CN116135458A - 加工装置和加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及加工装置和加工方法。提供一种将清洗部维持为洁净的技术。加工装置具备：加工部，其对基板进行加工；清洗部，其对所述基板进行清洗；以及待机部，其使由所述加工部加工后的在所述加工部被供给来的液体润湿的状态的所述基板在自所述加工部至所述清洗部的所述基板的输送路径的中途暂时待机。所述清洗部具有保持所述基板的基板保持部。所述待机部具有液体去除部，该液体去除部自所述基板的与所述基板保持部接触的区域去除所述液体。

Description

加工装置和加工方法

技术领域

本发明涉及加工装置和加工方法。

背景技术

专利文献1所述的基板磨削系统具备：磨削装置，其对基板进行磨削；第1清洗装置，其对利用磨削装置磨削后的基板进行清洗；以及第2输送装置，其自磨削装置向第1清洗装置输送基板。磨削装置对基板的上表面进行磨削。第1清洗装置对基板W的被磨削的上表面进行擦洗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本注册实用新型第3227448号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的一技术方案提供一种将清洗部维持为洁净的技术。

用于解决问题的方案

本发明的一技术方案的加工装置具备：加工部，其对基板进行加工；清洗部，其对所述基板进行清洗；以及待机部，其使由所述加工部加工后的在所述加工部被供给来的液体润湿的状态的所述基板在自所述加工部至所述清洗部的所述基板的输送路径的中途暂时待机。所述清洗部具有保持所述基板的基板保持部。所述待机部具有液体去除部，该液体去除部自所述基板的与所述基板保持部接触的区域去除所述液体。

发明的效果

根据本公开的一技术方案，能够将清洗部维持为洁净。

附图说明

图1是表示一实施方式的加工装置的俯视图。

图2是沿着图1的II－II线的剖视图。

图3是表示一实施方式的加工方法的流程图。

图4是表示清洗部的一个例子的剖视图，且是表示利用基板保持部保持着基板的状态的一个例子的剖视图。

图5是表示清洗部的一个例子的剖视图，且是表示利用一对吸盘保持着基板的状态的一个例子的剖视图。

图6是表示加工部的喷嘴和吹送机构的一个例子的剖视图。

图7是表示待机部的一个例子的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。此外，在各附图中，对相同或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是互相垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。

首先，参照图1和图2对一实施方式的加工装置1进行说明。加工装置1对基板W进行加工，并对加工后的基板W进行清洗。加工装置1例如具备送入送出模块2、清洗模块3和加工模块5。送入送出模块2、清洗模块3和加工模块5按照该顺序自X轴负方向侧向X轴正方向侧排列。

送入送出模块2包括供盒C载置的载置部21。盒C收纳多张基板W。基板W包括硅晶圆或化合物半导体晶圆等半导体基板。基板W也可以还包括形成于半导体基板的表面的器件层。器件层例如包括电子电路。基板W也可以包括玻璃基板来代替半导体基板。

清洗模块3例如包括对加工后的基板W进行清洗的清洗部31A、31B、对清洗后的基板W进行蚀刻的蚀刻部32A、32B、使基板W翻转的翻转部34和中转基板W的传送部35。另外，清洗模块3包括第2输送部36和第3输送部37。

在从上方观察时，第2输送部36和第3输送部37设于矩形形状的清洗模块3的对角线上。第2输送部36与加工模块5相邻，与送入送出模块2不相邻。相对于此，第3输送部37与送入送出模块2相邻，与加工模块5不相邻。

第2输送部36在与第2输送部36相邻的多个装置之间输送基板W。第2输送部36具有保持基板W的输送臂。输送臂能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)上和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的旋转。

第3输送部37在与第3输送部37相邻的多个装置之间输送基板W。第3输送部37具有保持基板W的输送臂。输送臂能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)上和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的旋转。

