JP2023074695A - 加工装置、及び加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】洗浄部を清浄に保つ、技術を提供する。【解決手段】加工装置は、基板を加工する加工部と、前記基板を洗浄する洗浄部と、前記加工部で加工後の、前記加工部で供給された液体で濡れた状態の前記基板を、前記加工部から前記洗浄部に至る前記基板の搬送経路の途中で一時的に待機させる待機部と、を備える。前記洗浄部は、前記基板を保持する基板保持部を有する。前記待機部は、前記基板の前記基板保持部に接触する領域から前記液体を除去する液体除去部を有する。【選択図】図７

Description

本開示は、加工装置、及び加工方法に関する。

特許文献１に記載の基板研削システムは、基板を研削する研削装置と、研削装置で研削された後の基板を洗浄する第１洗浄装置と、研削装置から第１洗浄装置に基板を搬送する第２搬送装置と、を備える。研削装置は、基板の上面を研削する。第１洗浄装置は、基板Ｗの研削された上面を擦り洗いする。

登録実用新案第３２２７４４８号公報

本開示の一態様は、洗浄部を清浄に保つ、技術を提供する。

本開示の一態様に係る加工装置は、基板を加工する加工部と、前記基板を洗浄する洗浄部と、前記加工部で加工後の、前記加工部で供給された液体で濡れた状態の前記基板を、前記加工部から前記洗浄部に至る前記基板の搬送経路の途中で一時的に待機させる待機部と、を備える。前記洗浄部は、前記基板を保持する基板保持部を有する。前記待機部は、前記基板の前記基板保持部に接触する領域から前記液体を除去する液体除去部を有する。

本開示の一態様によれば、洗浄部を清浄に保つことができる。

図１は、一実施形態に係る加工装置を示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、一実施形態に係る加工方法を示すフローチャートである。 図４は、洗浄部の一例を示す断面図であって、基板保持部によって基板を保持した状態の一例を示す断面図である。 図５は、洗浄部の一例を示す断面図であって、一対の吸着パッドによって基板を保持した状態の一例を示す断面図である。 図６は、加工部のノズルとブロー機構の一例を示す断面図である。 図７は、待機部の一例を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

先ず、図１及び図２を参照して、一実施形態に係る加工装置１について説明する。加工装置１は、基板Ｗを加工し、加工した基板Ｗを洗浄する。加工装置１は、例えば、搬入出ブロック２と、洗浄ブロック３と、加工ブロック５と、を備える。搬入出ブロック２と、洗浄ブロック３と、加工ブロック５とは、この順番で、Ｘ軸負方向側からＸ軸正方向側に並んでいる。

搬入出ブロック２は、カセットＣが載置される載置部２１を含む。カセットＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。基板Ｗは、シリコンウェハ又は化合物半導体ウェハ等の半導体基板を含む。基板Ｗは、半導体基板の表面に形成されるデバイス層を更に含んでもよい。デバイス層は、例えば、電子回路を含む。基板Ｗは、半導体基板の代わりに、ガラス基板を含んでもよい。

洗浄ブロック３は、例えば、加工後の基板Ｗを洗浄する洗浄部３１Ａ、３１Ｂと、洗浄後の基板Ｗをエッチングするエッチング部３２Ａ、３２Ｂと、基板Ｗを反転する反転部３４と、基板Ｗを中継するトランジション部３５と、を含む。また、洗浄ブロック３は、第２搬送部３６と、第３搬送部３７と、を含む。

上方から見たときに、第２搬送部３６と第３搬送部３７は、矩形状の洗浄ブロック３の対角線上に設けられる。第２搬送部３６は、加工ブロック５に隣接しており、搬入出ブロック２に隣接していない。これに対し、第３搬送部３７は、搬入出ブロック２に隣接しており、加工ブロック５に隣接していない。

第２搬送部３６は、第２搬送部３６に隣接する複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第２搬送部３６は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

第３搬送部３７は、第３搬送部３７に隣接する複数の装置間で、基板Ｗを搬送する。第３搬送部３７は、基板Ｗを保持する搬送アームを有する。搬送アームは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

