルになる。
本実施形態によれば、着脱位置カバー１６０の天井の高さが高いので、その天井まで洗浄液のミスト及びパーティクルが舞い上がるのを抑制できる。その結果、天井に付くパーティクルの数を低減でき、天井からのパーティクルの落下を抑制できる。よって、チャック５１ｂ又は基板Ｗへのパーティクルの付着を抑制できる。
研削装置５１は、着脱位置カバー１６０の天井に、着脱位置カバー１６０の内部にダウンフローを形成する給気部１８０を有してもよい。給気部１８０は、例えばファンフィルターユニット等であり、空気又は窒素ガスなどの気体を真下に供給し、ダウンフローを形成する。ダウンフローによって、着脱位置カバー１６０の天井まで洗浄液のミスト及びパーティクルが舞い上がるのを抑制できる。
研削装置５１は、着脱位置カバー１６０の内部の気体を、研削位置カバー１３０とは反対方向に排出する排気部１８１を有する。排気部１８１は、例えばダクトであり、着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２に接続される。その接続位置は、着脱位置カバー１６０の内部にダウンフローを形成できるように、また、ガス供給ノズル１７０によって搬送口１６３の手前に下向きのガスカーテンを形成できるように、できるだけ下方に配置され、少なくとも搬送口１６３よりも下方に配置される。上記接続位置は、研削液を回収する回収パンよりも上方に配置される。排気部１８１は、着脱室ＤＲから研削室ＧＲとは反対方向に向かう気流を形成し、洗浄液のミスト及びパーティクルが研削室ＧＲに入り込むのを抑制できる。
研削装置５１は、着脱位置Ａ０の隣に下面洗浄機構１９０を有する。下面洗浄機構１９０は、チャック５１ｂから脱離された研削後の基板Ｗの下面を洗浄する。下面洗浄機構１９０は、第３搬送装置６２の吸着パッド６２ａをも洗浄してもよい。下面洗浄機構１９０は、例えば基板Ｗ又は吸着パッド６２ａに対して洗浄液を吐出するノズルと、基板Ｗ又は吸着パッド６２ａから洗浄液を除去する乾燥部とを有する。乾燥部は、例えば洗浄液を吸い取る。
着脱位置カバー１６０は、下面洗浄機構１９０の上方及び側方をも覆ってもよい。下面洗浄機構１９０にて生じる洗浄液のミスト及びパーティクルを内部に留めることができ、パーティクル及びミストの流出を抑制できる。
次に、図７～図９を参照して、変形例に係る研削装置５１について説明する。図７に示すように、研削装置５１は、回転テーブル５１ａと、チャック５１ｂと、研削ユニット５１ｃとを有する。研削ユニット５１ｃは、研削工具Ｄが装着される可動部１１０を含む。
研削装置５１は、研削位置カバー１３０と、着脱位置カバー１６０と、を有する。研削位置カバー１３０は、例えば１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２及び３次研削位置Ａ３の上方及び側方を覆う。一方、着脱位置カバー１６０は、着脱位置Ａ０の上方及び側方を覆う。研削位置カバー１３０と、着脱位置カバー１６０の下方には、不図示の回収パンが設置される。回収パンは、研削屑及び研削液などを回収する。
研削位置カバー１３０と、着脱位置カバー１６０と、回収パンとは、連結され、内部筐体１６９を形成する。内部筐体１６９は、研削屑及び研削液が外部に飛散するのを抑制する。内部筐体１６９は、内部に、チャック５１ｂと、研削工具Ｄと、基板洗浄部１５０と、チャック洗浄部１５１と、を収容する。内部筐体１６９は、回転テーブル５１ａをも収容してもよい。
図９に示すように、研削装置５１は、内部筐体１６９の内部を、回転テーブル５１ａの回転中心線Ｒ１の周りに複数の部屋に仕切る固定仕切壁１３４を有する。固定仕切壁１３４は、内部筐体１６９の上面パネルの下面に固定される。上方から見て、固定仕切壁１３４は、回転テーブル５１ａの径方向（回転中心線Ｒ１に直交する方向）に延びている。
