KR20190082962A - 처리 장치, 이것을 구비한 도금 장치, 반송 장치, 및 처리 방법 - Google Patents

처리 장치, 이것을 구비한 도금 장치, 반송 장치, 및 처리 방법 Download PDF

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KR20190082962A
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

기판(피처리물)의 휘어짐을 억제하면서, 안정적으로 피처리물을 반송한다. 처리 장치가 제공된다. 이 처리 장치는, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 피처리물을 반송하는 반송부와, 피처리물의 평면에 대해, 연마 및 세정 중 적어도 하나를 실행하는 처리부를 갖는다. 반송부는, 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와, 피처리물의 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과, 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척을 갖는다.

Description

처리 장치, 이것을 구비한 도금 장치, 반송 장치, 및 처리 방법
본 발명은 처리 장치, 이것을 구비한 도금 장치, 반송 장치, 및 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼나 프린트 기판 등의 기판의 표면에 배선이나 범프(돌기형 전극) 등을 형성하거나 하는 것이 행해지고 있다. 이 배선 및 범프 등을 형성하는 방법으로서, 전해 도금법이 알려져 있다.
전해 도금법에 이용하는 도금 장치에서는, 일반적으로는 300 ㎜의 직경을 갖는 웨이퍼 등의 원형 기판에 도금 처리를 행하고 있다. 그러나, 최근에는, 이러한 원형 기판에 한하지 않고, 각형(角形) 기판에 세정, 연마, 또는 도금 등을 하는 것이 요구되고 있다. 이러한 각형 기판은, 예컨대 원형의 웨이퍼로부터 작성한 칩 등을, 수지 재료로 이루어지는 기판의 한쪽 면 또는 양면에 부착함으로써 형성된다.
그런데, 기판을 반송할 때에, 반송 장치의 설치 면적을 축소하기 위해서, 기판을 종형의 자세로 한 상태로 반송하는 것이 알려져 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 또한, 기판을 반송할 때에, 세정 또는 연마 등의 액체를 필요로 하는 처리를 행하는 경우, 기판을 종형의 자세로 함으로써 기판 표면의 액 제거를 효율적으로 행할 수도 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 제3042598호
그러나, 특허문헌 1에 기재된 반송 장치에서는, 기판의 상단부가 자유단이 되기(기판의 상단부가 유지되지 않기) 때문에, 기판의 강성이 낮은 경우에는, 기판을 종형의 자세로 했을 때에 기판이 휘어질 가능성이 있다. 또한, 기판의 무게가 비교적 가벼운 경우에는, 반송 롤러 사이의 미소한 단차 등에 의해, 기판이 덜컹거리며 반송되어 반송 롤러로부터 단속적으로 이격될 우려가 있다. 이 경우, 기판과 반송 롤러와의 접촉이 적절히 행해지지 않아, 안정된 속도로 반송할 수 없는 경우가 있다. 이러한 문제점은, 각형 기판에 한하지 않고, 원형 기판이어도 마찬가지로 발생할 수 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것이다. 그 목적은, 기판(피처리물)의 휘어짐을 억제하면서, 안정적으로 피처리물을 반송하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 처리 장치가 제공된다. 이 처리 장치는, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마 및 세정 중 적어도 하나를 실행하는 처리부를 갖는다. 상기 반송부는, 상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척을 갖는다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송 장치가 제공된다. 이 반송 장치는, 상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척을 갖는다.
본 발명의 일 형태에 의하면, 처리 방법이 제공된다. 이 처리 방법은, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 공정과, 상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마 및 세정 중 적어도 하나를 실행하는 처리 공정을 갖는다. 상기 반송하는 공정은, 상기 피처리물의 단부에 반송 방향의 힘을 물리적으로 가하는 공정과, 상기 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 평면을 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정과, 상기 반송 방향과 직교하는 상기 피처리물의 면내 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면을 제2 베르누이 척으로 유지하는 공정을 갖는다.
도 1은 본 실시형태에 따른 처리 장치를 구비한 도금 장치의 전체 배치도이다.
도 2는 세정 장치의 개략 측단면도이다.
도 3a는 반송부의 측면도이다.
도 3b는 도 3a에 있어서의 화살표 A-A 방향에서 본 반송부의 단면도이다.
도 4는 반송부의 다른 형태를 도시한 도면이다.
도 5는 다른 형태에 따른 세정 장치의 개략 측단면도이다.
도 6은 다른 형태에 따른 세정 장치의 개략 측단면도이다.
도 7은 연마 장치의 개략 측단면도이다.
도 8은 연마 장치로 기판을 연마하는 예를 도시한 사시도이다.
도 9는 연마 헤드로 기판을 연마할 때의, 기판의 반송과 연마 헤드의 움직임의 예를 도시한 개략도이다.
도 10은 연마 헤드로 기판을 연마할 때의, 기판의 반송과 연마 헤드의 움직임의 예를 도시한 개략도이다.
도 11은 다른 형태에 따른 세정 장치의 개략 측단면도이다.
도 12는 본 실시형태에 따른 처리 장치를 구비한 다른 도금 장치의 전체 배치도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 이하에서 설명하는 도면에 있어서, 동일하거나 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙이고 중복된 설명을 생략한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 처리 장치를 구비한 도금 장치의 전체 배치도이다. 본 실시형태에 따른 도금 장치는, 처리 장치의 일례로서 세정 장치(50)를 갖는다. 도 1에 도시된 바와 같이, 이 도금 장치(100)는, 기판 홀더에 기판(피처리물의 일례에 상당함)을 로드하거나, 또는 기판 홀더로부터 기판을 언로드하는 로드/언로드부(110)와, 기판을 처리하는 처리부(120)와, 세정부(50a)로 크게 나뉜다. 처리부(120)는, 또한, 기판의 전처리 및 후처리를 행하는 전처리·후처리부(120A)와, 기판에 도금 처리를 행하는 도금 처리부(120B)를 포함한다. 도금 장치(100)의 로드/언로드부(110)와 처리부(120)와, 세정부(50a)는, 각각 다른 프레임(케이스)으로 둘러싸여 있다. 한편, 이 도금 장치(100)로 처리하는 기판은, 각형 기판, 원형 기판을 포함한다. 또한, 각형 기판은, 각형의 프린트 기판이나, 그 외의 도금 대상물 등을 포함한다.
로드/언로드부(110)는, 2대의 카세트 테이블(25)과, 기판 탈착 기구(29)를 갖는다. 카세트 테이블(25)은, 반도체 웨이퍼나 프린트 기판 등의 기판을 수납한 카세트(25a)를 탑재한다. 기판 탈착 기구(29)는, 기판을 도시하지 않은 기판 홀더에 착탈하도록 구성된다. 또한, 기판 탈착 기구(29)의 근방(예컨대 하방)에는 기판 홀더를 수용하기 위한 스토커(30)가 설치된다. 이들 유닛(25, 29, 30)의 중앙에는, 이들 유닛 사이에서 기판을 반송하는 반송용 로봇으로 이루어지는 기판 반송 장치(27)가 배치되어 있다. 기판 반송 장치(27)는, 주행 기구(28)에 의해 주행 가능하게 구성된다.
세정부(50a)는, 도금 처리 후의 기판을 세정하여 건조시키는 세정 장치(50)(처리 장치의 일례에 상당함)를 갖는다. 기판 반송 장치(27)는, 도금 처리 후의 기판을 세정 장치(50)에 반송하고, 세정 및 건조된 기판을 세정 장치(50)로부터 취출하도록 구성된다. 세정 장치(50)의 상세한 내용에 대해서는, 후술하는 도 2와 함께 설명한다.
전처리·후처리부(120A)는, 프리웨트조(32)와, 프리소크조(33)와, 프리린스조(34)와, 블로우조(35)와, 린스조(36)를 갖는다. 프리웨트조(32)에서는, 기판이 순수(純水)에 침지된다. 프리소크조(33)에서는, 기판의 표면에 형성한 시드층 등의 도전층의 표면의 산화막이 에칭 제거된다. 프리린스조(34)에서는, 프리소크 후의 기판이 기판 홀더와 함께 세정액(순수 등)으로 세정된다. 블로우조(35)에서는, 세정 후의 기판의 액 제거가 행해진다. 린스조(36)에서는, 도금 후의 기판이 기판 홀더와 함께 세정액으로 세정된다. 프리웨트조(32), 프리소크조(33), 프리린스조(34), 블로우조(35), 린스조(36)는, 이 순서로 배치되어 있다.
도금 처리부(120B)는, 오버플로우조(38)를 구비한 복수의 도금조(39)를 갖는다. 각 도금조(39)는, 내부에 하나의 기판을 수납하고, 내부에 유지한 도금액 중에 기판을 침지시켜 기판 표면에 구리 도금 등의 도금을 행한다. 여기서, 도금액의 종류는, 특별히 한정되는 일은 없고, 용도에 따라 여러 가지 도금액이 이용된다.
도금 장치(100)는, 이들 각 기기의 측방에 위치하여, 이들 각 기기 사이에서 기판 홀더를 기판과 함께 반송하는, 예컨대 리니어 모터 방식을 채용한 기판 홀더 반송 장치(37)를 갖는다. 이 기판 홀더 반송 장치(37)는, 기판 탈착 기구(29), 프리웨트조(32), 프리소크조(33), 프리린스조(34), 블로우조(35), 린스조(36), 및 도금조(39)와의 사이에서 기판 홀더를 반송하도록 구성된다.