加工ブロック５は、基板Ｗを加工する加工部５０を備える。加工部５０は、例えば、基板Ｗを研削する。研削は、研磨を含む。加工部５０は、例えば、基板Ｗを保持する４つの保持部５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄと、基板Ｗに押し当てられる工具Ｄを駆動する２つの工具駆動部５３Ａ、５３Ｂと、を含む。工具駆動部５３Ａ、５３Ｂは、工具Ｄを回転させたり昇降させたりする。

加工部５０は、回転中心線Ｒ１を中心に回転させられる回転テーブル５１を更に含んでもよい。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、回転テーブル５１と共に回転させられる。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１の周りに間隔をおいて設けられ、回転中心線Ｒ１を中心に同時に回転させられる。４つの保持部５２Ａ～５２Ｄは、各々の回転中心線Ｒ２を中心に独立に回転させられる。

２つの保持部５２Ａ、５２Ｃは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１を中心に対称に配置される。各保持部５２Ａ、５２Ｃは、第１搬送部５４によって基板Ｗを搬入出する第１搬入出位置Ａ３と、１つの工具駆動部５３Ａによって基板Ｗを加工する第１加工位置Ａ１との間で移動する。２つの保持部５２Ａ、５２Ｃは、回転テーブル５１が１８０°回転する度に、第１搬入出位置Ａ３と、第１加工位置Ａ１との間で移動する。

別の２つの保持部５２Ｂ、５２Ｄは、回転テーブル５１の回転中心線Ｒ１を中心に対称に配置される。各保持部５２Ｂ、５２Ｄは、第１搬送部５４によって基板Ｗを搬入出する第２搬入出位置Ａ０と、別の工具駆動部５３Ｂによって基板Ｗを加工する第２加工位置Ａ２との間で移動する。別の２つの保持部５２Ｂ、５２Ｄは、回転テーブル５１が１８０°回転する度に、第２搬入出位置Ａ０と、第２加工位置Ａ２との間で移動する。

上方から見たときに、第１搬入出位置Ａ３と、第２搬入出位置Ａ０と、第１加工位置Ａ１と、第２加工位置Ａ２とは、この順番で、反時計回りに配置されている。この場合、上方から見たときに、保持部５２Ａと、保持部５２Ｂと、保持部５２Ｃと、保持部５２Ｄとは、この順番で、反時計回りに９０°ピッチで配置されている。

なお、第１搬入出位置Ａ３と第２搬入出位置Ａ０の位置が逆であって、且つ第１加工位置Ａ１と第２加工位置Ａ２の位置も逆であってもよい。つまり、上方から見たときに、第１搬入出位置Ａ３と、第２搬入出位置Ａ０と、第１加工位置Ａ１と、第２加工位置Ａ２とは、この順番で、時計回りに配置されてもよい。この場合、上方から見たときに、保持部５２Ａと、保持部５２Ｂと、保持部５２Ｃと、保持部５２Ｄとは、この順番で、時計回りに９０°ピッチで配置される。

但し、保持部の数は、４つには限定されない。工具駆動部の数も、２つには限定されない。また、回転テーブル５１は無くてもよい。回転テーブル５１の代わりに、スライドテーブルが設けられてもよい。

加工ブロック５は、加工ブロック５の内部で基板Ｗを搬送する第１搬送部５４を備える。第１搬送部５４は、基板Ｗを保持する吸着パッドを含む。吸着パッドは、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向の両方向）および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする回転が可能である。

加工ブロック５は、基板Ｗを一時的に待機させる待機部５７Ａ、５７Ｂ、５７Ｃ（図２参照）を含む。待機部５７Ａ、５７Ｂ、５７Ｃは、第１搬送部５４と第２搬送部３６との間で基板Ｗを中継する。待機部５７Ａ、５７Ｂは、第２搬送部３６から第１搬送部５４に基板Ｗを中継する。待機部５７Ｃは、第１搬送部５４から第２搬送部３６に基板Ｗを中継する。

待機部５７Ａ、５７Ｂは、基板Ｗの中心位置を調節するアライメント部を兼ねている。アライメント部は、ガイドなどで基板Ｗの中心位置を所望の位置に合わせる。これにより、第１搬送部５４が各保持部５２Ａ～５２Ｄに基板Ｗを渡す際に、各保持部５２Ａ～５２Ｄの回転中心線Ｒ２と基板Ｗの中心とを一致させることができる。

