CN215342516U - 基板磨削系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及基板磨削系统。提供在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并抑制由于搭载数量的增加导致的设置面积增加的技术。基板磨削系统包括：载置台、第1清洗装置、第2清洗装置、磨削装置、第1输送区域和第2输送区域。在俯视时，第1输送区域与载置台、第1清洗装置以及第2清洗装置相邻，以被载置台、第1清洗装置和第2清洗装置从三个方向包围的方式配置。在俯视时，第2输送区域与磨削装置、第1清洗装置以及第2清洗装置相邻，以被磨削装置、第1清洗装置和第2清洗装置从三个方向包围的方式配置。在俯视时，连结第1清洗装置与第2清洗装置的线和连结第1输送区域与第2输送区域的线交叉。第1清洗装置与磨削装置被分隔壁隔离开。

Description

基板磨削系统

技术领域

本公开涉及基板磨削系统。

背景技术

专利文献1记载的加工装置包括：第1输送单元、位置调整机构、第2输送单元、转盘、卡盘台、加工单元以及清洗机构。第1输送单元将基板从盒向位置调整机构输送。位置调整机构对基板的位置进行调整。第2输送单元将基板从位置调整机构向转盘上的卡盘台输送。当卡盘台抽吸保持基板时，转盘旋转，基板被配置于加工单元的下方。加工单元利用砂轮磨削基板。第2输送单元抽吸保持磨削后的基板并使其回转，并将该磨削后的基板向清洗机构输送。清洗机构对磨削后的基板进行清洗。第1输送单元将清洗后的基板从清洗机构向盒输送。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019-185645号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本公开的一技术方案提供一种在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置并且抑制由于搭载数量的增加而导致的设置面积的增加的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的基板磨削系统包括：载置台，其用于对收容基板的盒进行载置；第1清洗装置，其对所述基板进行清洗；第2清洗装置，其对所述基板进行清洗；磨削装置，其对所述基板进行磨削；第1输送区域，在俯视观察时，该第1输送区域与所述载置台、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置相邻，以被所述载置台、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置从三个方向包围的方式配置；第1输送装置，其在所述第1输送区域输送所述基板；第2输送区域，在俯视观察时，该第2输送区域与所述磨削装置、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置相邻，以被所述磨削装置、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置从三个方向包围的方式配置；以及第2输送装置，其在所述第2输送区域输送所述基板，在俯视观察时，连结所述第1清洗装置与所述第2清洗装置的线和连结所述第1输送区域与所述第2输送区域的线交叉，所述第1清洗装置和所述磨削装置被分隔壁隔离开。

对于上述基板磨削系统，也可以是，所述第2清洗装置和所述第2输送区域被分隔壁隔离开。

对于上述基板磨削系统，也可以是，所述第1输送装置具有独立地移动的第1输送臂和第2输送臂，利用所述第1输送臂从所述盒取出所述基板，利用所述第2输送臂将所述基板收容于所述盒。

对于上述基板磨削系统，也可以是，在配置于所述第1清洗装置与所述第2输送区域之间的分隔壁形成有供所述基板穿过的输送口，在该输送口设有使该输送口开闭的闸门。

对于上述基板磨削系统，也可以是，该基板磨削系统包括用于检测由所述磨削装置磨削之前的所述基板的中心的检测装置，所述检测装置与所述第1清洗装置在铅垂方向上层叠。

对于上述基板磨削系统，也可以是，该基板磨削系统包括与所述第1清洗装置层叠地配置的第3清洗装置，所述第1清洗装置在利用所述第1输送装置将由所述磨削装置磨削之后的所述基板向所述第2清洗装置输送之前清洗该基板，所述第3清洗装置用于清洗由所述磨削装置磨削之前的所述基板。

对于上述基板磨削系统，也可以是，所述第2清洗装置能够喷出化学溶液，而对由所述磨削装置磨削之后的所述基板进行蚀刻。

对于上述基板磨削系统，也可以是，所述第2输送装置从上方吸附保持所述基板，所述第1输送装置从下方保持所述基板。

对于上述基板磨削系统，也可以是，在配置于所述磨削装置与所述第2输送区域之间的分隔壁形成有供所述基板穿过的输送口，在该输送口设有使该输送口开闭的闸门。

实用新型的效果

采用本公开的一技术方案，能够在洁净度较高的区域搭载多个清洗装置，并且能够抑制由于搭载数量的增加而导致的设置面积的增加。

附图说明

图1是表示一实施方式的基板磨削系统的俯视图。

图2是表示图1的基板磨削系统的侧视图。

图3是表示变形例的基板磨削系统的俯视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，在各附图中，有时对相同或者对应的结构标注相同的附图标记，并省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是彼此垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。