다음으로, 도 1에 도시된 세정 장치(50)에 대해 상세히 설명한다. 도 2는 세정 장치(50)의 개략 측단면도이다. 도 2에 있어서는, 설명의 편의상, 도 1에 도시된 스토커(30) 및 기판 반송 장치(27)가 도시되어 있다. 도 2에 도시된 세정 장치(50)는, 전체적으로 5개의 챔버로 구성되어 있다. 구체적으로는, 세정 장치(50)는, 기판(W1)의 입구(51)를 구비하는 제1 챔버(53)와, 제2 챔버(54)와, 제3 챔버(55)와, 제4 챔버(56)와, 기판(W1)의 출구(52)를 구비하는 제5 챔버(57)를 갖는다. 제2 챔버(54)는, 제1 챔버(53) 및 제3 챔버(55)와 연통(連通)되어 있다. 제1 챔버(53) 및 제2 챔버(54)는, 기판(W1)을 수평 방향으로 반송하기 위한 제1 반송 경로를 구성한다. 제4 챔버(56)는, 제3 챔버(55) 및 제5 챔버(57)와 연통되어 있다. 제4 챔버(56) 및 제5 챔버(57)는, 기판(W1)을, 제1 반송 경로와는 반대 방향으로 반송하기 위한 제2 반송 경로를 구성한다. 제3 챔버(55)는, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로를 접속하는 연직 반송 경로를 구성한다. 본 실시형태에서는, 제1 챔버(53) 및 제2 챔버(54)로 이루어지는 제1 반송 경로는, 제4 챔버(56) 및 제5 챔버(57)로 이루어지는 제2 반송 경로의 하방에 위치한다. 그러나, 각 챔버의 배치 구성은 이것에 한하지 않고, 예컨대, 제1 챔버(53) 및 제2 챔버(54)로 이루어지는 제1 반송 경로가, 제4 챔버(56) 및 제5 챔버(57)로 이루어지는 제2 반송 경로의 하방에 위치해도 좋다. 또한, 세정 장치(50)의 설치 면적에 엄격한 제약이 없으면, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로를 가로 방향으로 병렬로 배치해도 좋다. 이 경우, 제3 챔버(55)는, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로를 접속하는 수평 방향의 반송 경로를 구성하고, 경로 전체가 평면에서 보아 대략 U자형이 된다.
이하, 제1 챔버(53)로부터 제5 챔버(57)의 구성을 설명한다. 제1 챔버(53)의 내부에는, 기판(W1)을 경사진 상태로 반송하는 반송부(70)(반송 장치의 일례에 상당함)와, 기판(W1)에 대해 스크럽 세정을 하기 위한 원반형 스크럽 장치(81)(처리부의 일례에 상당함)가 설치된다. 원반형 스크럽 장치(81)는, 원반 헤드(헤드부의 일례에 상당함)가 회전 가능하게 구성된다. 원반 헤드의 기판(W1)과 접촉하는 측의 면(하면)에는, 기판(W1)을 스크럽하기 위한 세정 부재가 설치되어 있다. 세정 부재로서, 예컨대, 원형 또는 도넛형의 시트형 부재를 채용할 수 있다. 이 시트형 부재는, 예컨대, PVA(폴리비닐알코올)로 형성되고, 1 ㎜ 내지 20 ㎜ 정도의 두께를 갖는다. 원반형 스크럽 장치(81)는, 예컨대, 도시하지 않은 리니어 가이드, 볼 나사, 및 서보 모터 등을 갖고, 기판(W1)의 표면과 평행하게 이동할 수 있다.
원반형 스크럽 장치(81)는, 도시하지 않은 노즐로부터 순수 등을 기판(W1)에 공급하면서, 원반 헤드를 회전시키면서 기판(W1)에 압박함으로써, 기판(W1) 표면을 상처 입히지 않고, 기판(W1) 표면에 부착된 파티클을 제거한다. 원반형 스크럽 장치(81)는, 기판(W1)을 연속적으로 반송하면서 기판(W1)을 세정할 수도 있고, 반송부(70)는, 세정 시에 기판(W1)의 반송을 정지시키기 위해서 기판(W1)을 단속적으로 반송해도 좋다. 구체적으로는, 기판(W1)의 표면의 오염이 심한 경우에는, 기판(W1)의 반송을 정지시키면서 원반형 스크럽 장치(81)로 세정하는 것이 바람직하다. 또한, 기판(W1)의 표면의 오염 정도가 비교적 낮은 경우에는, 기판(W1)을 연속적으로 반송하면서 원반형 스크럽 장치(81)로 세정할 수 있다.
기판(W1)을 세정하고 있지 않은 동안, 원반형 스크럽 장치(81)의 세정 부재가 건조하지 않도록, 예컨대, 원반형 스크럽 장치(81)를 기판(W1)의 반송 경로로부터 퇴피시키고, 도시하지 않은 스프레이 노즐로부터 순수를 세정 부재에 공급한다. 또한, 도시하지 않은 순수 탱크를 준비하여, 원반형 스크럽 장치(81)의 세정 부재를 탱크 내의 순수에 침지시키도록 해도 좋다. 이 경우, 탱크 내의 순수는, 원반형 스크럽 장치(81)의 세정 부재가 침지될 때마다 교체되는 것이 바람직하다. 도시된 실시형태에서는, 2개의 원반형 스크럽 장치(81)가, 제1 챔버(53) 내에 배치되어 있다.
반송부(70)는, 구체적으로는, 기판(W1)의 평면(피처리면이기도 함)이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로, 기판(W1)을 반송한다. 반송부(70)의 기본적인 구성을 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a는 반송부(70)의 측면도이고, 도 3b는 도 3a에 있어서의 화살표 A-A 방향에서 본 반송부(70)의 단면도이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 반송부(70)는, 구동부(71)와, 제1 베르누이 척 유닛(72)과, 제2 베르누이 척 유닛(73)을 갖는다. 구동부(71)는, 기판(W1)의 단부에 물리적으로 접촉하여 기판(W1)에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성된다. 도 3a 및 도 3b의 예에 있어서는, 구동부(71)는, 기판(W1)의 하측의 단부에 접촉하는 롤러를 갖는다. 구동부(71)는, 도시하지 않은 구동원에 의해 롤러를 회전시켜, 기판(W1)에 반송 방향의 힘을 가한다. 이 롤러는, 기판(W1)과 접촉하는 부분에 수막이 형성되기 어려운 테플론계 수지, 나일론 수지 등의 재료로 구성될 수 있다. 또한, 롤러의 기판(W1)과의 접촉면에 요철의 널링 가공을 실시하거나, 롤러의 접촉면을 다공성 재료로 형성하거나 해도 좋다. 이에 의해, 수막의 형성을 억제하여, 기판(W1)의 반송 시의 미끄러짐을 방지할 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 기판(W1)의 평면을 따라, 임의의 간격으로 복수 설치된다. 도 2에 도시된 제1 챔버(53)에 있어서는, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 원반형 스크럽 장치(81)가 그 사이에 배치되도록, 미리 정해진 간격으로 이격되어 있다. 또한, 도 3a 및 도 3b에 도시된 예에서는, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 기판(W1)의 양측에 설치된다. 그러나, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 기판(W1)의 한쪽에만 설치되어도 좋다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 복수의 제1 베르누이 척(72a)을 갖는다. 제1 베르누이 척(72a)은, 기판(W1)의 평면에 대향하도록 배치된다. 도 3b에 도시된 예에서는, 한쪽측[기판(W1)의 하면측]의 제1 베르누이 척 유닛(72)에는 5개의 제1 베르누이 척(72a)이 설치되고, 다른쪽측[기판(W1)의 상면측]의 제1 베르누이 척 유닛(72)에는 3개의 제1 베르누이 척(72a)이 설치된다. 제1 베르누이 척 유닛(72)에 설치되는 제1 베르누이 척(72a)의 수는 임의이다. 제1 베르누이 척(72a)은, 공압식(空壓式) 또는 액압식의 베르누이 척이고, 기판(W1)의 두께 방향(D1)의 이동을 제한하도록, 기판(W1)을 비접촉식으로 유지할 수 있다. 바꿔 말하면, 제1 베르누이 척(72a)은, 기판(W1)의 면내 방향(D2)의 이동을 제한할 수는 없다.
도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 베르누이 척 유닛(73)은, 단면이 대략 U형이고, 기판(W1)의 반송 방향으로 연장된다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 제2 베르누이 척 유닛(73)은, 제2 베르누이 척(73a)과, 제1 베르누이 척(73b)을 갖는다. 제1 베르누이 척(73b)은, 제1 베르누이 척(72a)과 마찬가지로 기판(W1)의 평면에 대향하도록 배치되고, 기판(W1)의 두께 방향(D1)의 이동을 제한하도록 기판(W1)의 상단부 근방을 유지할 수 있다. 한편, 제2 베르누이 척(73a)은, 기판(W1)의 상단부의 단부면에 대향하여 배치된다. 제2 베르누이 척(73a)은, 공압식 또는 액압식의 베르누이 척이고, 기판(W1)의 면내 방향(D2)의 이동을 제한하도록, 기판(W1)의 상단부의 단부면을 비접촉식으로 유지할 수 있다. 여기서, 면내 방향(D2)은, 기판(W1)의 반송 방향(도 3b에 있어서 지면 깊이 방향)과 직교하는 방향이다.