なお、アライメント部は、光学系などで基板Ｗの中心位置を検出してもよい。また、アライメント部は、光学系などで基板Ｗの結晶方位をも検出してもよく、具体的には基板Ｗの結晶方位を表すノッチをも検出してもよい。各保持部５２Ａ～５２Ｄと共に回転する回転座標系において、基板Ｗの結晶方位を所望の方位に位置合わせできる。

加工ブロック５は、基板Ｗを反転する反転部５８（図２参照）を含んでもよい。反転部５８と、待機部５７Ｃと、待機部５７Ｂと、待機部５７Ａとは、この順番で上から下に積層されている。なお、積層の順番は、特に限定されない。

反転部５８は、加工部５０から洗浄部３１Ａに至る基板Ｗの搬送経路の途中で、基板Ｗを一時的に待機させる待機部を兼ねる。反転部５８は、第１搬送部５４から第２搬送部３６に基板Ｗを中継する。なお、反転部５８は待機部を兼ねるが、反転部５８と待機部が別々に設けられてもよい。

加工装置１は、制御部９を更に備える。制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）９１と、メモリ等の記憶媒体９２とを備える。記憶媒体９２には、加工装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は、記憶媒体９２に記憶されたプログラムをＣＰＵ９１に実行させることにより、加工装置１の動作を制御する。

次に、図３を参照して、一実施形態に係る加工方法について説明する。加工方法は、例えば、図３に示すステップＳ１０１～Ｓ１１０を含む。ステップＳ１０１～Ｓ１１０は、制御部９による制御下で実施される。なお、加工方法は、図３に示す全てのステップを含まなくてもよいし、図３に不図示のステップを含んでもよい。

先ず、第３搬送部３７が、カセットＣから基板Ｗを取り出し、トランジション部３５に搬送する。続いて、第２搬送部３６が、トランジション部３５から基板Ｗを取り出し、待機部５７Ａに搬送する。基板Ｗは、互いに反対向きの第１主面と第２主面を有しており、第１主面を上に向けて搬送される。

次に、待機部５７Ａが、基板Ｗの中心位置を調節する（ステップＳ１０１）。その後、第１搬送部５４が、待機部５７Ａから基板Ｗを取り出し、第１搬入出位置Ａ３に位置する保持部（例えば保持部５２Ｃ）に搬送する。基板Ｗは、第１主面を上に向けて、保持部５２Ｃの上に載せられる。その際、基板Ｗの中心と、保持部５２Ｃの回転中心線Ｒ２とが合わせられる。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第１搬入出位置Ａ３から第１加工位置Ａ１に移動させられる。

次に、工具駆動部５３Ａが、工具Ｄを駆動し、基板Ｗの第１主面を研削する（ステップＳ１０２）。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第１加工位置Ａ１から第１搬入出位置Ａ３に移動させられる。続いて、第１搬送部５４が、第１搬入出位置Ａ３に位置する保持部５２Ｃから基板Ｗを取り出し、反転部５８に搬送する。

次に、反転部５８が、基板Ｗを反転させる（ステップＳ１０３）。基板Ｗが上下反転され、第１主面が下向きに、第２主面が上向きになる。その後、第２搬送部３６が、反転部５８から基板Ｗを取り出し、洗浄部３１Ａに搬送する。

次に、洗浄部３１Ａが、基板Ｗの第１主面を洗浄する（ステップＳ１０４）。洗浄部３１Ａによって加工屑等のパーティクルを除去できる。洗浄部３１Ａは、例えば基板Ｗをスクラブ洗浄する。洗浄部３１Ａは、基板Ｗの第１主面だけではなく第２主面をも洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第２搬送部３６が洗浄部３１Ａから基板Ｗを取り出し、待機部５７Ｂに搬送する。

次に、待機部５７Ｂが、基板Ｗの中心位置を調節する（ステップＳ１０５）。その後、第１搬送部５４が、待機部５７Ｂから基板Ｗを取り出し、第２搬入出位置Ａ０に位置する保持部（例えば保持部５２Ｄ）に搬送する。基板Ｗは、第２主面を上に向けて、保持部５２Ｄの上に載せられる。その際、基板Ｗの中心と、保持部５２Ｄの回転中心線Ｒ２とが合わせられる。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｃが第２搬入出位置Ａ０から第２加工位置Ａ２に移動させられる。

