CN115151378A - 磨削装置 - Google Patents

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CN115151378A CN202180016713.5A CN202180016713A CN115151378A CN 115151378 A CN115151378 A CN 115151378A CN 202180016713 A CN202180016713 A CN 202180016713A CN 115151378 A CN115151378 A CN 115151378A
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Abstract

磨削装置具有旋转台、卡盘、旋转驱动部、磨削位置罩、清洗部和装卸位置罩。所述旋转台是以铅垂的旋转中心线为中心旋转的水平的旋转台。所述卡盘绕所述旋转台的旋转中心线以等间隔配置有多个。所述旋转驱动部使所述卡盘在装卸位置与磨削位置之间移动。所述磨削位置罩覆盖所述磨削位置的上方和侧方。所述清洗部在所述装卸位置对所述卡盘或所述基板供给清洗液。所述装卸位置罩覆盖所述装卸位置的上方和侧方。所述装卸位置罩在侧面具有所述基板的输送口，在内部收纳所述卡盘和所述清洗部。

Description

磨削装置
技术领域
本公开涉及一种磨削装置。
背景技术
专利文献1所记载的加工装置具有第1输送单元、位置调整机构、第2输送单元、转台、卡盘台、加工单元和清洗机构。第1输送单元自盒向位置调整机构输送基板。位置调整机构调整基板的位置。第2输送单元自位置调整机构向转台上的卡盘台输送基板。当卡盘台对基板进行抽吸保持时，转台进行旋转，基板配置于加工单元的下方。加工单元利用磨削轮对基板进行磨削。第2输送单元对磨削后的基板进行抽吸保持并使其回转，向清洗机构输送。清洗机构对磨削后的基板进行清洗。第1输送单元将清洗后的基板自清洗机构向盒输送。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-185645号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一技术方案提供一种抑制在磨削装置产生的微粒和雾沫的流出的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的磨削装置具有旋转台、卡盘、旋转驱动部、磨削位置罩、清洗部和装卸位置罩。所述旋转台是以铅垂的旋转中心线为中心旋转的水平的旋转台。所述卡盘绕所述旋转台的旋转中心线以等间隔配置有多个。所述旋转驱动部使所述旋转台旋转，使所述卡盘在进行基板的相对于所述卡盘的装卸的装卸位置与进行安装于所述卡盘的所述基板的磨削的磨削位置之间移动。所述磨削位置罩覆盖所述磨削位置的上方和侧方。所述清洗部在所述装卸位置对所述卡盘或所述基板供给清洗液。所述装卸位置罩覆盖所述装卸位置的上方和侧方。所述装卸位置罩在侧面具有所述基板的输送口，在内部收纳所述卡盘和所述清洗部。
发明的效果
根据本公开的一技术方案，能够抑制在磨削装置产生的微粒和雾沫的流出。
附图说明
图1是表示一实施方式的磨削系统的俯视图。
图2是表示一实施方式的磨削系统的侧面图。
图3是表示一实施方式的磨削装置的卸下了装卸位置罩的状态的俯视图。
图4是表示磨削单元和磨削位置罩的一个例子的剖视图。
图5是表示磨削位置罩的一个例子的立体图。
图6是表示磨削位置罩和装卸位置罩的一个例子的剖视图。
图7是变形例的磨削装置的与Y轴方向垂直的剖视图。
图8是变形例的磨削装置的与X轴方向垂直的剖视图。
图9是表示变形例的壳体内部的气体的流动的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图，说明本公开的实施方式。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是互相垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
如图1和图2所示，磨削系统1具备送入送出部2、清洗部3、磨削部5和控制部9。送入送出部2、清洗部3和磨削部5按照该顺序自X轴方向负侧向X轴方向正侧配置。
送入送出部2具有载置台21。载置台21用于载置盒C。盒C将基板W在铅垂方向上空开间隔地收纳多个。基板W包含硅晶圆或化合物半导体晶圆等半导体基板、或者玻璃基板。基板W也可以还包含形成于半导体基板或玻璃基板的表面的器件层。器件层包含电子电路。另外，基板W也可以是将多个基板接合而成的重合基板。载置台21包含在Y轴方向上配置成一列的多个载置板22。在多个载置板22分别载置盒C。此外，载置板22的数量没有特别限定。同样地，盒C的数量也没有特别限定。
另外，送入送出部2具有与载置台21相邻地配置的第1输送区域23。第1输送区域23配置于载置台21的X轴方向正侧。另外，第1输送区域23配置于后述的传送装置35的X轴方向负侧。
而且，送入送出部2具有设置于第1输送区域23的第1输送装置24。第1输送装置24相对于盒C送入送出基板W。第1输送装置24包含保持基板W的第1输送臂24a。第1输送臂24a能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向上的移动、以及以铅垂轴线为中心的旋转。第1输送装置24在盒C与传送装置35之间输送基板W。第1输送臂24a的数量既可以是一个，也可以是多个。
