TW201820520A - 處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法 - Google Patents

處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201820520A
TW201820520A TW106132604A TW106132604A TW201820520A TW 201820520 A TW201820520 A TW 201820520A TW 106132604 A TW106132604 A TW 106132604A TW 106132604 A TW106132604 A TW 106132604A TW 201820520 A TW201820520 A TW 201820520A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
processed
substrate
conveying
white
chuck
Prior art date
Application number
TW106132604A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI713790B (zh
Inventor
Kenya Ito
Hirohiko Ueda
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of TW201820520A publication Critical patent/TW201820520A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713790B publication Critical patent/TWI713790B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/07Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for semiconductor wafers Not used, see H01L21/677
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08Supporting racks, i.e. not for suspending
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/6723Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Abstract

本發明抑制基板(被處理物)的彎曲並穩定搬送被處理物。本發明提供一種處理裝置。此處理裝置具有:搬送部,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送被處理物;以及處理部,對於被處理物的平面,進行至少一研磨及洗淨。搬送部具有:驅動部,被構成為物理地接觸被處理物的端部並施加搬送方向的力至被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對被處理物的平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與被處理物的上述端部相反側的端部的端面。

Description

處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法
本發明關於一種處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法。
以往,在半導體晶圓或印刷基板等的基板表面,形成配線或凸緣(突起狀電極)等。已知電解鍍覆法做為形成此配線及凸緣等的方法。
使用電解鍍覆法的鍍覆裝置,一般來說是對具有300mm直徑的晶圓等圓形基板進行鍍覆處理。但是,近年來,不限於像這樣的圓形基板,需要對角形基板進行洗淨、研磨或鍍覆等。像這樣的角形基板為例如將由圓形晶圓製成的晶片等,藉由貼附於樹脂材料所製成的基板的單面或兩面來形成。
然而,搬送基板時,為了縮小搬送裝置的設置面積,已知將基板做為縱型姿勢的狀態下來搬送(例如參照專利文獻1)。又,搬送基板時,進行需要洗淨或研磨等液體的處理情況下,也可以藉由將基板做為縱型姿勢來高效率地進行基板表面的液體消耗。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特許第3042598號
但是,在專利文獻1所記載的搬送裝置,因為基板的上端部成為自由端(基板的上端部不被保持),在基板剛性低的情況下,將基板做為縱型姿勢時基板可能彎曲。又,在基板重量比較輕的情況下,因搬送輥間的微小階差等,基板發出嘎嘎聲地被搬送,有斷續地從搬送輥分離之虞。在此情況 下,基板與搬送輥的接觸未適當進行,有不能以穩定的速度搬送的情況。如此問題點並不限於角形基板,即使是圓形基板也會產生。
本發明是有鑑於上述問題而成者。其目的為抑制基板(被處理物)的彎曲,穩定地搬送被處理物。
根據本發明的一形態,提供一種處理裝置。此處理裝置具有:搬送部,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及處理部,對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨及洗淨。前述搬送部具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
根據本發明的一形態,提供一種搬送裝置,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物。此搬送裝置具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
根據本發明的一形態,提供一種處理方法。此處理方法具有下列步驟:在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨及洗淨。前述搬送步驟具有下列步驟:物理地施加搬送方向的力至前述被處理物的端部;以第一白努利夾頭保持前述被處理物的前述平面,以限制前述被處理物的厚度方向的移動;以及以第二白努利夾頭保持與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面,以限制垂直於前述搬送方向的前述被處理物的面內方向的移動。
25‧‧‧匣台
25a‧‧‧匣
27、27a、27b‧‧‧基板搬送裝置
28、28a、28b‧‧‧行進機構
29、29a、29b‧‧‧基板裝卸機構
30‧‧‧儲存器
32‧‧‧預濕箱
33‧‧‧預浸槽
34‧‧‧預清洗槽
35‧‧‧流動槽
36‧‧‧清洗槽
37、37a、37b‧‧‧基板夾具搬送裝置
38‧‧‧溢流槽
39‧‧‧鍍覆槽
50‧‧‧洗淨裝置
50a‧‧‧洗淨部
51‧‧‧入口
52‧‧‧出口
53‧‧‧第一腔
54‧‧‧第二腔
55‧‧‧第三腔
56‧‧‧第四腔
57‧‧‧第五腔
60‧‧‧送風單元
70‧‧‧搬送部
71‧‧‧驅動部
72‧‧‧第一白努利夾頭單元
72a、73b‧‧‧第一白努利夾頭
73‧‧‧第二白努利夾頭單元
73a‧‧‧第二白努利夾頭
81‧‧‧圓盤型洗滌裝置
83‧‧‧洗淨噴嘴裝置
84‧‧‧反轉機構
85‧‧‧鉛直搬送機構
85a、86a‧‧‧第三白努利夾頭
85b‧‧‧升降機
86‧‧‧鉛直搬送機構
86b‧‧‧臂部
86c‧‧‧支柱
86d‧‧‧滑件
87‧‧‧輥型洗滌裝置
88‧‧‧氣刀裝置
89‧‧‧電離器