加工模块5具备对基板W进行加工的加工部50。加工部50例如对基板W进行磨削。磨削包括研磨。加工部50例如包括保持基板W的四个保持部52A、52B、52C、52D和两个对压靠于基板W的工具D进行驱动的工具驱动部53A、53B。工具驱动部53A、53B使工具D旋转或升降。

加工部50也可以还包括以旋转中心线R1为中心旋转的旋转台51。四个保持部52A～52D与旋转台51一起旋转。四个保持部52A～52D绕旋转台51的旋转中心线R1空开间隔地设置，并以旋转中心线R1为中心同时旋转。四个保持部52A～52D以各自的旋转中心线R2为中心独立旋转。

两个保持部52A、52C以旋转台51的旋转中心线R1为中心对称地配置。各保持部52A、52C在由第1输送部54送入送出基板W的第1送入送出位置A3与由一工具驱动部53A对基板W进行加工的第1加工位置A1之间移动。每当旋转台51旋转180°时，两个保持部52A、52C在第1送入送出位置A3与第1加工位置A1之间移动。

另外两个保持部52B、52D以旋转台51的旋转中心线R1为中心对称地配置。各保持部52B、52D在由第1输送部54送入送出基板W的第2送入送出位置A0与由另一工具驱动部53B对基板W进行加工的第2加工位置A2之间移动。每当旋转台51旋转180°时，另外两个保持部52B、52D在第2送入送出位置A0与第2加工位置A2之间移动。

在从上方观察时，第1送入送出位置A3、第2送入送出位置A0、第1加工位置A1和第2加工位置A2按照该顺序沿逆时针方向配置。在该情况下，在从上方观察时，保持部52A、保持部52B、保持部52C和保持部52D按照该顺序沿逆时针方向以90°的节距配置。

此外，也可以是，第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0的位置相反，并且第1加工位置A1和第2加工位置A2的位置也相反。即，在从上方观察时，也可以是，第1送入送出位置A3、第2送入送出位置A0、第1加工位置A1和第2加工位置A2按照该顺序沿顺时针方向配置。在该情况下，在从上方观察时，保持部52A、保持部52B、保持部52C和保持部52D按照该顺序沿顺时针方向以90°的节距配置。

但是，保持部的数量并不限定于四个。工具驱动部的数量也不限定于两个。另外，也可以没有旋转台51。也可以设置滑动台来代替旋转台51。

加工模块5具备在加工模块5的内部输送基板W的第1输送部54。第1输送部54包括保持基板W的吸盘。吸盘能够进行水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)上和铅垂方向上的移动以及以铅垂轴线为中心的旋转。

加工模块5包括使基板W暂时待机的待机部57A、57B、57C(参照图2)。待机部57A、57B、57C在第1输送部54与第2输送部36之间中转基板W。待机部57A、57B将基板W自第2输送部36向第1输送部54中转。待机部57C将基板W自第1输送部54向第2输送部36中转。

待机部57A、57B兼作调节基板W的中心位置的对准部。对准部利用引导件等使基板W的中心位置与期望的位置对齐。由此，在第1输送部54向各保持部52A～52D交付基板W时，能够使各保持部52A～52D的旋转中心线R2与基板W的中心对齐。

此外，对准部也可以利用光学系统等检测基板W的中心位置。另外，对准部也可以还利用光学系统等检测基板W的晶体取向，具体而言，也可以还检测表示基板W的晶体取向的凹口。在与各保持部52A～52D一起旋转的旋转坐标系中，能够使基板W的晶体取向与期望的方位对准位置。

加工模块5也可以包括使基板W翻转的翻转部58(参照图2)。翻转部58、待机部57C、待机部57B和待机部57A按照该顺序从上向下层叠。此外，层叠的顺序没有特别限定。

翻转部58兼作在自加工部50至清洗部31A的基板W的输送路径的中途使基板W暂时待机的待机部。翻转部58将基板W自第1输送部54向第2输送部36中转。此外，翻转部58兼作待机部，但翻转部58和待机部也可以单独设置。