清洗部3具有第1清洗装置31(参照图2)和第2清洗装置32。第1清洗装置31对基板W进行清洗。例如，第1清洗装置31包含对由后述的磨削装置51磨削后的基板W进行擦洗的未图示的清洗体。清洗体是海绵或刷子等，用于去除磨削屑等微粒。清洗体只要擦洗基板W的磨削后的上表面即可，配置于基板W的上方。但是，清洗体也可以配置于基板W的上下两侧，也可以对基板W的上下两面进行清洗。
第2清洗装置32也对基板W进行清洗。例如，第2清洗装置32包含喷出药液的未图示的喷嘴，该药液用于对由磨削装置51磨削后的基板W进行蚀刻。喷嘴向旋转的基板W的上表面的中心供给药液。药液利用离心力自基板W的上表面的中心朝向周缘润湿扩散。药液可以是通常的药液，例如可以是氟硝酸或碱溶液等。药液对基板W的磨削后的上表面进行蚀刻，去除磨削痕迹。
清洗部3也可以还具有第3清洗装置33。第3清洗装置33与第1清洗装置31以及第2清洗装置32不同，该第3清洗装置33对由磨削装置51磨削前的基板W进行清洗。能够使洁净的基板W载置于磨削装置51的卡盘51b，能够抑制微粒的咬入。由此，能够将基板W磨削得平坦，能够抑制基板W的厚度偏差(TTV：Total Thickness Variation，总厚度变化)的劣化。
第3清洗装置33与第1清洗装置31同样地包含对基板W进行擦洗的清洗体。清洗体是海绵或刷子等，用于去除微粒。为了在将基板W载置于卡盘51b时抑制微粒的咬入，清洗体只要擦洗基板W的下表面即可，配置于基板W的下方。但是，清洗体也可以配置于基板W的上下两侧，也可以对基板W的上下两面进行清洗。
清洗部3具有检测装置34。检测装置34对由磨削装置51磨削前的基板W的中心进行检测。在俯视时，能够使后述的卡盘51b的中心与基板W的中心对准。检测装置34除了检测基板W的中心以外，也可以还检测基板W的晶体取向，具体而言，也可以还检测表示基板W的晶体取向的凹口或定向平面。在与卡盘51b一起旋转的旋转坐标系中，能够将基板W的晶体取向与期望的方位对准。
第1清洗装置31、第3清洗装置33和检测装置34也可以在铅垂方向上层叠，以降低磨削系统1设置面积。此外，在本实施方式中，如图2所示，检测装置34、第1清洗装置31和第3清洗装置33按照该顺序自下侧朝向上侧配置，但该顺序并没有特别限定。例如，也可以是检测装置34配置于最上方，也可以是第1清洗装置31配置于最上方。另外，也可以是第3清洗装置33配置于最下方，也可以是第1清洗装置31配置于最下方。
清洗部3具有传送装置35。传送装置35用于临时收纳基板W。多个传送装置35也可以在铅垂方向上层叠。传送装置35的配置、个数没有特别限定。
如图1所示，清洗部3具有配置于第1清洗装置31与第2清洗装置32之间的第2输送区域36。在第2输送区域36的Y轴方向正侧配置有第2清洗装置32，在第2输送区域36的Y轴方向负侧配置有第1清洗装置31、第3清洗装置33和检测装置34。另外，在第2输送区域36的X轴方向负侧配置有传送装置35，在第2输送区域36的X轴方向正侧配置有磨削装置51。
清洗部3具有设置于第2输送区域36的第2输送装置37。第2输送装置37相对于第1清洗装置31、第2清洗装置32、第3清洗装置33、检测装置34以及传送装置35输送基板W。
第2输送装置37包含保持基板W的第2输送臂37a。第2输送臂37a能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向上的移动、以及以铅垂轴线为中心的旋转。第2输送臂37a自下方保持基板W。基板W载置于第2输送臂37a。第2输送臂37a的数量既可以是一个，也可以是多个。
磨削部5包含磨削装置51。磨削装置51对基板W进行磨削。磨削包含研磨。磨削所使用的磨粒可以是固定磨粒和游离磨粒中的任一者。磨削装置51例如具有旋转台51a、四个卡盘51b和三个磨削单元51c。
旋转台51a绕旋转中心线R1将四个卡盘51b保持为等间隔，并以旋转中心线R1为中心旋转。旋转台51a的旋转使用图6所示的旋转驱动部51d。旋转驱动部51d例如包含旋转马达。四个卡盘51b分别与旋转台51a一起旋转，并向装卸位置A0、一次磨削位置A1、二次磨削位置A2、三次磨削位置A3以及装卸位置A0依次移动。
装卸位置A0是进行基板W的相对于卡盘51b的装卸的位置，兼作进行基板W的安装的位置和进行基板W的拆卸的位置。一次磨削位置A1是进行基板W的一次磨削的位置。二次磨削位置A2是进行基板W的二次磨削的位置。三次磨削位置A3是进行基板W的三次磨削的位置。
四个卡盘51b以各自的旋转中心线R2(参照图4)为中心旋转自如地安装于旋转台51a。在一次磨削位置A1、二次磨削位置A2以及三次磨削位置A3，卡盘51b以各自的旋转中心线R2为中心进行旋转。
一个磨削单元51c在一次磨削位置A1对基板W进行一次磨削。另一磨削单元51c在二次磨削位置A2对基板W进行二次磨削。剩余的磨削单元51c在三次磨削位置A3对基板W进行三次磨削。
此外，磨削单元51c的数量只要是一个以上即可。另外，卡盘51b的数量只要多于磨削单元51c的数量即可。
如图1所示，磨削系统1具备配置于清洗部3与磨削部5之间的第3输送区域61。第3输送区域61与第1清洗装置31以及第2输送区域36相邻地配置，以第2输送区域36为基准配置于与第2清洗装置32相反的一侧。
清洗部3在俯视时是缺失了矩形的角的形状，在该缺失的位置配置有第3输送区域61。第3输送区域61既可以设于覆盖清洗部3和第3输送区域61这两者的壳体的内部，也可以设于与覆盖清洗部3的壳体不同的壳体的内部并与清洗部3连接。