90‧‧‧水平搬送機構
91‧‧‧研磨裝置
92‧‧‧旋轉馬達
93‧‧‧研磨頭
93a‧‧‧研磨帶
93b‧‧‧捲出輥
93c‧‧‧捲取輥
93d‧‧‧研磨面
94‧‧‧臂
95‧‧‧升降馬達
96‧‧‧平移板
97‧‧‧平移馬達
98‧‧‧固定板
99‧‧‧多孔質台板
99a‧‧‧吸引孔
100、200‧‧‧鍍覆裝置
110‧‧‧裝載/卸載部
120‧‧‧處理部
120A‧‧‧前處理‧後處理部
120B、220B‧‧‧鍍覆處理部
210‧‧‧裝載部
220‧‧‧處理部
220A‧‧‧前處理部
220C‧‧‧後處理部
230‧‧‧卸載部
D1‧‧‧厚度方向
D2‧‧‧面內方向
W1‧‧‧基板
第一圖是關於本實施型態的具備處理裝置的鍍覆裝置的整體配置圖。
第二圖是洗淨裝置的概略側剖面圖。
第三(A)圖是搬送部的側面圖。
第三(B)圖是第三(A)圖的箭視A-A的搬送部的剖面圖。
第四圖表示搬送部的其他形態的圖。
第五圖是關於其他形態的洗淨裝置的概略側剖面圖。
第六圖是關於其他形態的洗淨裝置的概略側剖面圖。
第七圖是研磨裝置的概略側剖面圖。
第八圖表示以研磨裝置研磨基板的例的斜視圖。
第九圖表示以研磨頭研磨基板時的基板搬送與研磨頭的動作的例的概略圖。
第十圖表示以研磨頭研磨基板時的基板搬送與研磨頭的動作的例的概略圖。
第十一圖是關於其他實施形態的洗淨裝置的概略側剖面圖。
第十二圖是關於本實施形態的具備處理裝置的其他鍍覆裝置的整體配置圖。
以下,參照圖式來說明關於本發明的實施形態。在以下所說明的圖式中,對相同或相當的構成要素賦予相同符號並省略重複說明。第一圖是關於本實施形態的具備處理裝置的鍍覆裝置的整體配置圖。關於本實施形態的鍍覆裝置,具有做為處理裝置的一例的洗淨裝置50。如第一圖所示,此鍍覆裝置100大致分成:裝載/卸載部110,將基板(相當於被處理物的一例)裝載於基板夾具,或從基板夾具卸載基板;處理部120,處理基板;以及洗淨部50a。處理部120更包含:前處理‧後處理部120A,進行基板的前處理及後處理;以及鍍覆處理部120B,對基板進行鍍覆處理。鍍覆裝置100的裝載/卸載部110、處理部120及洗淨部50a分別被個別的框架(殼體)所包圍。又,以此鍍覆裝置100處理的基板,包含角形基板、圓形基板。又,角形基板包含角形的印刷基板或其他鍍覆對象物等。
裝載/卸載部110具有:兩台匣台25與基板裝卸機構29。匣台25搭載匣25a,匣25a收納半導體晶圓或印刷基板等的基板。基板裝卸機構29被構成為裝卸基板於圖未顯示的基板夾具。又,在基板裝卸機構29 附近(例如下方)設有用來收容基板夾具的儲存器30。在這些單元25、59、30的中央配置有基板搬送裝置27,基板搬送裝置27是由在這些單元間搬送基板的搬送用自動機所構成。基板搬送裝置27被構成為可藉由行進機構28來行進。
洗淨部50a具有:洗淨裝置50(相當於處理裝置的一例),洗淨並乾燥鍍覆處理後的基板。基板搬送裝置27被構成為將鍍覆處理後的基板搬送至洗淨裝置50,從洗淨裝置50取出洗淨及乾燥過的基板。關於洗淨裝置50細節將與後述的第二圖一起說明。
前處理‧後處理部120A具有:預濕箱32、預浸槽33、預清洗槽34、流動槽35以及清洗槽36。在預濕箱32,基板被浸漬於純水。在預浸槽33,在基板表面所形成的晶種層等的導電層表面的氧化膜被蝕刻除去。在預清洗槽34,預浸後的基板與基板夾具一起被洗淨液(純水等)洗淨。在流動槽35,進行洗淨後的基板的排液。在清洗槽36,鍍覆後的基板與基板夾具一起被洗淨液洗淨。預濕箱32、預浸槽33、預清洗槽34、流動槽35以及清洗槽36是以此順序配置。
鍍覆處理部120B具有:複數個鍍覆槽39,具備溢流槽38。鍍覆槽39在內部收納一個基板,將基板浸漬於保持在內部的鍍覆液中,對基板表面進行銅鍍覆等鍍覆。在此,鍍覆液的種類並沒有特別限定,可對應用途使用各種鍍覆液。
鍍覆裝置100具有:例如採用線性馬達方式的基板夾具搬送裝置37,位於這些機器各別的側方,在這些機器各別之間搬送基板夾具與基板。此基板夾具搬送裝置37被構成為在基板裝卸機構29、預濕箱32、預浸槽33、預清洗槽34、流動槽35、清洗槽36以及鍍覆槽39之間搬送基板夾具。
接下來,詳細說明關於在第一圖所示的洗淨裝置50。第二圖是洗淨裝置50的概略側剖面圖。在第二圖中,為了方便表示第一圖所示的儲存器30及基板搬送裝置27。第二圖所示的洗淨裝置50整體是由五個腔所構成。具體來說,洗淨裝置50具有:第一腔53,具備基板W1的入口51;第二腔54;第三腔55;第四腔56;以及第五腔57,具備基板W1的 出口52。第二腔54連通第一腔53及第三腔55。第一腔53及第二腔54構成用來在水平方向搬送基板W1的第一搬送路徑。第四腔56、第三腔55及第五腔57連通。第四腔56及第五腔57構成第二搬送路徑,第二搬送路徑用來在與第一搬送路徑相反的方向搬送基板W1。第三腔55構成連接第一搬送路徑與第二搬送路徑的鉛直搬送路徑。在本實施形態中,由第一腔53及第二腔54所成的第一搬送路徑位於第四腔56及第五腔57所成的第二搬送路徑下方。但是,各腔的配置結構並不受限於此,例如第一腔53及第二腔54所成的第一搬送路徑也可以位於第四腔56及第五腔57所成的第二搬送路徑下方。又,洗淨裝置50的設置面積若無嚴格限制,則第一搬送路徑與第二搬送路徑也可以在橫方向並列配置。在此情況下,第三腔55構成連接第一搬送路徑與第二搬送路徑的水平方向的搬送路徑,路徑整體在平面視角成為大致U字形。
以下,說明從第一腔53到第五腔57的結構。在第一腔53的內部設有:搬送部70(相當於搬送裝置的一例),在傾斜狀態下搬送基板W1;以及圓盤型洗滌裝置81(相當於處理部的一例),用來對基板W1進行洗滌洗淨。圓盤型洗滌裝置81被構成為可在圓盤頭(相當於頭部的一例)旋轉。在圓盤頭的接觸基板W1的側面(下面),設有用來洗滌基板W1的洗淨部件。做為洗淨部件,可採用例如圓形或環形的片狀部件。此片狀部件是由例如PVA(聚乙烯醇)所形成,具有1~20mm左右的厚度。圓盤型洗滌裝置81具有例如圖未顯示的線性導軌、滾珠螺桿以及伺服馬達等,可在平行於基板W1的表面移動。
圓盤型洗滌裝置81從圖未顯示的噴嘴供給純水等至基板W,並藉由使圓盤頭旋轉並壓抵至基板W1,以不傷害基板W1表面來除去附著於基板W1表面的微粒。圓盤型洗滌裝置81可以連續搬送基板W1並洗淨基板W1,搬送部70為了在洗淨時使基板W1的搬送停止,也可以斷續地搬送基板W1。具體來說,在基板W1的表面污染激烈的情況下,使基板W1的搬送停止並以圓盤型洗滌裝置81來洗淨為較佳。又,在基板W1的表面污染程度較低的情況下,可連續搬送基板W1並以圓盤型洗滌裝置81來洗淨。
在不洗淨基板W1間,為了使圓盤型洗滌裝置81的洗淨部件不乾燥,例如使圓盤型洗滌裝置81從基板W1的搬送路徑離開,從圖未顯示的噴嘴供給純水至洗淨部件。又,也可以準備圖未顯示的純水槽,使圓盤型洗滌裝置81的洗淨裝置浸漬於槽內的純水。在此情況下,槽內的純水在每次圓盤型洗滌裝置81的洗淨部件被浸漬時替換為較佳。在圖示的實施形態中,兩個圓盤型洗滌裝置81被配置於第一腔53內。
搬送部70,具體來說,在基板W1的平面(也是被處理面)相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下,搬送基板W1。參照第三(A)圖及第三(B)圖來說明搬送部70的基本結構。第三(A)圖是搬送部70的側面圖,第三(B)圖是第三(A)圖的箭視A-A的搬送部70的剖面圖。如第三(A)圖及第三(B)圖所示,搬送部70具有:驅動部71、第一白努利夾頭72以及第二白努利夾頭73。驅動部71被構成為物理地接觸基板W1的端部來施加搬送方向的力於基板W1。在第三(A)圖及第三(B)圖的例中,驅動部71具有接觸基板W1下側端部的輥。驅動部71藉由圖未顯示的驅動源使輥旋轉,來施加搬送方向的力於基板W1。此輥可由在接觸基板W1的部分難以形成水膜的鐵氟龍樹脂、尼龍樹脂等材料所構成。又,也可以對輥與基板W1的接觸面施加凹凸的輥紋加工,以多孔材料形成輥的接觸面。藉此,可抑制水膜形成,防止基板W1搬送時的滑動。