加工装置1还具备控制部9。控制部9例如是计算机，具备CPU(Central ProcessingUnit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有控制加工装置1中执行的各种处理的程序。控制部9通过使CPU91执行存储于存储介质92的程序而对加工装置1的动作进行控制。

接着，参照图3对一实施方式的加工方法进行说明。加工方法例如包括图3所示的步骤S101～S110。步骤S101～S110在控制部9的控制下实施。此外，加工方法也可以不包括图3所示的所有步骤，也可以包括图3中未图示的步骤。

首先，第3输送部37自盒C将基板W取出，并向传送部35输送。接着，第2输送部36自传送部35将基板W取出，并向待机部57A输送。基板W具有彼此相反朝向的第1主表面和第2主表面，以第1主表面朝上的方式输送。

接着，待机部57A调节基板W的中心位置(步骤S101)。然后，第1输送部54自待机部57A将基板W取出，并向位于第1送入送出位置A3的保持部(例如保持部52C)输送。基板W以第1主表面朝上的方式载置于保持部52C之上。此时，基板W的中心与保持部52C的旋转中心线R2对齐。然后，使旋转台51旋转180°，而使保持部52C自第1送入送出位置A3向第1加工位置A1移动。

接着，工具驱动部53A驱动工具D，对基板W的第1主表面进行磨削(步骤S102)。然后，使旋转台51旋转180°，而使保持部52C自第1加工位置A1向第1送入送出位置A3移动。接着，第1输送部54自位于第1送入送出位置A3的保持部52C将基板W取出，并向翻转部58输送。

接着，翻转部58使基板W翻转(步骤S103)。基板W上下翻转，第1主表面朝下，第2主表面朝上。然后，第2输送部36自翻转部58将基板W取出，并向清洗部31A输送。

接着，清洗部31A对基板W的第1主表面进行清洗(步骤S104)。能够利用清洗部31A去除加工屑等微粒。清洗部31A例如对基板W进行擦洗。清洗部31A也可以不仅清洗基板W的第1主表面，还清洗第2主表面。在使基板W干燥后，第2输送部36自清洗部31A将基板W取出，并向待机部57B输送。

接着，待机部57B调节基板W的中心位置(步骤S105)。然后，第1输送部54自待机部57B将基板W取出，并向位于第2送入送出位置A0的保持部(例如保持部52D)输送。基板W以第2主表面朝上的方式载置于保持部52D之上。此时，基板W的中心与保持部52D的旋转中心线R2对齐。然后，使旋转台51旋转180°，而使保持部52C自第2送入送出位置A0向第2加工位置A2移动。

接着，工具驱动部53B驱动工具D，对基板W的第2主表面进行磨削(步骤S106)。然后，使旋转台51旋转180°，而使保持部52D自第2加工位置A2向第2送入送出位置A0移动。接着，第1输送部54自位于第2送入送出位置A0的保持部52D将基板W取出，并向待机部57C输送。然后，第2输送部36自待机部57C将基板W取出，并向清洗部31B输送。

接着，清洗部31B对基板W的第2主表面进行清洗(步骤S107)。能够利用清洗部31B去除加工屑等微粒。清洗部31B例如对基板W进行擦洗。清洗部31B也可以不仅清洗基板W的第2主表面，还清洗第1主表面。在使基板W干燥后，第3输送部37自清洗部31B将基板W取出，并向蚀刻部32B输送。

接着，蚀刻部32B对基板W的第2主表面进行蚀刻(步骤S108)。能够利用蚀刻部32B去除第2主表面的加工痕迹。在使基板W干燥后，第3输送部37自蚀刻部32B将基板W取出，并向翻转部34输送。

接着，翻转部34使基板W翻转(步骤S109)。基板W上下翻转，第1主表面朝上，第2主表面朝下。然后，第3输送部37自翻转部34将基板W取出，并向蚀刻部32A输送。

接着，蚀刻部32A对基板W的第1主表面进行蚀刻(步骤S110)。能够利用蚀刻部32A去除第1主表面的加工痕迹。在使基板W干燥后，第3输送部37自蚀刻部32A将基板W取出，并向盒C收纳。然后，本次处理结束。