磨削系统1具备设置在第3输送区域61的第3输送装置62。第3输送装置62相对于清洗部3和磨削部5输送基板W。具体而言，第3输送装置62自检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送基板W，并自卡盘51b向第1清洗装置31输送基板W。此外，第3输送装置62也可以自第3清洗装置33向磨削装置51的卡盘51b输送基板W。在该情况下，在第3清洗装置33的附近设有后述的输送口73a。
第3输送装置62包括保持基板W的吸盘62a。吸盘62a自上方吸附基板W。吸盘62a能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向上的移动、以及以铅垂轴线为中心的旋转。
清洗部3与磨削部5被隔壁71隔开。隔壁71例如将清洗部3的第2输送区域36与磨削部5隔开。能够利用隔壁71抑制微粒和雾沫自磨削部5向清洗部3流出。
根据本实施方式，能够使清洗部3自磨削部5分离，能够在洁净度较高的区域搭载清洗装置。并且，磨削部5的大部分区域被磨削装置51占据，因此，与在磨削部5的剩余区域搭载清洗装置的情况相比，能够增加清洗装置的搭载数量，能够提高清洗性能。另外，由于在洁净度较高的区域搭载清洗装置，因此能够将清洗后的基板W维持在洁净的状态。
另外，根据本实施方式，在清洗部3的缺失的位置配置有第3输送区域61。因此，能够抑制由于清洗装置的搭载数量的增加引起的磨削系统1的设置面积的增加。
清洗部3和第3输送区域61被隔壁72、73隔开。隔壁72将清洗部3的第2输送区域36与第3输送区域61隔开。另外，隔壁73将清洗部3的第1清洗装置31与第3输送区域61隔开。能够利用隔壁72、73抑制微粒和雾沫经由第3输送区域61自磨削部5向清洗部3流出。
在隔壁73形成有供基板W穿过的输送口73a。基板W经由隔壁73的输送口73a自检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送。另外，基板W经由隔壁73的输送口73a自卡盘51b向第1清洗装置31输送。
在隔壁73的输送口73a设有对输送口73a进行开闭的闸门74。闸门74基本上封闭着隔壁73的输送口73a，在基板W穿过时开放隔壁73的输送口73a。与始终开放输送口73a的情况相比，能够抑制微粒和雾沫经由输送口73a自磨削部5向清洗部3流出，能够进一步提高清洗部3的洁净度。
磨削部5和第3输送区域61被隔壁75隔开。隔壁75是磨削部5的外壁。能够利用隔壁75抑制微粒和雾沫经由第3输送区域61自磨削部5向清洗部3流出。
在隔壁75形成有供基板W穿过的输送口75a。隔壁75向输送口75a的上下两侧扩展。未磨削的基板W经由隔壁75的输送口75a自检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送。另外，磨削完的基板W经由隔壁75的输送口75a自磨削装置51的卡盘51b向第1清洗装置31输送。
在隔壁75的输送口75a设有对输送口75a进行开闭的闸门76。闸门76基本上封闭着隔壁75的输送口75a，在基板W穿过时开放隔壁75的输送口75a。与始终开放输送口75a的情况相比，能够抑制微粒和雾沫经由输送口75a自磨削部5向清洗部3流出，能够进一步提高清洗部3的洁净度。
控制部9例如是计算机，具备CPU(Central Processing Unit：中央处理器)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有控制在磨削系统1中执行的各种处理的程序。控制部9使CPU91执行存储于存储介质92的程序，从而控制磨削系统1的动作。
接着，说明磨削系统1的动作。下述的动作在控制部9的控制下实施。
首先，第1输送装置24自盒C取出基板W，并向传送装置35输送。接着，第2输送装置37将基板W自传送装置35向第3清洗装置33输送。
接着，第3清洗装置33对由磨削装置51磨削前的基板W进行清洗。能够使洁净的基板W载置于磨削装置51的卡盘51b，能够抑制微粒的咬入。因此，能够将基板W磨削得平坦，能够抑制基板W的厚度偏差的劣化。第3清洗装置33清洗基板W的下表面。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W自第3清洗装置33向检测装置34输送。
此外，在未磨削的基板W洁净的情况、或者磨削装置51具有对未磨削的基板W进行清洗的机构的情况下，也可以没有第3清洗装置33。在该情况下，第2输送装置37将基板W自传送装置35向检测装置34输送。
接着，检测装置34检测基板W的中心。检测装置34也可以还检测基板W的凹口等。之后，第3输送装置62将基板W自检测装置34向磨削装置51的卡盘51b输送。
控制部9基于检测装置34的检测结果控制第3输送装置62，使卡盘51b的旋转中心线R2与基板W的中心对准。另外，控制部9基于检测装置34的检测结果控制第3输送装置62，在与卡盘51b一起旋转的旋转坐标系中，将基板W的晶体取向与期望的方位对准。
接着，磨削装置51对基板W的上表面进行磨削。基板W与旋转台51a一起旋转，向装卸位置A0、一次磨削位置A1、二次磨削位置A2、三次磨削位置A3和装卸位置A0依次移动。在此期间，依次进行一次磨削、二次磨削和三次磨削。之后，第3输送装置62将基板W自卡盘51b向第1清洗装置31输送。
接着，第1清洗装置31对基板W的上表面进行清洗，去除微粒。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W自第1清洗装置31向第2清洗装置32输送。