제2 베르누이 척 유닛(73)의 제2 베르누이 척(73a)은, 반송되는 기판(W1)의 상단부의 단부면을 가능한 한 넓은 범위에서 유지하기 위해서, 기판(W1)의 반송 방향을 따라 가능한 한 길어지도록 배치된다. 바람직하게는, 제2 베르누이 척(73a)은, 제1 베르누이 척 유닛(72)의 제1 베르누이 척(72a)에 비해, 기판(W1)의 반송 방향을 따라 길어지도록 배치된다. 이에 의해, 제2 베르누이 척(73a)으로 기판(W1)의 상단부의 단부면을 넓은 범위에서 유지하면서, 제1 베르누이 척(72a) 사이에 연마, 세정, 건조하기 위한 처리부를 배치하는 스페이스를 확보할 수 있다.
반송부(70)는, 구동부(71), 제1 베르누이 척 유닛(72), 및 제2 베르누이 척 유닛(73)이 경사짐으로써, 기판(W1)을 경사진 자세로 반송하도록 구성된다. 구체적으로는, 기판(W1)은, 반송 방향(도 3b에 있어서 지면 깊이 방향) 축 주위로 경사진 상태로 반송된다. 여기서 「경사」란, 수평에 대해 0° 초과 90° 이하의 각도를 갖는 것을 말한다. 도 3b에 도시된 예에서는, 반송부(70)는, 기판(W1)을 약 45° 경사진 자세로 반송한다. 이에 의해, 기판(W1)이 수평 자세로 반송되는 경우에 비해, 세정 장치(50)의 설치 면적을 저감할 수 있고, 기판(W1) 표면의 액 제거를 효율적으로 행할 수 있다. 바람직하게는, 반송부(70)는, 기판(W1)의 평면이 수평에 대해 5° 이상 85° 이하의 각도로 경사진 상태로, 기판(W1)을 반송하는 것이 바람직하다. 도 2에 도시된 세정 장치(50)에 있어서 기판(W1)을 세정하면, 기판(W1)의 표면에 부착된 파티클이 세정액에 의해 씻겨진다. 이때, 경사 각도가 5° 미만이면, 파티클을 포함하는 세정액이 기판(W1)으로부터 떨어지기 어려워진다. 또한, 경사 각도가 85° 초과이면, 세정액이 기판(W1)으로부터 즉시 낙하하기 때문에, 기판(W1)이 건조할 우려가 있다. 기판(W1)이 건조하면, 기판(W1)에 부착되어 있던 세정액에 포함되는 파티클이 기판(W1) 표면에 남아 버린다.
이와 같이, 본 실시형태에 따른 반송부(70)는, 기판(W1)의 상단부의 단부면을 유지할 수 있기 때문에, 기판(W1)을 경사진 자세로 반송해도, 기판(W1)이 휘어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 기판(W1)의 면내 방향(D2)의 위치를 제2 베르누이 척(73a)에 의해 유지할 수 있기 때문에, 기판(W1)의 하단부를 구동부(71)에 안정적으로 접촉시켜, 안정된 속도로 반송할 수 있다.
또한, 제2 베르누이 척(73a)은, 기판(W1)의 두께 방향(D1)의 이동을 제한할 수는 없다. 이 때문에, 기판(W1)이 매우 유연한 경우에, 만일 기판(W1)의 단부가 만곡되어 제2 베르누이 척(73a)의 대향 위치로부터 어긋나 버리면, 제2 베르누이 척(73a)은 기판(W1)의 단부면을 적절히 유지할 수 없게 된다. 그러나, 본 실시형태에 따른 반송부(70)는, 단면이 대략 U형의 제2 베르누이 척 유닛(73)을 갖고, 제1 베르누이 척(73b)으로 기판(W1)의 상단부 근방을 유지하고 있기 때문에, 기판(W1)의 단부가 만곡되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 기판(W1)이 매우 유연한 경우라도, 기판(W1)의 단부를 제2 베르누이 척(73a)의 대향 위치에 유지할 수 있고, 그 결과, 제2 베르누이 척(73a)이 기판(W1)의 상단부의 단부면을 적절히 유지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 따른 반송부(70)는, 기판(W1)의 하단부만이 구동부(71)에 의해 반송되고, 상단부는 제2 베르누이 척(73a)으로 유지된다. 이 때문에, 기판(W1)의 하단부 및 상단부의 양방을 롤러 등의 구동부(71)로 반송하는 경우에 비해, 구동부(71)의 수를 감소시킬 수 있다. 구동부(71)는, 기판(W1)에 물리적으로 접촉하기 때문에, 마모에 의해 정기적인 교환이 필요해진다. 따라서, 구동부(71)의 수를 감소시킴으로써, 교환하는 구동부(71)의 수도 감소하게 되어, 교환에 필요로 하는 작업 비용 및 부품 비용을 저감할 수 있다. 또한, 구동부(71)의 수가 감소함으로써, 기판(W1)에의 물리적인 접촉 횟수를 적게 하여, 기판(W1)에의 물리적인 영향을 저감할 수 있다. 한편, 도 3a에 도시된 반송부(70)에 있어서, 구동부(71) 사이에 제2 베르누이 척 유닛(73)을 배치해도 좋다. 그 경우에는, 기판(W1)의 면내 방향(D2)(도 3b 참조)의 위치를 한층 안정적으로 유지할 수 있다.
또한, 도 3a 및 도 3b에 도시된 반송부(70)의 구동부(71)는, 일례로서 롤러를 갖지만, 이것에 한정되지 않는다. 도 4는 반송부(70)의 다른 형태를 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 반송부(70)는, 구동부(71)로서, 기판(W1)과 접촉하는 벨트를 구비한 벨트 컨베이어를 갖고 있어도 좋다.
도 2로 되돌아가서, 세정 장치(50)를 설명한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 챔버(53)에서는, 원반형 스크럽 장치(81)와 대향하는 위치에, 반송부(70)의 제1 베르누이 척 유닛(72)이 설치된다. 이에 의해, 원반형 스크럽 장치(81)로 기판(W1)의 표면을 세정할 때에 가장 압력이 가해지는 기판(W1)의 부분을, 제1 베르누이 척 유닛(72)에 의해 원반형 스크럽 장치(81)의 반대측으로부터 유지할 수 있다. 따라서, 원반형 스크럽 장치(81)를 기판(W1)에 압박해도, 기판(W1)이 휘어지는 것을 억제할 수 있다.
제2 챔버(54)에는, 제1 챔버(53)의 반송부(70)와 동일한 반송부(70)와, 기판(W1)에 대해 제트 세정을 하기 위한 세정 제트 노즐 장치(83)(처리부의 일례에 상당함)가 설치된다. 세정 제트 노즐 장치(83)는, 기판(W1)의 폭 방향으로 배열된 복수의 노즐, 또는 기판(W1)의 폭 방향으로 연장된 단일의 노즐을 갖고, 기판(W1)의 표면에 순수 등의 세정액을 분무하여, 기판(W1)의 표면을 비접촉으로 세정한다. 도시된 실시형태에서는, 2개의 세정 제트 노즐 장치(83)가 제1 챔버(53) 내에 배치되어 있고, 각각, 기판(W1)의 양면을 세정할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 세정 제트 노즐 장치(83)의 수는 임의이고, 기판(W1)의 한쪽 면만을 세정하도록 구성되어 있어도 좋다. 세정 제트 노즐 장치(83)는, 반송부(70)의 제1 베르누이 척 유닛(72) 사이에 설치된다.
제3 챔버(55)에는, 제2 챔버(54)로부터 반송된 기판(W1)을 수취하고, 기판(W1)을 제4 챔버(56)를 향해 연직 방향으로 반송하는 연직 반송 기구(85)가 설치된다. 연직 반송 기구(85)는, 예컨대, 기판(W1)의 하면을 수평 자세로 유지하는 제3 베르누이 척(85a)과, 제3 베르누이 척(85a)을 승강시키는 리프터(85b)를 갖는다. 제3 챔버(55)에는, 제2 챔버(54)로부터 경사져서 반송된 기판(W1)을 수평 자세로 회전시키는 도시하지 않은 회전 기구가 설치되어 있어도 좋다. 제3 베르누이 척(85a)은, 이 회전 기구로부터, 수평 자세의 기판(W1)을 수취하여 비접촉으로 유지한다. 또한, 제3 챔버(55)에는, 제3 베르누이 척(85a)으로부터 수평 자세의 기판(W1)을 수취하고, 기판(W1)을 경사시키는 도시하지 않은 회전 기구가 설치되어 있어도 좋다. 이 회전 기구는, 경사시킨 기판(W1)을 제4 챔버(56)에 설치된 반송부(70)에 전달한다.
제4 챔버(56)에는, 제1 챔버(53)의 반송부(70)와 동일한 반송부(70)와, 기판(W1)에 대해 스크럽 세정하기 위한 롤형 스크럽 장치(87)(처리부의 일례에 상당함)가 설치된다. 롤형 스크럽 장치(87)는, 기판(W1)의 표면과 접촉하는 롤 브러시를 갖는다. 롤 브러시의 재료로서는, 예컨대, 나일론 브러시, PVA 스펀지, 부직포 등을 사용할 수 있다. 롤 브러시는, 기판(W1)의 표면과 평행하게 배치되고, 기판(W1)의 세정 시에는, 미리 정해진 압력으로 기판(W1)에 압박되도록 스프링 등에 의해 압박 압력이 제어되거나, 기판(W1)과의 거리가 일정하게 되도록 위치가 제어되거나 한다. 롤형 스크럽 장치(87)는, 도시하지 않은 순수 노즐로부터 롤 브러시에 순수를 공급하여, 롤 브러시가 건조되는 것을 방지한다. 롤형 스크럽 장치(87)는, 반송부(70)의 제1 베르누이 척 유닛(72) 사이에 설치된다. 도시된 실시형태에서는, 3개의 롤형 스크럽 장치(87)가, 제4 챔버(56) 내에 배치되어 있다.