在图3的说明中，着眼于一张基板W对加工方法进行了说明。为了提高生产率，加工装置1也可以在多个位置同时实施多个处理。例如，加工装置1分别在第1加工位置A1和第2加工位置A2同时对基板W进行加工。在此期间，加工装置1分别在第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0依次实施例如基板W的喷洗、基板W的板厚分布的测量、基板W的送出、保持部的基板吸附面(上表面)的清洗以及基板W的送入等。

然后，加工装置1使旋转台51旋转180°。接着，加工装置1分别在第1加工位置A1和第2加工位置A2再次同时对基板W进行加工。在此期间，加工装置1分别在第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0再次依次实施基板W的喷洗、基板W的板厚分布的测量、基板W的送出、保持部的基板吸附面(上表面)的清洗以及基板W的送入等。

此外，本实施方式的加工部50是对基板W进行磨削的磨削部，但本发明的技术并不限定于此。加工部50也可以是对被保护构件保护的基板W进行切断的切断部、对基板W进行切削的切削部等。在加工部50是磨削部的情况下，使用磨石等作为工具D。在加工部50是切断部的情况下，使用刀片等作为工具D。在加工部50是切削部的情况下，使用端铣刀等作为工具D。

接着，参照图4和图5对清洗部31B的一个例子进行说明。此外，清洗部31A与清洗部31B同样地构成，因此省略说明。清洗部31B例如具备：基板保持部311，其保持基板W；旋转机构312，其使基板保持部311旋转；环形罩314，其包围基板W的周缘；摩擦部315，其与基板W接触；移动部316，其使摩擦部315移动；下喷嘴317，其向基板W的下表面供给清洗液；以及上喷嘴318，其向基板W的上表面供给清洗液。

基板保持部311例如自下方将基板W保持为水平。基板保持部311对基板W的第1区域进行吸附。第1区域例如是基板W的下表面的中央。旋转机构312通过使基板保持部311旋转而使基板W旋转。

环形罩314抑制自旋转的基板W甩出的清洗液的飞散。在环形罩314的内部在Y轴方向上隔着基板保持部311设有一对(在图4和图5中仅图示一个)吸盘313。一对吸盘313和环形罩314一体化，例如，能够在X轴方向和Z轴方向上同时移动，而不能在Y轴方向上移动。

摩擦部315例如与基板W的下表面接触，对基板W的下表面进行摩擦。摩擦部315是刷子或海绵。摩擦部315一边利用马达319旋转，一边利用移动部316在Y轴方向上移动。

如图4所示，在基板保持部311吸附着基板W的下表面的第1区域时，利用旋转机构312使基板W旋转，并且利用移动部316使摩擦部315在Y轴方向上移动。由此，对基板W的下表面的比第1区域靠外侧的区域进行擦洗。

如图5所示，在一对吸盘313吸附着基板W的下表面时，利用未图示的驱动部使一对吸盘313和环形盖314在X轴方向上移动，并且利用移动部316使摩擦部315在Y轴方向上移动。由此，对基板W的下表面的第1区域进行擦洗。

如图4和图5所示，通过基板保持部311和一对吸盘313依次保持基板W，从而摩擦部315能够对基板W的整个下表面进行擦洗。此外，摩擦部315在本实施方式中配置于基板W的下方，但也可以配置于基板W的上方，也可以对基板W的上表面进行擦洗。摩擦部315也可以配置于基板W的上下两侧。

接着，参照图6，对加工部50的喷嘴61和吹送机构62的一个例子进行说明。加工部50具有喷嘴61和吹送机构62。喷嘴61在第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0，在送出基板W之前，向加工完的基板W的上表面供给清洗液，去除附着于基板W的上表面的加工屑(例如磨削屑)。清洗液例如是水。