接着，第2清洗装置32对基板W的上表面进行蚀刻，去除磨削痕迹。在基板W干燥后，第2输送装置37将基板W自第2清洗装置32向传送装置35输送。接着，第1输送装置24将基板W自传送装置35向盒C输送。基板W收纳于盒C。
此外，本实施方式的第1输送装置24将自盒C取出来的基板W向传送装置35输送，但本公开的技术并不限定于此。第1输送装置24也可以将自盒C取出来的基板W向第3清洗装置33或检测装置34输送。
接着，参照图4等对磨削装置51的磨削单元51c进行说明。磨削单元51c包括供磨削工具D安装的可动部110。磨削工具D与基板W接触，对基板W进行磨削。磨削工具D例如包括圆盘状的磨削轮D1和在磨削轮D1的下表面呈环状排列的多个磨石D2。
可动部110具有供磨削工具D安装的凸缘111、在下端设有凸缘111的主轴112和使主轴112旋转的主轴马达113。凸缘111水平地配置，在其下表面安装有磨削工具D。主轴112铅垂地配置。主轴马达113使主轴112旋转，而使安装于凸缘111的磨削工具D旋转。磨削工具D的旋转中心线R3是主轴112的旋转中心线。
磨削单元51c还具有使可动部110升降的升降部120。升降部120例如具有铅垂的Z轴引导件121、沿着Z轴引导件121移动的Z轴滑动件122和使Z轴滑动件122移动的Z轴马达123。在Z轴滑动件122固定有可动部110，可动部110以及磨削工具D与Z轴滑动件122一起升降。升降部120还具有检测磨削工具D的位置的位置检测器124。位置检测器124例如检测Z轴马达123的旋转，而检测磨削工具D的位置。
升降部120使磨削工具D自待机位置下降。磨削工具D一边下降一边旋转，与旋转的基板W的上表面接触，而对基板W的上表面整体进行磨削。当基板W的厚度达到设定值时，升降部120停止磨削工具D的下降。之后，升降部120使磨削工具D上升至待机位置。
如图4所示，磨削装置51具有磨削位置罩130和磨削液喷嘴140。磨削位置罩130例如覆盖一次磨削位置A1、二次磨削位置A2以及三次磨削位置A3的上方和侧方。磨削位置罩130收纳卡盘51b、磨削工具D和磨削液喷嘴140。磨削液喷嘴140向由卡盘51b保持着的基板W与磨削工具D之间供给磨削液。
磨削位置罩130抑制磨削屑等微粒和磨削液向外部飞散。磨削位置罩130具有水平配置的上表面板131和铅垂配置的侧面板132。在上表面板131形成有可动部110的插入口133。磨削位置罩130在内部形成进行基板W的磨削的磨削室GR。在磨削位置罩130的下部设置有未图示的回收盘。回收盘回收微粒和磨削液。
磨削液喷嘴140供给磨削液。磨削液例如是DIW(Deionized Water：去离子水)等纯水。磨削液进入基板W与磨削工具D之间，减小磨削阻力，抑制热的产生。
如图5所示，磨削位置罩130具有固定分隔壁134。固定分隔壁134设于上表面板131的下表面。固定分隔壁134绕旋转台51a的旋转中心线R1等间隔地配置有多个，分隔一次磨削用的磨削室GR、二次磨削用的磨削室、三次磨削用的磨削室和后述的装卸室DR。
固定分隔壁134例如包括上面部135和侧面部136。上面部135安装于上表面板131的下表面，并在上面部135与旋转台51a之间形成间隙。该间隙是旋转台51a旋转时供卡盘51b和基板W穿过的间隙。在上面部135的下边缘设有将上面部135与基板W之间封堵的长条状的挠性片137。侧面部136安装于侧面板132的内壁面。侧面部136比上面部135向下方突出，将旋转台51a的侧面与侧面板132之间封堵。
另一方面，旋转分隔壁138设于旋转台51a的上表面，并与旋转台51a一起旋转。旋转分隔壁138设为与固定分隔壁134的数量相同的数量，在旋转台51a的旋转停止时，配置于固定分隔壁134的正下方。利用固定分隔壁134和旋转分隔壁138，能够抑制在磨削室GR的内部产生的微粒向磨削室GR的外部流出。
另外，如图3所示，磨削位置罩130是在俯视时缺失了矩形的角的形状，在该缺失的位置配置有装卸位置A0。在装卸位置A0，在基板W拆卸前，对磨削后的基板W进行清洗液的供给。另外，在装卸位置A0，在基板W拆卸后、且在下一个基板W安装前，对卡盘51b进行清洗液的供给。
磨削装置51具有在装卸位置A0向基板W供给清洗液的基板清洗部150。基板清洗部150向与卡盘51b一起旋转的基板W的上表面供给清洗液。清洗液利用离心力在基板W的整个上表面润湿扩散，而冲洗附着于基板W的上表面的微粒。作为清洗液，例如使用DIW等。
基板清洗部150例如包括喷出清洗液的喷嘴。喷嘴也可以在基板W的上方移动。此时，基板W与卡盘51b一起旋转，喷嘴一边喷出清洗液一边在基板W的径向上移动。喷嘴既可以在到达基板W的中心和周缘的正上方时使移动方向反转，也可以在基板W的中心的正上方不使移动方向反转而是穿过基板W的中心的正上方，在到达基板W的周缘的正上方时使移动方向反转。
磨削装置51具有在装卸位置A0对卡盘51b供给清洗液的卡盘清洗部151。卡盘清洗部151向旋转的卡盘51b的上表面供给清洗液。清洗液利用离心力在卡盘51b的整个上表面润湿扩散，而冲洗附着于卡盘51b的上表面的微粒。作为清洗液，例如使用DIW等。
卡盘清洗部151例如包括喷出清洗液的喷嘴。喷嘴也可以在卡盘51b的上方移动。此时，卡盘51b旋转，喷嘴一边喷出清洗液一边在卡盘51b的径向上移动。喷嘴既可以在到达卡盘51b的中心和周缘的正上方时使移动方向反转，也可以在卡盘51b的中心的正上方不使移动方向反转而是穿过卡盘51b的中心的正上方，在到达卡盘51b的周缘的正上方时使移动方向反转。