次に、工具駆動部５３Ｂが、工具Ｄを駆動し、基板Ｗの第２主面を研削する（ステップＳ１０６）。その後、回転テーブル５１が１８０°回転させられ、保持部５２Ｄが第２加工位置Ａ２から第２搬入出位置Ａ０に移動させられる。続いて、第１搬送部５４が、第２搬入出位置Ａ０に位置する保持部５２Ｄから基板Ｗを取り出し、待機部５７Ｃに搬送する。その後、第２搬送部３６が、待機部５７Ｃから基板Ｗを取り出し、洗浄部３１Ｂに搬送する。

次に、洗浄部３１Ｂが、基板Ｗの第２主面を洗浄する（ステップＳ１０７）。洗浄部３１Ｂによって加工屑等のパーティクルを除去できる。洗浄部３１Ｂは、例えば基板Ｗをスクラブ洗浄する。洗浄部３１Ｂは、基板Ｗの第２主面だけではなく第１主面をも洗浄してもよい。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が洗浄部３１Ｂから基板Ｗを取り出し、エッチング部３２Ｂに搬送する。

次に、エッチング部３２Ｂが、基板Ｗの第２主面をエッチングする（ステップＳ１０８）。エッチング部３２Ｂによって第２主面の加工痕を除去できる。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が、エッチング部３２Ｂから基板Ｗを取り出し、反転部３４に搬送する。

次に、反転部３４が、基板Ｗを反転させる（ステップＳ１０９）。基板Ｗが上下反転され、第１主面が上向きに、第２主面が下向きになる。その後、第３搬送部３７が、反転部３４から基板Ｗを取り出し、エッチング部３２Ａに搬送する。

次に、エッチング部３２Ａが、基板Ｗの第１主面をエッチングする（ステップＳ１１０）。エッチング部３２Ａによって第１主面の加工痕を除去できる。基板Ｗの乾燥後、第３搬送部３７が、エッチング部３２Ａから基板Ｗを取り出し、カセットＣに収納する。その後、今回の処理が終了する。

図３の説明では、１枚の基板Ｗに着目して加工方法を説明した。加工装置１は、スループットを向上すべく、複数の位置で、複数の処理を同時に実施してもよい。例えば、加工装置１は、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２の各々で、基板Ｗを同時に加工する。その間、加工装置１は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０の各々で、例えば基板Ｗのスプレー洗浄、基板Ｗの板厚分布の測定、基板Ｗの搬出、保持部の基板吸着面（上面）の洗浄、及び基板Ｗの搬入などをこの順番で実施する。

その後、加工装置１は、回転テーブル５１を１８０°回転させる。続いて、加工装置１は、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２の各々で再び基板Ｗを同時に加工する。その間、加工装置１は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０の各々で、再び、基板Ｗのスプレー洗浄、基板Ｗの板厚分布の測定、基板Ｗの搬出、保持部の基板吸着面（上面）の洗浄、及び基板Ｗの搬入などをこの順番で実施する。

なお、本実施形態の加工部５０は基板Ｗを研削する研削部であるが、本開示の技術はこれには限定されない。加工部５０は、保護部材に保護された基板Ｗを切断する切断部、基板Ｗを切削する切削部などであってもよい。加工部５０が研削部である場合、工具Ｄとして砥石などが用いられる。加工部５０が切断部である場合、工具Ｄとしてブレードなどが用いられる。加工部５０が切削部である場合、工具Ｄとしてエンドミルなどが用いられる。

次に、図４及び図５を参照して、洗浄部３１Ｂの一例について説明する。なお、洗浄部３１Ａは、洗浄部３１Ｂと同様に構成されるので、説明を省略する。洗浄部３１Ｂは、例えば、基板Ｗを保持する基板保持部３１１と、基板保持部３１１を回転させる回転機構３１２と、基板Ｗの周縁を囲むリングカバー３１４と、基板Ｗに接触する摩擦部３１５と、摩擦部３１５を移動させる移動部３１６と、基板Ｗの下面に洗浄液を供給する下ノズル３１７と、基板Ｗの上面に洗浄液を供給する上ノズル３１８と、を備える。