제5 챔버(57)에는, 제1 챔버(53)의 반송부(70)와 동일한 반송부(70)와, 기판(W1)의 표면을 비접촉으로 건조하기 위한 에어 나이프 장치(88)(처리부의 일례에 상당함)와, 기판(W1) 표면을 제전(除電)하기 위한 이오나이저(89)가 설치된다. 에어 나이프 장치(88)는, 예컨대, 압축 기체를 얇은 층형으로 분출하기 위한 가늘고 긴 슬릿을 갖고, 기판(W1)의 양면 또는 한쪽 면에 압축 기체를 분무함으로써, 기판(W1)에 부착된 세정액을 제거 또는 건조한다. 에어 나이프 장치(88)의 슬릿은, 기판(W1)의 폭 방향과 직교하도록 배치되어 있어도 좋으나, 기판(W1)의 하단을 향해 세정액을 없애도록, 기판(W1)의 폭 방향에 대해 각도를 갖는 것이 바람직하다. 이오나이저(89)는, 미리 정해진 극성을 갖는 이온을 기판(W1)의 표면에 방출하여, 기판(W1)을 제전 할 수 있다. 에어 나이프 장치(88) 및 이오나이저(89)는, 반송부(70)의 제1 베르누이 척 유닛(72) 사이에 설치된다.
제5 챔버(57)에서는, 기판(W1)의 건조가 행해지기 때문에, 제5 챔버(57)에 설치되는 반송부(70)의 제1 베르누이 척 유닛(72) 및 제2 베르누이 척 유닛(73)에는, 공압식의 베르누이 척이 채용된다. 이에 의해, 반송부(70)가 기판(W1)의 건조를 방해하는 일이 없다.
제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 및 제5 챔버(57)의 상부에는, 상방으로부터 하방을 향해 기체를 송출하는 FFU(Fun Filter Unit) 등의 송풍 유닛(60)이 설치된다. 송풍 유닛(60)으로부터 송출되는 기체로서, 예컨대 클린 드라이 에어나 질소를 이용할 수 있다. 송풍 유닛(60)으로부터 송풍함으로써, 세정 장치(50) 내의 파티클을 하방으로 억누를 수 있고, 제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 및 제5 챔버(57) 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다.
제1 챔버(53), 제2 챔버(54), 제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 및 제5 챔버(57)의 각각에는, 기판(W1)의 건조를 방지하기 위해서, 기판(W1)에 순수 등의 액체를 공급하는 액체 공급 노즐을 적절히 설치해도 좋다.
이상으로 설명한 세정 장치(50)를 사용하여 기판(W1)을 세정하는 프로세스에 대해 설명한다. 먼저, 도 1에 도시된 도금 장치(100)에 있어서 도금된 기판(W1)을, 기판 반송 장치(27)가 유지한다. 기판 반송 장치(27)는, 입구(51)를 통해 제1 챔버(53) 내에 기판(W1)을 투입한다. 투입된 기판(W1)은, 제1 챔버(53)에 있어서, 경사진 상태로 반송부(70)에 의해 반송되면서, 원반형 스크럽 장치(81)에 의해 세정된다. 원반형 스크럽 장치(81)에 의한 세정에 있어서는, 기판(W1)을 반송하면서 세정해도 좋고, 기판(W1)의 반송을 단속적으로 행하면서 세정해도 좋다.
제1 챔버(53)에서 세정된 기판(W1)은, 제2 챔버(54)에 투입된다. 제2 챔버(54)에서는, 기판(W1)은, 경사진 상태로 반송부(70)에 의해 반송되면서, 세정 제트 노즐 장치(83)에 의해 비접촉으로 세정된다. 제2 챔버(54)에서 세정된 기판(W1)은, 제3 챔버(55)에 투입된다. 제3 챔버(55)에서는, 도시하지 않은 회전 기구에 의해, 제2 챔버(54)로부터 수취한 기판(W1)이 경사진 자세로부터 수평 자세로 되고, 연직 반송 기구(85)의 제3 베르누이 척(85a)에 전달된다. 기판(W1)은, 제3 베르누이 척(85a)으로 유지되면서, 리프터(85b)에 의해 연직 방향으로 반송된다. 연직 방향으로 반송된 기판(W1)은, 도시하지 않은 회전 기구에 의해, 수평 자세로부터 경사진 자세로 되고, 제4 챔버(56)의 반송부(70)에 전달된다.
제4 챔버(56)에서는, 기판(W1)은, 경사진 상태로 반송부(70)에 의해 반송되면서, 롤형 스크럽 장치(87)에 의해 세정된다. 제4 챔버(56)에서 세정된 기판(W1)은, 제5 챔버에 투입된다. 제5 챔버(57)에서는, 기판(W1)은, 경사진 상태로 반송부(70)에 의해 반송되면서, 에어 나이프 장치(88)에 의해 기판(W1) 표면의 세정액이 제거 또는 건조된다. 계속해서, 기판(W1)은, 이오나이저(89)에 의해 제전된 후, 기판 반송 장치(27)에 의해 출구(52)로부터 취출된다. 기판 반송 장치(27)는, 세정 및 건조된 기판(W1)을 도 1에 도시된 카세트 테이블(25) 내의 카세트(25a)에 수납한다.
계속해서, 세정 장치(50)의 다른 구성예에 대해 설명한다. 도 5는 다른 형태에 따른 세정 장치(50)의 개략 측단면도이다. 도 5에 도시된 세정 장치(50)는, 도 2에 도시된 세정 장치(50)와 마찬가지로, 제1 챔버(53), 제2 챔버(54), 제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 및 제5 챔버(57)를 갖는다. 도 2에 도시된 세정 장치(50)와 유사한 구성을 갖고 있기 때문에, 상이한 부분을 중심으로 설명한다.
제1 챔버(53)에는, 반송부(70)와, 원반형 스크럽 장치(81)와, 세정 제트 노즐 장치(83)가 설치된다. 제1 챔버(53)에서는, 기판(W1)은, 반송부(70)에 의해 경사진 상태로 반송되면서, 원반형 스크럽 장치(81)로 세정되고, 계속해서 세정 제트 노즐 장치(83)로 세정된다. 제2 챔버(54)에는, 반송부(70)와, 롤형 스크럽 장치(87)가 설치된다. 제1 챔버(53)에서는, 제1 챔버(53)에서 세정된 기판(W1)이, 반송부(70)에 의해 경사진 상태로 반송되면서, 롤형 스크럽 장치(87)로 세정된다.
제3 챔버(55)에는, 제2 챔버(54)로부터 반송된 기판(W1)을 수취하고, 기판(W1)을 제4 챔버(56)를 향해 연직 방향으로 반송하는 연직 반송 기구(86)가 설치된다. 도 5에 도시된 연직 반송 기구(86)는, 제3 베르누이 척(86a)과, 아암부(86b)와, 지주(86c)와, 슬라이더(86d)를 갖는다. 제3 베르누이 척(86a)은, 기판(W1)의 상면을 수평 자세로 유지하도록 구성된다. 아암부(86b)는, 지주(86c)로부터 대략 수평으로 연장되고, 제3 베르누이 척(86a)을 유지한다. 지주(86c)는, 아암부(86b)를 지지하고 있다. 슬라이더(86d)는, 아암부(86b)를 지주(86c)를 따라 승강시키도록 구성된다.
제2 챔버(54)로부터 반송된 기판(W1)은, 도시하지 않은 회전 기구에 의해, 경사진 자세로부터 수평 자세로 되고, 연직 반송 기구(86)의 제3 베르누이 척(86a)에 전달된다. 슬라이더(86d)는, 아암부(86b)를 지주(86c)를 따라 상승시켜, 제3 베르누이 척(86a)으로 유지된 기판(W1)을 연직 방향으로 반송한다. 계속해서, 기판(W1)은, 제4 챔버(56)에 반송된다.
제4 챔버(56)에는, 기판(W1)을 수평 반송하는 수평 반송 기구(90)가 설치된다. 수평 반송 기구(90)로서는, 예컨대, 도 3a 및 도 3b에 도시된 반송부(70)를 채용할 수 있다. 이 경우의 반송부(70)는, 기판(W1)을 수평으로 반송할 수 있도록, 구동부(71), 제1 베르누이 척 유닛(72), 및 제2 베르누이 척 유닛(73)의 설치 각도가 조정된다. 혹은, 수평 반송 기구(90)는, 예컨대, 기판(W1)의 이면의 폭 방향 중앙부와 양 에지부에만 접촉하도록 배치된 롤러를 가져도 좋다. 제4 챔버(56)에 반송된 기판(W1)은, 수평 반송 기구(90)에 의해, 제5 챔버(57)에 반송된다. 제5 챔버(57)에는, 도 2에 도시된 제5 챔버(57)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 에어 나이프 장치(88)와, 이오나이저(89)가 설치된다.
도 6은 다른 형태에 따른 세정 장치(50)의 개략 측단면도이다. 도 6에 도시된 세정 장치(50)는, 도 2 및 도 5에 도시된 세정 장치(50)와 마찬가지로, 제1 챔버(53), 제2 챔버(54), 제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 및 제5 챔버(57)를 갖는다. 도 6에 도시된 세정 장치(50)는, 도 2 및 도 5에 도시된 세정 장치(50)와 유사한 구성을 갖고 있기 때문에, 상이한 부분을 중심으로 설명한다.