首先，参照图1和图2对基板磨削系统10进行说明。另外，在图2中，为了对第1清洗装置30、检测装置31以及第3清洗装置32的配置进行图示，省略了图1所示的第2输送装置71、分隔壁82以及闸门88的图示。

基板磨削系统10包括：载置台20、第1清洗装置30、第2清洗装置40、磨削装置50、第1输送区域60、第1输送装置61、第2输送区域70、第2输送装置71以及控制装置90。基板磨削系统10也可以还包括检测装置31。另外，基板磨削系统10也可以还包括第3清洗装置32。

载置台20用于载置盒C。盒C在铅垂方向上空开间隔地收容有多张基板W。基板W包含硅晶圆或化合物半导体晶圆等半导体基板、或者玻璃基板。基板W也可以还包含形成于半导体基板或玻璃基板的表面的装置层。装置层包含电子电路。另外，基板W也可以是将多个基板接合而成的层叠基板。载置台20包含在Y轴方向上配置成一列的多个载置板21。在多个载置板21分别载置盒C。另外，载置板21的数量并未被特别地限定。同样地，盒C的数量也并未被特别地限定。

第1清洗装置30对基板W进行清洗。例如，第1清洗装置30对由磨削装置50进行了磨削的基板W进行擦洗。第1清洗装置30包含海绵或刷子等清洗体，利用清洗体去除磨削屑等微粒。清洗体只要能够对基板W的被磨削了的上表面进行擦洗即可，其配置于基板W的上方。不过，清洗体也可以配置于基板W的上下两方，可以对基板W的上下两表面进行清洗。

第2清洗装置40也对基板W进行清洗。例如，第2清洗装置40利用化学溶液对由磨削装置50磨削后的基板W进行蚀刻。第2清洗装置40包含保持基板W的旋转卡盘和用于喷出化学溶液的喷嘴。喷嘴向旋转的基板W的上表面的中心供给化学溶液。化学溶液在离心力的作用下从基板W的上表面的中心朝向边缘润湿开来。化学溶液是一般的化学溶液即可，例如可以是氟硝酸或者碱性溶液等。化学溶液对基板W的被磨削了的上表面进行蚀刻，去除磨削痕。第2清洗装置40也可以还向基板W的下表面供给化学溶液，可以对基板W的上下两表面进行清洗。

磨削装置50对基板W进行磨削。磨削包含研磨。磨削所使用的磨料可以是固定磨料和游离磨料中的任一者。磨削装置50例如具有台51、4个卡盘52以及3个磨削机构53。

台51绕旋转中心线R1等间隔地保持有4个卡盘52，该台51以旋转中心线R1为中心旋转。4个卡盘52分别与台51一起旋转，依次向送入送出位置A0、1次磨削位置A1、2次磨削位置A2、3次磨削位置A3、送入送出位置A0移动。

送入送出位置A0兼作进行基板W的送入的位置和进行基板W的送出的位置。另外，在本实施方式中，送入位置和送出位置是相同的位置，但送入位置和送出位置也可以是不同的位置。1次磨削位置A1是进行基板W的1次磨削的位置。2次磨削位置A2是进行基板W的2次磨削的位置。3次磨削位置A3是进行基板W的3次磨削的位置。

4个卡盘52以各自的旋转中心线为中心旋转自如地安装于台51。在1次磨削位置A1、2次磨削位置A2以及3次磨削位置A3，卡盘52以各自的旋转中心线为中心旋转。

一个磨削机构53在1次磨削位置A1对基板W进行1次磨削。另一个磨削机构53在2次磨削位置A2对基板W进行2次磨削。剩余的磨削机构53在3次磨削位置A3对基板W进行3次磨削。

另外，磨削机构53的数量为一个以上即可。另外，卡盘52的数量多于磨削机构53的数量即可。此外，也可以没有台51。在没有台51的情况下，卡盘52的数量既可以与磨削机构53的数量相等，也可以是一个。

在俯视观察(沿Z轴方向观察)时，第1输送区域60与载置台20、第1清洗装置30以及第2清洗装置40相邻，以被载置台20、第1清洗装置30以及第2清洗装置40从三个方向包围的方式配置。具体而言，载置台20配置于第1输送区域60的X轴方向负侧，第1清洗装置30配置于第1输送区域60的X轴方向正侧，第2清洗装置40配置于第1输送区域60的Y轴方向负侧。