基板保持部３１１は、例えば基板Ｗを下方から水平に保持する。基板保持部３１１は、基板Ｗの第１領域を吸着する。第１領域は、例えば基板Ｗの下面の中央である。回転機構３１２は、基板保持部３１１を回転させることで基板Ｗを回転させる。

リングカバー３１４は、回転する基板Ｗから振り切られる洗浄液の飛散を抑制する。リングカバー３１４の内部には、基板保持部３１１をＹ軸方向に挟んで一対（図４及び図５には１つのみ図示）の吸着パッド３１３が設けられる。一対の吸着パッド３１３とリングカバー３１４は、一体化されており、例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に同時に移動可能であって、Ｙ軸方向に移動不能である。

摩擦部３１５は、例えば基板Ｗの下面に接触し、基板Ｗの下面を擦る。摩擦部３１５は、ブラシ、又はスポンジである。摩擦部３１５は、モータ３１９によって回転させられながら、移動部３１６によってＹ軸方向に移動させられる。

図４に示すように基板保持部３１１が基板Ｗの下面の第１領域を吸着しているときには、回転機構３１２によって基板Ｗを回転させると共に、移動部３１６によって摩擦部３１５をＹ軸方向に移動させる。これにより、基板Ｗの下面の第１領域よりも外側の領域をスクラブ洗浄する。

図５に示すように一対の吸着パッド３１３が基板Ｗの下面を吸着しているときには、不図示の駆動部によって一対の吸着パッド３１３とリングカバー３１４をＸ軸方向に移動させると共に、移動部３１６によって摩擦部３１５をＹ軸方向に移動させる。これにより、基板Ｗの下面の第１領域をスクラブ洗浄する。

図４及び図５に示すように、基板保持部３１１と一対の吸着パッド３１３とが順番に基板Ｗを保持することで、摩擦部３１５が基板Ｗの下面全体をスクラブ洗浄できる。なお、摩擦部３１５は、本実施形態では基板Ｗの下方に配置されるが、基板Ｗの上方に配置されてもよく、基板Ｗの上面をスクラブ洗浄してもよい。摩擦部３１５は、基板Ｗの上下両側に配置されてもよい。

次に、図６を参照して、加工部５０のノズル６１とブロー機構６２の一例について説明する。加工部５０は、ノズル６１と、ブロー機構６２と、を有する。ノズル６１は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０にて、基板Ｗの搬出前に、加工済みの基板Ｗの上面に洗浄液を供給し、基板Ｗの上面に付着した加工屑（例えば研削屑）を除去する。洗浄液は、例えば水である。

ブロー機構６２は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０にて、基板Ｗの搬出時に、各保持部５２Ａ～５２Ｄの基板Ｗを吸着する吸着面から流体を噴出する。流体の噴出圧によって、基板Ｗを吸着面から剥離できる。流体の噴出は、保持部５２Ａ～５２Ｄごとに独立に制御する。

各保持部５２Ａ～５２Ｄは、例えば、基板Ｗを真空吸着する多孔質体５２１と、多孔質体５２１を保持する保持台５２２と、保持台５２２の下縁に設けられるフランジ５２３とを含む。フランジ５２３は、回転台６３に対してボルト６４などで固定されている。回転台６３は、回転中心線Ｒ２を中心に回転させられる。

ブロー機構６２は、多孔質体５２１に流体を供給することで、多孔質体５２１の基板Ｗを吸着する吸着面から流体を噴出する。流体としては、水などの液体が用いられる。なお、流体として空気などの気体が併用されてもよい。

なお、基板Ｗに対する液体の供給は、第１搬入出位置Ａ３及び第２搬入出位置Ａ０だけではなく、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２でも行われる。例えば、ノズル６５（図２参照）は、第１加工位置Ａ１及び第２加工位置Ａ２で、基板Ｗの加工時に、基板Ｗの上面に水などの液体を供給する。

基板Ｗは、加工部５０で供給された液体で濡れた状態で、加工部５０から洗浄部３１Ａ、３１Ｂに搬送される。基板Ｗを液体で濡れた状態で搬送するのは、洗浄前に基板Ｗが乾燥してしまうと、加工屑が基板Ｗに強固に固着してしまい、加工屑を洗浄で除去するのが困難になるからである。