如第三(A)圖所示,第一白努利夾頭單元72沿著基板W1的平面以任意間隔設置複數個。在第二圖所示的第一腔53中,第一白努利夾頭單元72以特定間隔分離成圓盤型洗滌裝置81被配置於其間。又,在第三(A)圖及第三(B)圖所示的例中,第一白努利夾頭單元72被設於基板W1的兩側。但是,第一白努利夾頭單元72也可以只設置在基板W1的單側。
如第三(B)圖所示,第一白努利夾頭單元72具有複數個第一白努利夾頭72a。第一白努利夾頭72a被配置成面對基板W1的平面。在第三(B)圖所示的例中,在一側(基板W1的下面側)的第一白努利夾頭單元72,設有五個第一白努利夾頭72a,在另一側(基板W1的上面側)的第一白努利夾頭單元72,設有三個第一白努利夾頭72a。設於第一白努 利夾頭單元72的第一白努利夾頭72a的數量為任意。第一白努利夾頭72a為氣動式或液壓式的白努利夾頭,可非接觸式地保持基板W1,以限制基板W1的厚度方向D1的移動。換句話說,第一白努利夾頭72a不能限制基板W1的面內方向D2的移動。
如第三(A)圖及第三(B)圖所示,第二白努利夾頭單元73是剖面為大致U字型,在基板W1的搬送方向延伸。如第三(B)圖所示,第二白努利夾頭單元73具有第二白努利夾頭73a與第一白努利夾頭73b。第一白努利夾頭73b與第一白努利夾頭72a一樣,被配置成面對基板W1的平面,可保持在基板W1的上端部附近,以限制基板W1的厚度方向D1的移動。另一方面,第二白努利夾頭73a為氣動式或液壓式的白努利夾頭,可非接觸式地保持基板W1的上端部的端面,以限制基板W1的面內方向D2的移動。在此,面內方向D2是垂直於基板W1的搬送方向(在第三(B)圖中紙張表面深處方向)的方向。
第二白努利夾頭單元73的第二白努利夾頭73a為了將被搬送的基板W1的上端部的端面保持在盡可能寬廣的範圍內,被配置成在沿著基板W1的搬送方向盡可能變長。較佳地,第二白努利夾頭73a被配置成在沿著基板W1的搬送方向比第一白努利夾頭單元72的第一白努利夾頭72a變得更長。藉此,可以藉由第二白努利夾頭73a將基板W1的上端部的端面保持在寬廣範圍內,並在第一白努利夾頭72a間確保配置用於研磨、洗淨、乾燥的處理部的空間。
搬送部70被構成為藉由驅動部71、第一白努利夾頭單元72及第二白努利夾頭單元73傾斜,以傾斜姿勢搬送基板W1。具體來說,基板W1在搬送方向(第三(B)圖紙張平面深處方向)軸周圍傾斜的狀態下被搬送。在此,「傾斜」是指相對於水平具有0°~90°的角度。在第三(B)圖所示的例中,搬送部70是將基板W1以傾斜45°的姿勢來搬送。藉此,相較於基板W1以水平姿勢被搬送的情況,可減少洗淨裝置50的設置面積,並可更有效率地進行基板W1表面的排液。較佳地,搬送部70在基板W1平面相對於水平傾斜5~85°的狀態下,搬送基板W1。當在第二圖所示的洗淨裝置50洗淨基板W1,則附著於基板W1表面的微粒被洗淨液洗去。 此時,當傾斜角度未滿5°時,包含微粒的洗淨液難以從基板W1落下。又,當傾斜角度超過85°時,因為洗淨液是從基板W1直接落下,所以基板W1有乾燥之虞。當基板W1乾燥,附著於基板W1的洗淨液所包含的微粒會殘留在基板W1表面。
如此,關於本實施形態的搬送部70,因為可保持基板W1的上端部的端面,所以即使基板W1在傾斜姿勢下搬送,也可以抑制基板W1彎曲。又,因為可藉由第二白努利夾頭73a來保持基板W1的面內方向D2的位置,所以可使基板W1的下端部穩定接觸驅動部71,並以穩定的速度搬送。
又,第二白努利夾頭73a不能限制基板W1的厚度方向D1的移動。因此,在基板W1為非常柔軟的情況下,若基板W1的端部彎曲,而偏離第二白努利夾頭73a的對面位置,則第二白努利夾頭73a變得不能適當保持基板W1的端面。但是,關於本實施形態的搬送部70,具有剖面為大致U型的第二白努利夾頭單元73,因為以第一白努利夾頭73b保持基板W1的上端部附近,所以可防止基板W1的端部彎曲。因此,即使在基板W1為非常柔軟的情況下,基板W1的端部也可以保持在第二白努利夾頭73a的對面位置,結果是第二白努利夾頭73a可適當保持基板W1的上端部的端面。
又,關於本實施形態的搬送部70,只有基板W1的下端部被驅動部71搬送,上端部被第二白努利夾頭73a保持。因此,相較於以輥等驅動部71搬送基板W1的下端部及上端部兩者的情況,可減少驅動部71的數量。因為驅動部71物理地接觸基板W1,因摩耗導致需要定期更換。因此,藉由減少驅動部71的數量,更換的驅動部71的數量也減少,可以降低需要更換的作業成本及部件成本。又,藉由減少驅動部71的數量,對基板W1的物理接觸次數變少,可降低對基板W1的物理影響。又,在第三(A)圖所示的搬送部70,也可以配置第二白努利夾頭單元73於驅動部71間。在該情況下,可以更穩定維持基板W1的面內方向D2(參照第三(B)圖)的位置。
又,如第三(A)圖及第三(B)圖所示的搬送部70的驅動 部71,雖然具有輥做為一例,但並非受限於此。第四圖表示搬送部70的其他形態的圖。如第四圖所示,搬送部70也可以具有帶輸送機做為驅動部71,該帶輸送機具備接觸基板W1的帶。
回到第二圖,說明洗淨裝置50。如第二圖所示,在第一腔53,設有搬送部70的第一白努利夾頭單元72在面對圓盤型洗滌裝置81的位置。藉此,在以圓盤型洗滌裝置81洗淨基板W1表面時,可藉由第一白努利夾頭單元72從圓盤型洗滌裝置81的相反側保持主要壓力所施加的基板W1的部分。因此,即使將圓盤型洗滌裝置81壓抵至基板W1,也可以抑制基板W1的彎曲。
在第二腔54,設有:與第一腔53的搬送部70一樣的搬送部70;以及洗淨噴嘴裝置83(相當於處理部的一例),用來對基板W1進行噴射洗淨。洗淨噴嘴裝置83具有在基板W1的寬方向配列的複數個噴嘴或在基板W1的寬方向延伸的單一噴嘴,將純水等洗淨液吹抵基板W1的表面來非接觸地洗淨基板W1表面。在圖示的實施形態,兩個洗淨噴嘴裝置83被配置於第一腔53內,被構成為可分別洗淨基板W1的兩面。又,洗淨噴嘴裝置83的數量為任意,也可以構成為只洗淨基板W1的單面。洗淨噴嘴裝置83被設在搬送部70的第一白努利夾頭單元72間。
在第三腔55,設有鉛直搬送機構85,鉛直搬送機構85接受來自第二腔54所搬送的基板W1,將基板W1向第四腔56在鉛直方向搬送。鉛直搬送機構85具有例如:第三白努利夾頭85a,在水平姿勢下保持基板W1的下面;以及升降機85b,使第三白努利夾頭85a升降。在第三腔55,也可以設有圖未顯示的旋轉機構,該旋轉機構將從第二腔54傾斜搬送的基板W1旋轉為水平姿勢。第三白努利夾頭85a從此旋轉機構接收水平姿勢的基板W並非接觸地保持。又,在第三腔55,也可以設有圖未顯示的旋轉機構,該旋轉機構從第三白努利夾頭85a接受水平姿勢的基板W1,使基板W1傾斜。此旋轉機構將傾斜的基板W1傳遞到設在第四腔56的搬送部70。
在第四腔56設有:與第一腔53的搬送部70一樣的搬送部70;以及輥型洗滌裝置87(相當於處理部的一例),用來對基板W1進行洗滌洗淨。輥型洗滌裝置87具有接觸基板W表面的輥刷。做為輥刷的材料, 可使用例如尼龍刷、PVA海綿、不織布等。輥刷被配置成平行於基板W1表面,在洗淨基板W1時,藉由彈簧等控制壓抵壓力成以特定壓力壓抵制基板W1,控制位置以固定與基板W1的距離。輥型洗滌裝置87從圖未顯示的純水噴嘴供給純水至輥刷,防止輥刷乾燥。輥型洗滌裝置87被設在搬送部70的第一白努利夾頭單元72間。在圖示的實施形態中,三個輥型洗滌裝置87被配置在第四腔56內。