제1 챔버(53)에는, 기판(W1)을 경사진 상태로 반송하는 반송부(70)와, 기판(W1)에 대해 연마를 하기 위한 연마 장치(91)(처리부의 일례에 상당함)가 설치된다. 제1 챔버(53)에 있어서는, 제1 베르누이 척 유닛(72)은, 연마 장치(91)가 그 사이에 배치되도록, 미리 정해진 간격으로 이격되어 있다.
연마 장치(91)의 구체적인 구성에 대해 설명한다. 도 7은 도 6에 도시된 연마 장치(91)의 개략 측단면도이다. 도 7에 도시된 바와 같이, 연마 장치(91)는, 회전 모터(92)와, 연마 헤드(93)(헤드부의 일례에 상당함)와, 아암(94)과, 승강 모터(95)와, 병진(竝進) 플레이트(96)와, 병진 모터(97)와, 고정 플레이트(98)를 갖는다.
고정 플레이트(98)는, 제1 챔버(53) 내에 고정된다. 병진 플레이트(96)는, 병진 모터(97)에 의해, 고정 플레이트(98)의 면에 대해 병행 이동하도록 구성된다. 아암(94)은, 병진 플레이트(96)에 부착되고, 승강 모터(95)에 의해, 병진 플레이트(96)의 병진 방향과 직교하는 방향으로 승강하도록 구성된다. 또한, 아암(94)은, 연마 헤드(93)를 회전 가능하게 유지한다. 연마 헤드(93)는, 회전 모터(92)에 의해 회전하도록 구성된다.
연마 장치(91)는, 경사져서 반송된 기판(W1)을 연마하기 위해서, 경사지도록 제1 챔버(53) 내에 설치된다. 병진 플레이트(96)는, 고정 플레이트(98)에 대해 병진함으로써, 연마 헤드(93)를 기판(W1)의 표면과 평행하게 이동시킬 수 있다. 또한, 아암(94)은, 병진 플레이트(96)의 병진 방향과 직교하는 방향으로 이동함으로써, 기판(W1)에 근접 또는 이격되도록 연마 헤드(93)를 이동시킬 수 있다. 기판(W1)을 연마할 때에는, 회전하고 있는 연마 헤드(93)를 기판(W1)에 근접시켜, 기판(W1)의 평면을 연마 헤드(93)로 압박한다. 또한, 연마하는 동안, 연마 헤드(93)를 기판(W1)의 표면과 평행하게 이동시킴으로써, 기판(W1)의 전면(全面)을 연마할 수 있다.
연마 헤드(93)는, 기판(W1)에 대향하는 연마면(93d)과, 연마면(93d)으로부터 노출되도록 설치되는 연마 테이프(93a)와, 연마 테이프(93a)를 권출하는 권출 롤러(93b)와, 연마 테이프(93a)를 권취하는 권취 롤러(93c)를 갖는다. 연마 테이프(93a)는, 예컨대, 폭 약 10 ㎜ 내지 60 ㎜, 길이 약 20 m 내지 100 m의 베이스 필름의 한쪽 면에, 다이아몬드 입자나 SiC 입자 등의 지립을 접착하여 구성된다. 연마 테이프(93a)에 사용되는 지립은, 기판(W1)의 종류나, 요구되는 연마 조건에 따라 적절히 선택되고, 예컨대, 평균 입경 0.1 ㎛ 내지 5.0 ㎛의 범위의 다이아몬드 입자나 SiC 입자 등이다. 또한, 연마 테이프(93a)는, 지립을 접착시키고 있지 않은 띠형의 연마포여도 좋다. 베이스 필름으로서는, 예컨대, 폴리에스테르, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 가요성을 갖는 재료를 사용할 수 있다.
연마 테이프(93a)는, 기판(W1)의 연마의 진행에 따라, 서서히 또는 단계적으로, 미리 정해진 속도로 권출 롤러(93b)로부터 권취 롤러(93c)를 향해 일방향으로 보내진다. 이에 의해, 연마 테이프(93a)의 연마면(93d)으로부터 노출되는 부분이 미사용 부분이 되기 때문에, 항상 정상적인 연마 테이프(93a)를 기판(W1)에 접촉시킬 수 있다. 도 7에 도시된 예에서는, 연마 헤드(93)는, 1세트의 연마 테이프(93a), 권출 롤러(93b), 및 권취 롤러(93c)를 갖고 있으나, 이들을 복수 세트 갖고 있어도 좋다.
도 8은 연마 장치(91)로 기판(W1)을 연마하는 예를 도시한 사시도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 연마 장치(91)의 연마 헤드(93)에 대향하는 위치에는, 제1 베르누이 척 유닛(72)을 구비한 다공질 플래튼(platen; 99)이 배치된다. 다공질 플래튼(99)은, 다공성 세라믹이나 다공성 카본으로 형성되고, 기판(W1)의 폭 방향 양단부에 대향하는 위치에 흡인 구멍(99a)을 갖는다. 도시하지 않은 진공원에 의해 흡인 구멍(99a)으로부터 공기를 흡인함으로써, 다공질 플래튼(99) 상에서 반송되고 있는 기판(W1)의 단부가, 흡인 구멍(99a)에 흡착된다. 이에 의해, 연마 헤드(93)가 기판(W1)을 연마하고 있을 때에 발생하는 마찰에 의해, 기판(W1)이 제1 베르누이 척 유닛(72)으로부터 어긋나는 것을 억제할 수 있다.
도 9 및 도 10은 연마 헤드(93)로 기판(W1)을 연마할 때의, 기판(W1)의 반송과 연마 헤드(93)의 움직임의 예를 도시한 개략도이다. 도 9 및 도 10에 도시된 예에서는, 2개의 연마 장치(91)가 준비되고, 반송 방향의 상류측에 위치하는 연마 장치(91)는 거친 연마를 행하고, 반송 방향의 하류측에 위치하는 연마 장치는 정밀한 연마(마무리 연마)를 행한다. 도 9에 도시된 예에서는, 기판(W1)은 간헐적으로 반송된다. 즉, 미리 정해진 거리의 기판(W1)의 반송과, 미리 정해진 시간의 반송 정지가 반복된다. 이 경우, 연마 장치(91)의 연마 헤드(93)는, 기판(W1)의 반송이 정지하고 있는 동안에 기판(W1)의 폭 방향으로 이동하고, 기판(W1)은, 연마 헤드(93)의 이동이 정지하고 있는 동안에 미리 정해진 거리만큼 반송된다. 도 10에 도시된 예에서는, 기판(W1)은 연속적으로 반송되고, 연마 헤드(93)는 연속적으로 왕복 이동한다. 이 경우, 기판(W1)의 반송과, 연마 헤드(93)의 이동이 동시에 행해진다.
도 6으로 되돌아가서, 세정 장치(50)를 설명한다. 제2 챔버(54)에는, 도 5에 도시된 제1 챔버(53)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 원반형 스크럽 장치(81)와, 세정 제트 노즐 장치(83)가 설치된다. 제2 챔버(54)에서는, 기판(W1)은, 반송부(70)에 의해 경사진 상태로 반송되면서, 원반형 스크럽 장치(81)로 세정되고, 계속해서 세정 제트 노즐 장치(83)로 세정된다.
제3 챔버(55)에는, 도 2에 도시된 제3 챔버(55)와 마찬가지로, 제3 베르누이 척(85a)과 리프터(85b)를 구비한 연직 반송 기구(85)가 설치된다. 제4 챔버(56)에는, 도 2에 도시된 제4 챔버(56) 및 도 5에 도시된 제2 챔버(54)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 롤형 스크럽 장치(87)가 설치된다. 제5 챔버(57)에는, 도 2 및 도 5에 도시된 제5 챔버(57)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 에어 나이프 장치(88)와, 이오나이저(89)가 설치된다.
도 11은 다른 형태에 따른 세정 장치(50)의 개략 측단면도이다. 도 11에 도시된 세정 장치(50)는, 제1 챔버(53), 제2 챔버(54), 제3 챔버(55), 제4 챔버(56), 제5 챔버(57), 제6 챔버(58), 및 제7 챔버(59)를 갖는다. 도 11에 도시된 세정 장치(50)는, 도 2 및 도 5에 도시된 세정 장치(50)와 유사한 구성을 갖고 있기 때문에, 상이한 부분을 중심으로 설명한다.
제1 챔버(53)에는, 도 6에 도시된 제1 챔버(53)와 마찬가지로, 기판(W1)을 경사진 상태로 반송하는 반송부(70)와, 기판(W1)에 대해 연마를 하기 위한 연마 장치(91)가 설치된다. 제1 챔버(53)의 연마 장치(91)는, 기판(W1)의 상면을 연마한다. 제2 챔버(54)에, 제1 챔버(53)로부터 반송된 기판(W1)을 표리 반전시키는 반전 기구(84)가 설치된다. 반전 기구(84)는, 도 3a 및 도 3b에 도시된 반송부(70)를 갖는다. 반전 기구(84)는, 제1 챔버(53)로부터 수취한 기판(W1)을, 반송부(70)의 구동부(71), 제1 베르누이 척 유닛(72), 및 제2 베르누이 척 유닛(73)(도 3a 및 도 3b 참조)에 의해 유지하여, 표리 반전시킨다. 반전된 기판(W1)은, 반송부(70)에 의해 제3 챔버(55)에 반송된다.