基板Ｗは、加工部５０で供給された液体で濡れた状態で、洗浄部３１Ａ、３１Ｂに搬入されるので、洗浄部３１Ａ、３１Ｂに加工屑で汚れた液体を持ち込む。加工屑で汚れた液体が洗浄部３１Ａ、３１Ｂの基板保持部３１１に付着して基板保持部３１１を汚してしまう。その後、基板保持部３１１で保持する基板Ｗに悪影響を与える。

そこで、図７に示すように、待機部５７Ｃは、基板Ｗの第１領域から液体を除去する液体除去部７０を有する。待機部５７Ｃは、上記の通り、加工部５０で供給された液体で濡れた状態の基板Ｗを、加工部５０から洗浄部３１Ｂに至る基板Ｗの搬送経路の途中で一時的に待機させるものである。

待機部５７Ｃは、例えば、基板Ｗの外周を支持する複数本の支持ピン５７１と、支持ピン５７１が立てられる水平板５７２と、を有する。複数本の支持ピン５７１は、基板Ｗを水平に支持する。基板Ｗと水平板５７２の間には隙間が形成されており、その隙間に液体除去部７０の少なくとも一部が配置されている。

液体除去部７０は、基板Ｗの第１領域を乾燥する。基板Ｗの第１領域は、洗浄部３１Ｂの基板保持部３１１が接触する領域である。基板Ｗの第１領域を乾燥することで、加工屑で汚れた液体が洗浄部３１Ｂの基板保持部３１１に付着することを抑制でき、基板保持部３１１が汚れることを抑制できる。よって、洗浄部３１Ｂを清浄に保つことができる。

基板Ｗの第１領域は、例えば、基板Ｗの下面中央である。基板Ｗの下面中央は、基板Ｗの上面だけではなく、基板Ｗの下面外周と比べても、加工屑がほとんど溜まらない領域であるので、洗浄前に乾燥しても問題ない。なお、基板Ｗの上面は加工されるので加工屑が溜まりやすく、基板Ｗの下面外周は基板Ｗの上面から回り込んだ加工屑が溜まりうる。

液体除去部７０は、基板Ｗの一部のみから液体を除去すればよく、基板Ｗの全体から液体を除去しなくてもよい。例えば、液体除去部７０は、基板Ｗの下面中央から液体を除去すればよく、基板Ｗの下面外周から液体を除去しなくてもよい。これにより、洗浄前に加工屑が基板Ｗに強固に固着するのを抑制でき、加工屑を洗浄で容易に除去できる。

液体除去部７０は、例えば、基板Ｗの第１領域に向けてガスを吐出するガス吐出部７１を有する。ガスの吐出方向、及びガスの吐出流量などを調整することで、ガスの基板Ｗに当たる領域を調整でき、基板Ｗの液体を除去する領域を調整できる。ガス吐出部７１は、ガスを吐出するノズル７１１を含む。

ノズル７１１は、例えば鉛直に立てられており、真上に向けてガスを吐出する。吐出するガスは、例えば空気である。吐出するガスは、乾燥したガスであればよく、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよい。ノズル７１１の数は、本実施形態では１つであるが、複数であってもよい。

ノズル７１１の吐出したガスは、基板Ｗの下面中央に当たった後、基板Ｗの下面に沿って放射状に流れ、徐々に減速していき、徐々に大気圧になる。その結果、ノズル７１１と基板Ｗとの隙間でベルヌーイ効果が働き、基板Ｗの下面中央に負圧が生じ、負圧によって基板Ｗが吸引される。従って、基板Ｗは安定して支持される。

ガス吐出部７１は、ガスを吐出する前に、水などの洗浄液を吐出してもよい。洗浄液とガスは、同じノズル７１１によって吐出する。基板Ｗの第１領域を、ガスで乾燥する前に、洗浄液で洗浄できる。よって、加工屑が洗浄部３１Ｂの基板保持部３１１に付着することをより抑制できる。

液体除去部７０は、ノズル７１１にガスと洗浄液を供給する供給ライン７３を有する。供給ライン７３は、共通ライン７３１と複数の分岐ライン７３２、７３３とを有する。共通ライン７３１は、ノズル７１１と複数の分岐ライン７３２、７３３を接続する。なお、供給ライン７３は、ノズル７１１にガスのみを供給してもよい。