固定仕切壁１３４は、例えば、十字状に設けられ、内部筐体１６９の内部を、回転テーブル５１ａの回転中心線Ｒ１の周りに４つの部屋Ｂ０～Ｂ３に仕切る。３つの部屋Ｂ１～Ｂ３は、基板Ｗの研削が行われる研削室である。Ｂ１は１次研削室であり、Ｂ２は２次研削室であり、Ｂ３は３次研削室である。残り１つの部屋Ｂ０は、チャック５１ｂに対する基板Ｗの着脱が行われる着脱室である。
上方から見て、内部筐体１６９の内部は、反時計回り方向に、着脱室Ｂ０と、１次研削室Ｂ１と、２次研削室Ｂ２と、３次研削室Ｂ３とにこの順番で仕切られている。なお、４つの部屋Ｂ０～Ｂ３の順番は逆でもよく、上方から見て、内部筐体１６９の内部は、時計回り方向に、着脱室Ｂ０と、１次研削室Ｂ１と、２次研削室Ｂ２と、３次研削室Ｂ３とにこの順番で仕切られていてもよい。
図７に示すように、研削位置カバー１３０は、上面パネル１３１と、側面パネル１３２と、を有する。上面パネル１３１は、チャック５１ｂの上方を覆う。上面パネル１３１には、可動部１１０の挿入口１３３が形成される。上面パネル１３１は、矩形の角を切り欠いた形状である。その切り欠いた位置に、着脱位置カバー１６０の矩形状の上面パネル１６１が配置される。
着脱位置カバー１６０も、上面パネル１６１と、側面パネル１６２と、を有する。上面パネル１６１は、着脱室Ｂ０の上方を覆う。上面パネル１６１が無い場合、つまり、着脱室Ｂ０が上方に開放されている場合に比べて、着脱室Ｂ０から上方へのミスト及びパーティクルの流出を防止できる。
着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１は、研削位置カバー１３０の上面パネル１３１と同じ高さに配置され、連続的に設けられる。但し、着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１は、研削位置カバー１３０の上面パネル１３１とは分離されており、取り外し可能である。上面パネル１６１を取り外せば、着脱室Ｂ０を開放でき、メンテナンスの作業性を向上できる。
一方、着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２は、研削位置カバー１３０の側面パネル１３２と連続的に設けられる（図９参照）。着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２と、研削位置カバー１３０の側面パネル１３２とは、溶接などで一体化されてもよく、分離不能であってもよい。
１次研削位置Ａ１、２次研削位置Ａ２及び３次研削位置Ａ３では、基板Ｗの研削が行われる。そこで、研削位置カバー１３０の上面パネル１３１は、例えば金属で形成される。金属は、研削屑の衝突によって傷付き難く、耐久性に優れている。研削位置カバー１３０の側面パネル１３２も、例えば金属で形成される。金属は、不透明である。
一方、着脱位置Ａ０では、基板Ｗの研削が行われない。そこで、着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１は、例えば樹脂で形成される。樹脂は、金属よりも耐久性に劣る反面、透視性に優れている。上面パネル１６１が透明であれば、上面パネル１６１の上から、チャック５１ｂの上面等を視認できる。
なお、着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２は、研削位置カバー１３０の側面パネル１３２と同様に、例えば金属で形成される。但し、着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２も、上面パネル１６１と同様に、樹脂で形成されてもよく、透明であってもよい。
着脱位置Ａ０では、１次研削位置Ａ１等とは異なり、チャック５１ｂ又は基板Ｗの洗浄が行われる。その結果、洗浄液の液滴が、飛散し、着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１の下面に付着する。付着した液滴は、研削屑等のパーティクルを含んでいる。