제3 챔버(55)에는, 도 6에 도시된 제1 챔버(53)와 마찬가지로, 기판(W1)을 경사진 상태로 반송하는 반송부(70)와, 기판(W1)에 대해 연마를 하기 위한 연마 장치(91)가 설치된다. 제3 챔버(55)의 연마 장치(91)는, 반전된 기판(W1)의 상면을 연마한다. 따라서, 제1 챔버(53)의 연마 장치(91)와, 제3 챔버(55)의 연마 장치(91)에 의해, 기판(W1)의 양면이 연마된다.
제4 챔버(56)에는, 도 2 및 도 6에 도시된 제3 챔버(55)와 마찬가지로, 제3 베르누이 척(85a)과 리프터(85b)를 구비한 연직 반송 기구(85)가 설치된다. 제5 챔버(57)에는, 도 2 및 도 6에 도시된 제4 챔버(56) 및 도 5에 도시된 제2 챔버(54)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 롤형 스크럽 장치(87)가 설치된다. 제6 챔버(58)에는, 도 5에 도시된 제1 챔버(53) 및 도 6에 도시된 제2 챔버(54)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 원반형 스크럽 장치(81)와, 세정 제트 노즐 장치(83)가 설치된다. 제7 챔버(59)에는, 도 2, 도 5, 및 도 6에 도시된 제5 챔버(57)와 마찬가지로, 반송부(70)와, 에어 나이프 장치(88)와, 이오나이저(89)가 설치된다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 세정 장치(50)에 의하면, 반송부(70)가 기판(W1)의 상단부의 단부면을 유지하면서 기판(W1)을 반송하기 때문에, 기판(W1)을 경사진 자세로 반송해도, 기판(W1)이 휘어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 2, 도 5, 도 6, 도 11에 도시된 바와 같이, 세정 처리, 연마 처리, 건조 처리를 포함하는 여러 가지 처리부를 갖는 처리 장치에 있어서도, 반송부(70)에 의해, 기판(W1)이 휘어지는 것을 억제하면서, 적절히 반송할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태에 따른 처리 장치를 구비한 다른 도금 장치의 예에 대해 설명한다. 도 12는 본 실시형태에 따른 처리 장치를 구비한 다른 도금 장치의 전체 배치도이다. 본 실시형태에 따른 도금 장치는, 처리 장치의 일례로서 세정 장치(50)를 갖는다. 도금 장치(200)는, 도 12에 도시된 바와 같이, 기판 홀더에 기판을 로드하는 로드부(210)와, 기판을 처리하는 처리부(220)와, 기판 홀더로부터 기판을 언로드하는 언로드부(230)와, 세정부(50a)로 크게 나뉜다. 처리부(220)는, 또한, 기판의 전처리를 행하는 전처리부(220A)와, 기판에 도금 처리를 행하는 도금 처리부(220B)와, 기판의 후처리를 행하는 후처리부(220C)를 포함한다. 한편, 이 도금 장치(200)로 처리하는 기판은, 도 1에 도시된 도금 장치(100)와 마찬가지로, 각형 기판, 원형 기판을 포함한다. 또한, 각형 기판은, 각형의 프린트 기판이나, 그 외의 도금 대상물을 포함한다.
로드부(210)에는, 2대의 카세트 테이블(25)과, 기판 탈착 기구(29a)와, 스토커(30)와, 기판 반송 장치(27a)와, 기판 반송 장치(27a)의 주행 기구(28a)가 배치되어 있다. 로드부(210)의 기판 탈착 기구(29a)는, 기판을 도시하지 않은 기판 홀더에 유지시킨다. 로드부(210)의 후단측에는, 전처리부(220A)가 배치된다. 전처리부(220A)는, 프리웨트조(32)와, 프리소크조(33)와, 프리린스조(34)를 갖는다. 프리웨트조(32), 프리소크조(33), 프리린스조(34)는, 이 순서로 배치되어 있다.
전처리부(220A)의 후단측에는, 도금 처리부(220B)가 배치된다. 도금 처리부(220B)는, 오버플로우조(38)를 구비한 복수의 도금조(39)를 갖는다. 도금 처리부(220B)의 후단측에는, 후처리부(220C)가 배치된다. 후처리부(220C)는, 린스조(36)와, 블로우조(35)를 갖는다. 린스조(36), 블로우조(35)는, 후단측을 향해 이 순서로 배치되어 있다.
후처리부(220C)의 후단측에는, 언로드부(230)가 배치된다. 언로드부(230)에는, 2대의 카세트 테이블(25)과, 기판 탈착 기구(29b)와, 기판 반송 장치(27b)와, 기판 반송 장치(27b)의 주행 기구(28b)가 배치되어 있다. 세정부(50a)는, 도 2에 도시된 세정 장치(50)를 갖는다. 기판 반송 장치(27b)는, 도금 처리 후의 기판을 세정 장치(50)에 반송하고, 세정 장치(50)로부터 취출하도록 구성된다.
도금 장치(200)는, 이들 각 기기의 측방에 위치하여, 이들 각 기기 사이에서 기판 홀더를 기판과 함께 반송하는 기판 홀더 반송 장치(37a, 37b)를 갖는다. 기판 홀더 반송 장치(37a, 37b)는, 기판 탈착 기구(29a, 29b), 프리웨트조(32), 프리소크조(33), 프리린스조(34), 블로우조(35), 린스조(36), 및 도금조(39)와의 사이에서 기판 홀더를 반송하도록 구성된다. 도 3에 도시된 바와 같이 2개의 기판 홀더 반송 장치(37a, 37b)를 설치한 경우에는, 도금 처리 전의 기판을 유지한 기판 홀더만을 한쪽의 기판 홀더 반송 장치가 반송하고, 도금 처리 후의 기판을 유지한 기판 홀더만을 다른쪽의 기판 홀더 반송 장치가 반송하도록 함으로써, 기판 홀더의 전달의 대기 시간이 발생하는 것을 억제하고 있다. 한편, 기판 홀더 반송 장치(37a, 37b)는, 어느 한쪽만 도금 장치(200)에 설치되어도 좋다. 이 경우에는, 도금 장치의 풋프린트를 삭감할 수 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 세정 장치(50)는, 도 12에 도시된 바와 같은 로드부(210)와 언로드부(230)가 이격되어 배치되는 도금 장치(200)에도 설치할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였으나, 전술한 발명의 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명은 그 취지를 일탈하지 않고, 변경, 개량될 수 있고, 본 발명에는 그 등가물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 전술한 과제의 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는, 효과의 적어도 일부를 나타내는 범위에 있어서, 특허청구의 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 임의의 조합, 또는 생략이 가능하다.
이하에 본 명세서가 개시하는 양태의 몇 가지를 기재해 둔다.
제1 양태에 의하면, 처리 장치가 제공된다. 이 처리 장치는, 처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 처리부를 갖는다. 상기 반송부는, 상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척을 갖는다.
제1 양태에 의하면, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부면에 대향하여 배치되기 때문에, 피처리물의 단부의 단부면을 유지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물을 경사진 자세로 반송해도, 피처리물이 휘어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 피처리물의 면내 방향의 위치를 제2 베르누이 척에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리물의 하단부를 구동부에 안정적으로 접촉시켜, 안정적으로 반송할 수 있다.
제2 베르누이 척은, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한할 수는 없다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우에, 만일 피처리물의 단부가 만곡되어 제2 베르누이 척의 대향 위치로부터 어긋나 버리면, 제2 베르누이 척은 피처리물의 단부면을 적절히 유지할 수 없게 된다. 그러나, 제1 양태에 의하면, 제1 베르누이 척이 피처리물의 평면에 대향하여 배치되기 때문에, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하여, 피처리물의 단부가 만곡되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우라도, 피처리물의 단부를 제2 베르누이 척의 대향 위치에 유지할 수 있고, 그 결과, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부의 단부면을 적절히 유지할 수 있다.
또한, 제1 양태에 의하면, 피처리물의 일단부가 구동부에 의해 반송되고, 그 반대측의 단부는 제2 베르누이 척으로 유지된다. 이 때문에, 피처리물의 하단부 및 상단부의 양방을 롤러 등의 구동부로 반송하는 경우에 비해, 구동부의 수를 감소시킬 수 있다. 구동부는, 피처리물에 물리적으로 접촉하기 때문에, 마모에 의해 정기적인 교환이 필요해진다. 따라서, 구동부의 수를 감소시킴으로써, 교환하는 구동부의 수도 감소하게 되어, 교환에 필요로 하는 작업 비용 및 부품 비용을 저감할 수 있다. 또한, 구동부의 수가 감소함으로써, 피처리부에의 물리적인 접촉 횟수, 접촉 시간을 적게 하여, 피처리부에의 물리적인 영향을 저감할 수 있다.
제2 양태에 의하면, 제1 양태의 처리 장치에 있어서, 상기 반송부는, 상기 피처리물의 상기 평면이 수평에 대해 5° 이상 85° 이하의 각도로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하도록 구성된다.
처리 장치에 있어서, 액체를 사용한 처리를 피처리물에 실시하면, 피처리물의 표면에 부착된 파티클이 액체에 의해 씻겨진다. 이때, 피처리물의 경사 각도가 5° 미만이면, 파티클을 포함하는 액체가 피처리물로부터 떨어지기 어려워진다. 또한, 경사 각도가 85° 초과이면, 액체가 피처리물로부터 즉시 낙하하기 때문에, 피처리물이 건조할 우려가 있다. 피처리물이 건조하면, 피처리물에 부착되어 있던 세정액에 포함되는 파티클이 피처리물의 표면에 남아 버린다. 그래서, 제2 양태에 의하면, 파티클을 포함하는 액체를 낙하시키면서, 피처리물의 건조를 억제할 수 있다.