卡盘清洗部151也可以包括摩擦卡盘51b的上表面来进行清洗的摩擦体。摩擦体例如是刷子、海绵或磨石等。也可以使用自刷子、海绵和磨石中选择的两种以上。摩擦体在卡盘51b之上移动。此时，卡盘51b旋转，摩擦体在卡盘51b的径向上移动。摩擦体既可以在到达卡盘51b的中心和周缘时使移动方向反转，也可以在卡盘51b的中心不使移动方向反转而是穿过卡盘51b的中心，在到达卡盘51b的周缘时使移动方向反转。
在卡盘51b是真空吸附卡盘且包含多孔质体的情况下，也可以设置向多孔质体的内部供给流体并使流体自多孔质体的上表面喷出的喷出器。多孔质体的上表面具有许多凹部。也能够利用流体的喷出压力使进入到该凹部的微粒浮起并去除。作为流体，喷出器例如使水等液体与空气或氮气等气体的混合流体自多孔质体的上表面喷出。作为流体，也可以仅使用液体或仅使用气体，但通过使用液体与气体的混合流体，能够提高微粒的去除效率。
如上所述，在装卸位置A0，对卡盘51b的上表面供给清洗液，清洗液冲洗附着于卡盘51b的上表面的微粒。能够在洁净的卡盘51b的上表面载置基板W，能够抑制微粒的咬入。由此，能够将基板W磨削得平坦，能够抑制基板W的厚度偏差的劣化。
但是，在装卸位置A0，有时微粒会飞扬。另外，有时会产生清洗液的雾沫。
因此，如图6所示，本实施方式的磨削装置51具有装卸位置罩160。装卸位置罩160覆盖装卸位置A0的上方和侧方。装卸位置罩160收纳卡盘51b、基板清洗部150和卡盘清洗部151。
装卸位置罩160将产生的微粒和雾沫留在内部，抑制微粒和雾沫的流出。因而，能够抑制微粒和雾沫自磨削部5向清洗部3流出，能够将清洗部3维持为洁净。
另外，装卸位置罩160抑制微粒自其外部向内部侵入。因此，能够在洁净的卡盘51b的上表面载置洁净的基板W，能够抑制微粒的咬入。因此，能够将基板W磨削得平坦，能够抑制基板W的厚度偏差的劣化。
装卸位置罩160在内部形成进行基板W的相对于卡盘51b的装卸的装卸室DR。在装卸位置罩160的下部设置有未图示的回收盘。回收盘回收微粒和清洗液。
装卸位置罩160与磨削位置罩130分离，并能够卸下。只要卸下装卸位置罩160，就能够使装卸室DR开放，能够提高维护的作业性。
装卸位置罩160具有水平配置的上表面板161和铅垂配置的侧面板162。上表面板161在俯视时形成为矩形。侧面板162分别设于上表面板161的四边。
在侧面板162形成有基板W的输送口163。输送口163形成于靠近第3输送区域61的侧面板162。基板W经由输送口163自磨削装置51的外部向内部送入，另外，基板W经由输送口163自磨削装置51的内部向外部送出。
基板W在穿过输送口163时被第3输送装置62保持为水平。保持为水平的基板W的自侧方观察到的形状是长方形。长方形的长边的长度与基板W的直径相等，长方形的短边的长度与基板W的厚度相等。另一方面，保持为水平的基板W的自上方观察到的形状是圆形。圆形的直径与基板W的直径相等。因而，保持为水平的基板W的自侧方观察到的大小小于自上方观察到的大小。由此，若在侧面板162形成输送口163，则与在上表面板161形成输送口163相比，能够减小输送口163的大小。
也可以在输送口163设有对输送口163进行开闭的闸门165。闸门165基本上封闭着输送口163，在基板W穿过时开放输送口163。与始终开放输送口163的情况相比，能够抑制微粒和雾沫经由输送口163自磨削部5向清洗部3流出，能够进一步提高清洗部3的洁净度。
磨削装置51也可以在装卸位置罩160的内部具有气体供给喷嘴170，该气体供给喷嘴170从上方对自输送口163送出前的基板W吹送气体。气体供给喷嘴170设于输送口163的附近，将残留于基板W的清洗液吹落。能够抑制清洗液与基板W一起送出到外部。作为气体，使用空气或氮气等。
装卸位置罩160的顶部的高度也可以高于磨削位置罩130的顶部的高度。也就是说，装卸位置罩160的上表面板161的高度也可以高于磨削位置罩130的上表面板131的高度。由于装卸位置罩160的顶部的高度较高，因此能够抑制清洗液的雾沫和微粒飞扬至该顶部。
假设清洗液的雾沫附着于顶部并干燥，则雾沫中含有的残渣成为微粒。
根据本实施方式，装卸位置罩160的顶部的高度较高，因此能够抑制清洗液的雾沫和微粒飞扬至该顶部。其结果，能够减少附着于顶部的微粒的数量，能够抑制微粒自顶部落下。因而，能够抑制微粒附着于卡盘51b或基板W。
磨削装置51也可以在装卸位置罩160的顶部具有供气部180，该供气部180在装卸位置罩160的内部形成下降流。供气部180例如是风扇过滤器单元等，向正下方供给空气或氮气等气体，而形成下降流。利用下降流，能够抑制清洗液的雾沫和微粒飞扬至装卸位置罩160的顶部。
磨削装置51具有排气部181，该排气部181将装卸位置罩160的内部的气体向与磨削位置罩130相反的方向排出。排气部181例如是管道，与装卸位置罩160的侧面板162连接。该连接位置尽可能配置于靠下方的位置，至少配置于比输送口163靠下方的位置，从而能够在装卸位置罩160的内部形成下降流，并且能够利用气体供给喷嘴170在输送口163的近前形成向下的气帘。上述连接位置配置于比回收磨削液的回收盘靠上方的位置。排气部181形成自装卸室DR朝向与磨削室GR相反的方向的气流，能够抑制清洗液的雾沫和微粒进入磨削室GR。
磨削装置51在装卸位置A0的旁边具有下表面清洗机构190。下表面清洗机构190对自卡盘51b拆下的磨削后的基板W的下表面进行清洗。下表面清洗机构190也可以清洗第3输送装置62的吸盘62a。下表面清洗机构190例如具有向基板W或吸盘62a喷出清洗液的喷嘴和将清洗液自基板W或吸盘62a去除的干燥部。干燥部例如吸取清洗液。
装卸位置罩160也可以还覆盖下表面清洗机构190的上方和侧方。能够将在下表面清洗机构190产生的清洗液的雾沫和微粒留在内部，能够抑制微粒和雾沫的流出。