図８に示すように、着脱位置カバー１６０の上面パネル１６１の下面は、斜め下向きに傾斜していてもよい。上面パネル１６１の下面は、例えば着脱室Ｂ０と３次研削室Ｂ３の境界である固定仕切壁１３４から離れるほど、下方に傾斜する。その傾斜によって、液滴が上面パネル１６１の下面に付着したまま斜め下向きに流れる。液滴がチャック５１ｂの吸着面に落下するのを抑制でき、吸着面が汚れるのを抑制できる。清浄な吸着面の上に基板Ｗを載置でき、パーティクルの噛み込みを抑制できる。それゆえ、基板Ｗを平坦に研削でき、基板Ｗの厚み偏差（ＴＴＶ：Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）の悪化を抑制できる。
図７に示すように、研削装置５１は、着脱位置カバー１６０の上に排気部１８２を有してもよい。排気部１８２は、ダクトを含む。排気部１８２のダクトは、研削装置５１の外部まで延びており、不図示の吸引源に接続されている。吸引源は、例えば真空ポンプ又はエジェクタである。吸引源は、工場設備の一部であってもよい。排気部１８２は、吸引源の吸引力によって、着脱位置カバー１６０の内部から気体を排出する。排気部１８２のダクトの途中には、気体の排出量を調節するダンパーが設けられてもよい。
排気部１８２は、着脱位置カバー１６０の搬送口１６３から着脱位置カバー１６０の内部に流れ込む気体を、着脱位置カバー１６０の上方に排気する。排気部１８２は、気体と共にミスト及びパーティクルを排出し、ミスト及びパーティクルの四散を抑制する。また、排気部１８２は、内部筐体１６９の搬送口１６３に一方通行の気体の流れを形成し、パーティクルの流出を抑制する。更に、排気部１８２は、着脱室Ｂ０に上昇気流を形成し、上面パネル１６１の下面に付着した液滴又はパーティクルの落下を抑制する。
図９に示すように、研削装置５１は、下面洗浄機構１９０と、洗浄カバー２００と、を有してもよい。下面洗浄機構１９０は、着脱位置Ａ０の隣の洗浄位置Ａ５で、チャック５１ｂから脱離された研削後の基板Ｗの下面を洗浄する。洗浄カバー２００は、着脱位置カバー１６０に隣接し、下面洗浄機構１９０を内部に収容する。洗浄カバー２００は、内部に洗浄室Ｂ５を形成する。
洗浄カバー２００は、上面パネル２０１と、４枚の側面パネル２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄと、を有する。上面パネル２０１は、下面洗浄機構１９０の上方を覆う。上面パネル２０１は、例えば水平に配置される。一方、側面パネル２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄは、下面洗浄機構１９０の側方を覆う。側面パネル２０２Ａ、２０２Ｂ、２０２Ｃ、２０２Ｄは、例えば鉛直に配置される。下面洗浄機構１９０の下方には、不図示の洗浄パンが設置される。洗浄パンは、洗浄液などを回収する。洗浄カバー２００は、洗浄液が外部に飛散するのを抑制する。
洗浄カバー２００は、着脱位置Ａ０と洗浄位置Ａ５とを仕切る。具体的には、洗浄カバー２００の側面パネル２０２Ｂが、着脱位置Ａ０と洗浄位置Ａ５とを仕切る。着脱位置Ａ０から洗浄位置Ａ５へのミスト及びパーティクルの移動を抑制できる。なお、着脱位置カバー１６０の側面パネル１６２も、着脱位置Ａ０と洗浄位置Ａ５とを仕切る。
研削装置５１は、研削装置５１の最も外側の面を形成する外部筐体２１０を有する。外部筐体２１０は、研削位置カバー１３０と、着脱位置カバー１６０と、洗浄カバー２００と、研削ユニット５１ｃとを内部に収容する。外部筐体２１０は、上面パネル２１１と、４枚の側面パネル２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、２１２Ｄと、を有する。上面パネル２１１は、水平に配置される。一方、側面パネル２１２Ａ、２１２Ｂ、２１２Ｃ、２１２Ｄは、鉛直に配置される。外部筐体２１０は、不図示のフレームを含んでもよい。フレームは、柱及び梁などを含む。