吹送机构62在第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0，在送出基板W时，自各保持部52A～52D的吸附基板W的吸附面喷出流体。利用流体的喷出压，能够将基板W自吸附面剥离。流体的喷出针对每个保持部52A～52D独立地控制。

各保持部52A～52D例如包括对基板W进行真空吸附的多孔质体521、保持多孔质体521的保持台522和设于保持台522的下缘的凸缘523。凸缘523利用螺栓64等固定于转动台63。转动台63以旋转中心线R2为中心旋转。

吹送机构62通过向多孔质体521供给流体，从而自多孔质体521的吸附基板W的吸附面喷出流体。作为流体，使用水等液体。此外，也可以一并使用空气等气体作为流体。

此外，相对于基板W的液体的供给不仅在第1送入送出位置A3和第2送入送出位置A0进行，还在第1加工位置A1和第2加工位置A2进行。例如，在第1加工位置A1和第2加工位置A2，在对基板W进行加工时，喷嘴65(参照图2)向基板W的上表面供给水等液体。

基板W在加工部50被供给来的液体润湿的状态下自加工部50向清洗部31A、31B输送。在利用液体润湿基板W的状态下进行输送的原因在于，若在清洗前基板W干燥，则加工屑牢固地固着于基板W，而难以利用清洗将加工屑去除。

基板W在加工部50被供给来的液体润湿的状态下向清洗部31A、31B送入，因此将被加工屑污染的液体带入清洗部31A、31B。被加工屑污染的液体附着于清洗部31A、31B的基板保持部311而污染基板保持部311。之后，对由基板保持部311保持的基板W造成不良影响。

因此，如图7所示，待机部57C具有自基板W的第1区域去除液体的液体去除部70。如上所述，待机部57C使在加工部50被供给来的液体润湿的状态的基板W在自加工部50至清洗部31B的基板W的输送路径的中途暂时待机。

待机部57C例如具有支承基板W的外周的多根支承销571和供支承销571竖立的水平板572。多根支承销571将基板W支承为水平。在基板W与水平板572之间形成有间隙，液体去除部70的至少局部配置于该间隙。

也可以在水平板572的上表面设置槽573，使利用液体去除部自基板W去除的液体积存于槽573。

另外，也可以在槽573连接将积存的液体向外部排出的排出管574。

液体去除部70对基板W的第1区域进行干燥。基板W的第1区域是清洗部31B的基板保持部311所接触的区域。通过对基板W的第1区域进行干燥，从而能够抑制被加工屑污染的液体附着于清洗部31B的基板保持部311，能够抑制基板保持部311被污染。因此，能够将清洗部31B维持为洁净。

基板W的第1区域例如是基板W的下表面中央。相比于基板W的上表面乃至基板W的下表面外周，基板W的下表面中央是几乎不积存加工屑的区域，因此即使在清洗前干燥也没有问题。此外，基板W的上表面由于进行加工因而容易积存加工屑，基板W的下表面外周可能积存自基板W的上表面绕过来的加工屑。

液体去除部70只要仅自基板W的局部去除液体即可，不用自基板W的整体去除液体。例如，液体去除部70只要自基板W的下表面中央去除液体即可，不用自基板W的下表面外周去除液体。由此，能够抑制在清洗前加工屑牢固地固着于基板W，能够利用清洗容易地将加工屑去除。

液体去除部70例如具有朝向基板W的第1区域喷出气体的气体喷出部71。通过调整气体的喷出方向和气体的喷出流量等，从而能够调整气体与基板W碰撞的区域，能够调整基板W的去除液体的区域。气体喷出部71包括喷出气体的喷嘴711。

喷嘴711例如铅垂地竖立，朝向正上方喷出气体。喷出的气体例如是空气。喷出的气体只要是干燥的气体即可，也可以是氮气等非活性气体。喷嘴711的数量在本实施方式中是一个，但也可以是多个。

喷嘴711所喷出的气体在与基板W的下表面中央碰撞后，沿着基板W的下表面呈放射状流动，并逐渐减速，而逐渐成为大气压。其结果，在喷嘴711与基板W之间的间隙作用有伯努利效应，在基板W的下表面中央产生负压，利用负压吸引基板W。因而，基板W被稳定地支承。