分岐ライン７３２は、共通ライン７３１とガス供給源７４を接続する。分岐ライン７３２の途中には、開閉バルブ７５が設けられる。開閉バルブ７５が分岐ライン７３２の流路を開放することで、ノズル７１１がガスを吐出する。開閉バルブ７５が分岐ライン７３２の流路を閉塞することで、ノズル７１１がガスの吐出を停止する。

分岐ライン７３３は、共通ライン７３１と洗浄液供給源７６を接続する。分岐ライン７３３の途中には、開閉バルブ７７が設けられる。開閉バルブ７７が分岐ライン７３３の流路を開放することで、ノズル７１１が洗浄液を吐出する。開閉バルブ７７が分岐ライン７３３の流路を閉塞することで、ノズル７１１が洗浄液の吐出を停止する。

液体除去部７０は、コアンダ効果によってガス吐出部７１の周囲のガスをガス吐出部７１の吐出するガスの流れに引き込むことで、基板Ｗに当たる風量を増幅する風量増幅部７２を有してもよい。風量増幅部７２を用いることで、少ないガスの吐出流量で、基板Ｗの広い領域を乾燥できる。また、ガスの吐出による基板Ｗの浮上を抑制できる。

風量増幅部７２は、例えば、ガス吐出部７１の周囲全体を取り囲む環状部７２１を有する。環状部７２１によってガス吐出部７１の周囲全体からガスを取り込むことができる。環状部７２１は、好ましくは円環形状を有している。ガス吐出部７１を中心に周囲全体から均等にガスを取り込むことができる。なお、環状部７２１は、角環形状を有してもよい。

ガス吐出部７１は、風量増幅部７２よりも基板Ｗに向けて突出していてもよく、例えば風量増幅部７２よりも上方に突出していてもよい。具体的には、ガス吐出部７１のノズル７１１は、風量増幅部７２の環状部７２１よりも基板Ｗに向けて突出していてもよく、例えば環状部７２１よりも上方に突出していてもよい。

ノズル７１１が環状部７２１よりも基板Ｗに向けて突出していることで、ノズル７１１の吐出したガスが環状部７２１と基板Ｗの間を通り抜けやすい。それゆえ、基板Ｗの下面に沿って放射状に広がるガスの流速を増加できる。少ないガスの吐出流量で、基板Ｗの広い領域を乾燥できる。また、ガスの吐出による基板Ｗの浮上を抑制できる。

風量増幅部７２は、環状部７２１と水平板５７２との間に、周囲のガスを取り込む取込口７２２を有する。取込口７２２の面積は、例えば、環状部７２１と水平板５７２の隙間の高さと、環状部７２１の外周長との積に等しい。

風量増幅部７２は、環状部７２１の基板Ｗに対向する面に、基板Ｗに向けてガスを吹き出す吹出口７２３を有する。吹出口７２３の面積は、例えば、環状部７２１の基板Ｗに対向する面に形成された開口の面積である。

取込口７２２の面積は、吹出口７２３の面積よりも大きくてもよい。これにより、風量増幅部７２の周囲から大量のガスを取り込むことができ、基板Ｗに当たる風量をより増幅できる。

環状部７２１は、吹出口７２３に、基板Ｗに向けて（例えば上方に向けて）拡開するテーパー面７２４を有してもよい。テーパー面７２４に沿ってガスの流れを円滑に曲げることができ、渦の発生を抑制でき、ガスの停滞を抑制できる。

環状部７２１は、基板Ｗに対向する面とは反対向きの面（例えば下面）に、開口７２５を有する。環状部７２１は、開口７２５に、基板Ｗとは反対側に向けて（例えば下方に向けて）拡開するテーパー面（不図示）を有してもよい。

なお、液体除去部７０は、本実施形態では加工部５０から洗浄部３１Ｂに至る基板Ｗの搬送経路の途中で一時的に基板Ｗを待機させる待機部５７Ｃに備えられるが、加工部５０から洗浄部３１Ａに至る基板Ｗの搬送経路の途中で一時的に基板Ｗを待機させる待機部（例えば反転部５８）に備えられてもよい。なお、上記の通り、反転部５８と待機部は別々に設けられてもよい。