在第五腔57設有:與第一腔53的搬送部70一樣的搬送部70;氣刀裝置88(相當於處理部的一例),用來非接觸地乾燥基板W1表面;以及電離器89,用來對基板W1表面除去靜電。氣刀裝置88為例如具有用來噴出壓縮氣體成薄層狀的細長縫隙,藉由將壓縮氣體吹抵至基板W1的兩片或單面,來除去或乾燥附著於基板W1的洗淨液。氣刀裝置88的縫隙也可以配置成垂直於基板W1的寬方向,但較佳為對基板W1的寬方向具有角度以向著基板W1的下端擦拭洗淨液。電離器89將具有特定極性的離子放出至基板W1表面,可對基板W1表面除去靜電。氣刀裝置88及電離器89被設在搬送部70的第一白努利夾頭單元72間。
因為在第五腔57進行基板W1的乾燥,所以在第五腔57所設的搬送部70的第一白努利夾頭單元72及第二白努利夾頭單元73採用氣動式白努利夾頭。藉此,搬送部70不妨礙基板W1的乾燥。
在第三腔55、第四腔56及第五腔57的上部,設有從上方向下方送出氣體的FFU(Fun Filter Unit)等送風單元60。做為從送風單元60送出的氣體,可使用例如潔淨乾燥空氣或氮氣。藉由從送風單元60送風,可將洗淨裝置50內的微粒壓抑在下方,可保持第三腔55、第四腔56及第五腔57內的大氣清淨。
在各第一腔53、第二腔54、第三腔55、第四腔56及第五腔57,為了防止基板W1的乾燥,也可以適當設置液體供給噴嘴,來供給純水等液體至基板W1。
以上,使用已說明的洗淨裝置50來說明關於洗淨基板W1的程序。首先,在第一圖所示的鍍覆裝置100所鍍覆的基板W1,由基板搬送裝置27所保持。基板搬送裝置27經由入口51將基板W1投入第一腔53 內。被投入的基板W1,在第一腔53,在傾斜的狀態下被搬送部70搬送,並被圓盤型洗滌裝置81洗淨。在以圓盤型洗滌裝置81進行的洗淨中,也可以搬送並洗淨基板W1,也可以斷續地進行基板W1的搬送並洗淨。
在第一腔53所洗淨的基板W1被投入第二腔54。在第二腔54,基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被洗淨噴嘴裝置83非接觸地洗淨。在第二腔54所洗淨的基板W1被投入第三腔55。在第三腔55藉由圖未顯示的旋轉機構,將從第二腔54接收的基板W1從傾斜姿勢變成水平姿勢,並傳遞至鉛直搬送機構85的第三白努利夾頭85a。基板W1被第三白努利夾頭85a保持並被升降機85b搬送至鉛直方向。在鉛直方向搬送的基板W1,藉由圖未顯示的旋轉機構,從水平姿勢改變為傾斜姿勢,被傳遞到第四腔56的搬送部70。
在第四腔56,基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被輥型洗滌裝置87洗淨。在第四腔56洗淨的基板W1被投入至第五腔。在第五腔57,基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被氣刀裝置88除去或乾燥基板W1表面的洗淨液。然後,基板W1被電離器89除去靜電後,被基板搬送裝置27從出口52取出。基板搬送裝置27將洗淨及乾燥過的基板W1收納至第一圖所示的匣台25內的匣25a。
然後,說明關於洗淨裝置50的其他構成例。第五圖是關於其他形態的洗淨裝置50的概略側剖面圖。第五圖所示的洗淨裝置50與第二圖所示的洗淨裝置50一樣,具有第一腔53、第二腔54、第三腔55、第四腔56及第五腔57。由於具有與第二圖所示的洗淨裝置50類似的結構,所以將以不同的部分為中心來說明。
在第一腔53,設有搬送部70、圓盤型洗滌裝置81以及洗淨噴嘴裝置83。在第一腔53,基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被圓盤型洗滌裝置81洗淨,然後被洗淨噴嘴裝置83洗淨。在第二腔54,設有搬送部70與輥型洗滌裝置87。在第一腔53,在第一腔53洗淨的基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被輥型洗滌裝置87洗淨。
在第三腔55,設有鉛直搬送機構86,鉛直搬送機構86接收從第二腔54搬送的基板W1,將基板W1向第四腔56在鉛直方向搬送。在 第五圖所示的鉛直搬送機構86,具有:第三白努利夾頭86a、臂部86b、支柱86c以及滑件86d。第三白努利夾頭86a被構成為保持基板W1的上面在水平姿勢。臂部86b從支柱86c以大致水平延伸,保持第三白努利夾頭86a。支柱86c支持臂部86b。滑件86d被構成為沿著支柱86c使臂部86b升降。
從第二腔54搬送的基板W1藉由圖未顯示的旋轉機構,從傾斜姿勢變成水平姿勢,傳遞至鉛直搬送機構86的第三白努利夾頭86a。滑件86d沿著支柱86c使臂部86b上升,將被第三白努利夾頭86a保持的基板W1搬送到鉛直方向。然後,基板W1被搬送到第四腔56。
在第四腔56,設有水平搬送基板W1的水平搬送機構90。做為水平搬送機構90,可採用例如第三(A)圖及第三(B)圖所示的搬送部70。在此情況下的搬送部70,為了可水平地搬送基板W1,調整第一白努利夾頭單元72及第二白努利夾頭單元73的設置角度。或者是,水平搬送機構90也可以具有輥,該輥被配置成只接觸基板W1的背面的寬方向中央部與兩邊緣部。搬送到第四腔56的基板W1藉由水平搬送機構90搬送至第五腔57。在第五腔57與第二圖所示的第五腔57一樣,設有搬送部70、氣刀裝置88以及電離器89。
第六圖是關於其他形態的洗淨裝置50的概略側剖面圖。第六圖所示的洗淨裝置50與第二圖及第五圖所示的洗淨裝置50一樣,具有:第一腔53、第二腔54、第三腔55、第四腔56及第五腔57。第六圖所示的洗淨裝置50,由於具有與第二圖及第五圖所示的洗淨裝置50類似的結構,所以將以不同的部分為中心來說明。
在第一腔53,設有:搬送部70,將基板W1在傾斜狀態下搬送;以及研磨裝置91(相當於處理部的一例),用來對基板W1進行研磨。在第一腔53中,第一白努利夾頭單元72以特定間隔分離成研磨裝置91配置於其間。
說明關於研磨裝置91的具體結構。第七圖是第六圖所示的研磨裝置91的概略側剖面圖。如第七圖所示,研磨裝置91具有:旋轉馬達92、研磨頭93(相當於頭部的一例)、臂94、升降馬達95、平移板96、平移馬達97以及固定板98。
固定板98被固定於第一腔53內。平移板96被構成為藉由平移馬達97相對於固定板98的面並行移動。臂94被安裝於平移板96,被構成為藉由升降馬達95在垂直於平移板96的平移方向的方向升降。又,臂94保持研磨頭93成可旋轉。研磨頭93被構成為藉由旋轉馬達92來旋轉。
研磨裝置91為了研磨傾斜搬送的基板W1,傾斜設置在第一腔53內。平移板96藉由相對於固定板98平移,可平行於基板W1表面使研磨頭93移動。又,臂94藉由在垂直於平移板96的平移方向的方向移動,可使研磨頭93移動成接近或離開基板W1。在研磨基板W1時,使旋轉的研磨頭93接近基板W1,以研磨頭93按壓基板W1的平面。又,在研磨間,藉由使研磨頭93在平行於基板W1的表面移動,可研磨基板W1的全表面。
研磨頭93具有:研磨面93d,面對基板W1;研磨帶93a,設成從研磨面93d露出;捲出輥93b,捲出研磨帶93a;捲取輥93c,捲取研磨帶93a。研磨帶93a為例如在寬約10~60mm,長約20~100m的基膜的單面,黏著鑽石粒子或SiC粒子等研磨粒而構成。使用於研磨帶93a的研磨粒對應基板W1種類或需求的研磨條件來適當選擇,例如平均粒徑0.1~5μm範圍的鑽石粒子或SiC粒子等。又,研磨帶93a也可以是不黏著研磨粒的帶狀研磨布。可使用例如聚酯、聚胺酯、聚對苯二甲酸乙二酯等具有可撓性的材料做為基膜。
研磨帶93a伴隨著基板W1的研磨進行,逐漸或階段性地,以特定速度從捲出輥93b向捲取輥93c在一方向傳送。藉此,因為從研磨帶93a的研磨面93d露出的部分成為未使用部分,所以可經常使正常的研磨帶93a接觸基板W1。在第七圖所示的例中,雖然研磨頭93具有研磨帶93a、捲出輥93b以及捲取輥93c,但這些也可以具有複數組。