气体喷出部71也可以在喷出气体之前喷出水等清洗液。清洗液和气体利用相同的喷嘴711喷出。对于基板W的第1区域，能够在利用气体进行干燥之前利用清洗液进行清洗。因而，能够进一步抑制加工屑附着于清洗部31B的基板保持部311。

液体去除部70具有向喷嘴711供给气体和清洗液的供给管线73。供给管线73具有共用管线731和多个分支管线732、733。共用管线731连接喷嘴711和多个分支管线732、733。此外，供给管线73也可以向喷嘴711仅供给气体。

分支管线732连接共用管线731和气体供给源74。在分支管线732的中途设有开闭阀75。开闭阀75将分支管线732的流路开放，从而喷嘴711喷出气体。开闭阀75将分支管线732的流路封闭，从而喷嘴711停止气体的喷出。

分支管线733连接共用管线731和清洗液供给源76。在分支管线733的中途设有开闭阀77。开闭阀77将分支管线733的流路开放，从而喷嘴711喷出清洗液。开闭阀77将分支管线733的流路封闭，从而喷嘴711停止清洗液的喷出。

液体去除部70也可以具有风量放大部72，该风量放大部72利用附壁效应将气体喷出部71的周围的气体引入气体喷出部71所喷出的气流，从而放大与基板W碰撞的风量。通过使用风量放大部72，从而能够以较少的气体的喷出流量对基板W的较大的区域进行干燥。另外，能够抑制因气体的喷出而引起的基板W的浮起。

风量放大部72例如具有包围气体喷出部71的整个周围的环状部721。能够利用环状部721自气体喷出部71的整个周围吸入气体。环状部721优选具有圆环形状。能够以气体喷出部71为中心自整个周围均匀地吸入气体。此外，环状部721也可以具有方环形状。

气体喷出部71也可以比风量放大部72朝向基板W突出，例如也可以比风量放大部72向上方突出。具体而言，气体喷出部71的喷嘴711也可以比风量放大部72的环状部721朝向基板W突出，例如也可以比环状部721向上方突出。

由于喷嘴711比环状部721朝向基板W突出，因而喷嘴711所喷出的气体容易穿过环状部721与基板W之间。由此，能够增加沿着基板W的下表面呈放射状扩展的气体的流速。能够以较少的气体的喷出流量对基板W的较大的区域进行干燥。另外，能够抑制因气体的喷出而引起的基板W的浮起。

风量放大部72在环状部721与水平板572之间具有将周围的气体吸入的吸入口722。吸入口722的面积例如等于环状部721与水平板572之间的间隙的高度和环状部721的外周长的乘积。

风量放大部72在环状部721的与基板W相对的面具有朝向基板W吹出气体的吹出口723。吹出口723的面积例如是在环状部721的与基板W相对的面形成的开口的面积。

吸入口722的面积也可以大于吹出口723的面积。由此，能够自风量放大部72的周围吸入大量的气体，能够进一步放大与基板W碰撞的风量。

环状部721也可以在吹出口723具有朝向基板W(例如朝向上方)扩开的锥面724。能够使气流沿着锥面724顺畅地弯曲，能够抑制涡流的产生，能够抑制气体的停滞。

环状部721在与基板W相对的面相反朝向的面(例如下表面)具有开口725。环状部721也可以在开口725具有朝向与基板W相反的一侧(例如朝向下方)扩开的锥面(未图示)。

此外，在本实施方式中，液体去除部70设置于使基板W在自加工部50至清洗部31B的基板W的输送路径的中途暂时待机的待机部57C，但也可以设置于使基板W在自加工部50至清洗部31A的基板W的输送路径的中途暂时待机的待机部(例如翻转部58)。此外，如上所述，翻转部58和待机部也可以单独设置。

以上，对本公开的加工装置和加工方法的实施方式等进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修改、置换、附加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