以上、本開示に係る加工装置、及び加工方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１ 加工装置
３１Ｂ 洗浄部
３１１ 基板保持部
５０ 加工部
５７Ｃ 待機部
７０ 液体除去部
Ｗ 基板

Claims (18)

1. 基板を加工する加工部と、
   前記基板を洗浄する洗浄部と、
   前記加工部で加工後の、前記加工部で供給された液体で濡れた状態の前記基板を、前記加工部から前記洗浄部に至る前記基板の搬送経路の途中で一時的に待機させる待機部と、
   を備え、
   前記洗浄部は、前記基板を保持する基板保持部を有し、
   前記待機部は、前記基板の前記基板保持部に接触する領域から前記液体を除去する液体除去部を有する、加工装置。
2. 前記加工部から前記待機部に前記基板を搬送する第１搬送部と、前記待機部から前記洗浄部に前記基板を搬送する第２搬送部と、を備え、
   前記待機部は、前記第１搬送部と前記第２搬送部との間で前記基板を中継する、請求項１に記載の加工装置。
3. 前記液体除去部は、前記基板の前記基板保持部に接触する領域に向けてガスを吐出するガス吐出部を有する、請求項１又は２に記載の加工装置。
4. 前記ガス吐出部は、前記ガスの吐出前に洗浄液を吐出することで、前記基板の前記領域に前記洗浄液を供給する、請求項３に記載の加工装置。
5. 前記液体除去部は、コアンダ効果によって前記ガス吐出部の周囲のガスを前記ガス吐出部の吐出するガスの流れに引き込むことで、前記基板に当たる風量を増幅する風量増幅部を有する、請求項３又は４に記載の加工装置。
6. 前記風量増幅部は、前記ガス吐出部の周囲全体を取り囲む環状部を有する、請求項５に記載に加工装置。
7. 前記ガス吐出部は、前記風量増幅部よりも前記基板に向けて突出している、請求項５又は６に記載の加工装置。
8. 前記風量増幅部のガスを取り込む取込口は、前記風量増幅部のガスを吹き出す吹出口よりも大きな面積を有する、請求項５～７のいずれか１項に記載の加工装置。
9. 前記液体除去部は、前記基板の一部のみから前記液体を除去する、請求項１～８のいずれか１項に記載の加工装置。
10. 基板を加工部によって加工することと、前記基板を洗浄部によって洗浄することと、前記加工部で加工後の、前記加工部で供給された液体で濡れた状態の前記基板を、前記加工部から前記洗浄部に至る前記基板の搬送経路の途中の待機部で一時的に待機させることと、を有し、
    前記洗浄部が前記基板を基板保持部で保持することと、前記待機部が前記基板の前記基板保持部に接触する領域から前記液体を除去することと、を有する、加工方法。
11. 前記加工部から前記待機部に前記基板を第１搬送部で搬送することと、前記待機部から前記洗浄部に前記基板を第２搬送部で搬送することと、前記待機部が前記第１搬送部と前記第２搬送部との間で前記基板を中継することと、を有する、請求項１０に記載の加工方法。
12. 前記待機部では、ガス吐出部が前記基板の前記基板保持部に接触する領域に向けてガスを吐出する、請求項１０又は１１に記載の加工方法。
13. 前記待機部では、前記ガス吐出部が前記ガスの吐出前に洗浄液を吐出することで、前記基板の前記領域に前記洗浄液を供給する、請求項１２に記載の加工方法。
14. 前記待機部では、前記ガス吐出部の周囲に設けられる風量増幅部が、コアンダ効果によって前記ガス吐出部の周囲のガスを前記ガス吐出部の吐出するガスの流れに引き込むことで、前記基板に当たる風量を増幅する、請求項１２又は１３に記載の加工方法。
15. 前記風量増幅部は、前記ガス吐出部の周囲全体を取り囲む環状部を有する、請求項１４に記載に加工方法。
16. 前記ガス吐出部は、前記風量増幅部よりも前記基板に向けて突出している、請求項１４又は１５に記載の加工方法。
17. 前記風量増幅部のガスを取り込む取込口は、前記風量増幅部のガスを吹き出す吹出口よりも大きな面積を有する、請求項１４～１６のいずれか１項に記載の加工方法。
18. 前記待機部では、前記基板の一部のみから前記液体を除去する、請求項１０～１７のいずれか１項に記載の加工方法。

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