第八圖表示以研磨裝置91研磨基板W1的例的斜視圖。如第八圖所示,在面對研磨裝置91的研磨頭93的位置,配置具備第一白努利夾頭單元72的有多孔質台板99。多孔質台板99是由多孔陶瓷或多孔碳所形成,在面對基板W1的寬方向兩端部的位置具有吸引孔99a。藉由圖未 顯示的真空源從吸引孔99a吸引空氣,搬送到多孔質台板99上的基板W1的端部被吸附於吸引孔99a。藉此,因為在研磨頭93研磨基板W1時所產生的摩擦,可抑制基板W1偏離第一白努利夾頭單元72。
第九圖及第十圖表示以研磨頭93研磨基板W1時的基板W1的搬送與研磨頭93的動作的例的概略圖。在第九圖及第十圖所示的例中,準備兩個研磨裝置91,位於搬送方向上流側的研磨裝置91進行粗研磨,位於搬送方向下流側的研磨裝置進行細研磨(最終研磨)。在第九圖所示的例中,基板W1被間歇地搬送。也就是說,重複特定距離的基板W1的搬送與特定時間的搬送停止。在此情況下,研磨裝置91的研磨頭93在停止搬送基板W1間於基板W1的寬方向移動,基板W1在研磨頭93移動停止間僅被搬送特定距離。在第十圖所示的例中,基板W1被連續搬送,研磨頭93連續地往返移動。在此情況下,同時進行基板W1的搬送與研磨頭93的移動。
回到第六圖,說明洗淨裝置50。在第二腔54,與第五圖所示的第一腔53一樣,設有搬送部70、圓盤型洗滌裝置81以及洗淨噴嘴裝置83。在第二腔54,基板W1在傾斜狀態下被搬送部70搬送,並被圓盤型洗滌裝置81洗淨,然後被洗淨噴嘴裝置83洗淨。
在第三腔55,與第二圖所示的第三腔55一樣,設有具備第三白努利夾頭85a與升降機85b的鉛直搬送機構85。在第四腔56,與第二圖所示的第四腔56及第五圖所示的第二腔54一樣,設有搬送部70與輥型洗滌裝置87。在第五腔57,與第二圖及第五圖所示的第五腔57一樣,設有搬送部70、氣刀裝置88與電離器89。
第十一圖是關於其他形態的洗淨裝置50的概略側剖面圖。在第十一圖所示的洗淨裝置50,具有第一腔53、第二腔54、第三腔55、第四腔56、第五腔57、第六腔58以及第七腔59。因為在第十一圖所示的洗淨裝置50,具有類似第二圖及第五圖所示的洗淨裝置50,所以以不同的部分為中心來說明。
在第一腔53,與第六圖所示的第一腔53一樣,設有:搬送部70,將基板W1在傾斜狀態下搬送;以及研磨裝置91,用來對基板W1 進行研磨。第一腔53的研磨裝置91研磨基板W1的上面。在第二腔54設有反轉機構84,反轉機構84將從第一腔53搬送來的基板W1表背反轉。反轉機構84具有第三(A)圖及第三(B)圖所示的搬送部70。反轉機構84藉由搬送部70的驅動部71、第一白努利夾頭單元72以及第二白努利夾頭單元73(參照第三(A)圖及第三(B)圖)保持從第一腔53接收的基板W1,使其表背反轉。反轉後的基板W1被搬送部70搬送到第三腔55。
在第三腔55,與第六圖所示的第一腔53一樣,設有:搬送部70,將基板W1在傾斜狀態下搬送;以及研磨裝置91,用來對基板W1進行研磨。第三腔55的研磨裝置91研磨反轉後的基板W的上面。因此,藉由第一腔53的研磨裝置91與第三腔55的研磨裝置91,研磨基板W1的兩面。
在第四腔56,與第二圖及第六圖所示的第三腔55一樣,設有具備第三白努利夾頭85a與升降機85b的鉛直搬送機構85。在第此腔57,與第二圖及第六圖所示的第四腔56及第五圖所示的第二腔54一樣,設有搬送部70與輥型洗滌裝置87。在第六腔58,與第五圖所示的第一腔53及第六圖所示的第二腔54一樣,設有搬送部70、圓盤型洗滌裝置81以及洗淨噴嘴裝置83。在第七腔59,與第二圖、第五圖及第六圖所示的第五腔57一樣,設有搬送部70、氣刀裝置88與電離器89。
如以上所說明,根據關於本實施形態的洗淨裝置50,因為搬送部70保持基板W1的上端部的端面並搬送基板W1,所以即使以傾斜姿勢搬送基板W1,也可以抑制基板W1彎曲。又,如第二、五、六及十一圖所示,即使在具有包含洗淨處理、研磨處理及乾燥處理的各種處理部的處理裝置中,藉由搬送部70,也可以抑制基板W1彎曲並適當搬送。
接下來,說明關於本實施形態的具備處理裝置的其他鍍覆裝置的例。第十二圖是關於本實施形態的具備處理裝置的其他鍍覆裝置的整體配置圖。關於本實施形態的鍍覆裝置具有洗淨裝置50做為處理裝置的一例。鍍覆裝置200如第十二圖所示,大致區分成:裝載部210,將基板裝載於基板夾具;處理部220,處理基板;卸載部230,從基板夾具卸載基板;以及洗淨部50a。處理部220更包含:前處理部220A,進行基板前處理; 鍍覆處理部220B,對基板進行鍍覆處理;以及後處理部220C,進行基板後處理。又,以此鍍覆裝置200處理的基板,與第一圖所示的鍍覆裝置100一樣,包含角形基板、圓形基板。又,角形基板包含角形印刷基板或其他鍍覆對象物。
在裝載部210配置有兩台匣台25、基板裝卸機構29a、儲存器30、基板搬送裝置27a以及基板搬送裝置27a的行進機構28a。裝載部210的基板裝卸機構29a使基板保持在圖未顯示的基板夾具。在裝載部210的後段側,配置有前處理部220A。前處理部220A具有預濕箱32、預浸槽33以及預清洗槽34。預濕箱32、預浸槽33以及預清洗槽34是以此順序配置。
在前處理部220A的後段側配置有鍍覆處理部220B。鍍覆處理部220B具有:複數個鍍覆槽39,具備溢流槽38。在鍍覆處理部220B的後段側配置有後處理部220C。後處理部220C具有清洗槽36與流動槽35。清洗槽36與流動槽35是向著後段側以此順序配置。
在後處理部220C的後段側,配置有卸載部230。在卸載部230配置有兩台匣台25、基板裝卸機構29b、基板搬送裝置27b以及基板搬送裝置27b的行進機構28b。洗淨部50a具有第二圖所示的洗淨裝置50。基板搬送裝置27b被構成為將鍍覆處理後的基板搬送至洗淨裝置50,並從洗淨裝置50取出。
鍍覆裝置200具有:基板夾具搬送裝置37a、37b,位於這些各機器的側方,在這些各機器之間與基板一起搬送基板夾具。基板夾具搬送裝置37a、37b被構成為在基板裝卸機構29a、29b、預濕箱32、預浸槽33、預清洗槽34、流動槽35、清洗槽36及鍍覆槽39之間搬送基板夾具。如第三圖所示,設置兩個基板夾具搬送裝置37a、37b的情況下,藉由一個基板夾具搬送裝置只搬送保持鍍覆處理前的基板的基板夾具,另一個基板夾具搬送裝置只搬送保持鍍覆處理後的基板的基板夾具,來抑制基板夾具傳遞的等待時間產生。又,基板夾具搬送裝置37a、37b的僅任一者也可以設於鍍覆裝置200。在此情況下,可以減少鍍覆裝置的設置面積。
如以上所說明,關於本實施形態的洗淨裝置50,也可以安 裝於鍍覆裝置200,鍍覆裝置200分離配置有如第十二圖所示的裝載部210與卸載部230。
以上,雖然說明了關於本發明的實施形態,但上述發明的時師形態是用來容易理解本發明者,並非限定本發明。本發明在不脫離其要旨下可變更、改良,且本發明當然包含其均等物。又,在可解決上述課題的至少一部分的範圍內,或達成至少一部效果的範圍內,可任意組合或省略申請專利範圍及說明書所記載的各構成要素。
以下記載本說明書揭露的數個態樣。
根據第一態樣,提供一種處理裝置。此處理裝置,具有:搬送部,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及處理部,對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨、洗淨及乾燥。前述搬送部具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
根據第一態樣,因為第二白努利夾頭面對被處理物的端面配置,所以可保持被處理物的端部的端面。因此,即使在傾斜姿勢下搬送被處理物,也可以抑制被處理物彎曲。又,因為可藉由第二白努利夾頭保持被處理物的面內方向的位置,所以可使被處理物的下端部穩定接觸驅動部並穩定搬送。