接下来，参照图7～图9，对变形例的磨削装置51进行说明。如图7所示，磨削装置51具有旋转台51a、卡盘51b和磨削单元51c。磨削单元51c包含供磨削工具D安装的可动部110。
磨削装置51具有磨削位置罩130和装卸位置罩160。磨削位置罩130例如覆盖一次磨削位置A1、二次磨削位置A2以及三次磨削位置A3的上方和侧方。另一方面，装卸位置罩160覆盖装卸位置A0的上方和侧方。在磨削位置罩130和装卸位置罩160的下方设置有未图示的回收盘。回收盘回收磨削屑和磨削液等。
磨削位置罩130、装卸位置罩160和回收盘连结在一起，而形成内部壳体169。内部壳体169抑制磨削屑和磨削液向外部飞散。内部壳体169在内部收纳卡盘51b、磨削工具D、基板清洗部150和卡盘清洗部151。内部壳体169也可以还收纳旋转台51a。
如图9所示，磨削装置51具有固定分隔壁134，该固定分隔壁134将内部壳体169的内部绕旋转台51a的旋转中心线R1分隔成多个室。固定分隔壁134固定于内部壳体169的上表面板的下表面。在从上方观察时，固定分隔壁134在旋转台51a的径向(与旋转中心线R1正交的方向)上延伸。
固定分隔壁134例如设为十字状，将内部壳体169的内部绕旋转台51a的旋转中心线R1分隔成4个室B0～B3。3个室B1～B3是进行基板W的磨削的磨削室。B1是一次磨削室，B2是二次磨削室，B3是三次磨削室。剩余的一个室B0是进行基板W的相对于卡盘51b的装卸的装卸室。
在从上方观察时，内部壳体169的内部在逆时针方向上依次被分隔为装卸室B0、一次磨削室B1、二次磨削室B2和三次磨削室B3。此外，四个室B0～B3的顺序也可以相反，在从上方观察时，内部壳体169的内部也可以在顺时针方向上依次被分隔为装卸室B0、一次磨削室B1、二次磨削室B2和三次磨削室B3。
如图7所示，磨削位置罩130包括上表面板131和侧面板132。上表面板131覆盖卡盘51b的上方。在上表面板131形成有可动部110的插入口133。上表面板131是缺失了矩形的角的形状。在该缺失的位置配置有装卸位置罩160的矩形状的上表面板161。
装卸位置罩160也具有上表面板161和侧面板162。上表面板161覆盖装卸室B0的上方。与没有上表面板161的情况、即装卸室B0在上方开放的情况相比，能够防止雾沫和微粒自装卸室B0向上方流出。
装卸位置罩160的上表面板161与磨削位置罩130的上表面板131配置于相同的高度，并连续地设置。但是，装卸位置罩160的上表面板161与磨削位置罩130的上表面板131分离，该上表面板161能够卸下。只要卸下上表面板161，就能够使装卸室B0开放，能够提高维护的作业性。
另一方面，装卸位置罩160的侧面板162与磨削位置罩130的侧面板132连续地设置(参照图9)。装卸位置罩160的侧面板162和磨削位置罩130的侧面板132也可以利用焊接等一体化，也可以是不可分离的。
在一次磨削位置A1、二次磨削位置A2以及三次磨削位置A3进行基板W的磨削。因此，磨削位置罩130的上表面板131例如由金属形成。金属不易因磨削屑的碰撞而损伤，耐久性优异。磨削位置罩130的侧面板132例如也由金属形成。金属是不透明的。
另一方面，在装卸位置A0不进行基板W的磨削。因此，装卸位置罩160的上表面板161例如由树脂形成。树脂的耐久性比金属差，但透视性优异。若上表面板161是透明的，则能够自上表面板161的上方目视确认卡盘51b的上表面等。
此外，装卸位置罩160的侧面板162与磨削位置罩130的侧面板132同样地例如由金属形成。但是，装卸位置罩160的侧面板162也可以与上表面板161同样地由树脂形成，也可以是透明的。
在装卸位置A0，与一次磨削位置A1等不同，进行卡盘51b或基板W的清洗。其结果，清洗液的液滴飞散，附着于装卸位置罩160的上表面板161的下表面。附着的液滴包含磨削屑等微粒。
如图8所示，装卸位置罩160的上表面板161的下表面也可以向斜下方倾斜。例如，上表面板161的下表面越远离作为装卸室B0与三次磨削室B3之间的边界的固定分隔壁134越靠下方地倾斜。利用该倾斜，液滴在附着于上表面板161的下表面的状态下向斜下方流动。能够抑制液滴落到卡盘51b的吸附面上，能够抑制吸附面被污染。能够在洁净的吸附面之上载置基板W，能够抑制微粒的咬入。因此，能够将基板W磨削得平坦，能够抑制基板W的厚度偏差(TTV：Total Thickness Variation)的劣化。
如图7所示，磨削装置51也可以在装卸位置罩160之上具有排气部182。排气部182包括管道。排气部182的管道延伸至磨削装置51的外部，并连接于未图示的抽吸源。抽吸源例如是真空泵或喷射器。抽吸源也可以是工厂设施的一部分。排气部182利用抽吸源的抽吸力将气体自装卸位置罩160的内部排出。也可以在排气部182的管道的中途设置调节气体的排出量的风门。
排气部182将自装卸位置罩160的输送口163向装卸位置罩160内部流入的气体向装卸位置罩160的上方排出。排气部182将雾沫和微粒随气体一起排出，抑制雾沫和微粒的四散。另外，排气部182在内部壳体169的输送口163形成单向通行的气体的流动，抑制微粒的流出。而且，排气部182在装卸室B0形成上升气流，抑制附着于上表面板161的下表面的液滴或微粒的落下。
如图9所示，磨削装置51也可以具有下表面清洗机构190和清洗罩200。下表面清洗机构190在装卸位置A0的旁边的清洗位置A5对自卡盘51b拆下的磨削后的基板W的下表面进行清洗。清洗罩200与装卸位置罩160相邻，并在内部收纳下表面清洗机构190。清洗罩200在内部形成清洗室B5。