第1输送装置61在第1输送区域60输送基板W。即，第1输送装置61在与第1输送区域60相邻地配置的多个装置之间输送基板W。第1输送装置61具有独立地移动的第1输送臂61a和第2输送臂61b。第1输送臂61a和第2输送臂61b均能够进行沿水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向的移动以及以铅垂轴线为中心的旋转。第1输送臂61a和第2输送臂61b分别从下方保持基板W。

第1输送臂61a从盒C取出基板W。另一方面，第2输送臂61b将基板W收容于盒C。由于分别设置第1输送臂61a和第2输送臂61b，因此能够相继且快速地实施基板W的从盒C的取出和基板W的向盒C的收容。另外，由于分别设置第1输送臂61a和第2输送臂61b，因此能够防止微粒经由第1输送装置61而在磨削前的基板W与磨削后的基板W之间移动。第1输送臂61a保持清洗前的基板W，与此相对，第2输送臂61b保持清洗后的基板W。若第2输送臂61b配置于第1输送臂61a的上方，则清洗后的基板W配置于清洗前的基板W的上方。其结果，能够防止微粒从清洗前的基板W向清洗后的基板W落下。

在俯视观察时，第2输送区域70与磨削装置50、第1清洗装置30以及第2清洗装置40相邻，以被磨削装置50、第1清洗装置30以及第2清洗装置40从三个方向包围的方式配置。具体而言，磨削装置50配置于第2输送区域70的X轴方向正侧，第1清洗装置30配置于第2输送区域70的Y轴方向正侧，第2清洗装置40配置于第2输送区域70的X轴方向负侧。

第2输送装置71在第2输送区域70输送基板W。即，第2输送装置71在与第2输送区域70相邻地配置的多个装置之间输送基板W。第2输送装置71包含保持基板W的吸盘71a。吸盘71a能够进行沿水平方向(X轴方向和Y轴方向这两个方向)和铅垂方向的移动以及以铅垂轴线为中心的旋转。吸盘71a从上方吸附保持基板W。

检测装置31检测由磨削装置50磨削之前的基板W的中心。在俯视观察时，能够将磨削装置50的卡盘52的中心与基板W的中心对准。检测装置31除了检测基板W的中心以外，还可以检测基板W的晶体定向，具体而言，还可以检测表示基板W的晶体定向的凹口或者定位平面。在与卡盘52一起旋转的旋转坐标系中，能够将基板W的晶体定向与期望的取向对准。

为了减小基板磨削系统10的设置面积，检测装置31也可以在铅垂方向上与第1清洗装置30层叠。另外，检测装置31配置于第1清洗装置30的上方，但检测装置31与第1清洗装置30的配置也可以反过来，检测装置31也可以配置于第1清洗装置30的下方。

第3清洗装置32与第1清洗装置30以及第2清洗装置40不同，该第3清洗装置32对由磨削装置50磨削之前的基板W进行清洗。能够将洁净的基板W载置于磨削装置50的卡盘52，由于能够抑制异物的咬入等，因此能够提高基板W的磨削品质。

第3清洗装置32例如与第1清洗装置30同样地对基板W进行擦洗。第3清洗装置32包含海绵或刷子等清洗体，利用清洗体去除异物。为了在将基板W载置于磨削装置50的卡盘52时抑制异物的咬入，清洗体对基板W的下表面进行擦洗即可，而使该清洗体配置于基板W的下方。不过，清洗体也可以配置于基板W的上下两方，可以对基板W的上下两表面进行清洗。

为了减小基板磨削系统10的设置面积，第3清洗装置32也可以在铅垂方向上与第1清洗装置30层叠。另外，第3清洗装置32配置于第1清洗装置30的上方，但第3清洗装置32与第1清洗装置30的配置也可以反过来，第3清洗装置32也可以配置于第1清洗装置30的下方。在图2中，第3清洗装置32配置于第1清洗装置30与检测装置31之间，但它们的顺序并未被特别地限定。

控制装置90例如是计算机，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。在存储介质92存储有对在基板磨削系统10执行的各种的处理进行控制的程序。控制装置90使CPU91执行存储于存储介质92的程序，从而对基板磨削系统10的动作进行控制。

接着，说明基板磨削系统10的动作。下述的动作在控制装置90的控制下实施。

首先，第1输送装置61从盒C取出基板W，将取出来的基板W向第3清洗装置32输送。其间，基板W被第1输送臂61a保持。

接着，第3清洗装置32对由磨削装置50磨削之前的基板W进行清洗。能够将洁净的基板W载置于磨削装置50的卡盘52，并能够抑制异物的咬入等。因此，能够平坦地磨削基板W，而能够抑制基板W的厚度偏差的恶化。第3清洗装置32对基板W的下表面进行清洗。第3清洗装置32也可以对基板W的上下两表面进行清洗。在基板W的干燥后，第1输送装置61将基板W从第3清洗装置32向检测装置31输送。其间，基板W被第1输送臂61a保持。