第二白努利夾頭不能限制被處理物在厚度方向移動。因此,在被處理物非常柔軟的情況下,若被處理物的端部彎曲並偏離第二白努利夾頭的對面位置,則第二白努利夾頭變得無法適當保持被處理物的端面。但是,根據第一態樣,因為第一白努利夾頭是面對被處理物的平面配置,所以可限制被處理物在厚度方向移動,可防止被處理物的端部彎曲。因此,即使在被處理物非常柔軟的情況下,也可以保持被處理物的端部在第二白努利夾頭的對面位置,結果是第二白努利夾頭可適當保持被處理物的端部的端面。
又,根據第一態樣,被處理物的一端部被驅動部搬送,其相 反側的端部被第二白努利夾頭保持。因此,相較於以輥等驅動部搬送被處理物的下端部及上端部兩者的情況,可減少驅動部的數量。因為驅動部物理地接觸被處理物,所以因摩耗導致需要定期更換。因此,藉由減少驅動部的數量,更換的驅動部的數量也減少,可以降低需要更換的作業成本及部件成本。又,藉由減少驅動部的數量,對被處理物的物理接觸次數、接觸時間變少,可降低對被處理物的物理影響。
根據第二態樣,在第一態樣的處理裝置中,前述搬送部被構成為前述被處理物的前述平面相對於水平以5°以上85°以下的角度傾斜的狀態下搬送前述被處理物。
在處理裝置中,當對被處理物實施使用液體的處理時,被處理物表面所附著的微粒被液體洗去。此時,當傾斜角度未滿5°時,包含微粒的液體難以從被處理物落下。又,當傾斜角度超過85°時,因為液體是從被處理物直接落下,所以被處理物有乾燥之虞。當被處理物乾燥,附著於被處理物的洗淨液所包含的微粒會殘留在被處理物表面。因此,根據第二態樣,可使包含微粒的液體落下,並抑制被處理物的乾燥。
根據第三態樣,在第一或第二態樣的處理裝置,具有:複數個前述第一白努利夾頭,在前述被處理物的兩面相對配置。
根據第三態樣,因為被處理物的兩面被第一白努利夾頭所保持,所以可更確實地限制被處理物在厚度方向移動。
根據第四態樣,在第一~第三態樣中的任一的處理裝置,具有:複數個前述第一白努利夾頭,沿著前述被處理物的搬送方向配置,前述處理部被配置在沿著前述被處理物的搬送方向配置的複數個前述第一白努利夾頭之間。
根據第四態樣,因為處理部被配置在第一白努利夾頭之間,所以可以用第一白努利夾保持被處理物的被處理部所處理的部分的兩側,可以穩定進行以處理部進行的處理。
根據第五態樣,在第一至第四態樣中的任一處理裝置中,前述第二白努利夾頭在前述被處理物的搬送方向比前述第一白努利夾頭更長。
根據第五態樣,可以藉由第二白努利夾頭將被處理物的端面保持在寬廣範圍內,並在第一白努利夾頭間確保配置用於研磨、洗淨、乾燥的處理部的空間。
根據第六態樣,在第一至第五態樣中的任一處理裝置中,前述第一白努利夾頭夾著前述被處理物,配置於面對前述處理部的位置。
根據第六態樣,在以處理部處理被處理物的表面時,可藉由第一白努利夾頭單元從處理部的相反側保持主要壓力所施加的被處理物的部分。因此,即使將處理物壓抵至被處理物,也可以抑制被處理物的彎曲。
根據第七態樣,在第一至第六態樣中的任一處理裝置,具有:被處理物的入口;前述被處理物的出口;第一搬送路徑,搬送從前述入口投入的前述被處理物;第二搬送路徑,在前述第一搬送路徑,在搬送前述被處理物的方向的相反方向搬送前述被處理物,連接前述第一搬送路徑及前述出口;鉛直搬送路徑,連接前述第一搬送路徑與前述第二搬送路徑;以及鉛直搬送機構,在前述鉛直搬送路徑,從前述第一搬送路徑向前述第二搬送路徑,在鉛直方向搬送前述被處理物。
根據第七態樣,因為在第一搬送路徑與第二搬送路徑,被處理物在反方向被搬送,所以藉由第一搬送路徑與第二搬送路徑形成往返路徑,可減少洗淨裝置整體長度,並確保充分的路徑長度。又,因為藉由第一搬送路徑與第二搬送路徑形成往返路徑,所以可接近配置入口與出口。藉此,一台被處理物搬送裝置不用大幅移動,可進行對入口投入被處理物、從出口取出被處理物。
根據第八態樣,在第七態樣的處理裝置中,前述鉛直搬送機構具有:第三白努利夾頭,被構成為非接觸地保持前述被處理物。根據第八態樣,可非接觸地鉛直搬送被處理物。
根據第九態樣,提供一種鍍覆裝置,具備第一至第七態樣的處理裝置。此鍍覆裝置具備:鍍覆處理部以及基板搬送部。前述基板搬送部被構成為將以前述鍍覆處理部鍍覆處理過的前述被處理物投入前述處理裝置的入口,從前述出口取出以前述處理裝置處理過的前述被處理物。
根據第十態樣,提供一種處理方法。此處理方法,具有下列 步驟:在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨、洗淨及乾燥;前述搬送步驟具有下列步驟:物理地施加搬送方向的力至前述被處理物的端部;以第一白努利夾頭保持前述被處理物的前述平面,以限制前述被處理物的厚度方向的移動;以及以第二白努利夾頭保持與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面,以限制垂直於前述搬送方向的前述被處理物的的面內方向的移動。
根據第十態樣,第二白努利夾頭可保持被處理物的端部的端面。因此,即使在傾斜姿勢下搬送被處理物,也可以抑制被處理物彎曲。又,因為可藉由第二白努利夾頭保持被處理物的面內方向的位置,所以可使被處理物的下端部穩定接觸驅動部並穩定搬送。
第二白努利夾頭不能限制被處理物在厚度方向移動。因此,在被處理物非常柔軟的情況下,若被處理物的端部彎曲並偏離第二白努利夾頭的對面位置,則第二白努利夾頭變得無法適當保持被處理物的端面。但是,根據第十態樣,因為第一白努利夾頭保持被處理物的平面,所以可限制被處理物在厚度方向移動,可防止被處理物的端部彎曲。因此,即使在被處理物非常柔軟的情況下,也可以保持被處理物的端部在第二白努利夾頭的對面位置,結果是第二白努利夾頭可適當保持被處理物的端部的端面。
又,根據第十態樣,搬送方向的力被物理地施加於被處理物的一端部,其相反側的端部被第二白努利夾頭保持。因此,相較於物理力被施加於被處理物的下端部及上端部兩者的情況,可減少對被處理物的物理接觸次數、接觸時間,可降低對被處理物的物理影響。
根據第十一態樣,在第十態樣的處理方法中,前述搬送步驟包含:前述被處理物的前述平面在相對於水平傾斜5°以上85°以下的角度的狀態下搬送前述被處理物的步驟。
當對被處理物實施使用液體的處理時,被處理物表面所附著的微粒被液體洗去。此時,當傾斜角度未滿5°時,包含微粒的液體難以從被處理物落下。又,當傾斜角度超過85°時,因為液體是從被處理物直接落 下,所以被處理物有乾燥之虞。當被處理物乾燥,附著於被處理物的洗淨液所包含的微粒會殘留在被處理物表面。因此,根據第十一態樣,可使包含微粒的液體落下,並抑制被處理物的乾燥。
根據第十二態樣,在第十或第十一態樣的處理方法中,以前述第一白努利夾頭保持的步驟,具有:以複數個前述第一白努利夾頭保持前述被處理物的兩面的步驟。
根據第十二態樣,因為被處理物的兩面被第一白努利夾頭所保持,所以可更確實地限制被處理物在厚度方向移動。
根據第十三態樣,在第十至第十二態樣中的任一處理方法中,前述搬送步驟具有:經由第一搬送路徑搬送前述被處理物;鉛直搬送步驟,從前述第一搬送路徑向著第二送路徑在鉛直方向搬送前述被處理物;以及經由前述第二搬送路徑搬送前述被處理物。前述鉛直搬送步驟用第三白努利夾頭非接觸地保持並搬送前述被處理物。根據第十三態樣,在從第一搬送路徑向著第二搬送路徑的鉛直搬送路徑,可非接觸地在鉛直方向搬送被處理物。
根據第十四態樣,在第十至第十三態樣中的任一處理方法中,進行至少一研磨、洗淨及乾燥的前述處理步驟,包含:保持在頭部,進行使以特定速度在一方向傳送的帶部件按壓至前述被處理物的前述平面的步驟。
根據第十五態樣,在第十至第十四態樣中的任一處理方法中,其中進行至少一研磨、洗淨及乾燥的前述處理步驟,包含:進行使保持在頭部的片狀部件按壓前述被處理物的前述平面的步驟。
根據第十六態樣,提供一種搬送裝置,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物。此搬送裝置具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