清洗罩200具有上表面板201和四个侧面板202A、202B、202C、202D。上表面板201覆盖下表面清洗机构190的上方。上表面板201例如水平地配置。另一方面，侧面板202A、202B、202C、202D覆盖下表面清洗机构190的侧方。侧面板202A、202B、202C、202D例如铅垂地配置。在下表面清洗机构190的下方设置有未图示的清洗盘。清洗盘回收清洗液等。清洗罩200抑制清洗液向外部飞散。
清洗罩200将装卸位置A0和清洗位置A5分隔。具体而言，清洗罩200的侧面面板202B将装卸位置A0和清洗位置A5分隔。能够抑制雾沫和微粒自装卸位置A0向清洗位置A5移动。此外，装卸位置罩160的侧面板162也将装卸位置A0和清洗位置A5分隔。
磨削装置51具有形成磨削装置51的最外侧的面的外部壳体210。外部壳体210在内部收纳磨削位置罩130、装卸位置罩160、清洗罩200和磨削单元51c。外部壳体210具有上表面板211和四个侧面板212A、212B、212C、212D。上表面板211水平地配置。另一方面，侧面板212A、212B、212C、212D铅垂地配置。外部壳体210也可以包括未图示的框架。框架包括柱和梁等。
如图9所示，外部壳体210在其侧面包括基板W的输送口213。输送口213形成于侧面板212A。清洗罩200在连结外部壳体210的输送口213与装卸位置罩160的输送口163的直线上包含供基板W和气体穿过的开口203A、203B。这些输送口213、开口203A、开口203B、输送口163在直线上排列，从而容易进行基板W的输送和气体的移动。
磨削装置51还具有对外部壳体210的输送口213进行开闭的闸门220。闸门220基本上封闭着输送口213，在基板W穿过时开放输送口213。与始终开放输送口213的情况相比，能够抑制雾沫和微粒经由输送口213自磨削部5向清洗部3流出，能够进一步提高清洗部3的洁净度。
在闸门220开放外部壳体210的输送口213的期间，气体穿过外部壳体210的输送口213、清洗罩200的开口203A、203B和装卸位置罩160的输送口163向装卸位置罩160的内部流入。该气体的流动是单向通行，因此能够抑制微粒的流出。但是，当闸门220封闭外部壳体210的输送口213时，该气体的流动被阻断。
因此，如图7所示，在外部壳体210的输送口213与清洗罩200的开口203A之间形成有间隙G。间隙G形成自清洗罩200的外部朝向清洗罩200的开口203A的气体的通路。即使闸门220封闭外部壳体210的输送口213，也形成期望的气体的流动。气体穿过清洗罩200的开口203A、203B和装卸位置罩160的输送口163向装卸位置罩160的内部流入。
如图9所示，磨削装置51具备排气箱230A、230B、230C，该排气箱230A、230B、230C与磨削位置罩130的侧面板132相邻，用于排出气体。排气箱230A、230B、230C连接于排气管道231A、231B、231C。排气管道231A、231B、231C延伸至磨削装置51的外部，并连接于抽吸源。抽吸源例如是真空泵或喷射器。抽吸源也可以是工厂设施的一部分。也可以在排气管道231A、231B、231C的中途设置调节排气量的风门。
排气箱230A利用抽吸源的抽吸力将气体自一次磨削室B1排出。另外，排气箱230B利用抽吸源的抽吸力将气体自二次磨削室B2排出。另外，排气箱230C利用抽吸源的抽吸力将气体自三次磨削室B3排出。能够抑制雾沫和微粒在装卸室B0、一次磨削室B1、二次磨削室B2和三次磨削室B3之间移动。
如图7所示，磨削装置51具备排气部233。排气部233在外部壳体210的内部且内部壳体169的外部包括排气口234，自排气口234向外部壳体210的外部排出气体。排气部233例如包括管道235。在管道235的一端设有排气口234。管道235的另一端连接于抽吸源。抽吸源例如是真空泵或喷射器。抽吸源也可以是工厂设施的一部分。也可以在管道235的中途设置调节排气量的风门。
抽吸源也可以在多个管道(例如排气部233的管道235、排气部182的管道、排气管道231A、231B、231C)共用。这些管道在中途合流，并与共用的抽吸源连接。由风门来调节多个管道的排气量的平衡。
排气部233利用抽吸源的抽吸力自外部壳体210的内部的排气口234向外部壳体210的外部排出气体。排气部233将自内部壳体169漏出的微粒和雾沫、以及在磨削单元51c等工作时产生的热随气体一起排出。因而，能够保持外部壳体210的内部洁净，进而保持设置磨削装置51的洁净室洁净。另外，能够抑制外部壳体210的内部的热的蓄积，能够抑制温度上升。
排气部233的排气口234朝向外部壳体210的侧面板212B，且朝向斜下方。在该侧面板212B设有后述的进气口238。进气口238将外部壳体210的外部的气体吸入。由于排气口234朝向进气口238，因此能够利用进气口238高效地吸入气体，另外，能够利用排气口234高效地排出气体。另外，排气口234也朝向下方，因此也能够自下方高效地排出气体。
排气部233也可以在排气口234包括整流板236。整流板236例如是冲孔金属。冲孔金属是在金属板排列有多个圆孔的构件。整流板236的孔并不限定于圆孔，也可以是三角孔、四角孔或六角孔等多角孔。利用整流板236，能够自期望的方向高效地排出气体。
如图7所示，磨削装置51具备供气部237。供气部237自外部壳体210的外部向内部供给气体。供气部237与排气部233隔着磨削单元51c相对。气体在自供气部237向排气部233去的中途吸收磨削单元51c的热。因而，能够高效地排出磨削单元51c的热。