図９に示すように、外部筐体２１０は、その側面に、基板Ｗの搬送口２１３を含む。搬送口２１３は、側面パネル２１２Ａに形成される。洗浄カバー２００は、外部筐体２１０の搬送口２１３と、着脱位置カバー１６０の搬送口１６３とを結ぶ直線上に、基板Ｗと気体が通る開口２０３Ａ、２０３Ｂを含む。これら２１３、２０３Ａ、２０３Ｂ、１６３が直線上に並ぶことで、基板Ｗの搬送、及び気体の移動が容易になる。
研削装置５１は、外部筐体２１０の搬送口２１３を開閉するシャッタ２２０を更に有する。シャッタ２２０は、基本的に搬送口２１３を閉塞しており、基板Ｗの通過時に搬送口２１３を開放する。搬送口２１３を常時開放する場合に比べて、搬送口２１３を介して研削部５から洗浄部３へミスト及びパーティクルが流出するのを抑制でき、洗浄部３の清浄度をより向上できる。
シャッタ２２０が外部筐体２１０の搬送口２１３を開放する間、気体は外部筐体２１０の搬送口２１３と、洗浄カバー２００の開口２０３Ａ、２０３Ｂと、着脱位置カバー１６０の搬送口１６３とを通り、着脱位置カバー１６０の内部に流れ込む。この気体の流れは、一方通行なので、パーティクルの流出を抑制できる。但し、この気体の流れは、シャッタ２２０が外部筐体２１０の搬送口２１３を閉塞すると、遮断される。
そこで、図７に示すように、外部筐体２１０の搬送口２１３と、洗浄カバー２００の開口２０３Ａとの間には、隙間Ｇが形成される。隙間Ｇは、洗浄カバー２００の外部から洗浄カバー２００の開口２０３Ａに向かう気体の通路を形成する。シャッタ２２０が外部筐体２１０の搬送口２１３を閉塞しても、所望の気体の流れが形成される。気体は、洗浄カバー２００の開口２０３Ａ、２０３Ｂと、着脱位置カバー１６０の搬送口１６３とを通り、着脱位置カバー１６０の内部に流れ込む。
図９に示すように、研削装置５１は、研削位置カバー１３０の側面パネル１３２に隣接し、気体を排出する排気ボックス２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃを備える。排気ボックス２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃは、排気ダクト２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃに接続されている。排気ダクト２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃは、研削装置５１の外部まで延びており、吸引源に接続されている。吸引源は、例えば真空ポンプ又はエジェクタである。吸引源は、工場設備の一部であってもよい。排気ダクト２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃの途中には、排気量を調節するダンパーが設けられてもよい。
排気ボックス２３０Ａは、吸引源の吸引力によって、１次研削室Ｂ１から気体を排出する。また、排気ボックス２３０Ｂは、吸引源の吸引力によって、２次研削室Ｂ２から気体を排出する。更に、排気ボックス２３０Ｃは、吸引源の吸引力によって、３次研削室Ｂ３から気体を排出する。着脱室Ｂ０と、１次研削室Ｂ１と、２次研削室Ｂ２と、３次研削室Ｂ３との間で、ミスト及びパーティクルが移動するのを抑制できる。
図７に示すように、研削装置５１は、排気部２３３を備える。排気部２３３は、外部筐体２１０の内部であって内部筐体１６９の外部に排気口２３４を含み、排気口２３４から外部筐体２１０の外部に気体を排出する。排気部２３３は、例えばダクト２３５を含む。ダクト２３５の一端に排気口２３４が設けられる。ダクト２３５の他端は吸引源に接続されている。吸引源は、例えば真空ポンプ又はエジェクタである。吸引源は、工場設備の一部であってもよい。ダクト２３５の途中には、排気量を調節するダンパーが設けられてもよい。