另外，在未磨削的基板W洁净的情况下，或者在磨削装置50具有对未磨削的基板W进行清洗的机构的情况下，也可以没有第3清洗装置32。在该情况下，第1输送装置61将基板W从盒C向检测装置31输送。

接着，检测装置31检测基板W的中心。检测装置31也可以还检测基板W的晶体定向，具体而言，也可以还检测凹口等。之后，第2输送装置71将基板W从检测装置31向磨削装置50的卡盘52输送。其间，控制装置90基于检测装置31的检测结果对第2输送装置71进行控制，将卡盘52的中心与基板W的中心对准。另外，控制装置90基于检测装置31的检测结果对第2输送装置71进行控制，在与卡盘52一起旋转的旋转坐标系中，将基板W的晶体定向与期望的取向对准。

接着，磨削装置50对基板W的上表面进行磨削。基板W与台51一起旋转，依次向送入送出位置A0、1次磨削位置A1、2次磨削位置A2、3次磨削位置A3、送入送出位置A0移动。其间，实施1次磨削、2次磨削、3次磨削。之后，第2输送装置71将基板W从磨削装置50的卡盘52向第1清洗装置30输送。

接着，第1清洗装置30对基板W的上表面进行清洗，去除磨削屑等微粒。第1清洗装置30也可以对基板W的上下两表面进行清洗。在基板W的干燥后，第1输送装置61将基板W从第1清洗装置30向第2清洗装置40输送。其间，基板W既可以被第1输送臂61a保持，也可以被第2输送臂61b保持。

接着，第2清洗装置40对基板W的上表面进行蚀刻，去除磨削痕。第2清洗装置40也可以对基板W的上下两表面进行清洗。在基板W的干燥后，第1输送装置61将基板W从第2清洗装置40向盒C输送，将基板W收容于盒C。其间，基板W被第2输送臂61b保持。之后，本次的处理结束。

另外，如图1所示，在俯视观察时，第1清洗装置30、第2清洗装置40、第1输送区域60、第2输送区域70在载置台20与磨削装置50之间呈矩阵状配置。在俯视观察时，连结第1清洗装置30和第2清洗装置40的线与连结第1输送区域60和第2输送区域70的线交叉。

根据本实施方式，与不同于本实施方式的第1输送区域60向X轴方向正侧延长至分隔壁81的情况相比，缩短了第1输送区域60的X轴方向上的尺寸，在由于该缩短而空出的区域配置第1清洗装置30。因此，能够抑制由于清洗装置的搭载数量的增加而导致的基板磨削系统10的设置面积的增加。

另外，根据本实施方式，载置台20与第1输送区域60相邻。因此，与不同于本实施方式的如下情况相比，能够减小基板磨削系统10的设置面积，在载置台20与第1输送区域60之间设置暂时保管基板W的传送装置、在俯视观察时介于传送装置与载置台20之间的第3输送区域、以及在第3输送区域输送基板W的第3输送装置。

另外，如图1所示，第1清洗装置30以与磨削装置50以及第2输送区域70这两者相邻的方式配置，第2输送区域70与磨削装置50相邻地配置。在基板W由磨削装置50进行了磨削之后，经由第2输送区域70将该基板W从磨削装置50向第1清洗装置30输送。第1清洗装置30与磨削装置50被分隔壁81、82隔离开。

分隔壁81配置于彼此相邻的第1清洗装置30与磨削装置50之间。另一方面，分隔壁82配置于彼此相邻的第1清洗装置30与第2输送区域70之间。分隔壁81、82抑制在磨削装置50产生的磨削屑等微粒从磨削装置50向第1清洗装置30流出。

在分隔壁82形成有供基板W穿过的输送口82a。在输送口82a设有使输送口82a开闭的闸门88。闸门88通常封闭输送口82a，在基板W穿过时开放输送口82a。与输送口82a始终开放的情况相比，能够抑制微粒经由输送口82a而从磨削装置50向第1清洗装置30流出。

分隔壁83配置于彼此相邻的第2清洗装置40与第2输送区域70之间，将第2清洗装置40与第2输送区域70隔离开，进而将第2清洗装置40与磨削装置50隔离开。分隔壁83抑制在磨削装置50产生的磨削屑等微粒从磨削装置50向第2清洗装置40流出。