Claims (18)

1.一种加工装置，其中，

该加工装置具备：

加工部，其对基板进行加工；

清洗部，其对所述基板进行清洗；以及

待机部，其使由所述加工部加工后的在所述加工部被供给来的液体润湿的状态的所述基板在自所述加工部至所述清洗部的所述基板的输送路径的中途暂时待机，

所述清洗部具有保持所述基板的基板保持部，

所述待机部具有液体去除部，该液体去除部自所述基板的与所述基板保持部接触的区域去除所述液体。

2.根据权利要求1所述的加工装置，其中，

该加工装置具备：第1输送部，其自所述加工部向所述待机部输送所述基板；以及第2输送部，其自所述待机部向所述清洗部输送所述基板，

所述待机部在所述第1输送部与所述第2输送部之间中转所述基板。

3.根据权利要求1或2所述的加工装置，其中，

所述液体去除部具有气体喷出部，该气体喷出部朝向所述基板的与所述基板保持部接触的区域喷出气体。

4.根据权利要求3所述的加工装置，其中，

所述气体喷出部在喷出所述气体前喷出清洗液，从而向所述基板的所述区域供给所述清洗液。

5.根据权利要求3或4所述的加工装置，其中，

所述液体去除部具有风量放大部，该风量放大部利用附壁效应将所述气体喷出部的周围的气体引入所述气体喷出部所喷出的气流，从而放大与所述基板碰撞的风量。

6.根据权利要求5所述的加工装置，其中，

所述风量放大部具有环状部，该环状部包围所述气体喷出部的整个周围。

7.根据权利要求5或6所述的加工装置，其中，

所述气体喷出部比所述风量放大部朝向所述基板突出。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的加工装置，其中，

所述风量放大部的吸入气体的吸入口具有比所述风量放大部的吹出气体的吹出口的面积大的面积。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的加工装置，其中，

所述液体去除部仅自所述基板的局部去除所述液体。

10.一种加工方法，其中，

该加工方法具有以下步骤：

利用加工部对基板进行加工；

利用清洗部对所述基板进行清洗；以及

使由所述加工部加工后的在所述加工部被供给来的液体润湿的状态的所述基板在自所述加工部至所述清洗部的所述基板的输送路径的中途的待机部暂时待机，

该加工方法具有以下步骤：

由所述清洗部利用基板保持部保持所述基板；以及

由所述待机部自所述基板的与所述基板保持部接触的区域去除所述液体。

11.根据权利要求10所述的加工方法，其中，

该加工方法具有以下步骤：

利用第1输送部自所述加工部向所述待机部输送所述基板；

利用第2输送部自所述待机部向所述清洗部输送所述基板；以及

由所述待机部在所述第1输送部与所述第2输送部之间中转所述基板。

12.根据权利要求10或11所述的加工方法，其中，

在所述待机部，气体喷出部朝向所述基板的与所述基板保持部接触的区域喷出气体。

13.根据权利要求12所述的加工方法，其中，

在所述待机部，所述气体喷出部在喷出所述气体前喷出清洗液，从而向所述基板的所述区域供给所述清洗液。

14.根据权利要求12或13所述的加工方法，其中，

在所述待机部，在所述气体喷出部的周围设置的风量放大部利用附壁效应将所述气体喷出部的周围的气体引入所述气体喷出部所喷出的气流，从而放大与所述基板碰撞的风量。

15.根据权利要求14所述的加工方法，其中，

所述风量放大部具有环状部，该环状部包围所述气体喷出部的整个周围。

16.根据权利要求14或15所述的加工方法，其中，

所述气体喷出部比所述风量放大部朝向所述基板突出。

17.根据权利要求14～16中任一项所述的加工方法，其中，

所述风量放大部的吸入气体的吸入口具有比所述风量放大部的吹出气体的吹出口的面积大的面积。

18.根据权利要求10～17中任一项所述的加工方法，其中，

在所述待机部，仅自所述基板的局部去除所述液体。

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