吸引源は、複数のダクト（例えば排気部２３３のダクト２３５、排気部１８２のダクト、排気ダクト２３１Ａ、２３１Ｂ、２３１Ｃ）で共通のものでもよい。これらのダクトは、途中で合流し、共通の吸引源に接続される。複数のダクトの排気量のバランスは、ダンパーによって調節する。
排気部２３３は、吸引源の吸引力によって、外部筐体２１０の内部の排気口２３４から外部筐体２１０の外部に気体を排出する。排気部２３３は、内部筐体１６９から漏出したパーティクル及びミスト、並びに研削ユニット５１ｃなどの作動時に生じる熱を、気体と共に排出する。よって、外部筐体２１０の内部を清浄に保ち、ひいては研削装置５１が設置されるクリーンルームを清浄に保つことができる。また、外部筐体２１０の内部における熱の蓄積を抑制でき、温度上昇を抑制できる。
排気部２３３の排気口２３４は、外部筐体２１０の側面パネル２１２Ｂに向いており、且つ斜め下向きである。その側面パネル２１２Ｂには、後述する吸気口２３８が設けられる。吸気口２３８は、外部筐体２１０の外部の気体を吸入する。排気口２３４が吸気口２３８に向いているので、吸気口２３８によって気体を効率的に吸入でき、また、排気口２３４によって気体を効率良く排出できる。また、排気口２３４は、下方にも向いているので、下方からも気体を効率良く排出できる。
排気部２３３は、排気口２３４に整流板２３６を含んでもよい。整流板２３６は、例えば、パンチングメタルである。パンチングメタルは、金属板に複数の丸穴を配列したものである。整流板２３６の穴は、丸穴には限定されず、三角穴、四角穴、又は六角穴などの多角穴であってもよい。整流板２３６によって、所望の方向から気体を効率良く排出できる。
図７に示すように、研削装置５１は、給気部２３７を備える。給気部２３７は、外部筐体２１０の外部から内部に気体を供給する。給気部２３７と排気部２３３は、研削ユニット５１ｃを挟んで対向する。気体は、給気部２３７から排気部２３３に向かう途中で、研削ユニット５１ｃの熱を吸収する。従って、研削ユニット５１ｃの熱を効率的に排出できる。
給気部２３７は、外部筐体２１０の側面パネル２１２Ｂに設けられた吸気口２３８を含む。排気部２３３が外部筐体２１０の内部から外部に気体を排出し、外部筐体２１０の内部が負圧になると、自動的に、外気が吸気口２３８を介して外部筐体２１０の内部から外部に吸い込まれる。ポンプなどが不要であるので、給気部２３７の機構を単純化できる。
給気部２３７は、外部筐体２１０の外に、吸気口２３８を覆うフード２３９を含む。フード２３９は、下方にのみ開放されており、上方及び側方には閉塞されている。吸気口２３８は、フード２３９の下方から外気を吸い込む。それゆえ、重力を利用して、パーティクルの吸い込みを抑制できる。
図９に示すように、外部筐体２１０は、互いに対向する２枚の側面パネル２１２Ａ、２１２Ｂを含む。側面パネル２１２Ｂに吸気口２３８が形成され、側面パネル２１２Ａに基板Ｗの搬送口２１３が形成される。側面パネル２１２Ａの近傍に排気部２３３が設けられる。上方から見たときに、排気部２３３は、側面パネル２１２Ａと内部筐体１６９との間に設けられる。例えば、排気部２３３は、洗浄カバー２００の真上に設けられる。
以上、本開示に係る研削装置について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
本出願は、２０２０年３月６日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－０３８６１７号及び２０２０年１１月２６日に日本国特許庁に出願した特願２０２０－１９６３５３号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０２０－０３８６１７号及び特願２０２０－１９６３５３号の全内容を本出願に援用する。
５１ 研削装置
５１ａ 回転テーブル
５１ｂ チャック
５１ｄ 回転駆動部
１３０ 研削位置カバー
１５０ 基板洗浄部（洗浄部）
１５１ チャック洗浄部（洗浄部）