以分隔壁81、82、83为基准，在与磨削装置50相反的一侧(X轴方向负侧)形成了洁净度较高的区域。在洁净度较高的区域能够搭载多个清洗装置，例如第1清洗装置30、第2清洗装置40、第3清洗装置32。因此，清洗装置的搭载数量较多，能够提高清洗性能。另外，由于在洁净度较高的区域搭载清洗装置，因此能够抑制清洗后的基板W被污染。

接着，参照图3，说明变形例的基板磨削系统10。以下，主要说明本变形例与上述实施方式之间的不同点。在本变形例中，代替上述实施方式的分隔壁82而设有分隔壁84。分隔壁84配置于彼此相邻的第2输送领域70与磨削装置50之间。

分隔壁81、84抑制在磨削装置50产生的磨削屑等微粒从磨削装置50向第1清洗装置30流出。而且，分隔壁81、84抑制在磨削装置50产生的磨削屑等微粒从磨削装置50向第2清洗装置40流出。

在分隔壁84形成有供基板W穿过的输送口84a。在输送口84a设有使输送口84a开闭的闸门89。闸门89通常封闭输送口84a，在基板W穿过时开放输送口84a。能够抑制微粒经由输送口84a从磨削装置50向第1清洗装置30流出。

以分隔壁81、84为基准，在与磨削装置50相反的一侧(X轴方向负侧)形成了洁净度较高的区域。在洁净度较高的区域能够搭载多个清洗装置，例如第1清洗装置30、第2清洗装置40、第3清洗装置32。因此，清洗装置的搭载数量较多，能够提高清洗性能。另外，由于在洁净度较高的区域搭载清洗装置，因此能够抑制清洗后的基板W被污染。

另外，在本变形例中，代替上述实施方式的分隔壁82而设有分隔壁84，但也可以设有本变形例的分隔壁84与上述实施方式的分隔壁82这两者。

以上，对本公开的基板磨削系统进行了说明，但本公开并不限定于上述实施方式等。在实用新型的权利要求书记载的范畴内，能够进行各种变更、修改、置换、添加、删除以及组合。这些当然也属于本公开的技术范围。

Claims (9)

1.一种基板磨削系统，其特征在于，

该基板磨削系统包括：

载置台，其用于对收容基板的盒进行载置；

第1清洗装置，其对所述基板进行清洗；

第2清洗装置，其对所述基板进行清洗；

磨削装置，其对所述基板进行磨削；

第1输送区域，在俯视观察时，该第1输送区域与所述载置台、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置相邻，以被所述载置台、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置从三个方向包围的方式配置；

第1输送装置，其在所述第1输送区域输送所述基板；

第2输送区域，在俯视观察时，该第2输送区域与所述磨削装置、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置相邻，以被所述磨削装置、所述第1清洗装置以及所述第2清洗装置从三个方向包围的方式配置；以及

第2输送装置，其在所述第2输送区域输送所述基板，

在俯视观察时，连结所述第1清洗装置与所述第2清洗装置的线和连结所述第1输送区域与所述第2输送区域的线交叉，

所述第1清洗装置和所述磨削装置被分隔壁隔离开。

2.根据权利要求1所述的基板磨削系统，其特征在于，

所述第2清洗装置和所述第2输送区域被分隔壁隔离开。

3.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

所述第1输送装置具有独立地移动的第1输送臂和第2输送臂，利用所述第1输送臂从所述盒取出所述基板，利用所述第2输送臂将所述基板收容于所述盒。

4.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

在配置于所述第1清洗装置与所述第2输送区域之间的分隔壁形成有供所述基板穿过的输送口，

在该输送口设有使该输送口开闭的闸门。

5.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

该基板磨削系统包括用于检测由所述磨削装置磨削之前的所述基板的中心的检测装置，

所述检测装置与所述第1清洗装置在铅垂方向上层叠。

6.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

该基板磨削系统包括与所述第1清洗装置层叠地配置的第3清洗装置，

所述第1清洗装置在利用所述第1输送装置将由所述磨削装置磨削之后的所述基板向所述第2清洗装置输送之前清洗该基板，

所述第3清洗装置用于清洗由所述磨削装置磨削之前的所述基板。

7.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

所述第2清洗装置能够喷出化学溶液，而对由所述磨削装置磨削之后的所述基板进行蚀刻。

8.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

所述第2输送装置从上方吸附保持所述基板，

所述第1输送装置从下方保持所述基板。

9.根据权利要求1或2所述的基板磨削系统，其特征在于，

在配置于所述磨削装置与所述第2输送区域之间的分隔壁形成有供所述基板穿过的输送口，

在该输送口设有使该输送口开闭的闸门。

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