제3 양태에 의하면, 제1 또는 제2 양태의 처리 장치에 있어서, 상기 피처리물의 양면에 대향하여 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척을 갖는다.
제3 양태에 의하면, 피처리물의 양면을 제1 베르누이 척에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리물의 두께 방향의 이동을 한층 확실하게 제한할 수 있다.
제4 양태에 의하면, 제1 내지 제3 양태 중 어느 하나의 처리 장치에 있어서, 상기 피처리물의 반송 방향을 따라 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척을 갖고, 상기 처리부는, 상기 피처리물의 반송 방향을 따라 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척 사이에 배치된다.
제4 양태에 의하면, 처리부가 제1 베르누이 척 사이에 배치되기 때문에, 피처리물의 처리부에 의해 처리되고 있는 부분의 양측을 제1 베르누이 척으로 유지할 수 있어, 처리부에 의한 처리를 안정적으로 행할 수 있다.
제5 양태에 의하면, 제1 내지 제4 양태 중 어느 하나의 처리 장치에 있어서, 상기 제2 베르누이 척은, 상기 피처리물의 반송 방향에 있어서, 상기 제1 베르누이 척보다 길다.
제5 양태에 의하면, 제2 베르누이 척으로 피처리물의 단부면을 넓은 범위에서 유지하면서, 제1 베르누이 척 사이에 연마, 세정, 건조하기 위한 처리부를 배치하는 스페이스를 확보할 수 있다.
제6 양태에 의하면, 제1 내지 제5 양태 중 어느 하나의 처리 장치에 있어서, 상기 제1 베르누이 척은, 상기 피처리물을 사이에 두고 상기 처리부와 대향하는 위치에 배치된다.
제6 양태에 의하면, 처리부에서 기판(W1)의 표면을 처리할 때에 가장 압력이 가해지는 피처리물의 부분을, 제1 베르누이 척에 의해 처리부의 반대측으로부터 유지할 수 있다. 따라서, 처리부를 피처리물에 압박해도, 피처리물이 휘어지는 것을 억제할 수 있다.
제7 양태에 의하면, 제1 내지 제6 양태 중 어느 하나의 처리 장치에 있어서, 피처리물의 입구와, 상기 피처리물의 출구와, 상기 입구로부터 투입된 상기 피처리물이 반송되는 제1 반송 경로와, 상기 제1 반송 경로에 있어서 상기 피처리물이 반송되는 방향과는 반대 방향으로 상기 피처리물이 반송되고, 상기 제1 반송 경로 및 상기 출구에 연결되는 제2 반송 경로와, 상기 제1 반송 경로와 상기 제2 반송 경로를 접속하는 연직 반송 경로와, 상기 연직 반송 경로에 있어서, 상기 제1 반송 경로로부터 상기 제2 반송 경로를 향해 연직 방향으로 상기 피처리물을 반송하는 연직 반송 기구를 갖는다.
제7 양태에 의하면, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로에 있어서 반대 방향으로 피처리물이 반송되기 때문에, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로에 의해 왕복 경로가 형성되고, 세정 장치 전체의 길이를 저감하면서, 충분한 경로 길이를 확보할 수 있다. 또한, 제1 반송 경로와 제2 반송 경로에 의해 왕복 경로가 형성되기 때문에, 입구와 출구를 근접시켜 배치할 수 있다. 이에 의해, 1대의 피처리물 반송 장치가 큰 이동을 하지 않고, 입구에의 피처리물의 투입, 출구로부터의 피처리물의 취출을 행할 수 있다.
제8 양태에 의하면, 제7 양태의 처리 장치에 있어서, 상기 연직 반송 기구는, 상기 피처리물을 비접촉으로 유지하도록 구성된 제3 베르누이 척을 갖는다. 제8 양태에 의하면, 피처리물을 비접촉으로 연직 반송할 수 있다.
제9 양태에 의하면, 제1 내지 제7 양태의 처리 장치를 구비한 도금 장치가 제공된다. 이 도금 장치는, 도금 처리부와, 기판 반송부를 구비한다. 상기 기판 반송부는, 상기 도금 처리부에서 도금 처리된 상기 피처리물을 상기 처리 장치의 입구에 투입하고, 상기 처리 장치에서 처리된 상기 피처리물을 상기 출구로부터 취출하도록 구성된다.
제10 양태에 의하면, 처리 방법이 제공된다. 이 처리 방법은, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 공정과, 상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 처리 공정을 갖는다. 상기 반송하는 공정은, 상기 피처리물의 단부에 반송 방향의 힘을 물리적으로 가하는 공정과, 상기 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 평면을 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정과, 상기 반송 방향과 직교하는 상기 피처리물의 면내 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면을 제2 베르누이 척으로 유지하는 공정을 갖는다.
제10 양태에 의하면, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부의 단부면을 유지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물을 경사진 자세로 반송해도, 피처리물이 휘어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 피처리물의 면내 방향의 위치를 제2 베르누이 척에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리물의 하단부를 구동부에 안정적으로 접촉시켜, 안정적으로 반송할 수 있다.
제2 베르누이 척은, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한할 수는 없다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우에, 만일 피처리물의 단부가 만곡되어 제2 베르누이 척의 대향 위치로부터 어긋나 버리면, 제2 베르누이 척은 피처리물의 단부면을 적절히 유지할 수 없게 된다. 그러나, 제10 양태에 의하면, 제1 베르누이 척이 피처리물의 평면을 유지하기 때문에, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하여, 피처리물의 단부가 만곡되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우라도, 피처리물의 단부를 제2 베르누이 척의 대향 위치에 유지할 수 있고, 그 결과, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부의 단부면을 적절히 유지할 수 있다.
또한, 제10 양태에 의하면, 피처리물의 일단부에 반송 방향의 힘이 물리적으로 가해지고, 그 반대측의 단부는 제2 베르누이 척으로 유지된다. 이 때문에, 피처리물의 하단부 및 상단부의 양방에 물리적인 힘이 가해지는 경우에 비해, 피처리부에의 물리적인 접촉 횟수, 접촉 시간을 적게 하여, 피처리부에의 물리적인 영향을 저감할 수 있다.
제11 양태에 의하면, 제10 양태의 처리 방법에 있어서, 상기 반송하는 공정은, 상기 피처리물의 상기 평면이 수평에 대해 5° 이상 85° 이하의 각도로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 공정을 포함한다.
액체를 사용한 처리를 피처리물에 실시하면, 피처리물의 표면에 부착되어 있던 파티클이 액체에 의해 씻겨진다. 이때, 피처리물의 경사 각도가 5° 미만이면, 파티클을 포함하는 액체가 피처리물로부터 떨어지기 어려워진다. 또한, 경사 각도가 85° 초과이면, 액체가 피처리물로부터 즉시 낙하하기 때문에, 피처리물이 건조할 우려가 있다. 피처리물이 건조하면, 피처리물에 부착되어 있던 세정액에 포함되는 파티클이 피처리물의 표면에 남아 버린다. 그래서, 제11 양태에 의하면, 파티클을 포함하는 액체를 낙하시키면서, 피처리물의 건조를 억제할 수 있다.
제12 양태에 의하면, 제10 또는 제11 양태의 처리 방법에 있어서, 상기 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정은, 상기 피처리물의 양면을 복수의 상기 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정을 갖는다.
제12 양태에 의하면, 피처리물의 양면을 제1 베르누이 척에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리물의 두께 방향의 이동을 한층 확실하게 제한할 수 있다.
제13 양태에 의하면, 제10 내지 제12 양태 중 어느 하나의 처리 방법에 있어서, 상기 반송하는 공정은, 제1 반송 경로를 통해 상기 피처리물을 반송하는 공정과, 상기 제1 반송 경로로부터 제2 반송 경로를 향해 연직 방향으로 상기 피처리물을 반송하는 연직 반송 공정과, 상기 제2 반송 경로를 통해 상기 피처리물을 반송하는 공정을 갖는다. 상기 연직 반송 공정은, 제3 베르누이 척을 이용하여 상기 피처리물을 비접촉으로 유지하면서 반송한다. 제13 양태에 의하면, 제1 반송 경로로부터 제2 반송 경로로 향하는 연직 반송 경로에 있어서, 피처리물을 비접촉으로 연직 방향으로 반송할 수 있다.
제14 양태에 의하면, 제10 내지 제13 양태 중 어느 하나의 처리 방법에 있어서, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 상기 처리 공정은, 헤드부에 유지되고, 미리 정해진 속도로 일방향으로 보내지는 테이프 부재를 상기 피처리물의 상기 평면에 압박시켜 행하는 공정을 포함한다.
제15 양태에 의하면, 제10 내지 제14 양태 중 어느 하나의 처리 방법에 있어서, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 상기 처리 공정은, 헤드부에 유지된 시트형 부재를 상기 피처리물의 상기 평면에 압박시켜 행하는 공정을 포함한다.
제16 양태에 의하면, 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송 장치가 제공된다. 이 반송 장치는, 상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와, 상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척을 갖는다.
제16 양태에 의하면, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부면에 대향하여 배치되기 때문에, 피처리물의 단부의 단부면을 유지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물을 경사진 자세로 반송해도, 피처리물이 휘어지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 피처리물의 면내 방향의 위치를 제2 베르누이 척에 의해 유지할 수 있기 때문에, 피처리물의 하단부를 구동부에 안정적으로 접촉시켜, 안정적으로 반송할 수 있다.