１６０ 着脱位置カバー

Claims (14)

  1. 鉛直な回転中心線を中心に回転する水平な回転テーブルと、
    前記回転テーブルの回転中心線の周りに等間隔で配置される複数のチャックと、
    前記回転テーブルを回転し、前記チャックに対する基板の着脱が行われる着脱位置と、前記チャックに着けた前記基板の研削が行われる研削位置との間で前記チャックを移動させる回転駆動部と、
    前記研削位置の上方及び側方を覆う研削位置カバーと、
    前記着脱位置にて前記チャック又は前記基板に対して洗浄液を供給する洗浄部と、
    前記着脱位置の上方及び側方を覆う着脱位置カバーと、を有し、
    前記着脱位置カバーは、側面に前記基板の搬送口を有し、内部に前記チャックと前記洗浄部とを収容する、研削装置。
  2. 前記着脱位置カバーの前記搬送口を開閉するシャッタを更に有する、請求項１に記載の研削装置。
  3. 前記着脱位置カバーの内部に、前記搬送口から搬出する前の前記基板に対して上方からガスを吹き付けるガス供給ノズルを有する、請求項１又は２に記載の研削装置。
  4. 前記着脱位置カバーの天井の高さは、前記研削位置カバーの天井の高さよりも高い、請求項１～３のいずれか１項に記載の研削装置。
  5. 前記着脱位置カバーの天井に、前記着脱位置カバーの内部にダウンフローを形成する給気部を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の研削装置。
  6. 前記着脱位置カバーの内部の気体を、前記研削位置カバーとは反対方向に排出する排気部を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の研削装置。
  7. 前記着脱位置の隣に、前記チャックから脱離された研削後の前記基板の下面を洗浄する下面洗浄機構を更に有し、
    前記着脱位置カバーは、前記下面洗浄機構の上方及び側方をも覆う、請求項１～６のいずれか１項に記載の研削装置。
  8. 前記着脱位置カバーの上に排気部を有し、
    前記排気部は、前記着脱位置カバーの前記搬送口から前記着脱位置カバーの内部に流れ込む気体を、前記着脱位置カバーの上方に排出する、請求項１に記載の研削装置。
  9. 前記着脱位置の隣の洗浄位置で、前記チャックから脱離された研削後の前記基板の下面を洗浄する下面洗浄機構と、
    前記着脱位置カバーに隣接し、前記下面洗浄機構を内部に収容する洗浄カバーと、を有し、
    前記洗浄カバーは、前記着脱位置と前記洗浄位置とを仕切る、請求項８に記載の研削装置。
  10. 前記研削位置カバーと前記着脱位置カバーと前記洗浄カバーとを内部に収容する外部筐体を有し、
    前記外部筐体は、その側面に、前記基板の搬送口を含み、
    前記洗浄カバーは、前記外部筐体の前記搬送口と、前記着脱位置カバーの前記搬送口とを結ぶ直線上に、前記基板と前記気体が通る開口を含む、請求項９に記載の研削装置。
  11. 前記外部筐体の前記搬送口を開閉するシャッタを更に有する、請求項１０に記載の研削装置。
  12. 前記外部筐体の前記搬送口と、前記洗浄カバーの前記開口との間には、隙間が形成され、
    前記隙間は、前記洗浄カバーの外部から前記洗浄カバーの前記開口に向かう前記気体の通路を形成する、請求項１１に記載の研削装置。
  13. 前記着脱位置カバーは、前記チャックの上方を覆う上面パネルを含み、
    前記上面パネルは、透明である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の研削装置。
  14. 前記着脱位置カバーは、前記チャックの上方を覆う上面パネルを含み、
    前記上面パネルの下面は、斜め下向きに傾斜している、請求項１～１３のいずれか１項に記載の研削装置。
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