供气部237包括设于外部壳体210的侧面板212B的进气口238。若排气部233自外部壳体210的内部向外部排出气体而使外部壳体210的内部成为负压，则外部空气自动地经由进气口238自外部壳体210的内部向外部吸入。由于不需要泵等，因此能够简化供气部237的机构。
供气部237在外部壳体210之外包括覆盖进气口238的罩239。罩239仅向下方开放，在上方和侧方封闭。进气口238自罩239的下方吸入外部空气。因此，能够利用重力抑制微粒的吸入。
如图9所示，外部壳体210包括互相相对的两个侧面板212A、212B。在侧面板212B形成有进气口238，在侧面板212A形成有基板W的输送口213。在侧面板212A的附近设有排气部233。在自上方观察时，排气部233设于侧面板212A与内部壳体169之间。例如，排气部233设于清洗罩200的正上方。
以上，对本发明的磨削装置进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修正、置换、附加、删除以及组合。它们当然也属于本公开的技术范围。
本申请主张基于2020年3月6日向日本专利局申请的日本特愿2020-038617号和2020年11月26日向日本专利局申请的日本特愿2020-196353号的优先权，将日本特愿2020-038617号和日本特愿2020-196353号的全部内容引用于本申请。
附图标记说明
51、磨削装置；51a、旋转台；51b、卡盘；51d、旋转驱动部；130、磨削位置罩；150、基板清洗部(清洗部)；151、卡盘清洗部(清洗部)；160、装卸位置罩。

Claims (14)

1.一种磨削装置，其中，
该磨削装置具有：
水平的旋转台，其以铅垂的旋转中心线为中心旋转；
多个卡盘，其绕所述旋转台的旋转中心线以等间隔配置；
旋转驱动部，其使所述旋转台旋转，使所述卡盘在进行基板的相对于所述卡盘的装卸的装卸位置与进行安装于所述卡盘的所述基板的磨削的磨削位置之间移动；
磨削位置罩，其覆盖所述磨削位置的上方和侧方；
清洗部，其在所述装卸位置对所述卡盘或所述基板供给清洗液；以及
装卸位置罩，其覆盖所述装卸位置的上方和侧方，
所述装卸位置罩在侧面具有所述基板的输送口，在内部收纳所述卡盘和所述清洗部。
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该磨削装置还具有对所述装卸位置罩的所述输送口进行开闭的闸门。
3.根据权利要求1或2所述的磨削装置，其中，
在所述装卸位置罩的内部具有气体供给喷嘴，该气体供给喷嘴自上方对自所述输送口送出前的所述基板吹送气体。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的磨削装置，其中，
所述装卸位置罩的顶部的高度高于所述磨削位置罩的顶部的高度。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的磨削装置，其中，
在所述装卸位置罩的顶部具有供气部，该供气部在所述装卸位置罩的内部形成下降流。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的磨削装置，其中，
该磨削装置具有排气部，该排气部将所述装卸位置罩的内部的气体向与所述磨削位置罩相反的方向排出。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的磨削装置，其中，
该磨削装置在所述装卸位置的旁边还具有下表面清洗机构，该下表面清洗机构对自所述卡盘拆下的磨削后的所述基板的下表面进行清洗，
所述装卸位置罩还覆盖所述下表面清洗机构的上方和侧方。
8.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
在所述装卸位置罩之上具有排气部，
所述排气部将自所述装卸位置罩的所述输送口向所述装卸位置罩的内部流入的气体向所述装卸位置罩的上方排出。
9.根据权利要求8所述的磨削装置，其中，
该磨削装置具有：
下表面清洗机构，其在所述装卸位置的旁边的清洗位置对自所述卡盘拆下的磨削后的所述基板的下表面进行清洗；以及
清洗罩，其与所述装卸位置罩相邻，在内部收纳所述下表面清洗机构，
所述清洗罩将所述装卸位置和所述清洗位置分隔。
10.根据权利要求9所述的磨削装置，其中，
该磨削装置具有外部壳体，该外部壳体在内部收纳所述磨削位置罩、所述装卸位置罩和所述清洗罩，
所述外部壳体在其侧面包括所述基板的输送口，
所述清洗罩在连结所述外部壳体的所述输送口和所述装卸位置罩的所述输送口的直线上包括供所述基板和所述气体穿过的开口。
11.根据权利要求10所述的磨削装置，其中，
该磨削装置还具有对所述外部壳体的所述输送口进行开闭的闸门。
12.根据权利要求11所述的磨削装置，其中，
在所述外部壳体的所述输送口与所述清洗罩的所述开口之间形成有间隙，
所述间隙形成自所述清洗罩的外部向所述清洗罩的所述开口去的所述气体的通路。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的磨削装置，其中，
所述装卸位置罩包括覆盖所述卡盘的上方的上表面板，
所述上表面板透明。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的磨削装置，其中，
所述装卸位置罩包括覆盖所述卡盘的上方的上表面板，
所述上表面板的下表面向斜下方倾斜。
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