根據第十六態樣,因為第二白努利夾頭面對被處理物的端面 配置,所以可保持被處理物的端部的端面。因此,即使在傾斜姿勢下搬送被處理物,也可以抑制被處理物彎曲。又,因為可藉由第二白努利夾頭保持被處理物的面內方向的位置,所以可使被處理物的下端部穩定接觸驅動部並穩定搬送。
第二白努利夾頭不能限制被處理物在厚度方向移動。因此,在被處理物非常柔軟的情況下,若被處理物的端部彎曲並偏離第二白努利夾頭的對面位置,則第二白努利夾頭變得無法適當保持被處理物的端面。但是,根據第十六態樣,因為第一白努利夾頭面對被處理物的平面來配置,所以可限制被處理物在厚度方向移動,可防止被處理物的端部彎曲。因此,即使在被處理物非常柔軟的情況下,也可以保持被處理物的端部在第二白努利夾頭的對面位置,結果是第二白努利夾頭可適當保持被處理物的端部的端面。
又,根據第十六態樣,被處理物的一端部被驅動部搬送,其相反側的端部被第二白努利夾頭保持。因此,相較於以輥等驅動部搬送被處理物的下端部及上端部兩者的情況,可減少驅動部的數量。因為驅動部物理地接觸被處理物而摩耗,所以需要定期更換。因此,藉由減少驅動部的數量,更換的驅動部的數量也減少,可以降低需要更換的作業成本及部件成本。又,藉由減少驅動部的數量,對被處理物的物理接觸次數、接觸時間變少,可降低對被處理物的物理影響。

Claims (16)

  1. 一種處理裝置,具有:搬送部,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及處理部,對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨、洗淨及乾燥,前述搬送部具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,其中前述搬送部被構成為前述被處理物的前述平面相對於水平以5°以上85°以下的角度傾斜的狀態下搬送前述被處理物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,具有:複數個前述第一白努利夾頭,在前述被處理物的兩面相對配置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,具有:複數個前述第一白努利夾頭,沿著前述被處理物的搬送方向配置;前述處理部被配置在沿著前述被處理物的搬送方向配置的複數個前述第一白努利夾頭之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,其中前述第二白努利夾頭在前述被處理物的搬送方向比前述第一白努利夾頭更長。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,其中前述第一白努利夾頭夾著前述被處理物,配置於面對前述處理部的位置。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的處理裝置,具有:被處理物的入口;前述被處理物的出口;第一搬送路徑,搬送從前述入口投入的前述被處理物;第二搬送路徑,在前述第一搬送路徑,在搬送前述被處理物的方向的相反方向搬送前述被處理物,並連接前述第一搬送路徑及前述出口; 鉛直搬送路徑,連接前述第一搬送路徑與前述第二搬送路徑;以及鉛直搬送機構,在前述鉛直搬送路徑,從前述第一搬送路徑向前述第二搬送路徑,在鉛直方向搬送前述被處理物。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的處理裝置,其中前述鉛直搬送機構具有:第三白努利夾頭,被構成為非接觸地保持前述被處理物。
  9. 一種鍍覆裝置,具備如申請專利範圍1~8中任一項所述之處理裝置,具備:鍍覆處理部;以及基板搬送部,被構成為將以前述鍍覆處理部鍍覆處理過的前述被處理物投入前述處理裝置的入口,從前述出口取出以前述處理裝置處理過的前述被處理物。
  10. 一種處理方法,具有下列步驟:在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物;以及對於前述被處理物的前述平面,進行至少一研磨、洗淨及乾燥;前述搬送步驟具有下列步驟:物理地施加搬送方向的力至前述被處理物的端部;以第一白努利夾頭保持前述被處理物的前述平面,以限制前述被處理物的厚度方向的移動;以及以第二白努利夾頭保持與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面,以限制垂直於前述搬送方向的前述被處理物的的面內方向的移動。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的處理方法,其中前述搬送步驟包含:前述被處理物的前述平面在相對於水平傾斜5°以上85°以下的角度的狀態下搬送前述被處理物的步驟。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的處理方法,其中以前述第一白努利夾頭保持的步驟,具有:以複數個前述第一白努利夾頭保持前述被處理物的兩面的步驟。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的處理方法,其中前述搬送步驟具有:經由第一搬送路徑搬送前述被處理物;鉛直搬送步驟,從前述第一搬送路徑向著第二送路徑在鉛直方向搬送前 述被處理物;以及經由前述第二搬送路徑搬送前述被處理物;前述鉛直搬送步驟用第三白努利夾頭非接觸地保持並搬送前述被處理物。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的處理方法,其中進行至少一研磨、洗淨及乾燥的前述處理步驟,包含:保持在頭部,進行使以特定速度在一方向傳送的帶部件按壓至前述被處理物的前述平面的步驟。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的處理方法,其中進行至少一研磨、洗淨及乾燥的前述處理步驟,包含:進行使保持在頭部的片狀部件按壓前述被處理物的前述平面的步驟。
  16. 一種搬送裝置,在被處理物的平面相對於水平於搬送方向軸周圍傾斜的狀態下搬送前述被處理物,具有:驅動部,被構成為物理地接觸前述被處理物的端部,並施加搬送方向的力至前述被處理物;第一白努利夾頭,被配置成面對前述被處理物的前述平面;以及第二白努利夾頭,被配置成面對與前述被處理物的前述端部相反側的端部的端面。
TW106132604A 2016-11-22 2017-09-22 處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法 TWI713790B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-226807 2016-11-22
JP2016226807A JP6297660B1 (ja) 2016-11-22 2016-11-22 処理装置、これを備えためっき装置、搬送装置、及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201820520A true TW201820520A (zh) 2018-06-01
TWI713790B TWI713790B (zh) 2020-12-21

Family

ID=61629109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106132604A TWI713790B (zh) 2016-11-22 2017-09-22 處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11396714B2 (zh)