제2 베르누이 척은, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한할 수는 없다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우에, 만일 피처리물의 단부가 만곡되어 제2 베르누이 척의 대향 위치로부터 어긋나 버리면, 제2 베르누이 척은 피처리물의 단부면을 적절히 유지할 수 없게 된다. 그러나, 제16 양태에 의하면, 제1 베르누이 척이 피처리물의 평면에 대향하여 배치되기 때문에, 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하여, 피처리물의 단부가 만곡되는 것을 방지할 수 있다. 이 때문에, 피처리물이 매우 유연한 경우라도, 피처리물의 단부를 제2 베르누이 척의 대향 위치에 유지할 수 있고, 그 결과, 제2 베르누이 척이 피처리물의 단부의 단부면을 적절히 유지할 수 있다.
또한, 제16 양태에 의하면, 피처리물의 일단부가 구동부에 의해 반송되고, 그 반대측의 단부는 제2 베르누이 척으로 유지된다. 이 때문에, 피처리물의 하단부 및 상단부의 양방을 롤러 등의 구동부로 반송하는 경우에 비해, 구동부의 수를 감소시킬 수 있다. 구동부는, 피처리물에 물리적으로 접촉하여 마모되기 때문에, 정기적인 교환이 필요해진다. 따라서, 구동부의 수를 감소시킴으로써, 교환하는 구동부의 수도 감소하게 되어, 교환에 필요로 하는 작업 비용 및 부품 비용을 저감할 수 있다. 또한, 구동부의 수가 감소함으로써, 피처리부에의 물리적인 접촉 횟수, 접촉 시간을 적게 하여, 피처리부에의 물리적인 영향을 저감할 수 있다.
27, 27a, 27b: 기판 반송 장치 50: 세정 장치
51: 입구 52: 출구
70: 반송부 71: 구동부
72a: 제1 베르누이 척 73a: 제2 베르누이 척
73b: 제1 베르누이 척 81: 원반형 스크럽 장치
83: 세정 제트 노즐 장치 85: 연직 반송 기구
85a, 86a: 제3 베르누이 척 86: 연직 반송 기구
87: 롤형 스크럽 장치 88: 에어 나이프 장치
89: 이오나이저 90: 수평 반송 기구
91: 연마 장치 93: 연마 헤드
93a: 연마 테이프 100, 200: 도금 장치
120B, 220B: 도금 처리부

Claims (16)

  1. 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송부와,
    상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 처리부를 갖고,
    상기 반송부는,
    상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와,
    상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과,
    상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척
    을 포함하는 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반송부는, 상기 피처리물의 상기 평면이 수평에 대해 5° 이상 85° 이하의 각도로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하도록 구성되는 것인 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 피처리물의 양면에 대향하여 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척을 갖는 것인 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피처리물의 반송 방향을 따라 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척을 갖고,
    상기 처리부는, 상기 피처리물의 반송 방향을 따라 배치되는 복수의 상기 제1 베르누이 척 사이에 배치되는 것인 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 베르누이 척은, 상기 피처리물의 반송 방향에 있어서, 상기 제1 베르누이 척보다 긴 것인 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 베르누이 척은, 상기 피처리물을 사이에 두고 상기 처리부와 대향하는 위치에 배치되는 것인 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 피처리물의 입구와,
    상기 피처리물의 출구와,
    상기 입구로부터 투입된 상기 피처리물이 반송되는 제1 반송 경로와,
    상기 제1 반송 경로에 있어서 상기 피처리물이 반송되는 방향과는 반대 방향으로 상기 피처리물이 반송되고, 상기 제1 반송 경로 및 상기 출구에 연결되는 제2 반송 경로와,
    상기 제1 반송 경로와 상기 제2 반송 경로를 접속하는 연직 반송 경로와,
    상기 연직 반송 경로에 있어서, 상기 제1 반송 경로로부터 상기 제2 반송 경로를 향해 연직 방향으로 상기 피처리물을 반송하는 연직 반송 기구
    를 포함하는 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 연직 반송 기구는, 상기 피처리물을 비접촉으로 유지하도록 구성된 제3 베르누이 척을 갖는 것인 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 처리 장치를 구비한 도금 장치로서,
    도금 처리부와,
    기판 반송부를 구비하고,
    상기 기판 반송부는, 상기 도금 처리부에서 도금 처리된 상기 피처리물을 상기 처리 장치의 입구에 투입하고, 상기 처리 장치에서 처리된 상기 피처리물을 상기 출구로부터 취출하도록 구성되는 것인 도금 장치.
  10. 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 공정과,
    상기 피처리물의 상기 평면에 대해, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 처리 공정을 포함하고,
    상기 반송하는 공정은,
    상기 피처리물의 단부에 반송 방향의 힘을 물리적으로 가하는 공정과,
    상기 피처리물의 두께 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 평면을 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정과,
    상기 반송 방향과 직교하는 상기 피처리물의 면내 방향의 이동을 제한하도록, 상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면을 제2 베르누이 척으로 유지하는 공정을 포함하는 것인 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반송하는 공정은, 상기 피처리물의 상기 평면이 수평에 대해 5° 이상 85° 이하의 각도로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 공정을 포함하는 것인 처리 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정은, 상기 피처리물의 양면을 복수의 상기 제1 베르누이 척으로 유지하는 공정을 포함하는 것인 처리 방법.
  13. 제10항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송하는 공정은,
    제1 반송 경로를 통해 상기 피처리물을 반송하는 공정과,
    상기 제1 반송 경로로부터 제2 반송 경로를 향해 연직 방향으로 상기 피처리물을 반송하는 연직 반송 공정과,
    상기 제2 반송 경로를 통해 상기 피처리물을 반송하는 공정을 포함하고,
    상기 연직 반송 공정은, 제3 베르누이 척을 이용하여 상기 피처리물을 비접촉으로 유지하면서 반송하는 것인 처리 방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 상기 처리 공정은, 헤드부에 유지되고, 미리 정해진 속도로 일방향으로 보내지는 테이프 부재를 상기 피처리물의 상기 평면에 압박시켜 행하는 공정을 포함하는 것인 처리 방법.
  15. 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 연마, 세정, 및 건조 중 적어도 하나를 실행하는 상기 처리 공정은, 헤드부에 유지된 시트형 부재를 상기 피처리물의 상기 평면에 압박시켜 행하는 공정을 포함하는 것인 처리 방법.
  16. 피처리물의 평면이 수평에 대해 반송 방향 축 주위로 경사진 상태로 상기 피처리물을 반송하는 반송 장치로서,
    상기 피처리물의 단부에 물리적으로 접촉하여 상기 피처리물에 반송 방향의 힘을 가하도록 구성되는 구동부와,
    상기 피처리물의 상기 평면에 대향하여 배치되는 제1 베르누이 척과,
    상기 피처리물의 상기 단부와는 반대측의 단부의 단부면에 대향하여 배치되는 제2 베르누이 척
    을 포함하는 반송 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101964150B1 (ko) * 2017-01-10 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치 및 그것을 이용한 기판 세정 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536658A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄・乾燥装置
JP3042598U (ja) 1997-04-17 1997-10-21 鈴木化工株式会社 ごみ袋携帯ポシェット
KR20080085646A (ko) * 2007-03-19 2008-09-24 에프엔에스테크 주식회사 기판이송장치
JP2010018841A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ebara Corp 磁性体膜めっき装置及びめっき方法
JP2011236489A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Shimadzu Corp 成膜装置および集塵方法
KR20120059700A (ko) * 2010-12-01 2012-06-11 주식회사 에스에프에이 비접촉식 기판 이송장치
KR20150002483A (ko) * 2013-06-28 2015-01-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3042598B2 (ja) 1996-07-09 2000-05-15 ニチデン機械株式会社 基板の搬送装置
EP1363736B1 (en) * 2000-12-18 2011-03-02 Protedyne Corporation Extruding gel material for gel electrophoresis
JP3587788B2 (ja) * 2001-02-27 2004-11-10 住友精密工業株式会社 昇降式基板処理装置及びこれを備えた基板処理システム
US6971835B2 (en) * 2001-12-21 2005-12-06 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Vapor-phase epitaxial growth method
JP4229670B2 (ja) * 2002-09-30 2009-02-25 株式会社日本設計工業 薄板状材の搬送方法及び装置
JP2006326754A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Tokki Corp ポリシング装置
JP4905806B2 (ja) * 2008-04-24 2012-03-28 日本電気硝子株式会社 ガラス板積載台車
US20120125376A1 (en) * 2009-07-03 2012-05-24 Tokyo Electron Limited Wet processing apparatus and wet processing method
US9757963B2 (en) * 2010-11-01 2017-09-12 Scodix Ltd. System and method for transporting substrates
JP6133120B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
US9468944B2 (en) * 2013-05-17 2016-10-18 Sst Systems, Inc. System and method with multi-axis tilting
WO2016052632A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社カネカ 試料移載システム及び太陽電池の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0536658A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄・乾燥装置
JP3042598U (ja) 1997-04-17 1997-10-21 鈴木化工株式会社 ごみ袋携帯ポシェット
KR20080085646A (ko) * 2007-03-19 2008-09-24 에프엔에스테크 주식회사 기판이송장치
JP2010018841A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ebara Corp 磁性体膜めっき装置及びめっき方法
JP2011236489A (ja) * 2010-05-13 2011-11-24 Shimadzu Corp 成膜装置および集塵方法
KR20120059700A (ko) * 2010-12-01 2012-06-11 주식회사 에스에프에이 비접촉식 기판 이송장치
KR20150002483A (ko) * 2013-06-28 2015-01-07 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치

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