JP (1) JP6297660B1 (zh)
KR (1) KR102320081B1 (zh)
CN (1) CN109997216A (zh)
TW (1) TWI713790B (zh)
WO (1) WO2018096768A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101964150B1 (ko) * 2017-01-10 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치 및 그것을 이용한 기판 세정 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536658A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄・乾燥装置
JP3042598B2 (ja) 1996-07-09 2000-05-15 ニチデン機械株式会社 基板の搬送装置
JP3042598U (ja) 1997-04-17 1997-10-21 鈴木化工株式会社 ごみ袋携帯ポシェット
WO2002049761A2 (en) * 2000-12-18 2002-06-27 Protedyne Corporation Automated laboratory system and method
JP3587788B2 (ja) * 2001-02-27 2004-11-10 住友精密工業株式会社 昇降式基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
US6971835B2 (en) * 2001-12-21 2005-12-06 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Vapor-phase epitaxial growth method
JP4229670B2 (ja) * 2002-09-30 2009-02-25 株式会社日本設計工業 薄板状材の搬送方法及び装置
JP2006326754A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Tokki Corp ポリシング装置
KR20080085646A (ko) * 2007-03-19 2008-09-24 에프엔에스테크 주식회사 기판이송장치
JP4905806B2 (ja) * 2008-04-24 2012-03-28 日本電気硝子株式会社 ガラス板積載台車
JP5155755B2 (ja) 2008-07-10 2013-03-06 株式会社荏原製作所 磁性体膜めっき装置及びめっき処理設備
WO2011001767A1 (ja) * 2009-07-03 2011-01-06 国立大学法人東北大学 ウェット処理装置及びウェット処理方法
JP2011236489A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Shimadzu Corp 成膜装置および集塵方法
US9757963B2 (en) * 2010-11-01 2017-09-12 Scodix Ltd. System and method for transporting substrates
KR101224122B1 (ko) * 2010-12-01 2013-01-21 주식회사 에스에프에이 비접촉식 기판 이송장치
JP6133120B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
US9468944B2 (en) * 2013-05-17 2016-10-18 Sst Systems, Inc. System and method with multi-axis tilting
JP6145334B2 (ja) * 2013-06-28 2017-06-07 株式会社荏原製作所 基板処理装置
WO2016052632A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社カネカ 試料移載システム及び太陽電池の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018096768A1 (ja) 2018-05-31
JP2018085405A (ja) 2018-05-31
US20190376203A1 (en) 2019-12-12
TWI713790B (zh) 2020-12-21
CN109997216A (zh) 2019-07-09
KR20190082962A (ko) 2019-07-10
JP6297660B1 (ja) 2018-03-20
US11396714B2 (en) 2022-07-26
KR102320081B1 (ko) 2021-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI787555B (zh) 基板處理裝置及處理方法
US9144881B2 (en) Polishing apparatus and polishing method
TWI616239B (zh) 擦洗器
KR100804715B1 (ko) 반도체기판회전유지장치 및 반도체기판처리장치
TWI629116B (zh) 清洗裝置、具備該清洗裝置之鍍覆裝置、以及清洗方法
KR20140099191A (ko) 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치
JP6157694B1 (ja) 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
US11367629B2 (en) Cleaning apparatus of cleaning tool, substrate processing apparatus, and cleaning method of cleaning tool
KR20170049926A (ko) 드레싱 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 연마 장치
CN110610848A (zh) 基板处理方法
JP6375166B2 (ja) Cmp後洗浄用の両面バフモジュール
JP3892635B2 (ja) 洗浄装置
JP4451429B2 (ja) 洗浄装置
JP2010114123A (ja) 基板処理装置及び基板洗浄方法
TWI713790B (zh) 處理裝置、具備該處理裝置之鍍覆裝置、搬送裝置、以及處理方法
JP6625461B2 (ja) 研磨装置
JP3762180B2 (ja) 洗浄装置
JP3439314B2 (ja) ウェーハの研磨装置システム
JP2011066198A (ja) 研削加工装置
JP6088099B1 (ja) 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
JP2019175933A (ja) 洗浄装置、これを備えためっき装置、及び洗浄方法
CN215342516U (zh) 基板磨削系统
KR101042320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3762176B2 (ja) 洗浄装置
CN116135458A (zh) 加工装置和加工方法